JP6898871B2 - マルチパターニング工程オーバレイ誤差の特定 - Google Patents
マルチパターニング工程オーバレイ誤差の特定 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6898871B2 JP6898871B2 JP2017566844A JP2017566844A JP6898871B2 JP 6898871 B2 JP6898871 B2 JP 6898871B2 JP 2017566844 A JP2017566844 A JP 2017566844A JP 2017566844 A JP2017566844 A JP 2017566844A JP 6898871 B2 JP6898871 B2 JP 6898871B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- design
- feature
- patterning
- wafer
- patterned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims description 334
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 149
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 81
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 445
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 179
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 15
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 14
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 235000006719 Cassia obtusifolia Nutrition 0.000 description 1
- 235000014552 Cassia tora Nutrition 0.000 description 1
- 244000201986 Cassia tora Species 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
- H01J2237/221—Image processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24571—Measurements of non-electric or non-magnetic variables
- H01J2237/24578—Spatial variables, e.g. position, distance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31793—Problems associated with lithography
- H01J2237/31798—Problems associated with lithography detecting pattern defects
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
Description
Claims (20)
- マルチパターニング工程プロセスにてウェハ上に印刷されたデザインに備わる様々なパターン化フィーチャ間のオーバレイ誤差を特定するよう構成されたシステムであって、
少なくともエネルギ源及び検出器を有する出力取得サブシステムであり、ウェハに向かうエネルギを生成するようそのエネルギ源が構成されており、そのウェハから来るエネルギを検出し検出したエネルギに応じ出力を生成するようその検出器が構成されており、且つ第1、第2及び第3パターン化フィーチャがそれぞれ第1、第2及び第3パターニング工程で以てそのウェハのあるレベル上に印刷されている出力取得サブシステムと、
1個又は複数個のコンピュータサブシステムと、
を備え、上記1個又は複数個のコンピュータサブシステムが、
画像内の第1パターン化フィーチャを基準にして第1パターン化フィーチャ向けデザインを整列させることで第1パターン化フィーチャを基準にして上記レベル向けのデザインを丸ごと整列させることにより、上記ウェハの上記レベル向けのデザインをそのウェハに係り上記出力から生成される画像に整列させ、
第2パターン化フィーチャ向けデザインのみを上記画像内の第2パターン化フィーチャのみに整列させることにより、第2パターン化フィーチャ向けデザインのみを、第2パターン化フィーチャ向けデザインの位置であり上記デザイン丸ごと整列によって定まった位置から、第2パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置へとシフトさせ、
第2パターン化フィーチャ向けデザインの位置と第2パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置との間のオフセットであり、上記ウェハ上の第1パターン化フィーチャとそのウェハ上の第2パターン化フィーチャとの間の相対オーバレイ誤差に等しいオフセットを特定し、
第3パターン化フィーチャ向けデザインのみを上記画像内の第3パターン化フィーチャのみに整列させることにより、第3パターン化フィーチャ向けデザインのみを、第3パターン化フィーチャ向けデザインの位置であり上記デザイン丸ごと整列によって定まった位置から、第3パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置へとシフトさせ、
第3パターン化フィーチャ向けデザインの位置と第3パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置との間のオフセットであり、上記ウェハ上の第1パターン化フィーチャとそのウェハ上の第3パターン化フィーチャとの間の相対オーバレイ誤差に等しいオフセットを、第3パターン化フィーチャに関し特定し、
上記ウェハ上の第2パターン化フィーチャとそのウェハ上の第3パターン化フィーチャとの間の相対オーバレイ誤差を、第2パターン化フィーチャに関し特定されたオフセット及び第3パターン化フィーチャに関し特定されたオフセットに基づき、特定するよう構成されている、
システム。 - マルチパターニング工程プロセスにてウェハ上に印刷されたデザインに備わる様々なパターン化フィーチャ間のオーバレイ誤差を特定するよう構成されたシステムであって、
少なくともエネルギ源及び検出器を有する出力取得サブシステムであり、ウェハに向かうエネルギを生成するようそのエネルギ源が構成されており、そのウェハから来るエネルギを検出し検出したエネルギに応じ出力を生成するようその検出器が構成されており、且つ第1及び第2パターン化フィーチャがそれぞれ第1及び第2パターニング工程で以てそのウェハのあるレベル上に印刷されている出力取得サブシステムと、
1個又は複数個のコンピュータサブシステムと、
を備え、上記1個又は複数個のコンピュータサブシステムが、
画像内の第1パターン化フィーチャを基準にして第1パターン化フィーチャ向けデザインを整列させることで第1パターン化フィーチャを基準にして上記レベル向けのデザインを丸ごと整列させることにより、上記ウェハの上記レベル向けのデザインをそのウェハに係り上記出力から生成される画像に整列させ、
第2パターン化フィーチャ向けデザインのみを上記画像内の第2パターン化フィーチャのみに整列させることにより、第2パターン化フィーチャ向けデザインのみを、第2パターン化フィーチャ向けデザインの位置であり上記デザイン丸ごと整列によって定まった位置から、第2パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置へとシフトさせ、
第2パターン化フィーチャ向けデザインの位置と第2パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置との間のオフセットであり、上記ウェハ上の第1パターン化フィーチャとそのウェハ上の第2パターン化フィーチャとの間の相対オーバレイ誤差に等しいオフセットを特定し、
上記デザイン内の第1及び第2パターン化フィーチャのデザインベース中心線と、そのデザイン内の第1パターン化フィーチャ間間隙及び第2パターン化フィーチャ間間隙のデザインベース中心線と、を特定し、
上記画像内の第1及び第2パターン化フィーチャの画像ベース中心線と、その画像内の第1パターン化フィーチャ間間隙及び第2パターン化フィーチャ間間隙の画像ベース中心線と、を特定し、
上記画像内の第1パターン化フィーチャ及び第1パターン化フィーチャ間間隙の画像ベース中心線それぞれの位置と、それに対応するデザインベース中心線の位置と、の間の付加的オフセットを特定するよう構成されており、その付加的オフセットを特定するのに用いられる当該対応するデザインベース中心線の位置が、上記デザイン丸ごと整列によって特定された第1パターン化フィーチャ向けデザインの位置を基準にして特定されたものである、
システム。 - 請求項2記載のシステムであって、上記1個又は複数個のコンピュータサブシステムが、更に、上記画像内の第2パターン化フィーチャ及び第2パターン化フィーチャ間間隙の画像ベース中心線それぞれの位置と、それに対応するデザインベース中心線の位置と、の間の他の付加的オフセットを特定するよう構成されており、当該他の付加的オフセットを特定するのに用いられる当該対応するデザインベース中心線の位置が、第2パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置を基準にして特定されたものであるシステム。
- 請求項3記載のシステムであって、上記1個又は複数個のコンピュータサブシステムが、更に、第1パターン化フィーチャ及び第1パターン化フィーチャ間間隙の画像ベース中心線のうち2本以上と、それらに対応するデザインベース中心線と、の間の大域的整列を、当該2本以上の画像ベース中心線と、それらに対応するデザインベース中心線と、の間の上記付加的オフセットの大域的最小値を探索することによって実行するよう、構成されているシステム。
- 請求項4記載のシステムであって、上記1個又は複数個のコンピュータサブシステムが、更に、上記大域的整列を実行した結果に基づきオフセットを修正するよう構成されているシステム。
- 請求項5記載のシステムであって、上記1個又は複数個のコンピュータサブシステムが、更に、第2パターン化フィーチャ及び第2パターン化フィーチャ間間隙の画像ベース中心線のうち2本以上と、それらに対応するデザインベース中心線と、の間の上記他の付加的オフセットの大域的最小値を探索することで、第2パターン化フィーチャ及び第2パターン化フィーチャ間間隙の画像ベース中心線のうち2本以上と、それらに対応するデザインベース中心線と、の大域的整列を実行することにより、第2パターン化フィーチャ向けデザインに係る第2オフセットを特定するよう、構成されているシステム。
- 請求項6記載のシステムであって、上記1個又は複数個のコンピュータサブシステムが、更に、上記修正されたオフセットに第2オフセットを適用することで最終オフセット、即ち上記ウェハ上の第1パターン化フィーチャとそのウェハ上の第2パターン化フィーチャとの間の精細な相対オーバレイ誤差に等しい最終オフセットを特定するよう、構成されているシステム。
- 請求項7記載のシステムであって、上記1個又は複数個のコンピュータサブシステムにて5nm以下の精細な相対オーバレイ誤差を特定可能なシステム。
- 請求項7記載のシステムであって、第3パターン化フィーチャが第3パターニング工程で以て上記ウェハの上記レベル上に印刷されており、上記1個又は複数個のコンピュータサブシステムが、更に、
第3パターン化フィーチャ向けデザインのみを上記画像内の第3パターン化フィーチャのみに整列させることにより、第3パターン化フィーチャ向けデザインのみを、第3パターン化フィーチャ向けデザインの位置であり上記デザイン丸ごと整列により定まった位置から、第3パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置にシフトさせ、
第3パターン化フィーチャ向けデザインの位置と第3パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置との間のオフセットであり、上記ウェハ上の第1パターン化フィーチャとそのウェハ上の第3パターン化フィーチャとの間の相対オーバレイ誤差に等しいオフセットを、第3パターン化フィーチャに関し特定し、
第3パターン化フィーチャに係るオフセットを、第1パターン化フィーチャ及び第1パターン化フィーチャ間間隙に関し大域的整列を実行した結果に基づき修正し、
デザインベース中心線の上記特定及び画像ベース中心線の上記特定を第3パターン化フィーチャ及び第3パターン化フィーチャ間間隙に関し実行し、
上記画像内の第3パターン化フィーチャ及び第3パターン化フィーチャ間間隙の画像ベース中心線それぞれの位置と、それに対応するデザインベース中心線の位置と、の間の更なる付加的オフセットを特定し、当該更なる付加的オフセットの特定に用いられる当該対応するデザインベース中心線の位置が、第3パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置を基準に特定されたものであり、
第3パターン化フィーチャ及び第3パターン化フィーチャ間間隙の画像ベース中心線のうち2本以上とそれらに対応するデザインベース中心線との間の上記更なる付加的オフセットについて大域的最小値を探索することで、第3パターン化フィーチャ及び第3パターン化フィーチャ間間隙の画像ベース中心線のうち2本以上とそれらに対応するデザインベース中心線の大域的整列を実行することにより、第3パターン化フィーチャ向けデザインに係る第3オフセットを特定し、
第3パターン化フィーチャに係る上記修正されたオフセットに第3オフセットを適用することによって他の最終オフセット、即ち上記ウェハ上の第1パターン化フィーチャとそのウェハ上の第3パターン化フィーチャとの間の精細な相対オーバレイ誤差に等しい他の最終オフセットを特定する、
よう構成されているシステム。 - 請求項9記載のシステムであって、上記1個又は複数個のコンピュータサブシステムが、更に、上記ウェハ上の第2パターン化フィーチャと、そのウェハ上の第3パターン化フィーチャと、の間の精細な相対オーバレイ誤差を、上記最終オフセット及び上記他の最終オフセットに基づき特定するよう構成されているシステム。
- 請求項1記載のシステムであって、第1及び第2パターン化フィーチャが上記ウェハ上のダイに形成されているシステム。
- 請求項1記載のシステムであって、上記整列、上記シフト及び上記特定が実行される第1及び第2パターン化フィーチャがユーザによって選択されないシステム。
- 請求項1記載のシステムであって、上記整列、上記シフト及び上記特定が実行される第1及び第2パターン化フィーチャが第1及び第2パターン化フィーチャの仮想軸沿い対称性に基づき選別されないシステム。
- 請求項1記載のシステムであって、上記整列、上記シフト及び上記特定が実行される第1及び第2パターン化フィーチャがウェハ上のダイに形成された全てのパターン化フィーチャであるシステム。
- 請求項1記載のシステムであって、上記ウェハに向かうエネルギが光で構成され、そのウェハから検出されるエネルギが光で構成されるシステム。
- 請求項1記載のシステムであって、上記ウェハに向かうエネルギが電子で構成され、そのウェハから検出されるエネルギが電子で構成されるシステム。
- コンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令が格納された非一時的コンピュータ可読媒体、特にマルチパターニング工程プロセスにてウェハ上に印刷されたデザインに備わる様々なパターン化フィーチャ間のオーバレイ誤差を特定するコンピュータ実施方法を実行するための非一時的コンピュータ可読媒体であり、そのコンピュータ実施方法が、
ウェハのあるレベル向けのデザインをそのウェハに係る画像に整列させるステップであり、その画像が少なくともエネルギ源及び検出器を有する出力取得システムにより生成されたものであり、ウェハに向かうエネルギを生成するようそのエネルギ源が構成されており、そのウェハから来るエネルギを検出し検出したエネルギに応じ出力を生成するようその検出器が構成されており、第1、第2及び第3パターン化フィーチャがそれぞれ第1、第2及び第3パターニング工程で以てそのウェハのそのレベル上に印刷されており、
且つ、
上記整列において第1パターン化フィーチャ向けデザインを上記画像内の第1パターン化フィーチャに整列させることで第1パターン化フィーチャを基準にしてそのレベル向けのデザインを丸ごと整列させるステップと、
第2パターン化フィーチャ向けデザインのみを上記画像内の第2パターン化フィーチャのみに整列させることで、第2パターン化フィーチャ向けデザインのみを、第2パターン化フィーチャ向けデザインの位置であり上記デザイン丸ごと整列によって定まった位置から、第2パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置へとシフトさせるステップと、
第2パターン化フィーチャ向けデザインの位置と第2パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置との間のオフセットであり、上記ウェハ上の第1パターン化フィーチャとそのウェハ上の第2パターン化フィーチャとの間の相対オーバレイ誤差に等しいオフセットを特定するステップと、
第3パターン化フィーチャ向けデザインのみを上記画像内の第3パターン化フィーチャのみに整列させることにより、第3パターン化フィーチャ向けデザインのみを、第3パターン化フィーチャ向けデザインの位置であり上記デザイン丸ごと整列によって定まった位置から、第3パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置へとシフトさせるステップと、
第3パターン化フィーチャ向けデザインの位置と第3パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置との間のオフセットであり、上記ウェハ上の第1パターン化フィーチャとそのウェハ上の第3パターン化フィーチャとの間の相対オーバレイ誤差に等しいオフセットを、第3パターン化フィーチャに関し特定するステップと、
上記ウェハ上の第2パターン化フィーチャとそのウェハ上の第3パターン化フィーチャとの間の相対オーバレイ誤差を、第2パターン化フィーチャに関し特定されたオフセット及び第3パターン化フィーチャに関し特定されたオフセットに基づき、特定するステップと、
を有し、上記整列、上記シフト及び上記特定が上記コンピュータシステムにより実行される非一時的コンピュータ可読媒体。 - コンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令が格納された非一時的コンピュータ可読媒体、特にマルチパターニング工程プロセスにてウェハ上に印刷されたデザインに備わる様々なパターン化フィーチャ間のオーバレイ誤差を特定するコンピュータ実施方法を実行するための非一時的コンピュータ可読媒体であり、そのコンピュータ実施方法が、
ウェハのあるレベル向けのデザインをそのウェハに係る画像に整列させるステップであり、その画像が少なくともエネルギ源及び検出器を有する出力取得システムにより生成されたものであり、ウェハに向かうエネルギを生成するようそのエネルギ源が構成されており、そのウェハから来るエネルギを検出し検出したエネルギに応じ出力を生成するようその検出器が構成されており、第1及び第2パターン化フィーチャがそれぞれ第1及び第2パターニング工程で以てそのウェハのそのレベル上に印刷されており、
且つ、
上記整列において第1パターン化フィーチャ向けデザインを上記画像内の第1パターン化フィーチャに整列させることで第1パターン化フィーチャを基準にしてそのレベル向けのデザインを丸ごと整列させるステップと、
第2パターン化フィーチャ向けデザインのみを上記画像内の第2パターン化フィーチャのみに整列させることで、第2パターン化フィーチャ向けデザインのみを、第2パターン化フィーチャ向けデザインの位置であり上記デザイン丸ごと整列によって定まった位置から、第2パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置へとシフトさせるステップと、
第2パターン化フィーチャ向けデザインの位置と第2パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置との間のオフセットであり、上記ウェハ上の第1パターン化フィーチャとそのウェハ上の第2パターン化フィーチャとの間の相対オーバレイ誤差に等しいオフセットを特定するステップと、
上記デザイン内の第1及び第2パターン化フィーチャのデザインベース中心線と、そのデザイン内の第1パターン化フィーチャ間間隙及び第2パターン化フィーチャ間間隙のデザインベース中心線と、を特定するステップと、
上記画像内の第1及び第2パターン化フィーチャの画像ベース中心線と、その画像内の第1パターン化フィーチャ間間隙及び第2パターン化フィーチャ間間隙の画像ベース中心線と、を特定するステップと、
上記画像内の第1パターン化フィーチャ及び第1パターン化フィーチャ間間隙の画像ベース中心線それぞれの位置と、それに対応するデザインベース中心線の位置と、の間の付加的オフセットを特定するステップであって、その付加的オフセットを特定するのに用いられる当該対応するデザインベース中心線の位置が、上記デザイン丸ごと整列によって特定された第1パターン化フィーチャ向けデザインの位置を基準にして特定されたものであるステップと、
を有し、上記整列、上記シフト及び上記特定が上記コンピュータシステムにより実行される非一時的コンピュータ可読媒体。 - マルチパターニング工程プロセスにてウェハ上に印刷されたデザインに備わる様々なパターン化フィーチャ間のオーバレイ誤差を特定するコンピュータ実施方法であって、
ウェハのあるレベル向けのデザインをそのウェハに係る画像に整列させるステップであり、その画像が少なくともエネルギ源及び検出器を有する出力取得システムにより生成されたものであり、ウェハに向かうエネルギを生成するようそのエネルギ源が構成されており、そのウェハから来るエネルギを検出し検出したエネルギに応じ出力を生成するようその検出器が構成されており、第1、第2及び第3パターン化フィーチャがそれぞれ第1、第2及び第3パターニング工程で以てそのウェハのそのレベル上に印刷されており、
且つ、
上記整列において第1パターン化フィーチャ向けデザインを上記画像内の第1パターン化フィーチャに整列させることで第1パターン化フィーチャを基準にしてそのレベル向けのデザインを丸ごと整列させるステップと、
第2パターン化フィーチャ向けデザインのみを上記画像内の第2パターン化フィーチャのみに整列させることで、第2パターン化フィーチャ向けデザインのみを、第2パターン化フィーチャ向けデザインの位置であり上記デザイン丸ごと整列によって定まった位置から、第2パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置へとシフトさせるステップと、
第2パターン化フィーチャ向けデザインの位置と第2パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置との間のオフセットであり、上記ウェハ上の第1パターン化フィーチャとそのウェハ上の第2パターン化フィーチャとの間の相対オーバレイ誤差に等しいオフセットを特定するステップと、
第3パターン化フィーチャ向けデザインのみを上記画像内の第3パターン化フィーチャのみに整列させることにより、第3パターン化フィーチャ向けデザインのみを、第3パターン化フィーチャ向けデザインの位置であり上記デザイン丸ごと整列によって定まった位置から、第3パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置へとシフトさせるステップと、
第3パターン化フィーチャ向けデザインの位置と第3パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置との間のオフセットであり、上記ウェハ上の第1パターン化フィーチャとそのウェハ上の第3パターン化フィーチャとの間の相対オーバレイ誤差に等しいオフセットを、第3パターン化フィーチャに関し特定するステップと、
上記ウェハ上の第2パターン化フィーチャとそのウェハ上の第3パターン化フィーチャとの間の相対オーバレイ誤差を、第2パターン化フィーチャに関し特定されたオフセット及び第3パターン化フィーチャに関し特定されたオフセットに基づき、特定するステップと、
を有し、上記整列、上記シフト及び上記特定が1個又は複数個のコンピュータシステムにより実行されるコンピュータ実施方法。 - マルチパターニング工程プロセスにてウェハ上に印刷されたデザインに備わる様々なパターン化フィーチャ間のオーバレイ誤差を特定するコンピュータ実施方法であって、
ウェハのあるレベル向けのデザインをそのウェハに係る画像に整列させるステップであり、その画像が少なくともエネルギ源及び検出器を有する出力取得システムにより生成されたものであり、ウェハに向かうエネルギを生成するようそのエネルギ源が構成されており、そのウェハから来るエネルギを検出し検出したエネルギに応じ出力を生成するようその検出器が構成されており、第1及び第2パターン化フィーチャがそれぞれ第1及び第2パターニング工程で以てそのウェハのそのレベル上に印刷されており、且つ上記整列において第1パターン化フィーチャ向けデザインを上記画像内の第1パターン化フィーチャに整列させることで第1パターン化フィーチャを基準にしてそのレベル向けのデザインを丸ごと整列させるステップと、
第2パターン化フィーチャ向けデザインのみを上記画像内の第2パターン化フィーチャのみに整列させることで、第2パターン化フィーチャ向けデザインのみを、第2パターン化フィーチャ向けデザインの位置であり上記デザイン丸ごと整列によって定まった位置から、第2パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置へとシフトさせるステップと、
第2パターン化フィーチャ向けデザインの位置と第2パターン化フィーチャ向けデザインのシフト後位置との間のオフセットであり、上記ウェハ上の第1パターン化フィーチャとそのウェハ上の第2パターン化フィーチャとの間の相対オーバレイ誤差に等しいオフセットを特定するステップと、
上記デザイン内の第1及び第2パターン化フィーチャのデザインベース中心線と、そのデザイン内の第1パターン化フィーチャ間間隙及び第2パターン化フィーチャ間間隙のデザインベース中心線と、を特定するステップと、
上記画像内の第1及び第2パターン化フィーチャの画像ベース中心線と、その画像内の第1パターン化フィーチャ間間隙及び第2パターン化フィーチャ間間隙の画像ベース中心線と、を特定するステップと、
上記画像内の第1パターン化フィーチャ及び第1パターン化フィーチャ間間隙の画像ベース中心線それぞれの位置と、それに対応するデザインベース中心線の位置と、の間の付加的オフセットを特定するステップであって、その付加的オフセットを特定するのに用いられる当該対応するデザインベース中心線の位置が、上記デザイン丸ごと整列によって特定された第1パターン化フィーチャ向けデザインの位置を基準にして特定されたものであるステップと、
を有し、上記整列、上記シフト及び上記特定が1個又は複数個のコンピュータシステムにより実行されるコンピュータ実施方法。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201562183277P | 2015-06-23 | 2015-06-23 | |
US62/183,277 | 2015-06-23 | ||
US201662279644P | 2016-01-15 | 2016-01-15 | |
US62/279,644 | 2016-01-15 | ||
US15/170,881 US10062543B2 (en) | 2015-06-23 | 2016-06-01 | Determining multi-patterning step overlay error |
US15/170,881 | 2016-06-01 | ||
PCT/US2016/036052 WO2016209600A1 (en) | 2015-06-23 | 2016-06-06 | Determining multi-patterning step overlay error |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018522414A JP2018522414A (ja) | 2018-08-09 |
JP6898871B2 true JP6898871B2 (ja) | 2021-07-07 |
Family
ID=57585524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017566844A Active JP6898871B2 (ja) | 2015-06-23 | 2016-06-06 | マルチパターニング工程オーバレイ誤差の特定 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10062543B2 (ja) |
JP (1) | JP6898871B2 (ja) |
KR (1) | KR102351677B1 (ja) |
CN (1) | CN107743596B (ja) |
TW (1) | TWI673768B (ja) |
WO (1) | WO2016209600A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10115621B2 (en) * | 2016-05-13 | 2018-10-30 | Globalfoundries Inc. | Method for in-die overlay control using FEOL dummy fill layer |
US10395356B2 (en) | 2016-05-25 | 2019-08-27 | Kla-Tencor Corp. | Generating simulated images from input images for semiconductor applications |
US10346740B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-07-09 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods incorporating a neural network and a forward physical model for semiconductor applications |
EP3422103A1 (en) * | 2017-06-26 | 2019-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Method of determining a performance parameter of a process |
WO2019108260A1 (en) * | 2017-11-29 | 2019-06-06 | Kla-Tencor Corporation | Measurement of overlay error using device inspection system |
US10483214B2 (en) * | 2018-01-03 | 2019-11-19 | Globalfoundries Inc. | Overlay structures |
US10599951B2 (en) * | 2018-03-28 | 2020-03-24 | Kla-Tencor Corp. | Training a neural network for defect detection in low resolution images |
US10866508B2 (en) * | 2018-05-18 | 2020-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method for manufacturing photomask and semiconductor manufacturing method thereof |
US10698325B2 (en) | 2018-05-23 | 2020-06-30 | Kla-Tencor Corporation | Performance monitoring of design-based alignment |
CN108766901B (zh) * | 2018-06-26 | 2020-07-31 | 上海华力微电子有限公司 | 检测晶圆工作台平坦度的方法 |
EP3948937A4 (en) * | 2019-03-28 | 2023-02-15 | Kla-Tencor Corporation | METHOD OF MEASURING AND CORRECTING MISTALIGNMENT BETWEEN LAYERS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND USEFUL MISALIGNMENT TARGETS THEREOF |
WO2021228725A1 (en) * | 2020-05-09 | 2021-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Determining metrics for a portion of a pattern on a substrate |
Family Cites Families (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09244222A (ja) * | 1996-03-08 | 1997-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 重ね合わせ誤差測定用レチクル、そのレチクルを用いた重ね合わせ誤差測定方法および重ね合わせ誤差測定マーク |
US6061606A (en) * | 1998-08-25 | 2000-05-09 | International Business Machines Corporation | Geometric phase analysis for mask alignment |
US7068833B1 (en) * | 2000-08-30 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements |
JP5180419B2 (ja) | 2000-08-30 | 2013-04-10 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 重ね合わせマーク、重ね合わせマークの設計方法および重ね合わせ測定の方法 |
US6886153B1 (en) | 2001-12-21 | 2005-04-26 | Kla-Tencor Corporation | Design driven inspection or measurement for semiconductor using recipe |
US6949462B1 (en) | 2002-04-04 | 2005-09-27 | Nanometrics Incorporated | Measuring an alignment target with multiple polarization states |
US6982793B1 (en) * | 2002-04-04 | 2006-01-03 | Nanometrics Incorporated | Method and apparatus for using an alignment target with designed in offset |
JP4597859B2 (ja) | 2002-07-15 | 2010-12-15 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | マイクロリソグラフパターンの製作におけるパターンの認定、パターン形成プロセス、又はパターン形成装置 |
US6902855B2 (en) | 2002-07-15 | 2005-06-07 | Kla-Tencor Technologies | Qualifying patterns, patterning processes, or patterning apparatus in the fabrication of microlithographic patterns |
US7853920B2 (en) | 2005-06-03 | 2010-12-14 | Asml Netherlands B.V. | Method for detecting, sampling, analyzing, and correcting marginal patterns in integrated circuit manufacturing |
US7769225B2 (en) | 2005-08-02 | 2010-08-03 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern |
US7241991B1 (en) | 2005-08-30 | 2007-07-10 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Region-of-interest based electron beam metrology |
EP1928583A4 (en) | 2005-09-01 | 2010-02-03 | Camtek Ltd | METHOD AND SYSTEM FOR ESTABLISHING A TEST PROCEDURE |
US7570796B2 (en) | 2005-11-18 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
US7676077B2 (en) | 2005-11-18 | 2010-03-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
US7642550B2 (en) * | 2006-07-25 | 2010-01-05 | Micron Technology, Inc. | Multi-layer structures for parameter measurement |
US7571422B2 (en) | 2006-09-21 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method for generating a design rule map having spatially varying overlay budget |
JP4943304B2 (ja) * | 2006-12-05 | 2012-05-30 | 株式会社 Ngr | パターン検査装置および方法 |
US8194968B2 (en) | 2007-01-05 | 2012-06-05 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions |
US8698093B1 (en) | 2007-01-19 | 2014-04-15 | Kla-Tencor Corporation | Objective lens with deflector plates immersed in electrostatic lens field |
US7858404B2 (en) * | 2007-03-14 | 2010-12-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Measurement of overlay offset in semiconductor processing |
US8213704B2 (en) | 2007-05-09 | 2012-07-03 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern |
JP5065943B2 (ja) | 2008-02-29 | 2012-11-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 製造プロセスモニタリングシステム |
US8041106B2 (en) | 2008-12-05 | 2011-10-18 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for detecting defects on a reticle |
JP5570530B2 (ja) * | 2009-02-13 | 2014-08-13 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | ウェハー上の欠陥検出 |
JP2010287762A (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Toshiba Corp | パターン検査方法、パターン検査プログラムおよびパターン検査装置 |
CN102483582B (zh) * | 2009-08-24 | 2016-01-20 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法和设备、光刻设备、光刻处理单元和包括量测目标的衬底 |
US8148682B2 (en) * | 2009-12-29 | 2012-04-03 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for pattern position and overlay measurement |
US8559001B2 (en) | 2010-01-11 | 2013-10-15 | Kla-Tencor Corporation | Inspection guided overlay metrology |
US9620426B2 (en) * | 2010-02-18 | 2017-04-11 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for providing process tool correctables using an optimized sampling scheme with smart interpolation |
NL2006655A (en) * | 2010-06-28 | 2011-12-29 | Asml Netherlands Bv | Multiple patterning lithography using spacer and self-aligned assist patterns. |
US8781781B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-07-15 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic care areas |
US9927718B2 (en) * | 2010-08-03 | 2018-03-27 | Kla-Tencor Corporation | Multi-layer overlay metrology target and complimentary overlay metrology measurement systems |
JP5821100B2 (ja) * | 2010-12-17 | 2015-11-24 | カール ツァイス エスエムエス ゲーエムベーハー | フォトリソグラフィマスクによって処理されるウェーハ上の誤差を補正する方法及び装置 |
IL217843A (en) * | 2011-02-11 | 2016-11-30 | Asml Netherlands Bv | A system and method for testing, a lithographic system, a cell for lithographic processing, and a method for producing a device |
US8656323B2 (en) | 2011-02-22 | 2014-02-18 | Kla-Tencor Corporation | Based device risk assessment |
US9170211B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-10-27 | Kla-Tencor Corp. | Design-based inspection using repeating structures |
US8664594B1 (en) | 2011-04-18 | 2014-03-04 | Kla-Tencor Corporation | Electron-optical system for high-speed and high-sensitivity inspections |
US8692204B2 (en) | 2011-04-26 | 2014-04-08 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for electron beam detection |
US8453075B2 (en) | 2011-09-02 | 2013-05-28 | International Business Machines Corporation | Automated lithographic hot spot detection employing unsupervised topological image categorization |
US9087367B2 (en) | 2011-09-13 | 2015-07-21 | Kla-Tencor Corp. | Determining design coordinates for wafer defects |
US9709903B2 (en) * | 2011-11-01 | 2017-07-18 | Kla-Tencor Corporation | Overlay target geometry for measuring multiple pitches |
US8755045B2 (en) | 2012-01-06 | 2014-06-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Detecting method for forming semiconductor device |
TWI475597B (zh) | 2012-02-08 | 2015-03-01 | Hitachi High Tech Corp | Pattern evaluation method and pattern evaluation device |
US9007585B2 (en) * | 2012-03-07 | 2015-04-14 | Kla-Tencor Corporation | Imaging overlay metrology target and complimentary overlay metrology measurement system |
JP5986817B2 (ja) | 2012-06-15 | 2016-09-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | オーバーレイ誤差測定装置、及びコンピュータープログラム |
US8716662B1 (en) | 2012-07-16 | 2014-05-06 | Kla-Tencor Corporation | Methods and apparatus to review defects using scanning electron microscope with multiple electron beam configurations |
US9189844B2 (en) | 2012-10-15 | 2015-11-17 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using defect-specific information |
US9576861B2 (en) | 2012-11-20 | 2017-02-21 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for universal target based inspection and metrology |
US9619876B2 (en) | 2013-03-12 | 2017-04-11 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on wafers based on 2D scatter plots of values determined for output generated using different optics modes |
US9390492B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-07-12 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for reference-based overlay measurement |
US9355208B2 (en) | 2013-07-08 | 2016-05-31 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
US10267746B2 (en) | 2014-10-22 | 2019-04-23 | Kla-Tencor Corp. | Automated pattern fidelity measurement plan generation |
TW201640228A (zh) * | 2015-05-12 | 2016-11-16 | 聯華電子股份有限公司 | 疊對標記與疊對誤差的校正方法 |
-
2016
- 2016-06-01 US US15/170,881 patent/US10062543B2/en active Active
- 2016-06-06 WO PCT/US2016/036052 patent/WO2016209600A1/en active Application Filing
- 2016-06-06 JP JP2017566844A patent/JP6898871B2/ja active Active
- 2016-06-06 CN CN201680032566.XA patent/CN107743596B/zh active Active
- 2016-06-06 KR KR1020187002030A patent/KR102351677B1/ko active IP Right Grant
- 2016-06-17 TW TW105119194A patent/TWI673768B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180011480A (ko) | 2018-02-01 |
US10062543B2 (en) | 2018-08-28 |
TWI673768B (zh) | 2019-10-01 |
CN107743596A (zh) | 2018-02-27 |
JP2018522414A (ja) | 2018-08-09 |
CN107743596B (zh) | 2019-12-31 |
TW201705212A (zh) | 2017-02-01 |
KR102351677B1 (ko) | 2022-01-13 |
US20160377425A1 (en) | 2016-12-29 |
WO2016209600A1 (en) | 2016-12-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6898871B2 (ja) | マルチパターニング工程オーバレイ誤差の特定 | |
TWI760437B (zh) | 檢測一光微影倍縮光罩之方法及系統,以及電腦可讀媒體 | |
JP7093828B2 (ja) | 自動式パターン忠実度測定計画生成 | |
US9679372B2 (en) | Apparatus and methods for inspecting extreme ultra violet reticles | |
US11010886B2 (en) | Systems and methods for automatic correction of drift between inspection and design for massive pattern searching | |
US9996942B2 (en) | Sub-pixel alignment of inspection to design | |
KR102102019B1 (ko) | 포토마스크 결함의 변화 모니터링 | |
CN111837227B (zh) | 用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的系统 | |
TWI847045B (zh) | 檢驗及其他製程中之樣品的對準 | |
KR20180118530A (ko) | 검사 방법 | |
US11556062B2 (en) | Sub-resolution imaging target |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190529 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210601 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210611 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6898871 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |