JP7358371B2 - 薄膜表面実装可能高周波数結合器 - Google Patents
薄膜表面実装可能高周波数結合器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7358371B2 JP7358371B2 JP2020546341A JP2020546341A JP7358371B2 JP 7358371 B2 JP7358371 B2 JP 7358371B2 JP 2020546341 A JP2020546341 A JP 2020546341A JP 2020546341 A JP2020546341 A JP 2020546341A JP 7358371 B2 JP7358371 B2 JP 7358371B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- base substrate
- coupler
- contact pads
- film microstrip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
- H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
- H01P5/18—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers
- H01P5/184—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers the guides being strip lines or microstrips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
- H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
- H01P5/18—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers
- H01P5/184—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers the guides being strip lines or microstrips
- H01P5/185—Edge coupled lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
- H01P11/001—Manufacturing waveguides or transmission lines of the waveguide type
- H01P11/003—Manufacturing lines with conductors on a substrate, e.g. strip lines, slot lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/003—Coplanar lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/081—Microstriplines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/18—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type built-up from several layers to increase operating surface, i.e. alternately conductive and dielectric layers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04W—WIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
- H04W88/00—Devices specially adapted for wireless communication networks, e.g. terminals, base stations or access point devices
- H04W88/08—Access point devices
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/115—Via connections; Lands around holes or via connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10098—Components for radio transmission, e.g. radio frequency identification [RFID] tag, printed or non-printed antennas
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
[0001]本出願は、2018年3月6日の出願日を有する米国仮特許出願第62/639,309号、および、2018年3月13日の出願日を有する米国仮特許出願第62/642,219号の出願利益を主張するものであり、それらの米国仮特許出願は、それらの全体において参照により本明細書に組み込まれている。
[0019]5G周波数スペクトルにおいて動作するものを含む、高周波数回路において特に有用である、表面実装可能結合器デバイスが提供される。5G周波数スペクトルは、一般的には、約20GHzから約30GHzに広がる。結合器は、一般的には、直接的な電気的接触を伴わない、2つの信号線の間の結合を提供する。例示的な使用は、無線周波数(RF)混合器、増幅器、および変調器を含む。実例として、結合器は、RF送信器内の帰還制御ループまたは増幅器出力局部に対する結合を提供するために使用され得る。
[0038]一部の実施形態において、ベース基板材料および/または被覆基板材料の誘電率は、25℃の動作温度、および、28GHzの周波数において、ASTM D2520-13によって決定されるように、約0.1から約50、一部の実施形態において約0.5から約20、一部の実施形態において約1から約20、および、一部の実施形態において約5から約15、例えば、約9の範囲に及び得る。
[0074]開示される結合器は、5G周波数に対して適合させられる基地局、または、関連付けられる機器もしくは設備の回路においての個別の用途を見出し得る。追加的な用途は、スマートフォン、信号リピータ(例えば、スモールセル)、中継局、レーダ、無線周波数識別(RFID)デバイス、および、高周波数無線信号を用いる任意の他の適したデバイスを含むことができる。
[0076]約28Ghzにおいて約-30dBより大の結合係数を有する、および、グリッドアレイ表面実装に適している、小さくまとまった高周波数結合器を形成する能力が実証された。
[0080]本発明のこれらおよび他の、修正および変形が、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、当業者により実践され得る。加えて、様々な実施形態の態様が、全部において、または、一部においての両方で入れ替えられ得るということが理解されるべきである。さらにまた、当業者は、上述の説明は、単に例としてのものであり、そのような添付される特許請求の範囲において、そのようにさらに説明される本発明を限定することを意図されないということを認識するであろう。
Claims (20)
- 高周波数表面実装可能結合器であって、
上部表面と、下部表面と、長手方向においての長さと、前記長手方向に垂直である横方向においての幅とを有するモノリシックベース基板と、
前記モノリシックベース基板の前記上部表面上に配設される第1の薄膜マイクロストリップであって、入力端部と、出力端部とを有する、第1の薄膜マイクロストリップと、
前記モノリシックベース基板の前記上部表面上に配設される第2の薄膜マイクロストリップであって、入力端部と、出力端部とを有する、第2の薄膜マイクロストリップと、
前記モノリシックベース基板の前記下部表面上に配設されるベース接地平面と、
前記モノリシックベース基板の前記下部表面上に配設される4つの接触パッドと、
前記モノリシックベース基板の前記上部表面から前記下部表面に、前記モノリシックベース基板を貫通して延びる少なくとも4つのビアであって、前記少なくとも4つのビアは、
前記第1の薄膜マイクロストリップの前記入力端部を、前記4つの接触パッドのうちの第1のものに電気的に接続する第1のビアと、
前記第1の薄膜マイクロストリップの前記出力端部を、前記4つの接触パッドのうちの第2のものに電気的に接続する第2のビアと、
前記第2の薄膜マイクロストリップの前記入力端部を、前記4つの接触パッドのうちの第3のものに電気的に接続する第3のビアと、
前記第2の薄膜マイクロストリップの前記出力端部を、前記4つの接触パッドのうちの第4のものに電気的に接続する第4のビアと、を含む、少なくとも4つのビアと
を備え、
前記ベース接地平面は、前記ベース接地平面の境界が前記第1、第2、第3および第4の接触パッドの間になるように、前記長手方向および前記横方向の両方で、前記第1、第2、第3および第4の接触パッドの間に位置し、
前記結合器は、約28GHzにおいて約-30dBより大である結合係数を有する、高周波数表面実装可能結合器。 - 前記結合器は、約10GHzから約70GHzで約-30dBより大である結合係数を有する、請求項1に記載の結合器。
- 前記モノリシックベース基板の前記長さおよび前記幅の各々は、約7mm未満である、請求項1に記載の結合器。
- 前記結合器は、グリッドアレイ型実装のために構成される、請求項1に記載の結合器。
- 前記モノリシックベース基板は、セラミック材料を含む、請求項1に記載の結合器。
- 前記モノリシックベース基板は、サファイアを含む、請求項1に記載の結合器。
- 前記モノリシックベース基板の前記上部表面上に配置構成される被覆基板をさらに備える、請求項1に記載の結合器。
- 前記被覆基板の上部表面上に配設される被覆接地平面をさらに備える、請求項7に記載の結合器。
- 被覆接地平面は、ベース接地平面と電気的に接続される、請求項7に記載の結合器。
- 前記少なくとも1つのビアは、前記モノリシックベース基板および前記被覆基板の各々を貫通して延びる接地ビアを含み、前記接地ビアは、前記被覆接地平面を前記ベース接地平面と電気的に接続する、請求項9に記載の結合器。
- 前記結合器の外側に沿って露出される高分子保護層をさらに備える、請求項1に記載の結合器。
- 前記第1の薄膜マイクロストリップまたは前記第2の薄膜マイクロストリップのうちの少なくとも1つと接触している接着層をさらに備える、請求項1に記載の結合器。
- 高周波数表面実装可能結合器を形成するための方法であって、
モノリシックベース基板の上部表面から前記モノリシックベース基板の下部表面に延びる少なくとも4つのビア貫通孔を形成するステップであって、前記モノリシックベース基板は、前記上部表面と、前記下部表面と、長手方向においての長さと、前記長手方向に垂直である横方向においての幅とを有する、ステップと、
第1の薄膜マイクロストリップおよび第2の薄膜マイクロストリップを、前記モノリシックベース基板の前記上部表面上に堆積させるステップであって、前記第1の薄膜マイクロストリップは、入力端部と出力端部とを有し、前記第2の薄膜マイクロストリップは、入力端部と出力端部とを有し、前記第1および第2の薄膜マイクロストリップの各々は、前記結合器が、約28GHzにおいて約-30dBより大である結合係数を有するように、サイズ設定され、隔置される、堆積させるステップと、
前記モノリシックベース基板の前記下部表面上にベース接地平面を堆積させるステップと、
前記モノリシックベース基板の前記下部表面上に4つの接触パッドを堆積させるステップと、
前記第1の薄膜マイクロストリップの前記入力端部を、前記4つの接触パッドのうちの第1のものに電気的に接続する第1のビア、前記第1の薄膜マイクロストリップの前記出力端部を、前記4つの接触パッドのうちの第2のものに電気的に接続する第2のビア、前記第2の薄膜マイクロストリップの前記入力端部を、前記4つの接触パッドのうちの第3のものに電気的に接続する第3のビア、および前記第2の薄膜マイクロストリップの前記出力端部を、前記4つの接触パッドのうちの第4のものに電気的に接続する第4のビアを形成するために、伝導性ビア材料を前記少なくとも4つのビア貫通孔の内側に堆積させるステップと
を含み、
前記ベース接地平面は、前記ベース接地平面の境界が前記第1、第2、第3および第4の接触パッドの間になるように、前記長手方向および前記横方向の両方で、前記第1、第2、第3および第4の接触パッドの間に位置する、方法。 - 前記少なくとも4つのビア貫通孔を形成するステップは、少なくとも1つのビア貫通孔をレーザ穿孔するステップを含む、請求項13に記載の方法。
- 被覆基板を前記モノリシックベース基板の前記上部表面の上部上に配置構成するステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。
- 被覆接地平面を前記被覆基板の上部表面上に堆積させるステップをさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 前記被覆基板の上部表面から前記モノリシックベース基板の前記下部表面に延びる少なくとも1つの接地ビア貫通孔を形成するステップをさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 上部表面と、下部表面と、長手方向においての長さと、前記長手方向に垂直である横方向においての幅と、前記長手方向および前記横方向の各々に垂直であるZ方向においての厚さとを有するモノリシックベース基板と、
前記モノリシックベース基板の前記上部表面上に配設される第1の薄膜マイクロストリップであって、入力端部と、出力端部とを有する、第1の薄膜マイクロストリップと、
前記モノリシックベース基板の前記上部表面上に配設される第2の薄膜マイクロストリップであって、入力端部と、出力端部とを有する、第2の薄膜マイクロストリップと、
前記モノリシックベース基板の前記下部表面上に配設されるベース接地平面と、
前記モノリシックベース基板の前記下部表面上に配設される4つの接触パッドと、
前記モノリシックベース基板の前記上部表面から前記下部表面に、前記モノリシックベース基板を貫通して延びる少なくとも4つのビアであって、前記少なくとも4つのビアは、
前記第1の薄膜マイクロストリップの前記入力端部を、前記4つの接触パッドのうちの第1のものに電気的に接続する第1のビアと、
前記第1の薄膜マイクロストリップの前記出力端部を、前記4つの接触パッドのうちの第2のものに電気的に接続する第2のビアと、
前記第2の薄膜マイクロストリップの前記入力端部を、前記4つの接触パッドのうちの第3のものに電気的に接続する第3のビアと、
前記第2の薄膜マイクロストリップの前記出力端部を、前記4つの接触パッドのうちの第4のものに電気的に接続する第4のビアと、を含む、少なくとも4つのビアと
を備え、
前記ベース接地平面は、前記ベース接地平面の境界が前記第1、第2、第3および第4の接触パッドの間になるように、前記長手方向および前記横方向の両方で、前記第1、第2、第3および第4の接触パッドの間に位置し、
前記第1の薄膜マイクロストリップの少なくとも一部分、および、前記第2の薄膜マイクロストリップの少なくとも一部分は、結合長さに沿って、第1の方向において、互いに平行に延び、前記結合長さは、約0.2mmから約3.8mmの範囲に及ぶ、高周波数表面実装可能結合器。 - 前記第1の薄膜マイクロストリップおよび前記第2の薄膜マイクロストリップの各々は、前記第1の方向に垂直である第2の方向においてのそれぞれの幅を有し、前記第1および第2の薄膜マイクロストリップの前記幅の各々は、約50マイクロメートルから約500マイクロメートルの範囲に及ぶ、請求項18に記載の結合器。
- 信号源構成要素と、
前記信号源構成要素と動作可能に接続される高周波数表面実装可能結合器であって、
上部表面と、下部表面と、長手方向においての長さと、前記長手方向に垂直である横方向においての幅とを有するモノリシックベース基板と、
前記モノリシックベース基板の前記上部表面上に配設される第1の薄膜マイクロストリップであって、入力端部と、出力端部とを有する、第1の薄膜マイクロストリップと、
前記モノリシックベース基板の前記上部表面上に配設される第2の薄膜マイクロストリップであって、入力端部と、出力端部とを有する、第2の薄膜マイクロストリップと、
前記モノリシックベース基板の前記下部表面上に配設されるベース接地平面と、
前記モノリシックベース基板の前記下部表面上に配設される4つの接触パッドと、
前記モノリシックベース基板の前記上部表面から前記下部表面に、前記モノリシックベース基板を貫通して延びる少なくとも4つのビアであって、前記少なくとも4つのビアは、
前記第1の薄膜マイクロストリップの前記入力端部を、前記4つの接触パッドのうちの第1のものに電気的に接続する第1のビアと、
前記第1の薄膜マイクロストリップの前記出力端部を、前記4つの接触パッドのうちの第2のものに電気的に接続する第2のビアと、
前記第2の薄膜マイクロストリップの前記入力端部を、前記4つの接触パッドのうちの第3のものに電気的に接続する第3のビアと、
前記第2の薄膜マイクロストリップの前記出力端部を、前記4つの接触パッドのうちの第4のものに電気的に接続する第4のビアと、を含む、少なくとも4つのビアと
を備え、
前記ベース接地平面は、前記ベース接地平面の境界が前記第1、第2、第3および第4の接触パッドの間になるように、前記長手方向および前記横方向の両方で、前記第1、第2、第3および第4の接触パッドの間に位置する、高周波数表面実装可能結合器と
を備え、
前記結合器は、約28GHzにおいて約-30dBより大である結合係数を有する、基地局回路。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862639309P | 2018-03-06 | 2018-03-06 | |
US62/639,309 | 2018-03-06 | ||
US201862642219P | 2018-03-13 | 2018-03-13 | |
US62/642,219 | 2018-03-13 | ||
PCT/US2019/019762 WO2019173091A1 (en) | 2018-03-06 | 2019-02-27 | Thin film surface mountable high frequency coupler |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021515496A JP2021515496A (ja) | 2021-06-17 |
JP7358371B2 true JP7358371B2 (ja) | 2023-10-10 |
Family
ID=67842121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020546341A Active JP7358371B2 (ja) | 2018-03-06 | 2019-02-27 | 薄膜表面実装可能高周波数結合器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10944147B2 (ja) |
EP (1) | EP3762995B1 (ja) |
JP (1) | JP7358371B2 (ja) |
KR (1) | KR102657057B1 (ja) |
CN (1) | CN111989819B (ja) |
IL (1) | IL277054B (ja) |
WO (1) | WO2019173091A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019173091A1 (en) * | 2018-03-06 | 2019-09-12 | Avx Corporation | Thin film surface mountable high frequency coupler |
JP7447506B2 (ja) * | 2020-01-27 | 2024-03-12 | Tdk株式会社 | 方向性結合器 |
Family Cites Families (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3723755A (en) | 1970-10-12 | 1973-03-27 | A Morse | Parametric amplifier |
US4150345A (en) | 1977-12-02 | 1979-04-17 | Raytheon Company | Microstrip coupler having increased coupling area |
JPS604306A (ja) * | 1983-06-22 | 1985-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 結合線路 |
CN87212936U (zh) | 1987-08-25 | 1988-09-28 | 南京工学院 | 电调平衡量的行波管外平衡器 |
US5111165A (en) | 1989-07-11 | 1992-05-05 | Wiltron Company | Microwave coupler and method of operating same utilizing forward coupling |
US5032803A (en) * | 1990-02-02 | 1991-07-16 | American Telephone & Telegraph Company | Directional stripline structure and manufacture |
JPH0758507A (ja) * | 1993-08-18 | 1995-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層フィルタ |
US6741085B1 (en) | 1993-11-16 | 2004-05-25 | Formfactor, Inc. | Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts |
JP3476906B2 (ja) | 1994-05-31 | 2003-12-10 | 京セラ株式会社 | 積層インダクタ基板 |
JP3252605B2 (ja) * | 1994-07-04 | 2002-02-04 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
JPH0837347A (ja) * | 1994-07-25 | 1996-02-06 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
US5757252A (en) | 1995-08-31 | 1998-05-26 | Itt Industries, Inc. | Wide frequency band transition between via RF transmission lines and planar transmission lines |
US5619172A (en) | 1995-09-14 | 1997-04-08 | Vari-L Company, Inc. | High impedance ratio wideband transformer circuit |
US5742213A (en) | 1995-09-14 | 1998-04-21 | Vari-L Company, Inc. | Unbalanced to balanced high impedance ratio wideband transformer circuit |
US5689217A (en) * | 1996-03-14 | 1997-11-18 | Motorola, Inc. | Directional coupler and method of forming same |
JPH11177310A (ja) | 1997-10-09 | 1999-07-02 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波伝送線路、誘電体共振器、フィルタ、デュプレクサおよび通信機 |
US6342681B1 (en) | 1997-10-15 | 2002-01-29 | Avx Corporation | Surface mount coupler device |
US6099677A (en) * | 1998-02-13 | 2000-08-08 | Merrimac Industries, Inc. | Method of making microwave, multifunction modules using fluoropolymer composite substrates |
US6023210A (en) | 1998-03-03 | 2000-02-08 | California Institute Of Technology | Interlayer stripline transition |
JP2001155923A (ja) | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Kyocera Corp | インダクタ素子 |
US6765455B1 (en) * | 2000-11-09 | 2004-07-20 | Merrimac Industries, Inc. | Multi-layered spiral couplers on a fluropolymer composite substrate |
US6542375B1 (en) * | 2001-06-14 | 2003-04-01 | National Semiconductor Corporation | Hybrid PCB-IC directional coupler |
EP1543580A1 (en) | 2002-09-27 | 2005-06-22 | Nokia Corporation | Coupling device |
US6917265B2 (en) * | 2003-05-22 | 2005-07-12 | Synergy Microwave Corporation | Microwave frequency surface mount components and methods of forming same |
JP2008099064A (ja) | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Alps Electric Co Ltd | 高周波フィルタ |
US7876174B2 (en) | 2007-06-26 | 2011-01-25 | Current Technologies, Llc | Power line coupling device and method |
US7795994B2 (en) | 2007-06-26 | 2010-09-14 | Current Technologies, Llc | Power line coupling device and method |
US20090085726A1 (en) | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Radtke William O | Power Line Communications Coupling Device and Method |
WO2009086219A1 (en) | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Rayspan Corporation | Multi-metamaterial-antenna systems with directional couplers |
JP4987764B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2012-07-25 | 株式会社東芝 | 方向性結合器 |
TWI394507B (zh) * | 2008-12-15 | 2013-04-21 | Univ Nat Taiwan | 互補式金屬耦合線 |
US9450556B2 (en) | 2009-10-16 | 2016-09-20 | Avx Corporation | Thin film surface mount components |
KR20130135549A (ko) | 2012-06-01 | 2013-12-11 | 주식회사 브로던 | 회복속도가 빠른 초광대역 리미터 모듈 장치 |
US20140167900A1 (en) | 2012-12-14 | 2014-06-19 | Gregorio R. Murtagian | Surface-mount inductor structures for forming one or more inductors with substrate traces |
US8897697B1 (en) | 2013-11-06 | 2014-11-25 | At&T Intellectual Property I, Lp | Millimeter-wave surface-wave communications |
EP2871816B1 (en) | 2013-11-11 | 2016-03-09 | 51 Degrees Mobile Experts Limited | Identifying properties of a communication device |
US9905902B2 (en) * | 2014-07-24 | 2018-02-27 | Skyworks Solutions, Inc. | Zero insertion loss directional coupler for wireless transceivers with integrated power amplifiers |
KR102492575B1 (ko) | 2015-02-05 | 2023-01-30 | 삼성전자주식회사 | 인덕터 장치 |
US9876264B2 (en) | 2015-10-02 | 2018-01-23 | At&T Intellectual Property I, Lp | Communication system, guided wave switch and methods for use therewith |
US9780429B2 (en) * | 2015-10-16 | 2017-10-03 | International Business Machines Corporation | 3D-microstrip branchline coupler |
CN205407834U (zh) | 2016-02-25 | 2016-07-27 | 黑龙江同信通信股份有限公司 | 5g移动通信信号感应器 |
US9660345B1 (en) | 2016-05-18 | 2017-05-23 | International Business Machines Corporation | Millimeter-wave communications on a multifunction platform |
CN106354951A (zh) | 2016-08-31 | 2017-01-25 | 徐跃杭 | 一种超宽带氮化镓器件小信号模型及其参数提取方法 |
CN107317083A (zh) * | 2017-06-21 | 2017-11-03 | 西安电子科技大学 | 多层微带结构超宽带3dB电桥 |
WO2019173091A1 (en) * | 2018-03-06 | 2019-09-12 | Avx Corporation | Thin film surface mountable high frequency coupler |
CN108631036B (zh) * | 2018-04-09 | 2023-10-20 | 王宇晨 | 单芯片正交3dB定向耦合器 |
-
2019
- 2019-02-27 WO PCT/US2019/019762 patent/WO2019173091A1/en active Application Filing
- 2019-02-27 EP EP19765102.9A patent/EP3762995B1/en active Active
- 2019-02-27 JP JP2020546341A patent/JP7358371B2/ja active Active
- 2019-02-27 US US16/287,089 patent/US10944147B2/en active Active
- 2019-02-27 CN CN201980026119.7A patent/CN111989819B/zh active Active
- 2019-02-27 IL IL277054A patent/IL277054B/en unknown
- 2019-02-27 KR KR1020207028445A patent/KR102657057B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-03-03 US US17/190,776 patent/US11652265B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021515496A (ja) | 2021-06-17 |
IL277054B (en) | 2022-07-01 |
CN111989819A (zh) | 2020-11-24 |
EP3762995B1 (en) | 2024-06-26 |
CN111989819B (zh) | 2023-11-28 |
US11652265B2 (en) | 2023-05-16 |
KR20200118901A (ko) | 2020-10-16 |
EP3762995A4 (en) | 2021-12-01 |
US10944147B2 (en) | 2021-03-09 |
EP3762995A1 (en) | 2021-01-13 |
US20210184327A1 (en) | 2021-06-17 |
KR102657057B1 (ko) | 2024-04-15 |
IL277054A (en) | 2020-10-29 |
WO2019173091A1 (en) | 2019-09-12 |
US20190280361A1 (en) | 2019-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10790245B2 (en) | High-frequency ceramic board and high-frequency semiconductor element package | |
US6870438B1 (en) | Multi-layered wiring board for slot coupling a transmission line to a waveguide | |
US5952709A (en) | High-frequency semiconductor device and mounted structure thereof | |
JP5765174B2 (ja) | 電子装置 | |
JP4261726B2 (ja) | 配線基板、並びに配線基板と導波管との接続構造 | |
US20100231320A1 (en) | Semiconductor device, transmission system, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing transmission system | |
US11652265B2 (en) | Surface mountable microstrip line coupler having a coupling factor that is greater than −30dB at 28 GHz | |
JP6971921B2 (ja) | 差動伝送線路、配線基板および半導体用パッケージ | |
JP4837998B2 (ja) | 高周波デバイス実装基板及び通信機器 | |
JP3631667B2 (ja) | 配線基板およびその導波管との接続構造 | |
JP3309056B2 (ja) | 高周波素子収納用パッケージ | |
JPH11312760A (ja) | 高周波用配線基板 | |
JP7498189B2 (ja) | 表面実装可能な高周波マイクロストリップバンドパスフィルタ | |
JP3181036B2 (ja) | 高周波用パッケージの実装構造 | |
JP2004134413A (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 | |
JP3784185B2 (ja) | 電子部品搭載用配線基板 | |
JP2000100994A (ja) | 高周波用パッケージ | |
JP3838906B2 (ja) | 高周波用配線基板 | |
JP4177849B2 (ja) | 電子部品搭載用配線基板および電子装置 | |
WO2023017775A1 (ja) | 導波素子 | |
JP2003198213A (ja) | 高周波用配線基板 | |
JP2001044328A (ja) | 高周波半導体素子搭載用配線基板およびこれを用いた高周波用半導体装置 | |
JP2003198080A (ja) | 配線基板 | |
JP2012142693A (ja) | 高周波モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211117 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220922 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221031 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230428 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230726 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230906 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230927 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7358371 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |