JP6976695B2 - 発光基板、プリントヘッドおよび画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、プリントヘッドおよび画像形成装置に関する。

電子写真プロセスを用いたプリンタ、複写機、及び複合機（ＭＦＰ：Multi-Functional Peripheral）が知られている。これら機器の露光手段（露光ユニット）としては、レーザ光学系（ＬＳＵ：レーザスキャンユニット）及びプリントヘッド（固体ヘッド）と呼ばれる２方式が知られている。レーザ光学系では、ポリゴンミラーによって走査するレーザ光線により感光体ドラムが露光される。プリントヘッドでは、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの複数の発光素子が出力する光によって感光体ドラムが露光される。

レーザ光学系は、ポリゴンミラーを高速で回転させる必要があるため、画像を形成する際に多くのエネルギーを消費するとともに動作音が聞こえる。またレーザ光を走査する機構が必要なため、大きなユニット形状になる傾向がある。

一方のプリントヘッドは、複数の発光素子から出る光をロッドレンズアレイと呼ばれる正立像を結ぶ小型レンズを用いて感光体ドラム上に結像させる構造である。本構造によりプリントヘッドの小型化が可能である。また、可動部が無いため、静かな露光ユニットである。

プリントヘッドには、ＬＥＤを用いたもの（ＬＥＤチップを並べたもの）以外に有機ＥＬ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode ）を用いたものも開発されている。ＬＥＤを用いたプリントヘッドは、プリント基板上にＬＥＤチップを並べたものが一般的である。有機ＥＬ（ＯＬＥＤ）は、マスクを用いて基板上に有機ＥＬを一括で形成するもので、精度よく発光素子を並べることができる。発光素子として有機ＥＬを用いると、高精度の画像形成が可能であるというメリットがある。例えば、ガラス基板上に有機ＥＬからなる複数の発光素子を形成した例が知られている。

上記ＬＥＤや有機ＥＬ（ＯＬＥＤ）を用いたプリントヘッドで良好な画像を形成するためには、複数の発光素子から出力された光がロッドレンズアレイを通過した後、その光強度（光量）やビーム径が、感光体ドラム上で均一であることが必要である。

感光体ドラム上での光強度（光量）やビーム径を均一にするためには、個々の発光素子の光強度（光量）を制御するのが一般的である。

個々の発光素子の光強度（光量）を制御するためには、それぞれの発光素子に流れる電流量を制御する、単位時間当たりの発光時間を制御する、などの手法を採用されている。

例えば、個々の発光素子に流す電流や単位時間当たりの発光時間をそれぞれの発光素子毎に個別に設定することで、感光体ドラム上における光強度（光量）やビーム径を均一にする。

例えば、発光素子に流れる電流量を制御することで、光量（光強度）やドット径（ビーム径）を制御する例が知られている。

また、例えば、発光素子（有機ＥＬ素子）の光量劣化は発光素子に流れる電流が大きければ大きいほど早く進むことが知られている。

特開２００３−１７５６４０号公報 特開２００１−２６０４１６号公報

発光素子（有機ＥＬ素子）に流す電流を増やして光強度（光量）を上げるとそれだけ早く発光素子が劣化することが知られている。このような背景から、発光素子の劣化を抑制する技術が要望されている。

本発明の目的は、発光素子の劣化抑制に優れた発光基板、プリントヘッド及び画像形成装置を提供することにある。

実施形態の発光基板は、透明基板と、複数の発光素子群と、制御部とを備える。前記複数の発光素子群は、前記透明基板上に第１の発光素子と第２の発光素子が重なって形成される。前記制御部は、前記複数の発光素子群の第１の発光素子および第２の発光素子の発光を制御する。前記複数の発光素子群が発光する光量が、均一である。

実施形態に係る画像形成装置（画像形成部）の一例を示す断面図である。 実施形態に係る画像形成装置の制御システムの一例を示すブロック図である。 実施形態に係る画像形成装置におけるプリントヘッドと感光体ドラムの位置関係の一例を示す図である。 実施形態に係るプリントヘッドを構成する透明基板等の一例を示す図である。 実施形態に係るプリントヘッドにおける複数の発光素子群のうちの１組の光素子群の一例を示す図である。 実施形態に係るプリントヘッドの回路構成の一例を示す図である。 実施形態に係るＤＲＶ回路の回路構成の一例を示す図である。 実施形態に係るプリントヘッドにおける第１の発光素子に均一電流を流した際の各発光素子群のレンズ通過後の光強度（光量）の一例を示す図である。 第１の補正メモリ及び第２の補正メモリに記憶される電流データ（補正非適用）の一例を示す図である。 第１の補正メモリ及び第２の補正メモリに記憶される電流データ（補正適用）の一例を示す図である。 実施形態に係る光量補正適用時の各発光素子群に流れる電流及び合計電流の一例を示す図である。 実施形態に係る光量補正適用時（光量補正後）の光強度（光量）と光量補正非適用時（光量補正前）の光強度（光量）との比較例を示した図である。 累積発光時間に対する各発光素子及び発光素子群の光量劣化の一例を示す図である。 実施形態に係るプリントヘッドのヘッド制御部による発光制御の一例を示すフローチャートである。 単一発光層の発光素子により構成されるプリントヘッドの一例を示す図である。 単一発光層の発光素子により構成されるプリントヘッドにおける時間の経過とともに変化する発光素子の光強度（光量）の一例を示す図である。 単一発光層の発光素子に均一電流を流した際のレンズ通過後の光強度（光量）の一例を示す図である。 単一発光層の発光素子により構成されるプリントヘッドの光量補正前の電流値と光量補正後の電流値の一例を示す図である。 単一発光層の発光素子により構成されるプリントヘッドの光量補正前の光量と光量補正後の光量の一例を示す図である。 単一発光層の発光素子により構成されるプリントヘッドの光量補正後の累積発光時間に対する光強度（光量）の様子を示す図である。

以下、実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、本実施形態に係る画像形成装置（画像形成部）の一例を示す断面図である。また、図２は、図１に示す画像形成装置の制御システムの一例を示すブロック図である。図１及び図２に示す画像形成装置は、例えば、プリンタ、複写機、又は複合機等である。図１及び図２では、モノクロの画像形成装置の一例を示すが、本実施形態のプリントヘッドＨは、カラーの画像形成装置に適用することもできる。

本実施形態ではプリントヘッドＨを中心に説明する。図１に示すように、画像形成装置１は、プリントヘッドＨを含む画像形成部１３を備える。
ここでは、画像形成部１３の機構について説明する。画像形成部１３は、感光体ドラム１４周辺に、プリントヘッドＨ、帯電チャージャ１５、現像器１６、転写チャージャ１７、剥離チャージャ１８、クリーナ１９を備えている。プリントヘッドＨについては図２以降で詳細に説明する。帯電チャージャ１５は、感光体ドラム１４を一様に帯電する。現像器１６は、帯電された感光体ドラム１４に画像読取部１１からの画像データに基づいて作成された潜像を現像する。転写チャージャ１７は、感光体ドラム１４に現像された画像を用紙Ｐに転写する。クリーナ１９は、感光体ドラム１４に残った現在剤をクリーニングする。

帯電チャージャ１５、現像器１６、転写チャージャ１７、剥離チャージャ１８、クリーナ１９は、感光体ドラム１４の矢印Ａの回転方向に従い順次配置されている。また画像形成部１３は、感光体ドラム１４に対向配置されたプリントヘッドＨを備える。

さらに、画像形成部１３は、搬送ベルト２０、及び排紙搬送ガイド２１を備える。搬送ベルト２０、及び排紙搬送ガイド２１は、剥離チャージャ１８より用紙搬送方向下流に対して順番にトナー像を転写された用紙Ｐを搬送する。さらに、画像形成部１３は、定着装置２２、及び排紙ローラ２３を備える。定着装置２２は、排紙搬送ガイド２１より用紙搬送方向下流側に対して順番に用紙Ｐのトナーを用紙Ｐに定着し、排紙ローラ２３はその用紙Ｐを排紙する。

次に画像形成のプロセスについて説明する。
プリントヘッドＨ（図５に示す第１の発光素子Ｈ３１からの光（第１の光）及び第２の発光素子Ｈ３２からの光（第２の光））からの光（第３の光、つまり重畳光）により感光体ドラム１４上に形成された静電潜像は、現像器１６から供給されるトナー（現像剤）によって現像される。トナー像を形成された感光体ドラム１４は、転写チャージャ１７によって、静電潜像を用紙Ｐ上に転写する。
用紙への転写が終了した感光体ドラム１４は、その表面の残留トナーがクリーナ１９によって取り除かれて、初期状態に復帰し、次の画像形成の待機状態となる。
以上のプロセス動作を繰り返すことにより、画像形成動作が連続的に行なわれる。
なお、本実施形態のプリントヘッドＨは、電子写真プロセスにおけるプリントヘッドに限定されるものではなく、フィルムなどへの露光手段としても用いることができる。

続いて、図２を参照して、画像形成装置の制御システムの概要について説明する。図２に示すように、画像形成装置１は、画像読取部１１、画像処理部１２、画像形成部１３、制御部３１、ＲＯＭ（読み出し専用メモリ、Read Only Memory）３２、ＲＡＭ（書き換え可能メモリ、Random Access Memory）３３、不揮発性メモリ３４、インタフェース３５、入力部３６、ページメモリ３７を備える。制御部３１には、ＲＯＭ３２、ＲＡＭ３３、不揮発性メモリ３４、インタフェース３５、及び入力部３６が接続される。また制御部３１には、画像読取部１１、画像処理部１２、画像形成部１３、及びページメモリ３７が、システムバスＳＢを介して接続される。

制御部３１は、画像読取り、画像処理、及び画像形成等の動作を制御する。ＲＯＭ３２は、制御部３１の制御に必要なメインプログラム等を記憶する。ＲＡＭ３３は、制御部３１の制御で必要なデータを一時的に記憶する。不揮発性メモリ３４は、更新されたプログラム、各種パラメータ等を記憶する。インタフェース３５は、外部へ各種情報を出力したり、外部からの各種情報を入力したりする。例えば、画像形成装置１は、プリント機能により、インタフェース３５を介して入力される画像データをプリントする。入力部３６は、ユーザ及びサービスマンからの操作入力を受け付ける。

画像読取部１１は、光学的に原稿の画像を読み取り画像データを取得し、画像処理部１２へ画像データを出力する。画像処理部１２は、インタフェース３５を介して入力される画像データ、又は画像読取部１１からの画像データに対して各種画像処理（補正等含む）を施す。ページメモリ３７は、画像処理部１２で処理された画像データを記憶し、画像形成部１３は、ページメモリ３７に記憶された画像データに基づき画像を形成する。また、画像形成部１３は、プリントヘッドＨを備え、プリントヘッドＨは、ヘッド制御部ＨＣを備える。

図３は、実施形態に係る画像形成装置におけるプリントヘッドＨと感光体ドラム１４の位置関係の一例を示す図である。図４は、実施形態に係るプリントヘッドＨを構成する透明基板の一例を示す図である。図５は、実施形態に係るプリントヘッドＨにおける複数の発光素子群のうちの１組の光素子群の一例を示す図である。

図３及び図５に示すように、プリントヘッドＨは感光体ドラム１４に対向するよう配置される。図３に示すように、プリントヘッドＨは、透明基板Ｈ１、及びロッドレンズアレイＨ２を備える。例えば、透明基板Ｈ１は、光を透過するガラス基板である。透明基板Ｈ１上の複数の発光素子群Ｈ３０に対応する発光素子列Ｈ３が形成される。複数の発光素子群Ｈ３０からの光は、ロッドレンズアレイＨ２を通過し感光体ドラム１４（対象物）上に焦点を結ぶ。

なお、発光素子列Ｈ３は、複数の発光素子群Ｈ３０により構成される。発光素子群Ｈ３０は、複数の発光素子（多層の発光層）により構成される。例えば、発光素子群Ｈ３０は、多重化された発光素子（発光層）、例えば第１の発光素子Ｈ３１（発光層Ｈ３１ｂ）、及び第２の発光素子Ｈ３２（発光層Ｈ３２ｂ）により構成される。発光素子の多重化構造については後に詳しく説明する。

感光体ドラム１４は、帯電器によって一様に帯電し、第１の発光素子Ｈ３１及び第２の発光素子Ｈ３２からの光によって露光されると、感光体ドラム１４における露光部分の電位が下がる。つまり、第１の発光素子Ｈ３１及び第２の発光素子Ｈ３２の発光及び非発光を制御することで、感光体ドラム１４上に静電潜像が形成される。

例えば、図２に示すように、ヘッド制御部ＨＣは１又は複数のプロセッサＨＰ及びメモリＭを備える。例えば、１又は複数のプロセッサＨＰは１又は複数のＣＰＵ（Central Processing unit）である。１又は複数のメモリＨＭは、プリントヘッドＨの発光制御に関するプログラム及び各種データを記憶する。１又は複数のプロセッサＨＰは、１又は複数のメモリＨＭに記憶されたプログラム等に基づきプリントヘッドＨの発光を制御する。なお、制御部３１からの指示に基づきヘッド制御部ＨＣ（１又は複数のプロセッサＨＰ）がプリントヘッドＨの動作を制御するため、制御部３１の動作プログラムを記憶するＲＯＭ３２及び不揮発性メモリ３４等もプリントヘッドＨの発光制御に関するプログラムの一部を記憶するメモリであると言える。

図３及び４に示すように、透明基板Ｈ１上の中央部には発光素子列Ｈ３が、透明基板Ｈ１の長手方向に沿って形成されている。発光素子列Ｈ３の近傍には、各発光素子（多重化された第１の発光素子Ｈ３１及び第２の発光素子Ｈ３２）を駆動する（発光させる）ためのＤＲＶ回路列Ｈ４が形成されている。また、透明基板Ｈ１は、コネクタＨ６を備える。コネクタＨ６は、システムバスＳＢと接続し、ヘッド制御部ＨＣと制御部３１との間の通信を可能にする。また、ヘッド制御部ＨＣは、制御回路Ｈ５に接続される。例えば、透明基板Ｈ１には、発光素子列Ｈ３、ＤＲＶ回路列Ｈ４などが外気に触れないよう封止するための基板が取り付けられている。

図３及び４では、発光素子列Ｈ３を中心とした両脇にＤＲＶ回路列Ｈ４（Ｈ４０、Ｈ４１、Ｈ４２、Ｈ４３）を配置した例を示したが、ＤＲＶ回路列Ｈ４を片側に配列するようにしても良い。

次に、図５を参照して、発光素子の多重化構造について説明する。発光素子群Ｈ３０は、積層された第１の発光素子Ｈ３１及び第２の発光素子Ｈ３２を備える。また、これら第１の発光素子Ｈ３１及び第２の発光素子Ｈ３２は、別々のＤＲＶ回路Ｈ４０に接続される。つまり、第１の発光素子Ｈ３１及び第２の発光素子Ｈ３２からそれぞれ独立に電極が引き出され、第１の発光素子Ｈ３１及び第２の発光素子Ｈ３２に対して調整された電流が供給される。なお、図５では、封止のための基板は省略している。

発光素子群Ｈ３０をさらに説明する。
図５に示すように、透明基板Ｈ１上に発光素子群Ｈ３０が形成される。例えば、発光素子群Ｈ３０は、対向して配置された第１の発光素子Ｈ３１及び第２の発光素子Ｈ３２を備える。第１の発光素子Ｈ３１及び第２の発光素子Ｈ３２は、絶縁層Ｈ３４ｄを介して積層されている。第１の発光素子Ｈ３１は、絶縁層Ｈ３４ｂにより絶縁された電極（＋）Ｈ３４ａと電極（−）Ｈ３４ｃに接して挟まれる。また、第２の発光素子Ｈ３２は、絶縁層Ｈ３４ｆにより絶縁された電極（＋）Ｈ３４ｅと電極（−）Ｈ３４ｇに接して挟まれる。

第１の発光素子Ｈ３１と第２の発光素子Ｈ３２間に絶縁層Ｈ３４ｄを設けることで、独立した第１の発光素子Ｈ３１と第２の発光素子Ｈ３２が積み重った構造となる。

第１の発光素子Ｈ３１からの第１の光と第２の発光素子Ｈ３２からの第２の光を透明基板Ｈ１側に出力するために、絶縁層Ｈ３４ｄは第１及び第２の光に対して透明性を有する。

第２の発光層Ｈ３２ｂにおける透明基板Ｈ１と反対側は、第２の発光層Ｈ３２ｂで発光した第２の光を反射する構造になっている。例えば、第２の電子輸送層Ｈ３２ｃは、第２の発光層Ｈ３２ｂからの第２の光を反射するための構造（反射特性）を有する。或いは、電極Ｈ３４ｇは、第２の発光層Ｈ３２ｂからの第２の光を反射するための構造（反射特性）を有する。

第２の正孔輸送層Ｈ３２ａ、電極（＋）Ｈ３４ｅ、絶縁層Ｈ３４ｄ、電極（−）Ｈ３４ｃ、第１の電子輸送層Ｈ３１ｃ、第１の正孔輸送層Ｈ３１ａは、第１の発光層Ｈ３１ｂが発光する第１の光、及び第２の発光層Ｈ３２ｂが発光する第２の光に対して透過性を有する。このような構造とすることで、第１の光と第２の光が、透明基板Ｈ１へ向かって出力される。言い換えれば、第１の光と第２の光が重ねられた第３の光が、透明基板Ｈ１へ向かって出力される。

このように第１の発光素子Ｈ３１及び第２の発光素子Ｈ３２は、実質同一の波長の第１の光及び第２の光を発光する。透明基板Ｈ１の反対側の第２の電子輸送層Ｈ３２ｃ又は電極（−）Ｈ３４ｇは、第１の発光素子Ｈ３１及び第２の発光素子Ｈ３２が発光する第１の光及び第２の光を反射させる構造を有する。これにより、第１の光及び第２の光を一方向に重ね合わせて第３の光として出力することができる。１つの発光素子からの光を出力するケースに比べて、この第３の光を利用することにより、多くの光量を得ることができる。

また第１の発光素子Ｈ３１と第２の発光素子Ｈ３２を独立構造とすることで、第１の発光素子Ｈ３１と第２の発光素子Ｈ３２を独立に駆動することが可能になる。
以上説明したように、一つの発光素子群は一つの第１の発光素子Ｈ３１とその上に積み重なった一つの第２の発光素子Ｈ３２のペアで構成され、それぞれの発光素子が独立に駆動される構成となっている。

図６は、実施形態に係るヘッド制御部ＨＣ、ＤＲＶ回路列Ｈ４及び制御回路Ｈ５の回路構成の一例を示す図である。図７は、実施形態に係るＤＲＶ回路列Ｈ４のＤＲＶ回路Ｈ４０の回路構成の一例を示す図である。図６及び図７を参照し、２つの発光素子（第１の発光素子Ｈ３１と第２の発光素子Ｈ３２）に別々の電流を流すための構成について説明する。

図６に示すように、制御回路Ｈ５は、Ｄ／Ａ（digital to analog）変換回路Ｈ５１、Ｈ５２、セレクタＨ５３、アドレスカウンタＨ５４、第１の補正メモリＨ５５、及び第２の補正メモリＨ５６などを備える。 Ｄ／Ａ変換回路Ｈ５１、Ｈ５２、セレクタＨ５３、アドレスカウンタＨ５４及び第１の補正メモリＨ５５及び第２の補正メモリＨ５６は、各発光素子の発光強度やon/offをコントロールする信号をＤＲＶ回路Ｈ４０に供給する。第１の発光素子Ｈ３１の各々にＤＲＶ回路Ｈ４０が接続され、第２の発光素子Ｈ３２の各々にＤＲＶ回路Ｈ４０が接続される。それぞれ個別のＤＲＶ回路Ｈ４０から第１の発光素子Ｈ３１と第２の発光素子Ｈ３２に個別の電流が供給される。

発光素子Ｈ３１に接続されるＤＲＶ回路Ｈ４０に対してＤ／Ａ変換回路Ｈ５１が接続される。発光素子Ｈ３２に接続されるＤＲＶ回路Ｈ４０に対してＤ／Ａ変換回路Ｈ５２が接続される。

Ｄ／Ａ変換回路Ｈ５１には第１の補正メモリＨ５５が接続される。Ｄ／Ａ変換回路Ｈ５２には第２の補正メモリＨ５６が接続される。

プリントヘッドＨのヘッド制御部ＨＣにはコネクタＨ６を通して水平同期信号Ｓ、クロックＣ、および、クロックＣに同期した画像データＤが送られる。ヘッド制御部ＨＣは、制御回路Ｈ５に対して水平同期信号Ｓ、クロックＣ、および、クロックＣを送信する。水平同期信号Ｓは、アドレスカウンタＨ５４のカウント値をリセットする。アドレスカウンタＨ５４はクロックＣをカウントする。アドレスカウンタＨ５４のカウント値は、当該画像データがどの発光素子群の画像データであるかを示す。アドレスカウンタＨ５４のカウント値は、第１の補正メモリＨ５５、第２の補正メモリＨ５６、及びセレクタ（デコーダ）Ｈ５３に出力される。

第１の補正メモリＨ５５は、アドレスカウンタＨ５４のカウンタ値が示すアドレスに格納されている補正データを第１の発光素子Ｈ３１の発光データとしてＤ/Ａ変換回路Ｈ５１に出力する。Ｄ/Ａ変換回路Ｈ５１は、入力された発光データに相当するレベルのアナログ信号をＤＲＶ回路Ｈ４０に発光レベル信号Ｓ２として出力する。つまり、第１の補正メモリＨ５５は、複数の第１の発光素子Ｈ３１のそれぞれに対する第１の電流データ（図１０の発光素子群Ｎｏ．１−２０の全ての電流値「ＦＦ」に相当）を記憶する。

第２の補正メモリＨ５６は、アドレスカウンタＨ５４のカウンタ値が示すアドレスに格納されている補正データを第２の発光素子Ｈ３２の発光データとしてＤ/Ａ変換回路Ｈ５２に出力する。Ｄ/Ａ変換回路Ｈ５２は、入力された発光データに相当するレベルのアナログ信号をＤＲＶ回路Ｈ４０に発光レベル信号Ｓ２として出力する。つまり、第２の補正メモリＨ５６は、複数の第２の発光素子Ｈ３２のそれぞれに対する第２の電流データ（図１０の発光素子群Ｎｏ．１−２０の全ての電流値「６Ｄ」、「３Ｆ」、…、「５５」、「６Ｄ」に相当）を記憶する。

アドレスカウンタＨ５４のカウント値は、セレクタ（デコーダ）Ｈ５３に出力される。セレクタ（デコーダ）Ｈ５３はカウント値で指定されたラインに接続された２つのＤＲＶ回路Ｈ４０の選択信号Ｓ１を“Ｌ”にする。選択信号Ｓ１は、ＤＲＶ回路Ｈ４０に接続されている第１の発光素子Ｈ３１または第２の発光素子Ｈ３２の発光強度を変化させる際に“Ｌ”レベルとなる。選択信号Ｓ１が“Ｌ”レベルになった際には、それぞれのＤＲＶ回路Ｈ４０内のコンデンサＨ４２の電圧がＤ／Ａ変換回路Ｈ５１及びＨ５２が出力するアナログ信号レベル（発光レベル信号Ｓ２）に応じて変化する。次にアドレスカウンタＨ５４のカウント値が変化し、選択信号Ｓ１が“Ｈ”になると、コンデンサＨ４２の電圧が保持される。選択信号Ｓ１が“Ｈ”の状態では、発光レベル信号Ｓ２の電圧が変化してもコンデンサＨ４２の電圧レベルは変化しない。ＤＲＶ回路Ｈ４０の信号線Ｉに接続された第１の発光素子Ｈ３１または第２の発光素子Ｈ３２には、コンデンサＨ４２に保持された電圧に応じた電流が流れる。
このようにしてセレクタ（デコーダ）Ｈ５３が出力する選択信号Ｓ１により、発光素子列Ｈ３に含まれる複数の発光素子群Ｈ３０から所定の発光素子群Ｈ３０が選択され、Ｄ／Ａ変換回路Ｈ５１及びＨ５２が出力する発光レベル信号Ｓ２により、それぞれの第１の発光素子Ｈ３１および第２の発光素子Ｈ３２の発光強度が決定され、その発光強度が維持される。
従って、アドレスカウンタＨ５４のカウント値が変化し、それぞれの選択信号Ｓ１が“Ｌ”から“Ｈ”になった後も、各発光素子は、コンデンサＨ４２に保持されたアナログ信号レベルに従って発光を続ける。

尚、画像データＤが非発光データである場合には、第１の補正メモリＨ５５及び第２の補正メモリＨ５６の出力は無効となる。例えば、Ｄ／Ａ変換回路Ｈ５１、Ｈ５２に入力されるデータは“００”となり、コンデンサＨ４２に保持される電位は各素子が発光しないレベルとなる。

このようにして、ヘッド制御部ＨＣは、積み重なった第１の発光素子Ｈ３１と第２の発光素子Ｈ３２の発光強度を第１の補正メモリＨ５５及び第２の補正メモリＨ５６に格納されている補正データに従って別々にコントロールし、発光素子群のそれぞれを制御することができる。

次に、各発光素子からの光について説明する。
図５に示すように、発光素子群からの光、即ち、第１の発光素子Ｈ３１と第２の発光素子Ｈ３２からの光（第１の発光素子Ｈ３１からの光と第２の発光素子Ｈ３２からの光とが重ねられた重畳光）は、透明基板Ｈ１、ロッドレンズアレイＨ２を通過して感光体ドラム１４を露光する。

図８は、第１の発光素子Ｈ３１のみを均一電流で光らせた場合の各発光素子群のレンズ通過後の光強度（光量）の一例を示す図である。つまり、レンズの透過率等の影響による感光体ドラム上の光量のばらつきの一例を示す図である。

この測定を行う（第１の発光素子Ｈ３１のみを均一電流で発光させる）ためには、例えば、第１の補正メモリＨ５５及び第２の補正メモリＨ５６が図９に示すデータを記憶する。

例えば、第１の補正メモリＨ５５は、第１の発光素子Ｈ３１のそれぞれに対応して“ＦＦ”（8bitの最大値）の補正データを記憶し、第２の補正メモリＨ５６は、第２の発光素子Ｈ３２のそれぞれに対応して“００”（最小値：非発光）の補正データを記憶する。ヘッド制御部ＨＣが、第１の補正メモリＨ５５及び第２の補正メモリＨ５６の補正データに基づき各発光素子群を順々に発光させて、その光強度（光量）を測定する（図８参照）。

レンズ通過後の光量を一定の値に補正する場合、例えば、第１の補正メモリＨ５５及び第２の補正メモリＨ５６は図１０に示すデータを記憶する。

第１の補正メモリＨ５５は、第１の発光素子Ｈ３１のそれぞれに対応して一定値“ＦＦ”を記憶する。

一定値“ＦＦ”に基づき第１の発光素子Ｈ３１のそれぞれが発光した場合の光強度（光量）に応じて、第２の補正メモリＨ５６は、第２の発光素子Ｈ３２のそれぞれの補正データ（発光データ）を記憶する。つまり、第２の補正メモリＨ５６の補正データが、感光体ドラム上の光量のばらつきを補正する役割を果たす。

例えば、図８に示すように、発光素子群Ｎｏ．５（発光素子群Ａ）の第１の発光素子Ｈ３１光強度（光量）は、最も大きいもののひとつであるので、第２の発光素子Ｈ３２は光らせる必要が無い。例えば、第２の補正メモリＨ５６のアドレス５には、“００”を記憶させればよい。

図８に示すように、発光素子群Ｎｏ．１（発光素子群Ｂ）の第１の発光素子Ｈ３１の光強度（光量）は、最も小さいもののひとつである。そこで、発光素子群Ｎｏ．１（発光素子群Ｂ）の第２の発光素子Ｈ３２を光らせることによって光強度（光量）を上げる必要がある。例えば、第２の補正メモリＨ５６のアドレス１には、“６Ｄ”を記憶させればよい。（図１０参照）
図１１は、光量補正を行った時に各発光素子群に流れる電流を示したグラフであり、図１０に対応する各発光素子群の電流（相対値）及び合計電流（相対値）の一例を示したものである。

図１１に示すように第１の発光素子Ｈ３１のそれぞれには、発光データ“ＦＦ”に沿った一定の電流が流れる。また、第２の発光素子Ｈ３２のそれぞれには、各アドレスに書き込まれた補正データ（発光データ）に従った電流が流れる。つまり、第２の発光素子Ｈ３２のそれぞれに流れる電流は、一定ではない。

図１２に示すように、補正後は、一定電流値が供給される第１の発光素子Ｈ３１で発光させた光強度（光量）に、それぞれ異なる電流値が供給される第２の発光素子Ｈ３２で発光させた光が加わり、ほぼ一定の光強度（光量）が得られている。

補正データの記憶に関しては、例えば、画像形成装置１の出荷時に、制御回路Ｈ５の第１の補正メモリＨ５５及び第２の補正メモリＨ５６に補正データ（図１０参照）が記憶される。また、第１の補正メモリＨ５５及び第２の補正メモリＨ５６の補正データは、インタフェース３５を介して入力される補正データで更新することもできる。さらに、第１の補正メモリＨ５５及び第２の補正メモリＨ５６の補正データは、サービスマン等の入力部３６を介した補正データの変更入力に基づき変更することもできる。

次に、光量を補正した場合の経時変化特性について説明する。
図１３は、累積発光時間に対する光量低下（劣化）の一例を示す図である。

例えば、第１の発光素子Ｈ３１のみへ発光データ“ＦＦ”に対応する電流を流してレンズ通過後の光量が所定の光強度（光量）になる発光素子群Ｈ３０の累積発光時間に対する光量低下の様子をＣ１１Ａとして図１３に示す。これは先に説明した発光素子群Ａのケースに相当する。このケースでは、累積発光時間ｔで、発光素子群Ａの光量は約２０％低下する。

次に第１の発光素子Ｈ３１に発光データ“ＦＦ”に対応する電流を流し、第２の発光素子Ｈ３２に発光データ“６Ｄ”に対応する電流を流してレンズ通過後の光量が所定の光強度（光量）になる発光素子群Ｈ３０の累積発光時間に対する光量低下の様子をＣ１１Ｂ＋Ｃ１２Ｂとして図１３に示す。また第１の発光素子Ｈ３１と第２の発光素子Ｈ３２の個別の光量低下の様子をＣ１１Ｂ、Ｃ１２Ｂとして図１３に示す。これは先に説明した発光素子群Ｂのケースに相当する。このケースでは、累積発光時間ｔで、発光素子群Ｂの第１の発光素子Ｈ３１の光量Ｃ１１Ｂは約２０％低下し、発光素子群Ｂの第２の発光素子Ｈ３２の光量Ｃ１２Ｂは約１０％低下する。発光素子群Ｂの第１の発光素子Ｈ３１の光量低下割合は、発光素子群Ａの第１の発光素子Ｈ３１の光量低下割合は約２０％で同じになる。発光素子群Ａの第１の発光素子Ｈ３１へ供給される電流と、発光素子群Ｂの第１の発光素子Ｈ３１へ供給される電流が、双方とも発光データ“ＦＦ”に対する電流であり、同じだからである。また、発光素子群Ｂの第２の発光素子Ｈ３２に供給される発光データ“６Ｄ”に対応する電流は、第１の発光素子Ｈ３１に供給される発光データ“ＦＦ”に対応する電流より小さい。このため、発光素子群Ｂの第２の発光素子Ｈ３２の光量低下割合は、第１の発光素子Ｈ３１の光量低下割合よりも小さい。

発光素子群ＡとＢを比較すると、発光素子群Ｂの光量低下率の方が小さくなる。その差は、第２の発光素子Ｈ３２で補う光強度（光量）と流れる電流量に依存する。しかし、発光素子群Ｂの光量低下割合は、発光素子群Ｂの第１の発光素子Ｈ３１の光量低下割合が支配的であり、発光素子群Ｂの第１の発光素子Ｈ３１の光量低下割合と発光素子群Ａの第１の発光素子Ｈ３１の光量低下割合は実質同一である。よって、発光素子群ＡとＢの光量低下割合の差は、後に述べる単一発光層からなる発光素子に異なる電流を流して光量を一定にする場合に比べ、わずかになる。

尚、第１の発光素子Ｈ３１に大きな電流を流し、第２の発光素子Ｈ３２に小さな電流を流すケース１について説明した。例えば、発光素子が発する光のルートから、透明基板Ｈ１に近い第１の発光素子Ｈ３１に大きな電流を流し、メインの発光素子として扱うのが効率的であるケースでは、ケース１を採用する。しかし、この関係を逆にしたケース２を採用してもよい。

また、第１の発光素子Ｈ３１のそれぞれに一定電流（均一電流）を流し、第２の発光素子Ｈ３２のそれぞれに非一定電流（不均一電流）を流し、一定の所望レベルの光量を得るケースについて説明したが、第１の発光素子Ｈ３１のそれぞれと、第２の発光素子Ｈ３２のそれぞれに非一定電流を流し、一定の所望レベルの光量を得るようにしてもよい。この場合、第１の発光素子Ｈ３１のそれぞれに供給される電流値と、第２の発光素子Ｈ３２のそれぞれに供給される電流値とを、所定電流値未満になるように調整する。これにより、所定電流値が供給される発光素子に比べて、第１の発光層Ｈ３１ｂの第１の発光素子Ｈ３１及び第２の発光層Ｈ３２ｂの第２の発光素子Ｈ３２の光量低下を抑制することができる。

以上説明したように、プリントヘッドＨは、第１の発光素子Ｈ３１及び第２の発光素子Ｈ３２を積み重ねた構造とする。積み重ねた第１の発光素子Ｈ３１をメインの発光素子とし、光量が不足する場合は、第２の発光素子Ｈ３２からの光で不足光量を補う。このような構成とすることで、メインの発光素子に流れる電流を均一とし、発光素子群間に生じる劣化特性の差を小さくすることができる。

尚、本実施形態では２つの発光素子を積み重なる例について説明したが、２つに限定される訳ではなく、３つ以上の発光素子を積み重ねるようにしてもよい。

また、本実施例では、２つの発光素子を積み重ねてそれぞれの発光素子に流す電流を制御する例を説明したが、それぞれの発光素子の点灯時間を制御するようにしてもよい。具体的には、Ｄ／Ａ変換回路Ｈ５１及びＨ５２とＤＲＶ回路Ｈ４０の組み合わせをＰＷＭ回路に置き換え、個々の発光素子の発光時間を個別に設定できるようにすればよい。

また、本実施形態では、透明基板Ｈ１側に電極（＋）及び正孔輸送層を配置し、発光層を挟んでその反対側に電子輸送層及び電極（−）を配置する構造としたが、この配置に限定される訳ではなく、透明基板Ｈ１側に電極（−）及び電子輸送層を配置し、発光層を挟んでその反対側に正孔輸送層及び電極（＋）を配置するようにしても良い。

次に、発光制御の一例について説明する。図１４は、実施形態に係るヘッド制御部ＨＣによる発光制御の一例を示すフローチャートである。

制御部３１は、ヘッド制御部ＨＣへ画像形成開始を指示する（ＡＣＴ１）。つまり、制御部３１は、ヘッド制御部ＨＣへプリントヘッドＨの発光を指示し、ヘッド制御部ＨＣのプロセッサＨＰは、第１の補正メモリＨ５５及び第２の補正メモリＨ５６からデータを読み出す（ＡＣＴ２）。ヘッド制御部ＨＣのプロセッサＨＰは、画像データＤに応じて各発光素子群Ｈ３０の発光と非発光を制御する。ヘッド制御部ＨＣのプロセッサＨＰは、発光対象の発光素子群Ｈ３０に対して第１の補正メモリＨ５５及び第２の補正メモリＨ５６から読み出したデータを出力する（ＡＣＴ３）。これにより、第１の補正メモリＨ５５及び第２の補正メモリＨ５６に図１０に示すようなデータが記憶されている場合には、発光対象の第１の発光素子Ｈ３１のそれぞれには一定の電流値が供給され、発光対象の第１の発光素子が発光し、また、発光対象の第２の発光素子Ｈ３２のそれぞれには光量のばらつきを補正するための電流値が供給され、発光対象の第２の発光素子Ｈ３２が発光する（ＡＣＴ４）。

次に、本実施形態のプリントヘッドの作用効果を説明する。
既に、感光体ドラム上における光強度（光量）やビーム径を均一にするために個々の発光素子に流す電流を発光素子毎に制御する（変化させる）と、それぞれの発光素子の劣化速度が変わってしまうことについて説明している。つまり、初期段階で感光体ドラム上における光強度（光量）やビーム径を均一に制御しても、各発光素子に流れる電流が異なれば、発光時間の増加とともに、光強度（光量）やビーム径にばらつきが生じる。即ち、長期間にわたって光強度（光量）やビーム径を均一に保ち、良好な画質を維持することは難しい。

図１５〜図２０は、上記現象を説明するための説明図であり、図３〜図７に示す多層化された発光層で構成されるプリントヘッドの比較例としての単一発光層で構成されるプリントヘッドに関する説明図である。

図１５は、単一発光層の発光素子により構成されるプリントヘッドの一例を示す図である。例えば、図１５に示すように、有機ＥＬ（ＯＬＥＤ）からなる発光素子Ｈ３１からの光が、透明基板Ｈ１、ロッドレンズアレイＨ２を通過して感光体ドラム１４を露光する。各発光素子に対して一定の電流値を供給すると、感光体ドラム１４上の光強度（光量）は均一にならない。

そこで、各発光素子に対して異なる電流値を供給して感光体ドラム１４上の光強度（光量）の均一化を図る。

この場合、各発光素子に対して供給される電流値によって各発光素子の劣化の割合は異なる。図１６は、時間の経過とともに変化する発光素子の出力する光強度（光量）の一例を示す図である。図１６において、横軸は発光素子の累積発光時間、縦軸は発光素子の光強度（光量）である。図１６は、発光素子に異なる電流を流した場合の光強度（光量）変化の様子を示す。それぞれ図１６のＣ１、Ｃ２で表す。

発光素子に流す電流が大きいと光強度（光量）は大きい。発光素子に流す電流が小さいと光強度（光量）は小さい。それぞれ継続して発光させると、大きな電流を流した発光素子の光強度（光量）低下率は大きく（Ｃ１）、小さな電流を流した発光素子の光強度（光量）低下率は小さい（Ｃ２）。

図１７は、発光素子を均一の電流で２０個の発光素子を発光させた時の各発光素子が出力するレンズ通過後の光強度（光量）の一例を示す図である。図１７に示すように、各発光素子を同じ電流で発光させても、レンズ通過後の光強度（光量）は一定ではない。発光素子とレンズの位置関係などによって、光透過効率が異なるからである。このようなレンズ通過後の発光強度（光量）にばらつきがある状態で画像を形成すると、画像に濃度ムラが生じる。濃度ムラの発生を避けるために、光量補正が行われる。

図１８は、単一発光層の発光素子により構成されるプリントヘッドの光量補正前の電流値と光量補正後の電流値の一例を示す図である。光量補正によりレンズ通過後の高い光強度（光量）に対応する発光素子に対する電流が減らされ、低い光強度（光量）に均一化される。例えば、発光素子Ｎｏ．５に流す電流を減らすことによって発光素子Ｎｏ．５の光強度（光量）を発光素子Ｎｏ．１０の光強度（光量）に合せる。

図１９は、単一発光層の発光素子により構成されるプリントヘッドの光量補正前の光量と光量補正後の光量の一例を示す図である。図１９に示すように、光量補正後の各発光素子からの光強度（光量）は、光量補正前の最も低い光強度（光量）に均一化される。

このようにして、光強度（光量）を揃えることによって濃度ムラの無い良好な画像を得ることができる。

しかしならが、上記光量補正では、累積発光時間とともに、大きな電流が流れる発光素子の劣化が小さな電流が流れる発光素子より早く進み、その結果、光量がばらつく。

図２０は、単一発光層の発光素子により構成されるプリントヘッドの光量補正後の累積発光時間に対する光強度（光量）の変化の様子を示す図である。先に説明したように。レンズ通過後の光強度（光量）が均一になるように、各発光素子に流す電流量を変えるので、例えば、Ｃ４やＣ５で示すように劣化の進み方が異なる発光素子が存在する。Ｃ４に比べ、Ｃ５の劣化が早い。Ｃ５が示す特性の発光素子に流れる電流はＣ４が示す特性を示す特性の発光素子に流れる電流よりも大きい。

図２０に示すように、初期のころには、同一レベルの光強度で発光していた発光素子も累積発光時間の増加と共に光強度（光量）がばらつくことになる。

各発光素子が、累積発光時間に応じて同じ特性で低下するのであれば、各発光素子の累積時間に応じて電流を変化させ、各発光素子の発光時間を揃えることで各発光素子の光強度（光量）を一定に維持することもできる。

しかしながら、初期の段階から各発光素子に流す電流が異なり、累積発光時間に対する光強度（光量）の低下具合も異なると、各発光素子の発光強度を揃えることは難しい。

対して、図１〜図１４を参照して説明した本実施形態の多層化された発光素子により構成されるプリントヘッドＨによれば、発光素子の多層化により各発光素子への電流値を所定値以上に増やさなくても光量不足を補うことができ、劣化の進み具合の差も少なくなる。

例えば、本実施形態のプリントヘッドＨにおいて、１層目の第１の発光素子Ｈ３１へ流す電流値を一定（例えば電流値ａ）にして、２層目の各第２の発光素子Ｈ３２へ流す電流値（例えば電流値ｂ）を感光体ドラム１４上の光強度（光量）に応じて変化させる（電流値ｂ＜電流値ａ）。つまり、１層目の第１の発光素子Ｈ３１の光量不足を、１層目の第１の発光素子Ｈ３１の電流値を所定値以上に増やさなくても、２層目の第２の発光素子Ｈ３２の光量で補うことができる。

或いは、２層目の各第２の発光素子Ｈ３２への電流値を一定（例えば電流値ａ）にして、１層目の各第１の発光素子Ｈ３１への電流値（例えば電流値ｂ）を感光体ドラム１４上の光強度（光量）に応じて変化させる（電流値ｂ＜電流値ａ）。つまり、２層目の第２の発光素子Ｈ３２の光量不足を、２層目の第２の発光素子Ｈ３２の電流値を所定値以上に増やさなくても、１層目の第１の発光素子Ｈ３１の光量で補うことができる。

或いは、１層目の各第１の発光素子Ｈ３１への電流値（電流値ｃ）、及び２層目の各第２の発光素子Ｈ３２への電流値（電流値ｄ）を感光体ドラム１４上の光強度（光量）に応じて変化させる。つまり、１層目の第１の発光素子Ｈ３１の光量と２層目の第２の発光素子Ｈ３２の光量とで光量不足を補うことができる。（電流値ｃ、電流値ｄとも一定ではない。）
上記の通り、発光素子の多層化により、光量補正のために電流値を所定値以上に増やさずに変化させているので、電流値変化による発光素子の劣化程度の影響を低くすることができる。つまり、各発光素子の劣化のばらつきを抑制することができる。

本発明のいくつかの実施形態をプリントヘッドとして説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。例えば、ディスプレイなどへ応用することが可能である。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
以下、本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］
透明基板と、
前記透明基板上に第１の発光素子と第２の発光素子が重なって形成される複数の発光素子群と、
前記複数の発光素子群の第１の発光素子および第２の発光素子の発光を制御する制御部と、
を備え、
前記複数の発光素子群が発光する光量が、均一であることを特徴とする発光基板。
［Ｃ２］
前記制御は、前記発光素子群の第１の発光素子および第２の発光素子を個別に制御することを特徴とするＣ１の発光基板。
［Ｃ３］
前記発光素子群の第１の発光素子および第２の発光素子は有機ＥＬであることを特徴とするＣ１又はＣ２の発光基板。
［Ｃ４］
透明基板と、
前記透明基板上に第１の発光素子と第２の発光素子が重なって形成される複数の発光素子群と、
前記各発光素子群の第１の発光素子および第２の発光素子からの重畳光を集光するレンズと、
前記複数の発光素子群の第１の発光素子および第２の発光素子の発光光量を制御する制御部と、
を備え、
前記レンズを通過した前記複数の発光素子群からの光量が、均一であることを特徴とするプリントヘッド。
［Ｃ５］
前記制御は、前記発光素子群の第１の発光素子および第２の発光素子の光量を個別に制御することを特徴とするＣ４のプリントヘッド。
［Ｃ６］
前記発光素子群の第１の発光素子および第２の発光素子は有機ＥＬであることを特徴とするＣ４又はＣ５記載のプリントヘッド。
［Ｃ７］
前記制御部は、前記発光素子群の第１の発光素子あるいは第２の発光素子の光量を制御するための光量制御用メモリを有することを特徴とするＣ４乃至Ｃ６の何れか１つに記載のプリントヘッド。
［Ｃ８］
Ｃ４乃至Ｃ７の何れか１つのプリントヘッドと、
感光体と、
前記感光体を帯電する帯電器と、
前記感光体上の潜像を現像する現像器と、
を備え、
前記プリントヘッドは、光を前記感光体に照射し、前記帯電器により帯電された前記感光体を露光し、前記感光体上に前記潜像を形成する画像形成装置。

１…画像形成装置
１１…画像読取部
１２…画像処理部
１３…画像形成部
１４…感光体ドラム
１５…帯電チャージャ
１６…現像器
１７…転写チャージャ
１８…剥離チャージャ
１９…クリーナ
２０…搬送ベルト
２１…排紙搬送ガイド
２２…定着装置
２３…排紙ローラ
３１…制御部
３２…ＲＯＭ
３３…ＲＡＭ
３４…不揮発性メモリ
３５…インタフェース
３６…入力部
３７…ページメモリ
Ｈ…プリントヘッド
ＨＣ…ヘッド制御部
Ｈ１…透明基板
Ｈ２…ロッドレンズアレイ
Ｈ３…発光素子列
Ｈ４…回路列
Ｈ５…制御回路
Ｈ６…コネクタ
Ｈ３０…発光素子群
Ｈ３１…第１の発光素子
Ｈ３１ａ…第１の正孔輸送層
Ｈ３１ｂ…第１の発光層
Ｈ３１ｃ…第１の電子輸送層
Ｈ３２…第２の発光素子
Ｈ３２ａ…第２の正孔輸送層
Ｈ３２ｂ…第２の発光層
Ｈ３２ｃ…第２の電子輸送層
Ｈ３４ａ…電極（＋）
Ｈ３４ｂ…絶縁層
Ｈ３４ｃ…電極（−）
Ｈ３４ｄ…絶縁層
Ｈ３４ｅ…電極（＋）
Ｈ３４ｆ…絶縁層
Ｈ３４ｇ…電極（−）
Ｈ４０…ＤＲＶ回路
Ｈ４１、Ｈ４２、Ｈ４３…コンデンサ
Ｈ５１、Ｈ５２…変換回路
Ｈ５３…セレクタ
Ｈ５４…アドレスカウンタ
Ｈ５５…第１の補正メモリ
Ｈ５６…第２の補正メモリ

Claims (6)

1. 透明基板と、
   前記透明基板上に第１の発光素子と第２の発光素子が重なって形成される複数の発光素子群と、
   前記複数の発光素子群の第１の発光素子および第２の発光素子の発光を制御する制御部と、
   を備え、
   前記制御部は、
   前記第１の発光素子に電流を流す第１の駆動回路と、
   前記第２の発光素子に電流を流す第２の駆動回路と、
   前記第１の駆動回路が前記第１の発光素子に流す電流値を記憶する第１のメモリと、
   前記第２の駆動回路が前記第２の発光素子に流す電流値を記憶する第２のメモリと、
   を備え、
   前記制御部は、前記第１および第２のメモリに記憶した電流値によって前記第１の発光素子および前記第２の発光素子の発光強度を個別に制御することによって、前記発光素子群の前記第１の発光素子および前記第２の発光素子のうち前記透明基板に近い前記第１の発光素子に対して、前記第２の発光素子より大きな電流を流し、前記複数の発光素子群が発光する光量を均一にすることを特徴とする発光基板。
2. 前記発光素子群の第１の発光素子および第２の発光素子は有機ＥＬであることを特徴とする請求項１の発光基板。
3. 透明基板と、
   前記透明基板上に第１の発光素子と第２の発光素子が重なって形成される複数の発光素子群と、
   前記各発光素子群の第１の発光素子および第２の発光素子からの重畳光を集光するレンズと、
   前記複数の発光素子群の第１の発光素子および第２の発光素子の発光光量を制御する制御部と、
   を備え、
   前記制御部は、
   前記第１の発光素子に電流を流す第１の駆動回路と、
   前記第２の発光素子に電流を流す第２の駆動回路と、
   前記第１の駆動回路が前記第１の発光素子に流す電流値を記憶する第１のメモリと、
   前記第２の駆動回路が前記第２の発光素子に流す電流値を記憶する第２のメモリと、
   を備え、
   前記制御部は、前記第１および第２のメモリに記憶した電流値によって前記第１の発光素子および前記第２の発光素子の発光強度を個別に制御することによって、前記発光素子群の前記第１の発光素子および前記第２の発光素子のうち前記透明基板に近い前記第１の発光素子に対して、前記第２の発光素子より大きな電流を流し、前記レンズ通過後の前記複数の発光素子群が発光する光量を均一にすることを特徴とするプリントヘッド。
4. 前記発光素子群の第１の発光素子および第２の発光素子は有機ＥＬであることを特徴とする請求項３のプリントヘッド。
5. 請求項３又は４のプリントヘッドと、
   感光体と、
   前記感光体を帯電する帯電器と、
   前記感光体上の潜像を現像する現像器と、
   を備え、
   前記プリントヘッドは、光を前記感光体に照射し、前記帯電器により帯電された前記感光体を露光し、前記感光体上に前記潜像を形成する画像形成装置。
6. 前記第１のメモリは、各第１の発光素子に流す一定値を記憶し、
   前記第２のメモリは、各第２の発光素子に流す補正値を記憶することを特徴とする請求項１の発光基板。

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