TW201629811A - 判定用於樣本上之關注區域之座標 - Google Patents

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Abstract

本發明提供用於判定用於一樣本上之一關注區域之座標之系統及方法。一系統包含經組態用於針對經檢驗之一樣本上之一關注區域識別最接近該關注區域定位之一或多個目標之一或多個電腦子系統。該/(該等)電腦子系統亦經組態用於使針對該一或多個目標之一或多個影像與針對該樣本之一參考對準。針對該/(該等)目標之該/(該等)影像及針對該關注區域之一影像係由一檢驗子系統在該樣本之檢驗期間獲取。該/(該等)電腦子系統進一步經組態用於基於該對準之結果判定針對該/(該等)目標之該/(該等)影像與該參考之間之一偏移且基於該偏移及由該檢驗子系統報告之該關注區域之座標判定該關注區域之經修改座標。

Description

判定用於樣本上之關注區域之座標
本發明大體上係關於用於判定用於一樣本上之一關注區域之座標之方法及系統。
以下描述及實例不因其等包含於此段落中而認係先前技術。
可使用諸如電子設計自動化(EDA)、電腦輔助設計(CAD)及其他IC設計軟體之一方法或系統開發一積體電路(IC)設計。此等方法及系統可用於自IC設計產生電路圖案資料庫。電路圖案資料庫包含表示針對IC之多種層之複數個佈局之資料。電路圖案資料庫中之資料可用於判定針對複數個光罩之佈局。一光罩之一佈局通常包含界定光罩上之一圖案中之特徵之複數個多邊形。各個光罩用於製造IC之多種層之一者。IC之層可包含(例如)一半導體基板中之一接面圖案、一閘介電圖案、一閘電極圖案、一層間介電質中之一接觸圖案及一金屬化層上之一互連圖案。
本文中所使用之術語「設計資料」通常指一IC之實體設計(佈局)及透過複雜模擬或簡單幾何及布林運算而自實體設計導出之資料。
製造諸如邏輯及記憶體裝置之半導體裝置通常包含使用大量半導體製造程序處理諸如一半導體晶圓之一基板以形成半導體裝置之多種特徵部及多個階層。舉例而言，微影係涉及自一光罩傳送一圖案至 配置於一半導體晶圓上之一光阻之一半導體製造程序。半導體製造程序之額外實例包含(但不限於)化學機械拋光(CMP)、蝕刻、沈積及離子植入。多個半導體裝置可在一單一半導體晶圓上之一配置中經製造且接著經分成個別半導體裝置。
在一半導體製造程序期間之多種步驟處使用檢驗程序以偵測晶圓上之缺陷以促進製造程序中之更高良率及因此更高利潤。檢驗始終係製造半導體裝置(諸如IC)之一重要部分。然而，隨著半導體裝置之尺寸減小，檢驗對於可接受半導體裝置之成功製造變得更為重要，此係因為較小缺陷可導致裝置失效。
然而，隨著設計規則縮減，半導體製造程序可更接近對程序之效能能力之限制操作。另外，隨著設計規則縮減，較小缺陷可對裝置之電參數造成衝擊，此驅動更靈敏檢驗。因此，隨著檢驗規則縮減，由檢驗偵測之潛在良率相關缺陷之群體急劇增長，且由檢驗偵測之干擾缺陷之群體亦急劇增加。因此，可在晶圓上偵測越來越多缺陷且校正程序以消除全部缺陷可係困難且昂貴的。
最近，檢驗系統及方法日益經設計以集中於缺陷與設計之間之關係，此係因為對針對一晶圓之設計之影響將判定一缺陷是否重要及重要程度。舉例而言，已開發用於使檢驗及設計座標對準之一些方法。一此方法取決於與設計之檢驗系統座標對位之精確性。另一此方法涉及在檢驗影像圖塊及相關聯之設計剪輯上進行後處理對準。
然而，現有檢驗系統及方法之許多者存在若干缺點。舉例而言，當方法取決於與設計之檢驗系統座標對位之精確性時，方法不一定提供需要之對準精確性。另外，檢驗影像圖塊及相關聯之設計剪輯上之後處理對準取決於具有檢驗圖塊及設計剪輯之足夠資訊。通常，情況係未滿足此準則且相關缺陷不可用於分析之剩餘部分中或更糟的係損壞資料經傳播通過分析之剩餘部分，藉此減小結果之精確性。
因此，開發無上文所描述之一或多個缺點之用於判定一樣本上之一關注區域之座標之系統及方法將係有利的。
不可依任何方式將多種實施例之以下描述理解為限制隨附申請專利範圍之標的。
一實施例係關於一種系統，其經組態以判定用於一樣本上之一關注區域之座標。該系統包含一檢驗子系統，該檢驗子系統包含至少一能源及一偵測器。該檢驗子系統經組態以在樣本上方掃描由該能源產生之能量而該偵測器偵測來自該等樣本之能量且產生回應於該經偵測能量之影像。該系統包含經組態用於針對經檢驗之另一樣本上之一關注區域識別最接近該關注區域定位之一或多個目標之一或多個電腦子系統。該一或多個電腦子系統亦經組態用於使針對該一或多個目標之一或多個影像與針對該其他樣本之一參考對準。針對該一或多個目標之該一或多個影像及針對該關注區域之一影像由該檢驗子系統在該其他樣本之檢驗期間獲取。另外，該一或多個目標經組態用於基於該對準之結果判定針對該一或多個目標之該一或多個影像與該參考之間之一偏移且基於該偏移及由該檢驗子系統報告之該關注區域之座標判定該關注區域之經修改座標。可如本文中所描述般進一步組態該系統。
另一實施例係關於一種方法，其用於判定用於一樣本上之一關注區域之座標。該方法包含針對經檢驗之一樣本上之一關注區域識別最接近該關注區域之一或多個目標。該方法亦包含使針對該一或多個目標之一或多個影像與針對該樣本之一參考對準。針對該一或多個目標之該一或多個影像及針對該關注區域之一影像由一檢驗系統在該樣本之檢驗期間獲取。另外，該方法包含基於該對準之結果判定針對該一或多個目標之該一或多個影像與該參考之間之一偏移。該方法進一 步包含基於該偏移及由該檢驗系統報告之該關注區域之座標判定該關注區域之經修改座標。由一或多個電腦系統執行該識別、對準、判定該偏移及判定該等經修改座標。
可如本文中進一步描述般進一步執行上文中所描述之方法之步驟之各者。另外，上文中所描述之方法之實施例可包含本文中所描述之任何其他(若干)方法之任何其他(若干)步驟。此外，上文中所描述之方法可由本文中所描述之該等系統之任何者執行。
另一實施例係關於一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存可在一電腦系統上執行以執行用於判定用於一樣本上之一關注區域之座標之一電腦實施方法之程式指令。該電腦實施方法包含上文中所描述之方法之步驟。可如本文中所描述般進一步組態該電腦可讀媒體。可如本文中進一步描述般執行電腦實施方法之步驟。另外，可針對其執行程式指令之電腦實施方法可包含本文中所描述之任何其他(若干)方法之任何其他(若干)步驟。
100‧‧‧檢驗子系統
102‧‧‧系統
104‧‧‧光源
106‧‧‧分束器
108‧‧‧樣本
110‧‧‧透鏡
112‧‧‧偵測器
114‧‧‧電腦子系統
116‧‧‧電腦子系統
118‧‧‧電腦子系統
120‧‧‧電子設計自動化(EDA)工具
122‧‧‧電子顯微鏡筒
124‧‧‧電腦子系統
126‧‧‧電子束源
128‧‧‧樣本
130‧‧‧元件
132‧‧‧元件
134‧‧‧偵測器
200‧‧‧步驟
202‧‧‧步驟
204‧‧‧步驟
206‧‧‧步驟
208‧‧‧步驟
210‧‧‧步驟
212‧‧‧步驟
300‧‧‧步驟
302‧‧‧步驟
304‧‧‧步驟
306‧‧‧步驟
308‧‧‧步驟
310‧‧‧步驟
312‧‧‧步驟
314‧‧‧步驟
316‧‧‧步驟
318‧‧‧步驟
320‧‧‧步驟
400‧‧‧區域
402‧‧‧線
404‧‧‧特徵
406‧‧‧區域
408‧‧‧基於設計之關心區域
410‧‧‧關注缺陷
412‧‧‧箭頭
500‧‧‧非暫時性電腦可讀媒體
502‧‧‧程式指令
504‧‧‧電腦系統
在受益於較佳實施例之以下詳細描述的情況下且在參考隨附圖式時，熟習此項技術者將變得瞭解本發明之進一步優點，其中：圖1及圖1a係繪示經組態以判定用於一樣本上之一關注區域之座標之一系統之實施例之側視圖之示意圖；圖2至圖3係繪示可由本文中所描述之系統執行之步驟之不同實施例之流程圖；圖4係繪示一樣本上之一目標及該樣本上之一關注區域之一實施例之一平面圖之一示意圖；及圖5係繪示儲存用於導致一電腦系統執行本文中所描述之一電腦實施方法之程式指令之一非暫時性電腦可讀媒體之一實施例之一方塊圖。
雖然本發明易於以多種修改及替代形式呈現，但本發明之特定實施例藉由圖式中之實例展示且在本文中經詳細描述。圖式可不按比例。然而，應瞭解，圖式及另外詳細描述不意欲將本發明限制於揭示之特定形式，而相反，本發明將涵蓋如由隨附申請專利範圍界定之落於本發明之精神及範疇內之全部修改、等效物及替代物。
本文中使用之術語「設計」及「設計資料」通常指一IC之實體設計(佈局)及透過複雜模擬或簡單幾何及布林運算而自實體設計導出之資料。另外，由一光罩檢驗系統獲取之一光罩之一影像及/或其之衍生物可用作對於設計之一「代理伺服器」或「若干代理伺服器」。此一光罩影像或其之一衍生物可在使用一設計之本文中所描述之任何實施例中充當對於設計佈局之一取代物。設計可包含共同擁有之2009年8月4日頒予Zafar等人之美國專利第7,570,796號及2010年3月9日頒予Kulkarni等人之專利第7,676,077號中描述之任何其他設計資料或設計資料代理伺服器，該等專利都以引用之方式併入宛如完全陳述於本文中。另外，設計資料可係標準單元程式庫資料、整合佈局資料、關於一或多個層之設計資料、設計資料之衍生物及完全或部分晶片設計資料。
然而，一般而言，不可藉由使用一晶圓檢查系統成像一晶圓而產生設計資訊或資料。舉例而言，形成於晶圓上之設計圖案可能不精確表示針對晶圓之設計且晶圓檢查系統可能不能夠產生具有足夠解析度之形成於晶圓上之設計圖案之影像使得影像可用於判定關於針對晶圓之設計之資訊。因此，一般而言，不可使用一實體晶圓產生設計資訊或設計資料。另外，本文中描述之「設計」及「設計資料」指在一設計程序中由一半導體裝置設計者產生且因此預先於設計在任何實體晶圓上之印刷而能夠用於本文中描述之實施例中之資訊及資料。
現轉向圖式，應注意，圖式未按比例繪製。特定言之，極度誇大圖式之一些元件之比例以強調元件之特徵。亦應注意，圖式未按相同比例繪製。已使用相同元件符號指示可經類似組態之展示於一個以上圖式中之元件。除非本文中另有指明，否則所描述及展示之任何元件可包含任何適合商業上可購得之元件。
一實施例係關於一種系統，其經組態以判定用於一樣本上之一關注區域之座標。該系統包含一檢驗子系統，該檢驗子系統包含至少一能源及一偵測器。檢驗子系統經組態以在樣本上方掃描由能源產生之能量而偵測器偵測來自樣本之能量且產生回應於經偵測能量之影像。
在一實施例中，本文中所描述之樣本及其他樣本包含晶圓。在另一實施例中，本文中所描述之樣本及其他樣本包含光罩。晶圓及光罩可包含該技術中已知之任何晶圓及光罩。
在一實施例中，能源係一光源，且由偵測器偵測之能量包含光。以此方式，檢驗子系統可經組態為一光學或基於光之檢驗子系統。在圖1中將此一檢驗子系統之一實施例展示為系統102之一檢驗子系統100。檢驗子系統經組態用於使用光掃描樣本且在掃描期間偵測來自樣本之光。舉例而言，如圖1中所展示，檢驗子系統包含光源104，該光源104可包含該技術中已知之任何適合光源。在一實例中，光源可係一寬頻電漿(BBP)光源，其可係該技術中已知之任何適合此光源。經引導至樣本之光可包含單色光、多色光或寬頻光。
可將來自光源之光引導至分束器106，該分束器106可經組態以將來自光源之光引導至樣本108。光源可耦合至任何其他適合元件(未展示)，諸如一或多個聚光透鏡、準直透鏡、中繼透鏡、物鏡、光圈、光譜濾波器、偏振組件及類似者。如圖1中所展示，可依一垂直入射角將光引導至樣本。然而，可依任何適合入射角(包含接近垂直 及傾斜入射)將光引導至樣本。另外，可依一個以上入射角依序或同時將光或多個光束引導至樣本。檢驗子系統可經組態以依任何適合方式在樣本上方掃描光。
可在掃描期間由檢驗子系統之一或多個偵測器收集且偵測來自樣本108之光。舉例而言，依相對接近垂直之角度自樣本108反射之光(即，當入射角垂直時經鏡面反射之光)可穿過分束器106至透鏡110。透鏡110可包含如圖1中所展示之一折射光學元件。另外，透鏡110可包含一或多個折射光學元件及/或一或多個反射光學元件。由透鏡110收集之光可聚焦至偵測器112。偵測器112可包含該技術中已知之任何適合偵測器，諸如一電荷耦合裝置(CCD)或另一類型之成像偵測器。偵測器112經組態以產生回應於由透鏡110收集之反射光之輸出。因此，透鏡110及偵測器112形成檢驗子系統之一通道。檢驗子系統之此通道可包含該技術中已知之任何其他適合光學組件(未展示)。偵測器之輸出可包含(例如)影像、影像資料、信號、影像信號或可藉由適合用於一晶圓或光罩檢驗系統中之一偵測器產生之任何其他輸出。
由於圖1中所展示之檢驗子系統經組態以偵測自樣本鏡面反射之光，所以檢驗子系統經組態為一明場(BF)檢驗子系統。然而，此一檢驗子系統亦可經組態以用於其他類型之檢驗。舉例而言，圖1中所展示之檢驗子系統亦可包含一或多個其他通道(未展示)。其他(若干)通道可包含本文中所描述之任何光學組件，諸如經組態為一散射光通道之一透鏡及一偵測器。可如本文中描述般進一步組態透鏡及偵測器。以此方式，檢驗子系統亦可經組態用於暗場(DF)檢驗。
應注意，在本文中提供圖1以大體上繪示可包含於本文中所描述之系統實施例中之一基於光之檢驗子系統之一組態。明顯地，可變更本文中所描述之檢驗子系統組態以如在設計一商業檢驗系統時通常執行般最佳化檢驗子系統之效能。另外，可使用諸如商業上可購自加利 福尼亞之米爾皮塔斯(Milpitas)之KLA-Tencor的29xx/28xx系列之工具之一現有檢驗子系統(例如，藉由添加本文中所描述之功能性至一現有檢驗系統)實施本文中所描述之系統。對於一些此等系統，可將本文中所描述之方法提供為系統之選用功能性(例如，作為系統之其他功能性的補充)。替代地，可「從頭開始」設計本文中所描述之系統以提供一全新系統。
雖然在上文中將系統描述為一光學或基於光之檢驗系統，但檢驗子系統可係一基於電子束之子系統。在一此實施例中，能源係一電子束源，且由偵測器偵測之能量包含電子。在圖1a中所展示之一此實施例中，檢驗子系統包含耦合至電腦子系統124之電子顯微鏡筒122。
亦如圖1a中所展示，電子顯微鏡筒包含經組態以產生由一或多個元件130聚焦至樣本128之電子之電子束源126。電子束源可包含(例如)一陰極源或發射體頂端，且一或多個元件130可包含(例如)一電子槍透鏡、一陽極、一限束光圈、一閘閥、一束電流選擇光圈、一物鏡及一掃描子系統，其等全部可包含該技術中已知之任何此等適合元件。
自樣本返回之電子(例如，二次電子)可由一或多個元件132聚焦至偵測器134。一或多個元件132可包含(例如)一掃描子系統，其可係與包含於(若干)元件130中之掃描子系統相同之掃描子系統。
電子顯微鏡筒可包含該技術中已知之任何其他適合元件。另外，可如2014年4月4日頒予Jiang等人之美國專利第8,664,594號，2014年4月8日頒予Kojima等人之美國專利第8,692,204號，2014年4月15日頒予Gubbens等人之美國專利第8,698,093號及2014年5月6日頒予MacDonald等人之美國專利第8,716,662號中所描述般進一步組態電子顯微鏡筒，該等專利以引用之方式併入宛如完全陳述於本文中。
雖然在圖1a中將電子顯微鏡筒展示為經組態使得電子依一傾斜入 射角經引導至樣本且依另一傾斜角自樣本經散射，但應瞭解，電子束可依任何適合角度經引導至樣本且自樣本經散射。
電腦子系統124可耦合至偵測器134，如上文中所描述。偵測器可偵測自樣本之表面返回之電子，藉此形成樣本之電子束影像。電子束影像可包含任何適合電子束影像。電腦子系統124可經組態以使用由偵測器134產生之輸出偵測樣本上之缺陷。電腦子系統124可經組態以執行本文中所描述之任何(若干)額外步驟。
應注意，在本文中提供圖1a以大體上繪示可包含於本文中所描述之系統實施例中之一基於電子束之檢驗子系統之一組態。如同上文中所描述之光學檢驗子系統，可變更本文中所描述之基於電子束之檢驗子系統組態以如在設計一商業檢驗系統時通常執行般最佳化檢驗子系統之效能。另外，可使用諸如商業上可購自加利福尼亞(Calif)之米爾皮塔斯(Milpitas)之KLA-Tencor的eSxxx系列之工具之一現有檢驗子系統(例如，藉由添加本文中所描述之功能性至一現有檢驗系統)實施本文中所描述之系統。對於一些此等系統，可將本文中所描述之方法提供為系統之選用功能性(例如，作為系統之其他功能性的補充)。替代地，可「從頭開始」設計本文中所描述之系統以提供一全新系統。
系統包含經組態用於本文中進一步描述之若干功能之一或多個電腦子系統。(若干)電腦子系統在本文中亦可稱為(若干)電腦系統。(若干)電腦子系統或(若干)系統可採取多種形式，包含一個人電腦系統、影像電腦、主機電腦系統、工作站、網路設備、網際網路設備或其他裝置。一般而言，術語「電腦系統」可經廣泛定義以涵蓋具有執行來自一記憶體媒體之指令之一或多個處理器之任何裝置。(若干)電腦子系統或(若干)系統亦可包含諸如一平行處理器之該技術中已知之任何適合處理器。另外，(若干)電腦子系統或(若干)系統可包含具有高速度處理及軟體之一電腦平台(作為一獨立工具或一網路工具)。
一或多個電腦子系統可包含檢驗系統之一電腦子系統。舉例而言，一或多個電腦子系統可包含檢驗系統102之電腦子系統114及/或圖1a中所展示之電腦子系統124。電腦子系統114可耦合至偵測器112及檢驗子系統之任何其他偵測器使得電腦子系統可接收由(若干)偵測器產生之輸出(例如，影像)。以一類似方式，電腦子系統124可耦合至偵測器134及檢驗子系統之任何其他偵測器使得電腦子系統可接收由(若干)偵測器產生之輸出(例如，影像)。
一或多個電腦子系統亦可或替代地包含一獨立類型之電腦系統。舉例而言，如圖1中所展示，一或多個電腦子系統可包含非檢驗系統或任何其他系統之部分之電腦子系統116。
(若干)電腦子系統可進一步包含係一電子設計自動化(EDA)工具之部分之一電腦子系統且本文中進一步描述之檢驗子系統非EDA工具之部分。舉例而言，如圖1中所展示，上文中所描述之(若干)電腦子系統之一者可係包含於EDA工具120中之電腦子系統118。EDA工具及包含於此一工具中之電腦子系統可包含可如本文中所描述之組態之任何商業上可購得之EDA工具。因此，如本文中所描述般經組態之(若干)電腦子系統可與用於檢驗樣本之一檢驗系統分開。
若系統包含一個以上電腦子系統，則不同電腦子系統可耦合至彼此使得影像、資料、資訊、指令等可在電腦子系統之間經發送。舉例而言，檢驗系統之電腦子系統114可藉由可包含該技術中已知之任何適合有線及/或無線傳輸媒體之任何適合傳輸媒體而耦合至獨立電腦子系統116及/或EDA工具120之電腦子系統118，如由圖1中之虛線所展示。兩個或兩個以上此等電腦子系統亦可由諸如一廠資料庫之一共用電腦可讀儲存媒體(未展示)有效耦合。若系統包含多個電腦子系統，則不同電腦子系統可經組態以執行本文中進一步描述之不同功能。替代地，僅圖1中所展示之電腦子系統之一者可經組態以執行本 文中進一步描述之全部功能。
一或多個電腦子系統經組態用於針對經檢驗之另一樣本上之一關注區域識別最接近關注區域定位之一或多個目標。本文中所描述之實施例可用於若干不同類型之目標及關注區域，在本文中進一步描述其等之至少若干。然而，一般而言，目標可係針對一樣本之一設計中之圖案(或圖案之部分)，該等圖案(或圖案之部分)相對於接近目標定位之其他圖案獨特且具有設計內之已知位置。關注區域可係直到已開始樣本之檢驗(例如，當關注區域係樣本上之缺陷之位置時)才已知之關注區域。在一些此等例項中，目標可在開始樣本之檢驗之前(如當目標係具有設計中及樣本上之預定位置之預定目標時)已知或可在樣本之檢驗期間(飛快隨著偵測缺陷)經識別。然而，關注區域可係在樣本之檢驗之前已知(例如，當關注區域係基於設計之關心區域時)之關注區域。在此等例項中，亦可在樣本之檢驗之前識別目標。因此，可在檢驗期間針對樣本執行之影像獲取之前已知關注區域及目標之位置。
在一實施例中，關注區域係其中在其他樣本之檢驗期間偵測一缺陷之其他樣本上之一區域。在一實施例中，經修改之座標係設計空間座標。以此方式，如本文中進一步描述，實施例可經組態用於經產生之與設計之後偵測缺陷對準。諸如過濾及取樣之若干使用情況取決於檢驗資料與一設計之精確對準。本文中所描述之實施例在不考慮必須經對準之檢驗影像圖塊及相關聯之設計剪輯之內容下，實現後偵測對準實質上精確。另外，本文中所描述之實施例可減輕與設計之不可對準或較差對準缺陷(或影像位置)之風險。可在對現有檢驗工具軟體之適度改變之情況下實施本文中所描述之實施例。
在一此實施例中，在已偵測缺陷且在由檢驗子系統完成用於其他樣本之檢驗之影像獲取之後一或多個電腦子系統識別一或多個目 標。舉例而言，一旦已偵測到一缺陷，(若干)電腦子系統即可使用經偵測缺陷之位置(如由缺陷偵測演算法及/或用於偵測缺陷之方法判定)判定一或多個目標當中最接近經偵測缺陷之目標。由於(若干)電腦子系統基於(若干)目標之(若干)影像執行在本文中描述之其他功能，且由於在此實施例中在完成用於其他樣本之檢驗之影像獲取之後執行識別一或多個目標，所以在此實施例中，較佳在其他樣本之檢驗之前已知目標使得在執行用於其他樣本之檢驗之影像獲取期間，可獲取針對目標之影像。以此方式，識別一或多個目標及由(若干)電腦子系統基於經識別之一或多個目標執行之其他功能可在後處理(即，在完成針對一樣本之影像獲取之後執行之資料後處理)中執行，此係因為針對目標之影像可在影像獲取期間經獲取且將因此可用於後處理。
在另一此實施例中，在由檢驗子系統執行用於其他樣本之檢驗之針對其他樣本之影像獲取之時一或多個電腦子系統識別一或多個目標。舉例而言，一旦已偵測到一缺陷，(若干)電腦子系統便可使用經偵測缺陷之位置(如由缺陷偵測演算法及/或用於偵測缺陷之方法判定)判定一或多個目標當中最接近經偵測缺陷之目標。由於(若干)電腦子系統係基於(若干)目標之(若干)影像執行在本文中描述之其他功能，且由於在此實施例中在用於其他樣本之檢驗之影像獲取期間執行識別一或多個目標，所以在此實施例中，不需要在其他樣本之檢驗之前已知目標，此係因為在執行用於其他樣本之檢驗之影像獲取期間，可識別目標且接著可針對經識別目標獲取影像。以此方式，識別一或多個目標及由(若干)電腦子系統基於經識別之一或多個目標執行之其他功能可在檢驗程序期間執行。
在另一實施例中，識別一或多個目標包含自一對準目標組選擇一或多個目標，且一或多個電腦子系統進一步經組態用於使針對樣本之影像與針對樣本之設計資訊對準以判定針對樣本之影像中之一或多 個特徵之設計空間座標，判定對準針對樣本之影像之結果之一或多個特徵及依基於一或多個特徵判定之跨設計之一頻率在針對其他樣本之一設計內選擇對準目標組。
在一此實施例中，一或多個特徵係在對準針對樣本之影像之結果中之誤差之一或多個特徵。舉例而言，如圖2之步驟200中所展示，(若干)電腦子系統可經組態用於特徵化檢驗器影像對準誤差對設計之頻率及程度以判定將係足夠的對準目標組。如圖2之步驟202中所展示，(若干)電腦子系統可經組態用於將依經判定頻率識別潛在目標之一基於設計規則之搜尋腳本。另外，如圖2之步驟204中所展示，(若干)電腦子系統可經組態用於產生在一足夠數目及配置之場地處之一特定對準目標關心區域群中之關心區域。
在另一實例中，如圖3之步驟300中所展示，(若干)電腦子系統可經組態以建立目標間隔及頻率。(若干)電腦子系統亦可經組態以判定相關聯之設計檔案層，如圖3之步驟302中所展示。舉例而言，針對各個裝置(例如，晶片)及實體層(例如，樣本處理層)，(若干)電腦子系統可判定含有與檢驗成像方法相關之幾何學之(若干)相關聯之設計檔案層。(若干)電腦子系統可進一步經組態以判定針對目標之準則，如圖3之步驟304中所展示。舉例而言，(若干)電腦子系統可將用於選擇對準目標之準則轉譯成用於搜尋(若干)實體設計層之EDA工具規則。(若干)電腦子系統亦可經組態以產生EDA工具實體設計搜尋腳本以識別實體設計檔案內之足夠目標。另外，(若干)電腦子系統可經組態以識別設計空間中之足夠目標，如圖3之步驟306中所展示。舉例而言，(若干)電腦子系統可經組態以在實體設計檔案上運行基於EDA規則之搜尋且呈一適合格式輸出資料。
以此方式，對準目標可經選擇以平衡檢驗系統使由其之偵測器產生之影像與一設計對準之能力。舉例而言，若檢驗器影像對準誤差 對設計之頻率及程度分別相對高及相對大，則可依跨針對樣本之設計之一更高頻率選擇對準目標。相比之下，若檢驗器影像對準誤差對設計之頻率及程度分別相對低及相對小，則可依跨針對樣本之設計之一更低頻率選擇對準目標。以此方式，可跨設計(且因此樣本)間隔對準目標使得任何一對準目標及任何一經偵測缺陷之間之距離足夠小，使得對準目標影像中之圖案與設計之對準可用於實質上精確校正缺陷與設計之對準。另外，可在設計內選擇對準目標使得跨設計規則間隔對準目標(例如，如在一柵格中)或對準目標可具有跨樣本之不規則間隔(例如，如當將不針對缺陷檢驗設計之一些區域及因此樣本時，當將不使設計之一些區域及因此樣本中之缺陷與設計對準時，當呈跨設計之規則經間隔間隔之適合對準目標不可用時等)。
由於將使對準目標之影像與諸如一設計之一參考對準且接著該對準結果將用於校正及/或修改其他座標(例如，缺陷座標)，所以對準目標較佳經選擇以包含在樣本上之一些預定區域內獨特之設計內之圖案。一圖案可依諸如大小及/或形狀之若干不同方式獨特。一般而言，不同於在一圖案附近之任何其他圖案之該圖案可適合於用作一對準目標。較佳地，對準目標亦包含可由一檢驗系統成像之具有足夠解析度之一圖案(例如，係獨特的但不可由一檢驗系統成像之一圖案作為一對準目標圖案將基本無用)。
在另一此實施例中，一或多個電腦子系統經組態用於產生用於其他樣本之檢驗之一配方使得在其他樣本之檢驗期間，檢驗子系統獲取針對對準目標組之影像。通常可在該技術中將一「配方」定義為可由諸如一檢驗系統之一系統使用以實施諸如一檢驗程序之一程序之一組指令。在一些例項中，對應於對準目標之設計中或樣本上之區域可統稱為一「對準目標關心區域群」(即，係為了影像獲取之目的之關心區域但不必須係為了缺陷偵測之目的之關心區域(因為不必須在區 域中執行缺陷偵測)之一區域群)。
在一實例中，如圖2之步驟206中所展示，(若干)電腦子系統可經組態用於組態(設定及/或變更)針對對準目標關心區域群之一檢驗配方使得影像及位置收集經迫使於場地位置處。另外，如圖3之步驟308中所展示，(若干)電腦子系統可經組態以產生適合於併入至一檢驗配方中之一檔案。舉例而言，(若干)電腦子系統可經組態以基於檢驗系統類型或模型判定用於使對準目標關心區域與檢驗配方相關聯(或使對準目標關心區域包含於檢驗配方中)之適當方法。如圖3之步驟310中進一步展示，(若干)電腦子系統可經組態用於建立針對後處理對準目標(即，用於後處理中之對準目標)之一關心區域群且輸入含有設計搜尋之結果之檔案(至檢驗配方中)。
(若干)電腦子系統亦可經組態以將針對關心區域群之配方設定為後處理對準目標組態，如圖3之步驟312中所展示。以此方式，直到已完成針對樣本之影像獲取之後才在針對對準目標獲取之影像上執行資料處理。換言之，配方可經設定使得針對對準目標關心區域群，檢驗系統經迫使以獲取在樣本上之對準目標之位置處之影像。以此方式，可在除了缺陷位置(即，對準目標位置)之外之樣本上之位置處獲取影像且接著儲存影像以可靠地獲得參考目標影像用於任何缺陷與設計之對準。
在一額外此實施例中，一或多個電腦子系統進一步經組態用於儲存針對對準目標組之影像使得在已完成在其他樣本之檢驗期間執行之其他樣本之掃描之後經儲存影像可用於使用。可依使得針對對準目標組之影像可用於此使用之任何適合方式儲存針對對準目標組之影像。以此方式，對準目標影像可用於在樣本影像獲取之後執行之資料處理。
在一些此等實施例中，檢驗子系統獲取在針對檢驗期間偵測之 缺陷經檢驗之其他樣本上之其他位置處之影像，一或多個電腦子系統經組態用於基於在其他位置處獲取之針對其他樣本之影像偵測在其他樣本上之缺陷，且偵測缺陷包含判定缺陷之位置。偵測樣本上之缺陷可包含將一或多個缺陷偵測演算法應用至影像或檢驗子系統之(若干)偵測器之其他輸出。可依若干不同方式且依該技術中已知之任何適合方式執行將(若干)缺陷偵測演算法應用至影像或輸出。另外，可使用資料、信號或影像處理之技術中已知之任何方法、演算法、功能、資料結構等執行將(若干)缺陷偵測演算法應用至影像或輸出。由(若干)電腦子系統使用以偵測缺陷之缺陷偵測方法及/或演算法亦可輸出樣本上之經偵測缺陷之位置。由缺陷偵測方法及/或演算法輸出之經偵測缺陷之位置可接著由檢驗子系統報告(例如，藉由使經偵測缺陷之位置之座標包含於由檢驗子系統產生且儲存之檢驗結果中)。
在另一此實施例中，偵測缺陷非係基於針對對準目標組之影像執行。舉例而言，如圖3之步驟314中所展示，(若干)電腦子系統可經組態以執行使目標相關之資料保持與缺陷資料分開之檢驗。因此，可將針對待針對缺陷檢驗之樣本之部分獲取之影像用作輸入而不亦將針對對準目標獲取之影像用作輸入以執行由(若干)電腦子系統執行之任何缺陷偵測演算法及/或方法。
在一進一步此實施例中，在其他樣本之檢驗之前由一或多個電腦子系統執行選擇對準目標組。舉例而言，如上文中提及，在一些例項中，可基於檢驗系統使由檢驗系統獲取之影像與一設計對準之能力選擇對準目標組。由於在於一樣本上執行一檢驗之前判定該資訊，所以可在該樣本之檢驗之前選擇對準目標組。
在另一實施例中，在其他樣本之檢驗期間且在偵測缺陷之至少一者之後由一或多個電腦子系統執行選擇對準目標組。舉例而言，實施例可經組態以基於經偵測缺陷在檢驗子系統之輸出中搜尋適合對準 目標。可如2014年12月25日出版之Karsenti等人之美國專利申請公開案第2014/0376801號中描述般執行此搜尋，該案以引用之方式併入宛如完全陳述於本文中。本文中所描述之實施例可包含此公開案中所描述之任何(若干)方法之任何(若干)步驟且可如此公開案中所描述之進一步組態本文中所描述之系統。以此方式，可飛快產生在其處執行對準目標影像產生之位置(例如，藉由識別一設計中之一缺陷之一「粗略」位置且接著針對(若干)適合對準目標接近該位置搜尋設計或藉由接近經偵測缺陷位置在樣本上之區域中執行影像獲取且接著針對(若干)適合對準目標搜尋經獲取影像)。因此，與其預先於檢驗而產生一對準目標組，不如由缺陷之偵測觸發在其處產生影像之目標。此一實施方案可利用在上文中以引用之方式併入之專利申請公開案中所描述之快速設計搜尋工具。
在一額外實施例中，一或多個電腦子系統經組態用於儲存針對對準目標組之影像使得經儲存影像在已完成在其他樣本之檢驗期間執行之其他樣本之掃描之後可用於使用且使得經儲存影像與偵測缺陷之結果分開儲存。舉例而言，如圖2之步驟208中所展示，(若干)電腦子系統可經組態用於儲存對準目標關心區域群及待自經報告缺陷資料排除但依後處理分析可存取之一方式之相關聯之資料。可依任何適合方式執行此儲存。
一或多個電腦子系統亦經組態用於使針對一或多個目標之一或多個影像與針對其他樣本之一參考對準。針對一或多個目標之一或多個影像及針對關注區域之一影像由電腦子系統在其他樣本之檢驗期間獲取。一般而言，可用於使兩個圖案(其等之至少一者係由一檢驗系統產生之一影像中之一圖案)彼此對準之任何方法或系統可用於此對準。亦可如在Zafar等人及Kulkarni等人之專利中所描述之執行使針對目標之(若干)影像與一參考對準，該等專利在上文中以引用之方式併 入宛如完全陳述於本文中。實施例可包含此等專利中所描述之任何(若干)方法之任何其他(若干)步驟且可如此等專利中所描述之進一步組態本文中所描述之系統。
一或多個電腦子系統亦經組態用於基於對準之結果判定針對一或多個目標之一或多個影像與參考之間之一偏移且基於該偏移及由檢驗子系統報告之關注區域之座標判定關注區域之經修改座標。在一實施例中，關注區域係經偵測缺陷之一第一者之一位置，參考係針對其他樣本之設計，偏移係一對準目標至設計偏移，且判定經修改座標包含將對準目標至設計偏移應用至第一經偵測缺陷之經報告座標以藉此判定針對第一經偵測缺陷之設計空間座標。
在一此實例中，如圖2之步驟210中所展示，(若干)電腦子系統可經組態用於判定經產生之各個對準目標影像對其之各自設計剪輯之一偏移。另外，如圖2之步驟212中所展示，(若干)電腦子系統可經組態以藉由使缺陷座標移位先前步驟中判定之偏移而後處理缺陷資料。為了最佳結果，可針對接近(或包圍)缺陷位置之兩個或兩個以上對準目標判定偏移且可內插兩個或兩個以上對準目標之偏移以判定針對缺陷之適當偏移。偏移可係一簡單一維偏移或涉及按比例調整、旋轉、變形或另一非線性變換之一更複雜偏移。此等變換偏移之任何者可自對準目標影像與參考影像之對準導出(通常自實體設計剪輯導出)，如本文中進一步描述。另外，如本文中所描述之判定之偏移僅可針對樣本相關，可針對該樣本獲取本文中所描述之影像且接著由(若干)電腦子系統使用用於與參考對準。
在另一實例中，如圖3之步驟316中所展示，在後處理中之檢驗之後，(若干)電腦子系統可經組態以計算每個目標(針對各個或一或多個對準目標)之對準目標至設計偏移。另外，如圖3之步驟318中所展示，針對各個缺陷，(若干)電腦子系統可經組態以使用自最接近對準 目標判定之一校正或藉由基於來自多個目標之資料之內插而調整其座標。(若干)電腦子系統亦可經組態以繼續後處理直到完成且保存結果，如圖3之步驟320中所展示。
(若干)電腦子系統亦可經組態以使針對一或多個目標之一或多個影像與參考對準，判定偏移且判定樣本後處理(例如，在已完成在一檢驗配方期間執行之全部影像獲取之後執行之資料處理)中之關注區域之經修改座標。然而，(若干)電腦子系統可經組態以在運行時間做出對準校正。舉例而言，(若干)電腦子系統可經組態以使針對一或多個目標之一或多個影像與參考對準，判定偏移且在於檢驗配方期間執行之影像獲取期間判定關注區域之經修改座標。此實施方案可比其中在後處理中執行步驟之一實施方案消耗更多工作，但此實施方案可具有關於偵測靈敏度之更多益處。
取決於使用情況，本文中所描述之實施例之結果可視情況經保存用於進一步分析。舉例而言，所得資料可饋送至諸如(若干)設計屬性、(若干)影像或待添加至缺陷結果用於過濾、取樣、分類等演算法及/或方法中之(若干)差異影像屬性之提取之額外後處理步驟。在另一實施例中，關注區域係經偵測缺陷之一第一者之一位置，且一或多個電腦子系統經組態用於將具有對應於最接近關注區域定位之一或多個目標之設計之一或多個部分之關注區域之影像發送至經組態以使用設計之一或多個部分以在一缺陷檢視工具之一視野中重定位關注區域之缺陷檢視工具。舉例而言，針對對準目標之設計剪輯可儲存為送至一電子束檢視平台之該批結果之部分，該電子束檢視平台可接著使用設計剪輯以在掃描電子顯微鏡(SEM)視野中重定位表示來自檢驗系統之影像中之缺陷之位置(或關注位置)之樣本之部分。其他類型之缺陷檢視工具可經組態以使用針對最接近經選擇用於檢視之一缺陷之一位置之對準目標之設計資訊依一類似方式重定位缺陷。
在一實施例中，關注區域係其他樣本上之一關注區域。舉例而言，本文中所描述之實施例可經組態以在圖案搜尋之後移動(或偏移)一基於設計之關心區域(即，在搜尋且發現一指定圖案之後移動或定位一關心區域)，此係有利的係因為僅具有「放大」及「減小」選項可能不足夠以涵蓋基於設計之關心區域之某些區域。因此，當前可用之縮減/增長選項可能不足夠以產生在正確位置中之基於設計之關心區域。本文中所描述之實施例亦不同於在一主使用者介面中對位一基於設計之關心區域之方法，此係因為在主使用者介面中做出此一般移動針對一樣本之全部基於設計之關心區域而非僅一個基於設計之關心區域群。另外，此等當前使用之方法無法僅移動一個基於設計之關心區域。相比之下，本文中所描述之實施例可用於在一關心區域接著關心區域基礎上或在一關心區域群接著關心區域群基礎上識別及/或校正一基於設計之關心區域之座標。
本文中所使用之術語「基於設計之關心區域」可一般定義為在針對一樣本之一設計中識別且藉由使針對一關心區域之一設計與樣本對準而在針對樣本之檢驗系統輸出中識別之關心區域。因此，本文中所描述之基於設計之關心區域不同於可基於針對樣本之檢驗系統輸出判定之其他關心區域且不必須係針對樣本之設計。舉例而言，非基於設計之一關心區域可基於檢驗系統之輸出中之雜訊及/或不必須基於設計之樣本之一位置(例如，基於在針對一樣本之檢驗系統之輸出中可見之一晶粒之一隅角判定之一位置)。相比之下，如本文中所描述之基於設計之關心區域係基於設計的在於可藉由使針對樣本之設計資訊與針對樣本之檢驗系統之輸出對準而識別該等關心區域。由於可依此一方式定位基於設計之關心區域，所以可比其他關心區域更精確地在輸出中識別關心區域且關心區域可具有比其他關心區域更小之一大小。然而，非全部基於設計之關心區域都必須含有相對於一樣本上之 其他圖案獨特之圖案及/或存在於基於設計之關心區域中之缺陷可使得使設計資訊與檢驗系統輸出對準困難。
本文中所描述之實施例藉由使基於設計之關心區域與附近定位之其他圖案相關聯而緩解此等困難，該等附近定位之其他圖案：1)相對於相同區域中之其他圖案係獨特的；2)與基於設計之關心區域具有一預定空間關係；3)相對穩健在於其等可通常具有一相對高程度之精確性的形成於一樣本上；及4)可在檢驗系統輸出中經足夠解析。接著，如本文中進一步描述，一旦已使其他圖案與針對該等圖案之設計資訊對準，該等圖案與基於設計之關心區域之間之預定空間關係便可用於在檢驗系統輸出中識別基於設計之關心區域。因此，雖然針對基於設計之關心區域自身之輸出可能不與設計對準，但憑藉其他預定圖案與設計之對準而使基於設計之關心區域與設計有效對準。
在一些實施例中，關心區域不包含針對其他樣本之一設計內之獨特圖案，且一或多個電腦子系統經組態用於選擇最接近關注區域之設計內之一或多個獨特圖案用於用作一或多個目標。以此方式，本文中所描述之實施例實現即使實際關心區域不在其自身中含有一獨特圖案但總是相對接近一獨特圖案出現，仍使用一基於設計之關心圖案。換言之，藉由識別與一基於設計之關心區域具有一預定空間關係且相對於其他附近圖案獨特之設計中之一或多個圖案，否則不可在檢驗系統輸出中經識別之一基於設計之關心區域(因為其不含有獨特圖案)可憑藉其與經識別之一或多個獨特圖案之空間關係(一旦使該/(該等)經識別之圖案與設計對準)而經識別。可藉由識別一關注圖案(POI)，在針對其他樣本之設計上執行之一圖案搜尋中搜尋POI位置且接著判定具有針對POI之一特定偏移之基於設計之關心區域而執行選擇一或多個獨特圖案。
在另一實施例中，關心區域係其中定位在針對其他樣本之一設 計內之一弱點之一區域。舉例而言，一或多個目標可經選擇為設計中之某些獨特圖案且接著基於一或多個目標之位置及一或多個目標與基於設計之關心區域之間之空間關係，基於設計之關心區域可經移動至可容易由在樣本上執行之(若干)半導體程序影響之一弱點(即，一「熱點」)位置。以此方式，即使基於設計之關心區域趨於不適當地形成於樣本上，對於錯誤圖案化之敏感性仍不可防止基於設計之關心區域在檢驗系統輸出中經正確識別。因此，本文中所描述之實施例對於與對應於設計中之弱點之基於設計之關心區域一起使用可尤其有利。在2015年1月8日出版之Shifrin之美國專利申請公開案第2015/0012900號中進一步描述一設計中之弱點，該案以引用之方式併入宛如完全陳述於本文中。可如此專利申請公開案中描述之進一步組態本文中描述之實施例。
在一進一步實施例中，關心區域定位於針對其他樣本之一設計之一記憶體區域內。舉例而言，本文中所描述之實施例可實現記憶體廠採用更多使用基於設計之關心區域之檢驗配方。特定言之，在記憶體廠中製造之裝置之記憶體區域內存在許多類似圖案，此使在無本文中所描述之實施例之情況下繪製針對基於設計之關心區域之正確弱點區域相對困難。因此，本文中所描述之實施例容許記憶體廠採用針對更多層之基於設計之關心區域。
在一些實施例中，基於針對一或多個目標之一或多個影像與參考之間之偏移及一或多個目標與關心區域之間之一預定偏移判定關心區域之影像之經修改座標。圖4繪示可由(若干)電腦子系統使用以執行座標之此等判定之一樣本上之圖案之一實例。舉例而言，如圖4中所展示，一樣本(圖4中未展示)上之區域400中之大量圖案實質上相同(例如，圖案主要包含具有諸如線寬及與其他線之間隔之實質上類似特徵之線402)。然而，若區域包含具有一或多個獨特特徵之一圖案 (諸如具有與樣本之區域中之全部其他線不同之一形狀及尺寸之特徵404)，則該特徵或其之一部分可指定為一或多個目標。舉例而言，在圖4中所展示之實例中，區域406中之特徵之部分可指定為針對樣本上之此區域之一目標。特定言之，區域406可由針對圖4中展示之樣本之區域之設計之一圖案搜尋指定為一POI搜尋區域。以此方式，若在樣本之相同區域中存在與區域406之特徵之部分具有一特定關係之一基於設計之關心區域，則可藉由在檢驗系統輸出(例如，影像)中識別區域406且接著與檢驗系統輸出中區域406之位置組合使用該空間關係以判定檢驗系統輸出中基於設計之關心區域之位置而在樣本上定位該基於設計之關心區域。舉例而言，在圖4中所展示之區域400中，可存在基於設計之關心區域408，其可經選擇為一關心區域係因為其係其中可存在關注缺陷(DOI)410且如由箭頭412在此圖式中示意性展示之與區域406具有一特定空間關係之區域400中之一區域。因此，本文中所描述之實施例可使用此空間關係(或偏移)以在檢驗系統輸出內判定精確(或實質上精確)之基於設計之關注區域，然而若使用定位於基於設計之關心區域中之圖案嘗試基於設計之關心區域位置之判定，則歸因於基於設計之關心區域內之獨特圖案之缺乏而不可精確定位基於設計之關心區域。以此方式，本文中所描述之實施例有利地提供比先前使用之方法及系統更精確識別基於設計之關心區域之位置之能力。
在另一實施例中，一或多個目標用於判定在具有一或多個目標與不同關心區域之間之不同預定偏移之其他樣本上之不同關心區域之影像之經修改座標。舉例而言，各個POI可與不同基於設計之關心區域及針對基於設計之關心區域之各者之不同偏移相關聯。在一此實例中，若由圖4中所展示之區域406中之特徵之部分界定一目標，則若該目標具有其自身與一個以上基於設計之關心區域之間之不同預定偏移(例如，方向及/或尺寸不同)，則該相同目標可用於判定基於設計之關 心區域408及其他基於設計之關心區域(圖4中未展示)之任何者之位置。
亦可如本文中進一步描述之執行選擇用於基於設計之關心區域之一或多個目標使得基於檢驗系統使其之輸出與針對一樣本之一設計對準之能力識別經選擇且用於任何一或多個基於設計之關心區域之一或多個目標。特定言之，可基於由檢驗系統執行之檢驗系統輸出與設計對準之結果中之誤差之頻率及程度選擇用於一基於設計之關心區域之一或多個目標。以此方式，一目標與其相關聯之關注區域之間之距離可足夠小使得由檢驗系統執行之對準中之誤差將不導致基於設計之關心區域之經判定位置中之任何(或至少非顯著)誤差。此外，一個以上目標(可能具有內插)可用於如本文中進一步描述之判定任何一基於設計之關心區域之位置。
在一實施例中，針對關注區域之影像判定之座標係樣本空間座標(即，晶圓空間座標或光罩空間座標)。在另一實施例中，針對關心區域之影像判定之座標係設計空間座標。舉例而言，在如本文中進一步描述之已在檢驗系統輸出中定位基於設計之關心區域之後，可將關心區域之位置報告為由檢驗系統針對對應於基於設計之關心區域之檢驗系統輸出判定之樣本空間座標。替代地，一旦如本文中所描述之在檢驗系統輸出中定位基於設計之關心區域，對應於關心區域之設計座標便可指派至其之檢驗系統輸出。當然，兩種類型之座標亦都可指派至檢驗系統輸出，此可用於基於設計之關心區域在樣本(晶圓或光罩)空間(例如，藉由相同檢驗系統)中之重定位且用於在設計空間中執行其他基於設計之功能(例如，過濾、分類等)。
亦可如2014年10月31日由Duffy申請之美國專利申請案第62/073,418中描述般組態本文中所描述之實施例，該案以引用之方式併入宛如完全陳述於本文中。本文中所描述之實施例亦可經組態以執 行此專利申請案中所描述之任何方法之任何步驟。
可將在上文中所描述之系統之實施例之各者組合在一起為一單一實施例。換言之，除非在本文中另外提及，否則任何系統實施例都不互相排除任何其他系統實施例。此外，雖然圖2及圖3展示可由本文中所描述之(若干)電腦子系統執行之多種功能，但除非在本文中另外提及，否則此等圖式中所展示之任何功能都非本文中所描述之系統實施例之功能及/或本文中所描述之方法實施例之實踐所必要的。換言之，本文中所描述之實施例可經組態以執行少於全部此等圖式中所展示之功能或多於全部此等圖式中所展示之功能，且實施例仍可在此等實施例之範疇內起作用及/或經實踐。
另一實施例係關於一種方法，其用於判定用於一樣本上之一關注區域之座標。該方法包含針對經檢驗之一樣本上之一關注區域識別最接近該關注區域定位之一或多個目標。該方法亦包含使針對一或多個目標之一或多個影像與針對樣本之一參考對準。針對一或多個目標之一或多個影像及針對關注區域之一影像由一檢驗系統在樣本之檢驗期間獲取。另外，該方法包含基於對準之結果判定針對該一或多個目標之一或多個影像與參考之間之一偏移。該方法進一步包含基於該偏移及由檢驗系統報告之關注區域之座標判定關注區域之經修改座標。
可如本文中進一步描述之執行該方法之步驟之各者。該方法亦可包含可由本文中所描述之檢驗子系統及/或(若干)電腦子系統執行之任何其他(若干)步驟。由可根據本文中所描述之實施例之任何者組態之一或多個電腦系統執行識別、對準、判定偏移及判定經修改座標步驟。另外，可由本文中所描述之系統實施例之任何者執行上文中所描述之方法。
雖然關於一實體樣本使用一檢驗系統之掃描在本文中描述實施例，但本文中所描述之實施例之任何者可使用諸如共同指派之2012年 2月28日頒予Bhaskar等人之美國專利第8,126,255號及2014年8月28日出版之Duffy等人之美國專利申請公開案第2014/0241610號及2015年7月20日申請之Duffy等人之美國專利申請案第14/803,872號中描述之系統及方法之一所謂「虛擬檢驗器」實施，該等專利以引用之方式併入宛如完全陳述於本文中。換言之，在一些實施例中，檢驗系統經組態為一虛擬檢驗系統。在此等實施例中，一或多個偵測器之輸出可係由一光學或電子束檢驗系統之一或多個偵測器先前產生且儲存於虛擬檢驗系統中之輸出，且在檢驗期間，虛擬檢驗系統可重放經儲存輸出如同樣本正在被掃描。以此方式，使用一虛擬檢驗系統掃描樣本可似乎與使用一實際檢驗系統掃描一實體樣本一樣，然而實際上，掃描涉及依如掃描樣本相同之方式簡單重放針對樣本之輸出。可如在上文中以引用之方式併入之專利及專利申請案中所描述般進一步組態本文中所描述之實施例。
一額外實施例係關於一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存可在一電腦系統上執行以執行用於判定用於一樣本上之一關注區域之座標之一電腦實施方法之程式指令。在圖5中展示一此實施例。特定言之，如圖5中所展示，非暫時性電腦可讀媒體500包含可在電腦系統504上執行之程式指令502。電腦實施方法可包含本文中所描述之任何(若干)方法之任何(若干)步驟。
實施諸如本文中所描述之該等方法之方法之程式指令502可儲存於電腦可讀媒體500上。電腦可讀媒體可係諸如一磁碟或光碟、一磁帶或該技術中已知之任何其他適合非暫時性電腦可讀媒體之一儲存媒體。
可依多種方式(尤其包含基於程序之技術、基於組件之技術及/或物件導向技術)之任何者實施程式指令。舉例而言，可根據需要使用ActiveX控制項、C++物件、JavaBeans、微軟基礎類別(「MFC」)、 SSE(「串流SIMD擴展」)或其他技術或方法實施程式指令。
可根據本文中所描述之實施例之任何者組態電腦系統504。
鑑於此描述，熟習此項技術者將瞭解本發明之多種態樣之進一步修改及替代實施例。舉例而言，提供用於判定用於一樣本上之一關注區域之座標之方法及系統。因此，將此描述理解為僅係闡釋性且係為了教示熟習此項技術者實施本發明之一般方式之目的。應瞭解，應將本文中展示且描述之本發明之形式理解為目前較佳實施例。元件及材料可替代本文中繪示且描述之彼等元件及材料、可顛倒部件及程序且可獨立利用本發明之某些特徵部，皆如熟悉此項技術者在受益於本發明之此描述之後將瞭解。可在本文中描述之元件方面做出改變而不脫離如隨附申請專利範圍中所描述之本發明之精神及範疇。
100‧‧‧檢驗子系統
102‧‧‧系統
104‧‧‧光源
106‧‧‧分束器
108‧‧‧樣本
110‧‧‧透鏡
112‧‧‧偵測器
114‧‧‧電腦子系統
116‧‧‧電腦子系統
118‧‧‧電腦子系統
120‧‧‧電子設計自動化(EDA)工具

Claims (30)

  1. 一種經組態以判定用於一樣本上之一關注區域之座標之系統，其包括：一檢驗子系統，其包括至少一能源及一偵測器，其中該檢驗子系統經組態以在樣本上方掃描由該能源產生之能量而該偵測器偵測來自該等樣本之能量且產生回應於該經偵測能量之影像；及一或多個電腦子系統，其等經組態用於：針對經檢驗之另一樣本上之一關注區域，識別最接近該關注區域定位之一或多個目標；使針對該一或多個目標之一或多個影像與針對其他樣本之一參考對準，其中針對該一或多個目標之該一或多個影像及針對該關注區域之一影像係由該檢驗子系統在該其他樣本之檢驗期間獲取；基於該對準之結果判定針對該一或多個目標之該一或多個影像與該參考之間之一偏移；且基於該偏移及由該檢驗子系統報告之該關注區域之座標判定該關注區域之經修改座標。
  2. 如請求項1之系統，其中該關注區域係其中在該其他樣本之該檢驗期間偵測一缺陷之在該其他樣本上之一區域。
  3. 如請求項1之系統，其中該關注區域係其中在該其他樣本之該檢驗期間偵測一缺陷之在該其他樣本上之一區域，且其中在已偵測該缺陷之後且在由該檢驗子系統完成用於該其他樣本之該檢驗之影像獲取之後該一或多個電腦子系統識別該一或多個目標。
  4. 如請求項1之系統，其中該關注區域係其中在該其他樣本之該檢驗期間偵測一缺陷之在該其他樣本上之一區域，且其中在由該檢驗子系統執行用於該其他樣本之該檢驗之針對該其他樣本之影像獲取之時該一或多個電腦子系統識別該一或多個目標。
  5. 如請求項1之系統，其中該等經修改座標係設計空間座標。
  6. 如請求項1之系統，其中識別該一或多個目標包括自一對準目標組選擇該一或多個目標，且其中該一或多個電腦子系統進一步經組態用於使針對該等樣本之該等影像與針對該等樣本之設計資訊對準以判定針對該等樣本之該等影像中之一或多個特徵之設計空間座標，判定該對準針對該等樣本之該等影像之結果之一或多個特徵且依基於該一或多個特徵判定之跨該設計之一頻率在針對該其他樣本之一設計內選擇該對準目標組。
  7. 如請求項6之系統，其中該一或多個特徵係在該對準針對該等樣本之該等影像之該等結果中之誤差之一或多個特徵。
  8. 如請求項6之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態用於產生用於該其他樣本之該檢驗之一配方使得在該其他樣本之該檢驗期間，該檢驗子系統獲取針對該對準目標組之該等影像。
  9. 如請求項8之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態用於儲存針對該對準目標組之該等影像使得在已完成在該其他樣本之該檢驗期間執行之該其他樣本之掃描之後該等經儲存影像可用於使用。
  10. 如請求項8之系統，其中該檢驗子系統進一步獲取在該檢驗期間針對缺陷經檢驗之該其他樣本上之其他位置處之影像，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態用於基於在該等其他位置處獲取之針對該其他樣本之該等影像偵測該其他樣本上之該等缺 陷，且其中偵測該等缺陷包括判定該等缺陷之位置。
  11. 如請求項10之系統，其中偵測該等缺陷非係基於針對該對準目標組之該等影像執行。
  12. 如請求項10之系統，其中選擇該對準目標組係在該其他樣本之該檢驗之前藉由該一或多個電腦子系統而執行。
  13. 如請求項10之系統，其中選擇該對準目標組係在該其他樣本之該檢驗期間且在該等缺陷之至少一者經偵測之後藉由該一或多個電腦子系統而執行。
  14. 如請求項10之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態用於儲存針對該對準目標組之該等影像使得在已完成在該其他樣本之該檢驗期間執行之該其他樣本之掃描之後該等經儲存影像可用於使用且使得該等經儲存影像與該偵測該等缺陷之結果經分開儲存。
  15. 如請求項10之系統，其中該關注區域係該等經偵測缺陷之一第一者之一位置，其中該參考係針對該其他樣本之該設計，其中該偏移係一對準目標至設計偏移，且其中判定該等經修改座標包括將該對準目標至設計偏移應用至該第一經偵測缺陷之該等經報告座標以藉此判定針對該第一經偵測缺陷之設計空間座標。
  16. 如請求項10之系統，其中該關注區域係該等經偵測缺陷之一第一者之一位置，且其中該一或多個電腦子系統進一步經組態用於將具有對應於最接近該關注區域定位之該一或多個目標之該設計之一或多個部分之該關注區域之該影像發送至經組態以使用該設計之該一或多個部分以在該缺陷檢視工具之一視野中重定位該關注區域之一缺陷檢視工具。
  17. 如請求項1之系統，其中該關注區域係在該其他樣本上之一關心 區域。
  18. 如請求項17之系統，其中該關心區域不包括在針對該其他樣本之一設計內之獨特圖案，且其中該一或多個電腦子系統進一步經組態用於選擇在最接近該關注區域之該設計內之一或多個獨特圖案用於用作該一或多個目標。
  19. 如請求項17之系統，其中該關心區域係其中針對該其他樣本之一設計內之一弱點經定位之一區域。
  20. 如請求項17之系統，其中該關心區域經定位於針對該其他樣本之一設計之一記憶體區域內。
  21. 如請求項17之系統，其中該關心區域之該等影像之該等經修改座標係基於針對該一或多個目標之該一或多個影像與該參考之間之該偏移及該一或多個目標與該關心區域之間之一預定偏移進一步經判定。
  22. 如請求項17之系統，其中該一或多個目標係用於判定在具有該一或多個目標與該等不同關心區域之間之不同預定偏移之該其他樣本上之不同關心區域之影像之經修改座標。
  23. 如請求項17之系統，其中針對該關心區域之該影像經判定之該等經修改座標係樣本空間座標。
  24. 如請求項17之系統，其中針對該關心區域之該影像經判定之該等經修改座標係設計空間座標。
  25. 如請求項1之系統，其中該等樣本及該其他樣本包括晶圓。
  26. 如請求項1之系統，其中該等樣本及該其他樣本包括光罩。
  27. 如請求項1之系統，其中該能源係一光源，且其中由該偵測器偵測之該能量包括光。
  28. 如請求項1之系統，其中該能源係一電子束源，且其中由該偵測器偵測之該能量包括電子。
  29. 一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存可在一電腦系統上執行以執行用於判定用於一樣本上之一關注區域之座標之一電腦實施方法之程式指令，其中該電腦實施方法包括：針對經檢驗之一樣本上之一關注區域識別最接近該關注區域定位之一或多個目標；使針對該一或多個目標之一或多個影像與針對該樣本之一參考對準，其中針對該一或多個目標之該一或多個影像及針對該關注區域之一影像係由一檢驗系統在該樣本之檢驗期間獲取；基於該對準之結果判定針對該一或多個目標之該一或多個影像與該參考之間之一偏移；及基於該偏移及由該檢驗系統報告之該關注區域之座標判定該關注區域之經修改座標。
  30. 一種用於判定用於一樣本上之一關注區域之座標之方法，其包括：針對經檢驗之一樣本上之一關注區域識別最接近該關注區域定位之一或多個目標；使針對該一或多個目標之一或多個影像與針對該樣本之一參考對準，其中針對該一或多個目標之該一或多個影像及針對該關注區域之一影像係由一檢驗系統在該樣本之檢驗期間獲取；基於該對準之結果判定針對該一或多個目標之該一或多個影像與該參考之間之一偏移；及基於該偏移及由該檢驗系統報告之該關注區域之座標判定該關注區域之經修改座標，其中由一或多個電腦系統執行該識別、該對準、該判定該偏移及該判定該等經修改座標。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI723291B (zh) * 2017-10-10 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 度量衡系統及方法與相關之非暫時性電腦可讀媒體

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10127653B2 (en) * 2014-07-22 2018-11-13 Kla-Tencor Corp. Determining coordinates for an area of interest on a specimen
US9996942B2 (en) * 2015-03-19 2018-06-12 Kla-Tencor Corp. Sub-pixel alignment of inspection to design
US10339262B2 (en) * 2016-03-29 2019-07-02 Kla-Tencor Corporation System and method for defining care areas in repeating structures of design data
US10692690B2 (en) * 2017-03-27 2020-06-23 Kla-Tencor Corporation Care areas for improved electron beam defect detection
US10408764B2 (en) * 2017-09-13 2019-09-10 Applied Materials Israel Ltd. System, method and computer program product for object examination
US10997710B2 (en) * 2017-10-18 2021-05-04 Kla-Tencor Corporation Adaptive care areas for die-die inspection
US10522376B2 (en) * 2017-10-20 2019-12-31 Kla-Tencor Corporation Multi-step image alignment method for large offset die-die inspection
KR102427648B1 (ko) * 2017-11-03 2022-08-01 삼성전자주식회사 결함 검사 방법 및 결함 검사 장치
US20190279914A1 (en) * 2018-03-09 2019-09-12 Kla-Tencor Corporation Region of interest and pattern of interest generation for critical dimension measurement
US11094053B2 (en) * 2018-10-08 2021-08-17 Kla Corporation Deep learning based adaptive regions of interest for critical dimension measurements of semiconductor substrates
WO2020179000A1 (ja) 2019-03-06 2020-09-10 株式会社日立ハイテク 欠陥検査装置、欠陥検査プログラム
WO2021038633A1 (ja) 2019-08-23 2021-03-04 株式会社日立ハイテク 欠陥検査方法、欠陥検査装置
US11113827B2 (en) * 2019-09-23 2021-09-07 Kla Corporation Pattern-to-design alignment for one-dimensional unique structures
US11580650B2 (en) * 2019-10-01 2023-02-14 KLA Corp. Multi-imaging mode image alignment
US11644756B2 (en) 2020-08-07 2023-05-09 KLA Corp. 3D structure inspection or metrology using deep learning
US11244474B1 (en) * 2020-10-01 2022-02-08 Kla Corporation Sample positioning system and method
CN116883398B (zh) * 2023-09-06 2023-11-28 湖南隆深氢能科技有限公司 基于电堆装配生产线的检测方法、系统、终端设备及介质

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5272501A (en) * 1991-08-28 1993-12-21 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5525808A (en) * 1992-01-23 1996-06-11 Nikon Corporaton Alignment method and alignment apparatus with a statistic calculation using a plurality of weighted coordinate positions
JP3572430B2 (ja) * 1994-11-29 2004-10-06 株式会社ニコン 露光方法及びその装置
JPH09148217A (ja) * 1995-11-17 1997-06-06 Mitsubishi Electric Corp 位置合わせ方法
US7796801B2 (en) * 1999-08-26 2010-09-14 Nanogeometry Research Inc. Pattern inspection apparatus and method
US6780656B2 (en) * 2000-09-18 2004-08-24 Hpl Technologies, Inc. Correction of overlay offset between inspection layers
JP3810694B2 (ja) * 2002-02-15 2006-08-16 三菱電機株式会社 パターン検査装置及びパターン検査方法
JP3965189B2 (ja) * 2005-03-24 2007-08-29 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 画像補正方法
EP1929061A4 (en) 2005-08-30 2011-01-05 Camtek Ltd PIPELINE CONTROL SYSTEM AND METHOD FOR MONITORING A FROZEN CUTTING WAFER
US7570796B2 (en) * 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US8041103B2 (en) 2005-11-18 2011-10-18 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space
US7676077B2 (en) * 2005-11-18 2010-03-09 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US7570800B2 (en) * 2005-12-14 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for binning defects detected on a specimen
JP2008041940A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Hitachi High-Technologies Corp Ｓｅｍ式レビュー装置並びにｓｅｍ式レビュー装置を用いた欠陥のレビュー方法及び欠陥検査方法
US7904845B2 (en) 2006-12-06 2011-03-08 Kla-Tencor Corp. Determining locations on a wafer to be reviewed during defect review
US8698093B1 (en) 2007-01-19 2014-04-15 Kla-Tencor Corporation Objective lens with deflector plates immersed in electrostatic lens field
US8611639B2 (en) 2007-07-30 2013-12-17 Kla-Tencor Technologies Corp Semiconductor device property extraction, generation, visualization, and monitoring methods
JP2009071136A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Hitachi High-Technologies Corp データ管理装置、検査システムおよび欠陥レビュー装置
US8126255B2 (en) 2007-09-20 2012-02-28 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for creating persistent data for a wafer and for using persistent data for inspection-related functions
JP5412169B2 (ja) * 2008-04-23 2014-02-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥観察方法及び欠陥観察装置
EP2396815A4 (en) * 2009-02-13 2012-11-28 Kla Tencor Corp DETECTION OF DEFECTS ON A WAFER
US8559001B2 (en) * 2010-01-11 2013-10-15 Kla-Tencor Corporation Inspection guided overlay metrology
US10354405B2 (en) * 2010-05-17 2019-07-16 Kla-Tencor Corporation Run-time correction of defect locations during defect review
US9170211B2 (en) * 2011-03-25 2015-10-27 Kla-Tencor Corp. Design-based inspection using repeating structures
US8664594B1 (en) 2011-04-18 2014-03-04 Kla-Tencor Corporation Electron-optical system for high-speed and high-sensitivity inspections
US8692204B2 (en) 2011-04-26 2014-04-08 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for electron beam detection
JP5460662B2 (ja) * 2011-09-07 2014-04-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 領域決定装置、観察装置または検査装置、領域決定方法および領域決定方法を用いた観察方法または検査方法
US9087367B2 (en) * 2011-09-13 2015-07-21 Kla-Tencor Corp. Determining design coordinates for wafer defects
US9277186B2 (en) * 2012-01-18 2016-03-01 Kla-Tencor Corp. Generating a wafer inspection process using bit failures and virtual inspection
US8716662B1 (en) 2012-07-16 2014-05-06 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus to review defects using scanning electron microscope with multiple electron beam configurations
US9189844B2 (en) * 2012-10-15 2015-11-17 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using defect-specific information
JP5717711B2 (ja) * 2012-12-07 2015-05-13 東京エレクトロン株式会社 基板の基準画像作成方法、基板の欠陥検査方法、基板の基準画像作成装置、基板の欠陥検査ユニット、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US9299564B2 (en) * 2012-12-12 2016-03-29 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Ion implant for defect control
US9222895B2 (en) 2013-02-25 2015-12-29 Kla-Tencor Corp. Generalized virtual inspector
TWI503721B (zh) * 2013-05-09 2015-10-11 Henghao Technology Co Ltd 觸控電極裝置
US9183624B2 (en) 2013-06-19 2015-11-10 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer with run time use of design data
US9355208B2 (en) 2013-07-08 2016-05-31 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US10127653B2 (en) * 2014-07-22 2018-11-13 Kla-Tencor Corp. Determining coordinates for an area of interest on a specimen
US9816939B2 (en) 2014-07-22 2017-11-14 Kla-Tencor Corp. Virtual inspection systems with multiple modes

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI723291B (zh) * 2017-10-10 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 度量衡系統及方法與相關之非暫時性電腦可讀媒體
US11175590B2 (en) 2017-10-10 2021-11-16 Asml Netherlands B.V. Low dose charged particle metrology system
US11720030B2 (en) 2017-10-10 2023-08-08 Asml Netherlands B.V. Low dose charged particle metrology system

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