JP5476854B2 - コプレーナ線路及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1を参照して、第1実施形態のコプレーナ線路について、その構成と製造方法を説明する。図1は、第1実施形態のコプレーナ線路の切断端面を示す図である。
図5を参照して、第2実施形態のコプレーナ線路について、その構成を説明する。図5は、第2実施形態のコプレーナ線路の切断端面を示す図である。
上述した各実施形態では、絶縁層として、SiN膜やSiO2膜を用いる例について説明しているが、AL−Polymer(旭硝子株式会社製:商品名)などのフッ素系の感光性低誘電率コーティング樹脂を用いても良い。
20 基板
22 アモルファスシリコン層
30 絶縁層
32 第1絶縁層
34 第2絶縁層
36 コンタクトホール
42 信号線路
44、46 接地導体
50 ブリッジ配線
124 ネットワークアナライザ
126 パーソナルコンピュータ
128 基板搭載ステージ
132 プローブヘッド
Claims (6)
- 一方の主表面側に1〜2nm厚のアモルファスシリコン層を備える高抵抗シリコン基板と、
前記アモルファスシリコン層上に設けられた100nm〜2μm厚の絶縁層と、
該絶縁層上に形成された信号線路と、
前記絶縁層上の、前記信号線路を挟む位置に形成された一対の接地導体と
を備え、
前記アモルファスシリコン層は、高抵抗シリコン基板の一方の主表面側をRIE法によりエッチング処理することによって形成される
ことを特徴とするコプレーナ線路。 - 前記絶縁層内に、前記一対の接地導体間を電気的に接続するブリッジ配線を有する
ことを特徴とする請求項1に記載のコプレーナ線路。 - 前記絶縁層が、シリコン窒化膜で形成される
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のコプレーナ線路。 - 前記絶縁層が、フッ素系の感光性低誘電率コーティング樹脂を含む
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のコプレーナ線路。 - 高抵抗シリコン基板の一方の主表面側をRIE法によりエッチング処理することによって、当該主表面側に、アモルファスシリコン層を形成する工程と、
該アモルファスシリコン層上に絶縁層を形成する工程と、
該絶縁層上に、信号線路と、該信号線路を挟む位置に一対の接地導体を形成する工程と
を備えることを特徴とするコプレーナ線路の製造方法。 - 高抵抗シリコン基板の一方の主表面側をRIE法によりエッチング処理することによって、当該主表面側に、アモルファスシリコン層を形成する工程と、
該アモルファスシリコン層上に第1絶縁層を形成する工程と、
該第1絶縁層上に、ブリッジ配線を形成する工程と、
前記第1絶縁層上に、前記ブリッジ配線を覆う第2絶縁層を形成する工程と、
該第2絶縁層に前記ブリッジ配線を露出するコンタクトホールを開口する工程と、
前記第2絶縁層上に、信号線路と、該信号線路を挟む位置に一対の接地導体を形成する工程と
を備え、
前記ブリッジ配線が、前記一対の接地導体間を電気的に接続する
ことを特徴とするコプレーナ線路の製造方法。
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