JP7002645B2 - パワー半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 - Google Patents
パワー半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7002645B2 JP7002645B2 JP2020518227A JP2020518227A JP7002645B2 JP 7002645 B2 JP7002645 B2 JP 7002645B2 JP 2020518227 A JP2020518227 A JP 2020518227A JP 2020518227 A JP2020518227 A JP 2020518227A JP 7002645 B2 JP7002645 B2 JP 7002645B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die pad
- lead
- end portion
- mold
- sealing material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49568—Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4825—Connection or disconnection of other leads to or from flat leads, e.g. wires, bumps, other flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
- H01L23/49513—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad having bonding material between chip and die pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49517—Additional leads
- H01L23/4952—Additional leads the additional leads being a bump or a wire
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
- H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02P—CONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
- H02P27/00—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of supply voltage
- H02P27/04—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of supply voltage using variable-frequency supply voltage, e.g. inverter or converter supply voltage
- H02P27/06—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of supply voltage using variable-frequency supply voltage, e.g. inverter or converter supply voltage using dc to ac converters or inverters
- H02P27/08—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of supply voltage using variable-frequency supply voltage, e.g. inverter or converter supply voltage using dc to ac converters or inverters with pulse width modulation
Description
実施の形態1に係るパワー半導体装置について説明する。図1および図2に示すように、パワー半導体装置55では、リードフレーム50として、パワーリード端子1a、パワーリード12、大ダイパッド2、小ダイパッド3、リード段差部7(7a、7b)、突き出しリード15(15a、15b、15c、15d)、ICリード端子1bおよびICリード13を備えている。
ここでは、パワー半導体装置の製造方法の他の例について説明する。まず、前述した、図5および図6に示す工程と同様の工程を経た後、図18に示すように、モールド金型60内に、パワー半導体素子5a等が搭載されたリードフレーム50が設置される。次に、下金型8と上金型9とが型閉めされた後、上金型9に設けられた可動ピン31が下に向かって下降する。可動ピン31として、4つの可動ピン31a、31b、31c、31dが設けられている。可動ピン31aは、第1ピン部材に対応し、可動ピン31bは第2ピン部材に対応する。可動ピン31aは、大ダイパッド2の第2端部17bbの直上に間隔を開けて長さL3だけ下降する。可動ピン31bは、小ダイパッド3の第4端部17ddの直上に間隔を隔てて長さL3分だけ下降する。可動ピン31c、31dについても、同様に、長さL3分だけ下降する。
図22に、実施の形態3に係るパワー半導体装置55の断面構造を示す。また、図23に、パワー半導体装置55における大ダイパッド2および小ダイパッド3の部分の構造を拡大して示す。大ダイパッド2の先端17bが位置する端部に、テーパー部61aが設けられている。小ダイパッド3の先端17cが位置する端部に、テーパー部61bが設けられている。小ダイパッド3の先端17dが位置する端部に、テーパー部61cが設けられている。
ここでは、上述した実施の形態1または実施の形態2において説明したパワー半導体装置を適用した電力変換装置について説明する。本発明は特定の電力変換装置に限定されるものではないが、以下、実施の形態3として、三相のインバータに本発明を適用した場合について説明する。
Claims (18)
- リード端子と、
第1ダイパッドと、
前記第1ダイパッドに搭載された第1半導体素子と、
前記第1ダイパッドに接続され、前記リード端子に繋がる第1吊りリードと、
前記リード端子の一部を露出する態様で、前記第1ダイパッド、前記第1半導体素子および前記第1吊りリードを封止する封止材と
を有し、
前記第1ダイパッドでは、第1方向に第1距離を隔てて第1端部および第2端部が位置し、
前記第1吊りリードは、前記第1ダイパッドにおける前記第1端部と前記第2端部との間の中央よりも前記第1端部の側において、前記第1方向と交差する第2方向から前記第1ダイパッドに接続され、
前記第1ダイパッドは、前記リード端子が位置する、前記第1方向および前記第2方向と交差する第3方向の第1位置に対して、前記第1ダイパッドにおける前記第1半導体素子が搭載されている側とは反対側を覆う前記封止材の第1主面が位置している側に配置され、
前記第1ダイパッドは、前記第1ダイパッドにおける前記第1半導体素子が搭載されている側とは反対側の部分から前記第1主面までの前記封止材の厚さが、前記第1ダイパッドにおける前記第1端部の側から前記第2端部の側に向かって厚くなる態様で、傾けられ、
第2ダイパッドと、
前記第2ダイパッドに搭載された第2半導体素子と、
前記第2ダイパッドに接続され、前記リード端子に繋がる第2吊りリードと
を有し、
前記第2ダイパッドでは、前記第1方向に第2距離を隔てて第3端部および第4端部が位置し、
前記第2吊りリードは、前記第2ダイパッドにおける前記第3端部と前記第4端部との間の中央よりも前記第3端部の側において、前記第2方向から前記第2ダイパッドに接続され、
前記第2ダイパッドは、前記リード端子が位置する前記第3方向の前記第1位置に対して、前記第2ダイパッドにおける前記第2半導体素子が搭載されている側とは反対側を覆う前記封止材の前記第1主面が位置している側に配置され、
前記第2ダイパッドは、前記第2ダイパッドにおける前記第2半導体素子が搭載されている側とは反対側の部分から前記第1主面までの前記封止材の厚さが、前記第2ダイパッドにおける前記第3端部の側から前記第4端部の側に向かって厚くなる態様で、傾けられ、
前記第1ダイパッドは、前記第1方向に第1幅を有し、
前記第2ダイパッドは、前記第1方向に、前記第1幅よりも短い第2幅を有し、
前記封止材は、前記第1方向に前記第1距離よりも長い第3距離を隔てて互いに対向する第1側部および第2側部を含み、
前記第1ダイパッドは、前記第1側部の側に配置され、
前記第2ダイパッドは、前記第1ダイパッドに対して、前記第2側部の側に配置された、パワー半導体装置。 - 前記リード端子が位置する前記第1位置において、前記リード端子から前記第2方向に突き出した第1突き出しリードを備え、
前記第1突き出しリードは、前記第1吊りリードに対して、前記第1ダイパッドの前記第1端部の側に配置された、請求項1記載のパワー半導体装置。 - 前記第1ダイパッドは、前記第1ダイパッドにおける前記第1半導体素子が搭載されている側とは反対側の部分から前記封止材の前記第1主面までの前記封止材の厚さが、前記第1ダイパッドが前記第1吊りリードに接続されている側から前記第2方向に離れる側に向かって厚くなる態様で、傾けられた、請求項1記載のパワー半導体装置。
- 前記第2ダイパッドは、前記第1方向に延在する第1方向成分と、前記第2方向に延在する第2方向成分とを有する態様で屈曲した屈曲部を含み、
前記屈曲部が、前記第2吊りリードに接続されている、請求項1記載のパワー半導体装置。 - 前記リード端子が位置する前記第1位置において、前記リード端子から前記第2方向に突き出した第2突き出しリードを備え、
前記第2突き出しリードは、前記第2吊りリードに対して、前記第2ダイパッドの前記第3端部の側に配置された、請求項1記載のパワー半導体装置。 - 前記第2ダイパッドは、前記第2ダイパッドにおける前記第2半導体素子が搭載されている側とは反対側の部分から前記封止材の前記第1主面までの前記封止材の厚さが、前記第2ダイパッドが前記第2吊りリードに接続されている側から前記第2方向に離れる側に向かって厚くなる態様で、傾けられた、請求項1記載のパワー半導体装置。
- 第3ダイパッドと、
前記第3ダイパッドに搭載された第3半導体素子と
を備え、
前記封止材は、
前記第2方向に第4距離を隔てて互いに対向する第3側部および第4側部と、
前記第1主面と対向する第2主面と
を含み、
前記第1ダイパッドは、前記第3側部に沿って配置され、
前記第3ダイパッドは、前記第4側部に沿って配置され、
前記第3ダイパッドは、前記第1ダイパッドに対して、前記第2主面の側に配置された、請求項1記載のパワー半導体装置。 - 前記第1ダイパッドおよび前記第2ダイパッドにおける互いに対向する端部に、テーパー部が設けられた、請求項1記載のパワー半導体装置。
- 前記第1ダイパッドおよび前記第2ダイパッドにおける互いに対向する端部に、湾曲部が設けられた、請求項1記載のパワー半導体装置。
- 前記封止材における前記第1側部には、ゲート痕が残り、
前記ゲート痕は、前記第1側部における、前記第1位置よりも前記第1主面の側に位置するとともに、前記第1吊りリードと前記第1方向に対向する位置に存在する、請求項1~9のいずれか1項に記載のパワー半導体装置。 - リードフレームを形成する工程と、
前記リードフレームに第1半導体素子を搭載する工程と、
前記リードフレームを、前記第1半導体素子が搭載されている側を上に向けた状態で、下金型、上金型および封止材注入口を有するモールド金型内に配置する工程と、
前記封止材注入口から前記モールド金型内に封止材を注入する工程と、
前記モールド金型を取り外す工程と
を備え、
前記リードフレームを形成する工程は、
リード端子と、
第1方向に第1距離を隔てて第1端部と第2端部とが位置し、前記第1半導体素子が搭載される第1ダイパッドと、
前記第1ダイパッドにおける前記第1端部と前記第2端部との間の中央よりも前記第1端部の側において、前記第1方向と交差する第2方向から前記第1ダイパッドに接続され、前記リード端子に繋がる第1吊りリードと
を形成する工程と、
前記第1吊りリードに曲げ加工を行うことにより、前記第1ダイパッドを、前記リード端子が位置する、前記第1方向と前記第2方向とに交差する第3方向の第1位置よりも低い位置に配置する工程と
を含み、
前記リードフレームを前記モールド金型内に配置する工程では、前記封止材注入口は、前記第1位置の下側において、前記第1方向から前記第1吊りリードに向かって前記封止材を注入する位置に配置され、
前記モールド金型内に前記封止材を注入する工程では、
前記封止材注入口から前記モールド金型内に注入される前記封止材は、前記第1ダイパッドと前記下金型との間に充填される封止材第1部と、前記第1ダイパッドと前記上金型との間に充填される封止材第2部とを含み、
前記封止材第1部と前記封止材第2部とが充填される際に、前記封止材第1部によって、前記第1吊りリードが接続されている前記第1ダイパッドの前記第1端部の側に対して、前記第1ダイパッドの前記第2端部の側が押し上げられて、前記第2端部の側が前記第1端部の側に対して上を向くように、前記第1ダイパッドが傾けられる、パワー半導体装置の製造方法。 - 前記リードフレームを形成する工程は、前記リード端子から前記第2方向に突き出すとともに、前記第1吊りリードに対して、前記第1ダイパッドの前記第1端部の側に配置された第1突き出しリードを形成する工程を含み、
前記リードフレームを前記モールド金型内に配置する工程では、前記第1方向から見て、前記封止材注入口は、前記第1突き出しリードの下側に配置される、請求項11記載のパワー半導体装置の製造方法。 - 前記モールド金型内に前記封止材を注入する工程では、
前記モールド金型内に前記封止材が注入される前に、前記第1ダイパッドの前記第2端部の側に、前記第1ダイパッドに接触させない態様で、前記第1ダイパッドの上方から第1ピン部材が配置され、
前記モールド金型内に前記封止材が充填された後に、前記第1ピン部材が引き抜かれる、請求項11記載のパワー半導体装置の製造方法。 - 前記リードフレームを形成する工程は、
前記第1方向に第2距離を隔てて第3端部と第4端部とが位置し、第2半導体素子が搭載され、前記第1ダイパッドに対して、前記封止材注入口とは反対側に位置することになる第2ダイパッドと、
前記第2ダイパッドにおける前記第3端部と前記第4端部との間の中央よりも前記第3端部の側において、前記第2方向から前記第2ダイパッドに接続され、前記リード端子に繋がる第2吊りリードと
を形成する工程と、
前記第2吊りリードに曲げ加工を行うことにより、前記第2ダイパッドを、前記リード端子が位置する前記第3方向の前記第1位置よりも低い位置に配置する工程と
を含み、
前記モールド金型内に前記封止材を注入する工程では、前記封止材第1部と前記封止材第2部とが充填される際に、前記封止材第1部によって、前記第2吊りリードが接続されている前記第2ダイパッドの前記第3端部の側に対して、前記第2ダイパッドの前記第4端部の側が押し上げられて、前記第4端部の側が前記第3端部の側に対して上を向くように、前記第2ダイパッドが傾けられる、請求項11記載のパワー半導体装置の製造方法。 - 前記リードフレームを形成する工程は、前記リード端子から前記第2方向に突き出すとともに、前記第2吊りリードに対して、前記第2ダイパッドの前記第3端部の側に配置された第2突き出しリードを形成する工程を含み、
前記リードフレームを前記モールド金型内に配置する工程では、前記第1方向から見て、前記封止材注入口は、前記第2突き出しリードの下側に配置される、請求項14記載のパワー半導体装置の製造方法。 - 前記モールド金型内に前記封止材を注入する工程では、
前記モールド金型内に前記封止材が注入される前に、前記第2ダイパッドの前記第4端部の側に、前記第2ダイパッドに接触させない態様で、前記第2ダイパッドの上方から第2ピン部材が配置され、
前記モールド金型内に前記封止材が充填された後に、前記第2ピン部材が引き抜かれる、請求項14記載のパワー半導体装置の製造方法。 - リードフレームを形成する工程と、
前記リードフレームに第1半導体素子を搭載する工程と、
前記リードフレームを、前記第1半導体素子が搭載されている側を上に向けた状態で、下金型、上金型および封止材注入口を有するモールド金型内に配置する工程と、
前記封止材注入口から前記モールド金型内に封止材を注入する工程と、
前記モールド金型を取り外す工程と
を備え、
前記リードフレームを形成する工程は、
リード端子と、
第1方向に第1距離を隔てて第1端部と第2端部とが位置し、前記第1半導体素子が搭載される第1ダイパッドと、
前記第1ダイパッドにおける前記第1端部と前記第2端部との間の中央よりも前記第1端部の側において、前記第1方向と交差する第2方向から前記第1ダイパッドに接続され、前記リード端子に繋がる第1吊りリードと
を形成する工程と、
前記第1吊りリードに曲げ加工を行うことにより、前記第1ダイパッドを、前記リード端子が位置する、前記第1方向と前記第2方向とに交差する第3方向の第1位置よりも低い位置に配置する工程と
を含み、
前記リードフレームを前記モールド金型内に配置する工程では、前記封止材注入口は、前記第1位置の下側において、前記第1方向から前記第1吊りリードに向かって前記封止材を注入する位置に配置され、
前記リードフレームを形成する工程は、前記リード端子から前記第2方向に突き出すとともに、前記第1吊りリードに対して、前記第1ダイパッドの前記第1端部の側に配置された第1突き出しリードを形成する工程を含み、
前記モールド金型内に前記封止材を注入する工程では、前記第1方向から見て、前記第1突き出しリードの下側に配置された前記封止材注入口から前記封止材が注入されて、前記第2端部の側が前記第1端部の側に対して上を向くように、前記第1ダイパッドが傾けられる、パワー半導体装置の製造方法。 - 請求項1~10のいずれか1項に記載のパワー半導体装置を有し、入力される電力を変換して出力する主変換回路と、
前記主変換回路を制御する制御信号を前記主変換回路に出力する制御回路と
を備えた、電力変換装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018090487 | 2018-05-09 | ||
JP2018090487 | 2018-05-09 | ||
PCT/JP2019/016767 WO2019216160A1 (ja) | 2018-05-09 | 2019-04-19 | パワー半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019216160A1 JPWO2019216160A1 (ja) | 2021-03-11 |
JP7002645B2 true JP7002645B2 (ja) | 2022-01-20 |
Family
ID=68466959
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020518227A Active JP7002645B2 (ja) | 2018-05-09 | 2019-04-19 | パワー半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11217514B2 (ja) |
JP (1) | JP7002645B2 (ja) |
CN (1) | CN112041984B (ja) |
DE (1) | DE112019002345T5 (ja) |
WO (1) | WO2019216160A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102022201332A1 (de) | 2022-02-09 | 2023-08-10 | Zf Friedrichshafen Ag | Leistungsmodul für einen Stromrichter mit produktionsoptimierten Signalpins |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5102373B2 (ja) | 2008-06-04 | 2012-12-19 | オリンパスメディカルシステムズ株式会社 | 異常生体組織を検出する装置 |
JP2016129257A (ja) | 2016-03-11 | 2016-07-14 | 三菱電機株式会社 | 電力半導体装置 |
WO2017138072A1 (ja) | 2016-02-08 | 2017-08-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS638414A (ja) | 1986-06-28 | 1988-01-14 | Somar Corp | 熱硬化性粉体組成物 |
JPH05102373A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-23 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JP2621814B2 (ja) * | 1994-11-29 | 1997-06-18 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
US6075283A (en) * | 1998-07-06 | 2000-06-13 | Micron Technology, Inc. | Downset lead frame for semiconductor packages |
JP2010129752A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Seiko Epson Corp | 段差間配線構造及び段差間配線方法 |
WO2012120568A1 (ja) | 2011-03-09 | 2012-09-13 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
JP5947107B2 (ja) * | 2012-05-23 | 2016-07-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP5932555B2 (ja) | 2012-08-03 | 2016-06-08 | 三菱電機株式会社 | 電力半導体装置 |
JP6183226B2 (ja) * | 2014-01-17 | 2017-08-23 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置の製造方法 |
-
2019
- 2019-04-19 WO PCT/JP2019/016767 patent/WO2019216160A1/ja active Application Filing
- 2019-04-19 CN CN201980028649.5A patent/CN112041984B/zh active Active
- 2019-04-19 DE DE112019002345.4T patent/DE112019002345T5/de active Pending
- 2019-04-19 JP JP2020518227A patent/JP7002645B2/ja active Active
- 2019-04-19 US US16/982,663 patent/US11217514B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5102373B2 (ja) | 2008-06-04 | 2012-12-19 | オリンパスメディカルシステムズ株式会社 | 異常生体組織を検出する装置 |
WO2017138072A1 (ja) | 2016-02-08 | 2017-08-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2016129257A (ja) | 2016-03-11 | 2016-07-14 | 三菱電機株式会社 | 電力半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210020551A1 (en) | 2021-01-21 |
US11217514B2 (en) | 2022-01-04 |
JPWO2019216160A1 (ja) | 2021-03-11 |
CN112041984A (zh) | 2020-12-04 |
CN112041984B (zh) | 2023-12-22 |
WO2019216160A1 (ja) | 2019-11-14 |
DE112019002345T5 (de) | 2021-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2700095B1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
US20120001308A1 (en) | Semiconductor module and method of manufacturing the same | |
US9947613B2 (en) | Power semiconductor device and method for manufacturing the same | |
US11244836B2 (en) | Semiconductor apparatus, power conversion device, and method for manufacturing semiconductor apparatus | |
JP2020004893A (ja) | パワー半導体モジュール、電力変換装置、およびパワー半導体モジュールの製造方法 | |
JP2012182250A (ja) | 半導体装置 | |
JP7002645B2 (ja) | パワー半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 | |
CN110709969A (zh) | 半导体元件接合用基板、半导体装置及电力转换装置 | |
JP6575739B1 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法および電力変換装置 | |
WO2022239112A1 (ja) | 半導体装置及び電力変換装置 | |
JP6811644B2 (ja) | パワー半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置 | |
JP7483128B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 | |
JP6279186B1 (ja) | 半導体装置および電力変換装置 | |
JP7450740B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法および電力変換装置 | |
CN113261095A (zh) | 半导体装置、半导体装置的制造方法及电力转换装置 | |
JP6851559B1 (ja) | 半導体装置および電力変換装置 | |
WO2021235256A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びに電力変換装置 | |
WO2022224904A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 | |
JP2022067375A (ja) | 電力用半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 | |
JP7479771B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置 | |
US20230090408A1 (en) | Semiconductor devcie and manufacturing method for semiconductor device | |
JP2021129051A (ja) | 電力用半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置 | |
JP2022067815A (ja) | 半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法 | |
CN116171492A (zh) | 半导体模块、半导体模块的制造方法和电力转换装置 | |
JP2024000071A (ja) | 半導体装置および電力変換装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200917 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200917 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211130 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7002645 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |