JP7055201B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
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Description
本発明の実施の形態について、図1から図6を参照して説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、本発明を実施する上での好適な具体例として示すものであり、技術的に好ましい種々の技術的事項を具体的に例示している部分もあるが、本発明の技術的範囲は、この具体的態様に限定されるものではない。また、各図面における各構成要素の寸法比は、実際の寸法比と必ずしも一致するものではない。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体発光装置の構成の一例を概略的に示す斜視図である。図1に示すように、半導体発光装置1は、紫外線等の所定の波長域の光を発光する半導体発光素子2と、電流の値によらずに電圧の値を一定に保つ定電圧素子5と、これら半導体発光素子2及び定電圧素子5を実装する実装基板3とを備えて構成されている。半導体発光素子2及び実装基板3についての詳細は、後述する。定電圧素子5には、例えば、ツェナーダイオードを用いることができる。
半導体発光素子2には、例えば、トランジスタ、レーザダイオード(Laser Diode:LD)、発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)等が含まれる。本実施の形態では、半導体発光素子2として、紫外領域の波長の光(特に、中心波長が230nm~360nmの深紫外光)を発する発光ダイオードを例に挙げて説明する。
実装基板3は、平板状の形状を有するパッケージの一例である。実装基板3は、基体部31と、この基体部31の下面31bに設けられた第1の下部電極311及び第2の下部電極312と、基体部31の上面31aに設けられた第1の上部電極313及び第2の上部電極314とを有して構成されている。
図3は、封止部26を拡大して示す図である。なお、図3では、説明の便宜上、絶縁層25の記載を省略した。また、図3では、説明の便宜上、構成の一部を図示上下方向に圧縮して描いており、図2及び図3の間で構成要素の厚みの寸法比は必ずしも一致していない点に留意されたい。図3に示すように、封止部26は、シーリング部材でもある第1の電極23と実装基板3との間を接合して封止する。封止部26は、金錫(AuSn)を含み、例えば、錫(Sn)の含有量が20~30重量%の金錫合金で構成される。
接合部27は、第2の電極24と実装基板3の間を接合する。接合部27は、封止部26と同様に、金錫(AuSn)を含み、例えば、錫(Sn)の含有量が20~30重量%の金錫合金で構成される。
次に、半導体発光装置1の製造方法の一例についてその概要を説明する。半導体発光装置1は、例えば、以下の手順で製造することができる。
<半導体発光素子2の準備>
(1)半導体発光素子2(支持基板20及び窒化物半導体層21からなるもの)の内側領域60内に第2の上部電極314を配置し、この第2の上部電極314を囲むようにしつつ、継ぎ目がないように第1の上部電極313を配置する。
(2)第1の上部電極313の外側には窒化物半導体層21が露出しないように加工する。例えば、絶縁層25を窒化物半導体層21の表面に形成してもよい。
(3)半導体発光素子2の第1の電極23及び第2の電極24の表面に、AuSn半田を形成する。
(4)実装基板3に、定電圧素子5を搭載するためのAuスタッドバンプ(不図示)を形成する。
(5)実装基板3に、Auスタッドバンプを介して定電圧素子5を搭載する。
(6)ドライ窒素雰囲気、又はドライエア雰囲気(酸素濃度3%~20%の範囲の混合ガス)を充填させた実装装置(不図示)に実装基板3を設置する。
(7)実装装置の内部の温度を280℃~308℃の範囲か、又は311℃~330℃の範囲に昇温する。ここで、280℃~308℃は、AuSnの溶融温度である。なお、好ましくは、実装の際の温度が309℃~310℃にならないようにする。なお、この309℃~310℃との温度は、従来の製造方法によって石英ガラス等により形成された蓋部材を封着する際に、AuSnを溶融させたときに石英ガラスがパッケージ材からはがれやすくなる温度である。
(8)半導体発光素子2を搭載する位置を確認しながら、実装基板3に搭載する。搭載するときに、荷重は10g~100gの範囲にする。
以上のようにすれば、封止部26が支持基板20から第1の電極23に亘って形成されているため、封止の効果を高めて信頼性の高い気密封止構造を実現することができるとともに、例えば、応力緩和処理の工程を経なくとも半導体発光素子2が実装基板3から剥がれるのを抑制することができる。これにより、n型クラッド層21bを形成するn型AlGaNが外気に接触することを抑制することができ、活性層21cの外側の領域等劣化が始まりやすい部分の気密性をより高めて半導体発光素子2の劣化を抑制することができる。
半導体発光素子2は、上面視において、必ずしも矩形状である必要はなく、円形や多角形状を有するものでもよい。内側領域60と中間領域62との境界となる線及び中間領域62と外縁領域61との境界となる線は、それぞれ、上面視において、円形でもよく、三角形や六角形などの矩形とは異なる多角形でもよく、不規則形状のループでもよい。また、各種電極の形状も適宜調整してよい。
半導体発光装置1の内部において半導体発光素子2と実装基板3との間に形成された隙間領域(図2の「R」参照。)において、各層の露出部分に所定の厚みを有する反射膜や反射電極(不図示)をさらに設けてもよい。反射膜を用いる場合は、隙間領域Rにおいて、封止部26や絶縁層25の表面に被覆してもよい。反射膜や反射電極による反射によって光の出力(取出し率)をさらに高めるとともに、定電圧素子5に照射される光の量を低減することで定電圧素子5の劣化を抑制することができるという更なる効果を奏する。なお、反射膜や反射電極を形成する工程は、例えば、上述した製造方法の(1)と(2)との間に設けてもよい。
次に、図4を参照して本発明の第2の実施の形態について説明する。図4は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体発光装置1の構成の一例を概略的に示す縦断面図である。第2の実施の形態では、半導体発光素子2の第1の電極23及び第2の電極24とは別に枠状のシーリング部材28が設けられる点で上述の実施の形態と相違する。以下、第2の実施の形態について上述の実施の形態との相違点を中心に説明する。
バッファ層21aのうち中間領域62上には枠状のシーリング部材28が設けられる。このシーリング部材28は、例えば、バッファ層21a上に順にTi/Pt/Au又はCr/Pt/Auが順に積層された多層膜で形成される。
実装基板3の第1の上部電極313は、基体部31の上面31a内において、第1の電極23と対応する位置に設けられる。第2の上部電極314は、基体部31の上面31a内において、第2の電極24と対応する位置に設けられる。また、基体部31の上面31a内において、シーリング部材28に対応する位置には、封止金属層315が設けられている。封止金属層315は、例えば、タングステン(W)やモリブデン(Mo)等を含む基材にニッケル(Ni)や金(Au)等がメッキされて形成される。
封止部26は、支持基板20側から封止金属層315側に向かって延在する略長方形錐台の末広がり形状を有している。具体的には、封止部26は、半導体発光素子2の外側において、支持基板20の段差部20cの底面20caを起点とし、封止金属層315の上面を終点として、支持基板20側から封止金属層315側に向かって延在している。
上述の実施の形態で説明した接合部27を第1の接合部27とした場合に、第1の電極23と第1の上部電極313との間を接合する第2の接合部29をさらに備える。第2の接合部29は、第1の接合部27と同様に、金錫(AuSn)を含み、例えば、錫(Sn)の含有量が20~30重量%の金錫合金で構成される。
第2の実施の形態によっても、第1の実施の形態と同様に、封止の効果を高めて信頼性の高い気密封止構造を実現することができ、応力緩和処理の工程を経なくとも半導体発光素子2が実装基板3から剥がれるのを抑制することができる。
次に、図5を参照して第3の実施の形態について説明する。図5は、本発明の第3の実施の形態に係る半導体発光装置1の構成の一例を概略的に示す縦断面図である。第3の実施の形態は、半導体発光素子2の周囲に樹脂保護層10が設けられる点で上述の実施の形態と相違する。以下、第3の実施の形態について上述の実施の形態との相違点を中心に説明する。
第3の実施の形態によっても、第1の実施の形態と同様に、封止の効果を高めて信頼性の高い気密封止構造を実現することができ、応力緩和処理を経なくとも半導体発光素子2が実装基板3から剥がれるのを抑制することができる。また、半導体発光装置1の内部において半導体発光素子2と実装基板3との間に形成された隙間領域Rに樹脂保護層10を構成する樹脂材が入り込みにくくなるため、ハロゲン酸の発生を抑制して劣化を抑えることができるという更なる効果を奏する。
次に、図6を参照して第4の実施の形態について説明する。図6は、本発明の第4の実施の形態に係る半導体発光装置1の構成の一例を概略的に示す縦断面図である。第4の実施の形態は、半導体発光素子2を収容するパッケージ基板41と、このパッケージ基板41上に覆うように設けられた蓋体42とを有するパッケージ4を備える点で上述の実施の形態と相違する。以下、第4の実施の形態について上述の実施の形態との相違点を中心に説明する。
パッケージ4は、下地部を構成するパッケージ基板41と、このパッケージ基板41と接合する蓋体42と、パッケージ基板41及び蓋体42を互いに接合する接着層43とを有して構成されている。具体的には、パッケージ基板41の上面41cに、接着層43を介して蓋体42が取り付けられる。これにより、蓋体42とパッケージ基板41とが接合して一体化し、蓋体42及びパッケージ基板41で形成される内部空間を外部から気密に封止する。
第4の実施の形態によれば、上述の各実施の形態が奏する効果に加えて、封止の効果をさらに高めて信頼性の高い気密封止構造を実現することができる。
図7を参照して変形例について説明する。図7は、変形例に係る半導体発光装置の構成の一例を概略的に示す斜視図である。図7では、蓋体42を省略して示した。上述の実施の形態では、第2の上部電極414を半導体発光素子2の中心部にパッケージ基板41の凹部41aの内壁と離隔して配置したが、図7に示すように、パッケージ基板41の凹部41aを構成する4つうちの内壁のうちのいずれか1つに接触するように配置してもよい。
次に、図8~図12を参照して本発明の第5の実施の形態について説明する。図8~図12に示すように、実装基板3の基体部31の上面に定電圧素子5を収容する収容孔310を形成してもよい。換言すれば、実装基板3は、定電圧素子5を収容するキャビティ構造を備えてもよい。
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
[2]前記支持基板(20)は、幅方向における両端部に形成された段差部(20c)を備え、前記封止部(26)は、前記段差部(20c)に充填されるとともに、前記実装基板(3)側に向かうにつれて前記半導体発光素子(2)の外側方向及び内側方向に拡張する末広がり形状を有する、前記[1]に記載の半導体発光装置(1)。
[3]前記半導体発光素子(2)は、前記支持基板(20)と前記シーリング部材との間に設けられたn型クラッド層(21b)とをさらに備え、前記封止部(26)は、前記n型クラッド層(21b)の側面をさらに一体的に被覆する、前記[1]又は[2]に記載の半導体発光装置(1)。
[4]前記半導体発光素子(2)と前記実装基板(3)との間に形成された隙間において、前記封止部(26)に被覆された反射膜をさらに備える、前記[1]又は[2]に記載の半導体発光装置(1)。
[5]前記半導体発光素子(2)と前記実装基板(3)との間に形成された隙間において、前記封止部(26)に被覆された反射膜をさらに備える、前記[3]に記載の半導体発光装置(1)。
[6]樹脂で形成され、前記半導体発光素子(2)を被覆して該半導体発光素子(2)を保護する樹脂保護層(10)をさらに備える、前記[1]又は[2]に記載の半導体発光装置(1)。
[7]樹脂で形成され、前記半導体発光素子(2)を被覆して該半導体発光素子(2)を保護する樹脂保護層(10)をさらに備える、前記[3]に記載の半導体発光装置(1)。
[8]樹脂で形成され、前記半導体発光素子(2)を被覆して該半導体発光素子(2)を保護する樹脂保護層(10)をさらに備える、前記[4]に記載の半導体発光装置(1)。
[9]樹脂で形成され、前記半導体発光素子(2)を被覆して該半導体発光素子(2)を保護する樹脂保護層(10)をさらに備える、前記[5]に記載の半導体発光装置(1)。
2…半導体発光素子
20…支持基板
20c…段差部
21b…n型クラッド層
26…封止部
28…シーリング部材
3…実装基板
10…樹脂保護層
Claims (4)
- 支持基板と、前記支持基板の上側に位置するシーリング部材とを有する半導体発光素子と、
前記シーリング部材と対向するように前記半導体発光素子を実装する実装基板と、
前記支持基板の一部と前記シーリング部材の側面とを一体的に被覆し、前記半導体発光素子と前記実装基板とを封止する封止部と、
を備え、
前記半導体発光素子は、前記支持基板と前記シーリング部材との間に設けられたn型クラッド層をさらに備え、
前記封止部は、前記n型クラッド層の側面をさらに一体的に被覆する、半導体発光装置。 - 前記支持基板は、幅方向における両端部に形成された段差部を備え、
前記封止部は、前記段差部に充填されるとともに、前記実装基板側に向かうにつれて前記半導体発光素子の外側方向及び内側方向に拡張する末広がり形状を有する、
請求項1に記載の半導体発光装置。 - 前記半導体発光素子と前記実装基板との間に形成された隙間において、前記封止部に被覆された反射膜をさらに備える、
請求項1又は2に記載の半導体発光装置。 - 樹脂で形成され、前記半導体発光素子を被覆して該半導体発光素子を保護する樹脂保護層をさらに備える、
請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
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Citations (6)
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---|---|---|---|---|
JP2007235122A (ja) | 2006-02-02 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2010153561A (ja) | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2014529200A (ja) | 2011-10-07 | 2014-10-30 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 発光ダイオードパッケージ |
US20150091042A1 (en) | 2013-09-27 | 2015-04-02 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip and light emitting device having the same |
JP2016163015A (ja) | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 旭化成株式会社 | 紫外線発光素子及びその製造方法 |
JP2018093136A (ja) | 2016-12-07 | 2018-06-14 | 日機装株式会社 | 光半導体装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5996749A (ja) | 1982-11-25 | 1984-06-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 樹脂封止型電子部品の製造方法 |
JP2001203291A (ja) | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Rohm Co Ltd | チップ型半導体装置 |
US7786491B2 (en) | 2006-02-02 | 2010-08-31 | Panasonic Corporation | Semiconductor light-emitting device comprising a plurality of semiconductor layers |
JP2009231351A (ja) | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Aisin Aw Co Ltd | 電子部品の封止構造 |
JP2010028049A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Kyocera Corp | 発光装置及び照明装置 |
JP5500904B2 (ja) | 2009-08-11 | 2014-05-21 | シチズン電子株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP5482160B2 (ja) * | 2009-12-08 | 2014-04-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2011210974A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 照明装置 |
TWI407598B (zh) * | 2010-05-26 | 2013-09-01 | Advanced Optoelectronic Tech | 發光二極體封裝製程 |
KR101853067B1 (ko) | 2011-08-26 | 2018-04-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
CN105359284B (zh) * | 2013-06-28 | 2019-05-14 | 西铁城时计株式会社 | Led装置 |
US9640729B2 (en) * | 2013-07-03 | 2017-05-02 | Koninklijke Philips N.V. | LED with stress-buffer layer under metallization layer |
KR20150035113A (ko) | 2013-09-27 | 2015-04-06 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조 방법 |
KR20150052513A (ko) * | 2013-11-06 | 2015-05-14 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조 방법 |
TW201626604A (zh) * | 2015-01-14 | 2016-07-16 | 億光電子工業股份有限公司 | 發光二極體封裝結構 |
TWI657597B (zh) * | 2015-03-18 | 2019-04-21 | 新世紀光電股份有限公司 | 側照式發光二極體結構及其製造方法 |
JP6519407B2 (ja) | 2015-08-26 | 2019-05-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
US11165002B2 (en) * | 2017-08-30 | 2021-11-02 | Soko Kagau Co., Ltd. | Light-emitting device |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007235122A (ja) | 2006-02-02 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2010153561A (ja) | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2014529200A (ja) | 2011-10-07 | 2014-10-30 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 発光ダイオードパッケージ |
US20150091042A1 (en) | 2013-09-27 | 2015-04-02 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip and light emitting device having the same |
JP2016163015A (ja) | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 旭化成株式会社 | 紫外線発光素子及びその製造方法 |
JP2018093136A (ja) | 2016-12-07 | 2018-06-14 | 日機装株式会社 | 光半導体装置 |
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