JP7054761B2 - メッキ装置とメッキ方法 - Google Patents
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Description
この実施例のステップは、基本的に実施例1のステップと同じであるが、異なる点は、プロセスBのステップ6において、第一ターゲットおよび第三ターゲットがオフにされ、Tbメッキのみが磁石の表面にスパッタリングされることである。Tbターゲットのスパッタリングパワーは20kW、Tbめっき層の厚さは8.1~8.3μmである。
この実施例のステップは基本的に実施例1と同じですが、違いは次のとおりである。プロセスBのステップ6で、磁石をスパッタリングするとき、第一のターゲットがNdターゲットからAlターゲットに変更され、スパッタリングパワーは4kWである。第一めっき層-Alめっき層は0.8~0.9μmの厚さで基材上に形成される。
この実施例のステップは、基本的に実施例1のステップと同じであるが、異なる点は、磁石がサンプル注入室に入った時からメッキ室内の磁石のスパッタリングプロセスまで、分子ポンプ41、42、および43が常にオフにされることである。得られた磁石と実施例1との比較を次の表に示す。
Claims (12)
- 希土類磁石の表面に形成された複合メッキ層であって、第一メッキ層および第二メッキ層を含み、第二メッキ層は第一メッキ層の表面に位置し、第一メッキ層は、Prメッキ層、またはNd、Pr、およびCuのうちの少なくとも2つ以上の合金メッキ層であり、第二メッキ層はTbメッキ層である、ことを特徴とする複合メッキ層。
- さらに第三メッキ層を含み、第三メッキ層は第二メッキ層の表面に位置し、第三メッキ層はDyメッキ層である、ことを特徴とする、請求項1に記載の複合メッキ層。
- メッキ室を含み、メッキ室の上部にターゲットが設置された、メッキ装置であって、
前記ターゲットが第一のターゲットおよび第二のターゲットを含み、
洗浄室、第一緩衝室、サンプル注入室、および冷却室をさらに備え、
分子ポンプが、それぞれ、サンプル注入室、洗浄室、および第一緩衝室の上部に接続されており、
第一ターゲットは、Prターゲット、またはNd、Pr、およびCuのうちの少なくとも2つ以上の合金ターゲットであり、
第二ターゲットはTbターゲットであり、
第一ターゲットは第二ターゲットの前にある、ことを特徴とする、請求項1に記載の複合メッキ層を形成するためのメッキ装置。 - 前記ターゲットは、第三ターゲットをさらに含み、前記第三ターゲットは、Dyターゲットであり、前記第三ターゲットは、前記第二ターゲットの後ろに位置する、
ことを特徴とする、請求項3に記載のメッキ装置。 - イオン衝撃クリーナーが洗浄室に設置され、洗浄室がメッキ室と連通し、第一緩衝室がメッキ室と連通し、
前記サンプル注入室は前記洗浄室に接続され、前記冷却室は、第一バルブを介して前記第一緩衝室に接続される、
ことを特徴とする、請求項3または4に記載のメッキ装置。 - サンプル注入室の分子ポンプは、洗浄室に近い側にあり、
分子ポンプは、洗浄室の両端のいずれにも取り付けられており、
第一緩衝室の分子ポンプは、メッキ室に近い一端に位置している、
ことを特徴とする、請求項5に記載のメッキ装置。 - 第二緩衝室をさらに備え、前記サンプル注入室は、第二バルブを介して第二緩衝室に接続され、前記第二緩衝室が、第三バルブを介して前記洗浄室に接続され、前記第一緩衝室、前記洗浄室、および前記第二緩衝室に、それぞれ、分子ポンプが接続され、分子ポンプが、それぞれ、第一緩衝室、洗浄室、および第二緩衝室の上部に位置し、第一緩衝室の分子ポンプが、メッキ室に近い一端に位置し、分子ポンプが、洗浄室の両端のいずれにも取り付けられ、第二緩衝室の分子ポンプは、第三バルブに近い一端に位置し、
予熱器をさらに備え、前記予熱器が、前記サンプル注入室内、または前記第二緩衝室内、または前記洗浄室内に位置する、
ことを特徴とする、請求項5に記載のメッキ装置。 - サンプル排出室、サンプル注入台、およびサンプル排出台をさらに備え、前記冷却室は、第四のバルブを介して前記サンプル排出室に接続され、前記サンプル注入台はサンプル注入室に接続され、前記サンプル排出台は前記サンプル排出室に接続され、前記サンプル注入室、冷却室、およびサンプル排出室のすべてに真空ポンプが接続され、前記洗浄室、メッキ室、第一緩衝室、冷却室、およびサンプル排出室はそれぞれ不活性ガス装置に接続される、
ことを特徴とする、請求項5に記載のメッキ装置。 - メッキ方法であって、
メッキのステップであって、磁石がメッキ室に送られ、前記磁石が第一ターゲットと第二のターゲットの下を順番に通過することでスパッタリングを行う、メッキのステップを含み、
前記磁石が第一ターゲットを通過した後に第一メッキ層が磁石の表面に形成され、第一メッキ層は、Prメッキ層、またはNd、Pr、およびCuのうちの少なくとも2つ以上の合金メッキ層であり、
前記磁石が第二ターゲットを通過した後に第二メッキ層が第一メッキ層の表面に形成され、第二メッキ層はTbメッキ層である、
ことを特徴とする、
請求項1に記載の複合めっき層を形成するためのメッキ方法。 - 前記磁石は第二ターゲットの下を通過した後、次に第三ターゲットの下を通過して、第三メッキ層が第二メッキ層の表面に形成され、第三メッキ層はDyメッキ層であり、メッキするときに、第三ターゲットのスパッタリングパワーは8~12kW、第三メッキ層の厚さは1~2μmである、
ことを特徴とする、請求項9に記載のメッキ方法。 - 前記メッキのステップの前に磁石をイオン洗浄するステップが含まれ、
プロセス1のステップであって、
A1.サンプル注入室、第二緩衝室、および冷却室を10-1Pa の以下に事前に排気して、 洗浄室、メッキ室、および第一緩衝室を8×10-3Paの以下に事前に排気した後、不活性ガスを洗浄室、メッキ室、および第一緩衝室に0.5~0.7MPaの圧力で流すステップ、
B1.磁石をサンプル注入室に送り、サンプル注入室を10-1Paの以下に排気するステップ、
C1.第二のバルブを開き、磁石が第二緩衝室に送られた後、第二のバルブを閉じ、第二の緩衝室を8×10-3Pa以下に排気するステップ、
D1.第三のバルブを開き、磁石を洗浄室に送り、第三のバルブを閉じて、磁石のイオン洗浄を実行するステップであって、洗浄室の圧力は0.5~0.7MPaである、ステップ、
E1.磁石をメッキ室に送り、メッキステップを実行するステップ、
F1.磁石を第一緩衝室に送り、第一バルブを開き、磁石を冷却室に入れ、第一バルブを閉じ、不活性ガスを冷却室の気圧100~110kPaまで冷却室に送り、磁石を冷却するステップ、または
プロセス2のステップであって、
A2、サンプル注入室と冷却室を10-1Pa以下に事前に排気し、洗浄室、メッキ室、および第一緩衝室を8×10-3Pa以下に事前に排気した後、不活性ガスを洗浄室、メッキ室、および第一緩衝室に0.5~0.7MPaの圧力で流すステップ、
B2.磁石をサンプル注入室に送り、サンプル注入室を8×10-3Pa 以下に排気するステップ、
C2.第五バルブを開き、磁石を洗浄室に送り、第五バルブを閉じて、磁石のイオン洗浄を実行するステップであって、洗浄室の圧力は0.5~0.7MPaである、ステップ、 D2.磁石をメッキ室に送り、メッキステップを実行するステップ、
E2.磁石を第一緩衝室に送り、第一バルブを開き、磁石を冷却室に入れ、第一バルブを閉じ、冷却室内の気圧が100~110kPaになるまで不活性ガスを冷却室に通し、磁石を冷却するステップ、を含む、
ことを特徴とする、請求項9または10に記載のメッキ方法。 - プロセス1のステップF1の後、またはプロセス2のステップE2の後に、
G.第四バルブを開き、磁石をサンプル排出室に送り、第四バルブを閉じ、サンプル排出室に不活性ガスを充填して、磁石を冷却するステップ、
H.サンプル排出室のバルブを開き、磁石をサンプル排出室から送り出すステップ、
がさらに含まれ、
プロセス1のステップD1およびE1が実行されるとき、前記第二緩衝室、洗浄室、および第一緩衝室の分子ポンプが作動状態にあり、プロセス2のステップC2およびD2が実行されるとき、サンプル注入室、洗浄室、および第一緩衝室の分子ポンプが動作状態にあり、
前記磁石は、前記メッキ室に入る前に予熱され、前記予熱温度は100~200℃である、ことを特徴とする、請求項11に記載のメッキ方法。
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