JP6936739B2 - 超平坦化スピン‐オンカーボン材料 - Google Patents
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Description
(関連出願)
本願は、2015年6月22日提出の、SUPERPLANARIZING SPIN−ON CARBON MATERIALS(超平坦化スピン‐オンカーボン材料)と題した米国特許仮出願番号第62/183,046号の優先権の利益を主張するものであり、その全体を参照して本明細書に援用する。
本発明は広く、ビアまたはトレンチを充填する組成物および方法、ならびに平坦化フォトリソグラフィ構造体に関する。
半導体デバイスのフォトリソグラフィには、互いに重なった複数の層をパターニングすることが含まれる。各層が堆積され、パターニングされるため、均一で平坦な材料の層をその上に堆積させることは、特に高いアスペクト比や大きなトレンチまたはビアを有するパターンでは、重要かつますます困難なものとなっている。これらの構造体を平坦化する一つの方法は、平坦な上面を得るために、構造体に対して材料を厚くオーバーコートすることである。しかしながら、大量の材料(および結果として生じる過剰な被覆)は、その後の処理工程に望ましくない。他の平坦化材料およびプロセスでは、構造体の上に余分な平坦化材料を残さずに、これらの種々の構造体に対して平坦化を達成させるために、リフロー焼成、化学機械研磨(CMP)、または化学デベロップバック、もしくはプラズマエッチバックの複数の工程が必要とされる。
1.化合物
本発明において使用する組成物は、溶剤系に溶解または分散される化合物を含む。上記化合物は、保護基によって保護されていた部位(例えば、‐OH基、これにはカルボン酸基の一部である‐OH基が含まれる)を含有する。
好ましい溶剤系としては、PGMEA、PGME、PnP、EAA、MIAK、MIBC、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、乳酸エチル、およびそれらの混合物からなる群から選択される溶剤が挙げられる。溶剤系は、約50℃〜約250℃、より好ましくは約150℃〜約200℃の沸点を有するべきである。
別の実施形態において、別個の架橋剤が含まれてもよい。ポリマーの実施形態において、このことは、繰り返しモノマー(III)に加えて起こり得るが、ポリマーが繰り返しモノマー(III)を含まない例において起こる可能性が高い。小分子の実施形態においては、別個の架橋剤が通常必要となる。
実施形態に関わらず、組成物は、化合物(ポリマーまたは小分子)と上述したようなその他の成分を、溶剤系に、好ましくは周囲条件で、実質的に均質な分散液を形成するのに十分な時間、単に分散または溶解させることによって形成される。組成物の合計重量を100wt%とした場合、溶剤系は、約70wt%〜約99wt%、より好ましくは約80wt%〜約98wt%、さらに好ましくは約90wt%〜約96wt%のレベルで利用されるべきである。よって、組成物の合計重量を100wt%とした場合、組成物中の固形分パーセントは、約1wt%〜約30wt%、より好ましくは約2wt%〜約20wt%、更に好ましくは約4wt%〜約10wt%となる。組成物中の固形分の合計重量を100wt%とした場合、化合物は、約50wt%〜約100wt%、より好ましくは約60wt%〜約100wt%、更に好ましくは約70wt%〜約100wt%のレベルで組成物中に存在すべきである。他の成分が含まれる例においては、前述したように、上述の範囲に記載される100%の最大化合物レベルは、他の成分の重量%範囲によって減ることになる。
図2および図3を参照すると、発明の方法には、発明による組成物を基板24の表面22に、基板表面22上にその組成物の層26を形成するように、(例えば、スピンコーティングによって)塗布することが含まれる。利用される基板は、形態(topography)28(例えば、コンタクトホール、ビアホール、隆起した形状および/またはトレンチ)を含むことが好ましいだろう。この形態は基板表面22上に直接含めることもでき、もしくは基板表面22上に形成された他の材料の1以上の層(図示せず)に含めることもできる。図2および図3に概略的に描写されているように、表面22は開口エリア領域30および密集領域32の両方を有している。
剥離率(%)=(剥離量/初期の平均膜厚)×100
PGME中でのコポリマーの合成
35.510gのスチレン(シグマアルドリッチ、ミズーリ州セントルイス)、75.104gのp‐tert‐ブトキシ‐カルボニルオキシスチレン(TBSM)(ヘレウス、オハイオ州ヴァンダリア)、13.363gの1‐ドデカンチオール(シグマアルドリッチ、ミズーリ州セントルイス)、および6.324gの2,2´‐アゾビス(2‐メチルプロピオニトリル)(AIBN)(Arkalon Chemical Technologies,LLC,コネチカット州メリデン)を、270.37gのPGME(KMG Electronic Materials, Inc.,テキサス州ヒューストン)中に溶解させて溶液を作製した。その溶液を窒素下で機械的撹拌をしながら70℃で加熱した。70℃で12時間重合させた。固形分含有量%は、30.8%であった。GPCによって、コポリマーの重量平均分子量Mwが5870ダルトンであり、数平均分子量Mnが1350ダルトンであることが示された。コポリマーの構造を以下に示す。
コーティング製剤
この手順では、実施例1で合成したコポリマー溶液29.302gを、6.032gのMY721(N,N,N´,N´‐テトラグリシジル−4,4´‐メチレンビスベンゼンアミン)溶液(PGME中50%)(KMG Electronic Materials, Inc.,テキサス州ヒューストン)と混合した。その混合物を、34.776gのPGMEおよび30.000gのPGMEA(Ultra Pure Solutions, Inc.,カリフォルニア州カストロヴィル)中に溶解させた。その溶液を、0.1μmPTFEメンブレンフィルターを通して濾過した。
ビア充填試験
実施例2の溶液を、幅が220nmで深さが700nmであるビアを含むチップ上に、1,500rpmで60秒間スピンコーティングした。そのチップを240℃で60秒間焼成した。チップはSEMで検査した。結果は、開口エリアと密集ビアエリアの間に、わずかに負の偏り(−5nm)を有して、ビアが完全に充填されていることを示していた(図4)。焼成中に接触角も測定し、焼成時間に対する接触角の変化(減少)を図5に示す。
コーティング製剤
この例においては、本明細書中に援用される米国特許出願No.2009/0035590 A1の実施例1で調製される母液溶液(TBSMとの4‐ビニルピリジンのコポリマー、Mwが約30,000)4.00gを、3.07gのPGMEおよび2.93gのPGMEA中に溶解させた。その溶液を、0.1μmのPTFEメンブレンフィルターを通して濾過した。
ビア充填試験
比較例1の溶液を、幅が220nmで深さが700nmであるビアを含むチップ上に、1,500rpmで60秒間スピンコーティングした。そのチップを205℃で60秒間焼成した。チップはSEMで検査した。結果は、開口エリアと密集ビアエリアの間に、大きな偏り(108nm)を有して、ビアが完全に充填されていることを示していた(図6)。
コーティング製剤
この例では、実施例1で合成したコポリマー溶液66.75gを、13.76gのMY721溶液(PGME中50%)と混合した。その混合物を、277.82gのPGMEおよび141.77gのPGMEA中に溶解させた。その溶液を、0.1μmのPTFEメンブレンフィルターを通して濾過した。
トレンチ充填試験
実施例4の溶液を、幅が60nmで深さが200nmであるトレンチを含むチップ上に、1,500rpmで60秒間スピンコーティングした。そのチップを240℃で60秒間焼成した。チップはSEMで検査した。結果は、開口エリアと密集トレンチエリアの間に、わずかに正の偏り(10nm)を有して、トレンチが完全に充填されていることを示していた(図7)。
トレンチ充填試験
実施例4の溶液を、幅が20nmで深さが200nmであるトレンチを含むチップ上に、1,500rpmで60秒間スピンコーティングした。そのチップを240℃で60秒間焼成した。チップはSEMで検査した。結果は、開口エリアと密集トレンチエリアの間に、わずかに正の偏り(18nm)を有して、トレンチが完全に充填されていることを示していた。
PGMEA中でのコポリマーの合成
38.504gのスチレン、81.516gのp‐tert‐ブトキシ‐カルボニルオキシスチレン(ヘレウス、オハイオ州ヴァンダリア)、および18.015gの2,2´‐アゾビス(2‐メチルプロピオニトリル)(AIBN)を、262.0gのPGME中に溶解させて溶液を作製した。その溶液を、窒素下で機械的撹拌をしながら70℃で加熱した。75℃で12時間、続いて100℃で1時間重合させた。固形分含有量%は、35.7%であった。GPCにより、コポリマーの重量平均分子量Mwが5914ダルトンであり、数平均分子量Mnが2694ダルトンであることが示された。
ビア充填試験
実施例8の溶液を、幅が220nmで深さが700nmであるビアを含むチップ上に、1,500rpmで60秒間スピンコーティングした。そのチップを240℃で60秒間焼成した。チップはSEMで検査した。結果は、開口エリアと密集ビアエリアの間に、わずかに正の偏り(8nm)を有して、ビアが完全に充填されていることを示していた。
PGMEA中でのコポリマーの合成
38.504gのスチレン、81.521gのp‐tert‐ブトキシ‐カルボニルオキシスチレンおよび12.085gの2,2´‐アゾビス(2‐メチルブチロニトリル)を、268.80gのPGMEA中に溶解させて溶液を作製した。その溶液を、窒素下で機械的撹拌をしながら78℃で加熱した。78℃で12時間、続いて100℃で2時間重合させた。固形分含有量%は、37.8%であった。GPCにより、その重量平均分子量Mwが9359ダルトンであり、数平均分子量Mnが4237ダルトンであることが示された。
コーティング製剤
この例では、比較例3で合成した4.762gのコポリマー溶液を、1.210gのMY721(N,N,N´,N´‐テトラグリシジル−4,4´‐メチレンビスベンゼンアミン)溶液(PGME中50%)と混合した。その混合物を14.043gのPGMEA中に溶解させた。その溶液を、0.1μmのPTFEメンブレンフィルターを通して濾過した。
ビア充填試験
比較例4の溶液を、幅が220nmで深さが700nmであるビアを含むチップ上に、1,500rpmで60秒間スピンコーティングした。そのチップを240℃で60秒間焼成した。チップはSEMで検査した。結果は、開口エリアと密集ビアエリアの間に、大きな偏り(112nm)を有して、ビアが完全に充填されていることを示していた。
PGMEA中でのコポリマーの合成
42.601gのグリシジルメタクリレート、66.224gのp‐tert‐ブトキシ‐カルボニルオキシスチレン(ヘレウス、オハイオ州ヴァンダリア)、2.163gの2,2´‐アゾビス(2,4‐ジメチルバレロニトリル)(VAZO 52)、1.038gの1‐ドデカンチオール、および6.371gのtert‐ドデシルメルカプタンを、242.22gのPGMEA中に溶解させて溶液を作製した。その溶液を、窒素下で機械的撹拌をしながら52℃で加熱した。52℃で48時間重合させた。固形分含有量%は、32.7%であった。GPCにより、コポリマーの重量平均分子量Mwが6117ダルトンであり、数平均分子量Mnが3308ダルトンであることが示された。
コーティング製剤
この例では、実施例10で合成したコポリマー溶液3.680gを、16.320gのPGMEAで希釈した。その溶液を、0.1μmのPTFEメンブレンフィルターを通して濾過した。
トレンチ充填試験
実施例11の溶液を、幅が150nmで深さが200nmであるトレンチを含むチップ上に、1,500rpmで60秒間スピンコーティングした。そのチップを230℃で60秒間焼成した。チップはSEMで検査した。結果は、開口エリアと密集トレンチエリアの間に、わずかに正の偏り(20nm)を有して、トレンチが完全に充填されていることを示していた。
t‐BOC‐保護シアヌレート誘導体1の合成
9.45gの二炭酸ジ‐tert‐ブチルおよび0.050gのピリジンを、25gの3,7‐ジヒドロキシ‐2‐ナフトエ酸‐グラフト化1,3,5‐tris(2,3‐エポキシプロピル)イソシアヌレート(ブルーワーサイエンス、ミズーリ州ローラ)中に溶解させて溶液を作製した。その溶液を、窒素下、マグネチックスターラーで撹拌しながら70℃で加熱した。70℃で7時間反応させた。生成した小分子は以下の構造を有していた。
コーティング製剤
この手順では、27.14gのPGME/PGMEA(7:3w/w)中で、実施例13で合成した変性シアヌレート誘導体5gを、0.76gのMY721(N,N,N´,N´‐テトラグリシジル‐4,4´‐メチレンビスベンゼンアミン)溶液(PGME中50%)と混合した。その溶液を、0.1μmのPTFEメンブレンフィルターを通して濾過した。
トレンチ充填試験
実施例14の溶液を、幅が60nmで深さが200nmであるトレンチを含むチップ上に、1,500rpmで60秒間スピンコーティングした。そのチップを205℃で60秒間焼成した。チップはSEMで検査した。結果は、開口エリアと密集トレンチエリアの間に偏りなく、トレンチが完全に充填されていることを示していた。
t‐BOC‐保護シアヌレート誘導体2の合成
3.8gの二炭酸ジ‐tert‐ブチルおよび0.015gのピリジンを、10gの4‐ヒドロキシ安息香酸‐および4‐シアノ安息香酸‐グラフト化tris(2,3‐エポキシプロピル)イソシアヌレート(ブルーワーサイエンス、ミズーリ州ローラ)中に溶解させて溶液を作製した。その溶液を、窒素下、マグネチックスターラーで撹拌しながら70℃で加熱した。70℃で7時間反応させた。生成した小分子は以下の構造を有していた。
コーティング製剤
この例では、7.9gのPGME/PGMEA(7:3w/w)中で、実施例16で合成した変性シアヌレート誘導体2.19gを、0.46gのMY721(N,N,N´,N´‐テトラグリシジル‐4,4´‐メチレンビスベンゼンアミン)溶液(PGME中50%)と混合した。その溶液を、0.1μmのPTFEメンブレンフィルターを通して濾過した。
トレンチ充填試験
実施例17の溶液を、幅が60nmで深さが200nmであるトレンチを含むチップ上に、1,500rpmで60秒間スピンコーティングした。そのチップを205℃で60秒間焼成した。チップはSEMで検査した。結果は、開口エリアと密集トレンチエリアの間に偏りなく、トレンチが完全に充填されていることを示していた。
t‐BOC‐保護ポリイミド1の合成
0.5gの4,4´‐(9‐フルオレニリデン)ジアニリン(シグマアルドリッチ、ミズーリ州セントルイス)、0.615gの3‐ヒドロキシ‐1,8‐ナフタル酸無水物(TCIアメリカ、オレゴン州ポートランド)、21.13gのPGME、および2gの4‐Åモレキュラーシーブ(3〜5mmビーズ、Alfa Aesar、マサチューセッツ州ワードヒル)を、100mLのフラスコ中で溶解させることによって、溶液を作製した。その溶液を、予熱したオイルバスにおいて、160℃で8時間加熱した。その反応状態を70℃まで冷まし、0.60gの二炭酸ジ‐tert‐ブチル(Alfa Aesar、マサチューセッツ州ワードヒル)を加え、70℃で7時間、反応状態を維持した。その反応状態を室温まで冷ました後に、生成物を集めた。
コーティング製剤
この手順では、実施例19で合成したポリイミド20gを、0.4gのMY721(N,N,N´,N´‐テトラグリシジル‐4,4´‐メチレンビスベンゼンアミン)溶液(PGME中50%)と、60mlのボトル中で混合した。その溶液を、0.1μmのPTFEメンブレンフィルターを通して濾過した。
t‐BOC‐保護ポリイミド2の合成
0.55gの4,4´‐(4,4´‐イソプロピリデンジフェノキシ)ビス(フタル酸無水物)(シグマアルドリッチ、ミズーリ州セントルイス)、0.5gの2−アミノ‐3‐ヒドロキシアントラキノン(TCIアメリカ、オレゴン州ポートランド)、19.76gのPGME、および2gの4‐Åモレキュラーシーブを、100mLのフラスコ中で溶解させることによって、溶液を作製した。その溶液を、予熱したオイルバスにおいて、160℃で8時間加熱した。その反応状態を70℃まで冷まし、0.410gの二炭酸ジ‐tert‐ブチルを加え、70℃で7時間、反応状態を維持した。その反応状態を室温まで冷ました後に、生成物を集めた。
コーティング製剤
この手順では、実施例21で合成したポリイミド20gを、0.4gのMY721(N,N,N´,N´‐テトラグリシジル‐4,4´‐メチレンビスベンゼンアミン)溶液(PGME中50%)と、60mlのボトル中で混合した。その溶液を回転盤上で1時間回転させ、次に0.1μmのPTFEメンブレンフィルターを通して濾過した。
Claims (45)
- 基板表面上に平坦化組成物の初期層を形成する工程であって、前記基板表面には開口部が形成されており、前記開口部は、20nm〜220nmの幅と、700nmまでの深さを有し、前記平坦化組成物は、溶剤系に分散または溶解された化合物を含み、前記化合物は保護基を含み、前記初期層は、初期の正の偏りを有する、工程と、
前記初期層を120℃〜260℃で、30秒〜120秒間加熱する工程であって、加熱する間に、脱保護化合物を生成するため、前記保護基が前記化合物から除去され始め、前記脱保護化合物が架橋して最終平坦化層を形成し、前記最終平坦化層は、前記加熱後デベロップ‐バック工程なしで形成され、前記初期の偏り未満であり、30nm未満である最終の偏りを有する、工程とを含み、
前記初期の偏りおよび最終の偏りは、それぞれ、表面エリアが50%以上ビアホールで充填された、もしくはライン:スペース比が1:1である基板の一部として規定される密集領域にわたる前記初期層または最終平坦化層の平均厚さを、20%未満の表面エリアがビアホールで充填された、もしくはライン:スペース比が1:5である基板の一部として規定される開口エリア領域にわたる同じ層の平均厚さから減ずることによって算出される、平坦化層を形成する方法。 - 前記化合物がポリマーおよび小分子からなる群から選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記化合物は、前記保護基を有する繰り返しモノマー(I)を含むポリマーである、請求項2に記載の方法。
- 前記化合物は、前記加熱する工程の前に初期の極性を有し、前記加熱する工程の間に、前記生成した脱保護化合物は、前記初期の極性よりも極性がある第2の極性を有する、請求項1に記載の方法。
- 下前記最終平坦化層を形成するため、または追加の平坦化層を形成するために、追加または別個のコーティング工程または加熱する工程は行われない、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも50%の前記保護基が、30秒の加熱の後に除去される、請求項1に記載の方法。
- 前記架橋は、前記保護基の除去開始後、少なくとも5秒に至るまで開始しない、請求項1に記載の方法。
- 前記架橋は、前記保護基の除去開始後、少なくとも5秒に至るまで開始しない、請求項6に記載の方法。
- 前記化合物は、前記保護基によって保護されていたヒドロキシ基を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記化合物は、前記保護基によって保護されていたヒドロキシ基を含む繰り返しモノマー(I)を含むポリマーである、請求項9の方法。
- 前記加熱する工程中に除去される前記保護基が、脱保護ヒドロキシ基を生成する、請求項9の方法。
- 前記脱保護ヒドロキシ基は、前記加熱する工程中に架橋される、請求項11に記載の方法。
- 前記ポリマーが更に、繰り返しモノマー(II)を含む、請求項3に記載の方法。
- 前記ポリマーが更に繰り返しモノマー(III)を含み、前記繰り返しモノマー(III)は、前記保護基の除去後、前記繰り返しモノマー(I)と架橋可能な官能基を含む、請求項3の方法。
- 前記繰り返しモノマー(I)は、前記保護基によって保護されていた各ヒドロキシ基を含み、前記保護基は、前記加熱する工程中に除去されて、前記加熱する工程中に前記繰り返しモノマー(III)と架橋する脱保護ヒドロキシ基を生成する、請求項15に記載の方法。
- 前記平坦化組成物が更に、架橋剤を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記化合物は、前記保護基によって保護されていた各ヒドロキシ基を含み、前記保護基は、前記加熱する工程中に除去されて、前記加熱する工程中に前記架橋剤と架橋する脱保護ヒドロキシ基を生成する、請求項17に記載の方法。
- 前記ポリマーが更に、繰り返しモノマー(II)および(III)を含む、請求項3に記載の方法。
- 前記ポリマーが更に、繰り返しモノマー(II)を含み、前記平坦化組成物が更に、架橋剤を含む、請求項3に記載の方法。
- 表面に20nm〜220nmの幅と、700nmまでの深さの開口部が形成されている基板と、
前記基板の表面に隣接し、前記開口部に均一に堆積した平坦化層とを含み、前記平坦化層は、繰り返しモノマー(I)を含む架橋ポリマーを含み、前記ポリマーは、前記繰り返しモノマー(I)上の各ヒドロキシ基によって架橋され、前記平坦化層は、30nm未満の偏りを有し、150nm未満の平均厚さを有し、
前記偏りは、表面エリアが50%以上ビアホールで充填された、もしくはライン:スペース比が1:1である基板の一部として規定される密集領域にわたる前記平坦化層の平均厚さを、20%未満の表面エリアがビアホールで充填された、もしくはライン:スペース比が1:5である基板の一部として規定される開口エリア領域にわたる同じ層の平均厚さから減ずることによって算出される、平坦化構造体。 - 前記繰り返しモノマー(I)は、ビニルフェノール、フェノール、クレゾール、ビニルアルコール、アリルアルコール、ヒドロキシアルキルアクリレート、ヒドロキシアルキルメタクリレート、アクリル酸、メタアクリル酸、ビニル安息香酸、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項21に記載の構造体。
- 前記ポリマーが更に、繰り返しモノマー(II)を含む、請求項21に記載の構造体。
- 前記ポリマーが更に、繰り返しモノマー(III)を含み、前記繰り返しモノマー(III)は、前記繰り返しモノマー(I)上の前記ヒドロキシ基と架橋している官能基を含む、請求項21に記載の構造体。
- 前記平坦化層が更に、前記ヒドロキシ基と架橋している架橋剤を含む、請求項21に記載の構造体。
- 前記架橋ポリマーが更に、繰り返しモノマー(II)および(III)を含む、請求項21に記載の構造体。
- 前記ポリマーが更に、繰り返しモノマー(II)を含み、前記平坦化層が更に、前記ヒドロキシ基と架橋した架橋剤を含む、請求項21に記載の構造体。
- 前記基板が、シリコン、アルミニウム、タングステン、ケイ化タングステン、ヒ化ガリウム、ゲルマニウム、タンタル、窒化タンタル、およびシリコンゲルマニウムからなる群から選択される、請求項21に記載の構造体。
- 前記平坦化層が、非感光性である、請求項21に記載の構造体。
- 基板表面上に平坦化組成物の初期層を形成する工程であって、前記基板表面には20nm〜220nmの幅と、700nmまでの深さの開口部が形成されており、前記平坦化組成物は溶剤系に分散または溶解されたポリマーを含み、前記ポリマーは保護基を含む繰り返しモノマー(I)を含み、前記初期層は初期の偏りを有する、工程と、
前記初期層を120℃〜260℃で、30秒〜120秒間加熱する工程であって、その間に、最終平坦化層を形成するために架橋する脱保護繰り返しモノマー(I)を形成するため、前記保護基が前記繰り返しモノマー(I)から除去され始め、前記最終平坦化層は、最終の偏りを有し、前記加熱後デベロップ‐バック工程なしで形成され、前記最終の偏りは前記初期の偏り未満であり、30nm未満である、工程とを含み、
前記初期の偏りおよび最終の偏りは、それぞれ、表面エリアが50%以上ビアホールで充填された、もしくはライン:スペース比が1:1である基板の一部として規定される密集領域にわたる前記初期層または最終平坦化層の平均厚さを、20%未満の表面エリアがビアホールで充填された、もしくはライン:スペース比が1:5である基板の一部として規定される開口エリア領域にわたる同じ層の平均厚さから減ずることによって算出される、平坦化層を形成する方法。 - 前記繰り返しモノマー(I)は、前記加熱する工程の前に初期の極性を有し、前記加熱する工程の間、前記脱保護繰り返しモノマー(I)は、前記初期の極性よりも極性のある第2の極性を発生させる、請求項30の方法。
- 前記最終平坦化層を形成するため、または追加の平坦化層を形成するために、追加または別個のコーティング工程または加熱工程は行われない、請求項30に記載の方法。
- 少なくとも50%の前記保護基が、30秒の加熱後に除去される、請求項30に記載の方法。
- 前記架橋は、前記保護基の除去開始後、少なくとも5秒に至るまで開始しない、請求項30に記載の方法。
- 前記繰り返しモノマー(I)が、前記保護基によって保護されていたヒドロキシ基を含
む、請求項30に記載の方法。 - 前記加熱する工程中に除去される前記保護基が、脱保護ヒドロキシ基を生成する、請求項35に記載の方法。
- 前記脱保護ヒドロキシ基は、前記加熱する工程中に架橋される、請求項36に記載の方法。
- 前記ポリマーが更に、繰り返しモノマー(II)を含む、請求項30に記載の方法。
- 前記ポリマーが更に、繰り返しモノマー(III)を含み、前記繰り返しモノマー(III)は、前記保護基の除去後、前記繰り返しモノマー(I)と架橋可能な官能基を含む、請求項30に記載の方法。
- 前記繰り返しモノマー(I)は、前記保護基によって保護されていた各ヒドロキシ基を含み、前記保護基は、前記加熱する工程中に除去されて、前記加熱する工程中に前記繰り返しモノマー(III)と架橋する脱保護ヒドロキシ基を生成する、請求項39に記載の方法。
- 前記平坦化組成物が更に、架橋剤を含む、請求項30に記載の方法。
- 前記繰り返しモノマー(I)は、前記保護基によって保護されていた各ヒドロキシ基を含み、前記保護基は、前記加熱する工程中に除去されて、前記加熱する工程中に前記架橋剤と架橋する脱保護ヒドロキシ基を生成する、請求項41に記載の方法。
- 前記平坦化組成物は前記溶剤系に分散または溶解されたポリマーを含み、前記ポリマーは保護基を含む繰り返しモノマー(I)および繰り返しモノマー(II)を含み、
前記繰り返しモノマー(I)は、保護ビニルフェノール、保護フェノール、保護クレゾール、保護ビニルアルコール、保護アリルアルコール、保護ヒドロキシアルキルアクリレート、保護ヒドロキシアルキルメタクリレート、保護アクリル酸、保護メタクリル酸、保護ビニル安息香酸、およびそれらの組み合わせからなる群から選択され、
前記繰り返しモノマー(II)は、置換型および非置換型スチレン、アルキルスチレン、メチルメタクリレート、アルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、酢酸ビニル、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、1,3−ブタジエン、イソプレン、9−ビニルカルバゾール、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項1に記載の方法。 - 前記架橋ポリマーは、繰り返しモノマー(I)および繰り返しモノマー(II)を含み、
前記繰り返しモノマー(I)は、保護ビニルフェノール、保護フェノール、保護クレゾール、保護ビニルアルコール、保護アリルアルコール、保護ヒドロキシアルキルアクリレート、保護ヒドロキシアルキルメタクリレート、保護アクリル酸、保護メタクリル酸、保護ビニル安息香酸、およびそれらの組み合わせからなる群から選択され、
前記繰り返しモノマー(II)は、置換型および非置換型スチレン、アルキルスチレン、メチルメタクリレート、アルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、酢酸ビニル、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、1,3−ブタジエン、イソプレン、9−ビニルカルバゾール、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項21に記載の方法。 - 前記ポリマーは、繰り返しモノマー(I)および繰り返しモノマー(II)を含み、
前記繰り返しモノマー(I)は、保護ビニルフェノール、保護フェノール、保護クレゾール、保護ビニルアルコール、保護アリルアルコール、保護ヒドロキシアルキルアクリレート、保護ヒドロキシアルキルメタクリレート、保護アクリル酸、保護メタクリル酸、保護ビニル安息香酸、およびそれらの組み合わせからなる群から選択され、
前記繰り返しモノマー(II)は、置換型および非置換型スチレン、アルキルスチレン、メチルメタクリレート、アルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、酢酸ビニル、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、1,3−ブタジエン、イソプレン、9−ビニルカルバゾール、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項30に記載の方法。
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