JP7091562B2 - 希土類磁石、希土類スパッタリング磁石、希土類拡散磁石及びその製造方法 - Google Patents
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Description
希土類磁石の作製ステップは以下のとおりです。
希土類磁石の作製ステップは以下のとおりである。
希土類拡散磁石の作製ステップは以下のとおりである。
希土類拡散磁石の作製ステップは以下のとおりである。
希土類拡散磁石の作製ステップは以下のとおりである。
1. 各元素の質量比に応じて、合金原料を作製する。合金原料の各元素の質量比は、(PrNd)32.5Al0.1Co1.0Cu0.1Ga0.51B0.89Febalである。
希土類拡散磁石の作製ステップは以下のとおりである。
1.各元素の質量比に応じて、合金原料を作製する。合金原料の各元素の質量比は、(PrNd)30Al0.05Co0.7Cu0.2Ga0.4B0.90Febalである。
希土類拡散磁石の作製ステップは以下のとおりである。
希土類拡散磁石の作製ステップは以下のとおりである。
希土類拡散磁石の作製ステップは以下のとおりである。
1.各元素の質量比に応じて、主合金原料と補助合金原料を作製する。主合金原料の各元素の質量比は、(PrNd)30Ho0.5Dy1Tb0.5Al0.2Co1.0Cu0.1Ga0.51B1.0Febal、補助合金原料の各元素の質量比は(PrNd)32.5Al0.15Co1.0Cu0.1Ga0.51B0.82Febalである。
希土類拡散磁石の作製ステップは以下のとおりである。
希土類拡散磁石の作製ステップは以下のとおりである。
Claims (9)
- 希土類磁石の結晶粒界相において、白色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の1~3%を占めて、灰色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の2~10%を占め、前記灰色結晶粒界相は、Nd 6 Fe 13 Ga相、すなわち、6:13:1相であり、前記白色結晶粒界相は、R 1 ~T~M相であり、R 1 の原子百分率は30at%を超え、R 1 は、希土類元素であり、Nd及び/又はPrを含み、TはFeおよび/またはCoならびに不可避の不純物元素であり、MはAl、Cu、Nb、Zr、Snのうちの少なくとも1つであり、
前記希土類磁石の成分は、質量百分率で、
Rの含有量は28~32wt%であり、RはDyとTbを含まない希土類元素であり、R中のPrおよび/またはNdの割合は98~100wt%であり、
Dyおよび/またはTbの含有量は0~2wt%であり、
Mの含有量は0.1~1.4wt%であり、MはAl、Cu、Nb、Zr、Snのうちの少なくとも1つであり、
Gaの含有量は0.3~0.8wt%であり、
Bの含有量は0.96wt%~1.0wt%であり、
残りはTであり、TはFeおよび/またはCoならびに不可避の不純物元素である、ことを特徴とする、希土類磁石。 - 前記MがAlおよびCuであり、前記希土類磁石中のAlの含有量が0.05~1wt%であり、Cuの含有量が0.05~0.3wt%である、ことを特徴とする、請求項1に記載の希土類磁石。
- 希土類磁石の製造方法であって、
A.主合金粉末と補助合金粉末を95~99:1~5の質量比で混合し、混合合金粉末を得ることであって、主合金の各元素の質量比は、R28~32M0.1~1.4Ga0.3~0.8B0.97~1.0(DyTb)0~2Tbalであり、補助合金の各元素の質量比はR31~35M0~1.4Ga0.5~0.8B0.82~0.92(DyTb)0~2Tbalであり、ここでRはDyとTbを含まない希土類元素であり、R中のPrおよび/またはNdの割合は98~100wt%であり、MはAl、Cu、Nb、Zr、Snのうちの少なくとも1つの元素であり、TはFeおよび/またはCoならびに不可避の不純物元素である、混合合金粉末を得ることと、
B.磁場下で前記混合合金粉末を配向させ、プレスしてコンパクトを形成することと、
C.前記コンパクトを真空焼結炉に入れて焼結し、焼結磁石を得ることと、
D.前記焼結磁石を焼き戻して、前記希土類磁石を得ることであって、前記ステップDの焼戻し処理が、
800℃~950℃の温度で、2~6時間保温する、一次焼戻し処理と、
470℃~520℃の温度で、2~8時間保温する、二次焼戻し処理とを含む、前記希土類磁石を得ることとを含む、ことを特徴とする、希土類磁石の製造方法。 - MがAlおよびCuであり、前記希土類磁石中のAlの含有量が0.05~1wt%であり、Cuの含有量が0.05~0.3wt%である、ことを特徴とする、請求項3に記載の希土類磁石の製造方法。
- 希土類拡散磁石の結晶粒界相において、白色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の1~3%を占め、灰色結晶粒界相の面積が、微細構造観察領域の総面積の2~4%を占め、前記希土類拡散磁石の最大磁気エネルギー積(BH)maxと固有保磁力Hcjの合計値が75を超えて、最大磁気エネルギー積(BH)maxの単位はMGOeであり、前記固有保磁力Hcjの単位がkOeであり、前記灰色結晶粒界相は、Nd 6 Fe 13 Ga相、すなわち、6:13:1相であり、前記白色結晶粒界相は、R 1 ~T~M相であり、R 1 の原子百分率は30at%を超え、R 1 は、希土類元素であり、Nd及び/又はPrを含み、TはFeおよび/またはCoならびに不可避の不純物元素であり、MはAl、Cu、Nb、Zr、Snのうちの少なくとも1つである、ことを特徴とする、希土類拡散磁石。
- 希土類拡散磁石の製造方法であって、
A.主合金粉末と補助合金粉末を95~99:1~5の質量比で混合し、混合合金粉末を得ることであって、主合金の各元素の質量比は、R28~32M0.1~1.4Ga0.3~0.8B0.97~1.0(DyTb)0~2Tbalであり、補助合金の各元素の質量比はR31~35M0~1.4Ga0.5~0.8B0.82~0.92(DyTb)0~2Tbalであり、ここでRはDyとTbを含まない希土類元素であり、R中のPrおよび/またはNdの割合は98~100wt%であり、MはAl、Cu、Nb、Zr、Snのうちの少なくとも1つの元素であり、TはFeおよび/またはCoならびに不可避の不純物元素である、混合合金粉末を得ることと、
B.磁場下で前記混合合金粉末を配向させ、プレスしてコンパクトを形成することと、
C.前記コンパクトを真空焼結炉に入れて焼結し、焼結磁石を得ることと、
E.前記焼結磁石または焼戻し処理した前記焼結磁石を機械加工して、基材を得ることと、
F.前記基材をスパッタし、最初に第1のターゲットをスパッタリングして基材の表面に第一のめっき層を形成し、次に第二のターゲットをスパッタリングして第一のめっき層の表面に第二のめっき層を形成して希土類スパッタリング磁石を得ることであって、
前記第一のめっき層はNdめっき層またはPrめっき層、或いはNd、Pr、Cuのうちの少なくとも2つ以上の合金めっき層であり、前記第二のめっき層はTbめっき層である、希土類スパッタリング磁石を得ることと、
G.前記希土類スパッタリング磁石を結晶粒界拡散処理して、希土類拡散磁石を得ることであって、前記結晶粒界拡散処理が、
750℃~1000℃の温度で1時間~10時間保温する、一次拡散処理と、
450℃~520℃の温度で1時間~10時間の保温する、二次拡散処理とを含む、希土類拡散磁石を得ることとを含む、ことを特徴とする、希土類拡散磁石の製造方法。 - 前記ステップFで、前記基材の表面にスパッタリングした前記第一のめっき層の厚さが1~2μmであり、スパッタリングした前記第二のめっき層の厚さが2~12μmであり、前記ステップFで、配向方向に垂直な基材の表面をスパッタする、ことを特徴とする、請求項6に記載の希土類拡散磁石の製造方法。
- 前記ステップFが、第二のターゲットをスパッタリングし、次に第三のターゲットをスパッタリングして、第二のめっき層の表面に第三のめっき層を形成することをさらに含み、第三のめっき層はDyめっき層であり、
第一のめっき層の厚さが1~2μmであり、第二のめっき層の厚さが2~10μmであり、第三のめっき層の厚さが1~2μmである、ことを特徴とする、請求項6に記載の希土類拡散磁石の製造方法。 - MがAlおよびCuであり、希土類磁石中のAlの含有量が0.05~1wt%であり、Cuの含有量が0.05~0.3wt%である、ことを特徴とする、請求項6に記載の希土類拡散磁石の製造方法。
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