JP7447506B2 - 方向性結合器 - Google Patents

Description

本発明は、送受信信号のレベルを検出するために用いられる方向性結合器に関する。

現在、第４世代までの移動通信システムが実用化されている。第４世代までの移動通信システムでは、３．６ＧＨｚ以下の周波数帯域が利用されている。また、現在、第５世代移動通信システムの規格化が進められている。第５世代移動通信システムでは、周波数帯域を拡大するために、２０ＧＨｚ以上の周波数帯域、特に、２０～３０ＧＨｚの準ミリ波帯や３０～３００ＧＨｚのミリ波帯の利用が検討されている。

通信装置に用いられる電子部品の１つとして、送受信信号のレベルを検出するために用いられる方向性結合器がある。従来の方向性結合器としては、以下のような構成のものが知られている。この方向性結合器は、入力ポートと、出力ポートと、結合ポートと、終端ポートと、主線路と、副線路を備えている。主線路の一端は入力ポートに接続され、主線路の他端は出力ポートに接続されている。副線路の一端は結合ポートに接続され、副線路の他端は終端ポートに接続されている。主線路と副線路は、電磁界結合する。終端ポートは、例えば５０Ωの抵抗値を有する終端抵抗を介して接地されている。入力ポートには高周波信号が入力され、この高周波信号は出力ポートから出力される。結合ポートからは、入力ポートに入力された高周波信号の電力に応じた電力を有する結合信号が出力される。このような方向性結合器は、例えば特許文献１に記載されている。

方向性結合器の特性を表す主要なパラメータとしては、結合度がある。結合度は、入力ポートに入力される高周波信号の電力に対する、結合ポートから出力される信号の電力の比率である。主線路を通過する高周波信号の電力の損失を抑制し、且つ送受信信号レベルを検出するという方向性結合器の機能が損なわれることを防止するために、方向性結合器は、結合度が使用周波数帯域内において所定の範囲内の値になるように設計される。

広い周波数帯域において結合度の変化を抑制する方法としては、主線路と副線路の間隔を徐々に小さくする方法がある。特許文献２および特許文献３には、複数の線路部分を階段状に直列接続して、主線路と副線路の間隔を徐々に小さくした方向性結合器が開示されている。また、特許文献２には、主線路と副線路をアーチ状にして、主線路と副線路の間隔を徐々に小さくした方向性結合器も開示されている。

特開平９－１１６３１２号公報 特開平８－７８９１７号公報 特開平９－２４６８１８号公報

一般的に、結合度は、入力ポートに入力される高周波信号の周波数に依存して変化する。そのため、第５世代移動通信システムで利用される２０ＧＨｚ以上の高い周波数帯域で使用可能な方向性結合器を実現するためには、結合度が使用周波数帯域内において所定の範囲内の値になるような工夫が必要である。しかし、従来は、そのような工夫について、十分に検討されていなかった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、高い周波数帯域で使用可能な方向性結合器を提供することにある。

本発明の方向性結合器は、第１の端子と、第２の端子と、第３の端子と、第４の端子と、第１の端子と第２の端子を接続する第１の線路と、第３の端子と第４の端子を接続する第２の線路と、グランドに接続されるグランド導体部と、第１ないし第４の端子、第１および第２の線路ならびにグランド導体部を一体化するための積層体とを備えている。積層体は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含むと共に、複数の誘電体層および複数の導体層の積層方向の両端に位置する上面と底面を有している。第１の線路と第２の線路は、互いに電磁界結合するように、複数の導体層を用いて構成されている。

第１の線路は、第１の線路における長手方向の中央を含む第１の中央部分と、第１の中央部分と第１の端子とを接続する第１の接続部分と、第１の中央部分と第２の端子とを接続する第２の接続部分とを含んでいる。第２の線路は、第２の線路における長手方向の中央を含む第２の中央部分と、第２の中央部分と第３の端子とを接続する第３の接続部分と、第２の中央部分と第４の端子とを接続する第４の接続部分とを含んでいる。第２の中央部分、第３の接続部分および第４の接続部分は、それぞれ、積層方向に直交する第１の方向において、第１の中央部分、第１の接続部分および第２の接続部分に対向するように配置されている。第１の中央部分と第２の中央部分は、積層方向について同じ位置に配置されている。第１の方向における第１の接続部分と第３の接続部分の間隔と、第１の方向における第２の接続部分と第４の接続部分の間隔は、第１および第２の中央部分に近いほど小さい。

グランド導体部は、第１および第２の中央部分よりも積層体の底面により近い位置であって、積層方向から見て第１および第２の中央部分と重なる位置に配置されている。第１ないし第４の端子は、積層体の底面に配置されている。

本発明の方向性結合器において、積層方向および第１の方向に直交し且つ第１の中央部分と第２の中央部分の間を通過するように延びる仮想の直線を想定したとき、第１の方向における第１の接続部分と仮想の直線の間隔と、第１の方向における第２の接続部分と仮想の直線の間隔は、第１の中央部分に近いほど小さくてもよい。この場合、第１の方向における第３の接続部分と仮想の直線の間隔と、第１の方向における第４の接続部分と仮想の直線の間隔は、第２の中央部分に近いほど小さくてもよい。

また、本発明の方向性結合器において、積層体は、更に、積層体の内部に配置されたグランド用導体層を含んでいてもよい。グランド導体部は、グランド用導体層によって構成されていてもよい。この場合、第１ないし第４の接続部分の各々の少なくとも一部は、第１および第２の中央部分よりも積層体の底面により近い位置に配置されていてもよい。また、第１ないし第４の接続部分の各々は、積層方向において互いに異なる位置に配置された複数の部分を含んでいてもよい。

また、本発明の方向性結合器は、更に、積層体の底面に配置されたグランド端子を備えていてもよい。グランド導体部は、グランド端子によって構成されていてもよい。この場合、第１ないし第４の接続部分は、積層方向について第１および第２の中央部分と同じ位置に配置されていてもよい。

また、本発明の方向性結合器において、積層方向における積層体の底面とグランド導体部との間隔は、０～１００μｍの範囲内であってもよい。

また、本発明の方向性結合器において、積層体は、更に、第１および第２の中央部分と容量性結合する調整用導体層を含んでいてもよい。

本発明の方向性結合器では、第１の接続部分と第３の接続部分の間隔と、第２の接続部分と第４の接続部分の間隔は、第１および第２の中央部分に近いほど小さい。また、本発明では、第１ないし第４の端子は、積層体の底面に配置されている。これらのことから、本発明によれば、高い周波数帯域で使用可能な方向性結合器を実現することができるという効果を奏する。

本発明の第１の実施の形態に係る方向性結合器の回路構成を示す回路図である。 本発明の第１の実施の形態に係る方向性結合器の斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る方向性結合器の要部を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る方向性結合器の要部を示す平面図である。 図２に示した方向性結合器の積層体における１層目および２層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 図２に示した方向性結合器の積層体における３層目および８層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る方向性結合器の結合度の周波数特性を示す特性図である。 本発明の第１の実施の形態に係る方向性結合器のアイソレーションの周波数特性を示す特性図である。 本発明の第１の実施の形態に係る方向性結合器の方向性の周波数特性を示す特性図である。 本発明の第１の実施の形態に係る方向性結合器の反射損失の周波数特性を示す特性図である。 本発明の第１の実施の形態に係る方向性結合器の挿入損失の周波数特性を示す特性図である。 本発明の第２の実施の形態に係る方向性結合器の要部を示す斜視図である。 本発明の第２の実施の形態に係る方向性結合器の要部を示す平面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る方向性結合器の積層体における１層目および２層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 本発明の第２の実施の形態に係る方向性結合器の積層体における３層目および４層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 本発明の第２の実施の形態に係る方向性結合器の積層体における６層目および９層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 本発明の第３の実施の形態に係る方向性結合器の斜視図である。 本発明の第３の実施の形態に係る方向性結合器の要部を示す斜視図である。 本発明の第３の実施の形態に係る方向性結合器の要部を示す平面図である。 図１７に示した方向性結合器の積層体における１層目および２層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 図１７に示した方向性結合器の積層体における８層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。 シミュレーションによって求めた第１ないし第４のモデルの方向性の周波数特性を示す特性図である。 シミュレーションによって求めた積層体の底面とグランド導体部の間隔と方向性との関係を示す特性図である。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る方向性結合器の回路構成について説明する。図１は、本実施の形態に係る方向性結合器の回路構成を示している。図１に示したように、本実施の形態に係る方向性結合器１は、第１の端子１１と、第２の端子１２と、第３の端子１３と、第４の端子１４と、第１の端子１１と第２の端子１２を接続する第１の線路２１と、第３の端子１３と第４の端子１４を接続する第２の線路２２とを備えている。第１の線路２１と第２の線路２２は、互いに電磁界結合する。

本実施の形態では特に、第１の端子１１は入力ポートであり、第２の端子１２は出力ポートであり、第３の端子１３は結合ポートであり、第４の端子１４は終端ポートであり、第１の線路２１は主線路であり、第２の線路２２は副線路である。第４の端子１４は、例えば５０Ωの抵抗値を有する終端抵抗を介して接地される。この場合、第１の端子１１には高周波信号が入力され、この高周波信号は第２の端子１２から出力される。第３の端子１３からは、第１の端子１１に入力された高周波信号の電力に応じた電力を有する結合信号が出力される。

次に、図２ないし図４を参照して、方向性結合器１の構造について説明する。図２は、方向性結合器１の斜視図である。図３は、方向性結合器１の要部を示す斜視図である。図４は、方向性結合器１の要部を示す平面図である。方向性結合器１は、更に、グランドに接続されるグランド導体部２３と、第１ないし第４の端子１１～１４、第１の線路２１、第２の線路２２およびグランド導体部２３を一体化するための積層体３０を備えている。後で詳しく説明するが、積層体３０は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含んでいる。グランド導体部２３は、積層体３０の内部に配置された導体層によって構成されている。

積層体３０は、直方体形状をなしている。積層体３０は、積層体３０の外周部を構成する上面３０Ａ、底面３０Ｂおよび４つの側面３０Ｃ～３０Ｆを有している。上面３０Ａと底面３０Ｂは互いに反対側を向き、側面３０Ｃ，３０Ｄも互いに反対側を向き、側面３０Ｅ，３０Ｆも互いに反対側を向いている。側面３０Ｃ～３０Ｆは、上面３０Ａおよび底面３０Ｂに対して垂直になっている。積層体３０において、上面３０Ａおよび底面３０Ｂに垂直な方向が、複数の誘電体層および複数の導体層の積層方向である。図２では、この積層方向を、記号Ｔを付した矢印で示している。上面３０Ａと底面３０Ｂは、積層方向Ｔの両端に位置する。図４は、上面３０Ａ側から見た積層体３０の内部を示している。

ここで、図２ないし図４に示したように、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を定義する。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は、互いに直交する。本実施の形態では、積層方向Ｔに平行な一方向を、Ｚ方向とする。図４では、Ｘ方向を右側に向かう方向として表し、Ｙ方向を上側に向かう方向として表し、Ｚ方向を図４における奥から手前に向かう方向として表している。また、Ｘ方向とは反対の方向を－Ｘ方向とし、Ｙ方向とは反対の方向を－Ｙ方向とし、Ｚ方向とは反対の方向を－Ｚ方向とする。

図２に示したように、上面３０Ａは、積層体３０におけるＺ方向の端に位置する。底面３０Ｂは、積層体３０における－Ｚ方向の端に位置する。側面３０Ｃは、積層体３０におけるＸ方向の端に位置する。側面３０Ｄは、積層体３０における－Ｘ方向の端に位置する。側面３０Ｅは、積層体３０におけるＹ方向の端に位置する。側面３０Ｆは、積層体３０における－Ｙ方向の端に位置する。

図３および図４に示したように、グランド導体部２３は、Ｚ方向から見て、第１および第２の線路２１，２２の各々の一部と重なるように配置されている。グランド導体部２３は、第１および第２の線路２１，２２の各々との間に静電容量を発生させる。この静電容量は、方向性結合器１を実現するために必要である。

図２に示したように、第１ないし第４の端子１１～１４は、積層体３０の底面３０Ｂに配置されている。方向性結合器１は、更に、積層体３０の底面３０Ｂに配置されたグランド端子１５，１６を備えている。グランド端子１５，１６は、グランドに接続される。第１の端子１１、グランド端子１５および第２の端子１２は、側面３０Ｅよりも側面３０Ｆにより近い位置において、Ｘ方向にこの順に並んでいる。第３の端子１３、グランド端子１６および第４の端子１４は、側面３０Ｆよりも側面３０Ｅにより近い位置において、Ｘ方向にこの順に並んでいる。

次に、図５および図６を参照して、積層体３０について詳しく説明する。積層体３０は、積層された８層の誘電体層を有している。以下、この８層の誘電体層を、下から順に１層目ないし８層目の誘電体層と呼ぶ。また、１層目ないし８層目の誘電体層を、符号３１～３８で表す。図５において（ａ）は１層目の誘電体層３１のパターン形成面を示し、（ｂ）は２層目の誘電体層３２のパターン形成面を示している。図６において（ａ）は３層目の誘電体層３３のパターン形成面を示し、（ｂ）は８層目の誘電体層３８のパターン形成面を示している。

図５（ａ）に示したように、１層目の誘電体層３１のパターン形成面には、第１ないし第４の端子１１，１２，１３，１４と、グランド端子１５，１６とが形成されている。また、誘電体層３１には、それぞれ端子１１，１２，１３，１４，１５，１６に接続されたスルーホール３１Ｔ１，３１Ｔ２，３１Ｔ３，３１Ｔ４，３１Ｔ５，３１Ｔ６が形成されている。

図５（ｂ）に示したように、２層目の誘電体層３２のパターン形成面には、第１の線路２１を構成するために用いられる導体層３２１，３２２と、第２の線路２２を構成するために用いられる導体層３２３，３２４と、グランド導体部２３を構成するために用いられるグランド用導体層３２５とが形成されている。導体層３２１～３２４の各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。導体層３２１の第１端の近傍部分には、１層目の誘電体層３１に形成されたスルーホール３１Ｔ１が接続されている。導体層３２２の第１端の近傍部分には、誘電体層３１に形成されたスルーホール３１Ｔ２が接続されている。導体層３２３の第１端の近傍部分には、誘電体層３１に形成されたスルーホール３１Ｔ３が接続されている。導体層３２４の第１端の近傍部分には、誘電体層３１に形成されたスルーホール３１Ｔ４が接続されている。導体層３２５には、誘電体層３１に形成されたスルーホール３１Ｔ５，３１Ｔ６が接続されている。

また、誘電体層３２には、スルーホール３２Ｔ１，３２Ｔ２，３２Ｔ３，３２Ｔ４が形成されている。スルーホール３２Ｔ１は、導体層３２１の第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール３２Ｔ２は、導体層３２２の第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール３２Ｔ３は、導体層３２３の第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール３２Ｔ４は、導体層３２４の第２端の近傍部分に接続されている。

図６（ａ）に示したように、３層目の誘電体層３３のパターン形成面には、第１の線路２１を構成するために用いられる導体層３３１と、第２の線路２２を構成するために用いられる導体層３３２とが形成されている。導体層３３１，３３２の各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。導体層３３１の第１端の近傍部分には、２層目の誘電体層３２に形成されたスルーホール３２Ｔ１が接続されている。導体層３３１の第２端の近傍部分には、誘電体層３２に形成されたスルーホール３２Ｔ２が接続されている。導体層３３２の第１端の近傍部分には、誘電体層３２に形成されたスルーホール３２Ｔ３が接続されている。導体層３３２の第２端の近傍部分には、誘電体層３２に形成されたスルーホール３２Ｔ４が接続されている。

図示しないが、４層目ないし７層目の誘電体層３４，３５，３６，３７には、導体層およびスルーホールは形成されていない。

図６（ｂ）に示したように、８層目の誘電体層３８のパターン形成面には、マーク３８１が形成されている。

図２に示した積層体３０は、１層目の誘電体層３１のパターン形成面が積層体３０の底面３０Ｂになるように、１層目ないし８層目の誘電体層３１～３８が積層されて構成される。

以下、方向性結合器１の構成要素と、図５および図６に示した積層体３０の内部の構成要素との対応関係について説明する。第１の線路２１は、導体層３２１，３２２，３３１を用いて構成されている。導体層３３１の第１端の近傍部分は、スルーホール３２Ｔ１、導体層３２１およびスルーホール３１Ｔ１を介して第１の端子１１に接続されている。導体層３３１の第２端の近傍部分は、スルーホール３２Ｔ２、導体層３２２およびスルーホール３１Ｔ２を介して第２の端子１２に接続されている。

第２の線路２２は、導体層３２３，３２４，３３２を用いて構成されている。導体層３３２の第１端の近傍部分は、スルーホール３２Ｔ３、導体層３２３およびスルーホール３１Ｔ３を介して第３の端子１３に接続されている。導体層３３２の第２端の近傍部分は、スルーホール３２Ｔ４、導体層３２４およびスルーホール３１Ｔ４を介して第４の端子１４に接続されている。

グランド導体部２３は、グランド用導体層３２５によって構成されている。導体層３２５は、スルーホール３１Ｔ５を介してグランド端子１５に接続されていると共に、スルーホール３１Ｔ６を介してグランド端子１６に接続されている。

次に、方向性結合器１の構造上の特徴について説明する。第１の線路２１と第２の線路２２は、互いに電磁界結合するように、導体層３２１～３２４，３３１，３３２を用いて構成されている。

図４に示したように、第１の線路２１は、第１の線路２１における長手方向の中央を含む第１の中央部分２１Ａと、第１の中央部分２１Ａと第１の端子１１とを接続する第１の接続部分２１Ｂと、第１の中央部分２１Ａと第２の端子１２とを接続する第２の接続部分２１Ｃとを含んでいる。第１の中央部分２１Ａは、導体層３３１の大部分によって構成されている。第１の接続部分２１Ｂは、導体層３３１の他の一部と導体層３２１によって構成されている。第２の接続部分２１Ｃは、導体層３３１の更に他の一部と導体層３２２によって構成されている。図４では、導体層３３１における第１の中央部分２１Ａと第１の接続部分２１Ｂの境界と、導体層３３１における第１の中央部分２１Ａと第２の接続部分２１Ｃの境界を、点線で示している。

第１の中央部分２１Ａは、直線的な方向であるＸ方向に平行な方向に延在している。第１の接続部分２１Ｂは、第１の中央部分２１Ａの－Ｘ方向の端部に接続されている。第２の接続部分２１Ｃは、第１の中央部分２１ＡのＸ方向の端部に接続されている。第１の線路２１は、全体的にはＸ方向に平行な方向に延在している。

図４に示したように、第２の線路２２は、第２の線路２２における長手方向の中央を含む第２の中央部分２２Ａと、第２の中央部分２２Ａと第３の端子１３とを接続する第３の接続部分２２Ｂと、第２の中央部分２２Ａと第４の端子１４とを接続する第４の接続部分２２Ｃとを含んでいる。第２の中央部分２２Ａは、導体層３３２の大部分によって構成されている。第３の接続部分２２Ｂは、導体層３３２の他の一部と導体層３２３によって構成されている。第４の接続部分２２Ｃは、導体層３３２の更に他の一部と導体層３２４によって構成されている。図４では、導体層３３２における第２の中央部分２２Ａと第３の接続部分２２Ｂの境界と、導体層３３２における第２の中央部分２２Ａと第４の接続部分２２Ｃの境界を、点線で示している。

第２の中央部分２２Ａは、直線的な方向であるＸ方向に平行な方向に延在している。第３の接続部分２２Ｂは、第２の中央部分２２Ａの－Ｘ方向の端部に接続されている。第４の接続部分２２Ｃは、第２の中央部分２２ＡのＸ方向の端部に接続されている。第２の線路２２は、全体的にはＸ方向に平行な方向に延在している。

第２の中央部分２２Ａ、第３の接続部分２２Ｂおよび第４の接続部分２２Ｃは、それぞれ、積層方向Ｔに直交する方向であるＹ方向に平行な方向において、第１の中央部分２１Ａ、第１の接続部分２１Ｂおよび第２の接続部分２１Ｃに対向するように配置されている。また、導体層３２３，３２４，３３２も、それぞれ、Ｙ方向に平行な方向において、導体層３２１，３２２，３３１に対向するように配置されている。

第１の中央部分２１Ａと第２の中央部分２２Ａは、積層方向Ｔについて同じ位置に配置されている。本実施の形態では、第１の中央部分２１Ａを構成する導体層３３１と、第２の中央部分２２Ａを構成する導体層３３２は、いずれも誘電体層３３のパターン形成面上に配置されている。また、本実施の形態では、第１の中央部分２１Ａと第２の中央部分２２Ａは、いずれも、Ｘ方向に平行な方向に延在している。Ｙ方向に平行な方向における第１の中央部分２１Ａと第２の中央部分２２Ａの間隔は、Ｘ方向の位置によらずに一定である。第１および第２の中央部分２１Ａ，２２Ａの各々または導体層３３１，３３２の各々は、方向性結合器１の使用周波数帯域内の所定の周波数に対応する波長の１／４に相当する長さを有していてもよい。

ここで、図４に示したように、Ｘ方向に平行且つ第１の中央部分２１Ａと第２の中央部分２２Ａの間を通過するように延びる仮想の直線Ｌ１を想定する。Ｙ方向に平行な方向を第１の方向としたときに、仮想の直線Ｌ１は、積層方向Ｔおよび第１の方向に直交する。

Ｙ方向に平行な方向における第１の接続部分２１Ｂと仮想の直線Ｌ１の間隔と、Ｙ方向に平行な方向における第２の接続部分２１Ｃと仮想の直線Ｌ１の間隔は、第１の中央部分２１Ａに近いほど小さい。また、Ｙ方向に平行な方向における第３の接続部分２２Ｂと仮想の直線Ｌ１の間隔と、Ｙ方向に平行な方向における第４の接続部分２２Ｃと仮想の直線Ｌ１の間隔は、第２の中央部分２２Ａに近いほど小さい。その結果、Ｙ方向に平行な方向における第１の接続部分２１Ｂと第３の接続部分２２Ｂの間隔と、Ｙ方向に平行な方向における第２の接続部分２１Ｃと第４の接続部分２２Ｃの間隔は、第１および第２の中央部分２１Ａ，２２Ａに近いほど小さくなる。

Ｙ方向に平行な方向における第１の接続部分２１Ｂと仮想の直線Ｌ１の間隔と、Ｙ方向に平行な方向における第２の接続部分２１Ｃと仮想の直線Ｌ１の間隔は、徐々に小さくなってもよいし、ステップ状に変化してもよい。本実施の形態では、Ｙ方向に平行な方向における第１の接続部分２１Ｂの一部と仮想の直線Ｌ１の間隔と、Ｙ方向に平行な方向における第２の接続部分２１Ｃの一部と仮想の直線Ｌ１の間隔は、第１の中央部分２１Ａに近づくに従って小さくなる。第１の接続部分２１Ｂの残りの部分と、第２の接続部分２１Ｃの残りの部分は、Ｘ方向に平行な方向に延在している。

同様に、Ｙ方向に平行な方向における第３の接続部分２２Ｂと仮想の直線Ｌ１の間隔と、Ｙ方向に平行な方向における第４の接続部分２２Ｃと仮想の直線Ｌ１の間隔は、徐々に小さくなってもよいし、ステップ状に変化してもよい。本実施の形態では、Ｙ方向に平行な方向における第３の接続部分２２Ｂの一部と仮想の直線Ｌ１の間隔と、Ｙ方向に平行な方向における第４の接続部分２２Ｃの一部と仮想の直線Ｌ１の間隔は、第２の中央部分２２Ａに近づくに従って小さくなる。第３の接続部分２２Ｂの残りの部分と、第４の接続部分２２Ｃの残りの部分は、Ｘ方向に平行な方向に延在している。

図２および図３に示した例では特に、第１の線路２１と第２の線路２２は、仮想の直線Ｌ１を含むＸＺ平面を中心として対称な形状を有している。

第１ないし第４の接続部分２１Ｂ，２１Ｃ，２２Ｂ，２２Ｃの各々の少なくとも一部は、第１および第２の中央部分２１Ａ，２２Ａよりも積層体３０の底面３０Ｂにより近い位置に配置されている。本実施の形態では、第１の接続部分２１Ｂの一部を構成する導体層３２１と、第２の接続部分２１Ｃの一部を構成する導体層３２２と、第３の接続部分２２Ｂの一部を構成する導体層３２３と、第４の接続部分２２Ｃの一部を構成する導体層３２４は、いずれも、第１および第２の中央部分２１Ａ，２２Ａを構成する導体層３３１，３３２が配置された誘電体層３３よりも積層体３０の底面３０Ｂにより近い位置にある誘電体層３２のパターン形成面上に配置されている。

図３および図４に示したように、グランド導体部２３すなわちグランド用導体層３２５は、第１および第２の中央部分２１Ａ，２２Ａよりも積層体３０の底面３０Ｂにより近い位置に配置されている。また、グランド用導体層３２５は、積層方向Ｔから見て第１および第２の中央部分２１Ａ，２２Ａと重なる位置に配置されている。なお、「積層方向Ｔから見て」とは、Ｚ方向または－Ｚ方向から見ることを意味する。図３および図４に示した例では、グランド用導体層３２５は、積層方向Ｔから見て第１ないし第４の接続部分２１Ｂ，２１Ｃ，２２Ｂ，２２Ｃとは重なっていない。

次に、本実施の形態に係る方向性結合器１の作用および効果について説明する。本実施の形態では、第１の線路２１は、第１の中央部分２１Ａ、第１の接続部分２１Ｂおよび第２の接続部分２１Ｃを含み、第２の線路２２は、第２の中央部分２２Ａ、第３の接続部分２２Ｂおよび第４の接続部分２２Ｃを含んでいる。第１および第２の中央部分２１Ａ，２２Ａならびに第１ないし第４の接続部分２１Ｂ，２１Ｃ，２２Ｂ，２２Ｃは、前述の構造上の特徴を有している。本実施の形態では、第１の線路２１と第２の線路２２の間隔は、第１および第２の中央部分２２Ａに近いほど小さくなる。これにより、本実施の形態によれば、広い周波数帯域において結合度の変化を抑制することができる。

ところで、方向性結合器１の特性を表す主要なパラメータとしては、結合度がある。結合度は、入力ポートである第１の端子１１に入力される高周波信号の電力に対する、結合ポートである第３の端子１３から出力される信号の電力の比率である。方向性結合器１は、結合度が使用周波数帯域内において所定の範囲内の値になるように設計される。一般的に、信号の周波数が高くなるほど、容量性結合が強くなる。これにより、結合度が大きくなる。なお、結合度が大きくなるというのは、結合度を－ｃ（ｄＢ）と表したときに、ｃの値が小さくなることである。

第５世代移動通信システムでは、第４世代までの移動通信システムで利用されていた周波数帯域よりも高い周波数帯域、具体的には、２０ＧＨｚ以上の周波数帯域の利用が検討されている。２０ＧＨｚ以上の高い周波数帯域で方向性結合器１を使用することができるようにするためには、結合度が使用周波数帯域内において所定の範囲内の値になるように、容量性結合を低減する必要がある。

これに対し、本実施の形態では、第１の中央部分２１Ａと第２の中央部分２２Ａを、積層方向Ｔについて同じ位置に配置している。これにより、本実施の形態によれば、積層方向Ｔにおいて第１の中央部分２１Ａと第２の中央部分２２Ａを対向させる場合に比べて、第１の中央部分２１Ａと第２の中央部分２２Ａの間の容量性結合を弱めることができる。

また、積層体に複数の端子を設置する方法としては、積層体の側面に複数の端子を設置する方法がある。この場合、方向性結合器の主線路および副線路と端子との間ならびに複数の端子間に浮遊容量が生じる。信号の周波数が高くなるほど、この浮遊容量に起因する容量性結合が強くなる。

これに対し、本実施の形態では、第１ないし第４の端子１１～１４を、積層体３０の底面３０Ｂに配置している。これにより、本実施の形態によれば、積層体の側面に端子を設置する場合に比べて、浮遊容量に起因する容量性結合を弱めることができる。

以上のことから、本実施の形態によれば、方向性結合器１を、高い周波数帯域で使用することが可能になる。

次に、図７ないし図１１を参照して、本実施の形態に係る方向性結合器１の特性の一例について説明する。始めに、方向性結合器１の特性を表すパラメータについて説明する。方向性結合器１の特性を表すパラメータとしては、前述の結合度の他に、アイソレーション、方向性、反射損失および挿入損失がある。

以下、結合度、アイソレーション、方向性、反射損失および挿入損失の定義について説明する。まず、入力ポートである第１の端子１１に電力Ｐ０の高周波信号が入力された場合に、第１の端子１１で反射される信号の電力をＰ１、出力ポートである第２の端子１２から出力される信号の電力をＰ２、結合ポートである第３の端子１３から出力される信号の電力をＰ３、終端ポートである第４の端子１４から出力される信号の電力をＰ４とする。また、第２の端子１２に電力Ｐ０２の高周波信号が入力された場合に、第３の端子１３から出力される信号の電力をＰ０３とする。また、結合度、アイソレーション、方向性、反射損失および挿入損失を、それぞれ記号Ｃ，Ｉ，Ｄ，ＲＬ，ＩＬで表す。これらは、下記の式（１）～（５）で定義される。

Ｃ＝１０ｌｏｇ（Ｐ３／Ｐ０） …（１）
Ｉ＝１０ｌｏｇ（Ｐ０３／Ｐ０２） …（２）
Ｄ＝１０ｌｏｇ（Ｐ４／Ｐ３） …（３）
ＲＬ＝１０ｌｏｇ（Ｐ１／Ｐ０） …（４）
ＩＬ＝１０ｌｏｇ（Ｐ２／Ｐ０） …（５）

図７は、方向性結合器１の結合度の周波数特性を示す特性図である。図７において、横軸は周波数、縦軸は結合度である。図７に示したように、方向性結合器１では、２４．２５～２９．５ＧＨｚの周波数帯域において、周波数の変化に伴う結合度の変化は十分に小さい。また、結合度を－ｃ（ｄＢ）と表すと、ｃの値は、１５以上２１以下であることが好ましい。図７に示したように、方向性結合器１では、２４．２５～２９．５ＧＨｚの周波数帯域において、ｃの値は、１５以上２１以下の範囲内の値となっている。

図８は、方向性結合器１のアイソレーションの周波数特性を示す特性図である。図８において、横軸は周波数、縦軸はアイソレーションである。アイソレーションを－ｉ（ｄＢ）と表すと、ｉの値は、３１以上の値であることが好ましい。図８に示したように、方向性結合器１では、２４．２５～２９．５ＧＨｚの周波数帯域において、ｉの値は、３１以上の値となっている。

図９は、方向性結合器１の方向性の周波数特性を示す特性図である。図９において、横軸は周波数、縦軸は方向性である。方向性の好ましい値については、後で説明する。

図１０は、方向性結合器１の反射損失の周波数特性を示す特性図である。図１０において、横軸は周波数、縦軸は反射損失である。反射損失を－ｒ（ｄＢ）と表すと、ｒの値は、１０以上の値であることが好ましい。図１０に示したように、方向性結合器１では、２４．２５～２９．５ＧＨｚの周波数帯域において、ｒの値は、１０以上の値となっている。

図１１は、方向性結合器１の挿入損失の周波数特性を示す特性図である。図１１において、横軸は周波数、縦軸は挿入損失である。挿入損失を－ｘ（ｄＢ）と表すと、ｘの値は、１．０以下の値であることが好ましい。図１１に示したように、方向性結合器１では、２４．２５～２９．５ＧＨｚの周波数帯域において、ｘの値は、１．０以下の値となっている。

図７ないし図１１に示した特性を有する方向性結合器１は、少なくとも２４．２５～２９．５ＧＨｚの周波数帯域の高い周波数帯域において使用可能である。そこで、この方向性結合器１の使用周波数帯域は、例えば２４．２５～２９．５ＧＨｚとする。

使用周波数帯域が２４．２５～２９．５ＧＨｚである場合、方向性を－ｄ（ｄＢ）と表すと、ｄの値は、２９．５ＧＨｚにおいて１０以上の値であることが好ましい。図９に示したように、方向性結合器１では、ｄの値は、２９．５ＧＨｚにおいて１０以上の値となっている。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。始めに、図１２および図１３を参照して、本実施の形態に係る方向性結合器の構成について説明する。図１２は、本実施の形態に係る方向性結合器の要部を示す斜視図である。図１３は、本実施の形態に係る方向性結合器の要部を示す平面図である。

本実施の形態に係る方向性結合器１は、第１の実施の形態と同様に、第１ないし第４の端子１１～１４、グランド端子１５，１６、第１の線路２１、第２の線路２２およびグランド導体部２３を備えている。また、本実施の形態に係る方向性結合器１は、第１の実施の形態における積層体３０の代わりに、第１ないし第４の端子１１～１４、第１の線路２１、第２の線路２２およびグランド導体部２３を一体化するための積層体４０を備えている。積層体４０は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含んでいる。

積層体４０は、直方体形状をなしている。積層体４０は、第１の実施の形態における積層体３０と同様に、積層体４０の外周部を構成する上面、底面および４つの側面を有している。積層体４０における上面、底面および４つの側面の位置関係は、積層体３０における上面３０Ａ、底面３０Ｂおよび４つの側面３０Ｃ～３０Ｆの位置関係と同様である。図１３は、上面側から見た積層体４０の内部を示している。以下、積層体４０の複数の誘電体層および複数の導体層の積層方向を、記号Ｔで表す。

第１ないし第４の端子１１～１４ならびにグランド端子１５，１６は、積層体４０の底面に配置されている。積層体４０の底面における端子１１～１６の配置は、第１の実施の形態で説明した積層体３０の底面３０Ｂにおける端子１１～１６の配置と同様である。

積層体４０は、更に、第１の線路２１の第１の中央部分２１Ａおよび第２の線路２２の第２の中央部分２２Ａと容量性結合する調整用導体層４６１を含んでいる。図１２および図１３では、調整用導体層４６１を２点鎖線で示している。図１２および図１３に示した例では、調整用導体層４６１は、Ｘ方向に平行な方向に長い形状を有している。また、調整用導体層４６１は、第１および第２の中央部分２１Ａ，２２Ａよりも積層体４０の底面からより遠い位置に配置されていると共に、積層方向Ｔから見て第１および第２の中央部分２１Ａ，２２Ａと重なる位置に配置されている。

本実施の形態によれば、調整用導体層４６１によって、第１の線路２１と第２の線路２２との電磁的結合の強さを調整することができる。これにより、本実施の形態によれば、方向性結合器１の結合度を調整することができる。

なお、調整用導体層４６１は、積層方向Ｔから見て第１および第２の中央部分２１Ａ，２２Ａと重なっていなくてもよいし、第１および第２の中央部分２１Ａ，２２Ａの一方と重なっていてもよい。また、積層方向Ｔにおける調整用導体層４６１の位置は、図１２に示した例に限られず、任意である。

次に、図１４ないし図１６を参照して、本実施の形態における積層体４０について詳しく説明する。本実施の形態における積層体４０は、積層された９層の誘電体層を有している。以下、この９層の誘電体層を、下から順に１層目ないし９層目の誘電体層と呼ぶ。また、１層目ないし９層目の誘電体層を、符号４１～４９で表す。図１４において（ａ）は１層目の誘電体層４１のパターン形成面を示し、（ｂ）は２層目の誘電体層４２のパターン形成面を示している。図１５において（ａ）は３層目の誘電体層４３のパターン形成面を示し、（ｂ）は４層目の誘電体層４４のパターン形成面を示している。図１６において（ａ）は６層目の誘電体層４６のパターン形成面を示し、（ｂ）は９層目の誘電体層４９のパターン形成面を示している。

図１４（ａ）に示したように、１層目の誘電体層４１のパターン形成面には、第１ないし第４の端子１１，１２，１３，１４と、グランド端子１５，１６とが形成されている。また、誘電体層４１には、それぞれ端子１１，１２，１３，１４，１５，１６に接続されたスルーホール４１Ｔ１，４１Ｔ２，４１Ｔ３，４１Ｔ４，４１Ｔ５，４１Ｔ６が形成されている。

図１４（ｂ）に示したように、２層目の誘電体層４２のパターン形成面には、第１の線路２１を構成するために用いられる導体層４２１，４２２と、第２の線路２２を構成するために用いられる導体層４２３，４２４と、グランド導体部２３を構成するために用いられるグランド用導体層４２５とが形成されている。導体層４２１～４２４の各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。導体層４２１の第１端の近傍部分には、１層目の誘電体層４１に形成されたスルーホール４１Ｔ１が接続されている。導体層４２２の第１端の近傍部分には、誘電体層４１に形成されたスルーホール４１Ｔ２が接続されている。導体層４２３の第１端の近傍部分には、誘電体層４１に形成されたスルーホール４１Ｔ３が接続されている。導体層４２４の第１端の近傍部分には、誘電体層４１に形成されたスルーホール４１Ｔ４が接続されている。導体層４２５には、誘電体層４１に形成されたスルーホール４１Ｔ５，４１Ｔ６が接続されている。

また、誘電体層４２には、スルーホール４２Ｔ１，４２Ｔ２，４２Ｔ３，４２Ｔ４が形成されている。スルーホール４２Ｔ１は、導体層４２１の第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール４２Ｔ２は、導体層４２２の第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール４２Ｔ３は、導体層４２３の第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール４２Ｔ４は、導体層４２４の第２端の近傍部分に接続されている。

図１５（ａ）に示したように、３層目の誘電体層４３のパターン形成面には、第１の線路２１を構成するために用いられる導体層４３１，４３２と、第２の線路２２を構成するために用いられる４３３，４３４とが形成されている。導体層４３１～４３４の各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。導体層４３１の第１端の近傍部分には、２層目の誘電体層４２に形成されたスルーホール４２Ｔ１が接続されている。導体層４３２の第１端の近傍部分には、誘電体層４２に形成されたスルーホール４２Ｔ２が接続されている。導体層４３３の第１端の近傍部分には、誘電体層４２に形成されたスルーホール４２Ｔ３が接続されている。導体層４３４の第１端の近傍部分には、誘電体層４２に形成されたスルーホール４２Ｔ４が接続されている。

また、誘電体層４３には、スルーホール４３Ｔ１，４３Ｔ２，４３Ｔ３，４３Ｔ４が形成されている。スルーホール４３Ｔ１は、導体層４３１の第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール４３Ｔ２は、導体層４３２の第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール４３Ｔ３は、導体層４３３の第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール４３Ｔ４は、導体層４３４の第２端の近傍部分に接続されている。

図１５（ｂ）に示したように、４層目の誘電体層４４のパターン形成面には、第１の線路２１を構成するために用いられる導体層４４１と、第２の線路２２を構成するために用いられる４４２とが形成されている。導体層４４１，４４２の各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。導体層４４１の第１端の近傍部分には、３層目の誘電体層４３に形成されたスルーホール４３Ｔ１が接続されている。導体層４４１の第２端の近傍部分には、誘電体層４３に形成されたスルーホール４３Ｔ２が接続されている。導体層４４２の第１端の近傍部分には、誘電体層４３に形成されたスルーホール４３Ｔ３が接続されている。導体層４４２の第２端の近傍部分には、誘電体層４３に形成されたスルーホール４３Ｔ４が接続されている。

図示しないが、５層目の誘電体層４５には、導体層およびスルーホールは形成されていない。

図１６（ａ）に示したように、６層目の誘電体層４６のパターン形成面には、調整用導体層４６１が形成されている。調整用導体層４６１は、他の導体には接続されていない。

図示しないが、７層目および８層目の誘電体層４７，４８には、導体層およびスルーホールは形成されていない。

図１６（ｂ）に示したように、９層目の誘電体層４９のパターン形成面には、マーク４９１が形成されている。

積層体４０は、１層目の誘電体層４１のパターン形成面が積層体４０の底面になるように、１層目ないし９層目の誘電体層４１～４９が積層されて構成される。

以下、本実施の形態に係る方向性結合器１の構成要素と、図１４ないし図１６に示した積層体４０の内部の構成要素との対応関係について説明する。本実施の形態では、第１の線路２１は、導体層４２１，４２２，４３１，４３２，４４１を用いて構成されている。導体層４４１の第１端の近傍部分は、スルーホール４３Ｔ１、導体層４３１、スルーホール４２Ｔ１、導体層４２１およびスルーホール４１Ｔ１を介して第１の端子１１に接続されている。導体層４４１の第２端の近傍部分は、スルーホール４３Ｔ２、導体層４３２、スルーホール４２Ｔ２、導体層４２２およびスルーホール４１Ｔ２を介して第２の端子１２に接続されている。

また、本実施の形態では、第２の線路２２は、導体層４２３，４２４，４３３，４３４，４４２を用いて構成されている。導体層４４２の第１端の近傍部分は、スルーホール４３Ｔ３、導体層４３３、スルーホール４２Ｔ３、導体層４２３およびスルーホール４１Ｔ３を介して第３の端子１３に接続されている。導体層４４２の第２端の近傍部分は、スルーホール４３Ｔ４、導体層４３４、スルーホール４２Ｔ４、導体層４２４およびスルーホール４１Ｔ４を介して第４の端子１４に接続されている。

また、本実施の形態では、グランド導体部２３は、グランド用導体層４２５によって構成されている。導体層４２５は、スルーホール４１Ｔ５を介してグランド端子１５に接続されていると共に、スルーホール４１Ｔ６を介してグランド端子１６に接続されている。

次に、本実施の形態に係る方向性結合器１の構造上の特徴について説明する。本実施の形態では、第１の線路２１と第２の線路２２は、互いに電磁界結合するように、導体層４２１～４２４，４３１～４３４，４４１，４４２を用いて構成されている。

第１の実施の形態で説明したように、第１の線路２１は、第１の中央部分２１Ａ、第１の接続部分２１Ｂおよび第２の接続部分２１Ｃを含んでいる。本実施の形態では、第１の中央部分２１Ａは、導体層４４１の大部分によって構成されている。第１の接続部分２１Ｂは、導体層４４１の他の一部と導体層４２１，４３１によって構成されている。第２の接続部分２１Ｃは、導体層４４１の更に他の一部と導体層４２２，４３２によって構成されている。図１３では、導体層４４１における第１の中央部分２１Ａと第１の接続部分２１Ｂの境界と、導体層４４１における第１の中央部分２１Ａと第２の接続部分２１Ｃの境界を、点線で示している。

また、第１の実施の形態で説明したように、第２の線路２２は、第２の中央部分２２Ａ、第３の接続部分２２Ｂおよび第４の接続部分２２Ｃを含んでいる。本実施の形態では、第２の中央部分２２Ａは、導体層４４２の大部分によって構成されている。第３の接続部分２２Ｂは、導体層４４２の他の一部と導体層４２３，４３３によって構成されている。第４の接続部分２２Ｃは、導体層４４２の更に他の一部と導体層４２４，４３４によって構成されている。図１３では、導体層４４２における第２の中央部分２２Ａと第３の接続部分２２Ｂの境界と、導体層４４２における第２の中央部分２２Ａと第４の接続部分２２Ｃの境界を、点線で示している。

第２の中央部分２２Ａ、第３の接続部分２２Ｂおよび第４の接続部分２２Ｃを構成する導体層４２３，４２４，４３３，４３４，４４２は、それぞれ、Ｙ方向に平行な方向において、第１の中央部分２１Ａ、第１の接続部分２１Ｂおよび第２の接続部分２１Ｃを構成する導体層４２１，４２２，４３１，４３２，４４１に対向するように配置されている。また、第１の中央部分２１Ａを構成する導体層４４１と、第２の中央部分２２Ａを構成する導体層４４２は、いずれも誘電体層４４のパターン形成面上に配置されている。

第１の実施の形態で説明したように、第２の中央部分２２Ａ、第３の接続部分２２Ｂおよび第４の接続部分２２Ｃは、それぞれ、積層方向Ｔに直交する方向であるＹ方向に平行な方向において、第１の中央部分２１Ａ、第１の接続部分２１Ｂおよび第２の接続部分２１Ｃに対向するように配置されている。また、本実施の形態では、導体層４２３，４２４，４３３，４３４，４４２は、それぞれ、Ｙ方向に平行な方向において、導体層４２１，４２２，４３１，４３２，４４１に対向するように配置されている。

図１３には、第１の実施の形態における図４と同様に、仮想の直線Ｌ１を示している。第１ないし第４の接続部分２１Ｂ，２１Ｃ，２２Ｂ，２２Ｃの各々と仮想の直線Ｌ１の関係は、基本的には、第１の実施の形態と同様である。本実施の形態では特に、Ｙ方向に平行な方向における第１の接続部分２１Ｂの大部分と仮想の直線Ｌ１の間隔と、Ｙ方向に平行な方向における第２の接続部分２１Ｃの大部分と仮想の直線Ｌ１の間隔は、第１の中央部分２１Ａに近づくに従って小さくなる。また、Ｙ方向に平行な方向における第３の接続部分２２Ｂの大部分と仮想の直線Ｌ１の間隔と、Ｙ方向に平行な方向における第４の接続部分２２Ｃの大部分と仮想の直線Ｌ１の間隔は、第２の中央部分２２Ａに近づくに従って小さくなる。

第１の実施の形態と同様に、第１ないし第４の接続部分２１Ｂ，２１Ｃ，２２Ｂ，２２Ｃの各々の少なくとも一部は、第１および第２の中央部分２１Ａ，２２Ａよりも積層体４０の底面により近い位置に配置されている。本実施の形態では特に、第１ないし第４の接続部分２１Ｂ，２１Ｃ，２２Ｂ，２２Ｃの各々は、積層方向Ｔにおいて互いに異なる位置に配置された複数の部分を含んでいる。

本実施の形態では、第１の接続部分２１Ｂの一部を構成する導体層４２１と、第２の接続部分２１Ｃの一部を構成する導体層４２２と、第３の接続部分２２Ｂの一部を構成する導体層４２３と、第４の接続部分２２Ｃの一部を構成する導体層４２４は、いずれも、第１および第２の中央部分２１Ａ，２２Ａを構成する導体層４４１，４４２が配置された誘電体層４４よりも積層体４０の底面により近い位置にある誘電体層４２のパターン形成面上に配置されている。また、第１の接続部分２１Ｂの他の一部を構成する導体層４３１と、第２の接続部分２１Ｃの他の一部を構成する導体層４３２と、第３の接続部分２２Ｂの他の一部を構成する導体層４３３と、第４の接続部分２２Ｃの他の一部を構成する導体層４３４は、いずれも、誘電体層４４よりも積層体４０の底面により近い位置にあり、且つ積層方向Ｔにおいて誘電体層４２とは異なる位置にある誘電体層４３のパターン形成面上に配置されている。

グランド導体部２３すなわちグランド用導体層４２５は、第１および第２の中央部分２１Ａ，２２Ａよりも積層体４０の底面により近い位置に配置されている。また、グランド用導体層４２５は、積層方向Ｔから見て第１および第２の中央部分２１Ａ，２２Ａと重なる位置に配置されている。図１２および図１３に示した例では、グランド用導体層４２５は、積層方向Ｔから見て第１ないし第４の接続部分２１Ｂ，２１Ｃ，２２Ｂ，２２Ｃとは重なっていない。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。始めに、図１７ないし図１９を参照して、本実施の形態に係る方向性結合器の構成について説明する。図１７は、本実施の形態に係る方向性結合器の斜視図である。図１８は、本実施の形態に係る方向性結合器の要部を示す斜視図である。図１９は、本実施の形態に係る方向性結合器の要部を示す平面図である。

本実施の形態に係る方向性結合器１は、第１の実施の形態と同様に、第１ないし第４の端子１１～１４、第１の線路２１、第２の線路２２およびグランド導体部２３を備えている。また、本実施の形態に係る方向性結合器１は、第１の実施の形態における積層体３０の代わりに、第１ないし第４の端子１１～１４、第１の線路２１、第２の線路２２およびグランド導体部２３を一体化するための積層体５０を備えている。積層体５０は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含んでいる。

積層体５０は、直方体形状をなしている。積層体５０は、第１の実施の形態における積層体３０と同様に、積層体５０の外周部を構成する上面５０Ａ、底面５０Ｂおよび４つの側面５０Ｃ，５０Ｄ，５０Ｅ，５０Ｆを有している。積層体５０における上面５０Ａ、底面５０Ｂおよび４つの側面５０Ｃ～５０Ｆの位置関係は、積層体３０における上面３０Ａ、底面３０Ｂおよび４つの側面３０Ｃ～３０Ｆの位置関係と同様である。図１９は、上面５０Ａ側から見た積層体５０の内部を示している。以下、積層体５０の複数の誘電体層および複数の導体層の積層方向を、記号Ｔで表す。

第１ないし第４の端子１１～１４は、積層体５０の底面５０Ｂに配置されている。積層体５０の底面５０Ｂにおける第１ないし第４の端子１１～１４の配置は、第１の実施の形態で説明した積層体３０の底面３０Ｂにおける第１ないし第４の端子１１～１４の配置と同様である。また、本実施の形態に係る方向性結合器１は、第１の実施の形態におけるグランド端子１５，１６の代わりに、積層体５０の底面５０Ｂに配置されたグランド端子１７を備えている。グランド端子１７は、グランドに接続される。グランド端子１７は、Ｙ方向に長い形状を有し、第１の端子１１と第２の端子１２の間ならびに第３の端子１３と第４の端子１４の間に配置されている。本実施の形態では、グランド導体部２３は、グランド端子１７によって構成されている。

次に、図２０および図２１を参照して、本実施の形態における積層体５０について詳しく説明する。本実施の形態における積層体５０は、積層された８層の誘電体層を有している。以下、この８層の誘電体層を、下から順に１層目ないし８層目の誘電体層と呼ぶ。また、１層目ないし８層目の誘電体層を、符号５１～５８で表す。図２０において（ａ）は１層目の誘電体層５１のパターン形成面を示し、（ｂ）は２層目の誘電体層５２のパターン形成面を示している。図２１は、８層目の誘電体層５８のパターン形成面を示している。

図２０（ａ）に示したように、１層目の誘電体層５１のパターン形成面には、第１ないし第４の端子１１，１２，１３，１４と、グランド端子１７とが形成されている。また、誘電体層５１には、それぞれ端子１１，１２，１３，１４に接続されたスルーホール５１Ｔ１，５１Ｔ２，５１Ｔ３，５１Ｔ４が形成されている。

図２０（ｂ）に示したように、２層目の誘電体層５２のパターン形成面には、第１の線路２１を構成するために用いられる導体層５２１と、第２の線路２２を構成するために用いられる導体層５２２とが形成されている。導体層５２１，５２２の各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。導体層５２１の第１端の近傍部分には、１層目の誘電体層５１に形成されたスルーホール５１Ｔ１が接続されている。導体層５２１の第２端の近傍部分には、誘電体層５１に形成されたスルーホール５１Ｔ２が接続されている。導体層５２２の第１端の近傍部分には、誘電体層５１に形成されたスルーホール５１Ｔ３が接続されている。導体層５２２の第２端の近傍部分には、誘電体層５１に形成されたスルーホール５１Ｔ４が接続されている。

図示しないが、３層目ないし７層目の誘電体層５３，５４，５５，５６，５７には、導体層およびスルーホールは形成されていない。

図２１に示したように、８層目の誘電体層５８のパターン形成面には、マーク５８１が形成されている。

本実施の形態における積層体５０は、１層目の誘電体層５１のパターン形成面が積層体５０の底面５０Ｂになるように、１層目ないし８層目の誘電体層５１～５８が積層されて構成される。

以下、本実施の形態に係る方向性結合器１の構成要素と、図２０に示した積層体５０の構成要素との対応関係について説明する。本実施の形態では、第１の線路２１は、導体層５２１を用いて構成されている。導体層５２１の第１端の近傍部分は、スルーホール５１Ｔ１を介して第１の端子１１に接続されている。導体層５２１の第２端の近傍部分は、スルーホール５１Ｔ２を介して第２の端子１２に接続されている。

また、本実施の形態では、第２の線路２２は、導体層５２２を用いて構成されている。導体層５２２の第１端の近傍部分は、スルーホール５１Ｔ３を介して第３の端子１３に接続されている。導体層５２２の第２端の近傍部分は、スルーホール５１Ｔ４を介して第４の端子１４に接続されている。

グランド導体部２３は、グランド端子１７によって構成されている。

次に、本実施の形態に係る方向性結合器１の構造上の特徴について説明する。本実施の形態では、第１の線路２１と第２の線路２２は、互いに電磁界結合するように、導体層５２１，５２２を用いて構成されている。

第１の実施の形態で説明したように、第１の線路２１は、第１の中央部分２１Ａ、第１の接続部分２１Ｂおよび第２の接続部分２１Ｃを含んでいる。本実施の形態では、第１の中央部分２１Ａは、導体層５２１の一部によって構成されている。第１の接続部分２１Ｂは、導体層５２１の他の一部によって構成されている。第２の接続部分２１Ｃは、導体層５２１の更に他の一部によって構成されている。図１９では、導体層５２１における第１の中央部分２１Ａと第１の接続部分２１Ｂの境界と、導体層５２１における第１の中央部分２１Ａと第２の接続部分２１Ｃの境界を、点線で示している。

また、第１の実施の形態で説明したように、第２の線路２２は、第２の中央部分２２Ａ、第３の接続部分２２Ｂおよび第４の接続部分２２Ｃを含んでいる。本実施の形態では、第２の中央部分２２Ａは、導体層５２２の一部によって構成されている。第３の接続部分２２Ｂは、導体層５２２の他の一部によって構成されている。第４の接続部分２２Ｃは、導体層５２２の更に他の一部によって構成されている。図１９では、導体層５２２における第２の中央部分２２Ａと第３の接続部分２２Ｂの境界と、導体層５２２における第２の中央部分２２Ａと第４の接続部分２２Ｃの境界を、点線で示している。

第２の線路２２を構成する導体層５２２は、Ｙ方向に平行な方向において、第１の線路２１を構成する導体層５２１に対向するように配置されている。また、導体層５２１，５２２は、いずれも誘電体層５２のパターン形成面上に配置されている。

図１９には、第１の実施の形態における図４と同様に、仮想の直線Ｌ１を示している。第１ないし第４の接続部分２１Ｂ，２１Ｃ，２２Ｂ，２２Ｃの各々と仮想の直線Ｌ１の関係は、基本的には、第１の実施の形態と同様である。本実施の形態では特に、Ｙ方向に平行な方向における第１の接続部分２１Ｂの全体と仮想の直線Ｌ１の間隔と、Ｙ方向に平行な方向における第２の接続部分２１Ｃの全体と仮想の直線Ｌ１の間隔は、第１の中央部分２１Ａに近づくに従って小さくなる。また、Ｙ方向に平行な方向における第３の接続部分２２Ｂの全体と仮想の直線Ｌ１の間隔と、Ｙ方向に平行な方向における第４の接続部分２２Ｃの全体と仮想の直線Ｌ１の間隔は、第２の中央部分２２Ａに近づくに従って小さくなる。

本実施の形態では、第１ないし第４の接続部分２１Ｂ，２１Ｃ，２２Ｂ，２２Ｃは、積層方向Ｔについて第１および第２の中央部分２１Ａ，２２Ａと同じ位置に配置されている。

第１の実施の形態で説明したように、グランド導体部２３は、第１および第２の中央部分２１Ａ，２２Ａよりも積層体５０の底面５０Ｂにより近い位置に配置されている。本実施の形態では特に、グランド導体部２３は、積層体５０の底面５０Ｂに配置されたグランド端子１７によって構成されている。また、グランド端子１７は、積層方向Ｔから見て第１および第２の中央部分２１Ａ，２２Ａと重なる位置に配置されている。図１８および図１９に示した例では、グランド端子１７は、積層方向Ｔから見て第１ないし第４の接続部分２１Ｂ，２１Ｃ，２２Ｂ，２２Ｃとは重なっていない。

なお、第２の実施の形態と同様に、積層体５０を構成する複数の導体層は、第１および第２の中央部分２１Ａ，２２Ａと容量性結合する調整用導体層を含んでいてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１または第２の実施の形態と同様である。

［シミュレーション］
次に、グランド導体部２３の位置と方向性との関係について調べたシミュレーションの結果について説明する。このシミュレーションでは、方向性結合器の第１ないし第４のモデルを用いた。シミュレーションにおける方向性結合器は、第１の実施の形態で説明した第１ないし第４の端子１１～１４、第１の線路２１、第２の線路２２およびグランド導体部２３と、第１ないし第４の端子１１～１４、第１の線路２１、第２の線路２２およびグランド導体部２３を一体化するための積層体とを備えている。積層体は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含んでいる。以下、複数の誘電体層および複数の導体層の積層方向を、記号Ｔで表す。

第１のモデルは、第３の実施の形態に係る方向性結合器１と同様に、グランド導体部２３が積層体の底面に配置されたグランド端子によって構成された方向性結合器のモデルである。第１のモデルでは、積層方向Ｔにおける積層体の底面とグランド導体部２３との間隔は０μｍである。

第２ないし第４のモデルは、第１および第２の実施の形態に係る方向性結合器１と同様に、グランド導体部２３が積層体の内部に配置されたグランド用導体層によって構成された方向性結合器のモデルである。第２のモデルは、２層目の誘電体層のパターン形成面にグランド用導体層を形成し、３層目の誘電体層のパターン形成面に第１の線路２１の第１の中央部分２１Ａと第２の線路２２の第２の中央部分２２Ａを形成したモデルである。第２のモデルでは、積層方向Ｔにおける積層体の底面とグランド導体部２３との間隔は４０μｍである。

第３のモデルは、３層目の誘電体層のパターン形成面にグランド用導体層を形成し、４層目の誘電体層のパターン形成面に第１の線路２１の第１の中央部分２１Ａと第２の線路２２の第２の中央部分２２Ａを形成したモデルである。第３のモデルでは、積層方向Ｔにおける積層体の底面とグランド導体部２３との間隔は８０μｍである。

第４のモデルは、４層目の誘電体層のパターン形成面にグランド用導体層を形成し、５層目の誘電体層のパターン形成面に第１の線路２１の第１の中央部分２１Ａと第２の線路２２の第２の中央部分２２Ａを形成したモデルである。第４のモデルでは、積層方向Ｔにおける積層体の底面とグランド導体部２３との間隔は１２０μｍである。

シミュレーションでは、第１ないし第４のモデルの各々の使用周波数帯域が、２４．２５～２９．５ＧＨｚとなるように設計した。

図２２は、第１ないし第４のモデルの各々の方向性の周波数特性を示す特性図である。図２２において、横軸は周波数、縦軸は方向性である。図２２において、符号７１は第１のモデルの方向性を示し、符号７２は第２のモデルの方向性を示し、符号７３は第３のモデルの方向性を示し、符号７４は第４のモデルの方向性を示している。

第１の実施の形態で説明したように、使用周波数帯域が２４．２５～２９．５ＧＨｚである場合、方向性を－ｄ（ｄＢ）と表すと、ｄの値は、２９．５ＧＨｚにおいて１０以上の値であることが好ましい。図２３は、第１ないし第４のモデルの各々の２９．５ＧＨｚにおける方向性を示す特性図である。図２３において横軸は積層方向Ｔにおける積層体の底面とグランド導体部２３との間隔を示し、縦軸は方向性を示している。図２３から、積層方向Ｔにおける積層体の底面とグランド導体部２３との間隔は、０μｍ以上１００μｍ以下の範囲内であることが好ましい。

なお、誘電体層の厚みの下限値は、１０μｍである。従って、図２３から、積層方向Ｔにおける積層体の底面とグランド導体部２３との間隔は、０μｍか、あるいは１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲内としてもよい。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。請求の範囲の要件を満たす限り、第１および第２の線路２１，２２の形状および配置は、各実施の形態に示した例に限られず、任意である。例えば、第１の線路２１と第２の線路２２は、対称な形状を有していなくてもよい。具体的には、第１の線路２１と第２の線路２２の一方は、その全体がＸ方向に平行な方向に延在する導体層によって構成されていてもよい。あるいは、第１の線路２１と第２の線路２２の一方の中央部分は、積層方向Ｔから見た概略の形状が凸形状であり、他方の中央部分は、積層方向Ｔから見た概略の形状が凹形状であってもよい。

また、第１および第２の線路２１，２２の少なくとも一方は、積層方向Ｔから見た概略の形状がアーチ状の曲線形状であってもよい。この場合、第１の線路２１または第２の線路２２の中央部分は、積層方向Ｔから見た全体形状が曲線形状であってもよい。あるいは、中央部分は、積層方向Ｔから見た形状が曲線形状の部分と直線形状の部分とを含んでいてもよい。

１…方向性結合器、１１…第１の端子、１２…第２の端子、１３…第３の端子、１４…第４の端子、１５，１６…グランド端子、２１…第１の線路、２１Ａ…第１の中央部分、２１Ｂ…第１の接続部分、２１Ｃ…第２の接続部分、２２…第２の線路、２２Ａ…第２の中央部分、２２Ｂ…第３の接続部分、２２Ｃ…第４の接続部分、２３…グランド導体部、３０…積層体、３０Ａ…上面、３０Ｂ…底面、３０Ｃ～３０Ｆ…側面、３１～３８…誘電体層、３２１～３２４，３３１，３３２…導体層、３２５…グランド用導体層。

Claims (13)

1. 第１の端子と、
   第２の端子と、
   第３の端子と、
   第４の端子と、
   前記第１の端子と前記第２の端子を接続する第１の線路と、
   前記第３の端子と前記第４の端子を接続する第２の線路と、
   グランドに接続されるグランド導体部と、
   前記第１ないし第４の端子、前記第１および第２の線路ならびに前記グランド導体部を一体化するための積層体とを備え、
   前記積層体は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含むと共に、前記複数の誘電体層および前記複数の導体層の積層方向の両端に位置する上面と底面を有し、
   前記第１の線路と前記第２の線路は、互いに電磁界結合するように、前記複数の導体層を用いて構成され、
   前記第１の線路は、前記第１の線路における長手方向の中央を含む第１の中央部分と、前記第１の中央部分と前記第１の端子とを接続する第１の接続部分と、前記第１の中央部分と前記第２の端子とを接続する第２の接続部分とを含み、
   前記第２の線路は、前記第２の線路における長手方向の中央を含む第２の中央部分と、前記第２の中央部分と前記第３の端子とを接続する第３の接続部分と、前記第２の中央部分と前記第４の端子とを接続する第４の接続部分とを含み、
   前記第２の中央部分、前記第３の接続部分および前記第４の接続部分は、それぞれ、前記積層方向に直交する第１の方向において、前記第１の中央部分、前記第１の接続部分および前記第２の接続部分に対向するように配置され、
   前記第１の中央部分と前記第２の中央部分は、前記積層方向について同じ位置に配置され、
   前記第１の方向における前記第１の接続部分と前記第３の接続部分の間隔と、前記第１の方向における前記第２の接続部分と前記第４の接続部分の間隔は、前記第１および第２の中央部分に近いほど小さく、
   前記第１および第２の接続部分の各々は、前記第１の線路の延在方向に直交する方向において前記第１の中央部分よりも幅が大きく且つ前記第１の線路の延在方向に長い形状を有する第１の幅広部を含み、
   前記第３および第４の接続部分の各々は、前記第２の線路の延在方向に直交する方向において前記第２の中央部分よりも幅が大きく且つ前記第２の線路の延在方向に長い形状を有する第２の幅広部を含み、
   前記グランド導体部は、前記第１および第２の中央部分よりも前記積層体の前記底面により近い位置であって、前記積層方向から見て前記第１および第２の中央部分と重なる位置に配置され、
   前記第１ないし第４の端子は、前記積層体の前記底面に配置されていることを特徴とする方向性結合器。
2. 前記積層方向および前記第１の方向に直交し且つ前記第１の中央部分と前記第２の中央部分の間を通過するように延びる仮想の直線を想定したとき、前記第１の方向における前記第１の接続部分と前記仮想の直線の間隔と、前記第１の方向における前記第２の接続部分と前記仮想の直線の間隔は、前記第１の中央部分に近いほど小さいことを特徴とする請求項１記載の方向性結合器。
3. 前記第１の方向における前記第３の接続部分と前記仮想の直線の間隔と、前記第１の方向における前記第４の接続部分と前記仮想の直線の間隔は、前記第２の中央部分に近いほど小さいことを特徴とする請求項２記載の方向性結合器。
4. 前記積層体は、更に、前記積層体の内部に配置されたグランド用導体層を含み、
   前記グランド導体部は、前記グランド用導体層によって構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の方向性結合器。
5. 前記第１ないし第４の接続部分の各々の少なくとも一部は、前記第１および第２の中央部分よりも前記積層体の前記底面により近い位置に配置されていることを特徴とする請求項４記載の方向性結合器。
6. 前記第１ないし第４の接続部分の各々は、前記積層方向において互いに異なる位置に配置された複数の部分を含むことを特徴とする請求項５記載の方向性結合器。
7. 更に、前記積層体の前記底面に配置されたグランド端子を備え、
   前記グランド導体部は、前記グランド端子によって構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の方向性結合器。
8. 前記第１ないし第４の接続部分は、前記積層方向について前記第１および第２の中央部分と同じ位置に配置されていることを特徴とする請求項７記載の方向性結合器。
9. 前記積層方向における前記積層体の前記底面と前記グランド導体部との間隔は、０～１００μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の方向性結合器。
10. 前記積層体は、更に、前記第１および第２の中央部分と容量性結合する調整用導体層を含むことを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の方向性結合器。
11. 第１の端子と、
    第２の端子と、
    第３の端子と、
    第４の端子と、
    前記第１の端子と前記第２の端子を接続する第１の線路と、
    前記第３の端子と前記第４の端子を接続する第２の線路と、
    グランドに接続されるグランド導体部と、
    前記第１ないし第４の端子、前記第１および第２の線路ならびに前記グランド導体部を一体化するための積層体とを備え、
    前記積層体は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含むと共に、前記複数の誘電体層および前記複数の導体層の積層方向の両端に位置する上面と底面を有し、
    前記第１の線路と前記第２の線路は、互いに電磁界結合するように、前記複数の導体層を用いて構成され、
    前記第１の線路は、前記第１の線路における長手方向の中央を含む第１の中央部分と、前記第１の中央部分と前記第１の端子とを接続する第１の接続部分と、前記第１の中央部分と前記第２の端子とを接続する第２の接続部分とを含み、
    前記第２の線路は、前記第２の線路における長手方向の中央を含む第２の中央部分と、前記第２の中央部分と前記第３の端子とを接続する第３の接続部分と、前記第２の中央部分と前記第４の端子とを接続する第４の接続部分とを含み、
    前記第２の中央部分、前記第３の接続部分および前記第４の接続部分は、それぞれ、前記積層方向に直交する第１の方向において、前記第１の中央部分、前記第１の接続部分および前記第２の接続部分に対向するように配置され、
    前記第１の中央部分と前記第２の中央部分は、前記積層方向について同じ位置に配置され、
    前記第１の方向における前記第１の接続部分と前記第３の接続部分の間隔と、前記第１の方向における前記第２の接続部分と前記第４の接続部分の間隔は、前記第１および第２の中央部分に近いほど小さく、
    前記グランド導体部は、前記第１および第２の中央部分よりも前記積層体の前記底面により近い位置であって、前記積層方向から見て前記第１および第２の中央部分と重なる位置に配置され、
    前記第１ないし第４の端子は、前記積層体の前記底面に配置され、
    前記積層体は、更に、前記積層体の内部に配置されたグランド用導体層を含み、
    前記グランド導体部は、前記グランド用導体層によって構成され、
    前記第１ないし第４の接続部分の各々の少なくとも一部は、前記第１および第２の中央部分よりも前記積層体の前記底面により近い位置に配置され、
    前記第１ないし第４の接続部分の各々は、前記積層方向において互いに異なる位置に配置された複数の部分を含むことを特徴とする方向性結合器。
12. 第１の端子と、
    第２の端子と、
    第３の端子と、
    第４の端子と、
    前記第１の端子と前記第２の端子を接続する第１の線路と、
    前記第３の端子と前記第４の端子を接続する第２の線路と、
    グランドに接続されるグランド導体部と、
    前記第１ないし第４の端子、前記第１および第２の線路ならびに前記グランド導体部を一体化するための積層体とを備え、
    前記積層体は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含むと共に、前記複数の誘電体層および前記複数の導体層の積層方向の両端に位置する上面と底面を有し、
    前記第１の線路と前記第２の線路は、互いに電磁界結合するように、前記複数の導体層を用いて構成され、
    前記第１の線路は、前記第１の線路における長手方向の中央を含む第１の中央部分と、前記第１の中央部分と前記第１の端子とを接続する第１の接続部分と、前記第１の中央部分と前記第２の端子とを接続する第２の接続部分とを含み、
    前記第２の線路は、前記第２の線路における長手方向の中央を含む第２の中央部分と、前記第２の中央部分と前記第３の端子とを接続する第３の接続部分と、前記第２の中央部分と前記第４の端子とを接続する第４の接続部分とを含み、
    前記第２の中央部分、前記第３の接続部分および前記第４の接続部分は、それぞれ、前記積層方向に直交する第１の方向において、前記第１の中央部分、前記第１の接続部分および前記第２の接続部分に対向するように配置され、
    前記第１の中央部分と前記第２の中央部分は、前記積層方向について同じ位置に配置され、
    前記第１の方向における前記第１の接続部分と前記第３の接続部分の間隔と、前記第１の方向における前記第２の接続部分と前記第４の接続部分の間隔は、前記第１および第２の中央部分に近いほど小さく、
    前記グランド導体部は、前記第１および第２の中央部分よりも前記積層体の前記底面により近い位置であって、前記積層方向から見て前記第１および第２の中央部分と重なる位置に配置され、
    前記第１ないし第４の端子は、前記積層体の前記底面に配置され、
    前記積層方向における前記積層体の前記底面と前記グランド導体部との間隔は、０～１００μｍの範囲内であることを特徴とする方向性結合器。
13. 第１の端子と、
    第２の端子と、
    第３の端子と、
    第４の端子と、
    前記第１の端子と前記第２の端子を接続する第１の線路と、
    前記第３の端子と前記第４の端子を接続する第２の線路と、
    グランドに接続されるグランド導体部と、
    前記第１ないし第４の端子、前記第１および第２の線路ならびに前記グランド導体部を一体化するための積層体とを備え、
    前記積層体は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含むと共に、前記複数の誘電体層および前記複数の導体層の積層方向の両端に位置する上面と底面を有し、
    前記第１の線路と前記第２の線路は、互いに電磁界結合するように、前記複数の導体層を用いて構成され、
    前記第１の線路は、前記第１の線路における長手方向の中央を含む第１の中央部分と、前記第１の中央部分と前記第１の端子とを接続する第１の接続部分と、前記第１の中央部分と前記第２の端子とを接続する第２の接続部分とを含み、
    前記第２の線路は、前記第２の線路における長手方向の中央を含む第２の中央部分と、前記第２の中央部分と前記第３の端子とを接続する第３の接続部分と、前記第２の中央部分と前記第４の端子とを接続する第４の接続部分とを含み、
    前記第２の中央部分、前記第３の接続部分および前記第４の接続部分は、それぞれ、前記積層方向に直交する第１の方向において、前記第１の中央部分、前記第１の接続部分および前記第２の接続部分に対向するように配置され、
    前記第１の中央部分と前記第２の中央部分は、前記積層方向について同じ位置に配置され、
    前記第１の方向における前記第１の接続部分と前記第３の接続部分の間隔と、前記第１の方向における前記第２の接続部分と前記第４の接続部分の間隔は、前記第１および第２の中央部分に近いほど小さく、
    前記グランド導体部は、前記第１および第２の中央部分よりも前記積層体の前記底面により近い位置であって、前記積層方向から見て前記第１および第２の中央部分と重なる位置に配置され、
    前記第１ないし第４の端子は、前記積層体の前記底面に配置され、
    前記積層体は、更に、前記第１および第２の中央部分と容量性結合する調整用導体層を含むことを特徴とする方向性結合器。

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