JPS5996749A - 樹脂封止型電子部品の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型電子部品の製造方法Info
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- JPS5996749A JPS5996749A JP57207277A JP20727782A JPS5996749A JP S5996749 A JPS5996749 A JP S5996749A JP 57207277 A JP57207277 A JP 57207277A JP 20727782 A JP20727782 A JP 20727782A JP S5996749 A JPS5996749 A JP S5996749A
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- Japan
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- lead frame
- sealed
- electronic component
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は電子機器、電気機器等に用いられる樹脂封止型
電子部品の製造技術の分野に属するものである。
電子部品の製造技術の分野に属するものである。
従来の樹脂封止型電子部品の製造方法は、リードフレー
ムに素子をダイボンディングしてからインナーボンティ
ングし次にパッシベーションしてから低圧トランスフ、
−成形し工素子１１旨で封にして樹脂封止型電子部品を
得るもので、素子に懸影響を与えないように低圧トラン
ス７７−成形するため高品質の閤粘度樹脂を用いること
ができず、又それでも素子に成形圧力による歪を与える
ことが頻拍していた。更に素子と樹脂が全面的に密着・
しているため素子に応力歪を与えたジ、ボンディングワ
イヤーの全断線、樹脂中の不純イオンによる素子の汚染
は避けられないものであった。
ムに素子をダイボンディングしてからインナーボンティ
ングし次にパッシベーションしてから低圧トランスフ、
−成形し工素子１１旨で封にして樹脂封止型電子部品を
得るもので、素子に懸影響を与えないように低圧トラン
ス７７−成形するため高品質の閤粘度樹脂を用いること
ができず、又それでも素子に成形圧力による歪を与える
ことが頻拍していた。更に素子と樹脂が全面的に密着・
しているため素子に応力歪を与えたジ、ボンディングワ
イヤーの全断線、樹脂中の不純イオンによる素子の汚染
は避けられないものであった。
本発明はデバイス信頼性の同上と生産性を向上せしめる
＠朋封止型電子部品の製造万伝を提供することを目的と
してなされたものである。
＠朋封止型電子部品の製造万伝を提供することを目的と
してなされたものである。
本発明はリードフレームに、素子収納用の上、下に空間
部を有する合成槌脂バ、ケージを設け、次いで前記空間
部に位置するリードフレーム部分に素子をボンディング
し、この後前記上、下の空間部を封止蓋でシールするこ
とを特徴とする樹脂封止型電子部品の製造方法で、素子
のボンディング前にリードフレームと樹脂を成形してし
まうため高品質の高粘度樹脂を用いることができ更に高
圧成形が可能なため射出成形することができるため生産
性と品質を大巾に向上せしめることができるものである
。加えて素子と樹脂間には空間があるため素子に応力輩
を与えることもなく、ボンディングワイヤの歪断線もな
く、樹脂中の不純イオンによる素子の汚染もなくデバイ
ス信頼性を大巾に向上せしめることができるものである
。以下実施例にもとすき説明する。
部を有する合成槌脂バ、ケージを設け、次いで前記空間
部に位置するリードフレーム部分に素子をボンディング
し、この後前記上、下の空間部を封止蓋でシールするこ
とを特徴とする樹脂封止型電子部品の製造方法で、素子
のボンディング前にリードフレームと樹脂を成形してし
まうため高品質の高粘度樹脂を用いることができ更に高
圧成形が可能なため射出成形することができるため生産
性と品質を大巾に向上せしめることができるものである
。加えて素子と樹脂間には空間があるため素子に応力輩
を与えることもなく、ボンディングワイヤの歪断線もな
く、樹脂中の不純イオンによる素子の汚染もなくデバイ
ス信頼性を大巾に向上せしめることができるものである
。以下実施例にもとすき説明する。
以下本発明の一実施例・を第１図の図面により説明する
。１は金属製リードフレームで単、連、連フープいずれ
でもよくこのまま使用してもよいが好ましくは樹脂封入
部分の密着性を向上せしめるため該部分の金属表面を酸
やクロム酸等の化学的方法で粗面化したシ、研摩等の物
理的方法で粗面化したり、鍍金や放電処理等の電気的方
法で粗面化したシ取は接着剤等で前処理を施しておくこ
とが望ましい。リードフレームｌに素子収納用の上、下
に空間部２を有するエポキシ樹脂、不飽和ポリエステル
樹月ａ１フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ジアリルフ
タレート樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂、ポリアミ
ド樹脂、ポリブタン１ン栃脂、ポリウレタン樹脂、ポリ
ヌルフォン桓］ｌ］旨、ポリューラルスル７オンｔＲｈ
旨、ポリアリルスルフォン樹脂１．フッ（ｌｊｔＬｉ脂
、ボリフエニＶルサルファイド樹脂、ポリブチレンテレ
フタレートｍ脂、ポリエチＶンテレフタレート樹脂等の
合成樹脂製パッケージ３を直圧成形、トランスファー成
形、射出成形等で設ける。合成樹脂は特に限定するもの
ではないが好ましくは日本工業規格ＪＩＳ −Ｋ７２０
１による連続耐熱温度が１６γＣ以上のポリイミド樹脂
、ポリアリルスルフォン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ
アリルスルフォン初詣、）、化樹脂、ポリフエニＶンサ
ルファイドｉＡ Ｉｉ旨、ホリブｆＶン７ｖ７メレート
樹鮨、ポリエチＶンデレフタレート樹脂等の熱可塑性樹
脂を用いることが望ましい。即ち連続耐熱温度が１６で
Ｃ未満の熱可塑性樹脂は樹脂封止型電子部品としての耐
熱性に劣る傾向があるためである。成形方法も特に限定
するもの、ではないが好ましくは高品質の高粘度樹脂を
用いることのできる射出成形で成形することが望ましい
。次いで前記空間部２に位置するυ〜ｒフレーム部分に
素子４ｆｆ：ボンディングし、この後前記上、下の空間
部２を封１．ｌ：蓋５でシールして樹脂封止型電子部品
を得るものである。封止蓋５の材質は電気絶縁性を有す
るものであればよく特に限定するものではないが好まし
くはパッケージ３と同一材質であることがシールのしや
すさ及び使用時の歪応力等の点からみて望ましい。シー
ル方法も特に限定するものではなく融着、接Ｎ等いずれ
の方法でもよいが好ましくは使用時の歪応力の点からみ
て融着させることか望ましい。上、下宿間部の封Ｌｌ：
蓋シールは上、下回時にシールしてもよく又、上、下別
々にシールしてもよく任意である。更に空間部での素子
のボンディング後に上、下空間部の封止蓋シールを同時
におこなうことが望ましいことであるが素子のボンディ
ング前に下封止蓋のみシールしておくこともできる。
。１は金属製リードフレームで単、連、連フープいずれ
でもよくこのまま使用してもよいが好ましくは樹脂封入
部分の密着性を向上せしめるため該部分の金属表面を酸
やクロム酸等の化学的方法で粗面化したシ、研摩等の物
理的方法で粗面化したり、鍍金や放電処理等の電気的方
法で粗面化したシ取は接着剤等で前処理を施しておくこ
とが望ましい。リードフレームｌに素子収納用の上、下
に空間部２を有するエポキシ樹脂、不飽和ポリエステル
樹月ａ１フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ジアリルフ
タレート樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂、ポリアミ
ド樹脂、ポリブタン１ン栃脂、ポリウレタン樹脂、ポリ
ヌルフォン桓］ｌ］旨、ポリューラルスル７オンｔＲｈ
旨、ポリアリルスルフォン樹脂１．フッ（ｌｊｔＬｉ脂
、ボリフエニＶルサルファイド樹脂、ポリブチレンテレ
フタレートｍ脂、ポリエチＶンテレフタレート樹脂等の
合成樹脂製パッケージ３を直圧成形、トランスファー成
形、射出成形等で設ける。合成樹脂は特に限定するもの
ではないが好ましくは日本工業規格ＪＩＳ −Ｋ７２０
１による連続耐熱温度が１６γＣ以上のポリイミド樹脂
、ポリアリルスルフォン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ
アリルスルフォン初詣、）、化樹脂、ポリフエニＶンサ
ルファイドｉＡ Ｉｉ旨、ホリブｆＶン７ｖ７メレート
樹鮨、ポリエチＶンデレフタレート樹脂等の熱可塑性樹
脂を用いることが望ましい。即ち連続耐熱温度が１６で
Ｃ未満の熱可塑性樹脂は樹脂封止型電子部品としての耐
熱性に劣る傾向があるためである。成形方法も特に限定
するもの、ではないが好ましくは高品質の高粘度樹脂を
用いることのできる射出成形で成形することが望ましい
。次いで前記空間部２に位置するυ〜ｒフレーム部分に
素子４ｆｆ：ボンディングし、この後前記上、下の空間
部２を封１．ｌ：蓋５でシールして樹脂封止型電子部品
を得るものである。封止蓋５の材質は電気絶縁性を有す
るものであればよく特に限定するものではないが好まし
くはパッケージ３と同一材質であることがシールのしや
すさ及び使用時の歪応力等の点からみて望ましい。シー
ル方法も特に限定するものではなく融着、接Ｎ等いずれ
の方法でもよいが好ましくは使用時の歪応力の点からみ
て融着させることか望ましい。上、下宿間部の封Ｌｌ：
蓋シールは上、下回時にシールしてもよく又、上、下別
々にシールしてもよく任意である。更に空間部での素子
のボンディング後に上、下空間部の封止蓋シールを同時
におこなうことが望ましいことであるが素子のボンディ
ング前に下封止蓋のみシールしておくこともできる。
以上説明したように本発明の樹脂封止型電子部品の製造
方法によれば素子のボンデインク″１ｌｉＪにリードフ
レームと樹脂を成形してしまうため高品質の高粘度樹脂
、を用いることができ更に高圧成形７５；可能なため射
出成形することができるため生産性と・品質を大巾に向
上せしめることができ、加えて素子と樹脂間には空間が
あるため素子に応力歪を与えることもなく、ボンディン
グワイヤの歪断線もなく、樹脂中の不純イオンによる素
子の汚染もなくデバイス信頼性を大巾に向上せしめるこ
と力；。
方法によれば素子のボンデインク″１ｌｉＪにリードフ
レームと樹脂を成形してしまうため高品質の高粘度樹脂
、を用いることができ更に高圧成形７５；可能なため射
出成形することができるため生産性と・品質を大巾に向
上せしめることができ、加えて素子と樹脂間には空間が
あるため素子に応力歪を与えることもなく、ボンディン
グワイヤの歪断線もなく、樹脂中の不純イオンによる素
子の汚染もなくデバイス信頼性を大巾に向上せしめるこ
と力；。
できたものである。
第１図は本発明の一実施例による樹脂封止型電子部品の
製造方法の簡略工程図である。 １は！Ｉ ＋ ｌ−７Ｖ−ム、２は素子収納用空間部、
３は合成樹脂製パッケージ、４は素子、５１ｄ封止盆で
ある。 特許出願人 松下電工株式会社（ＩＳ？１ｉ）） 代理人弁理士 竹元敏丸（ほか２名）
製造方法の簡略工程図である。 １は！Ｉ ＋ ｌ−７Ｖ−ム、２は素子収納用空間部、
３は合成樹脂製パッケージ、４は素子、５１ｄ封止盆で
ある。 特許出願人 松下電工株式会社（ＩＳ？１ｉ）） 代理人弁理士 竹元敏丸（ほか２名）
Claims (1)
- （１）リードフレームに、素子収納用の上、下に空間部
を荷する合成樹脂バ、、ケージを設け、次いで＠記空間
部に位置するリードフレーム部分に素子をボンディング
し、この後、前記上、下の空間部を封止蓋でシールする
ことを特徴とする樹脂封止型電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57207277A JPS5996749A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 樹脂封止型電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57207277A JPS5996749A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 樹脂封止型電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5996749A true JPS5996749A (ja) | 1984-06-04 |
Family
ID=16537124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57207277A Pending JPS5996749A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 樹脂封止型電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5996749A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4701999A (en) * | 1985-12-17 | 1987-10-27 | Pnc, Inc. | Method of making sealed housings containing delicate structures |
| US4965642A (en) * | 1985-04-22 | 1990-10-23 | U.S. Philips Corporation | Semiconductor device having a laser printable envelope |
| US5106784A (en) * | 1987-04-16 | 1992-04-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a post molded cavity package with internal dam bar for integrated circuit |
| JPH05291426A (ja) * | 1990-11-13 | 1993-11-05 | Gold Star Electron Co Ltd | 半導体素子パッケージの組立方法 |
| US5270262A (en) * | 1991-02-28 | 1993-12-14 | National Semiconductor Corporation | O-ring package |
| US6660562B2 (en) * | 2001-12-03 | 2003-12-09 | Azimuth Industrial Co., Inc. | Method and apparatus for a lead-frame air-cavity package |
| KR100453992B1 (ko) * | 2002-04-24 | 2004-10-20 | 에스티에스반도체통신 주식회사 | 프리몰드형 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
| US7566587B2 (en) | 2001-12-03 | 2009-07-28 | Azimuth Industrial Co., Inc. | Method and apparatus for packaging electronic components |
| JP2022082682A (ja) * | 2018-06-08 | 2022-06-02 | 日機装株式会社 | 半導体発光装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4921073A (ja) * | 1972-06-16 | 1974-02-25 | ||
| JPS5635444A (en) * | 1979-08-30 | 1981-04-08 | Burr Brown Res Corp | Molded lead frame dual innline package and method of manufacturing same |
-
1982
- 1982-11-25 JP JP57207277A patent/JPS5996749A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4921073A (ja) * | 1972-06-16 | 1974-02-25 | ||
| JPS5635444A (en) * | 1979-08-30 | 1981-04-08 | Burr Brown Res Corp | Molded lead frame dual innline package and method of manufacturing same |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4965642A (en) * | 1985-04-22 | 1990-10-23 | U.S. Philips Corporation | Semiconductor device having a laser printable envelope |
| US4701999A (en) * | 1985-12-17 | 1987-10-27 | Pnc, Inc. | Method of making sealed housings containing delicate structures |
| US5106784A (en) * | 1987-04-16 | 1992-04-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a post molded cavity package with internal dam bar for integrated circuit |
| JPH05291426A (ja) * | 1990-11-13 | 1993-11-05 | Gold Star Electron Co Ltd | 半導体素子パッケージの組立方法 |
| US5270262A (en) * | 1991-02-28 | 1993-12-14 | National Semiconductor Corporation | O-ring package |
| US6660562B2 (en) * | 2001-12-03 | 2003-12-09 | Azimuth Industrial Co., Inc. | Method and apparatus for a lead-frame air-cavity package |
| US7566587B2 (en) | 2001-12-03 | 2009-07-28 | Azimuth Industrial Co., Inc. | Method and apparatus for packaging electronic components |
| KR100453992B1 (ko) * | 2002-04-24 | 2004-10-20 | 에스티에스반도체통신 주식회사 | 프리몰드형 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
| JP2022082682A (ja) * | 2018-06-08 | 2022-06-02 | 日機装株式会社 | 半導体発光装置 |
| US11677052B2 (en) | 2018-06-08 | 2023-06-13 | Nikkiso Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
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