JP2000269038A

JP2000269038A - チップインダクタとその製造方法

Info

Publication number: JP2000269038A
Application number: JP11073691A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Nomura; 和雄野村; Shinji Okamoto; 信二岡本; Yozo Obara; 陽三小原; Shigeo Maeda; 茂男前田
Original assignee: Hokuriku Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Hokuriku Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1999-03-18
Filing date: 1999-03-18
Publication date: 2000-09-29

Abstract

(57)【要約】【課題】小型化が可能であり、インダクタとしての性能
が高いチップインダクタとその製造方法を提供する。【解決手段】セラミックスや少なくとも表面を絶縁性に
した磁性材料等の絶縁性の基材１２の表面に螺旋状の導
電体パターン１８を形成し、この基材１２の両端に導電
体パターン１８に接続した電極２０，２２を有する。導
電体パターン１８は、絶縁性の磁性体膜２４により被覆
されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、絶縁性の基材の
表面に形成された導電体膜によるコイルパターンを有し
たチップインダクタとその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、チップインダクタは、特開平１０
−２０８９４１号公報や図５に示すように、絶縁性の磁
性材料やその他少なくとも表面が絶縁材料の角型基材１
の表面に、導電体膜３を形成し、この導電体膜３を形成
してコイル部５を形成していた。そして、コイル部５の
両端部には電極４が設けられ、回路基板表面に表面実装
可能に形成されている。コイル部５の表面は、絶縁性の
樹脂６が塗布され、外部との絶縁を図っていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の場
合、電子機器の小型化薄型化の要請によりチップ形状は
小さく薄くすると、コイル部のコイルの巻き数が少なく
インダクタとしての必要な性能が得られない場合があっ
た。また、薄型化には薄膜インダクタも有効であるがイ
ンダクタンス等の性能的に十分なものが得られないもの
であった。

【０００４】この発明は上記従来の技術の問題点に鑑み
てなされたもので、小型化が可能であり、インダクタと
しての性能が高いチップインダクタとその製造方法を提
供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明は、セラミック
スや少なくとも表面を絶縁性にした磁性材料等の絶縁性
の基材表面に螺旋状の導電体パターンを形成し、この基
材の両端に上記導電体パターンに接続した電極を有し、
上記導電体パターンを磁性体膜により被覆したチップイ
ンダクタである。

【０００６】また、上記導電体パターンは、絶縁性の磁
性体膜により被覆されているものである。さらに、上記
磁性体膜は、磁性体材料を配合した樹脂からなる。

【０００７】またこの発明は、セラミックスや少なくと
も表面を絶縁性にした磁性材料等の絶縁性の基材を設
け、この基材に所定間隔で開口部を形成し、この開口部
の側壁を含む上記基材表面に導電体膜を形成し、この基
材表面の導電体膜に螺旋状の溝を形成し、この溝で仕切
られた螺旋状の上記導電体膜による導電体パターンを備
えたインダクタ素子を複数設け、上記導電体パターンの
表面に磁性体膜を形成し、上記各インダクタ素子を個々
に分割するチップインダクタの製造方法である。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面に基づいて説明する。図1、図２は、この発明の
第一実施形態のチップインダクタ１０を示し、絶縁性の
磁性材料その他絶縁材料であるセラミックスや、フェラ
イト等の磁性材料の表面に絶縁皮膜を施した基材１２を
有する。基材１２の各側面には銅メッキ等による金属薄
膜の導電体膜１４が設けられている。この導電体膜１４
には、基材１２に達する深さ程度の溝１６が形成され、
この溝１６によりにより隣接する導電体膜１４同士が分
断されている。そして、溝１６は、基材１２の一方の端
部から他方の端部に至る螺旋状に形成され、この溝１６
で仕切られる導電体膜１４により、基材１２の表面に導
電体パターン１８が形成されている。

【０００９】また基材１２の溝１６による導電体パター
ン１８の両端部には、各々電極２０，２２が形成されて
いる。電極２０，２２間の導電体パターン１８は、磁性
体を配合した樹脂による磁性体膜２４により覆われてい
る。磁性体膜２４は、樹脂バインダ中にフェライトやマ
グネタイトの酸化鉄やその他の磁性体粉末が分散したも
ので、高い透磁率を有するものである。また磁性体膜２
４は、絶縁性を有する。

【００１０】この実施形態のチップインダクタの製造方
法は、まずセラミックス材料等を成形して焼成し、所望
形状の基材１２を形成する。そして、基材１２の全面に
メッキや蒸着、スパッタリン等により銅等の導電体膜１
４を形成する。次に、導電体膜１４に対して、基材１２
に届く螺旋状の溝１６を形成する。溝１６は、その溝１
６を挟んで導電体膜１４同士を絶縁し分断する。これに
より電極２０，２２間に螺旋コイル状の導電体パターン
１８が形成される。溝１６の形成は、レーザ光の他、エ
ッチングやカッター、砥石円盤等を用いることができ
る。さらに、基材１２の両端部の電極２０，２２には、
それぞれ導電体膜１６を覆うようにはんだメッキ等を施
す。

【００１１】次に、コイル状の導電体パターン１８が形
成された基材１２の導電体パターン１８の表面に、磁性
体膜２４の材料である磁性体塗料を塗布する。磁性体膜
２４は、印刷や吹きつけその他の方法により塗布する。
この後磁性体膜２４を乾燥硬化させチップインダクタ１
０が完成する。

【００１２】この実施形態のチップインダクタ１０によ
れば、コイルパターンは皮膜型であり、レーザ等により
容易に小型に形成可能であり、しかも導電体パターン１
８の表面に磁性体膜２４が塗布されているので、磁束が
逃げず、良好なインダクタンス特性を示す。

【００１３】次にこの発明のチップインダクタとその製
造方法の第二実施形態について図３を基にして説明す
る。ここで、上記実施形態と同様の構成は、同一の符号
を付して説明を省略する。この実施形態のチップインダ
クタ３０は、図３（A）に示すようにセラミックスや少
なくとも表面を絶縁性にした磁性材料等の絶縁性の板状
の基材３２を設け、この基材３２に所定間隔で開口部３
４を形成し、この開口部３４の側壁を含む基材３２の表
面に銅等の導電体膜３６を形成する。そして、この基材
３２の各開口部３４間の導電体膜３６に、連続した螺旋
状の溝３８をレーザにより形成する。

【００１４】これにより溝３８で仕切られた螺旋状の導
電体膜３６が形成され、この導電体膜３６による導電体
パターン４０を設ける。この各導電体パターン４０によ
りインダクタ素子４２を形成する。

【００１５】そして図３（Ｂ）に示すように、基材３２
の開口部３４及び導電体パターン４０の表面に磁性体を
樹脂中に分散させた磁性体膜４４を塗布及び充填する。
この状態で、多数のインダクタ素子４２が連結した状態
となる。この後、図３（Ｃ）に示すような複数のインダ
クタ素子４２が連結した状態から、個々のチップインダ
クタ３０毎に、薄い刃のダイシングカッター４５等で切
断する。

【００１６】この実施形態のチップインダクタ３０によ
れば、インダクタの形成を連続的に行うことができ、容
易に任意の数のチップインダクタを形成することができ
る。なお、基材３２は、一列にインダクタ素子４２を形
成するものの他、縦横にインダクタ素子４２を形成する
ことができるようにしたものでも良い。

【００１７】次にこの発明のチップインダクタとその製
造方法の第三実施形態について図４〜図６を基にして説
明する。ここで、上記実施形態と同様の構成は、同一の
符号を付して説明を省略する。この実施形態のチップイ
ンダクタ５０は、図５、図６に示すようにセラミックス
や少なくとも表面を絶縁性にした磁性材料等の絶縁性の
板状の基材５２からなり、この基材５２に所定間隔で複
数の開口部５４を形成し、開口部５４の側面を含む基材
５２の表面には銅等の導電体膜５６が形成されている。
そして、この基材５２の各開口部５４間の導電体膜５６
には、螺旋状の溝５８がレーザにより形成される。

【００１８】開口部５４の間の基材５２は、図４に示す
ように、断面が６角形状をしており、この６角形状の導
体部に螺旋状の溝５８が形成されている。これにより溝
５８で仕切られた螺旋状の導電体膜５６が形成され、こ
の導電体膜５６による導電体パターン６０が形成され
る。そして、各導電体パターン６０によりインダクタ素
子６２を形成し、このインダクタ素子６２が複数縦横に
連続的に設けられる。

【００１９】この実施形態の場合、図５、図６に示すよ
うに、導電体パターン６０を形成した後、基材５２の開
口部５４及び導電体パターン６０の表面に磁性体塗料を
塗布して磁性体膜６４形成する。これにより各インダク
タ素子表面は、絶縁性の磁性体膜６４により被覆され
る。この後、基材５２の余剰部分を切断して、個々のチ
ップインダクタ５０を製造する。このとき、適宜の数の
インダクタを連結した状態に切断することもできる。さ
らに、図５に示すように、絶縁性皮膜６６により被覆し
ても良い。また、磁性体膜６４が絶縁性の場合、導電性
の磁性体膜をさらに被覆しても良い。

【００２０】この実施形態のチップインダクタ５０によ
れば、上記実施形態と同様の効果に加えて、インダクタ
素子の側面が斜面になっているので、表裏面から基材５
２に対して垂直方向にレーザにより溝５８を形成可能で
あり、製造が容易である。また、溝５８の形成部分は断
面６角形以外に、断面５角形や３角形でも良く、断面４
角形で基材５２の表面に対して斜めの面を形成したひし
形断面のものでも良く、断面台形のものでも良い。即
ち、レーザの照射方向と平行な側面がなければ良い。

【００２１】なおこの発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、インダクタ素子の形成方法は適宜選択
可能であり、導電体パターンも、形成後にインダクタン
スを調整できるものでもよい。また、磁性体膜は、磁性
体塗料以外に、磁性体金属等を磁性体薄膜を蒸着等の方
法により形成するものでも良く、また導電体パターンに
対して、絶縁層を介して磁性体膜を設けたものでも良
い。さらに、磁性体塗料やその他の磁性体膜材料は、適
宜選択可能である。

【００２２】

【発明の効果】この発明のチップインダクタとその製造
方法は、導電体パターンの表面に磁性体膜が被覆されて
いるので、インダクタ素子を小型化薄型化しても良好な
特性が得られる。また、この製造も容易なものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第一実施形態のチップインダクタを
示す斜視図である。

【図２】この発明の第一実施形態のインダクタの縦断面
図である。

【図３】この発明の第二実施形態のチップインダクタの
製造工程を示す平面図である。

【図４】この発明の第三実施形態のチップインダクタの
斜視図である。

【図５】この発明の第三実施形態のチップインダクタの
縦断面図である。

【図６】この発明の第三実施形態のチップインダクタの
製造工程を示す平面図である。

【図７】従来のチップインダクタを示す斜視図である。

【符号の説明】１０，３０，５０チップインダクタ１２，３２，５２基材１４，３６，５６導電体膜１６，３８，５８溝１８，４０，６０導電体パターン２０，２２電極２４，４４，６４磁性体膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小原陽三富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地北陸電気工業株式会社内 (72)発明者前田茂男富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地北陸電気工業株式会社内Ｆターム(参考） 5E062 CE01 DD01 FF01 FF02 FF03 5E070 AA01 AB01 BA03 BA11 BB03 CC03 CC10 DA15 EA01 EB03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性の基材表面に螺旋状の導電体パタ
ーンを形成し、この基材の両端に上記導電体パターンに
接続した電極を有し、上記導電体パターンを磁性体膜に
より被覆したチップインダクタ。
【請求項２】上記導電体パターンは、絶縁性の磁性体
膜により被覆されている請求項１記載のチップインダク
タ。
【請求項３】上記磁性体膜は、磁性体材料を配合した
樹脂からなる請求項１または２記載のチップインダク
タ。
【請求項４】絶縁性の基材を設け、この基材に所定間
隔で開口部を形成し、この開口部の側壁を含む上記基材
表面に導電体膜を形成し、この基材表面の導電体膜に螺
旋状の溝を形成し、この溝で仕切られた螺旋状の上記導
電体膜による導電体パターンを備えたインダクタ素子を
複数設け、上記導電体パターンの表面に磁性体膜を形成
し、上記各インダクタ素子を個々に分割するチップイン
ダクタの製造方法。