TWI847045B - 檢驗及其他製程中之樣品的對準 - Google Patents

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Abstract

本發明提供用於設置一樣品之對準之方法及系統。一種系統包含電腦子系統，該(等)電腦子系統經組態以用於在一樣品上之印刷例項之對應區域中之模板位置處獲取自一輸出獲取子系統之一偵測器之輸出產生之二維(2D)影像。該(等)電腦子系統使用該等2D影像來判定該等模板位置之間在x方向及y方向上之偏移且基於該等偏移而判定該樣品相對於該輸出獲取子系統之一角度。若該角度大於一預定值，則該(等)電腦子系統旋轉該樣品且重複進行上文所闡述之該等步驟。若該角度小於該預定值，則該(等)電腦子系統儲存該等2D影像中之一者以用於在對一樣品執行之一製程中進行該樣品之對準。該等2D影像可包含多模式影像，可在判定該等偏移之前融合該等多模式影像。

Description

檢驗及其他製程中之樣品的對準
本發明一般而言係關於用於設置一樣品之對準之方法及系統。特定實施例係關於設置一樣品與一輸出獲取子系統之對準以用於諸如檢驗之一製程。
以下說明及實例並不由於其包含於此章節中而被認為係先前技術。
在一半導體製造製程期間在各種步驟處使用檢驗製程來偵測倍縮光罩及晶圓上之缺陷以促進在製造製程中之較高良率及因此較高利潤。檢驗一直總是製作半導體裝置之一重要部分。然而，隨著半導體裝置尺寸減小，檢驗對於成功製造出可接受半導體裝置變得更加重要，此乃因較小缺陷便可導致裝置出故障。
一檢驗製程之成功至少部分地取決於樣品在檢驗工具或系統內之位置配置。舉例而言，在使光或其他能量在樣品上進行掃描以進行檢驗之前，將樣品放置於檢驗工具內且以某一預定方式與檢驗工具對準。可相對於檢驗工具之硬體中之任一者(諸如成像硬體或載台或者樣品安置於其上之其他表面)而執行該對準。出於若干個原因而執行此對準，諸如確保以一預定方式掃描樣品，藉此使得能夠檢驗樣品上之所關注區域，如檢驗製程設置中所判定。樣品相對於成像硬體之定向亦可影響經圖案化特徵在樣品之所產生影像中係可見還是不可見的。舉例而言，當樣品處於一個定向中時，一個檢驗工具通道可僅能夠對水平定向之經圖案化特徵進行成像，且當樣品處於彼定向中時，另一檢驗工具通道可僅能夠對垂直定向之經圖案化特徵進行成像。因此，出於若干個原因，以實質上較高準確度來以一預定方式將樣品相對於檢驗工具進行位置配置係重要的。
存在用於將一樣品相對於一檢驗工具對準之多種當前所使用方法及系統。一個此方法包含基於一維(1D)投影之對準。此方法使用一單個通道影像(亦即，使用檢驗工具之僅一個通道產生之一影像)。該方法包含將二維(2D)影像轉換成1D X及Y投影。該方法然後使用投影來計算樣品對準。另一此方法包含2D光學影像對準。此方法使用來自整合至檢驗工具中但不用於檢驗目的之一再檢測相機之光學影像來執行樣品對準。
用於將一樣品與一檢驗工具對準之當前所使用方法及系統具有若干個顯著缺點。舉例而言，1D投影對準方法具有錯誤對準問題，此乃因不同樣品圖案可具有相同1D投影。此方法亦僅在對準中使用一個通道影像。在某些工具上，一單個通道可僅對水平或垂直圖案進行成像，此使得難以計算X及Y方向兩者上之對準。2D光學影像對準方法亦具有若干個缺點，包含低對準角度量測準確度，其可至少部分地由低於偵測器影像像素之一光學影像像素解析度以及相對低(8位元)灰階影像導致。2D光學影像對準方法亦具有一相對慢的速度。舉例而言，此方法包含移動至每個晶粒中之相同點、獲取焦點度量，且然後抓取影像。
當對準係不準確且可重現時，樣品與檢驗工具之間的相對位置關係之樣品至樣品(及/或掃描至掃描)變化亦可成問題。舉例而言，若存在不同樣品相對於一檢驗工具之位置之變化，即使針對不同樣品之結果並未受該變化之極大影響，該變化亦可在使用檢驗結果判定或追蹤諸如樣品至樣品變化及製程至製程變化之製程品質控制量測時引入錯誤。在一項此實例中，即使樣品相對於一檢驗工具之位置之相對較小變化亦可導致特定缺陷未被偵測到或被錯誤識別(例如，屬於一特定關注區域或區)，此可導致自樣品至樣品、掃描至掃描或製程至製程之檢驗結果中之錯誤及不確定性。檢驗結果中之此等錯誤及不確定性可使檢驗結果之有用性顯著降級且可甚至導致回應於檢驗結果而做出之任何校正對製程之執行不利。
因此，開發不具有上文所闡述之缺點中之一或多者的用於設置一樣品與一輸出獲取子系統之對準之系統及方法將係有利的。
對各種實施例之以下說明不應以任何方式被視為限制隨附申請專利範圍之標的物。
一項實施例係關於一種經組態以用於設置一樣品之對準之系統。該系統包含一輸出獲取子系統，該輸出獲取子系統包含至少一能量源及一偵測器。該能量源經組態以產生被引導至一樣品之能量，且該偵測器經組態以偵測來自該樣品之能量並回應於該所偵測能量而產生輸出。
該系統亦包含一或多個電腦子系統，該一或多個電腦子系統經組態以用於在該樣品上之印刷例項之對應區域中之模板位置處獲取自該偵測器之該輸出產生之二維(2D)影像。該等2D影像包含在該等模板位置中之一第一模板位置處獲取之一第一影像及在該等模板位置中之一或多個其他模板位置處獲取之至少一個額外影像。電腦子系統亦經組態以用於判定該等模板位置之間在x方向及y方向上之偏移。判定該等偏移包含對準該第一影像與該至少一個額外影像。電腦子系統進一步經組態以用於基於該x方向及該y方向上之該等偏移而判定該樣品相對於該輸出獲取子系統之一角度且比較該所判定角度與一預定值。當該所判定角度大於該預定值時，電腦子系統經組態以用於旋轉該樣品且重複進行該獲取、判定該等偏移、判定該角度及比較步驟。當該所判定角度小於該預定值時，該一或多個電腦子系統經組態以用於儲存該第一影像以供在對該樣品執行之一製程期間在對準該樣品與該輸出獲取子系統時使用。可如本文中所闡述而對該系統進行進一步組態。
另一實施例係關於一種用於設置一樣品之對準之電腦實施方法。該方法包含上文所闡述之獲取、判定偏移、判定一角度、比較、旋轉、重複及儲存步驟。該方法之該等步驟由一或多個電腦子系統執行。
可如本文中所闡述而進一步執行該方法之步驟中之每一者。另外，該方法可包含本文中所闡述之任何其他方法之任何其他步驟。此外，該方法可由本文中所闡述之系統中之任一者執行。
另一實施例係關於一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存可在一電腦系統上執行以用於執行用於設置一樣品之對準之一電腦實施方法之程式指令。該電腦實施方法包含上文所闡述之方法之步驟。可如本文中所闡述而對電腦可讀媒體進行進一步組態。可如本文中進一步所闡述而執行該電腦實施方法之步驟。另外，電腦實施方法可包含本文中所闡述之任何其他方法之任何其他步驟，可執行程式指令來達成該電腦實施方法。
如本文中所使用之術語「設計」及「設計資料」一般係指一IC之實體設計(佈局)以及透過複雜模擬或簡單幾何及布林(Boolean)運算自實體設計導出之資料。實體設計可儲存於諸如一圖形資料串流(GDS)檔案之一資料結構、任何其他標準機器可讀檔案、此項技術中已知的任何其他適合檔案及一設計資料庫中。一GDSII檔案係用於設計佈局資料之表示之一類檔案中之一者。此等檔案之其他實例包含GL1及OASIS檔案以及專有檔案格式，諸如加利福尼亞州苗必達之KLA公司(KLA Corp., Milpitas, Calif)專有之RDF資料。另外，本文中所闡述之「設計」及「設計資料」係指由半導體裝置設計者在一設計製程中產生且因此在將設計印刷於任何實體晶圓上之前可良好地用於本文中所闡述之實施例中之資訊及資料。設計可包含在2009年8月4日頒予Zafar等人之共同擁有之美國專利第7,570,796號及2010年3月9日頒予Kulkarni等人之共同擁有之美國專利第7,676,077號中闡述之任何其他設計資料或設計資料代理，該等美國專利兩者如同完全陳述於本文中一般以引用之方式併入。
現在轉向圖式，應注意各圖並未按比例繪製。特定而言，各圖之元件中之某些元件之比例被極大地放大以強調元件之特性。亦注意，各圖並未按相同比例繪製。已使用相同元件符號指示可被類似組態的在多於一個圖中展示之元件。除非本文中另外提及，否則所闡述及所展示之元件中之任何元件可包含任何適合可商業購得元件。
一項實施例係關於經組態以用於設置一樣品之對準之一系統。本文中所闡述之某些實施例係關於用於使用多通道二維(2D)光電倍增管(PMT)影像來進行晶圓對準之一系統。
在一項實施例中，樣品係一晶圓。晶圓可包含半導體技術中已知的任何晶圓。在另一實施例中，樣品係一倍縮光罩。倍縮光罩可包含半導體技術中已知的任何倍縮光罩。雖然可在本文中關於一或若干晶圓而闡述某些實施例，但實施例並不限於其可用於之樣品。舉例而言，本文中所闡述之實施例可用於諸如倍縮光罩、扁平面板、個人電腦(PC)板及其他半導體樣品之樣品。
在圖1中展示此一系統之一項實施例。該系統包含一輸出獲取子系統，該輸出獲取子系統包含至少一能量源及一偵測器。能量源經組態以產生被引導至一樣品之能量。偵測器經組態以偵測來自樣品之能量且回應於所偵測能量而產生輸出。
在一項實施例中，被引導至樣品之能量包含光，且自樣品偵測之能量包含光。舉例而言，在圖1中所展示之系統之實施例中，輸出獲取子系統10包含經組態以將光引導至樣品14之一照明子系統。照明子系統包含至少一個光源。舉例而言，如圖1中所展示，照明子系統包含光源16。在一項實施例中，照明子系統經組態以將光以一或多個入射角度(其可包含一或多個傾斜角度及/或一或多個法向角度)引導至樣品。舉例而言，如圖1中所展示，將來自光源16之光穿過光學元件18及然後透鏡20而引導至分束器21，該分束器將光以一法向入射角度引導至樣品14。入射角度可包含任何適合入射角度，其可取決於(舉例而言)樣品之特性、將在樣品上偵測到之缺陷、將在樣品上執行之量測等而變化。
照明子系統可經組態以將光在不同時間以不同入射角度引導至樣品。舉例而言，輸出獲取子系統可經組態以更改照明子系統之一或多個元件之一或多個特性，使得可將光以不同於圖1中所展示之入射角度之一入射角度引導至樣品。在一項此實例中，輸出獲取子系統可經組態以移動光源16、光學元件18及透鏡20，使得將光以一不同入射角度引導至樣品。
在某些例項中，輸出獲取子系統可經組態以將光同時以多於一個入射角度引導至樣品。舉例而言，輸出獲取子系統可包含多於一個照明通道，該等照明通道中之一者可包含如圖1中所展示之光源16、光學元件18及透鏡20，且該等照明通道中之另一者(未展示)可包含可被不同或相同地組態之類似元件，或者可包含至少一光源以及可能一或多個其他組件(諸如本文中進一步所闡述之組件)。若此光與其他光同時被引導至樣品，則以不同入射角度被引導至樣品之光之一或多個特性(例如，波長、偏光等)可為不同的，使得由以不同入射角度對樣品之照明引起之光可在偵測器處彼此區別開。
在另一例項中，照明子系統可僅包含一個光源(例如，圖1中所展示之源16)，且可藉由照明子系統之一或多個光學元件(未展示)將來自該光源之光分離至不同光學路徑中(例如，基於波長、偏光等)。不同光學路徑中之每一者中之光然後可被引導至樣品。多個照明通道可經組態以將光同時或在不同時間(例如，當使用不同照明通道來依序照明樣品時)引導至樣品。在另一例項中，相同照明通道可經組態以將在不同時間具有不同特性之光引導至樣品。舉例而言，在某些例項中，光學元件18可被組態為一光譜濾光器，且光譜濾光器之性質可以多種不同方式(例如，藉由替換光譜濾光器)被改變，使得可在不同時間將不同光波長引導至樣品。照明子系統可具有此項技術中已知的任何其他適合組態，該等其他適合組態用於將具有不同或相同特性之光以不同或相同之入射角度依序或同時地引導至樣品。
在一項實施例中，光源16可包含一寬頻電漿(BBP)光源。以此方式，由光源產生且被引導至樣品之光可包含寬頻光。然而，光源可包含任何其他適合光源，諸如一雷射，該雷射可為此項技術中已知的任何適合雷射且可經組態以產生此項技術中已知的任何適合波長下之光。另外，雷射可經組態以產生單色或近單色之光。以此方式，雷射可為一窄頻雷射。光源亦可包含產生多個離散波長或波段下之光之一多色光源。
可藉由透鏡20將來自光學元件18之光聚焦至分束器21。雖然在圖1中將透鏡20展示為一單個折射光學元件，但在實踐中，透鏡20可包含以組合方式將來自光學元件之光聚焦至樣品之若干個折射及/或反射光學元件。在圖1中所展示且本文中所闡述之照明子系統可包含任何其他適合光學元件(未展示)。此等光學元件之實例包含(但不限於)偏光組件、光譜濾光器、空間濾波器、反射光學元件、變跡器、分束器、光闌及諸如此類，其可包含此項技術中已知的任何此等適合光學元件。另外，系統可經組態以基於將用於檢驗、度量等之照明類型而更改照明子系統之一或多個元件。
輸出獲取子系統亦可包含一掃描子系統，該掃描子系統經組態以致使光對樣品進行掃描。舉例而言，輸出獲取子系統可包含載台22，在檢驗、量測等期間樣品14安置於該載台上。掃描子系統可包含可經組態以移動樣品使得光可對樣品進行掃描之任何適合機械及/或機器人總成(其包含載台22)。另外或另一選擇係，輸出獲取子系統可經組態使得輸出獲取子系統之一或多個光學元件執行光對樣品之某種掃描。光可以任何適合方式對樣品進行掃描。
輸出獲取子系統進一步包含一或多個偵測通道。一或多個偵測通道中之至少一者包含一偵測器，該偵測器經組態以藉由輸出獲取子系統偵測歸因於對樣品之照明之來自樣品之光且回應於所偵測光而產生輸出。舉例而言，圖1中所展示之輸出獲取子系統包含兩個偵測通道，一個偵測通道由收集器24、元件26及偵測器28形成且另一偵測通道由收集器30、元件32及偵測器34形成。如圖1中所展示，該兩個偵測通道經組態而以不同收集角度來收集並偵測光。在某些例項中，一個偵測通道經組態以偵測經鏡面反射光，且另一偵測通道經組態以偵測並非自樣品鏡面反射(例如，散射、繞射等)之光。然而，偵測通道中之兩者或多於兩者可經組態以偵測來自樣品之同一類型之光(例如，經鏡面反射光)。雖然圖1展示包含兩個偵測通道之輸出獲取子系統之一實施例，但輸出獲取子系統可包含不同數目個偵測通道(例如，僅一個偵測通道或者兩個或多於兩個偵測通道)。雖然在圖1中將收集器中之每一者展示為單個折射光學元件，但收集器中之每一者可包含一或多個折射光學元件及/或一或多個反射光學元件。
一或多個偵測通道可包含此項技術中已知的任何適合偵測器。舉例而言，偵測器可包含光電倍增管(PMT)或此項技術中已知的任何其他適合非成像偵測器。若偵測器係非成像偵測器，則偵測器中之每一者可經組態以偵測經散射光之特定特性(諸如強度)，但不可經組態以依據在成像平面內之位置而偵測此等特性。如此，由包含於偵測通道中之每一者中之偵測器中之每一者產生之輸出可為信號或資料，但並非係影像信號或影像資料。在此等例項中，一電腦子系統(諸如系統之電腦子系統36)可經組態以自偵測器之非成像輸出產生樣品之影像。
注意，在本文中提供圖1以一般圖解說明可包含於本文中所闡述之系統實施例中之一輸出獲取子系統之一組態。顯然，本文中所闡述之輸出獲取子系統組態可經更改以最佳化系統之效能，如在設計一商業檢驗、度量等系統時通常執行。另外，可使用諸如可自KLA商業購得之29xx及39xx系列工具、SpectraShape族系工具及Archer系列工具之一現有檢驗或度量系統來實施本文中所闡述之系統(例如，藉由將本文中所闡述之功能性添加至一現有檢驗或度量系統)。針對某些此等系統，本文中所闡述之實施例可提供為檢驗或度量系統之選用功能性(例如，除檢驗或度量系統之其他功能性之外)。另一選擇係，本文中所闡述之輸出獲取子系統可「從頭開始」設計以提供一全新檢驗或度量系統。
系統之電腦子系統36可以任何適合方式(例如，經由一或多個傳輸媒體，其可包含「有線」及/或「無線」傳輸媒體)耦合至輸出獲取子系統之偵測器，使得電腦子系統可接收在對樣品進行掃描期間由偵測器產生之輸出。電腦子系統36可經組態以使用如本文中所闡述之偵測器之輸出來執行若干個功能，且執行本文中進一步所闡述之任何其他功能。可如本文中所闡述而對此電腦子系統進行進一步組態。
此電腦子系統(以及本文中所闡述之其他電腦子系統)在本文中亦可被稱為電腦系統。本文中所闡述之電腦子系統或系統中之每一者可採用各種形式，包含一個人電腦系統、影像電腦、主機電腦系統、工作站、網路器具、網際網路器具或其他裝置。一般而言，術語「電腦系統」可廣泛地定義為囊括具有一或多個處理器之執行來自一記憶體媒體之指令之任何裝置。電腦子系統或系統亦可包含此項技術中已知的任何適合處理器，諸如一並行處理器。另外，電腦子系統或系統可包含具有高速度處理及軟體之一電腦平台作為一獨立工具或一網路連接工具。
若系統包含多於一個電腦子系統，則不同電腦子系統可彼此耦合，使得影像、資料、資訊、指令等可在電腦子系統之間發送，如本文中進一步所闡述。舉例而言，電腦子系統36可藉由任何適合傳輸媒體而耦合至電腦子系統102 (如圖1中之虛線所展示)，該等傳輸媒體可包含此項技術中已知的任何適合有線及/或無線傳輸媒體。此等電腦子系統中之兩者或多於兩者亦可藉由一共用電腦可讀儲存媒體(未展示)而有效地耦合。
雖然在上文中將輸出獲取子系統闡述為係一光學或基於光之子系統，但該輸出獲取子系統可為一基於電子束之子系統。舉例而言，在一項實施例中，被引導至樣品之能量包含電子，且自樣品所偵測之能量包含電子。以此方式，能量源可為一電子束源。在圖2中所展示之一項此實施例中，輸出獲取子系統包含耦合至電腦子系統124之電子柱122。
亦如圖2中所展示，電子柱包含電子束源126，該電子束源經組態以產生藉由一或多個元件130而聚焦至樣品128之電子。電子束源可包含(舉例而言)一陰極源或發射體尖端，且一或多個元件130可包含(舉例而言)一槍透鏡、一陽極、一限束光闌、一閘閥、一束電流選擇光闌、一物鏡以及一掃描子系統，所有該等元件皆可包含此項技術中已知的任何此等適合元件。
自樣品返回之電子(例如，次級電子)可藉由一或多個元件132而聚焦至偵測器134。一或多個元件132可包含(舉例而言)一掃描子系統，該掃描子系統可為包含於元件130中之相同掃描子系統。
電子柱可包含此項技術中已知的任何其他適合元件。另外，可如以下美國專利中所闡述而對電子柱進行進一步組態：2014年4月4日頒予Jiang等人之美國專利第8,664,594號、2014年4月8日頒予Kojima等人之美國專利第8,692,204號、2014年4月15日頒予Gubbens等人之美國專利第8,698,093號以及2014年5月6日頒予MacDonald等人之美國專利第8,716,662號，該等美國專利如同完全陳述於本文中一般以引用之方式併入。
雖然在圖2中將電子柱展示為經組態使得電子以一傾斜入射角度被引導至樣品且以另一傾斜角度自該樣品被散射，但應理解，電子束可以任何適合角度被引導至樣品及自該樣品被散射。另外，電子束子系統可經組態以使用多種模式來產生樣品之影像(例如，以不同照明角度、收集角度等)。電子束子系統之多種模式可在子系統之任何影像產生參數上不同。
電腦子系統124可耦合至偵測器134，如上文所闡述。偵測器可偵測自樣品之表面返回之電子，藉此產生由電腦子系統使用之輸出以形成樣品之電子束影像。該等電子束影像可包含任何適合電子束影像。電腦子系統124可經組態以使用偵測器之輸出及/或電子束影像來執行本文中所闡述之功能中之任一者。電腦子系統124可經組態以執行本文中所闡述之任何額外步驟。包含圖2中所展示之輸出獲取子系統之一系統可如在本文中所闡述而進一步組態。
注意，在本文中提供圖2以一般圖解說明可包含於本文中所闡述之實施例中之一基於電子束之輸出獲取子系統的一組態。正如上文所闡述之光學子系統，本文中所闡述之電子束子系統組態可經更改以最佳化子系統之效能，如在設計一商業檢驗或度量系統時通常執行。另外，可使用諸如可自KLA商業購得之eDR-xxxx系列工具之一現有檢驗、度量或高解析度缺陷再檢測系統來實施本文中所闡述之系統(例如，藉由將本文中所闡述之功能性添加至一現有檢驗、度量或缺陷再檢測系統)。針對某些此等系統，本文中所闡述之實施例可提供為系統之選用功能性(例如，除系統之其他功能性之外)。另一選擇係，本文中所闡述之系統可「從頭開始」設計以提供一全新系統。
雖然在上文中將輸出獲取子系統闡述為係一基於光或基於電子束之子系統，但該輸出獲取子系統可為一基於離子束之子系統。可如圖2中所展示而對此一輸出獲取子系統進行組態，惟電子束源可被替換為此項技術中已知的任何適合離子束源除外。因此，在一項實施例中，被引導至樣品之能量包含離子。另外，輸出獲取子系統可為任何其他適合基於離子束之輸出獲取子系統，諸如包含於可商業購得之聚焦離子束(FIB)系統、氦離子顯微鏡(HIM)系統及次級離子質譜(SIMS)系統中之基於離子束之輸出獲取子系統。
本文中所闡述之輸出獲取子系統可經組態以利用多種模式來產生樣品之輸出。一般而言，一「模式」可由用於產生輸出(其用於產生樣品之影像)之輸出獲取子系統之參數值定義。因此，模式可在輸出獲取子系統之參數中之至少一者(除產生輸出之樣品上之位置之外)之值上不同。以此方式，在某些實施例中，輸出由輸出獲取子系統依據輸出獲取子系統之一參數之兩個或多於兩個不同值而產生。舉例而言，在一光學子系統中，不同模式可使用不同光波長來進行照明。對於不同模式而言，模式可在照明波長上不同，如本文中進一步所闡述(例如，藉由使用不同光源、不同光譜濾光器等)。在另一實施例中，不同模式可使用光學子系統之不同照明通道。舉例而言，如上文所述，光學子系統可包含多於一個照明通道。如此，不同照明通道可用於不同模式。模式可在輸出獲取子系統之任何一或多個可更改參數(例如，照明偏光、角度、波長等、偵測偏光、角度、波長等)上不同。
以類似方式，由電子束子系統產生之輸出可包含由電子束子系統依據電子束子系統之一參數之兩個或多於兩個不同值而產生之輸出。電子束子系統之多種模式可由用於產生樣品之輸出之電子束子系統之參數值定義。因此，不同之模式可在電子束子系統之電子束參數中之至少一者之值上不同。舉例而言，在一電子束子系統之一項實施例中，不同模式可使用不同入射角度來進行照明。
本文中所闡述之輸出獲取子系統實施例可經組態以用於對樣品執行之檢驗、度量、缺陷再檢測或另一品質控制相關製程。舉例而言，可取決於本文中所闡述以及圖1及圖2中所展示之輸出獲取子系統之實施例將使用之應用而在一或多個參數上對該等輸出獲取子系統之實施例進行修改以提供不同輸出產生能力。在一項此實例中，圖1中所展示之輸出獲取子系統可經組態以在其將用於缺陷再檢測或度量而非用於檢驗之情況下具有一較高解析度。換言之，圖1及圖2中所展示之輸出獲取子系統之實施例闡述用於輸出獲取子系統之某些一般及各種組態，該等組態可以熟習此項技術者所顯而易見之若干種方式經裁適以產生具有或多或少適合於不同應用之不同輸出產生能力之輸出獲取子系統。
如上文所述，光學、電子及離子束子系統經組態以用於使能量(例如，光、電子等)對樣品之一實體版本進行掃描，藉此產生樣品之實體版本之輸出。以此方式，光學、電子及離子束子系統可被組態為一「實際」子系統，而非一「虛擬」子系統。然而，一儲存媒體(未展示)及圖1中所展示之電腦子系統102可被組態為一「虛擬」系統。特定而言，儲存媒體及電腦子系統可被組態為如2012年2月28日頒予Bhaskar等人之共同讓與之美國專利第8,126,255號及2015年12月29日頒予Duffy等人之共同讓與之美國專利第9,222,895號(該兩者皆如同完全陳述於本文中一般以引用之方式併入)中所闡述之一「虛擬」檢驗系統。可如此等專利中所闡述而對本文中所闡述之實施例進行進一步組態。
一般而言，在與一檢驗工具或本文中所闡述之其他輸出獲取子系統之樣品對準中涉及兩個階段：一處方設置階段及一運行時間階段。本文中所闡述之實施例可執行處方設置及運行時間樣品對準兩者。雖然使同一系統或方法執行樣品對準之設置及運行時間階段兩者可為最實用的，但此並非係必要的。舉例而言，一個系統可執行設置，且另一系統可執行運行時間。亦可能一個系統可執行設置，且同一系統以及一或多個其他系統可基於彼設置而執行運行時間樣品對準。在另一可能性中，同一系統之不同組件可用於設置及運行時間。舉例而言，一個電腦子系統可經組態以執行設置階段，且另一電腦子系統可經組態以執行運行時間階段。系統之其他組件可用於該兩個階段。將首先闡述設置階段。
本文中所闡述之對準係一樣品與一輸出獲取子系統(例如，一檢驗工具、一缺陷再檢測工具、一度量工具等之硬體)之對準。一般而言，此等工具可在樣品放置於耦合至輸出獲取硬體之一樣品處置器上之前或期間執行該樣品之某種對準。此對準可包含偵測樣品上之一對準標誌或標記(例如，一邊緣凹口或平面)且然後在樣品放置於樣品處置器上之前或期間以一特定方式定位該樣品。然而，此對準對於將由本文中所闡述之輸出獲取子系統執行之製程可並非係充分準確的。而是，如上文所闡述而執行之一相對粗糙對準可後續接著一較精細對準以達成樣品相對於輸出獲取子系統之所要對準。
圖3展示可如何相對於一輸出獲取子系統之一軸線而定向一樣品。雖然在圖3中將樣品展示為其上形成有晶粒302之晶圓300，但可以一類似方式對準本文中所闡述之其他樣品。當將樣品與輸出獲取子系統之軸線對準時，樣品之一軸線將與輸出獲取子系統之軸線重疊且因此在圖3中展示為單個軸線304。樣品之軸線可為樣品的在相對於形成於其上之晶粒及因此形成於其中之經圖案化特徵之一特定方向上之一直徑。輸出獲取子系統(圖3中未展示)之軸線可以若干種方式來定義，諸如輸出獲取子系統硬體(例如，一入射平面)之一軸線或耦合至該輸出獲取子系統硬體之一樣品處置器之一軸線(例如，樣品處置器之在一特定方向上之一直徑)。雖然重疊軸線在圖3中展示為在垂直於x方向之y方向上延伸，但該等軸線在彼此對準時可相對於x及y方向以任何適合方向來定向。出於本文中進一步論述之若干個原因(例如，為了最佳輸出產生(諸如在一特定方向上掃描晶粒及經圖案化特徵)、為了樣品至樣品對準及/或掃描至掃描對準之可重複性等)，使樣品相對於輸出獲取子系統以一已知方式進行配置係重要的。
圖4展示在一樣品未被對準時(例如，在其可被預精細對準時、在執行任何對準之前或由於對準誤差)可如何相對於一輸出獲取子系統之一軸線而定位該樣品。如圖4中所展示，由於樣品300旋轉一特定旋轉角度θ或-θ (取決於如何量測彼角度)，因此輸出獲取子系統(圖4中未展示)之軸線400與該樣品之軸線402不對準。因此，若軸線400與402在其如圖3中所展示而重疊時被視為對準的，則在由輸出獲取子系統掃描樣品之前，較佳地更改樣品相對於輸出獲取子系統之定向直至彼等軸線重疊為止。如此，樣品與輸出獲取子系統之任何不對準較佳地被偵測到且然後被修復，使得樣品可在製程之前及期間具有相對於輸出獲取子系統之預定配置。
包含於系統中之一或多個電腦子系統經組態以用於在樣品上之印刷例項之對應區域中之模板位置處獲取自偵測器之輸出產生之二維(2D)影像。如展示樣品對準之設置階段之圖5之步驟500中所展示，電腦子系統在模板位置處獲取2D影像。舉例而言，一或多個電腦子系統可包含執行本文中所闡述之步驟之至少三個組件。此等組件中之一者可包含控制輸出獲取子系統來掃描樣品之軟體。
獲取2D影像可或可不包含產生輸出(自其產生影像)或自該輸出產生影像。舉例而言，獲取2D影像可包含致使輸出獲取子系統使能量對樣品進行掃描以藉此產生輸出且然後自所產生輸出產生2D影像。以此方式，可使用本文中所闡述之輸出獲取子系統中之一者來執行獲取2D影像。舉例而言，可藉由將光或一電子束引導至樣品且偵測來自樣品之光或一電子束而產生輸出。在另一實例中，電腦子系統可包含軟體，該軟體控制輸出獲取子系統硬體來掃描樣品上之印刷例項，藉此產生偵測器之輸出。以此方式，可使用實體樣品本身及某一種類之輸出獲取硬體來執行產生輸出。
然而，本文中所闡述之實施例可在不產生輸出之情況下獲取輸出。舉例而言，獲取輸出未必包含使用硬體掃描樣品。舉例而言，另一系統及/或方法可產生輸出且可將所產生輸出儲存於如本文中所闡述之一或多個儲存媒體(諸如一虛擬檢驗系統)或者本文中所闡述之另一儲存媒體中。因此，獲取輸出可包含自其中已儲存有輸出之一或若干儲存媒體獲取該輸出。
在另一實施例中，偵測器之輸出包含非成像輸出。2D影像可自偵測器之非成像輸出產生，如上文進一步所闡述。電腦子系統可或可不藉由產生2D影像而獲取該等影像。舉例而言，2D影像可由另一系統及/或方法產生且被儲存於一或多個儲存媒體(諸如本文中所闡述之儲存媒體)中。因此，獲取2D影像可包含自其中已儲存有2D影像之一或若干儲存媒體獲取該等2D影像。
如上文進一步所闡述，由本文中所闡述之實施例設置之對準係在對樣品執行之一製程期間執行的樣品與輸出獲取子系統之對準。在某些實施例中，對樣品執行之製程包含檢驗，且檢驗包含基於在檢驗期間產生的輸出獲取子系統之偵測器之輸出而偵測樣品上之缺陷。換言之，不同於可使用專用於對準之一相機或其他2D偵測器或者對樣品執行之一次級製程(諸如缺陷再檢測)之某些其他對準方法，本文中所闡述之實施例有利地利用自經組態並用於對樣品執行製程之偵測器之輸出產生之2D影像來執行。以此方式，產生2D影像之輸出可為用於檢驗之偵測器輸出且該輸出可具有與用於檢驗之偵測器輸出相同之特性(例如，解析度等)。如此，本文中所闡述之實施例不使用或不需要專用於樣品對準之硬體。
在一項實施例中，偵測器包含一光電倍增管(PMT)。以此方式，本文中所闡述之實施例可經組態以使用2D PMT影像(亦即，自非成像PMT輸出產生之2D影像)來進行樣品對準。本文中所闡述之實施例之一個優點係該等實施例可使用由PMT產生之相對較大(與當前所使用8位元相比之12位元)灰階影像。本文中所闡述之實施例之另一優點係該等實施例可使用一PMT條帶影像，該PMT條帶影像比來自一再檢測相機或其他2D偵測器之一2D光學影像更快地產生。
2D影像包含在模板位置中之一第一模板位置處獲取之一第一影像及在模板位置中之一或多個其他模板位置處獲取之至少一個額外影像。模板位置之2D影像可為相對小的(比樣品上之一整個印刷例項之一影像小得多)，但以其他方式可具有任何適合大小，諸如一作業圖框、一片塊影像、一圖框影像、具有32像素乘32像素之一像素大小之一影像等。電腦子系統因此獲取在樣品上之對應印刷例項中之模板位置處產生之2D影像。印刷例項可為以一陣列印刷於樣品上之晶粒、場及諸如此類。在一項此實例中，印刷例項可為圖3中所展示之形成於晶圓300上之晶粒，諸如晶粒302。以此方式，模板位置可為一晶圓上之多個晶粒中之對應區域、一晶圓上之多個場等。可如本文中進一步所闡述而獲取模板影像。
在一項實施例中，系統包含經組態以用於向一使用者顯示資訊及自該使用者接收輸入之一使用者介面(UI)，例如，圖1中所展示之使用者介面104。舉例而言，一或多個電腦子系統可包含執行本文中所闡述之步驟之至少三個組件。彼等組件中之一者可為收集使用者設定之一UI。雖然圖1將UI展示為與電腦子系統分開之一元件，但UI可實施為包含於電腦子系統中之一組件。UI可顯示於耦合至電腦子系統或包含於電腦子系統中(視情況而定)之任何適合顯示裝置上。
在某些實施例中，一使用者可使用UI在一第一晶粒中選擇一2D模板位置，該UI可如本文中進一步所闡述而組態。使用者亦可在UI上於另一晶粒(或多個其他晶粒)中設定模板位置。舉例而言，使用者可控制樣品相對於輸出獲取子系統之定位以藉此產生樣品上之不同區域之影像且使用該等影像來在一單個印刷例項或多個印刷例項中選擇一或多個可能模板位置。以此方式，使用者可利用由UI、輸出獲取子系統及電腦子系統提供之能力來手動地識別樣品上之一或多個印刷例項中之一或多個2D模板位置。使用者亦可在不使用樣品及輸出獲取子系統之情況下在一或多個晶粒中選擇2D模板位置。舉例而言，一使用者可利用UI來查看樣品之一設計且在該設計中選擇2D模板位置，該等2D模板位置可由電腦子系統使用以識別樣品上之對應區域且控制輸出獲取子系統來在對應區域處產生偵測器之輸出。
可基於若干個因素而選擇模板位置及其他特性，該若干個因素中之一者可為選擇在將於對樣品執行之製程期間由系統產生之影像上可見之曼哈頓(Manhattan)及/或非曼哈頓圖案。舉例而言，若製程係使用多模式影像(例如，多通道散射PMT影像)執行之檢驗，則模板較佳地含有在此等影像中可見之圖案。模板亦可較佳地含有在一局部鄰域中(例如，在於製程期間由電腦子系統共同處理之一像素陣列(例如，一圖框、作業、片塊影像)內)係唯一之特徵。雖然模板位置及其他特性可由一使用者選擇，但一或多個電腦子系統可自動或半自動地選擇此等位置及特性。一般而言，可使用可用於針對一製程選擇對準目標(諸如本文中所闡述之對準目標)之任何方法或系統來選擇模板位置及其他特性。
在一項此實施例中，經由UI而自使用者接收之輸入包含模板位置之一2D大小。舉例而言，一使用者可利用一邊界框在UI上設定2D模板大小。雖然可在本文中所闡述之實施例中使用任何適合模板大小，但可被使用之模板大小之某些實例包含自約25 um至約100 um。若如上文所闡述自動地選擇模板特性，則亦可自動地選擇2D模板大小。與並非基於任何大小資訊而執行之1D投影方法相比，指定2D模板大小係新的。
模板大小以及模板本身可由一使用者選擇(在具有或不具有來自本文中所闡述之實施例之幫助之情況下)或完全由本文中所闡述之實施例選擇。可在樣品上之重複印刷例項中之每一者中存在多個可能模板位置且可選擇該多個可能模板位置中之一或多者供用於本文中所闡述之實施例中。舉例而言，如圖6中所展示，印刷例項600 (諸如一晶圓上之一晶粒)可包含多個可能模板602，該多個可能模板在圖6中由印刷例項之區域內之其邊界框展示。明顯地，圖6中所展示之印刷例項以及模板位置中之每一者將包含經圖案化特徵，諸如本文中進一步所闡述之圖8及圖9中所展示之經圖案化特徵。可能模板中之每一者可包含不同經圖案化特徵，或可能模板中之某些模板可包含相同經圖案化特徵。一使用者、本文中所闡述之電腦子系統或者另一方法或系統可以若干種方式(諸如藉由針對特定經圖案化特徵及/或具有特定特性之經圖案化特徵而掃描印刷例項之一影像且然後評估經圖案化特徵相對於在一預定附近之其他經圖案化特徵之唯一性)識別此等可能模板。若識別出多於一個可能模板，則可以任何適合方式(例如，藉由比較不同可能模板之唯一性以判定哪一可能模板具有最佳唯一性、藉由比較不同可能模板之影像品質以判定哪一可能模板由輸出獲取子系統最佳成像等)選擇可能模板中之一或多者來用作本文中所闡述之實施例中之模板。
若選擇多於一個可能模板供用於本文中所闡述之實施例中，則多個模板較佳地相對於彼此係唯一的，使得該多個模板在本文中所闡述之步驟期間不被混淆。另外，若選擇多於一個可能模板供用於本文中所闡述之實施例中，則可針對不同模板單獨地執行本文中所闡述之步驟中之某些或所有步驟。舉例而言，可針對不同模板而單獨且獨立地如本文中所闡述判定在x及y方向上之不同偏移，且可共同地使用針對不同模板中之每一者而判定之偏移來判定樣品相對於輸出獲取子系統之角度，如本文中所闡述。
一般而言，一所選擇模板應位於樣品上之每一印刷例項內之相同位置中。舉例而言，圖7展示三個印刷例項700、704及706 (但形成於本文中所闡述之樣品上之印刷例項之數目可實質上大於三個)。在此三個印刷例項中之每一者中，模板702位於印刷例項內之相同位置處。換言之，當印刷例項中之每一者具有相同設計時，經圖案化特徵將在印刷例項中之每一者中係相同的且應被形成為具有相同特性(例如，尺寸、定向等)。因此，一旦已在一個印刷例項中識別出一模板，便可將樣品上之所有其他印刷例項中之對應區域識別為對應模板位置。
在另一此實施例中，輸入包含以下各項中之一或多者：用於獲取2D影像之一或多個參數、用於本文中進一步所闡述之對準步驟之一臨限值、應用於2D影像之一品質臨限值、用於本文中進一步所闡述之比較步驟之預定值，及用於在本文中進一步所闡述之製程期間之樣品之對準的一或多個參數。舉例而言，一使用者可設定一通道融合遮罩(若系統或方法執行本文中進一步所闡述之影像融合)、一對準臨限值、一模板品質臨限值、UI中之其他晶圓對準參數，或其某一組合。據信此等參數係新的(亦即，在當前所使用樣品對準方法及系統中未被使用)。
為選擇通道融合遮罩，使用者可自一組預定義通道遮罩進行選擇。一般可將一通道融合遮罩定義為某一種類之旗標、標記或指令以告知電腦子系統或者執行通道融合之任何系統、方法或演算法哪些通道影像將用於樣本對準。可將一預定義預設值提供給使用者以用於對準臨限值。一使用者可首先使用預設參數來運行樣品對準且然後檢查結果及日誌檔案以調整臨限值。一模板品質臨限值表示模板唯一性，其可被定義為最高正規化互相關(NCC)峰值與第二NCC峰值之比率。舉例而言，其他對準參數可包含NCC峰值之形狀參數，諸如每一側上之斜率。
在某些實施例中，輸出獲取子系統經組態以將能量引導至樣品並利用第一模式及第二模式來偵測來自樣品之能量，且獲取2D影像包含：在樣品上之印刷例項之對應區域中之模板位置處獲取分別利用第一模式及第二模式產生之第一模式2D影像及第二模式2D影像；自在模板位置中之第一模板位置處獲取之第一模式2D影像及第二模式2D影像產生第一影像；及自在模板位置中之一或多個其他模板位置處產生之第一模式2D影像及第二模式2D影像產生至少一個額外影像。以此方式，可在模板位置中之每一者處利用多種模式產生影像且然後使用在模板位置中之每一者處產生之多種模式影像，可針對模板位置中之每一者產生一融合影像。在一項此實例中，若使用第一模式及第二模式來獲取影像，則可使用在第一模板位置處產生之第一模式影像及第二模式影像來產生第一模板位置之一融合影像，且可使用在第二模板位置處產生之第一模式影像及第二模式影像來產生第二模板位置之一融合影像，以此類推。如此，用於設置樣品之對準之2D影像可為融合2D影像，此可為有利的，如本文中進一步所闡述。
電腦子系統可發送或使用模板位置、模板大小、來自經掃描印刷例項(例如，晶粒)中之所有(或至少某些)經掃描印刷例項之多種模式(例如，三個通道)之影像以及樣品對準參數作為至一演算法引擎之輸入，該演算法引擎可執行影像融合以及本文中所闡述之任何其他步驟。電腦子系統可以其他方式使模板位置、模板大小、多種模式之影像以及樣品對準參數可用於本文中所闡述之其他步驟中。
在一項此實施例中，產生第一影像及產生至少一個額外影像包含影像融合。舉例而言，一演算法引擎可融合多模式(例如，多通道)影像，據信此係本文中所闡述之實施例之一新穎特徵。影像融合可包含(舉例而言)對待融合之影像中之某些或所有影像進行平均，藉此建立新的影像資料。亦可如2012年7月17日頒予Chen等人之美國專利第8,223,327號中所闡述而執行影像融合，該美國專利如同完全陳述於本文中一般以引用之方式併入。本文中所闡述之實施例可如此專利中所闡述而進一步組態。
在另一此實施例中，第一模式2D影像僅包含水平圖案，且第二模式2D影像僅包含垂直圖案。舉例而言，本文中所闡述之輸出獲取子系統之某些模式可能夠僅對本文中所闡述之樣品上之印刷例項中之某些圖案進行成像，而其他模式可能夠僅對樣品上之印刷例項中之其他圖案進行成像。藉由不同模式而被成像之圖案可或可不相互排斥。舉例而言，一種模式可能夠僅對水平圖案進行成像，另一模式可能夠僅對垂直圖案進行成像，但一第三模式可能夠對水平圖案及垂直圖案兩者進行成像。一般而言，產生僅包含一樣品上之經圖案化特徵中之某些經圖案化特徵之影像及/或產生不同模式影像(其中之某些不同模式影像包含樣品上之經圖案化特徵之子集)對於諸如檢驗之一製程係不成問題的，此乃因仍可使用此等影像執行相對高敏感度缺陷偵測。然而，此等影像對於本文中所闡述之對準可成問題。舉例而言，若某些影像僅包含在x方向上延伸之圖案且其他影像僅包含在y方向上延伸之圖案，則無任何影像可用於如本文中所闡述之製程所需的在x方向及y方向兩者上對準及/或執行x方向及y方向之單獨對準可降低整體對準之準確度。因此，本文中所闡述之實施例具有優於用於對準之其他方法及系統之若干個優點，此乃因即使影像並非個別地包含形於樣品上之所有圖案，本文中所闡述之實施例亦可使用該等影像來進行對準。
電腦子系統亦經組態以用於判定模板位置之間在x方向及y方向上之偏移，且判定偏移包含將第一影像與至少一個額外影像對準。如圖5之步驟502中所展示，電腦子系統判定模板位置之間在x方向及y方向上之偏移。舉例而言，一或多個電腦子系統可包含執行本文中所闡述之步驟之至少三個組件。此等組件中之一者可為一演算法，該演算法使用PMT影像及使用者設定來計算樣品對準。可在產生於第一模板位置處之第一影像與產生於其他模板位置處之任何其他影像之間判定偏移。以此方式，可相對於第一模板位置而判定任何一個模板位置之間的偏移。可自對準步驟之輸出計算偏移。
圖8及圖9圖解說明可如何判定偏移。舉例而言，圖8展示一2D模板影像可能係什麼樣子之一實例。在此實例中，2D模板影像800包含若干個經圖案化特徵802、804、806及808。在此實例中，影像中所展示之經圖案化特徵關於其形狀可未必係最唯一的，但經圖案化特徵可具有使其變得共同唯一的且因此適合用作一模板之某種唯一空間關係。在圖8及圖9中，實例性影像並非意欲圖解說明本文中所闡述之任何特定影像或樣品。舉例而言，經圖案化特徵(諸如圖8及圖9中所展示之經圖案化特徵)可不會形成有完美方形拐角、完美直線、完美平滑邊緣等(如圖8及圖9中所展示)且影像可反映彼等不完美以及可自模板位置至模板位置稍微變化之其他可能影像偽影。另外，經圖案化特徵將取決於樣品之設計而變化且因此可與圖8及圖9中所展示之經圖案化特徵不同。
如圖9中所展示，可在對準步驟904中將在一第一模板位置處獲取之第一影像900與在模板位置中之一個其他模板位置處獲取之額外影像902彼此對準，可作為圖5中所展示之步驟502之一部分而執行該對準步驟。如圖9中所展示，與第一影像900相比，額外影像902可具有某種y偏移(如所展示)及x偏移(未展示)，此可為當樣品未相對於輸出獲取子系統而恰當對準時之情形。然而，圖9中所展示之在對準之前的影像900與902之間的偏移並非意欲圖解說明可在由本文中所闡述之實施例獲取及使用之2D模板影像之間發生之任何特定偏移。而是，僅包含圖9以進一步理解本文中所闡述之實施例。為對準兩個影像，然後一或多個電腦子系統可更改影像中之一者相對於另一者之位置直至其對準為止。在已將影像對準(如由對準步驟之輸出所展示)之後，可比較在對準之前的影像902之原始位置與在對準之後的影像902之所得位置且可使用此等位置之間的差來判定x及y上之偏移，如圖9中所展示之步驟906中所展示。因此，基於對準步驟之輸出，可在x及y上判定偏移且然後將該等偏移用於本文中所闡述之其他步驟中。
再次，僅在本文中包含圖8及圖9中所展示之內容以示意性地圖解說明及進一步理解本發明。替代諸如上文所闡述之一嘗試錯誤(trial and error)製程(其中更改一個影像之位置直至其與另一影像對準為止)，任何適合對準方法或演算法(諸如NCC)可由本文中所闡述之實施例使用。以此方式，可自對準演算法或方法之輸出判定偏移。
在某些實施例中，在x方向及y方向上之偏移係在x方向及y方向上之子像素偏移。換言之，在x方向及y方向上之偏移可利用子像素準確度來判定。如彼術語在本文中所使用，「子像素」一般被定義為小於由一輸出獲取子系統產生之輸出之一像素。以此方式，如彼術語在本文中所使用，「子像素準確度」可一般被定義為以小於由輸出獲取子系統產生之輸出或自該輸出產生之影像中之一單個像素之大小(自一側至另一側之距離)的一誤差對某事物(例如x及y偏移)進行之判定。
在一項此實施例中，一或多個電腦子系統可使用一對準方法(諸如NCC)來計算模板與所有(或至少某些)晶粒之間的子像素x及y偏移。雖然NCC可為用於本文中所闡述之實施例中之對準之一種尤其有用之方法，但可使用任何其他適合對準方法，諸如一平方差總和(SSD)或一蠻力(brute force)方法。與上文進一步所闡述之用於樣品對準之一維(1D)投影方法相比，使用用於樣品對準之此一偏移計算方法係新的。在另一實施例中，對準不包含在x方向或y方向上投影第一影像及至少一個額外影像中之經圖案化特徵。舉例而言，本文中所闡述之對準不包含基於投影之方法(諸如本文中進一步所闡述之基於投影之方法)。在不於x方向及/或y方向上投影經圖案化特徵之情況下執行如本文中所闡述之對準係有利的，如本文中進一步所闡述。
在某些實施例中，系統經組態以用於使用多通道或多模式2D影像(諸如PMT影像)來進行樣品對準。舉例而言，在一項實施例中，輸出獲取子系統經組態以將能量引導至樣品且利用第一模式及第二模式偵測來自樣品之能量，利用第一模式獲取第一影像及至少一個額外影像，一或多個電腦子系統經組態以用於在樣品上之印刷例項之對應區域中之模板位置處獲取利用第二模式產生之額外2D影像，額外2D影像包含利用第二模式在模板位置中之第一模板位置處獲取之一第二影像及利用第二模式在模板位置中之一或多個其他模板位置處獲取之至少一個其他影像，且判定偏移包含藉由將第一影像與至少一個額外影像對準而判定x方向及y方向上之偏移中之一第一偏移及藉由將第二影像與至少一個其他影像對準而判定x方向及y方向上之偏移中之一第二偏移。以此方式，可利用不同模式針對不同模板位置而產生影像，此可如本文中進一步所闡述而執行。利用一種模式針對模板位置而產生之影像可用於判定偏移中之一者且利用另一模式針對模板位置而產生之影像可用於判定偏移中之另一者。自單獨影像集合判定不同偏移可如本文中所闡述而以其他方式執行。單獨判定之偏移可共同地用於判定樣品之一角度，如本文中進一步所闡述。
在一項此實施例中，第一影像及至少一個額外影像僅包含水平圖案，且第二影像及至少一個其他影像僅包含垂直圖案。此等影像可出於本文中進一步所闡述之原因(亦即，不同模式產生不同圖案之影像之能力)而產生。換言之，在其中利用不同模式來產生影像之一樣品上之同一區域中，彼區域中之經圖案化特徵中之僅某些經圖案化特徵可在利用模式中之一者產生之影像中且彼區域中之經圖案化特徵中之僅其他經圖案化特徵可在利用另一模式產生之影像中。替代如上文所闡述融合影像使得所有經圖案化特徵包含於自多模式影像融合之影像中，可單獨地使用多模式影像來判定不同偏移。
本文中所闡述之偏移可由電腦子系統判定並以任何適合格式(例如，簡單值、一關係或函數等)、以任何適合單位(例如，尺寸、像素、座標等)、以任何適合座標(例如，笛卡爾(Cartesian)或極座標)輸出。若需要，則亦可以此項技術中已知的任何適合方式將由電腦子系統判定之偏移自一種格式轉換為另一格式、自一種單位轉換為另一單位、自一種座標系統轉換為另一座標系統。
電腦子系統進一步經組態以用於基於x方向及y方向上之偏移而判定樣品相對於輸出獲取子系統之一角度。如圖5之步驟504中所展示，電腦子系統基於在步驟502中判定之偏移而判定樣品相對於一輸出獲取子系統之一角度。以此方式，一或多個電腦子系統使用偏移來計算樣品角度。可以此項技術中已知的任何適合方式來執行基於偏移而判定樣品之角度。在一項此實例中，可使用任何適合函數來執行判定樣品相對於輸出獲取子系統之角度，該函數可用於基於子系統硬體相對於模板位置以及模板位置相對於彼此之已知幾何關係而將所判定x及y 偏移轉化為樣品與子系統硬體之間的一角度。如此，一適合函數可取決於輸出獲取子系統組態以及其如何報告輸出產生位置而變化。
電腦子系統亦經組態以用於比較所判定角度與一預定值。如圖5之步驟506中所展示，舉例而言，電腦子系統判定所判定角度是否大於一預定值。以此方式，一或多個電腦子系統檢查樣品角度是否小於一預定義值。預定義值可為一系統或製程特有之一預設值或者可由一使用者使用一UI輸入，如本文中所闡述。然而，預定值被定義，其可回應於製程所需或所要之樣品至硬體對準準確度。舉例而言，與其中對準要求較寬鬆之製程相比，對於其中需要較佳對準之製程，預定值可較接近於零(此將係完美對準之情形)。因此，預定值闡述所要或所需對準，且執行比較該角度與該預定值以判定樣品是否以充分準確度與輸出獲取子系統對準。
當所判定角度大於預定值時，電腦子系統經組態以用於旋轉樣品且重複進行獲取、判定偏移、判定角度及比較步驟。舉例而言，若樣品角度不小於一預定義值，則一或多個電腦子系統可基於所計算角度而旋轉樣品且然後重複進行以樣品掃描步驟開始的上文所闡述之步驟。舉例而言，如圖5中所展示，當在步驟506中判定所判定角度大於預定值時，電腦子系統可旋轉樣品，如步驟508中所展示。在樣品已被旋轉之後，電腦子系統可重複進行步驟500、502、504及506。
以此方式，當所判定角度大於預定值時，此意味著樣品並未與輸出獲取子系統充分地對準。基於所判定角度與預定值之間的差，電腦子系統可判定樣品旋轉多少及旋轉樣品之方向。舉例而言，電腦子系統可致使樣品以等於所判定角度與預定值之間的差之一量及與該差相反之方向旋轉(例如，藉由控制樣品處置器以旋轉樣品)。如此，可以一反覆方式重複進行上文所闡述之步驟直至所判定角度不大於預定值為止。
在某些實施例中，經獲取並用於判定偏移之至少一個額外影像之一數目小於在重複進行獲取時所獲取並用於重複判定偏移之至少一個額外影像之一數目。舉例而言，電腦子系統或者包含於電腦子系統中或由電腦子系統使用之軟體可控制輸出獲取子系統硬體來在第一反覆中掃描兩個晶粒且在後續反覆中掃描較多晶粒。特定而言，在第一反覆上，樣品角度可為相對大的。因此，模板位置可不會完全包含於經掃描條帶影像中之多於兩個晶粒中，藉此使來自其他晶粒之任何額外影像變得對於本文中所闡述之目的係無用的。在後續反覆中，樣品已被旋轉，此應意味著樣品與輸出獲取子系統較佳地對準。因此，樣品上之更多晶粒可用於執行較佳對準。
當所判定角度小於預定值時，電腦子系統經組態以用於儲存第一影像以供在對樣品執行之一製程期間在對準樣品與輸出獲取子系統時使用。以此方式，當判定樣品角度小於一預定義值時，一或多個電腦子系統可將第一模板影像儲存於一處方中且將處方設置標記為完成。如圖5中所展示，舉例而言，當在步驟506中判定所判定角度小於一預定值時，在步驟510中，電腦子系統儲存第一影像。
電腦子系統可將第一影像儲存於任何適合電腦可讀儲存媒體中。第一影像可與本文中所闡述之結果中之任一者一起被儲存且可以此項技術中已知的任何方式被儲存。儲存媒體可包含本文中所闡述之任何儲存媒體或此項技術中已知的任何其他適合儲存媒體。在已儲存第一影像之後，該第一影像可在儲存媒體中被存取及由本文中所闡述之方法或系統實施例中之任一者使用、經格式化以顯示給一使用者、由另一軟體模組、方法或系統使用等。
在一項實施例中，儲存第一影像包含儲存第一影像以供用於對樣品執行之製程及對與樣品相同類型之至少一個其他樣品執行之製程中。舉例而言，本文中所闡述之實施例可針對一製程處方設置一樣品之對準，此可作為設置、建立、校準或更新處方之一部分執行。彼處方可然後由本文中所闡述之實施例(及/或另一系統或方法)儲存及使用以對樣品及/或其他樣品執行製程來藉此產生樣品及/或其他樣品之資訊(例如，缺陷資訊)。以此方式，第一影像可每樣品層被產生並儲存一次，且第一影像可用於對同一層之多個樣品執行之製程。當然，如在任何製程中，若對樣品層執行之製程被更新、校準、修改、重新訓練等，則第一影像亦可以與任何其他製程參數相同之方式被更新、校準、修改、重新訓練等。可以本文中所闡述之用於設置樣品之對準之相同方式來執行更新、校準、修改、重新訓練等第一影像。以此方式，本文中所闡述之實施例可經組態以用於在各種時間重複進行本文中所闡述之步驟以修改一先前設置製程。
現在將闡述並在圖10中展示運行時間階段。在一項實施例中，輸出獲取子系統及一或多個電腦子系統經組態以用於藉由以下操作而對樣品執行製程：在樣品上之印刷例項之對應區域中之模板位置中之一或多者處獲取自偵測器之輸出產生之至少一個運行時間2D影像；藉由對準所儲存第一影像與至少一個運行時間2D影像而判定所儲存第一影像與模板位置中之一或多者之間在x方向及y方向上之偏移；以及執行判定角度、比較、旋轉及重複步驟直至所判定角度小於預定值為止。舉例而言，在運行時間，模板資料已被保存於處方中。因此，不存在使用者設置步驟(諸如上文所闡述之使用者設置步驟)。而是，一或多個電腦子系統及/或UI自處方提取模板資料。以此方式，可重複進行上文所闡述之以掃描樣品開始之方法之步驟直至樣品角度小於預定義值為止。下文進一步闡述運行時間階段步驟。
如步驟1000中所展示，電腦子系統可在模板位置處獲取運行時間2D影像。此步驟可如本文中進一步所闡述而執行，惟影像獲取可在設置期間以與運行時間不同之一方式執行除外。在一項此實例中，設置及運行時間2D影像獲取可涉及不同樣品掃描路徑及/或在不同數目個模板位置處產生不同數目個2D影像。在運行時間，UI可自處方提取模板資料及樣品對準參數。此步驟可不同於上文所闡述之其中一使用者可使用UI來提供此等資料及參數之步驟。電腦子系統或相關聯軟體可控制輸出獲取子系統來掃描一個晶粒列(例如，以標記位點為中心之一個條帶影像且未必僅係一個晶粒列)。此步驟可不同於當僅可掃描一個或幾個晶粒時在設置中執行之步驟。
如圖10中所展示，可將在步驟1000中獲取之所儲存第一影像1002及運行時間2D影像輸入至步驟1004，在該步驟中，一或多個電腦子系統判定所儲存第一影像與模板位置之間在x方向及y方向上之偏移。判定x方向及y方向上之偏移可在運行時間期間以與上文關於設置所闡述之方式相同之方式來執行，惟輸入影像不同除外。舉例而言，一或多個電腦子系統可將模板資料、來自所有經掃描晶粒之一或多個通道(或模式)之影像以及樣品對準參數發送至一演算法引擎。演算法引擎可融合通道(或模式)影像且然後使用(舉例而言) NCC來計算模板與所有經掃描晶粒之間的子像素x及y偏移。
可然後使用所判定偏移來執行步驟1006，在該步驟中，一或多個電腦子系統基於偏移而判定樣品相對於輸出獲取子系統之一角度。亦可如上文關於設置所闡述而執行判定樣品相對於輸出獲取子系統之角度。以此方式，一或多個電腦子系統可使用偏移來計算樣品角度。
在步驟1008中，一或多個電腦子系統可然後判定所判定角度是否大於一預定值。預定值可與用於設置之預定值相同。若所判定角度大於預定值，則一或多個電腦子系統旋轉樣品(如步驟1010中所展示)且然後重複進行上文所闡述之以步驟1000開始之步驟。若所判定角度小於預定值，則輸出獲取子系統及電腦子系統利用樣品之當前位置來執行製程，如步驟1012中所展示。以此方式，一或多個電腦子系統可檢查樣品角度是否小於一預定義值。若角度小於預定義值，則一或多個電腦子系統可將樣品標記為對準的(此不同於設置階段)，且可將運行時間樣品對準標記為完成(此亦不同於設置階段)。若樣品角度不小於預定義值，則一或多個電腦子系統可基於所計算角度而旋轉樣品且重複進行以掃描樣品上之一個晶粒列開始之步驟。
本文中所闡述之實施例亦可執行在如上文所闡述於運行時間中已將樣品對準之後的製程。該製程可包含本文中所闡述之製程(諸如檢驗、缺陷再檢測、度量及諸如此類)中之任一者。電腦子系統可經組態以用於將藉由執行製程而產生之樣品之資訊(諸如所偵測缺陷之資訊)儲存於任何適合電腦可讀儲存媒體中。該資訊可與本文中所闡述之結果中之任一者一起被儲存且可以此項技術中已知的任何方式被儲存。儲存媒體可包含本文中所闡述之任何儲存媒體或此項技術中已知的任何其他適合儲存媒體。在已儲存該資訊之後，該資訊可在儲存媒體中被存取及由本文中所闡述之方法或系統實施例中之任一者使用、經格式化以顯示給一使用者、由另一軟體模組、方法或系統使用等。
藉由對樣品或相同類型之其他樣品執行本文中所闡述之製程而產生之結果及資訊可以多種方式由本文中所闡述之實施例及/或其他系統及方法使用。此等功能包含但不限於更改以一回饋或前饋方式已對樣品或另一樣品執行或者將對樣品或另一樣品執行之一製程(諸如一製作製程)或步驟。舉例而言，電腦子系統可經組態以判定對一製程之一或多個改變，該製程已對如本文中所闡述基於所偵測缺陷而被檢驗之一樣品執行或將對該樣品執行。對製程之改變可包含對製程之一或多個參數之任何適合改變。電腦子系統較佳地判定彼等改變，使得可在對其執行經修正製程之其他樣品上減少或防止缺陷、可在對樣品執行之另一製程中在樣品上校正或消除缺陷、可在對樣品執行之另一製程中補償缺陷等。電腦子系統可以此項技術中已知的任何適合方式判定此等改變。
可然後將彼等改變發送至一半導體製作系統(未展示)或者可由電腦子系統及半導體製作系統存取之一儲存媒體(未展示)。半導體製作系統可或可不係本文中所闡述之系統實施例之一部分。舉例而言，本文中所闡述之電腦子系統及/或輸出獲取子系統可(例如)經由一或多個共同元件(諸如一殼體、一電源供應器、一樣品處置裝置或機構等)而耦合至半導體製作系統。半導體製作系統可包含此項技術中已知的任何半導體製作系統，諸如一微影工具、一蝕刻工具、一化學機械拋光(CMP)工具、一沈積工具及諸如此類。
因此，如本文中所闡述，實施例可用於設置一新的製程或處方。實施例亦可用於修改一現有製程或處方，不論該現有製程或處方係用於樣品之一製程或處方還是經形成以用於一個樣品且經調適以用於另一樣品之一製程或處方。另外，本文中所闡述之實施例不限於檢驗製程形成或修改。舉例而言，本文中所闡述之實施例亦可用於以一類似方式設置或修改用於度量、缺陷再檢測等之一製程。特定而言，可執行如本文中所闡述之設置對準及執行樣品對準，而不管正被設置或修正之製程如何。因此，本文中所闡述之實施例可不僅用於設置或修改一檢驗製程，且亦可用於設置或修改對本文中所闡述之樣品執行之任何品質控制類型製程。
本文中所闡述之實施例提供優於用於設置一樣品之對準及在對一樣品執行之一製程期間對準該樣品之先前所使用方法及系統的若干個優點。舉例而言，本文中所闡述之實施例藉由使用2D影像而改良對準成功率。特定而言，2D影像較不可能與錯誤圖案對準，與錯誤圖案對準係1D投影方法之主要失敗原因。另外，本文中所闡述之實施例可藉由使用多個通道影像而改良對準成功率。多通道融合可獲得影像中之水平圖案及垂直圖案兩者。當兩種圖案存在時，改良對準效能。良好樣品對準對於後續樣品檢驗至關重要。使用現有1D投影及2D光學方法，當前檢驗工具可具有高於預期之對準失敗。本文中所闡述之實施例將改良整體樣品對準效能。
因此，本文中所闡述之實施例之優點係實施例之特定新穎特徵之一直接結果。此等新穎特徵包含但不限於：實施例可使用2D PMT影像來進行樣品對準(與1D投影相比)。新穎特徵亦包含但不限於：實施例可在樣品對準中融合多模式(例如，多通道)影像(與1D投影及2D光學方法中之單通道相比)。
上文所闡述之系統中之每一者之實施例中之每一者可一起組合成一個單項實施例。
另一實施例係關於用於設置一樣品之對準之一電腦實施方法。該方法包含上文所闡述之獲取、判定偏移、判定一角度、比較、旋轉、重複及儲存步驟。
可如本文中進一步所闡述而執行該方法之步驟中之每一者。該方法亦可包含可由本文中所闡述之輸出獲取子系統及/或電腦子系統或系統執行之任何其他步驟。獲取、判定偏移、判定一角度、比較、旋轉、重複及儲存步驟由一或多個電腦子系統執行，該一或多個電腦子系統可根據本文中所闡述之實施例中之任一者而組態。另外，上文所闡述之方法可藉由本文中所闡述之系統實施例中之任一者來執行。
一額外實施例係關於儲存程式指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等程式指令可在一電腦系統上執行以執行用於設置一樣品之對準之一電腦實施方法。在圖11中展示一項此類實施例。特定而言，如圖11中所展示，非暫時性電腦可讀媒體1100包含可在電腦系統1104上執行之程式指令1102。電腦實施方法可包含本文中所闡述之任何方法之任何步驟。
實施諸如本文中所闡述之方法之方法之程式指令1102可儲存於電腦可讀媒體1100上。電腦可讀媒體可為諸如一磁碟或光碟、一磁帶之一儲存媒體，或者此項技術中已知的任何其他適合之非暫時性電腦可讀媒體。
可以各種方式中之任一者來實施程式指令，該等方式包含基於程序之技術、基於組件之技術及/或面向物件之技術以及其他。舉例而言，可按需要使用ActiveX控件、C++物件、JavaBeans、微軟基礎類別(「MFC」)、SSE (串流化SIMD擴展)或者其他技術或方法來實施該等程式指令。
電腦系統1104可根據本文中所闡述之實施例中之任一者而組態。
鑒於此說明，熟習此項技術者將明瞭本發明之各種態樣之其他修改及替代實施例。舉例而言，提供用於設置一樣品之對準之方法及系統。因此，此說明應被視為僅具說明性，且係出於教示熟習此項技術者實施本發明之一般方式之目的。應理解，本文中所展示及所闡述之本發明之形式應被視為目前較佳實施例。如熟習此項技術者在受益於對本發明之此說明之後將全部明瞭，元件及材料可替代本文中所圖解說明及闡述之彼等元件及材料，零件及製程可顛倒，且本發明之特定特徵可獨立地利用。可在不背離如隨附申請專利範圍中所闡述的本發明之精神及範疇之情況下對本文中所闡述之元件做出改變。
10:輸出獲取子系統 14:樣品 16:光源/源 18:光學元件 20:透鏡 21:分束器 22:載台 24:收集器 26:元件 28:偵測器 30:收集器 32:元件 34:偵測器 36:電腦子系統 102:電腦子系統 104:使用者介面 122:電子柱 124:電腦子系統 126:電子束源 128:樣品 130:元件 132:元件 134:偵測器 300:晶圓/樣品 302:晶粒 304:軸線 400:軸線 402:軸線 500:步驟 502:步驟 504:步驟 506:步驟 508:步驟 510:步驟 600:印刷例項 602:可能模板 700:印刷例項 702:模板 704:印刷例項 706:印刷例項 800:二維模板影像 802:經圖案化特徵 804:經圖案化特徵 806:經圖案化特徵 808:經圖案化特徵 900:第一影像/影像 902:額外影像/影像 904:對準步驟 906:步驟 1000:步驟 1002:所儲存第一影像 1004:步驟 1006:步驟 1008:步驟 1010:步驟 1012:步驟 1100:非暫時性電腦可讀媒體/電腦可讀媒體 1102:程式指令 1104:電腦系統 θ:特定旋轉角度 -θ:特定旋轉角度
在受益於對較佳實施例之以下詳細說明之情況下且在參考隨附圖式之後，熟習此項技術者將明瞭本發明之其他優點，其中： 圖1及圖2係圖解說明如本文中所闡述而組態之一系統之實施例之側視圖的示意圖； 圖3及圖4係圖解說明相對於一輸出獲取子系統之一軸線處於不同位置中之一樣品之一項實例的一平面圖之示意圖； 圖5係圖解說明可經執行以用於設置一樣品之對準之步驟之一項實施例的一流程圖； 圖6係圖解說明一樣品上之一印刷例項中之多個可能模板之位置的一項實例之一平面圖之一示意圖； 圖7係圖解說明一樣品上之印刷例項之對應區域中之模板位置的一項實例之一平面圖之一示意圖； 圖8係圖解說明在一樣品上之一印刷例項中之一模板位置處自一輸出獲取子系統之一偵測器之輸出產生的一二維(2D)影像之一項實例之一平面圖之一示意圖； 圖9係圖解說明在一樣品上之印刷例項之對應區域中之模板位置處自一輸出獲取子系統之一偵測器之輸出產生的2D影像之一項實例之一平面圖以及可如何使用2D影像來判定模板位置之間在x及y方向上之偏移之一項實施例的一示意圖； 圖10係圖解說明可經執行以用於在對一樣品執行之一製程期間對準該樣品之步驟之一項實施例的一流程圖；且 圖11係圖解說明儲存用於致使一電腦系統執行本文中所闡述之一電腦實施方法之程式指令之一非暫時性電腦可讀媒體的一項實施例之一方塊圖。 儘管易於對本發明做出各種修改及替代形式，但其特定實施例係以實例方式展示於圖式中且將在本文中詳細地闡述。該等圖式可未按比例繪製。然而，應理解，圖式及對圖式之詳細說明並不意欲將本發明限制於所揭示之特定形式，而是相反，本發明意欲涵蓋在由隨附申請專利範圍所界定的本發明之精神及範疇內之所有修改、等效形式及替代形式。
10:輸出獲取子系統
14:樣品
16:光源/源
18:光學元件
20:透鏡
21:分束器
22:載台
24:收集器
26:元件
28:偵測器
30:收集器
32:元件
34:偵測器
36:電腦子系統
102:電腦子系統
104:使用者介面

Claims (19)

  1. 一種經組態以用於設置一樣品之對準之系統，其包括：一輸出獲取子系統，其包括至少一能量源及一偵測器，其中該能量源經組態以產生被引導至該樣品之能量，其中該偵測器經組態以偵測來自該樣品之能量並回應於該所偵測能量而產生輸出，且其中該輸出獲取子系統經組態以將該能量引導至該樣品且利用第一模式及第二模式來偵測來自該樣品之該能量；及一或多個電腦子系統，其經組態以：在該樣品上之印刷例項之對應區域中之模板位置處獲取自該偵測器之該輸出產生之二維影像，其中該等二維影像包括在該等模板位置中之一第一模板位置處獲取之一第一影像及在該等模板位置中之一或多個其他模板位置處獲取之至少一個額外影像，且其中該獲取包括在該樣品上之該等印刷例項之該等對應區域中之該等模板位置處獲取分別利用該第一模式及該第二模式而產生之第一模式二維影像及第二模式二維影像、自在該等模板位置中之該第一模板位置處獲取之該等第一模式二維影像及該等第二模式二維影像產生該第一影像、及自在該等模板位置中之該一或多個其他模板位置處產生之該等第一模式二維影像及該等第二模式二維影像產生該至少一個額外影像；判定該等模板位置之間在x方向及y方向上之偏移，其中判定該等偏移包括對準該第一影像與該至少一個額外影像；基於該x方向及該y方向上之該等偏移而判定該樣品相對於該輸出 獲取子系統之一角度；比較該所判定角度與一預定值；當該所判定角度大於該預定值時，旋轉該樣品且重複進行該等獲取、判定該等偏移、判定該角度及比較步驟；以及當該所判定角度小於該預定值時，儲存該第一影像以供在對該樣品執行之一製程期間在對準該樣品與該輸出獲取子系統時使用。
  2. 如請求項1之系統，其中該偵測器包括一光電倍增(photomultiplier)管。
  3. 如請求項1之系統，其中該偵測器之該輸出包括非成像輸出。
  4. 如請求項1之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以用於在該樣品上之該等印刷例項之該等對應區域中之該等模板位置處獲取利用該第二模式而產生之額外二維影像，其中該等額外二維影像包括利用該第二模式在該等模板位置中之該第一模板位置處獲取之一第二影像及利用該第二模式在該等模板位置中之該一或多個其他模板位置處獲取之至少一個其他影像，且其中判定該等偏移進一步包括藉由對準該第一影像與該至少一個額外影像而判定該x方向及該y方向上之該等偏移中之一第一偏移以及藉由對準該第二影像與該至少一個其他影像而判定該x方向及該y方向上之該等偏移中之一第二偏移。
  5. 如請求項4之系統，其中該第一影像及該至少一個額外影像僅包括水 平圖案，且其中該第二影像及該至少一個其他影像僅包括垂直圖案。
  6. 如請求項1之系統，其中產生該第一影像及產生該至少一個額外影像包括影像融合。
  7. 如請求項1之系統，其中該等第一模式二維影像僅包括水平圖案，且其中該等第二模式二維影像僅包括垂直圖案。
  8. 如請求項1之系統，其中該x方向及該y方向上之該等偏移係該x方向及該y方向上之子像素偏移。
  9. 如請求項1之系統，其中該對準不包括在該x方向或該y方向上投影該第一影像及該至少一個額外影像中之經圖案化特徵。
  10. 如請求項1之系統，其中經獲取並用於判定該等偏移之該至少一個額外影像之一數目小於在重複進行該獲取時所獲取並用於重複判定該等偏移之該至少一個額外影像之一數目。
  11. 如請求項1之系統，其中該輸出獲取子系統及該一或多個電腦子系統進一步經組態以用於藉由以下操作而對該樣品執行該製程：在該樣品上之該等印刷例項之該等對應區域中之該等模板位置中之一或多者處獲取自該偵測器之該輸出產生之至少一個運行時間二維影像、藉由對準該所儲存第一影像與該至少一個運行時間二維影像而判定該所儲存第一影像與該等模 板位置中之該一或多者之間在該x方向及該y方向上之該等偏移、及執行該判定該角度、該比較、該旋轉及該重複直至該所判定角度小於該預定值為止。
  12. 如請求項1之系統，其進一步包括一使用者介面，該使用者介面經組態以用於向一使用者顯示資訊及自該使用者接收輸入，其中該輸入包括該等模板位置之一個二維大小。
  13. 如請求項1之系統，其進一步包括一使用者介面，該使用者介面經組態以用於向一使用者顯示資訊及自該使用者接收輸入，其中該輸入包括以下各項中之一或多者：用於獲取該等二維影像之一或多個參數、用於該對準之一臨限值、應用於該等二維影像之一品質臨限值、用於該比較步驟之該預定值，及用於在該製程期間執行之該樣品之該對準之一或多個參數。
  14. 如請求項1之系統，其中對該樣品執行之該製程包括檢驗，且其中該檢驗包括基於該輸出獲取子系統之該偵測器在該檢驗期間產生之輸出而偵測該樣品上之缺陷。
  15. 如請求項1之系統，其中該樣品包括一晶圓。
  16. 如請求項1之系統，其中被引導至該樣品之該能量包括光，且其中自該樣品偵測之該能量包括光。
  17. 如請求項1之系統，其中被引導至該樣品之該能量包括電子，且其中自該樣品偵測之該能量包括電子。
  18. 一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存可在一電腦系統上執行以用於執行用於設置一樣品之對準之一電腦實施方法之程式指令，其中該電腦實施方法包括：在該樣品上之印刷例項之對應區域中之模板位置處獲取自一輸出獲取子系統之一偵測器之輸出產生之二維影像，其中該等二維影像包括在該等模板位置中之一第一模板位置處獲取之一第一影像及在該等模板位置中之一或多個其他模板位置處獲取之至少一個額外影像；其中該輸出獲取子系統包括至少一能量源及該偵測器，其中該能量源經組態以產生被引導至該樣品之能量，其中該偵測器經組態以偵測來自該樣品之能量並回應於該所偵測能量而產生該輸出，且其中該輸出獲取子系統經組態以將該能量引導至該樣品且利用第一模式及第二模式來偵測來自該樣品之該能量；及其中該獲取包括在該樣品上之該等印刷例項之該等對應區域中之該等模板位置處獲取分別利用該第一模式及該第二模式而產生之第一模式二維影像及第二模式二維影像、自在該等模板位置中之該第一模板位置處獲取之該等第一模式二維影像及該等第二模式二維影像產生該第一影像、及自在該等模板位置中之該一或多個其他模板位置處產生之該等第一模式二維影像及該等第二模式二維影像產生該至少一個額外影像；判定該等模板位置之間在x方向及y方向上之偏移，其中判定該等偏 移包括對準該第一影像與該至少一個額外影像；基於該x方向及該y方向上之該等偏移而判定該樣品相對於該輸出獲取子系統之一角度；比較該所判定角度與一預定值；當該所判定角度大於該預定值時，旋轉該樣品且重複進行該等獲取、判定該等偏移、判定該角度及比較步驟；及當該所判定角度小於該預定值時，儲存該第一影像以供在對該樣品執行之一製程期間在對準該樣品與該輸出獲取子系統時使用，其中該等獲取、判定該等偏移、判定該角度、比較、旋轉、重複及儲存步驟由該電腦系統執行。
  19. 一種用於設置一樣品之對準之電腦實施方法，其包括：在該樣品上之印刷例項之對應區域中之模板位置處獲取自一輸出獲取子系統之一偵測器之輸出產生之二維影像，其中該等二維影像包括在該等模板位置中之一第一模板位置處獲取之一第一影像及在該等模板位置中之一或多個其他模板位置處獲取之至少一個額外影像；其中該輸出獲取子系統包括至少一能量源及該偵測器，其中該能量源經組態以產生被引導至該樣品之能量，其中該偵測器經組態以偵測來自該樣品之能量並回應於該所偵測能量而產生該輸出，且其中該輸出獲取子系統經組態以將該能量引導至該樣品且利用第一模式及第二模式來偵測來自該樣品之該能量；及其中該獲取包括在該樣品上之該等印刷例項之該等對應區域中之該等模板位置處獲取分別利用該第一模式及該第二模式而產生之第 一模式二維影像及第二模式二維影像、自在該等模板位置中之該第一模板位置處獲取之該等第一模式二維影像及該等第二模式二維影像產生該第一影像、及自在該等模板位置中之該一或多個其他模板位置處產生之該等第一模式二維影像及該等第二模式二維影像產生該至少一個額外影像；判定該等模板位置之間在x方向及y方向上之偏移，其中判定該等偏移包括對準該第一影像與該至少一個額外影像；基於該x方向及該y方向上之該等偏移而判定該樣品相對於該輸出獲取子系統之一角度；比較該所判定角度與一預定值；當該所判定角度大於該預定值時，旋轉該樣品且重複進行該等獲取、判定該等偏移、判定該角度及比較步驟；及當該所判定角度小於該預定值時，儲存該第一影像以供在對該樣品執行之一製程期間在對準該樣品與該輸出獲取子系統時使用，其中該等獲取、判定該等偏移、判定該角度、比較、旋轉、重複及儲存步驟由一或多個電腦子系統執行。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118431139B (zh) * 2024-07-05 2024-10-01 迈为技术(珠海)有限公司 晶圆对准方法、装置、计算机设备和存储介质

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040013318A1 (en) * 2002-07-16 2004-01-22 Simske Steven J. System and method for manipulating a skewed digital image
US10048477B1 (en) * 2017-02-10 2018-08-14 Nanotronics Imaging, Inc. Camera and specimen alignment to facilitate large area imaging in microscopy
US20190122913A1 (en) * 2017-10-20 2019-04-25 Kla-Tencor Corporation Multi-step image alignment method for large offset die-die inspection

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52109875A (en) * 1976-02-25 1977-09-14 Hitachi Ltd Position matching system for mask and wafer and its unit
US4457664A (en) * 1982-03-22 1984-07-03 Ade Corporation Wafer alignment station
US4780617A (en) * 1984-08-09 1988-10-25 Nippon Kogaku K.K. Method for successive alignment of chip patterns on a substrate
US5298939A (en) * 1991-11-04 1994-03-29 Swanson Paul A Method and apparatus for transfer of a reticle pattern onto a substrate by scanning
TW278212B (zh) * 1992-05-06 1996-06-11 Sumitomo Electric Industries
US6541283B1 (en) * 1999-10-21 2003-04-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for determining magnification error portion of total misalignment error in a stepper
US6498640B1 (en) * 1999-12-30 2002-12-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method to measure alignment using latent image grating structures
JP4942129B2 (ja) * 2000-04-07 2012-05-30 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド ＧａＡｓウエハ用のウエハ方向センサー
US7151609B2 (en) * 2000-07-06 2006-12-19 Filmetrics, Inc. Determining wafer orientation in spectral imaging
JP3967935B2 (ja) 2002-02-25 2007-08-29 株式会社日立製作所 合わせ精度計測装置及びその方法
US7570796B2 (en) * 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US7676077B2 (en) * 2005-11-18 2010-03-09 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US8698093B1 (en) 2007-01-19 2014-04-15 Kla-Tencor Corporation Objective lens with deflector plates immersed in electrostatic lens field
US8126255B2 (en) 2007-09-20 2012-02-28 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for creating persistent data for a wafer and for using persistent data for inspection-related functions
CA2722154C (en) * 2008-05-16 2013-06-25 Forensic Technology Wai Inc. Acquisition of topographies of objects having arbitrary geometries
US8223327B2 (en) 2009-01-26 2012-07-17 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for detecting defects on a wafer
CN101996398B (zh) 2009-08-12 2012-07-04 睿励科学仪器（上海）有限公司 用于晶圆对准的图像匹配方法及设备
US9170211B2 (en) * 2011-03-25 2015-10-27 Kla-Tencor Corp. Design-based inspection using repeating structures
US8664594B1 (en) 2011-04-18 2014-03-04 Kla-Tencor Corporation Electron-optical system for high-speed and high-sensitivity inspections
US8692204B2 (en) 2011-04-26 2014-04-08 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for electron beam detection
TWI434368B (zh) * 2011-12-08 2014-04-11 Metal Ind Res & Dev Ct 無標記基板組裝對位方法
US8716662B1 (en) 2012-07-16 2014-05-06 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus to review defects using scanning electron microscope with multiple electron beam configurations
JP6267203B2 (ja) * 2012-08-31 2018-01-24 セミコンダクター テクノロジーズ アンド インストゥルメンツ ピーティーイー リミテッド 多機能ウェハー及びフィルムフレームハンドリングシステム
US9092846B2 (en) 2013-02-01 2015-07-28 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using defect-specific and multi-channel information
US9222895B2 (en) 2013-02-25 2015-12-29 Kla-Tencor Corp. Generalized virtual inspector
US9816939B2 (en) 2014-07-22 2017-11-14 Kla-Tencor Corp. Virtual inspection systems with multiple modes
KR101602580B1 (ko) 2014-10-31 2016-03-10 세메스 주식회사 웨이퍼 검사 방법
CN104536273B (zh) 2015-01-04 2017-02-22 中国科学院光电技术研究所 一种用于接近式纳米光刻二维光栅自动对准系统
KR20160116534A (ko) * 2015-03-30 2016-10-10 삼성전자주식회사 전자빔을 이용한 웨이퍼의 검사 방법
US9891175B2 (en) 2015-05-08 2018-02-13 Kla-Tencor Corporation System and method for oblique incidence scanning with 2D array of spots
KR102521073B1 (ko) 2016-06-03 2023-04-12 세메스 주식회사 기판 얼라이너, 이를 구비하는 기판 검사 장치 및 이를 이용한 기판 정렬 방법
DE102016212019A1 (de) * 2016-07-01 2018-01-04 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Neigungsmessung und -korrektur des Deckglases im Strahlengang eines Mikroskops
CN107085842B (zh) 2017-04-01 2020-04-10 上海讯陌通讯技术有限公司 自学习多路图像融合的实时矫正方法及系统
US10572991B2 (en) * 2017-11-07 2020-02-25 Kla-Tencor Corporation System and method for aligning semiconductor device reference images and test images

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040013318A1 (en) * 2002-07-16 2004-01-22 Simske Steven J. System and method for manipulating a skewed digital image
US10048477B1 (en) * 2017-02-10 2018-08-14 Nanotronics Imaging, Inc. Camera and specimen alignment to facilitate large area imaging in microscopy
US20190122913A1 (en) * 2017-10-20 2019-04-25 Kla-Tencor Corporation Multi-step image alignment method for large offset die-die inspection

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Publication number Publication date
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US11748871B2 (en) 2023-09-05
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IL301151A (en) 2023-05-01
JP2023544275A (ja) 2023-10-23
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KR20230079063A (ko) 2023-06-05
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