JP7050090B2 - 基板搬送装置 - Google Patents

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Description

(関連出願の相互参照)
本願は、2017年12月21日に日本国に出願された特願2017-244724号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本発明は、基板の受渡し等を行う基板搬送装置に関する。
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、例えば基板としての半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)上に所定の塗布液を塗布して反射防止膜やレジスト膜などの塗布膜を形成する塗布処理が行われる。この塗布液の塗布処理方法としては、回転中のウェハの中心部にノズルから塗布液を供給し、遠心力によってウェハ上で当該塗布液を拡散することよってウェハ上に塗布膜を形成する、いわゆるスピンコーティング法が広く用いられている。
このスピンコーティング法においては、塗布液を供給する際にウェハを回転させているので、塗布液とウェハとの間で回転摩擦が生じ、この回転摩擦の影響で静電気が発生する場合がある。このようにウェハ処理において静電気が発生すると、ウェハ上に瞬間的に過大電流が流れることとなり、近年の半導体集積回路の微細化に伴うESD(静電気放電:Electro
Static Discharge)耐性の低下とあいまって、ウェハ上に形成された酸化膜の破壊、接合部の破壊、配線膜の溶断等といった問題が発生するおそれがある。
このような、静電気に起因する問題の発生を防ぐため、例えば特許文献1には、ウェハや、該ウェハに接触する搬送機構や処理機構を、所定値の抵抗又は所定の抵抗値を有した材料を介して接地することで除電することが記載されている。
日本国特開平5-243364号公報
ところで、ウェハ上に発生するESDの電流波形は、少なくとも2種類が存在する。
ひとつは、放電電荷量は少ないものの、急峻なピークを持つ電流が短期間(例えば数ns以下)に流れるもので、時定数が少ないためにESD保護素子(抵抗やダイオード、トランジスタ等)が応答できず、保護対象である内部回路に急峻な電位変化が発生し、例えば前述の酸化膜の破壊や、あるいは完全な破壊が発生しなくとも、潜在的な機能不良の原因となる可能性がある電流波形である。
他のひとつは、放電電荷量が多く、大電流が長時間(例えば100ns程度)流れるもので、ESD保護素子が十分に応答できる時定数であるものの、ESD保護素子へ大電流が流れることでジュール発熱が生じ、熱的破壊によって前述の接合部の破壊や配線膜の溶断を発生させる可能性がある電流波形である。
特許文献1に記載のように、ウェハや該ウェハに接触する搬送機構や処理機構を所定値の抵抗、又は所定の抵抗値を有した材料を介して接地すると、抵抗値が大きいほどESD電流を制限することはできるが、ウェハ上の電荷が十分に漏洩しないままウェハが次工程へ搬送され、不具合が発生してしまうおそれがあった。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、ESD電流を制限しつつ、ウェハ上の電荷が漏洩しやすくし、電気特性不良の発生を防止することを目的とする。
前記目的を達成するため、本発明の一態様は、基板を搬送する基板搬送装置であって、導電性を有するアーム本体と、導電性を有する材料から構成され、前記基板と接触して前記基板を支持する支持パッドと、前記アーム本体における、各々に前記支持パッドが設けられた複数のアーム部とを有し、前記複数のアーム部の少なくとも1つにインダクタ部が設けられ、前記アーム本体における、前記インダクタ部を挟んだ前記支持パッドの反対側は、直接的または間接的に接地され、前記インダクタ部は、前記支持パッドから前記反対側の部分における外周を巡るように、絶縁部材の表面上に導電部材でスパイラルパターンが形成されたスパイラルインダクタである、基板搬送装置。
本発明の一態様によれば、急峻なピークを持つESD電流が短期間に流れる場合に対しても、適切に対応して、それに起因する電気特性不良の発生を防止することができる。
実施の形態にかかる液処理装置を有する基板処理システムの概略を模式的に示す平面図である。 図1の基板処理システムの正面図である。 図1の基板処理システムの背面図である。 実施の形態にかかる液処理装置の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。 図4の液処理装置の水平断面図である。 実施の形態にかかる昇降ピンの構成の概略を示した正面図である。 実施の形態にかかる昇降ピンの等価回路図である。 実施形態にかかる昇降ピンによるESD抑制効果を示したグラフである。 スパイラルインダクタを有する他の実施の形態にかかる昇降ピンの構成の概略を示した正面図である。 磁性体コア及びスパイラルインダクタを有する他の実施の形態にかかる昇降ピンの構成の概略を示した正面図である。 実施の形態にかかる搬送アームの構成の概略を示した斜視図である。 図11の搬送アームの要部の構成を拡大して示した説明図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。なお、本実施形態では、基板支持部材が例えばウェハWに対して液処理を行う液処理装置に適用された場合について説明する。
<基板処理システムの構成>
先ず、本実施形態にかかる液処理装置を備えた基板処理システムの構成について説明する。図1は、基板処理システム1の構成の概略を模式的に示す平面図である。図2及び図3は、各々基板処理システム1の内部構成の概略を模式的に示す正面図と背面図である。基板処理システム1では、基板としてのウェハWに所定の処理を行う。
基板処理システム1は、図1に示すように複数枚のウェハWを収容したカセットCが搬入出されるカセットステーション10と、ウェハWに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション11と、処理ステーション11に隣接する露光装置12との間でウェハWの受け渡しを行うインターフェイスステーション13とを一体に接続した構成を有している。
カセットステーション10には、カセット載置台20が設けられている。カセット載置台20には、基板処理システム1の外部に対してカセットCを搬入出する際に、カセットCを載置するカセット載置板21が複数設けられている。
カセットステーション10には、図1に示すようにX方向に延びる搬送路22上を移動自在なウェハ搬送装置23が設けられている。ウェハ搬送装置23は、上下方向及び鉛直軸回り(θ方向)にも移動自在であり、各カセット載置板21上のカセットCと、後述する処理ステーション11の第3のブロックG3の受け渡し装置との間でウェハWを搬送できる。
処理ステーション11には、各種装置を備えた複数、例えば4つのブロック、すなわち第1のブロックG1~第4のブロックG4が設けられている。例えば処理ステーション11の正面側(図1のX方向負方向側)には、第1のブロックG1が設けられている。処理ステーション11の背面側(図1のX方向正方向側、図面の上側)には、第2のブロックG2が設けられている。また、処理ステーション11のカセットステーション10側(図1のY方向負方向側)には、既述の第3のブロックG3が設けられている。処理ステーション11のインターフェイスステーション13側(図1のY方向正方向側)には、第4のブロックG4が設けられている。
例えば第1のブロックG1には、図2に示すように複数の液処理装置、例えばウェハWを現像処理する現像処理装置30、ウェハWのレジスト膜の下層に反射防止膜(以下「下部反射防止膜」という)を形成する下部反射防止膜形成装置31、ウェハWにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置32、ウェハWのレジスト膜の上層に反射防止膜(以下「上部反射防止膜」という)を形成する上部反射防止膜形成装置33が下からこの順に配置されている。
例えば現像処理装置30、下部反射防止膜形成装置31、レジスト塗布装置32、上部反射防止膜形成装置33は、それぞれ水平方向に3つ並べて配置されている。なお、これら現像処理装置30、下部反射防止膜形成装置31、レジスト塗布装置32、上部反射防止膜形成装置33の数や配置は、任意に選択できる。
例えば第2のブロックG2には、図3に示すようにウェハWの加熱や冷却などの熱処理を行う熱処理装置40や、レジスト液とウェハWとの定着性を高めるために疎水化処理を行う疎水化処理装置41、ウェハWの外周部を露光する周辺露光装置42が上下方向と水平方向に並べて設けられている。これら熱処理装置40、疎水化処理装置41、周辺露光装置42の数や配置についても、任意に選択できる。
例えば第3のブロックG3には、複数の受け渡し装置50、51、52、53、54、55、56が下から順に設けられている。また、第4のブロックG4には、複数の受け渡し装置60、61、62が下から順に設けられている。
図1に示すように第1のブロックG1~第4のブロックG4に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Dが形成されている。ウェハ搬送領域Dには、例えばY方向、X方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム70aを有する、ウェハ搬送装置70が複数配置されている。ウェハ搬送装置70は、ウェハ搬送領域D内を移動し、周囲の第1のブロックG1、第2のブロックG2、第3のブロックG3及び第4のブロックG4内の所定の装置にウェハWを搬送できる。
また、ウェハ搬送領域Dには、図3に示すように、第3のブロックG3と第4のブロックG4との間で直線的にウェハWを搬送するシャトル搬送装置80が設けられている。
シャトル搬送装置80は、例えば図3のY方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置80は、ウェハWを支持した状態でY方向に移動し、第3のブロックG3の受け渡し装置52と第4のブロックG4の受け渡し装置62との間でウェハWを搬送できる。
図1に示すように第3のブロックG3のX方向正方向側の隣には、ウェハ搬送装置81が設けられている。ウェハ搬送装置81は、例えばX方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム81aを有している。ウェハ搬送装置81は、ウェハWを支持した状態で上下に移動して、第3のブロックG3内の各受け渡し装置にウェハWを搬送できる。
インターフェイスステーション13には、ウェハ搬送装置90と受け渡し装置91が設けられている。ウェハ搬送装置90は、例えばY方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム90aを有している。ウェハ搬送装置90は、例えば搬送アーム90aにウェハWを支持して、第4のブロックG4内の各受け渡し装置、受け渡し装置91及び露光装置12との間でウェハWを搬送できる。
以上の基板処理システム1には、図1に示すように制御部100が設けられている。制御部100は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、基板処理システム1におけるウェハWの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム1における後述の液処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部100にインストールされたものであってもよい。
<基板処理システムの動作>
次に、以上のように構成された基板処理システム1を用いて行われるウェハ処理について説明する。
先ず、複数のウェハWを収納したカセットCが、基板処理システム1のカセットステーション10に搬入され、カセット載置板21に載置される。その後、ウェハ搬送装置23によりカセットC内の各ウェハWが順次取り出され、処理ステーション11の第3のブロックG3の受け渡し装置53に搬送される。
次に、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第2のブロックG2の熱処理装置40に搬送され温度調節処理される。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって例えば第1のブロックG1の下部反射防止膜形成装置31に搬送され、ウェハW上に下部反射防止膜が形成される。その後、ウェハWは、第2のブロックG2の熱処理装置40に搬送され、加熱処理が行われる。その後、ウェハWは、第3のブロックG3の受け渡し装置53に戻される。
次に、ウェハWは、ウェハ搬送装置81によって同じ第3のブロックG3の受け渡し装置54に搬送される。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第2のブロックG2の疎水化処理装置41に搬送され、疎水化処理が行われる。
その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によってレジスト塗布装置32に搬送され、ウェハW上にレジスト膜が形成される。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって熱処理装置40に搬送されて、プリベーク処理される。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第3のブロックG3の受け渡し装置55に搬送される。
次に、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって上部反射防止膜形成装置33に搬送され、ウェハW上に上部反射防止膜が形成される。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって熱処理装置40に搬送されて加熱され、その後温度調節される。その後ウェハWは、周辺露光装置42に搬送され、周辺露光処理される。
その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第3のブロックG3の受け渡し装置56に搬送される。
次にウェハWは、ウェハ搬送装置81によって受け渡し装置52に搬送され、シャトル搬送装置80によって第4のブロックG4の受け渡し装置62に搬送される。その後、ウェハWは、インターフェイスステーション13のウェハ搬送装置90によって露光装置12に搬送され、所定のパターンで露光処理される。
次にウェハWは、ウェハ搬送装置90によって第4のブロックG4の受け渡し装置60に搬送される。その後、ウェハ搬送装置70によって熱処理装置40に搬送され、露光後ベーク処理される。
次にウェハWは、ウェハ搬送装置70によって現像処理装置30に搬送され、現像処理される。現像処理終了後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって熱処理装置40に搬送され、ポストベーク処理される。
その後ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第3のブロックG3の受け渡し装置50に搬送され、その後カセットステーション10のウェハ搬送装置23によって所定のカセット載置板21のカセットCに搬送される。こうして、一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
<液処理装置の構成>
次に本発明の実施形態にかかる液処理装置、例えばレジスト塗布装置32の構成について説明する。図4は、レジスト塗布装置32の構成の概略を模式的に示す縦断面図、図5はレジスト塗布装置32の構成の概略を模式的に示す水平断面図である。
レジスト塗布装置32には、図4に示すようにウェハWを保持する基板保持部としてのスピンチャック200が設けられている。スピンチャック200は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハWをスピンチャック200上に吸着保持できる。なお本実施の形態においては、スピンチャック200は、例えばポリエーテルエーテルケトン(PEEK)及びカーボンファイバー(CF)からなる、静電気拡散性である抵抗値域を有する導電性樹脂により構成され、例えば10Ω~10Ωの抵抗値を有し、静電気拡散性である抵抗値域を有している。
スピンチャック200は、シャフト201を介して、スピンチャック200の下方に設けられた駆動部202に接続され、駆動部202はアース線203に接続されている。この駆動部202により、スピンチャック200は所定の速度に回転でき、さらにスピンチャック200は昇降自在になっている。
スピンチャック200に保持されたウェハWの裏面側には、ウェハWを下方から支持し昇降させるための基板支持部210が設けられている。基板支持部210は、本実施の形態に係る基板支持部材としての、例えば3本の昇降ピン211a、211b、211cと、リング部材212、昇降部213及びアース接続部214から構成されている。基板支持部材としての昇降ピン211a、211b、211cはリング部材212を介して昇降部213に接続されており、昇降自在になっている。これによって昇降ピン211a、211b、211cは、スピンチャック200から上方に突出自在となり、既述したウェハ搬送装置70の搬送アーム70aとの間でウェハWの授受が可能になっている。
図6は昇降ピン211aの構成の概略を模式的に示す説明図である。図6に示すように、昇降ピン211aは、例えばポリベンゾイミダゾール(PBI)及びカーボンファイバー(CF)から成る導電性樹脂により本体220が構成されている。本体220の頂上部はウェハWと直接接触してこれを支持する接触支持部220aとなる。本体220の下方には、例えばSUSの棒材からなる導電材部221が設けられている。本体220と導電材部221は導電部を構成する。導電材部221は前記したアース接続部214と電気的に導通しており、これによって接地される。
そして本体220における下方であって、導電材部221の上方外周には、インダクタ部となる磁性体コア222が設けられている。本実施の形態では、例えば軟磁性のトロイダルコアが使用され、軟磁性材料としては、例えばNi-Zn系のフェライトコアが用いられている。
かかる構成を有する昇降ピン211aは、後述する処理液塗布後のウェハW上の残留電荷や誘導電荷を漏洩させるための低抵抗ピンとして機能し、そしてリング部材212を介してアース接続部214と電気的に連通されているから、ウェハW上の電荷を接地側に漏洩させることができる。なお、ここでいう低抵抗とは、静電気導電性の上限である、例えば10Ω以下の抵抗値のことを言う。
3本の昇降ピンのうちの残りの2本、すなわち昇降ピン211b、211cは、全体として絶縁性を有する絶縁材、例えばポリエーテルエーテルケトン(PEEK)などの絶縁性樹脂で構成されている。ここで絶縁性を有するとは、例えば1011Ω以上の抵抗値を有することを言う。
また昇降ピン211b、211cにおいて、ウェハWと接触してこれを支持する頂上部の接触支持部223には、例えばパーフロゴムなどの絶縁性ゴムにより構成され、ウェハWと直接接触してウェハWを支持する際の保持力が高められている。昇降ピン211b、211cにおける下方の導電材部225の上端部には、高さ調節用のナット226が設けられている。そして昇降ピン211b、211cにおける接触支持部223からナット226までの長さは、沿面放電が起こらない絶縁距離を保つように設定されている。
なお本実施の形態においては、例えば3本の昇降ピンのうちの1本、すなわち昇降ピン211aを、磁性体コア222を有する低抵抗ピンとしたが、低抵抗ピンの本数はこれに限られず、基板昇降部210に設けられた複数の昇降ピンのうち、少なくとも1本以上が磁性体コア222を有する低抵抗ピンであればよい。
スピンチャック200の上方には、図5に示すように、ウェハWの表面に処理液、例えばレジスト液を供給する処理液ノズル230が設けられている。処理液ノズル230の下端面には、処理液を供給する吐出口230aが形成されている。
処理液ノズル230は、アーム231を介して駆動部232に接続されている。アーム231は、駆動部232により、Y方向(図5の左右方向)に延伸するガイドレール233に沿って、後述するカップ体240のY方向負方向(図5の左方向)側の外方に設けられた待機部234から、ウェハWの上方まで移動でき、ウェハWの中心部位置に処理液であるレジスト液を供給することができる。また、アーム231は、駆動部232によって昇降自在であり、処理液ノズル230の高さを調節することができる。
図4示すように、スピンチャック200の側方には、スピンチャック200に保持されたウェハWを取り囲むようにしてカップ体240が設けられている。カップ体240には昇降機構(図示せず)が接続されており、カップ体240を上昇させることでウェハWから飛散するレジスト液、溶剤等の処理液を受け止めることができる。
また、カップ体240及びスピンチャック200の下方には、カップ体240で回収された処理液を回収し、排出するための液受け部250が設けられている。液受け部250の底面には液受け部250内の気体及び液体を排出する排出管251が接続され、排出管251の下流側に設けられた気液分離器(図示せず)を介して気液分離が行われる。気液分離後の排液は、排液タンク(図示せず)に回収される。
スピンチャック200の下方には、円形のカップ取付けベース260が設けられており、カップ取付けベース260の外側には、縦断面形状が山型の環状のガイド部材261が設けられている。ガイド部材261は、ウェハWから零れ落ちた処理液を、カップ取付けベース260の外側に設けられた前記液受け部250へとガイドする。
なお、カップ取付けベース260には、前記シャフト201、及び、前記昇降ピン211a、211b、211cを貫通する貫通孔(図示せず)が設けられている。
<液処理装置での動作>
ウェハ搬送装置70の搬送アーム70aによってウェハWがレジスト塗布装置32に搬入されると、搬入されたウェハWは、搬送アーム70aから予め昇降して待機していた昇降ピン211a、211b、211cに受け渡される。続いて、昇降ピン211a、211b、211cが下降し、ウェハWはスピンチャック200に保持される。
その後、アーム231によって待機部234の処理液ノズル230を、ウェハWの中心部の上方まで移動させ、スピンチャック200を回転させながら、吐出口230aからウェハWの表面に処理液であるレジスト液を供給する。供給されたレジスト液は遠心力によりウェハWの表面全体に拡散されて、スピンコート法によって当該表面に均一に塗布される。
このようなスピンコート法によるレジスト液塗布の際、レジスト液の絶縁性が高いと、ウェハWとレジスト液との回転摩擦により大きな電荷が発生する場合がある。また、例えば処理液の絶縁性が低い場合であっても、周辺の部材(例えばカップ体240、カップ取付けベース260、ガイド部材261)が帯電していると、周辺の部材に帯電している電荷とは逆極性の電荷が、ウェハW上に帯電してしまうことがある。
従来技術では、ウェハW上の残留電荷や誘導電荷を漏洩させることができないまま、ウェハWが次工程へ搬送される過程で、ウェハ上に電位差が生じ、ウェハW上の酸化膜、デバイス等に電気特性不良が発生するおそれがあった。
しかしながら、本実施の形態では前記したように、まずスピンチャック200は、例えば10Ω~10Ωの静電気拡散性である抵抗値域を有しているため、ウェハW上に帯電した電荷の一部を、スピンチャック200、シャフト201、駆動部202を介して接続されたアース線203から急激な放電を起こすことなく漏洩させることができる。ただし、スピンチャック200は依然としてと静電気拡散性を有する程度の高抵抗であるため、電荷の一部はスピンチャック200を介して漏洩することなく、ウェハW上に残ってしまう。
この状態でレジスト液塗布後のウェハWを、3本の昇降ピン211a、211b、211cで上昇させると、昇降ピン211a、211b、211cを介してウェハWはアース接続されているから、これら昇降ピン211a、211b、211cを経て残留電荷が流れようとする。
このとき、昇降ピン211aは、インダクタ部としての磁性体コア222を有しているので、電流変化率の大きい電流を制限する。より詳述すれば、E=-L*di/dtであるため(Eは逆起電圧、di/dtは電流変化率、Lはインダクタンス)、すなわちインダクタLに発生する逆起電圧Eは電流変化率di/dtに比例する為、急峻な電流が流れようとするのをインダクタ部によって阻止することができる。
このように、インダクタ部を設けることにより、ウェハW接触点と接地点の間のインピーダンスは大きくなり、ウェハW上のデバイスを流れる電流も制限される。これに対し従来手法のようにウェハ接触点と接地点の間の直流抵抗値を大きくするほど、つまり極端にいえば絶縁性を高めるほど、ウェハW上のデバイスを流れる電流を制限できるが、他方でウェハW上の電荷は漏洩しづらくなる。したがって実施の形態のように、電荷がゆっくり漏洩しやすい程度まで、直流抵抗値をなるべく小さくすると同時に、インダクタ部で急峻(ps~数nsオーダー)な電流が流れにくいようにインピーダンスを大きくすることで、急峻なピークを持つESD電流が短期間に流れる場合に対しても適切に対応でき、それに起因する電気特性不良の発生を防止することができる。
図7に、本実施の形態にかかる昇降ピン211aの等価回路図を示す。かかる昇降ピン211aの等価回路からも分かるように、磁性体コア222は、電流変化率の大きい電流を制限できる。したがって、例えば立ち上がり時間がps~数ns以下である急峻なESD電流を制限しつつ、次工程へ搬送される前に、アース接続部214から接地側へ漏洩させることができる。もちろん、長時間のESD電流に対してもこれを制限しつつ、ウェハW上の電荷を接地側へ漏洩させることができる。したがって、デバイスの接合部の破壊や配線膜の溶断を防止することが可能である。
図8は、インダクタ部として磁性体コア222を有する昇降ピン211aと、インダクタ部を有さない昇降ピンとで、それぞれ発生するESDの放電電圧の比較を示したグラフである。同グラフ中の実線が磁性体コア222を有する場合、同じく破線が、インダクタ部を持たない昇降ピンにおける放電電圧を示している。
このグラフから分かるように、インダクタ部を有する昇降ピン211aは、インダクタ部を有さない昇降ピンと比べて、急峻な電圧変化を有する第1の放電電圧のピークが、4割程度カットされている。また、第1ピークの後のセカンドピークも、本実施の形態のように、インダクタ部を有する構成では、インダクタ部を有さない場合と比較し緩和されていることがわかる。したがって、インダクタ部を有する昇降ピン211aを備えることにより、ウェハW上の電圧変化を最小限にできる。
前記実施の形態では、液処理装置のうちのレジスト塗布装置32を例にとって説明したが、本発明は、レジスト塗布装置32に限らず他の液処理装置、例えば現像処理装置30、下部反射防止膜形成装置31、上部反射防止膜形成装置33にも適用可能である。また液処理装置に限らず、熱処理装置40をはじめとする加熱処理や冷却処理を行う装置、疎水化処理装置41にも適用可能であり、基板を載置台上で処理する基板処理装置に適用可能である。
前記実施の形態にかかる昇降ピン211aは、インダクタ部として、磁性体コア222を採用していたが、これに代えて図9に示すように、本体220の上方部に、例えば炭化ケイ素(SiC)や樹脂から成る導電性樹脂により構成される導電部材291と、例えばアルミナ(Al)から成る絶縁部材292によって、絶縁部材の表面上に導電部材でスパイラルパターンを形成した、スパイラルインダクタ293を採用してもよい。かかるスパイラルインダクタ293によっても、急峻なESD電流を制限できる。
さらにまた図10に示すように、スパイラルインダクタ293と前記した磁性体コア222の双方を採用してもよい。このように特性の異なるインダクタを組み合わせて構成することにより、ESD電流の複数の成分を減衰させる効果を得ることができる。
ところで、ウェハWは液処理装置、例えばレジスト塗布装置32でのレジスト塗布が終了すると、ウェハ搬送装置70の搬送アーム70aによって、レジスト塗布装置32から搬出される。かかる場合、例えば搬送アーム70a自身が帯電してしまっていると、これによりウェハW上に残った僅かな電荷が、再び誘導帯電してしまい、ESDを発生させる原因となってしまう可能性がある。
かかるESDを抑制するため、図11に示すように、搬送アーム70aを、例えば搬送アーム駆動機構などの機器群300介して、静電気拡散性の上限である10Ω以下でアース接続するように構成することが好ましい。
かかる場合、搬送アーム70aの全面に導電性樹脂をコーティングしてもよい。かかる構成を有することにより、搬送アーム70a表面のコーティング上を静電気が導電し、搬送アーム70a自身の帯電を防止することができる。
しかしながら、搬送アーム70aの上面には、ウェハWを支持して、搬送中に容易に位置ずれさせないように、合成樹脂等からなる支持パッドが複数個所、例えば3か所に設けられている。そのため、搬送対象となるウェハWに残留電荷があると、前記した昇降ピンの場合と同様、ウェハWとの接触の際にESD電流が発生し、ESD電流による接合部の破壊や配線膜の溶断が発生する可能性がある。
これを防止するため、図11に示したように、ウェハW搬送時のウェハWとの接触部となる支持パッド301a~301cについても、ウェハWとの微小な接触帯電を確実に漏洩させることが好ましい。かかる場合、支持パッド301a~301cの材料には、静電気導電性を有する10Ω以下の導電性を有する材料を用いることが好ましい。このように構成することで、ウェハW上の残留電荷や誘導電荷を支持パッド301a~301c、搬送アーム70aの表面部を介して、漏洩させることができる。
しかしながら、そのような手段を採用しても、依然としてウェハW上の電荷を漏洩させることが難しい場合がある。そのため、例えば図12に示したように、搬送アーム70a自体にインダクタ部の構成を持たせ、前記昇降ピン211aと同様なインダクタ効果を奏するようにしてもよい。
この例では、搬送アーム70aにおける、いわゆるフォークと呼ばれるアーム本体71のアーム部71a、71bのうち、1のアーム部71aにインダクタ部としての構成を持たせている。
その詳細について説明すると、図12は、図11における破線領域Xの拡大図であり、図12(a)~図12(d)はそれぞれ順に、図11の破線領域Xにおけるアーム部71aの側面、表面、側面、裏面をそれぞれ表している。また、図12中の多数のドットで示された部分は導電性樹脂によってコーティングされた導電領域310を示し、白地部分は絶縁領域311を示している。なお、図中の支持パッド301aより右方向側が搬送アーム70aの先端方向であり、図中の支持パッド301の左方向側が、機器群300、及びアース接続部側である。
図12に示したように、この例では、アーム部71aにおいて、支持パッド301aから機器群300側の部分における外周に、絶縁部材の表面上に導電部材でスパイラルパターンを形成することにより、スパイラルインダクタ312を構成している。
これによって、支持パッド301aを介して流れようとする、立ち上がり時間が数ns以下の急峻な電位変化に伴うESD電流に対しても、これを直ちに減衰させて、アース接続部から接地側へと漏洩させることができる。もちろん、長時間大電流に対しても、これを接地側へ漏洩させることができる。したがって、ESD電流による接合部の破壊や配線膜の溶断を防止することが可能である。
かかる場合、図12に示したように、例えば隣り合わせの導電領域310と絶縁領域311との間に、さらにインダクタ部材としてのチップ313を架設するようにしてもよい。これによって、前記した昇降ピン211aにおける磁性体コア222と同様な機能をチップ313に持たせることができる。これによってESD電流の複数の成分を減衰させる効果を得ることができる。
また前記した例では、支持パッド301aを有するアーム部71aのみに、スパイラルインダクタ312を設けたが、もちろん支持パッド301bを有するアーム部71bにも、スパイラルインダクタ312を設けてもよい。
なおウェハ搬送装置70の搬送アーム70aによってウェハWを搬出した後、搬送アーム70aによって次のウェハWを搬入する場合、搬送アーム70aから前記した昇降ピン211a、211b、211c上へウェハWを載置する際に、誘導電荷による微小なESDが発生する可能性がある。しかし、このようにESDが発生した場合においても、昇降ピン211aに磁性体コア222によるインダクタ部が設けられているため、かかる場合も、発生した微弱なESDを阻止することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明は、基板と接触してこれを支持する支持部材に有用であり、基板を昇降させる昇降ピンや基板を搬送する際に基板を支持する搬送アームに有用である。
1 基板処理システム
70 ウェハ搬送装置
70a 搬送アーム
210 基板支持部
211a、211b、211c 昇降ピン
212 リング体
214 アース接続部
220 接触支持部
221 導電材部
222 磁性体コア
240 カップ体
W ウェハ

Claims (3)

  1. 基板を搬送する基板搬送装置であって、
    導電性を有するアーム本体と、
    導電性を有する材料から構成され、前記基板と接触して前記基板を支持する支持パッドと、
    前記アーム本体における、各々に前記支持パッドが設けられた複数のアーム部とを有し、
    前記複数のアーム部の少なくとも1つにインダクタ部が設けられ、
    前記アーム本体における、前記インダクタ部を挟んだ前記支持パッドの反対側は、直接的または間接的に接地され、
    前記インダクタ部は、前記支持パッドから前記反対側の部分における外周を巡るように、絶縁部材の表面上に導電部材でスパイラルパターンが形成されたスパイラルインダクタである、基板搬送装置。
  2. 前記スパイラルインダクタにおける導電領域と絶縁領域との間に、インダクタ部材としてのチップが架設されている、請求項1に記載の基板搬送装置。
  3. 前記スパイラルインダクタは、前記支持パッドを有する1のアーム部のみに設けられた、請求項1または2のいずれか一項に記載の基板搬送装置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202427661A (zh) * 2022-11-29 2024-07-01 日商東京威力科創股份有限公司 旋轉夾具及塗佈處理裝置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000269038A (ja) 1999-03-18 2000-09-29 Hokuriku Electric Ind Co Ltd チップインダクタとその製造方法
JP2001160463A (ja) 1999-12-06 2001-06-12 Tdk Corp コネクタ
JP2016157822A (ja) 2015-02-25 2016-09-01 キヤノン株式会社 搬送ハンドおよびリソグラフィ装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01115186U (ja) * 1988-01-29 1989-08-02
JPH01142181U (ja) * 1988-03-23 1989-09-28
US6165311A (en) * 1991-06-27 2000-12-26 Applied Materials, Inc. Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna
JPH05243364A (ja) 1992-03-02 1993-09-21 Hitachi Ltd 半導体ウェハの除電方法およびそれを用いた半導体集積回路製造装置
US5665167A (en) * 1993-02-16 1997-09-09 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Plasma treatment apparatus having a workpiece-side electrode grounding circuit
JP3264391B2 (ja) * 1993-05-17 2002-03-11 東京エレクトロン株式会社 静電吸着体の離脱装置
US5900062A (en) * 1995-12-28 1999-05-04 Applied Materials, Inc. Lift pin for dechucking substrates
US6756232B1 (en) * 2000-03-20 2004-06-29 Perkinelmer Las, Inc. Method and apparatus for producing compact microarrays
JP2002108065A (ja) * 2000-10-02 2002-04-10 Sharp Corp 画像形成装置
KR100906833B1 (ko) 2003-03-10 2009-07-08 엘지전자 주식회사 정전기 방전장치가 내장된 냉장고용 단말기의 터치펜
JP5264050B2 (ja) * 2005-09-02 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 昇降機構および搬送装置
JP5219377B2 (ja) * 2006-03-16 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 基板載置台および基板処理装置
US9275887B2 (en) * 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
JP4783762B2 (ja) * 2007-08-31 2011-09-28 東京エレクトロン株式会社 基板載置台および基板処理装置
WO2009095930A1 (en) * 2008-02-12 2009-08-06 Deo Prafulla An electromagnetic current limiter device
US8317450B2 (en) * 2008-10-30 2012-11-27 Lam Research Corporation Tactile wafer lifter and methods for operating the same
DE102009038756A1 (de) * 2009-05-28 2010-12-09 Semilev Gmbh Vorrichtung zur partikelfreien Handhabung von Substraten
TW201109671A (en) * 2009-09-09 2011-03-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Probe
JP2013026267A (ja) * 2011-07-15 2013-02-04 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd 2軸駆動機構及びダイボンダ並びにダイボンダの運転方法
JP6011417B2 (ja) * 2012-06-15 2016-10-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置及び成膜方法
JP6081292B2 (ja) * 2012-10-19 2017-02-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5595549B2 (ja) * 2013-03-28 2014-09-24 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置用トレイ、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000269038A (ja) 1999-03-18 2000-09-29 Hokuriku Electric Ind Co Ltd チップインダクタとその製造方法
JP2001160463A (ja) 1999-12-06 2001-06-12 Tdk Corp コネクタ
JP2016157822A (ja) 2015-02-25 2016-09-01 キヤノン株式会社 搬送ハンドおよびリソグラフィ装置

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Publication number Publication date
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