JP6965018B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Description
21 チャックテーブル
23 保持面
46 支持基台
47 研磨パッド
48 研磨工具
61 研磨用アルカリ溶液供給源
62 純水供給源
63 ゲッタリング用微粒子供給源A
64 ゲッタリング用微粒子供給源B
65、66、67、68 バルブ
70 制御部
T 保護テープ(保護部材)
W ウエーハ
W1 (ウエーハの)表面
W2 (ウエーハの)裏面
Claims (1)
- シリコン基板の表面にデバイスが形成されたウエーハの裏面に金属イオンの誘導を規制するゲッタリング層を形成するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を貼着し、チャックテーブルの保持面に該保護部材側を保持するウエーハ保持工程と、
研磨パッドにpH10以上12以下のアルカリ溶液を供給しつつ、シリコンと固相反応を誘発する固相反応微粒子を不織布に含浸させ乾燥してなる研磨パッドを回転するとともに該チャックテーブルを回転させながら該研磨パッドによってウエーハの裏面を研磨することによりウエーハの裏面から歪層を除去する歪層除去工程と、
該歪層除去工程を実施した後に、該アルカリ溶液の供給を停止して該研磨パッドに純水及びシリコンよりモース硬度が高く研磨面にゲッタリング層を形成するゲッタリング用微粒子を供給しつつ、該研磨パッドを回転するとともに該チャックテーブルを回転させながら該研磨パッドによってウエーハの裏面を研磨することにより裏面に傷を付けてゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程と、を含み、
該ゲッタリング層形成工程の実施前に、各ウエーハの結晶欠陥を含むウエーハ種類及び/又はウエーハ厚み情報に基づくゲッタリング用微粒子の粒径及び供給量をウエーハID毎に制御部で記憶しておき、
該ゲッタリング層形成工程においては、該制御部によって該ウエーハIDに応じてゲッタリング用微粒子の粒径及び供給量を制御して供給すること、を特徴とするウエーハの加工方法。
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