JPH08325099A - ＳｉＣ単結晶の成長方法 - Google Patents
ＳｉＣ単結晶の成長方法Info
- Publication number
- JPH08325099A JPH08325099A JP16322796A JP16322796A JPH08325099A JP H08325099 A JPH08325099 A JP H08325099A JP 16322796 A JP16322796 A JP 16322796A JP 16322796 A JP16322796 A JP 16322796A JP H08325099 A JPH08325099 A JP H08325099A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- single crystal
- seed crystal
- temperature
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 結晶性の優れたＳｉＣ単結晶を速い速度で成
長できるＳｉＣ単結晶の成長方法を提供するのが目的で
ある。 【解決手段】 ＳｉＣからなる原材料３を加熱し、原材
料３の上方側に配置されたＳｉＣ単結晶からなる種結晶
１６に向って上方への昇華ガスを生じさせ、種結晶１６
上にＳｉＣ単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶の成長方法
であって、原材料温度を２３００〜２５００℃、種結晶
１６と原材料３との間の温度勾配を５〜２０℃／ｃｍ、
種結晶温度を原材料温度より低く且つその温度差が３０
０℃以下である２２００〜２４００℃、反応系内の雰囲
気ガス圧を１〜１０Ｔｏｒｒとすると共に、昇華ガスを
絞って種結晶１６表面へ集中して導くための黒鉛からな
る集中手段８を介して種結晶１６表面上へ指向せしめ
る。
長できるＳｉＣ単結晶の成長方法を提供するのが目的で
ある。 【解決手段】 ＳｉＣからなる原材料３を加熱し、原材
料３の上方側に配置されたＳｉＣ単結晶からなる種結晶
１６に向って上方への昇華ガスを生じさせ、種結晶１６
上にＳｉＣ単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶の成長方法
であって、原材料温度を２３００〜２５００℃、種結晶
１６と原材料３との間の温度勾配を５〜２０℃／ｃｍ、
種結晶温度を原材料温度より低く且つその温度差が３０
０℃以下である２２００〜２４００℃、反応系内の雰囲
気ガス圧を１〜１０Ｔｏｒｒとすると共に、昇華ガスを
絞って種結晶１６表面へ集中して導くための黒鉛からな
る集中手段８を介して種結晶１６表面上へ指向せしめ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＳｉＣ（シリコンカ
ーバイド）単結晶の成長方法に関する。
ーバイド）単結晶の成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳｉＣ単結晶は物理的、化学的に安定
で、しかも高温、放射線に耐える素材であるため、耐環
境性半導体素子材料として注目をあびている。また、な
かでも６ＨタイプＳｉＣ単結晶はエネルギーギャップが
３．０ｅＶと大きく青色発光ダイオード等の材料として
供されつつある。現在、６ＨタイプＳｉＣのインゴット
状単結晶の成長は主に昇華法が採用されている。
で、しかも高温、放射線に耐える素材であるため、耐環
境性半導体素子材料として注目をあびている。また、な
かでも６ＨタイプＳｉＣ単結晶はエネルギーギャップが
３．０ｅＶと大きく青色発光ダイオード等の材料として
供されつつある。現在、６ＨタイプＳｉＣのインゴット
状単結晶の成長は主に昇華法が採用されている。
【０００３】ジャーナル オブ クリスタル グロウス
（Journal of Crystal Growth）５２（１９８１）Ｐ１
４６〜１５０には、ＳｉＣ単結晶からなる種結晶温度を
１８００℃、ＳｉＣ粉末からなる原材料温度を２２００
℃以下とし、真空昇華法により６ＨタイプＳｉＣ単結晶
を成長させる方法が開示されている。
（Journal of Crystal Growth）５２（１９８１）Ｐ１
４６〜１５０には、ＳｉＣ単結晶からなる種結晶温度を
１８００℃、ＳｉＣ粉末からなる原材料温度を２２００
℃以下とし、真空昇華法により６ＨタイプＳｉＣ単結晶
を成長させる方法が開示されている。
【０００４】また、特開昭５９−３５０９９号公報に
は、原材料を１８００〜２２００℃で加熱昇華させ、更
に種結晶を２０００℃以下で且つ原材料より５０〜２０
０℃低い温度に保つとともに不活性気体の圧力を数百Ｔ
ｏｒｒの高圧としてＳｉＣ単結晶を成長させ、次にその
圧力を１〜１０Ｔｏｒｒ迄の低圧に漸減し、この低圧状
態でＳｉＣ単結晶を成長させる方法が開示されている。
は、原材料を１８００〜２２００℃で加熱昇華させ、更
に種結晶を２０００℃以下で且つ原材料より５０〜２０
０℃低い温度に保つとともに不活性気体の圧力を数百Ｔ
ｏｒｒの高圧としてＳｉＣ単結晶を成長させ、次にその
圧力を１〜１０Ｔｏｒｒ迄の低圧に漸減し、この低圧状
態でＳｉＣ単結晶を成長させる方法が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】然るに、前者の方法で
は成長速度が数ｍｍ／ｈと極めて大きいが、柱状に成長
しやすく、色々の形や方向の結晶面が現われ結晶性が悪
い。また、後者の方法では成長速度が数１００μｍ／ｈ
と遅く実用的でない。
は成長速度が数ｍｍ／ｈと極めて大きいが、柱状に成長
しやすく、色々の形や方向の結晶面が現われ結晶性が悪
い。また、後者の方法では成長速度が数１００μｍ／ｈ
と遅く実用的でない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のＳｉＣ単結晶の
成長方法は、ＳｉＣからなる原材料を加熱し、該原材料
の上方側に配置されたＳｉＣ単結晶からなる種結晶に向
って上方への昇華ガスを生じさせ、該種結晶上にＳｉＣ
単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶の成長方法であって、
上記原材料温度を２３００〜２５００℃、上記種結晶と
該原材料との間の温度勾配を５〜２０℃／ｃｍ、該種結
晶温度を該原材料温度より低く且つその温度差が３００
℃以下である２２００〜２４００℃、反応系内の雰囲気
ガス圧を１〜１０Ｔｏｒｒとすると共に、上記昇華ガス
を絞って上記種結晶表面へ集中して導くための黒鉛から
なる集中手段を介して該種結晶表面上へ指向せしめたこ
とを特徴とする。
成長方法は、ＳｉＣからなる原材料を加熱し、該原材料
の上方側に配置されたＳｉＣ単結晶からなる種結晶に向
って上方への昇華ガスを生じさせ、該種結晶上にＳｉＣ
単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶の成長方法であって、
上記原材料温度を２３００〜２５００℃、上記種結晶と
該原材料との間の温度勾配を５〜２０℃／ｃｍ、該種結
晶温度を該原材料温度より低く且つその温度差が３００
℃以下である２２００〜２４００℃、反応系内の雰囲気
ガス圧を１〜１０Ｔｏｒｒとすると共に、上記昇華ガス
を絞って上記種結晶表面へ集中して導くための黒鉛から
なる集中手段を介して該種結晶表面上へ指向せしめたこ
とを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１及び図２は本発明の実施例に
用いるるつぼ１及び成長装置を示す。
用いるるつぼ１及び成長装置を示す。
【０００８】まず、図１中、２はＳｉＣからなる原材料
３を収納するための有底で円筒形の収納部であり、該収
納部の円柱状の内部空間４は該空間内に同心円状に配置
された円筒状の壁５により外周室６と中央室７との２室
に分割される。
３を収納するための有底で円筒形の収納部であり、該収
納部の円柱状の内部空間４は該空間内に同心円状に配置
された円筒状の壁５により外周室６と中央室７との２室
に分割される。
【０００９】また上記原材料３は上記外周室６に収納さ
れる。これはるつぼ１が加熱される場合、収納部４の中
央部（中央室７）は温度が低く、この部分では原材料３
が再結晶化して昇華しにくくなることを考慮したためで
ある。特に、大きなＳｉＣ単結晶を得るために大型化さ
れたるつぼ１の場合に、上述のような構造にし、外周室
６に原材料を入れると効率良く原材料が昇華する。
れる。これはるつぼ１が加熱される場合、収納部４の中
央部（中央室７）は温度が低く、この部分では原材料３
が再結晶化して昇華しにくくなることを考慮したためで
ある。特に、大きなＳｉＣ単結晶を得るために大型化さ
れたるつぼ１の場合に、上述のような構造にし、外周室
６に原材料を入れると効率良く原材料が昇華する。
【００１０】８は上記収納部２上に取り付けられた円筒
状の集中管（集中手段）であり、該集中管はその内径が
上方に向かって徐々に小さくなる。すなわち、集中手段
８は収納部２の上部開口部よりも小さな開口部を有する
ので、昇華ガスはこの集中手段で絞られる。９は上記集
中管８上に取り付けられた断熱部材であり、該断熱部材
は下端が開きかつ上端に上壁を備える円筒状の部材であ
る。また上記上壁の中央部には上下に貫通する孔１０が
形成されている。１１は上記断熱部材１０上に取り付け
られた蓋体であり、該蓋体の上壁中央部にはねじ山が切
られたねじ孔１２が形成されている。
状の集中管（集中手段）であり、該集中管はその内径が
上方に向かって徐々に小さくなる。すなわち、集中手段
８は収納部２の上部開口部よりも小さな開口部を有する
ので、昇華ガスはこの集中手段で絞られる。９は上記集
中管８上に取り付けられた断熱部材であり、該断熱部材
は下端が開きかつ上端に上壁を備える円筒状の部材であ
る。また上記上壁の中央部には上下に貫通する孔１０が
形成されている。１１は上記断熱部材１０上に取り付け
られた蓋体であり、該蓋体の上壁中央部にはねじ山が切
られたねじ孔１２が形成されている。
【００１１】１３は円柱状の摺動部材であり、該摺動部
材は上記蓋体１１のねじ孔１２と螺合すると共に断熱部
材９の孔１０を遊貫する。１４は上記摺動部材１３の下
端に装着された基板ホルダであり、該基板ホルダは上記
集中管８と断熱部材９とによって形成される内部空間１
５内に配される。そして、斯る基板ホルダ１４の下端面
は保持面１６となり、６ＨタイプＳｉＣ（６Ｈ形Ｓｉ
Ｃ）単結晶からなる種結晶１７が固着される。
材は上記蓋体１１のねじ孔１２と螺合すると共に断熱部
材９の孔１０を遊貫する。１４は上記摺動部材１３の下
端に装着された基板ホルダであり、該基板ホルダは上記
集中管８と断熱部材９とによって形成される内部空間１
５内に配される。そして、斯る基板ホルダ１４の下端面
は保持面１６となり、６ＨタイプＳｉＣ（６Ｈ形Ｓｉ
Ｃ）単結晶からなる種結晶１７が固着される。
【００１２】１８は円筒状のガス侵入防止管であり、該
ガス侵入防止管はその外径が孔１０の内径とほぼ等しく
選ばれ、かつ上記摺動部材１３に通されて基板ホルダ１
４上に載置されている。したがって、内部空間１５内の
ガスは、このガス侵入防止管１８によって蓋体１１内に
侵入できない。
ガス侵入防止管はその外径が孔１０の内径とほぼ等しく
選ばれ、かつ上記摺動部材１３に通されて基板ホルダ１
４上に載置されている。したがって、内部空間１５内の
ガスは、このガス侵入防止管１８によって蓋体１１内に
侵入できない。
【００１３】従って、摺動部材１３を図示の矢印１９の
方向に回動させることにより、蓋体１１によって支持さ
れた摺動部材１３は上下に摺動する。これに伴って、基
板ホルダ１４の保持面１６の高さ（言い換えれば原材料
３から種結晶１７の下面までの高さ）を任意の結晶成長
に好ましい高さに調整できる。なお、ガス侵入防止管１
８は、摺動部材１３に通され基板ホルダ１４上に単に載
せられているだけであるから、摺動部材１３の上下動に
伴いガス侵入防止管１８も上下動する。
方向に回動させることにより、蓋体１１によって支持さ
れた摺動部材１３は上下に摺動する。これに伴って、基
板ホルダ１４の保持面１６の高さ（言い換えれば原材料
３から種結晶１７の下面までの高さ）を任意の結晶成長
に好ましい高さに調整できる。なお、ガス侵入防止管１
８は、摺動部材１３に通され基板ホルダ１４上に単に載
せられているだけであるから、摺動部材１３の上下動に
伴いガス侵入防止管１８も上下動する。
【００１４】さらに、この実施例では、収納部２の底壁
に連通孔２０が形成されている。そして、通常は、内部
空間４と外部空間とを遮断するために、連通孔２０には
栓２１がされている。連通孔２０は栓２１が外されるこ
とにより、種結晶１７の表面温度測定に利用されたり、
また、種結晶１７表面に形成する単結晶に不純物をドー
プする場合、ドーパント導入孔としても利用される。
に連通孔２０が形成されている。そして、通常は、内部
空間４と外部空間とを遮断するために、連通孔２０には
栓２１がされている。連通孔２０は栓２１が外されるこ
とにより、種結晶１７の表面温度測定に利用されたり、
また、種結晶１７表面に形成する単結晶に不純物をドー
プする場合、ドーパント導入孔としても利用される。
【００１５】さらに、連通孔２０を設けたことにより、
このるつぼ１を後述する成長装置内に取り付けやすいと
いう利点もある。すなわち、連通孔２０によってるつぼ
１の位置決めがしやすく、かつ、通連孔２０を取付用突
起等に差し込むことにより、るつぼ１が容易に取り付け
られるからである。
このるつぼ１を後述する成長装置内に取り付けやすいと
いう利点もある。すなわち、連通孔２０によってるつぼ
１の位置決めがしやすく、かつ、通連孔２０を取付用突
起等に差し込むことにより、るつぼ１が容易に取り付け
られるからである。
【００１６】この実施例で説明したるつぼ１の収納部
２、円筒状の壁５、集中管８、断熱部材９、蓋体１１、
摺動部材１３、基板ホルダ１４、ガス侵入防止管１８お
よび栓２１は、ともに、高熱に耐え得るように、黒鉛に
よって形成されている。
２、円筒状の壁５、集中管８、断熱部材９、蓋体１１、
摺動部材１３、基板ホルダ１４、ガス侵入防止管１８お
よび栓２１は、ともに、高熱に耐え得るように、黒鉛に
よって形成されている。
【００１７】なお、上述したるつぼ１では、保温効果を
高めるとともに、ＳｉＣの昇華ガスがねじ孔１２に付着
しないように、断熱部材９と蓋体１１とによる２室構造
としたが、基板ホルダ１４を上下させない場合等であれ
ば、断熱部材９を蓋体１１と兼用して、構造を簡単にし
てもよい。
高めるとともに、ＳｉＣの昇華ガスがねじ孔１２に付着
しないように、断熱部材９と蓋体１１とによる２室構造
としたが、基板ホルダ１４を上下させない場合等であれ
ば、断熱部材９を蓋体１１と兼用して、構造を簡単にし
てもよい。
【００１８】次に、図２に示した結晶成長装置について
説明する。
説明する。
【００１９】図中、３０は成長管であり、該成長管内に
は、上述したるつぼ１が配されている。３１は放熱シー
ルドであり、該シールドは上記るつぼ１を覆い、るつぼ
１からの放熱を極力抑える。３２は上記成長管３０の周
囲に巻回された高周波コイルであり、該高周波コイルの
電磁誘導加熱により成長管３０内が加熱される。尚、成
長管３０自体は上記加熱により溶けないように、二重構
造とされ内部に常時水が流されて冷却されている。
は、上述したるつぼ１が配されている。３１は放熱シー
ルドであり、該シールドは上記るつぼ１を覆い、るつぼ
１からの放熱を極力抑える。３２は上記成長管３０の周
囲に巻回された高周波コイルであり、該高周波コイルの
電磁誘導加熱により成長管３０内が加熱される。尚、成
長管３０自体は上記加熱により溶けないように、二重構
造とされ内部に常時水が流されて冷却されている。
【００２０】３３、３４は夫々成長管３０に結合された
ガス流入／流出用の経路であり、該ガス流入用経路から
流量計３５及びバルブ３６で流量が調整されたアルゴン
（Ａｒ）ガス（雰囲気ガス）が成長管３０内に流入さ
れ、他方、成長管３０内のＡｒガスはガス流出用経路３
４を介して抜き取られる。従って、成長管３０内のＡｒ
ガス圧は結晶成長に好ましい圧力に制御される。
ガス流入／流出用の経路であり、該ガス流入用経路から
流量計３５及びバルブ３６で流量が調整されたアルゴン
（Ａｒ）ガス（雰囲気ガス）が成長管３０内に流入さ
れ、他方、成長管３０内のＡｒガスはガス流出用経路３
４を介して抜き取られる。従って、成長管３０内のＡｒ
ガス圧は結晶成長に好ましい圧力に制御される。
【００２１】以下に上記装置を用いた本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【００２２】まず、常圧（約７６０Ｔｏｒｒ）のＡｒガ
ス雰囲気中で、種結晶１７及び原材料３を夫々２３００
℃及び２３６０℃に上昇させる。尚、この種結晶と原材
料との間の温度勾配は約１２℃／ｃｍである。また、こ
のように常圧で温度上昇を行うことにより、温度上昇過
程において種結晶１７に結晶性の悪い結晶が成長するこ
とを防止できる。
ス雰囲気中で、種結晶１７及び原材料３を夫々２３００
℃及び２３６０℃に上昇させる。尚、この種結晶と原材
料との間の温度勾配は約１２℃／ｃｍである。また、こ
のように常圧で温度上昇を行うことにより、温度上昇過
程において種結晶１７に結晶性の悪い結晶が成長するこ
とを防止できる。
【００２３】この後、成長管３０内のＡｒガス雰囲気
（成長管内圧力）を５Ｔｏｒｒまで下げ、この状態を保
持することにより種結晶１７表面にＳｉＣ単結晶が１〜
２ｍｍ／ｈの速度で成長する。
（成長管内圧力）を５Ｔｏｒｒまで下げ、この状態を保
持することにより種結晶１７表面にＳｉＣ単結晶が１〜
２ｍｍ／ｈの速度で成長する。
【００２４】このようにして得られた単結晶のフォトル
ミネッセンス特性を調べたところ、そのピーク波長は約
４９０ｎｍであり、明らかに６ＨタイプのＳｉＣ単結晶
であることが判明した。また、斯る６ＨタイプＳｉＣ単
結晶の電気的特性は比抵抗１０Ω・ｃｍ、キャリア濃度
約４×１０16／ｃｍ3、導電型ｎ型と高抵抗、低キャリ
ア濃度の単結晶の製造が可能であることがわかる。
ミネッセンス特性を調べたところ、そのピーク波長は約
４９０ｎｍであり、明らかに６ＨタイプのＳｉＣ単結晶
であることが判明した。また、斯る６ＨタイプＳｉＣ単
結晶の電気的特性は比抵抗１０Ω・ｃｍ、キャリア濃度
約４×１０16／ｃｍ3、導電型ｎ型と高抵抗、低キャリ
ア濃度の単結晶の製造が可能であることがわかる。
【００２５】更に、上記ＳｉＣ単結晶を厚さ約５５０μ
ｍのウエハ状にスライスし、この結晶の光透過性を調べ
たところ図３に示す如く、２．５〜５．０μｍの波長に
対して良好であり、これにより斯る結晶は不純物の取り
込みが少ない、良好な結晶であることが理解できる。
ｍのウエハ状にスライスし、この結晶の光透過性を調べ
たところ図３に示す如く、２．５〜５．０μｍの波長に
対して良好であり、これにより斯る結晶は不純物の取り
込みが少ない、良好な結晶であることが理解できる。
【００２６】尚、本実施例では種結晶温度、原材料温度
及びＡｒガス雰囲気を５Ｔｏｒｒとしたが、本願はこれ
に限定されるものではなく、下表に示す条件で成長を行
えば上記と同様な効果が得られる。
及びＡｒガス雰囲気を５Ｔｏｒｒとしたが、本願はこれ
に限定されるものではなく、下表に示す条件で成長を行
えば上記と同様な効果が得られる。
【００２７】
【表１】
【００２８】上記表に示すように、種結晶温度は２２０
０〜２４００℃に保つのが好ましく、種結晶温度が２２
００℃未満では成長した結晶の結晶性が悪く、２４００
℃を越えると熱エッチングにより成長が困難となる。ま
た、原材料温度は２３００〜２５００℃とすることが好
ましく、２３００℃未満では原材料の昇華量が少なく成
長速度の低下を招き、２５００℃を越えると原材料の昇
華量が多過ぎ結晶性の劣化を招く。
０〜２４００℃に保つのが好ましく、種結晶温度が２２
００℃未満では成長した結晶の結晶性が悪く、２４００
℃を越えると熱エッチングにより成長が困難となる。ま
た、原材料温度は２３００〜２５００℃とすることが好
ましく、２３００℃未満では原材料の昇華量が少なく成
長速度の低下を招き、２５００℃を越えると原材料の昇
華量が多過ぎ結晶性の劣化を招く。
【００２９】尚、上記種結晶と原材料との間には種結晶
温度の方が低くなるように５〜２０℃／ｃｍの温度勾配
をもたせることが必要でこのような温度勾配があるとき
結晶性が良好となる。
温度の方が低くなるように５〜２０℃／ｃｍの温度勾配
をもたせることが必要でこのような温度勾配があるとき
結晶性が良好となる。
【００３０】更に、Ａｒガス圧力は１〜１０Ｔｏｒｒと
することが好ましく、１Ｔｏｒｒ未満では結晶性が悪
く、グレインの集合となり、また、１０Ｔｏｒｒを越え
ると、熱エッチングにより成長速度が低下する。
することが好ましく、１Ｔｏｒｒ未満では結晶性が悪
く、グレインの集合となり、また、１０Ｔｏｒｒを越え
ると、熱エッチングにより成長速度が低下する。
【００３１】
【発明の効果】本発明は、昇華ガスを原材料の上方側に
配置された種結晶表面へ絞って集中して導くための集中
手段を介して該種結晶表面上へ指向せしめたので、種結
晶表面上へ昇華ガスが効率よく指向される。しかも、こ
の昇華ガスと接触しやすい集中手段は黒鉛からなるの
で、昇華ガス中に含まれるＳｉＣの結晶成長に寄与しな
いＳｉ等のガスは接触の際に集中手段から炭素が供給さ
れて結晶成長に寄与するガスが増加する。
配置された種結晶表面へ絞って集中して導くための集中
手段を介して該種結晶表面上へ指向せしめたので、種結
晶表面上へ昇華ガスが効率よく指向される。しかも、こ
の昇華ガスと接触しやすい集中手段は黒鉛からなるの
で、昇華ガス中に含まれるＳｉＣの結晶成長に寄与しな
いＳｉ等のガスは接触の際に集中手段から炭素が供給さ
れて結晶成長に寄与するガスが増加する。
【００３２】加えて、原材料温度を２３００〜２５００
℃、種結晶と原材料との間の温度勾配を５〜２０℃／ｃ
ｍ、種結晶温度を原材料温度より低く且つその温度差が
３００℃以下である２２００〜２４００℃、反応系内の
雰囲気ガス圧を１〜１０Ｔｏｒｒとした。
℃、種結晶と原材料との間の温度勾配を５〜２０℃／ｃ
ｍ、種結晶温度を原材料温度より低く且つその温度差が
３００℃以下である２２００〜２４００℃、反応系内の
雰囲気ガス圧を１〜１０Ｔｏｒｒとした。
【００３３】この結果、不純物の取り込み及び結晶性の
悪い結晶の成長が抑えられ、結晶の優れたＳｉＣ単結晶
を短時間（速い速度）で成長できる。
悪い結晶の成長が抑えられ、結晶の優れたＳｉＣ単結晶
を短時間（速い速度）で成長できる。
【図１】本発明の実施例で用いられるるつぼの断面図で
ある。
ある。
【図２】上記実施例で用いられる結晶成長装置の模式図
である。
である。
【図３】本発明方法により得られた単結晶の光透過性を
示す特性図である。
示す特性図である。
３ 原材料 ８ 集中管（集中手段） １７ 種結晶
Claims (1)
- 【請求項１】 ＳｉＣからなる原材料を加熱し、該原材
料の上方側に配置されたＳｉＣ単結晶からなる種結晶に
向って上方への昇華ガスを生じさせ、該種結晶上にＳｉ
Ｃ単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶の成長方法であっ
て、 上記原材料温度を２３００〜２５００℃、上記種結晶と
該原材料との間の温度勾配を５〜２０℃／ｃｍ、該種結
晶温度を該原材料温度より低く且つその温度差が３００
℃以下である２２００〜２４００℃、反応系内の雰囲気
ガス圧を１〜１０Ｔｏｒｒとすると共に、上記昇華ガス
を絞って上記種結晶表面へ集中して導くための黒鉛から
なる集中手段を介して該種結晶表面上へ指向せしめたこ
とを特徴とするＳｉＣ単結晶の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16322796A JPH08325099A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | ＳｉＣ単結晶の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16322796A JPH08325099A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | ＳｉＣ単結晶の成長方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60205551A Division JPH0788274B2 (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | ＳｉＣ単結晶の成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08325099A true JPH08325099A (ja) | 1996-12-10 |
Family
ID=15769747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16322796A Pending JPH08325099A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | ＳｉＣ単結晶の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08325099A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007230846A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 単結晶製造装置用坩堝 |
| KR100975957B1 (ko) * | 2008-01-11 | 2010-08-13 | 동의대학교 산학협력단 | 대구경 고품질 탄화규소 단결정의 직경확장을 위한 단결정성장 장치 및 그 방법 |
| DE10050767B4 (de) * | 1999-10-15 | 2010-09-02 | DENSO CORPORATION, Kariya-shi | Vorrichtung zur Erzeugung von Einkristallen hoher Qualität |
| JP2013189355A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 |
| US20150068447A1 (en) * | 2013-09-06 | 2015-03-12 | Gtat Corporation | Method and apparatus for producing bulk silicon carbide from a silicon carbide precursor |
| KR20160049590A (ko) * | 2014-10-27 | 2016-05-10 | 오씨아이 주식회사 | 잉곳 제조 장치 |
| JP2016531836A (ja) * | 2013-09-06 | 2016-10-13 | ジーティーエイティー コーポレーションＧｔａｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | バルクの炭化ケイ素の製造方法 |
-
1996
- 1996-06-24 JP JP16322796A patent/JPH08325099A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10050767B4 (de) * | 1999-10-15 | 2010-09-02 | DENSO CORPORATION, Kariya-shi | Vorrichtung zur Erzeugung von Einkristallen hoher Qualität |
| JP2007230846A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 単結晶製造装置用坩堝 |
| KR100975957B1 (ko) * | 2008-01-11 | 2010-08-13 | 동의대학교 산학협력단 | 대구경 고품질 탄화규소 단결정의 직경확장을 위한 단결정성장 장치 및 그 방법 |
| JP2013189355A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 |
| US20150068447A1 (en) * | 2013-09-06 | 2015-03-12 | Gtat Corporation | Method and apparatus for producing bulk silicon carbide from a silicon carbide precursor |
| JP2016531836A (ja) * | 2013-09-06 | 2016-10-13 | ジーティーエイティー コーポレーションＧｔａｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | バルクの炭化ケイ素の製造方法 |
| JP2016532629A (ja) * | 2013-09-06 | 2016-10-20 | ジーティーエイティー コーポレーションＧｔａｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 炭化ケイ素前駆体からのバルクの炭化ケイ素の製造方法及び装置 |
| JP2019214511A (ja) * | 2013-09-06 | 2019-12-19 | ジーティーエイティー コーポレーションＧｔａｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 炭化ケイ素前駆体からのバルクの炭化ケイ素の製造方法及び装置 |
| US10633762B2 (en) | 2013-09-06 | 2020-04-28 | GTAT Corporation. | Method for producing bulk silicon carbide by sublimation of a silicon carbide precursor prepared from silicon and carbon particles or particulate silicon carbide |
| US11434582B2 (en) | 2013-09-06 | 2022-09-06 | Gtat Corporation | Method for producing bulk silicon carbide by sublimation of a silicon carbide precursor prepared from silicon and carbon particles or particulate silicon carbide |
| KR20160049590A (ko) * | 2014-10-27 | 2016-05-10 | 오씨아이 주식회사 | 잉곳 제조 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3165685B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の昇華成長 | |
| EP2330236B1 (en) | METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SiC SINGLE CRYSTAL FILM | |
| US6066205A (en) | Growth of bulk single crystals of aluminum nitride from a melt | |
| US8871025B2 (en) | SiC single crystals with reduced dislocation density grown by step-wise periodic perturbation technique | |
| US9068277B2 (en) | Apparatus for manufacturing single-crystal silicon carbide | |
| JP2018039715A (ja) | 大径炭化ケイ素単結晶及び装置、並びに、これらの製造方法 | |
| US6830618B2 (en) | Manufacturing method for producing silicon carbide crystal using source gases and apparatus for the same | |
| JPH11209199A (ja) | ＧａＮ単結晶の合成方法 | |
| JPH11278985A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| CN113151897B (zh) | 一种坩埚结构 | |
| JP2009256155A (ja) | 炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 | |
| JPH0788274B2 (ja) | ＳｉＣ単結晶の成長方法 | |
| JP4052678B2 (ja) | 大形炭化珪素単結晶成長装置 | |
| JPH08325099A (ja) | ＳｉＣ単結晶の成長方法 | |
| JP4253974B2 (ja) | ＳｉＣ単結晶およびその成長方法 | |
| JP5761264B2 (ja) | ＳｉＣ基板の製造方法 | |
| JPH08143396A (ja) | ＳｉＣ単結晶の成長方法 | |
| KR20190058963A (ko) | 탄화규소 단결정 성장 장치 | |
| WO2014136903A1 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JPH11209198A (ja) | ＳｉＣ単結晶の合成方法 | |
| JP3590464B2 (ja) | ４ｈ型単結晶炭化珪素の製造方法 | |
| JP4184622B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
| JP2002012500A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法、製造装置および炭化珪素単結晶 | |
| JP6230031B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| KR20190070404A (ko) | 탄화규소 단결정 성장 장치 |