JP6946166B2 - 研磨装置および研磨方法 - Google Patents
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上流側で前記被研磨物の研磨を行う第1研磨ユニットと、
下流側で前記被研磨物の研磨を行う第2研磨ユニットと、
前記被研磨物に作用させるためのCMP研磨スラリーの新液を前記第2研磨ユニットに供給する新液スラリーノズルと、
前記第2研磨ユニットでの研磨に用いられた前記CMP研磨スラリーの旧液の回収機構と、
回収した前記CMP研磨スラリーの旧液を前記第1研磨ユニットに供給する旧液スラリーノズルと、
を備える。
上流側で前記被研磨物の研磨を行う第1研磨ユニットと、
下流側で前記被研磨物の研磨を行う第2研磨ユニットと、
前記被研磨物に作用させるためのCMP研磨スラリーの新液を前記第2研磨ユニットに供給する新液スラリーノズルと、
前記第2研磨ユニットでの研磨に用いられた前記CMP研磨スラリーの旧液の回収機構と、
回収した前記CMP研磨スラリーの旧液を前記第1研磨ユニットに供給する旧液スラリーノズルと、
を備える。
前記CMP研磨スラリーの旧液の過酸化水素濃度を所定の濃度に調整する濃度調整ユニットと、
を更に備えてもよい。
前記CMP研磨スラリーの旧液の前記金属イオン成分が300g/Lを超えた場合に回収した前記CMP研磨スラリーの旧液を廃棄する廃棄機構と、
を更に備えてもよい。
以下、本開示の実施の形態1に係る研磨装置100について、図1にて説明する。
図1は、本開示の実施の形態1に係る研磨装置100の構成を示した概略図である。この研磨装置100は、研磨剤と水などからなるCMP研磨スラリーを用いて、例えば、被研磨物101であるフィルム表面の金属箔を研磨するとともに、研磨後の研磨スラリーを回収して再利用する研磨装置である。この研磨装置100は、研磨スラリーが付着した連続するシート状被研磨物101を矢印の方向に搬送する搬送手段102と、上流側の第1研磨ユニット103と、下流側の第2研磨ユニット104と、から構成される。第1研磨ユニット103および第2研磨ユニット104は、それぞれ第1及び第2研磨工具105,108と、第1及び第2エアーノズル106,109と、第1及び第2シュート107,110と、を備える。第1及び第2研磨工具105,108によって、搬送されたシート状被研磨物101の表面の金属箔を研磨する。第1及び第2エアーノズル106,109によって、搬送手段102により搬送される連続するシート状被研磨物101に対して表面に付着している研磨後のCMP研磨スラリーをシート状被研磨物101の表面から除去する。第1及び第2シュート107,110によって、搬送手段の下方に配置され前記圧縮エアーにより前記フィルム101から除去された研磨スラリーを受け止めて回収する。また、研磨スラリーを供給する方法として、本研磨装置100は、研磨スラリーの新液を定量供給するための研磨スラリー新液送液ポンプ111と、回収された研磨スラリーの旧液(スラリー廃液)を再度、定量送液するための研磨スラリー旧液送液ポンプ112と、を備える。
図4は、実施の形態2に係るフィルムの研磨装置100aの構成を示した概略図である。この研磨装置100aは、実施の形態1に係る研磨装置と対比すると、濃度測定ユニット400と、濃度調整ユニット410と、を備える点で相違する。濃度測定ユニット400によって、回収した研磨スラリーの旧液の過酸化水素濃度を測定する。濃度調整ユニット410によって、研磨スラリーの旧液の過酸化水素濃度を所定の濃度に調整する。
濃度調整ユニット410は、例えば、研磨スラリー旧液タンク401と、ポンプ406と、攪拌する撹拌プロペラ407とを含む。研磨スラリー旧液タンク401によって、前述の第2研磨ユニット104で回収された研磨スラリーの旧液(スラリー廃液)を一時貯蔵する。濃度測定ユニット400によって、研磨スラリーの旧液の過酸化水素濃度が所定濃度未満であると検出すると、ポンプ406によって一時貯蔵した研磨スラリー旧液タンク401に過酸化水素水を定量供給する。
濃度測定ユニット400は、例えば、滴定用タンク403と、ポンプ404と、酸化還元電位測定ユニット405と、を含む。滴定用タンク403には、測定用に定量を分けるポンプ402によって研磨スラリー旧液タンク401から定量分の研磨スラリーの旧液が取り分けられる。また、滴定用タンク403に、滴定試薬を定量供給するポンプ404が設けられている。酸化還元電位測定ユニット405は、滴定用タンク403に浸けられており、滴定判断するための酸化還元電位を測定する。また、濃度測定ユニット400では、測定した酸化還元電位に基づいて研磨スラリーの旧液の過酸化水素濃度を算出する計算部を含んでもよい。この計算部は、例えば、コンピュータ、具体的にはCPUによって実現してもよい。なお、ポンプ402は、濃度測定ユニット400に含んでもよい。
上記各部材から構成される中間処理槽が前述のパイプライン中に設置されている。
図7は、実施の形態3に係る研磨装置100bの構成を示した概略図である。この研磨装置100bは、実施の形態1に係る研磨装置と対比すると、金属イオン測定ユニット700と、廃棄機構710と、をさらに備える点で相違する。金属イオン測定ユニット700によって、回収したCMP研磨スラリーの旧液中の金属を構成する金属イオン成分を測定する。廃棄機構710によって、CMP研磨スラリーの旧液の金属イオン成分が300g/Lを超えた場合に回収したCMP研磨スラリーの旧液を廃棄する。
廃棄機構710は、例えば、研磨スラリー旧液タンク701と、廃液ポンプ706と、を含む。研磨スラリー旧液タンク701によって、前述の第2研磨ユニット104で回収された研磨スラリーの旧液を一時貯蔵する。金属イオン測定ユニット700によって、CMP研磨スラリーの旧液の金属イオン成分が300g/Lを超えたことが検出されると、廃液ポンプ706によって、研磨スラリー旧液タンク701から廃液タンク707に送液する。
金属イオン測定ユニット700は、例えば、滴定用タンク703と、ポンプ704と、酸化還元電位測定ユニット705と、を含む。滴定用タンク703には、測定用に定量を分けるポンプ702によって研磨スラリー旧液タンク701から定量分の研磨スラリーの旧液が取り分けられる。また、滴定用タンク703に滴定試薬を定量供給するポンプ704が設けられている。酸化還元電位測定ユニット705は、滴定用タンク703に浸けられており、滴定判断するための酸化還元電位を測定する。また、金属イオン測定ユニット700では、測定した酸化還元電位に基づいて研磨スラリーの旧液の金属イオン成分を算出する計算部を含んでもよい。この計算部は、例えば、コンピュータ、具体的にはCPUによって実現してもよい。なお、ポンプ702は、金属イオン測定ユニット700に含んでもよい。
上記各部材から構成される中間処理槽が前述のパイプライン中に設置されている。
101 シート状被研磨物
102 フィルム搬送手段
103 第1研磨ユニット
104 第2研磨ユニット
105 第1研磨工具
106 第1エアーノズル
107 第1シュート
108 第2研磨工具
109 第2エアーノズル
110 第2シュート
111 研磨スラリー新液送液ポンプ
112 研磨スラリー旧液送液ポンプ
400 濃度測定ユニット
401 研磨スラリー旧液タンク
402 ポンプ
403 滴定用タンク
404 ポンプ
405 酸化還元電位測定ユニット
406 ポンプ
407 攪拌プロペラ
410 濃度調整ユニット
700 金属イオン測定ユニット
701 研磨スラリー旧液タンク
702 ポンプ
703 滴定用タンク
704 ポンプ
705 酸化還元電位測定ユニット
706 廃液ポンプ
707 廃液タンク
710 廃棄機構
Claims (6)
- 表面に金属を有するシート状の被研磨物を上流から下流に送りながら前記被研磨物の前記表面の金属を連続研磨する研磨装置であって、
上流側で前記被研磨物の研磨を行う第1研磨ユニットと、
下流側で前記被研磨物の研磨を行う第2研磨ユニットと、
前記被研磨物に作用させるためのCMP研磨スラリーの新液を前記第2研磨ユニットに供給する新液スラリーノズルと、
前記第2研磨ユニットでの研磨に用いられた前記CMP研磨スラリーの旧液の回収機構と、
回収した前記CMP研磨スラリーの旧液を前記第1研磨ユニットに供給する旧液スラリーノズルと、
を備える、研磨装置。 - 回収した前記CMP研磨スラリーの旧液の過酸化水素濃度を測定する濃度測定ユニットと、
前記CMP研磨スラリーの旧液の過酸化水素濃度を所定の濃度に調整する濃度調整ユニットと、
を更に備える請求項1に記載の研磨装置。 - 過酸化水素の前記所定の濃度は、0.5wt%以上かつ0.82wt%以下である、請求項2に記載の研磨装置。
- 回収した前記CMP研磨スラリーの旧液中の前記金属を構成する金属イオン成分を測定する金属イオン測定ユニットと、
前記CMP研磨スラリーの旧液の前記金属イオン成分が300g/Lを超えた場合に回収した前記CMP研磨スラリーの旧液を廃棄する廃棄機構と、
を更に備える、請求項1から3のいずれか一項に記載の研磨装置。 - 前記金属は、銅で構成される、請求項1から4のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 請求項1から5のいずれか一項に記載の前記研磨装置を用いて、被研磨物の研磨を行う研磨方法。
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JP2001260006A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 研磨剤調整装置及び研磨剤調整方法 |
JP2002011663A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版用支持体の製造方法及び製造装置 |
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TW200916261A (en) * | 2007-09-07 | 2009-04-16 | Cabot Microelectronics Corp | CMP sensor and control system |
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CN202742186U (zh) * | 2012-07-13 | 2013-02-20 | 四川天宏不锈钢有限责任公司 | 金属制件连续表面处理装置 |
CN104175211B (zh) * | 2014-08-20 | 2016-08-24 | 上海华力微电子有限公司 | 一种防止化学机械研磨时微观刮伤的研磨方法 |
US10350728B2 (en) * | 2014-12-12 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | System and process for in situ byproduct removal and platen cooling during CMP |
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