JP6887174B2 - 炭化ケイ素前駆体からのバルクの炭化ケイ素の製造方法及び装置 - Google Patents
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Description
本出願は、2013年9月6日出願の米国仮特許出願第61/874606号に関連する。当該特許出願の全内容は参照により本明細書に組み込まれる。
本発明は、昇華炉及び低い欠陥密度を有するバルクの炭化ケイ素を製造する方法に関する。
Claims (8)
- 以下の工程
i)炉殻、炉殻の外側に位置する少なくとも一つの加熱素子、及び断熱材に囲まれ炉殻内部に位置するホットゾーンを含む昇華炉を提供することであり、当該ホットゾーンが以下を含む昇華炉を提供すること、
a)上部領域と下部領域を有するるつぼ;
b)るつぼを密封するるつぼカバー;
c)るつぼの下部領域に位置する実質的に固体の炭化ケイ素前駆体混合物であり、ケイ素粒子と炭素粒子を含む粒子状の混合物を加熱することにより製造される実質的に固体の炭化ケイ素前駆体混合物;
d)るつぼの上部領域に位置する別個の独立型のシードモジュールであって、別個の独立型のシードモジュールは炭化ケイ素を含み、炭化ケイ素シードは上面と底面を有し、底面が実質的に固体の炭化ケイ素前駆体混合物に向いている、シードモジュール;及び
e)るつぼの下部領域に位置し、多孔質グラファイトの中心環状壁を有する環状前駆体チャンバを含む別個の独立型の容器であるソースモジュールであり、実質的に固体の炭化ケイ素前駆体混合物が外側環状前駆体チャンバ内に含まれるソースモジュール、
ii)実質的に固体の炭化ケイ素前駆体混合物を昇華させるために加熱素子によってホットゾーンを加熱すること、及び
iii)炭化ケイ素シードの底面の上に炭化ケイ素を形成すること
を含む、炭化ケイ素の製造方法。 - 実質的に固体の炭化ケイ素前駆体混合物が、前記粒子状の混合物をソースモジュールに含まれる外側環状前駆体チャンバ内に提供すること、及び実質的に固体の炭化ケイ素前駆体混合物を形成するためにソースモジュールを加熱することによって製造される、請求項1に記載の方法。
- 実質的に固体の炭化ケイ素前駆体混合物が多孔質である、請求項1に記載の方法。
- 前記粒子状の混合物が、炭素のケイ素に対するモル比が1.0より大きい、請求項1に記載の方法。
- ケイ素粒子が、約0.1mmから約10mmの平均粒子サイズを有する、請求項1に記載の方法。
- 炭素粒子が、約50ミクロンから約1000ミクロンの平均粒子サイズを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記粒子状の混合物が、ケイ素粒子と炭素粒子の不均一な混合物である、請求項1に記載の方法。
- 炉殻、炉殻の外側に位置する少なくとも一つの加熱素子、及び断熱材に囲まれ炉殻内部に位置するホットゾーンを含む昇華炉であり、当該ホットゾーンが
a)上部領域と下部領域を有するるつぼ;
b)るつぼを密封するるつぼカバー;
c)るつぼの下部領域に位置する実質的に固体の炭化ケイ素前駆体混合物;
d)るつぼの上部領域に位置する別個の独立型のシードモジュールであって、別個の独立型のシードモジュールは炭化ケイ素を含み、炭化ケイ素シードは上面と底面を有し、底面が実質的に固体の炭化ケイ素前駆体混合物に向いている、シードモジュール;及び
e)るつぼの下部領域に位置し、多孔質グラファイトの中心環状壁を有する環状前駆体チャンバを含む別個の独立型の容器であるソースモジュールであり、実質的に固体の炭化ケイ素前駆体混合物が外側環状前駆体チャンバ内に含まれるソースモジュール、
を含む、炭化ケイ素を形成するための昇華炉。
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US4886652A (en) * | 1986-10-27 | 1989-12-12 | Osaka Gas Co., Ltd. | Production of metal carbides |
JPS63190778A (ja) | 1986-10-27 | 1988-08-08 | 大阪瓦斯株式会社 | 金属カーバイドの製造 |
US4866005A (en) * | 1987-10-26 | 1989-09-12 | North Carolina State University | Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide |
JPH0465400A (ja) | 1990-06-29 | 1992-03-02 | Sanyo Electric Co Ltd | SiC単結晶の成長方法 |
JPH06316499A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-15 | Sharp Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
US5683507A (en) * | 1995-09-05 | 1997-11-04 | Northrop Grumman Corporation | Apparatus for growing large silicon carbide single crystals |
JPH08325099A (ja) * | 1996-06-24 | 1996-12-10 | Sanyo Electric Co Ltd | SiC単結晶の成長方法 |
WO1998033961A1 (en) | 1997-01-31 | 1998-08-06 | Northrop Grumman Corporation | Apparatus for growing large silicon carbide single crystals |
JP3898278B2 (ja) * | 1997-04-21 | 2007-03-28 | 昭和電工株式会社 | 炭化ケイ素単結晶の製造方法及びその製造装置 |
JP4574852B2 (ja) * | 1998-07-13 | 2010-11-04 | エスアイクリスタル アクチエンゲゼルシャフト | SiC単結晶の成長方法 |
JP4503736B2 (ja) * | 1999-08-31 | 2010-07-14 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 単結晶の製造方法およびその装置 |
WO2001063020A1 (en) * | 2000-02-15 | 2001-08-30 | The Fox Group, Inc. | Method and apparatus for growing low defect density silicon carbide and resulting material |
US20020071803A1 (en) * | 2000-09-06 | 2002-06-13 | Silbid Ltd. | Method of producing silicon carbide power |
WO2002021575A2 (en) * | 2000-09-06 | 2002-03-14 | Silbid Ltd. | Method of producing silicon carbide and various forms thereof |
JP4275308B2 (ja) | 2000-12-28 | 2009-06-10 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法およびその製造装置 |
US7601441B2 (en) * | 2002-06-24 | 2009-10-13 | Cree, Inc. | One hundred millimeter high purity semi-insulating single crystal silicon carbide wafer |
JP4427470B2 (ja) | 2004-03-29 | 2010-03-10 | 新日本製鐵株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
US7323052B2 (en) * | 2005-03-24 | 2008-01-29 | Cree, Inc. | Apparatus and method for the production of bulk silicon carbide single crystals |
US8361227B2 (en) * | 2006-09-26 | 2013-01-29 | Ii-Vi Incorporated | Silicon carbide single crystals with low boron content |
US20080026591A1 (en) | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Caracal, Inc. | Sintered metal components for crystal growth reactors |
JP2008072817A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Yaskawa Electric Corp | 真空用モータおよびその製造方法 |
JP5524855B2 (ja) | 2007-12-12 | 2014-06-18 | ダウ コーニング コーポレーション | 昇華/凝縮プロセスにより炭化ケイ素の大きな均一のインゴットを製造するための方法 |
JP2009184897A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶の製造方法 |
JP4831128B2 (ja) * | 2008-05-26 | 2011-12-07 | パナソニック株式会社 | 結晶成長用坩堝 |
US10294584B2 (en) * | 2009-03-26 | 2019-05-21 | Ii-Vi Incorporated | SiC single crystal sublimation growth method and apparatus |
CN101985773B (zh) * | 2009-11-05 | 2013-12-18 | 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 | 一种籽晶处理方法和生长碳化硅单晶的方法 |
JP2011184208A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶の製造装置及び炭化ケイ素単結晶の製造方法 |
JP2011195360A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 坩堝、結晶製造装置、および支持台 |
CN101812723B (zh) * | 2010-04-20 | 2012-04-11 | 上海硅酸盐研究所中试基地 | 基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置 |
JP2011251884A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶の製造装置 |
JP5706671B2 (ja) * | 2010-11-15 | 2015-04-22 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 昇華再結晶法による炭化ケイ素単結晶製造用炭化ケイ素粉体及びその製造方法 |
JP5212455B2 (ja) * | 2010-12-16 | 2013-06-19 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
JP2012171812A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | Bridgestone Corp | 4h型炭化珪素単結晶の製造方法 |
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DE112014004096T5 (de) * | 2013-09-06 | 2016-06-23 | Gtat Corporation | Verfahren zur Herstellung von Massen-Siliciumcarbid |
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