JP6879241B2 - メダル選別装置および遊技機 - Google Patents

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Description

本発明は、メダル選別装置および遊技機に関する。
従来から回胴式遊技機では、投入されたメダルを選別してカウントするメダル選別装置が用いられている。メダル選別装置では、メダル等の遮蔽物が検知位置を通過したか否かの信号を出力し、当該出力に基づいて遊技機側で正規のメダルが通過したか否かを判断しメダルのカウントを行っている。
このようなメダル選別装置としては、発光要素から発した光を反射板で反射させて光の進行方向を変えて受光し、メダルの通過を検知する通過検知センサを備えたセンサ装置(例えば特許文献1等を参照)が提案されている。
しかし特許文献1の投入メダル選別装置では、発光要素からの光軸を直接メダルが遮ることでセンサが検知状態となるため、メダルを投入することなく不正器具等によって遊技機にメダルが通過したと認識させる不正行為が問題となる。
この不正行為を防止するために、メダル選別装置の投入口付近に受入検知片を配置し、不正器具が投入口から挿入された場合、受入検知片が閉じた状態が継続することで不正器具の挿入を検知するものが提案されている。(例えば特許文献2等を参照)。
図13は、従来から提案されているメダル選別装置の概要を説明する模式図である。図13に示すようにメダル選別装置は、基板部10とレール部50によりメダル通路20が形成され、メダル通路20に沿って移動するメダル60を基板部10の裏側に配置したセンサ装置30で検知するものである。また、メダル通路20のうちメダル60の投入口側には、異物検知部25が配置されている。また、メダル通路20の上部には、通過するメダル60の上端部分をガイドする可動式のガイド部40が配置されている。
センサ装置30は、基板部10の裏面側に配置されてメダル通路20を通過する検知対象のメダル60の有無を検知可能となっている。異物検知部25は、投入口から不正器具が挿入されるとレバーが閉じた状態が継続し、異物挿入を検知できる。メダル選別装置では、異物検知部25やセンサ装置30の検知結果に応じて正規品のメダル60であるかを判断し、ガイド部40の開閉によってメダル60の排出を行う。
特開2002−248210号公報 特開2009−189647号公報
これらの従来技術では、投入口付近に異物検知部25があり、長尺の不正器具を挿入して不正行為を実施した場合の検知はできるが、正規メダルサイズの不正器具をメダル選別装置100の異物検知部25より下流のメダル通路20に滞留されると、器具の存在を検知できなくなるという問題がある。 本発明はかかる問題点を解決すべく創案されたもので、その目的は、メダル通路内の滞留物を検知し、セキュリティー性を向上できるメダル選別装置および遊技機を提供することにある。
上記課題を解決するため本発明のメダル選別装置は、メダル通路を通過するメダルの選別を行うメダル選別装置であって、前記メダル通路と一体に樹脂で形成された基板部と、
発光素子と受光素子を備えた複数のセンサ部を備え、前記センサ部は、前記メダル通路の流路方向に沿って複数埋設され、前記複数のセンサ部のセンサ面が、前記メダル通路に露出して配置され、前記複数のセンサ部は表面実装型の端子を備え、前記端子が前記基板部の裏面に露出し、前記基板部の裏面に形成された配線層によって電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明の一実施態様では、前記メダル通路には、メダル投入口から鉛直下方に伸びる領域から、メダル取出口まで傾斜して伸びる領域にわたって、前記複数のセンサ部が埋設されている
また、本発明の一実施態様では、前記流路方向における前記センサ部の間隔は、前記メダルの直径の33%以上40%以下である。
また、本発明の一実施態様では、前記複数のセンサ部は、前記メダル通路の幅方向に複数配置されている。
また、本発明の一実施態様では、前記幅方向における前記センサ部の間隔は、前記メダルの直径の40%以上45%以下である。
また、本発明の遊技機は、上記何れか一つの発明に記載のセンサ装置を備えることを特徴とする。
本発明によれば、メダル通路内の滞留物を検知し、セキュリティー性を向上できるメダル選別装置および遊技機を提供することができる。
実施形態1にかかるメダル選別装置100の概要を示す模式平面図である。 図1で示したメダル選別装置100の模式断面図であり、図2(a)は図1のA−A位置での模式断面図であり、図2(b)は図1のB−B位置での模式断面図である。 実施形態1にかかるセンサ装置30の製造方法を模式的に示す工程図である。 メダル選別装置100のメダル通路20をメダル60が通過する様子を示す模式図である。 複数のセンサ部21の前をメダル60が通過する際の様子を拡大して示す模式図である。 メダル60が個別に通過する際の信号検出について説明するための図であり、図6(a)はメダル60とS1〜S9の位置関係を示す模式図であり、図6(b)はS1〜S9における信号を示すタイミングチャートである。 メダル60が連続して通過する際の信号検出について説明するための図であり、図7(a)はメダル60とS1〜S9の位置関係を示す模式図であり、図7(b)はS1〜S9における信号を示すタイミングチャートである。 メダル60が所定位置に滞留した際の信号検出について説明するための図であり、図8(a)はメダル60とS1〜S9の位置関係を示す模式図であり、図8(b)はS1〜S9における信号を示すタイミングチャートである。 異形状器具70がメダル通路20に挿入された際の信号検出について説明するための図であり、図9(a)は異形状器具70とS1〜S9の位置関係を示す模式図であり、図9(b)はS1〜S9における信号を示すタイミングチャートである。 実施形態1におけるメダル選別装置100の動作例を示すフローチャートである。 実施形態2にかかるメダル選別装置110の概要を示す模式平面図である。 実施形態3にかかるメダル選別装置120の概要を示す模式断面図である。 従来から提案されているメダル選別装置の概要を説明する模式図である。
<実施形態1>
以下、本発明の実施形態1について、図面を参照して説明する。図1は、本実施形態にかかるメダル選別装置100の概要を示す模式平面図である。図2は、図1で示したメダル選別装置100の模式断面図であり、図2(a)は図1のA−A位置での模式断面図であり、図2(b)は図1のB−B位置での模式断面図である。図13に示すようにメダル選別装置100は、基板部10と、メダル通路20と、センサ装置30と、ガイド部40と、レール部50を備えている。
基板部10は、メダル通路20が一体に形成される樹脂で構成され、センサ装置30、ガイド部40およびレール部50を保持するための部材である。基板部10を構成する材料は特に限定されず、通常の電子機器の筐体や基板に用いられる樹脂を用いることができ、後述するように射出成形できるものを用いることが好ましい。また、樹脂材料としては光硬化型や熱硬化型、熱可塑型など公知のものを用いることができる。具体的な基板部10を構成する樹脂材料としては、例えばエポキシ樹脂やポリカーボネート樹脂、ABS樹脂が挙げられる。
メダル通路20は、基板部10の所定位置にメダル投入口INからメダル取出口OUTまで形成されたメダルの流路であり、流路方向に沿って複数のセンサ部21が埋設されている。また、メダル通路20は、メダル当接部22aと凹部22bと側面部22cで構成されている。図1に示した例では、メダル投入口INはメダル選別装置100の上方(図面上方)に設けられ、メダル取出口OUTは側方(図面右下方向)に設けられている。また、メダル通路20はメダル投入口INから鉛直下方に伸びた後に所定の曲率で屈曲し、略一定の傾斜角度でメダル取出口OUTにまで直線状に伸びて形成されている。
メダル当接部22aは、側面部22c近傍の略平坦面の領域と、凹部22bの間で流路に沿って形成された線状の突起上面とで構成された部分である。メダル当接部22aは、メダル通路20を通過するメダルの一方の面に当接して、メダル通路20の流路に沿ってメダルが摺動もしくは回転移動するのを支える。
凹部22bは、メダル当接部22aの間に形成された凹形状の部分であり、メダル当接部22aよりも肉薄に形成されている。また、凹部22bの底面からは基板部10に埋設されたセンサ部21のセンサ面が露出している。本実施形態では、凹部22bからセンサ部21のセンサ面が露出しているので、基板部10の樹脂によってセンサ部21の受発光が妨げられない。側面部22cは、メダル通路20の流路両側に立設された壁面であり、2つの側面部22cで挟まれた領域は正規品のメダルより若干幅広く形成されている。
センサ部21は、一対の発光素子21aと受光素子21bが一体化されて表面実装型の端子を備えた電子部品であり、メダル通路20に埋設されている。発光素子21aの発光面と、受光素子21bの受光面は、センサ部21のセンサ面を構成している。図1に示すように、センサ部21はメダル通路20内において、流路に沿った方向と流路の幅方向とにそれぞれ複数配置されている。また、図2(a)(b)に示したように、センサ部21の裏面側では基板部10の裏側から端子が露出しており、基板部10裏面において各端子が露出しており、これらの端子が配線層23で電気的に接続されている。
センサ部21では、配線層23を介して発光素子21aに電圧が印加されると赤外光を発光し、受光素子21bに赤外光が入射すると電圧が発生する。したがって、センサ部21のセンサ面の前にメダル等の検知対象物が存在すると、発光素子21aで発光した赤外光が検知対象物で反射されて受光素子21bに入射し、配線層23を介して電圧変化が出力されて検知対象物の有無を検知することができる。
配線層23は、基板部10の裏面側に形成された配線パターンであり、複数のセンサ部21の端子を電気的に接続して回路を構成する。配線層23は、金属蒸着やフォトリソグラフィー等で形成することもできるが、導電性インクを基板部10の裏面にインクジェット印刷装置で塗布して硬化させる方法を用いることが好ましい。また、配線層23の一端は図示しない制御部に接続されており、制御部に含まれる演算手段によって予め定められたプログラムに基づいてメダル選別装置100が駆動制御される。
また、図2(a)(b)では、配線層23を流路に沿って線状に形成した例を示しているが、複数のセンサ部21における端子を接続して回路を構成するものであれば、どのようなパターンであってもよい。絶縁性保護膜24は、レジスト等の絶縁性物質で構成されており、少なくとも配線層23を被覆して電気的絶縁を確保している。
センサ装置30は、必要に応じてセンサ部21とは別に用意された検知装置である。後述するように、複数のセンサ部21を用いてメダルの検知を行うことで、センサ装置30を省略することもできる。ガイド部40は、メダル通路20を通過するメダルの上端に当接するレバーを必要に応じて開閉することで、メダル60の通過と排出を切替える部材である。レール部50は、メダル通路20の下端を形成する金属製の部材である。
次に、本実施形態のメダル選別装置の製造方法について図3を用いて説明する。図3は、本実施形態にかかるセンサ装置30の製造方法を模式的に示す工程図である。この製造方法では、特開2015−207703号公報に記載されたものと同様の電子部品を埋設した樹脂構造体の技術を用いることができる。
はじめに、図3(a)に示すように仮保持基板11を用意する。仮保持基板11はシート状の部材であり、紫外線を透過し柔軟性を有する材料で構成されることが好ましく、例えばPET(ポリエチレンテレフタレート)、PEN(ポリエチレンナフタレート)、PPS(ポリフェニレンサルファイド)等を用いることができる。また、仮保持基板11の一方の表面には、紫外線硬化型の接着層(図示せず)が形成されている。
次に図3(b)に示すように、仮保持基板11の接着層上に、センサ部21を所定の位置となるように配置し、表面実装型の端子を接着層側に接触させる。説明を簡便にするために、図3ではセンサ部21を1つだけ示している。センサ部21を位置決めした後、仮保持基板11側から紫外線を照射して接着層を硬化させ、センサ部21を固定する。
次に図3(c)に示すように、センサ部21を固定した仮保持基板11を金型12内に収容する。次に図3(d)に示すように、公知の射出成形技術等で樹脂材料を金型12内に流し込み、樹脂材料を硬化させて基板部10を形成する。このとき金型12の形状は、図1,2に示した基板部10の形状に対応しており、メダル当接部22aと凹部22bに対応した形状となっている。また、センサ部21のセンサ面は、凹部22bに対応した位置で金型12に接触しており、仮保持基板11と金型12によってセンサ部21が挟まれている。
次に図3(e)に示すように、仮保持基板11と金型12を取り外し、基板部10の裏面を露出させる。最後に図3(f)に示すように、基板部10の裏面にインクジェット印刷装置を用いて導電性インクを印刷して配線層23を形成し、基板部10の裏面から露出したセンサ部21の端子を電気的に接続する。導電性インクの印刷と硬化が終了した後に、基板部10の裏面にレジストを塗布して絶縁性保護膜24を形成する。
本実施形態のメダル選別装置100では、基板部10の裏面に導電性インクで配線層23を形成し、絶縁性保護膜24で被覆しているため、新たな電子回路や配線をハンダ付けしようとすると、基板部10が損傷してメダル選別装置100が破損する。これにより、新たな電子回路や配線を追加して誤った検知結果を出力させるような不正行為の改造難易度が向上する。
また、メダル通路20に凹部22bを設けて、凹部22bの底面からセンサ部21のセンサ面を露出させることで、基板部10の樹脂によってセンサ部21の受発光が妨げられない。また、回路基板を用いず、発光素子21a、受光素子21b、ケースなどを個別にパッケージする必要も無い。さらに、仮保持基板11上にセンサ部21を配置し、導電性インクの印刷で配線層23を形成するため、各要素の位置を自由に変更できる。したがって、メダル選別装置100のうちセンサ部21を配置する位置の自由度が高くなり、例えば顧客や機種ごとに配置を変えることが容易となる。
図4は、メダル選別装置100のメダル通路20をメダル60が通過する様子を示す模式図である。メダル投入口INから投入されたメダル60は、メダル通路20のメダル当接部22aと側面部22cおよびレール部50に沿って移動し、メダル取出口OUTから取り出される。このとき、メダル通路20の凹部22bから露出した複数のセンサ部21の前を順次メダル60が遮るため、発光素子21aで発光した赤外光がメダル60で反射されて受光素子21bに入射する。したがってフォトトランジスタである受光素子21bがオンされ、配線層23を介してHi信号が出力される。また、メダル等の検知対象がない場合には、配線層23を介してLow信号が出力される。
図4では、メダル60の上端近傍にガイド部40の先端が当接しており、メダル通路20のメダル当接部22aとガイド部40とでメダル60が挟まれている。図4では図示を省略しているが、基板部10に対向してオシイタ部が配置されており、オシイタ部にもメダル当接部22aと同様のメダル当接部が設けられている。これによりガイド部40が配置された領域以外では、オシイタ部のメダル当接部と基板部10のメダル当接部22aとの間にメダル60が挟まれる。したがってメダル60は、オシイタ部のメダル当接部と基板部10のメダル当接部22aの間、およびメダル通路20のメダル当接部22aとガイド部40先端の間を通過して、メダル取出口OUTまで到達する。
メダルを受付けない場合等には、基板部10の裏面側に配置された駆動部によってガイド部40が駆動されて開状態となり、メダル当接部22aの図中紙面方向に対する傾斜によって、メダル60がメダル通路20から外れてオシイタ部に設けられた開口部から排出される。
図5は、複数のセンサ部21の前をメダル60が通過する際の様子を拡大して示す模式図である。図中では、メダル60の背後に隠れているセンサ部21については、メダル60を透視して破線で描いている。図5に示すように、メダル60の周辺領域に含まれている9つのセンサ部21をそれぞれS1〜S9で表している。各センサ部21は、メダル通路20の流路方向に沿って(S1,S4,S7)、(S2,S5,S8)、(S3,S6,S9)の順にそれぞれ間隔Aで配置されるとともに、メダル通路20の幅方向に(S1,S2,S3)、(S4,S5,S6)、(S7,S8,S9)が間隔Bに配置されている。また、センサ部21のS2,S5,S8は、3列のセンサ部21の中央に位置しており、メダル60の下端がレール部50に沿って移動する際に、メダル60の中心に位置するように配置されている。
図5では、メダル通路20の面全体に渡って複数のセンサ部21を配置した例を示したが、複数のセンサ部21をメダル通路20の一部領域に配置するとしてもよい。例えば、センサ装置30の直前にセンサ部21を複数配置することで、メダル投入口INからセンサ部21までの距離を確保し、不正器具を挿入しての不正行為の難易度を高めて、セキュリティー性を向上できる。
図6は、メダル60が個別に通過する際の信号検出について説明するための図であり、図6(a)はメダル60とS1〜S9の位置関係を示す模式図であり、図6(b)はS1〜S9における信号を示すタイミングチャートである。図6(a)に示したように、メダル通路20に沿ってメダル60が一つずつ間隔を空けて図中矢印方向に移動する。センサ部21のS1〜S9では、図6(b)に示したようにメダル60がセンサ面を覆っている時間はHi信号が継続し、その他の時間はLow信号が継続する。
図6(b)に示したように、メダル60が通過するとメダル通路20の上流側からセンサ部21の(S1,S2,S3)、(S4,S5,S6)、(S7,S8,S9)の順にHi信号となる。このとき、メダル60の中央を検知するS2,S5,S8では、メダル60の上端を検知するS1,S4,S7や下端を検知するS3,S6,S9よりも検知時間が長い。また、上流側のS2でHi信号となる時間の最後は、下流側のS8でHi信号となる時間の最初と重なっており、S2,S5,S8の3つが同時にHi信号となる時間が存在している。
メダル60が各センサ部21を通過する速さは、レール部50の傾斜角度等に依存しているが、センサ部21のS1〜S9におけるHi信号が継続する時間の比率によって、メダル60が正規品であるか否かを判別することができる。また、1枚目のメダル60が通過した際のHi信号と、2枚目のメダル60が通過した際のHi信号とは、メダル60の通過する間隔に応じて信号が分離しており、互いに独立してメダル60を検知できる。
図5で示した各センサ部21の流路方向に沿った間隔Aは、例えばメダル60の直径がφ25mmの場合には10mmであり、メダル60の直径の40%に相当している。間隔Aの好ましい範囲は、正規品のメダル60の直径の33%以上40%以下である。間隔Aがこの範囲であると、メダル60が通過した際にセンサ部21のS2,S5,S8が同時にメダル60に覆われてHi信号を出力する時間が存在する。また、1つのメダル60の通過で、流路方向に沿った4つのセンサ部21が同時にHi信号を出力することもない。
図7は、メダル60が連続して通過する際の信号検出について説明するための図であり、図7(a)はメダル60とS1〜S9の位置関係を示す模式図であり、図7(b)はS1〜S9における信号を示すタイミングチャートである。図7(a)に示したように、メダル通路20に沿ってメダル60が間隔を空けず連続して図中矢印方向に移動する。センサ部21のS1〜S9では、図7(b)に示したようにメダル60がセンサ面を覆っている時間はHi信号が継続し、その他の時間はLow信号が継続する。
図7(a)に示したように、メダル60が2枚連続していると、メダル60の中心に位置するS2,S5,S8では、2枚のメダル60が通過し終わるまでHi信号が継続する。メダル60の上端を検知するS1,S4,S7や下端を検知するS3,S6,S9では、1枚目のメダル60通過でのHi信号と、2枚目のメダル60通過でのHi信号との間に、Low信号となる時間が存在している。したがって、センサ部21(S2,S5,S8)で1枚のメダル60よりもHi信号が長く検知された場合にも、(S1,S4,S7)と(S3,S6,S9)でのHi信号とLow信号の比率が正規品のメダル60での間隔に相当しているかにより、メダル60が正規品であるかを判別できる。
図5で示した各センサ部21の幅方向の間隔Bは、例えばメダル60の直径がφ25mmの場合には10.8mmであり、メダル60の直径の43.3%に相当している。間隔Aの好ましい範囲は、正規品のメダル60の直径の40%以上45%以下である。間隔Bがこの範囲であると、メダル60の上端と下端を検出するセンサ部21のS1,S3,S4,S6,S7,S9において、メダル60が連続して通過した場合に、Hi信号とLow信号のパルス幅が1:1に近くなる。Hi信号とLow信号のどちらかのパルス幅が短くなりすぎると、チャタリングによる誤検出との区別が困難になるため、Hi信号とLow信号のパルス幅が1:1に近づけることで、チャタリングとの混同を防止することができる。
図8は、メダル60が所定位置に滞留した際の信号検出について説明するための図であり、図8(a)はメダル60とS1〜S9の位置関係を示す模式図であり、図8(b)はS1〜S9における信号を示すタイミングチャートである。図8(a)に示したように、メダル通路20を移動してきたメダル60が途中で滞留している。センサ部21のS1〜S9では、図8(b)に示したようにメダル60がセンサ面を覆っている時間はHi信号が継続し、その他の時間はLow信号が継続する。
図8(a)に示したように、メダル60が通過したS1とS3ではHi信号の後にLow信号となっている。しかし、メダル60が滞留することでセンサ面が覆われたままのS2,S4,S5,S6,S8では、Hi信号の後にLow信号にならずHi信号が継続し続けている。また、メダル60が到達していないS7,S9ではHi信号にならずLow信号が継続し続けている。
このとき、S1とS3でHi信号が継続する時間と、S2,S4,S5,S6,S8でHi信号になったタイミングとを比較することで、滞留している物体が正規品のメダル60であるかを判別することもできる。したがって、センサ部21のS1〜S9のうち、Hi信号が継続するものが複数存在し、正規品のメダル60に該当する信号検出である場合には、メダル60がメダル通路20内で滞留していることを検知することができる。また、円形ではない滞留物や非正規のメダルを検知することもできる。
図9は、異形状器具70がメダル通路20に挿入された際の信号検出について説明するための図であり、図9(a)は異形状器具70とS1〜S9の位置関係を示す模式図であり、図9(b)はS1〜S9における信号を示すタイミングチャートである。図9(a)に示したように、メダル通路20に異形状器具70が挿入されて途中で滞留している。センサ部21のS1〜S9では、図9(b)に示したように異形状器具70がセンサ面を覆っている時間はHi信号が継続し、その他の時間はLow信号が継続する。
図9a)に示したように、異形状器具70で覆われたS2,S5,S8では、Hi信号の後にLow信号にならずHi信号が継続し続けている。また、異形状器具70が到達していないS1,S3,S4,S6,S7,S9ではHi信号にならずLow信号が継続し続けている。したがって、センサ部21のS1〜S9のうち、Hi信号が継続するものが複数存在し、Hi信号にならないものが存在する場合には、異形状器具70がメダル通路20内に挿入されていることを検知することができる。異形状器具70の形状によって、S1〜S9で検知されるHi信号のパターンは変化するが、何れの場合でもHi信号が継続し続ける場合には異形状器具70を検知できる。
図5〜図9では、9つのセンサ部21を用いた例を示したが、メダル通路20に埋設された複数のセンサ部21を用いてHi信号とLow信号の組み合わせパターンにより判別でき、センサ部21の個数や具体的な配置は限定されない。例えば、図1に示したようにメダル通路20の全域にわたって配置したセンサ部21の全てを用いて、メダル投入口INからメダル取出口OUTまでメダル60の通過を常に把握するとしてもよい。
図10は、本実施形態におけるメダル選別装置100の動作例を示すフローチャートである。ここでは、図5〜図9に示したようにセンサ部21のS1〜S9を用いた検知と動作について述べる。これらの動作には、情報処理手段や記憶装置を用い、予め用意されたプログラムに従って各部が制御される。メダル選別装置100と情報処理手段とは、情報通信が可能に接続されており、メダル選別装置100での検知結果が情報処理手段に伝達され、情報処理手段からの制御信号がメダル選別装置100に伝達される。
はじめにステップ1では、メダル選別装置100のメダル投入口INに板状物体が挿入される。板状物体は、オシイタ部のメダル当接部と基板部10のメダル当接部22aとの間隔以下の厚さの物体であり、例えば厚さ2.3mm以下のメダル60や不正器具等が挙げられる。
次にステップ2では、メダル通路20の幅方向の中央で先頭であるS2位置でのセンサ部21が遮られてON信号(Hi信号)となっているかを判断する。ON信号である場合にはステップ3に移行し、ON信号でない場合にはステップ8に移行する。
ステップS3では、S1とS3の位置でのセンサ部21が遮られて同時にON信号(Hi信号)となっているかを判断する。ここで同時にON信号とは、両者がON信号になるタイミングの違いが例えば10m秒以下の場合をいう。両者が同時にON信号である場合にはステップ4に移行し、同時にON信号でない場合にはステップ8に移行する。
ステップ4では、S5位置でのセンサ部21が遮られてON信号となっているかを判断する。ON信号である場合にはステップ5に移行し、ON信号でない場合にはステップ8に移行する。
ステップ5では、S1位置でのセンサ部21のON信号が所定時間以下であるかを判断する。所定時間は、メダル通路20の傾斜角度等によって決定されるメダル60の通過に要する時間であり、例えば50m秒以下などを設定する。所定時間以下である場合にはステップ6に移行し、所定時間を超える場合にはステップ9に移行する。
ステップ6では、S3位置でのセンサ部21のON信号が所定時間以下であるかを判断する。所定時間は、例えば50m秒以下などを設定する。所定時間以下である場合にはステップ7に移行し、所定時間を超える場合にはステップ9に移行する。
ステップ7では、挿入された板状物体をメダル60であると情報処理手段が認識し、その後にステップ1に戻る。ステップ8では、挿入された板状物体をメダル60ではないと情報処理手段が認識し、ステップ10に移行する。ステップ9では、挿入された板状物体が滞留物であると情報処理手段が認識し、ステップ10に移行する。
ステップ10では、情報処理手段はエラー信号を生成して、ステップ11に移行する。ステップ11では、遊技機側に設けられた遊技機制御基板にエラー信号を送出し、エラーを報知し制御を終了する。
上述したように、本実施形態のメダル選別装置100およびこれを用いた遊技機では、メダル通路20内の滞留物を検知し、セキュリティー性を向上できる。
<実施形態2>
次に、本発明の実施形態2について、図面を参照して説明する。実施形態1と重複する内容は説明を省略する。図11は、本実施形態にかかるメダル選別装置110の概要を示す模式平面図である。本実施形態では、メダル通路20のうちメダル投入口INに近い領域にのみセンサ部21が配置されている点が実施形態1と異なっている。
本実施形態では、図11のように複数のセンサ部21を配置して、図13で示した従来の異物検知部25の代わりに用いることができる。複数のセンサ部21は、メダル60と非接触に配置されているため、機械式の異物検知部25よりも耐久性を向上させることが可能となる。
<実施形態3>
次に、本発明の実施形態3について、図面を参照して説明する。実施形態1と重複する内容は説明を省略する。図12は、本実施形態にかかるメダル選別装置120の概要を示す模式断面図である。本実施形態では、通常の回路基板13上に配線層23を形成した後に、複数のセンサ部21を回路基板13上に搭載して配線層23と電気的に接続する。また、基板部10に形成した開口部14にセンサ部21を配置して、メダル通路20からセンサ部21のセンサ面を露出させる。
本実施形態でも、開口部14を介してセンサ部21のセンサ面がメダル通路20に露出しているため、基板部10の樹脂によってセンサ部21の受発光が妨げられない。また、発光素子21a、受光素子21b、ケースなどを個別にパッケージする必要も無い。
なお、今回開示した実施形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。従って、本発明の技術的範囲は、上記した実施形態のみによって解釈されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれる。
100,110,120…メダル選別装置
10…基板部
20…メダル通路
30…センサ装置
40…ガイド部
50…レール部
60…メダル
70…異形状器具
11…仮保持基板
12…金型
13…回路基板
14…開口部
21…センサ部
21a…発光素子
21b…受光素子
22a…メダル当接部
22b…凹部
22c…側面部
23…配線層
24…絶縁性保護膜
25…異物検知部

Claims (6)

  1. メダル通路を通過するメダルの選別を行うメダル選別装置であって、
    前記メダル通路と一体に樹脂で形成された基板部と、
    発光素子と受光素子を備えた複数のセンサ部を備え、
    前記センサ部は、前記メダル通路の流路方向に沿って複数埋設され、
    前記複数のセンサ部のセンサ面が、前記メダル通路に露出して配置され
    前記複数のセンサ部は表面実装型の端子を備え、前記端子が前記基板部の裏面に露出し、前記基板部の裏面に形成された配線層によって電気的に接続されていることを特徴とするメダル選別装置。
  2. 請求項1に記載のメダル選別装置であって、
    前記メダル通路には、メダル投入口から鉛直下方に伸びる領域から、メダル取出口まで傾斜して伸びる領域にわたって、前記複数のセンサ部が埋設されていることを特徴とするメダル選別装置。
  3. 請求項1または2に記載のメダル選別装置であって、
    前記流路方向における前記センサ部の間隔は、前記メダルの直径の33%以上40%以下であることを特徴とするメダル選別装置。
  4. 請求項1から3の何れか一つに記載のメダル選別装置であって、
    前記複数のセンサ部は、前記メダル通路の幅方向に複数配置されていることを特徴とするメダル選別装置。
  5. 請求項4に記載のメダル選別装置であって、
    前記幅方向における前記センサ部の間隔は、前記メダルの直径の40%以上45%以下であることを特徴とするメダル選別装置。
  6. 請求項1から5の何れか一つに記載のメダル選別装置を備える遊技機。
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