JP7022711B2 - 伝送線路及びエアブリッジ構造 - Google Patents

Description

本発明は、伝送線路の接地電極間を接続するときに用いられるエアブリッジ構造に関する。

半導体基板に形成される回路などで用いられるコプレーナ線路(Coplanar Waveguide、以下ＣＰＷ線路)では、スロットモードの発生を抑制するために、接地導体の電位を等しくする必要がある。

ＣＰＷ線路は中心導体の両側に接地導体を有する構造となっているが、接地導体の電位を等しくするには、中心導体の両側にある接地導体を接続しなければならない。ここで用いられるのが、エアブリッジ構造であり、信号が伝搬する中心導体とは別の層に接地導体の間を接続する配線を設ける構造となっている。

このエアブリッジ構造においては、信号線路と接地導体の間を接続する配線が空気を介して交差することとなる。このときに、信号線路と配線が重なる部分に容量が生じ、この容量は並列の寄生容量として振る舞う。この寄生容量は、ＣＰＷ線路の特性インピーダンスの低下の一因となり、インピーダンスの不整合による信号線路を伝搬する信号の遅延や反射の増大を招くこととなる。

特許文献１に記載されている従来のエアブリッジ構造を有するＣＰＷ線路を図１５に示す。ＣＰＷ線路１０は、基板１１と、基板１１の上に形成された中心導体１２及び中心線路の両側に設けられた接地導体１３、１４と、接地導体１３、１４を接続する配線１５からなる。配線１５は基板の面に立脚した立脚部１５ａ、１５ｂを有し、立脚部１５ａ、１５ｂはそれぞれ接地導体１３，１４に立脚することで、中心線路１２を跨ぐようにしてエアブリッジ構造を形成している。

図１６は、ＣＰＷ線路１０の上面図である。破線で囲った領域が、幅がｗ_ｓμｍである中心導体１２と、幅がｗ_ｏμｍである配線１５が形成する交差領域であり、交差領域の面積Ｓ_０はＳ_０＝ｗ_ｏ×ｗ_ｓμｍ^２となる。

図１７は、配線１５の中央を通るＤＤ′を含み中心導体を伸びる方向を法線する面で切ったときの、ＣＰＷ線路１０の断面図である。中心導体１２の上面と配線１５の下面との間には、立脚部１５ａ、１５ｂの高さに応じた厚さｔ_０μｍの隙間が生じる。

中心導体１２に所定の電圧が加わり、配線１５が接地されていると、交差領域は空気の誘電率を有するコンデンサとして振る舞うこととなり、面積Ｓ_０と厚さｔ_０との比Ｓ_０／ｔ_０に比例する静電容量が発生する。この静電容量がＣＰＷ線路１０の本来のインピーダンスに並列に付加されるため、伝搬損失の増加や反射の増大といったコプレーナ線路の特性の劣化をもたらすこととなる。

特願２０１０－２３７２０４号

ＣＰＷ線路１０の特性の劣化を防ぐためには、交差領域の静電容量を低減させる必要がある。しかしながら、中心導体を跨ぐように接地導体間を接続する配線を設ける構造であると、中心導体と配線の間に空間が生じ、配線１５に対しては構造体として形状が維持できるための一定の機械強度が必要となる。したがって、交差領域の容量を低下させるために配線の幅ｗ_ｏを細くすると、エアブリッジ構造である配線全体の機械強度が弱まり、軽微な衝撃や撓みが加わった場合に配線１５の形状が崩落する恐れや破断する恐れがある。

本発明は、こうした問題に鑑みなされたもので、伝送線路の接地導体間を配線にて接続するエアブリッジ構造において、中心導体と接地導体間を接続する配線が交差する領域の静電容量を低下させ、機械強度の点で安定なエアブリッジ構造及びそのようなエアブリッジ構造を有する伝送線路を提供することを目的とする。

前記目的を達成するために、本発明の請求項１に係る伝送線路は、基板と、前記基板の
一面に、同一の幅を有し、同一の直線上に形成された、第１の中心導体及び第２の中心導
体と、前記一面に対して立脚した第１の立脚部及び第２の立脚部を有する第３の中心導体
と、前記第１の中心導体及び前記第２の中心導体と平行な縁を有し、前記第１の中心導体及び前記第２の中心導体の両側に配置され、前記第１の中心導体及び前記第２の中心導体から同一の距離だけ離れ、互いに対向する第１の接地導体及び第２の接地導体と、を有し、さらに、前記第１の接地導体と前記第２の接地導体を接続し、前記第１の中心導体の端部と前記第１の中心導体の端部に対向する前記第２の中心導体の端部の間に配置され、前記第３の中心導体よりも幅が狭い第３の接地導体と、を有し、前記第１の立脚部は前記第１の中心導体の端部に配置され、前記第２の立脚部は前記第２の中心導体の端部に配置され、前記第３の中心導体は前記第３の接地導体とエアブリッジ構造を形成することを特徴とする構成を有する。

この構成により、中心導体と接地導体間を接続する配線との交差する領域の静電容量が発生することを抑制して、伝搬損失の増加や反射の増大を軽減することができる。

前記目的を達成するために、本発明の請求項２に係る伝送線路は、前記第３の接地導体は、第１の中心導体の端部と前記第２の中心導体の端部の中央に配置されたことを特徴とする構成を有する。

この構成により、配線から中心導体の端部までの距離を同一とすることで、ＣＰＷ線路のインピーダンスに寄生する静電容量のうち、基板の誘電率に起因する成分を最小とすることができる。

前記目的を達成するために、本発明の請求項３に係る伝送線路は、前記第３の接地導体の幅は前記第３の中心導体の幅に対して１/３以下であることを特徴とする構成を有する。

この構成により、伝搬損失の少ない伝送線路を実現することができる。

前記目的を達成するために、本発明の請求項４に係る伝送線路は、基板（２１）と、
前記基板の一面に、同一の幅を有し、同一の直線上に形成された、第１の中心導体（２２）及び第２の中心導体（２３）と、前記一面に対して立脚した第１の立脚部（２４ａ）及び第２の立脚部（２４ｂ）を有する第３の中心導体（２４）と、前記第１の中心導体及び前記第２の中心導体と平行な縁を有し、前記第１の中心導体及び前記第２の中心導体から同一の距離だけ離れ、互いに対向する第１の接地導体（２５）及び第２の接地導体（２６）と、を有し、さらに、前記第１の接地導体と前記第２の接地導体を接続し、前記第１の中心導体の端部（２２ｂ）と前記第１の中心導体の端部に対向する前記第２の中心導体の端部（２３ａ）の間に配置され、前記第３の中心導体よりも幅が狭い第３の接地導体（２７）と、を有し、
前記第１の立脚部は前記第１の中心導体の端部（２２ｂ）に配置され、前記第２の立脚部は前記第２の中心導体の端部（２３ａ）に配置され、前記第３の中心導体は前記第３の接地導体とエアブリッジ構造を形成し、前記基板は本体となる基板本体と前記基板本体の上面にある第１の層からなり、前記第３の接地導体は前記基板本体の上面に配置され、前記第１の層の上面にある前記接地導体と接続されることを特徴とする構成を有する。

この構成により、伝送線路の中心導体や接地導体のパターン形成を高精度に、あるいは安定に行うことができる。

前記目的を達成するために、本発明の請求項５に係るエアブリッジ構造は、基板と、基
板の上に設けられた中心導体と、接地導体と、を有し、前記中心導体の一部は前記基板か
ら離れ、前記接地導体の一部が前記中心導体の一部の下をくぐるように配置され、前記接
地導体の一部の幅は前記中心導体の一部の幅よりも狭いことを特徴とする構成で、直線状の伝送線路に用いられることを特徴とする。

この構成により、中心導体と接地導体間を接続する配線との交差する領域の静電容量が発生することを抑制して、伝搬損失の増加や反射の増大を軽減することができる。

本発明は、接地導体の間を接続する配線を中心導体が跨ぐように形成されたエアブリッジ構造を設けることで、透過特性及び反射特性の劣化を実現した伝送線路を提供するものである。

本発明の第１の実施形態に係るＣＰＷ線路の構成を示す図である。 本発明の第１の実施形態に係るＣＰＷ線路の断面図である。 本発明の第１の実施形態に係るＣＰＷ線路の上面図である。 本発明の第１の実施形態に係るＣＰＷ線路の断面図である。 本発明の第１の実施形態に係るＣＰＷ線路の透過特性Ｓ２１のシミュレーション結果である。 本発明の第１の実施形態に係るＣＰＷ線路の反射特性Ｓ１１のシミュレーション結果である。 Ｓ２１およびＳ１１の実測を行うためのテストサンプルで（ａ）が従来の構成、（ｂ）が第１の実施形態に係る構成のものである。 本発明の第１の実施形態に係るＣＰＷ線路を有するテストサンプルのＳ２１の測定結果である。 本発明の実施形態に係るＣＰＷ線路の構成を示す図である。 本発明の実施形態に係るＣＰＷ線路の断面図である。 本発明の実施形態に係るＣＰＷ線路の断面図である。 本発明の実施形態に係るＣＰＷ線路の断面図である。 本発明の実施形態に係るＣＰＷ線路の断面図である。 本発明の実施形態に係るＣＰＷ線路の断面図である。 従来技術の実施形態に係るＣＰＷ線路の構成を示す図である。 従来技術の実施形態に係るＣＰＷ線路の上面図である。 従来技術の実施形態に係るＣＰＷ線路の断面図である。

（第１の実施形態）
以下、図面に基づいて本発明の第１の実施形態を説明する。図１は、本発明を適用したＣＰＷ線路２０の構成を示している。

このＣＰＷ線路２０は、基板２１、中心導体２２、２３、２４、接地導体２５、２６、配線２７からなる。基板２１には、半導体や誘電体などの材料を用いることができ、今回は化合物半導体であるＧａＡｓを用いている。なお、基板２１は単一の材料からなる構造でも、複数の材料を積層させた構造でもよく、適宜選択することが可能である。

中心導体は基板の表面の上に形成される。直線状に延びた中心導体は第１の中心導体２２、第２の中心導体２３及び第３の中心導体２４からなる。第３の中心導体２４は両端に第１の立脚部２４ａと第２の立脚部２４ｂを有する。第１の中心導体の端部２２ａは高周波信号が入力される入力端部として用いられ、他方の端部２２ｂには第１の立脚部２４ａが配置される。第２の中心導体２３は第１の中心導体２２と間隔を持って配置され、第１の中心導体の他方の端部２２ｂに対向する第２の中心導体の端部２３ａには第２の立脚部２４ｂが配置される。第２の中心導体のもう一方の端部２３ｂは出力端部として用いられ、高周波信号が出力される。

第３の中心導体２４の両端に形成された第１の立脚部２４ａと第２の立脚部２４ｂは基板２１の上面に対して立脚している。この立脚部を有することで、第３の中心導体を第１の中心導体と第２の中心導体とは別の層に配置することができる。また、第３の中心導体の下には隙間ｔ_１の空隙が生じ、この空隙を利用して別の配線と交差することができる。立脚部の形状は必ずしも基板２１の上面に対して垂直な形状である必要はなく、第３の中心導体を第１の中心導体と第２の中心導体を別の層に配置することができれば、立脚部の形状はなめらかな湾曲形状でもよい。

接地導体２５、２６は中心導体２２、２３、２４の両側に配置される。接地導体２５、２６は配線２７にて接続されている。

なお、中心導体２２、２３、２４、接地導体２５、２６、配線２７は金属の薄膜である。本実施形態では、中心導体２２、２３、接地導体２５、２６および配線２７の膜厚が１．５μｍ、中心導体２４の膜厚が３μｍである。用途に応じて、それぞれの厚さは適宜設定可能であり、これらの値に限定されることは無い。

図２は中心導体２２、２３の上面を断面としたＣＰＷ線路２０の断面図である。第１の中心導体２２、第２の中心導体２３、接地導体２５，２６及び配線２７は全て同一の層に形成される。中心導体２２、２３と接地導体２５、２６の縁との距離はｇμｍである。第１の中心導体の幅、第２の中心導体の幅はそれぞれｗ_ｓμｍであり、接地導体２５、２６を接続する配線２７の幅はｗ_１μｍである。本実施形態であると、ｗ_ｓ＝３０μｍ、ｇ＝２０μｍであり、ｗ_１＜ｗ_ｓである。後で述べるシミュレーション結果を参酌するとｗ_１≦ｗ_ｓ/３が望ましい。

配線２７は第１の中心導体の端部２２ｂと、第２の中心導体の端部２３ａの間に配置される。ここでは第１の中心導体の端部２２ｂから配線２７までの距離をｄ_１とし、第２の中心導体の端部２３ｂから配線２７までの距離をｄ_２としたときにｄ_１＝ｄ_２として、配線２７が中央に配置された場合を示した。

接地導体２５、２６の縁は中心導体の伸びる方向と平行であり、配線２７は接地導体２５、２６の縁と垂直となって、中心導体の両側の接地導体２５、２６を接続する。

図３はＣＰＷ線路２０の上面図である。第１の中心導体の端２２ｂと第２の中心導体の端２３ａに配置された第３の中心導体２４の両端の立脚部２４ａ、２４ｂにより、第３の中心導体２４は基板の表面に対して立脚部の高さの分だけ高い層に配置される。第３の中心導体２４は第１の中心導体２２と第２の中心導体２３と同一の幅ｗ_ｓを有する。図３の破線で囲われた部分は、幅ｗ_ｓの第３の中心導体２４と幅ｗ_１の配線２７が交差する領域である。この交差領域の面積Ｓ_１μｍ^２はＳ_１＝ｗ_ｓ×ｗ_１μｍ^２となる。

図４は、配線２７の方向を法線として、中心導体の中央を通るＡＡ′を含む面で切ったときの、ＣＰＷ線路２０の断面図である。第３の中心導体２４が有する立脚部２４ａ、２４ｂの高さｔ_１の分だけ、第３の中心導体の下には空隙が生じる。本実施形態ではｔ_１＝２μｍである。配線２７はその空隙を通るように形成され、中心導体２４の下面と配線２７と上面の間にはこの厚さｔ_１の空隙があるために、電気的には絶縁された状態で中心導体２４と配線２７は交差することができる。このようにして、中心導体２４と配線２７はエアブリッジ構造を形成する。

図５にはＣＰＷ線路の透過特性Ｓ２１、図６にはＣＰＷ線路の反射特性Ｓ１１のシミュレーション結果を示す。測定周波数は１ＧＨｚから１００ＧＨｚまでとした。図１５に示す従来のエアブリッジ構造を有するＣＰＷ線路１０と、第１の実施形態に係るＣＰＷ線路２０で配線２７の幅が２μｍ、５μｍ、１０μｍである３種類のシミュレーションモデルを作成して比較した。図５の透過特性Ｓ２１の結果が示すように、総じて第１の実施形態に係るエアブリッジ構造を有するＣＰＷ線路２０の方がＳ２１の値が高く、全ての周波数でこの関係が成立していることがわかる。例えば周波数６０ＧＨｚで比較すると従来のエアブリッジ構造は－０．０６７ｄＢであり、本実施形態のエアブリッジ構造の配線２７の幅をｗ１＝１０μｍ、５μｍ、２μｍと狭くしていくと、Ｓ２１の値は－０．０６１ｄＢ、－０．０５９ｄＢ、－０．０５６ｄＢと高い値となり、配線２７の幅が狭くなるとともに伝搬損失が軽減された線路となることがわかる。

また反射特性についても図６の反射特性Ｓ１１のシミュレーション結果が示すように、本実施形態に係るエアブリッジ構造を有するＣＰＷ線路の方が、Ｓ１１が低い値を示しており、全ての周波数でこの関係が成立していることがわかる。例えば周波数６０ＧＨｚで比較すると従来のエアブリッジ構造は－２６．０２ｄＢであり、本実施形態のエアブリッジ構造の配線２７の幅をｗ_１＝１０μｍ、５μｍ、２μｍとすると、Ｓ２１の値は－２８．３６ｄＢ、－２９．８２ｄＢ、－３１．８２ｄＢと小さい値となる。したがって、配線２７の幅が狭くなるにしたがって反射の値が軽減されていることがわかる。

従来の中心導体の上を配線が跨ぐエアブリッジ構造よりも本実施形態の配線の上を中心導体が跨ぐエアブリッジ構造の方が良好な特性を示す一因として、中心導体と配線の交差部分の面積が減少したことが考えられる。

つまり、従来のエアブリッジの場合であると、ｗ_ｏ＝２０μｍで、交差部分の面積が３０×２０μｍ^２となる。一方、本実施形態に係るエアブリッジ構造であると、ｗ_１＝２μｍ、５μｍ、１０μｍの場合において、それぞれ交差部分の面積が、６０μｍ^２、１５０μｍ^２、３００μｍ^２となる。いずれの場合においても、従来の交差部分の面積６００μｍ^２に対して小さい値となっており、ＣＰＷ線路に付加される静電容量を低減させることを可能としている。

従来のエアブリッジ構造にて交差部分の面積を減少させるのは容易ではない。なぜならば、ＣＰＷ線路１０の構成であると配線の幅を細くした場合、機械強度が足りず、微小な衝撃による揺れや撓みの影響でエアブリッジ構造が破断する恐れがあるからである。

一方、本実施形態においては、接地導体を接続する配線が第１の中心導体及び第２の中心導体と同一の層にあり、立脚部を有する第３の中心導体と配線を交差させることでエアブリッジ構造を形成している。中心導体の幅ｗ_ｓが比較的広い３０μｍであるため、エアブリッジ構造を形成しても、機械強度を確保できることができる。

図７（ａ）と図７（ｂ）は、透過特性と反射特性について実測を行うときに用いるテストサンプルの図である。図７（ａ）は、接地導体を接続する配線が中心導体を跨る従来のエアブリッジ構造を有するＣＰＷ線路のテストサンプルを示し、入力側の中心導体にはプローブを当てるためのバッド１６ａが、入力側の接地導体にはバッド１７ａが形成されている。同様に、出力側の中心導体にはバッド１６ｂが、出力側の接地導体にバッド１７ｂが形成されている。中心導体の幅ｗ_ｓは３０μｍで、中心導体をまたがる配線の幅ｗ_ｏは２０μｍである。エアブリッジ構造の個数が少ないテストサンプルでは、エアブリッジ構造がもたらす影響が確認できない可能性があるために、等間隔に１８個のエアブリッジ構造を形成した。

図７（ｂ）は、接地導体を接続する配線に対して中心導体が上方にある本実施形態のエアブリッジ構造を有するＣＰＷ線路の図である。中心導体の幅ｗ_ｓは３０μｍで、配線の幅ｗ_１は２μｍである。入力側にはプローブを当てるためのバッド２８ａが中心導体側に、バッド２９ａが接地導体側にそれぞれ形成され、出力側にも同様にバッド２８ｂ、バッド２９ｂが形成されている。図７（ａ）と同様に１８個のエアブリッジ構造が形成されている。

図８は、テストサンプルのＳ２１の特性を示す。測定周波数は３ＧＨｚから１００ＧＨｚまでとした。シミュレーションと同様の結果が得られ、全ての周波数範囲にわたって、従来の配線が中心導体を跨るエアブリッジ構造のものよりも本実施形態に係る中心導体が配線を跨るエアブリッジ構造の方がＳ２１の値が大きいことがわかる。したがって、接地導体を接続する配線の上方を中心導体が跨るエアブリッジ構造を用いた方が伝搬損失の少ないＣＰＷ線路を実現することができる。

また、本実施形態では配線２７を中心導体の端部からの距離ｄ_１、ｄ_２が等しくなる箇所に配置した。ｄ_１およびｄ_２は、配線２７と中心導体が形成する容量の値に関連し、中心導体と接地導体に接続された配線によって生じる静電容量は１/ｄ_１+１/ｄ_２に比例するものとなる。静電容量が最小値となる停留点を求めるとｄ_１＝ｄ_２となる箇所であるから、配線が設けられる箇所としてはｄ_１＝ｄ_２が最適な箇所と判断した。

（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を説明する。第１の実施形態と同一の箇所については、説明を省略する。

図９は、第２の実施形態に係るＣＰＷ線路３０の構成を示している。基板２１は基板本体２１ａと中間層２１ｂからなる。接地導体２５、２６の間を接続する配線２７は基板本体の表面にパターニングなどで形成され、中間層２１ｂが基板本体２１ａの上面と配線２７の表面を覆うように形成されている。基板本体２１ａには、半導体や誘電体などの材料を用いることができ、今回は化合物半導体であるＧａＡｓを用いている。中間層２１ｂは半導体や誘電体からなり、中間層２１ｂの厚さは０．５～２μｍ程度である。基板本体２１ａおよび中間層２１ｂの材質については、単一の材料でも複数の材料を組み合わせて形成してもよく、適宜設定することが可能である。

中心導体２２、２３と接地導体２５、２６は、中間層２１ｂの上面に形成される。したがって、配線２７は基板本体２１ａの上面に、接地導体２５、２６は中間層２１ｂの上面に形成されるため、それぞれ別の層に存在することとなる。別の層にある接地導体２５と２６を接続するには、中間層２１ｂに設けられたスルーホールなどの孔を介して、接地導体間２５，２６間を配線２７にて接続することができる。

図１０は中心導体２２、２３、２４の幅の中央を通る引き出し線ＢＢ′を含み配線２７の方向を法線とする面でＣＰＷ線路３０を切ったときの、ＣＰＷ線路３０の断面図である。配線２７が基板本体２１ａの上面に設けられ、中心導体２２、２３が基板本体２１ａの上の層である中間層２１ｂの上面に設けられている。さらに中間層２１ｂよりも上方の層に、中心導体２４が形成されて配線の上を中心導体が跨るエアブリッジ構造が形成されている。ここでの配線２７の上面と、中心導体２４の下面の距離はｔ_２とした。距離ｔ_２は立脚部の高さｔ_１と中間層２１ｂの厚さ及び配線２７の厚さより求まり、ここではｔ_２＝３．５μｍである。

図１１は配線の幅の中央を通る引き出し線ＣＣ′を含み、中心導体の方向を法線方向とする面でＣＰＷ線路３０を切ったときの、ＣＰＷ線路３０の断面図である。配線２７が基板本体２１ａの上面に、接地導体２５、２６が基板本体２１ａの上の層である中間層２１ｂの上面に設けられている。さらに中心導体２４が接地導体２５、２６よりもさらに上方の層に形成されてエアブリッジ構造が形成されている。接地導体の縁の近くに形成されたスルーホールを介して、異なる層にある配線２７と接地導体２５、２６が接続されている。

接地導体２５、２６と配線２７を異なる層に配置することで、接地導体２５、２６と配線２７とが形成する金属膜で囲まれた領域を発生することを防ぐことができる。比較のため、第１の実施形態の構造において図７（ｂ）のようにエアブリッジ構造を繰り返し配置した線路の基板表面に着目してみる。図１２は第１の実施形態のエアブリッジ構造を繰り返し配置したＣＰＷ線路２０を中心導体２２、２３の上面で切ったときの断面図である。図１２に示されるように、図７（ｂ）のテストパターンでは中心導体２２、配線２７ａ、中心導体３１、配線２７ｂ、中心導体２３と基板２１の表面には中心導体と配線のパターンが交互に形成されている。ここで、基板２１の上面の同一の面に配線２７ａ、中心導体３１、配線２７ｂと接地導体２５、２６が配置されるため、中心導体３１のまわりの領域が接地導体２５、２６と配線２７ａ、２７ｂの金属膜で囲まれた領域となる。このように金属膜で囲まれた閉じた領域があると、パターン形成のときにリフトオフ性が悪くなり、パターンの歩留まりが低下する懸念がある。

図１３は第２の実施形態に係るエアブリッジ構造を繰り返し配置したＣＰＷ線路３０を、中間層２１ｂの上面で切ったときのＣＰＷ線路３０の断面図である。図１３のように中間層２１ｂの上面には同一の間隔で配列した中心導体２２、中心導体３１および中心導体２３と、接地導体２５、２６があり、配線２７ｃ、２７ｄは破線で示すように中間層２１ｂの上面とは別の層である基板本体２１ａの上面に形成されている。

図１４は第２の実施形態に係るエアブリッジ構造を繰り返し配置したＣＰＷ線路３０を、基板本体２１ａの上面で切ったときのＣＰＷ線路３０の断面図である。図１４に示されるように接地導体２５、２６を接続する配線２７ｃ、２７ｄは中間層２１ｂよりも一つ下の層である基板本体２１ａの上面に形成される。したがって、破線で示す接地導体２５、２６と配線２７ｃ、２７ｄがそれぞれ別の層にあるため、接地導体２５、２６と配線２７ｃ、２７ｄの金属膜で囲まれる閉じた領域が形成されることはない。したがって、困難無くリフトオフが可能となり高精度なパターン形成ができる。

なお本発明はＣＰＷ線路だけではなく基板の裏面全体にグランド電極が設けられたグランド付コプレーナ線路などにも適用可能である。

２０・・・ＣＰＷ線路、２１・・・基板、２２、２３、２４・・・中心導体、２５、２６・・・接地導体、２７・・・配線

Claims (5)

1. 基板（２１）と、
   前記基板の一面に、同一の幅を有し、同一の直線上に形成された、第１の中心導体（２２）及び第２の中心導体（２３）と、前記一面に対して立脚した第１の立脚部（２４ａ）及び第２の立脚部（２４ｂ）を有する第３の中心導体（２４）と、
   前記第１の中心導体及び前記第２の中心導体と平行な縁を有し、前記第１の中心導体及び前記第２の中心導体の両側に配置され、前記第１の中心導体及び前記第２の中心導体から同一の距離だけ離れ、互いに対向する第１の接地導体（２５）及び第２の接地導体（２６）と、を有し、
   さらに、前記第１の接地導体と前記第２の接地導体を接続し、前記第１の中心導体の端部（２２ｂ）と前記第１の中心導体の端部に対向する前記第２の中心導体の端部（２３ａ）の間に配置され、前記第３の中心導体よりも幅が狭い第３の接地導体（２７）と、を有し、
   前記第１の立脚部は前記第１の中心導体の端部（２２ｂ）に配置され、前記第２の立脚部は前記第２の中心導体の端部（２３ａ）に配置され、
   前記第３の中心導体は前記第３の接地導体とエアブリッジ構造を形成することを特徴とする伝送線路。
2. 前記第３の接地導体は、第１の中心導体の端部と前記第２の中心導体の端部の中央に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の伝送線路。
3. 前記第３の接地導体の幅は前記第３の中心導体の幅に対して１/３以下であることを特徴とする請求項１あるいは請求項２に記載の伝送線路。
4. 基板（２１）と、
   前記基板の一面に、同一の幅を有し、同一の直線上に形成された、第１の中心導体（２２）及び第２の中心導体（２３）と、前記一面に対して立脚した第１の立脚部（２４ａ）及び第２の立脚部（２４ｂ）を有する第３の中心導体（２４）と、
   前記第１の中心導体及び前記第２の中心導体と平行な縁を有し、前記第１の中心導体及び前記第２の中心導体から同一の距離だけ離れ、互いに対向する第１の接地導体（２５）及び第２の接地導体（２６）と、を有し、
   さらに、前記第１の接地導体と前記第２の接地導体を接続し、前記第１の中心導体の端部（２２ｂ）と前記第１の中心導体の端部に対向する前記第２の中心導体の端部（２３ａ）の間に配置され、前記第３の中心導体よりも幅が狭い第３の接地導体（２７）と、を有し、
   前記第１の立脚部は前記第１の中心導体の端部（２２ｂ）に配置され、前記第２の立脚部は前記第２の中心導体の端部（２３ａ）に配置され、
   前記第３の中心導体は前記第３の接地導体とエアブリッジ構造を形成し、
   前記基板（２１）は本体となる基板本体（２１ａ）と前記基板本体の上面にある第１の層（２１ｂ）からなり、
   前記第３の接地導体は前記基板本体の上面に配置され、前記第１の層の上面にある前記接地導体（２５、２６）と接続されることを特徴とする伝送線路。
5. 基板（２１）と、基板の上に設けられた中心導体（２２、２３、２４）、と接地導体（２５、２６、２７）を有し、前記中心導体の一部は前記基板から離れ、前記接地導体の一部が前記中心導体の一部の下をくぐるように配置され、
   前記接地導体の一部の幅は前記中心導体の一部の幅よりも狭いことを特徴とし、直線状の伝送線路に用いられるエアブリッジ構造。

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