JP6879229B2 - センサ装置、メダル選別装置および遊技機 - Google Patents

Description

本発明は、センサ装置、メダル選別装置および遊技機に関する。

従来から回胴式遊技機では、投入されたメダルを選別してカウントするメダル選別装置が用いられている。メダル選別装置では、メダル等の遮蔽物が検知位置を通過したか否かの信号を出力し、当該出力に基づいて遊技機側で正規のメダルが通過したか否かを判断しメダルのカウントを行っている。

このようなメダル選別装置としては、発光要素から発した光を反射板で反射させて光の進行方向を変えて受光し、メダルの通過を検知する通過検知センサを備えたセンサ装置（例えば特許文献１等を参照）が提案されている。

しかし特許文献１の投入メダル選別装置では、発光要素からの光軸を直接メダルが遮ることでセンサが検知状態となるため、メダルを投入することなく不正器具等によって遊技機にメダルが通過したと認識させる不正行為が問題となる。

この不正行為を防止するために、発光素子からの光を反射鏡で反射して受光素子で検知するセンサ部を２つ備え、各センサ部の出力タイミングにより通過方向を検知するセンサ装置を用いるものが提案されている（例えば特許文献２等を参照）。

特開２００２−２４８２１０号公報 特開２００６−０５５１８１号公報

これらの従来技術では、発光素子としての砲弾型ＬＥＤや、パッケージ化された受光素子、その他の電子部品を回路基板上に搭載している。また、発光素子や受光素子、回路基板を保持するとともに保護するケース部材が必要であった。そのため、従来のメダル選別装置に用いられるセンサ装置は、部品点数や製造工程数が増加する傾向にあり、さらなる小型化も困難であるという問題があった。

また、回路基板上には、各電子部品を電気的に接続する配線層が形成されており、ケース部材を取り外して回路基板を露出させ、新たな配線や電子部品をハンダ付けで追加する不正改造ができてしまう。そのため、メダルを投入していないにも関わらず、あたかもメダルが投入されたかの様なセンサ出力信号を発生させる不正行為ができてしまう。

本発明はかかる問題点を解決すべく創案されたもので、その目的は、部品点数を削減し小型化を図るとともに、不正行為の難易度を向上させたセンサ装置、メダル選別装置および遊技機を提供することにある。

上記課題を解決するため本発明のセンサ装置は、発光素子と受光素子が一体化されたセンサ部と、前記センサ部と電気的に接続された回路部品と、外部と前記回路部品との電気的接続をするコネクタ部と、前記センサ部、前記回路部品及び前記コネクタ部を封止する外装部を備え、前記センサ部、前記回路部品及び前記コネクタ部は表面実装型の端子を有し、前記外装部の裏面側に形成された配線層によって前記端子が電気的に接続され、前記外装部の表面側には、前記センサ部のセンサ面を露出させる凹部が形成され、前記凹部は、前記回路部品が配置された領域とは平面視において重ならない領域に形成されており、一つの前記凹部に少なくとも２つの前記センサ部を備えることを特徴とする。

これにより、センサ部、回路部品及びコネクタ部を外装部で封止し、凹部からセンサ面を露出させ、外装部の裏面に形成された配線層で各部を電気的に接続しているため、配線層にハンダ付けで新たな配線や電子部品を接続することが困難になり、部品点数を削減し小型化を図るとともに、改造難易度を向上させることができる。

また、本発明の一実施態様では、前記凹部は、前記外装部の表面よりも低い位置に形成された底面と、前記底面から立設された側面と、前記底面から前記外装部の表面まで高低差が徐々に変化する傾斜部を有し、前記傾斜部は、前記センサ部が配置されている領域と、前記回路部品が配置されている領域の間に位置する。

また、本発明の一実施態様では、前記配線層は、導電性インクで形成されており、絶縁性保護膜で被覆されている。

また、本発明の一実施態様では、隣り合う前記センサ部の間隔が７．５±２．５ｍｍの範囲である。

また、本発明のメダル選別装置は、上記何れか一つの発明に記載のセンサ装置を備えることを特徴とする。

また、本発明の遊技機は、上記何れか一つの発明に記載のセンサ装置を備えることを特徴とする。

本発明によれば、部品点数を削減し小型化を図るとともに、改造難易度を向上させたセンサ装置、メダル選別装置および遊技機を提供することができる。

第１実施形態にかかるセンサ装置１０を示す図であり、図１（ａ）は上方斜視図であり、図１（ｂ）は下方斜視図である。 第１実施形態にかかるセンサ装置１０の構造を示す透過斜視図である。 第１実施形態にかかるセンサ装置１０の構造を示す図であり、図３（ａ）は模式平面図であり、図３（ｂ）はＢ−Ｂ位置での模式断面図であり、図３（ｃ）はＡ−Ａ位置での模式断面図である。 センサ装置１０における回路構成の一例を示す回路図である。 第１実施形態にかかるセンサ装置１０の製造方法を模式的に示す工程図である。 センサ装置１０の外装部１１を形成した後の状態を示す図面代用写真であり、図６（ａ）は各回路部品に位置ズレが生じていない良品を示し、図６（ｂ）は回路部品の一部に位置ズレが生じた不良品を示している。 凹部１２の形成位置と回路部品１６の位置ズレ発生の有無を示すグラフである。 第２実施形態でセンサ装置１０を用いたメダル選別装置１００を示す図であり、表側から見た模式図である。 第２実施形態でセンサ装置１０を用いたメダル選別装置１００を示す図であり、裏側から見た模式図である。 センサ装置１０によるメダル４０の検知を説明する図であり、図１０（ａ）はセンサ装置１０の各部とメダル４０の位置関係を示す模式図であり、図１０（ｂ）はセンサ装置１０からの出力信号を示す模式図である。 第３実施形態のセンサ装置１０を説明する図であり、図１１（ａ）はセンサ部１３，１４を斜めに並べて配置した例を示し、図１１（ｂ）はセンサ部１３，１４を横に並べて配置した例を示している。

＜実施形態１＞
以下、本発明の実施形態１について、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態にかかるセンサ装置１０を示す図であり、図１（ａ）は上方斜視図であり、図１（ｂ）は下方斜視図である。図２は、本実施形態にかかるセンサ装置１０の構造を示す透過斜視図である。図３は、本実施形態にかかるセンサ装置１０の構造を示す図であり、図３（ａ）は模式平面図であり、図３（ｂ）はＢ−Ｂ位置での模式断面図であり、図３（ｃ）はＡ−Ａ位置での模式断面図である。

図１（ａ）に示すように、センサ装置１０は外装部１１に凹部１２が形成され、外装部１１に埋設されたセンサ部１３，１４が凹部１２から露出している。また図１（ｂ）に示すように、外装部１１の裏面側には配線層１１ａが形成され、絶縁性保護膜１１ｂが形成されている。

また、図２、図３に示すように、センサ装置１０は、外装部１１と、凹部１２と、センサ部１３，１４と、コネクタ部１５と、回路部品１６と、ジャンパー１７とを備えている。また、センサ部１３，１４はそれぞれ発光素子１３ａ，１４ａと受光素子１３ｂ，１４ｂを備え、凹部１２は底面１２ａと傾斜部１２ｂと側面１２ｃを備えている。

外装部１１は、センサ装置１０の外形を構成する樹脂からなる部材であり、センサ部１３，１４、コネクタ部１５、回路部品１６、ジャンパー１７を一括して封止している。外装部１１は可視光や赤外光を透過する透光性材料で構成してもよいが、センサ装置１０外部からの光や、発光素子１３ａ，１４ａからの光が意図せず受光素子１３ｂ，１４ｂに入射する迷光を防止するために、光を吸収する黒色の材料で構成することが好ましい。

また、外装部１１を構成する樹脂の材料は特に限定されず、半導体部品や電子部品を封止するために通常用いられる樹脂を用いることができ、後述するように射出成形できるものを用いることが好ましい。また、樹脂材料としては光硬化型や熱硬化型、熱可塑型など公知のものを用いることができる。具体的な外装部１１を構成する樹脂材料としては、例えばエポキシ樹脂やポリカーボネート樹脂、ＡＢＳ樹脂が挙げられる。

外装部１１の裏面側には、センサ部１３，１４、コネクタ部１５、回路部品１６、ジャンパー１７の端子部分が露出しており、これらの端子を接続して電子回路を構成するための配線層１１ａが形成されている。また、外装部１１の裏面側には、配線層１１ａを被覆するレジスト等の絶縁性保護膜１１ｂが略全面に形成されている。配線層１１ａは、金属蒸着やフォトリソグラフィー等で形成することもできるが、導電性インクを外装部１１裏面にインクジェット印刷装置で塗布して硬化させる方法を用いることが好ましい。

凹部１２は、外装部１１の表面側の一部に設けられた窪みであり、底面１２ａと傾斜部１２ｂと側面１２ｃを備えている。本実施形態では、凹部１２からセンサ部１３，１４のセンサ面が露出しているので、外装部１１の樹脂によってセンサ部１３，１４の受発光が妨げられない。ここで図２，３では、面積の大きな１つの凹部１２から、複数のセンサ部１３，１４が露出した例を示しているが、センサ部１３，１４を個別に露出させる複数の凹部１２を設けるとしてもよい。

底面１２ａは、外装部１１の表面よりも低い位置に形成された略平坦な面であり、その一部からセンサ部１３，１４のセンサ面が露出している。底面１２ａは、センサ部１３，１４での受発光が側面１２ｃで妨げられないように、センサ部１３，１４のセンサ面が露出する面積より広いことが好ましい。

傾斜部１２ｂは、センサ部１３，１４が露出した領域から外装部１１の表面にいたる高低差が徐々に変化する領域である。図２，３では傾斜部１２ｂとして曲面形状のものを示したが、一定割合で高さが変化するテーパ形状であってもよい。また、傾斜部１２ｂを形成する位置は、センサ部１３，１４が配置されている領域と、回路部品１６が配置されている領域の間であることが好ましい。詳細は後述するが、この位置に傾斜部１２ｂを形成すると、射出成形による外装部１１の形成時の封止樹脂流動における回路部品１６の位置ズレを抑制して、製造歩留まりを向上させることができる。

センサ部１３，１４は、それぞれ発光素子１３ａと受光素子１３ｂ、発光素子１４ａと受光素子１４ｂが一体化された表面実装型の電子部品であり、外装部１１に埋設されている。センサ部１３，１４は、発光素子１３ａ，１４ａから発光した光が検知対象のメダル等で反射し、受光素子１３ｂ，１４ｂに入射することで検知対象の有無を検知する。発光素子１３ａ，１４ａの発光面と、受光素子１３ｂ，１４ｂの受光面は、センサ部１３，１４のセンサ面を構成している。センサ部１３，１４の端子は表面実装型であり、外装部１１の裏面側から露出して、配線層１１ａに電気的に接続される。また、センサ部１３，１４は配線層１１ａを介してコネクタ部１５、回路部品１６、ジャンパー１７と電気的に接続されている。

コネクタ部１５は、センサ装置１０の外部と回路部品との電気的接続をする表面実装型のコネクタであり、外装部１１に埋設されている。コネクタ部１５の端子は表面実装型であり、外装部１１の裏面側から露出して、配線層１１ａに電気的に接続される。また、コネクタ部１５は配線層１１ａを介してセンサ部１３，１４、回路部品１６、ジャンパー１７と電気的に接続されている。

回路部品１６は、センサ部１３，１４を駆動するための電子回路を構成するための表面実装型の電子部品であり、外装部１１に埋設されている。回路部品１６を組み合わせた回路部品の具体的な構成については後述する。各回路部品１６の端子は表面実装型であり、外装部１１の裏面側から露出して、配線層１１ａに電気的に接続される。また、回路部品１６は配線層１１ａを介してセンサ部１３，１４、コネクタ部１５、ジャンパー１７と電気的に接続されている。

ジャンパー１７は、外装部１１の裏面側から露出した表面実装型の端子を備え、外装部１１の裏面側に形成された配線層１１ａを跨いで、他の配線層１１ａ同士を橋渡しして電気的に接続するための部品であり、外装部１１に埋設されている。また、ジャンパー１７は配線層１１ａを介してセンサ部１３，１４、コネクタ部１５、回路部品１６と電気的に接続されている。本実施形態のセンサ装置では、外装部１１の裏面に配線層１１ａを形成しているので、多層配線で立体的に電気的接続をとることが困難であるが、ジャンパー１７を用いることで配線層１１ａを跨いで立体的に電気的接続をすることができる。

図４は、センサ装置１０における回路構成の一例を示す回路図である。図４に示すように、センサ装置１０の回路は、発光素子１３ａ，１４ａと受光素子１３ｂ，１４ｂを備えるセンサ部１３，１４と、コネクタ部１５と、他の回路部品１６として抵抗Ｒ１〜Ｒ６、容量Ｃ１，Ｃ２、トランジスタＴＲ１，ＴＲ２を備えている。また、コネクタ部１５は５Ｖ電源端子と、出力端子と、接地端子をそれぞれ２組備え、それぞれ１組がセンサ部１３，１４の回路に接続されている。

よって、発光素子１３ａ，１４ａと抵抗Ｒ１，Ｒ４の直列接続で投光側回路が構成されている。また、受光素子１３ｂ，１４ｂ、抵抗Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ６、容量Ｃ１，Ｃ２、トランジスタＴＲ１，ＴＲ２で受光側回路が構成されている。また、外装部１１の裏面に形成された配線層１１ａやジャンパー１７によって、図４に示した各要素が電気的に接続されている。

５Ｖ電源端子には電源電位として５Ｖが印加され、接地端子には接地電位の０Ｖが印加されている。したがって、発光素子１３ａ，１４ａは常に発光面から光を照射している。メダル等の検知対象がセンサ部１３，１４のセンサ面を遮っていない場合には、発光素子１３ａ、１４ａの照射する光はフォトトランジスタである受光素子１３ｂ，１４ｂには入射しない。したがって、受光素子１３ｂ，１４ｂがオフであり、トランジスタＴＲ１，ＴＲ２のベースには電圧が印加されず、トランジスタＴＲ１，ＴＲ２もオフである。これにより、出力端子には５Ｖ電源端子から抵抗Ｒ３，Ｒ６を介した電位が出力される。

メダル等の検知対象がセンサ部１３，１４のセンサ面を遮る場合には、検知対象によって反射された光が受光素子１３ｂ，１４ｂに入射する。したがってフォトトランジスタである受光素子１３ｂ，１４ｂがオンされ、抵抗Ｒ２，Ｒ５を介してトランジスタＴＲ１，ＴＲ２のベースに電圧が印加される。これによりトランジスタＴＲ１，ＴＲ２もオンされ、抵抗Ｒ３，Ｒ６を流れる電流の一部は接地端子に流れ、出力端子には抵抗Ｒ３，Ｒ５とトランジスタＴＲ１，ＴＲ２の間の電位が出力される。

したがってコネクタ部１５の２つの出力端子には、メダル等の検知対象がない場合にはＨｉ信号が出力され、検知対象がそれぞれのセンサ部１３，１４を遮ったタイミングでＬｏ信号が出力され、検知対象の有無を検知することができる。

次に、本実施形態のセンサ装置１０の製造方法について図５を用いて説明する。図５は、本実施形態にかかるセンサ装置１０の製造方法を模式的に示す工程図である。この製造方法では、特開２０１５−２０７７０３号公報に記載されたものと同様の電子部品を埋設した樹脂構造体の技術を用いることができる。

はじめに、図５（ａ）に示すように仮保持基板１８を用意する。仮保持基板１８はシート状の部材であり、紫外線を透過し柔軟性を有する材料で構成されることが好ましく、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）等を用いることができる。また、仮保持基板１８の一方の表面には、紫外線硬化型の接着層（図示せず）が形成されている。

次に図５（ｂ）に示すように、仮保持基板１８の接着層上に、センサ部１３，１４、コネクタ部１５および回路部品１６を所定の位置に配置し、表面実装型の端子を接着層側に接触させる。センサ部１３，１４、コネクタ部１５および回路部品１６を位置決めした後、仮保持基板１８側から紫外線を照射して接着層を硬化させ、各電子部品を固定する。

次に図５（ｃ）に示すように、仮保持基板１８を金型１９内に配置し、金型１９内にセンサ部１３，１４、コネクタ部１５および回路部品１６を収容し、公知の射出成形技術等で封止樹脂を金型１９内に流し込み、封止樹脂を硬化させて外装部１１を形成する。このとき、金型１９の凹部形状は、外装部１１の表面と側面、凹部１２の底面１２ａと傾斜部１２ｂの形状に対応している。また、センサ部１３，１４のセンサ面は、金型１９の凹部１２に対応した位置に接触しており、仮保持基板１８と金型１９によってセンサ部１３，１４が挟まれている。

次に図５（ｄ）に示すように、仮保持基板１８と金型１９を取り外し、外装部１１の裏面を露出させる。最後に図５（ｅ）に示すように、外装部１１の裏面にインクジェット印刷装置を用いて導電性インクを印刷して配線層１１ａを形成し、外装部１１裏面から露出したセンサ部１３，１４、コネクタ部１５および回路部品１６の端子を電気的に接続する。導電性インクの印刷と硬化が終了した後に、外装部１１の裏面全体にレジストを塗布して絶縁性保護膜１１ｂを形成し、センサ装置１０が完成する。

次に、凹部１２の形成位置による回路部品１６の位置ズレ防止について、図６を用いて説明する。図６は、センサ装置１０の外装部１１を形成した後の状態を示す図面代用写真であり、図６（ａ）は各回路部品に位置ズレが生じていない良品を示し、図６（ｂ）は回路部品の一部に位置ズレが生じた不良品を示している。

図６（ａ）に示した例では、図２，３で示した傾斜部１２ｂの形成位置は、コネクタ部１５が露出した側面から例えば１２ｍｍであり、凹部１２と複数の回路部品１６が配置された領域は被らない。これにより、射出成形で封止樹脂を金型１９内に注入する際にも、回路部品１６を通過する樹脂流動速度は抑えられ、図６（ａ）に示したように、回路部品１６は小さいサイズでも仮保持基板１８上で流されず、位置ズレが生じていない。

図６（ｂ）に示した例では、図２，３で示した傾斜部１２ｂの形成位置は、コネクタ部１５が露出した側面から例えば８ｍｍであり、凹部１２と複数の回路部品１６が配置された領域と被る。これにより、射出成形で封止樹脂を金型１９内に注入する際にも、回路部品１６を通過する樹脂流動速度は図６（ａ）の場合よりも速くなり、図６（ｂ）に示したように、回路部品１６のうち特に小さいサイズの部品が仮保持基板１８上で流されて、位置ズレが生じている。

図７は、凹部１２の形成位置と回路部品１６の位置ズレ発生の有無を示すグラフである。グラフ中の横軸はサンプル番号を示し、縦軸はコネクタ部１５の端部から傾斜部１２ｂの形成位置までの距離を示している。

サンプル番号１〜６では、凹部１２は、回路部品１６が配置された領域とは平面視において重ならない領域に形成されていた。これらのサンプルでは、コネクタ部１５の端部から傾斜部１２ｂまでの距離が１１．０〜１２．５ｍｍであり、図６（ａ）に示した写真と同様に回路部品１６の位置ズレが発生しなかった。

一方、サンプル番号７〜１２では、凹部１２は、回路部品１６が配置された領域とは平面視において重なる領域に形成されていた。これらのサンプルでは、コネクタ部１５の端部から傾斜部１２ｂまでの距離が５．０〜８．０ｍｍであり、図６（ｂ）に示した写真と同様に回路部品１６の位置ズレが発生した。

このように、凹部１２が形成された領域と回路部品１６が配置された領域が、平面視において重ならないことで、回路部品１６の位置ズレを抑制して製造歩留まりを向上させることができる。

本実施形態のセンサ装置１０では、外装部１１の裏面に導電性インクで配線層１１ａを形成し、絶縁性保護膜１１ｂで被覆しているため、新たな電子回路や配線をハンダ付けしようとすると、外装部１１が損傷してセンサ装置１０が破損する。これにより、新たな電子回路や配線を追加して誤った検知結果を出力させるような不正行為の改造難易度が向上する。

また、外装部１１に凹部１２を設けて、底面１２ａからセンサ部１３，１４のセンサ面を露出させることで、外装部１１の樹脂によってセンサ部１３，１４の受発光が妨げられない。また、回路基板を用いず、発光素子１３ａ，１４ａ、受光素子１３ｂ，１４ｂ、ケースなどを個別にパッケージする必要も無いため、部品点数と製造工程数を削減することができる。

さらに、仮保持基板１８上にセンサ部１３，１４、コネクタ部１５、回路部品１６、ジャンパー１７を配置し、導電性インクの印刷で配線層１１ａを形成するため、各要素の位置を自由に変更できる。したがって、センサ装置１０のうちセンサ部１３，１４を配置する位置の自由度が高くなり、設計自由度が向上する。

＜実施形態２＞
次に、本発明の実施形態２について、図面を参照して説明する。実施形態１と重複する内容は説明を省略する。図８は、本実施形態でセンサ装置１０を用いたメダル選別装置１００を示す図であり、表側から見た模式図である。図９は、本実施形態でセンサ装置１０を用いたメダル選別装置１００を示す図であり、裏側から見た模式図である。

図８，９に示すようにメダル選別装置１００は、基板部２０とレール部７０によりメダル通路３０が形成され、メダル通路３０に沿って移動するメダル４０を基板部２０の裏側に配置したセンサ装置１０で検知するものである。また、メダル通路３０のうちメダル４０の投入口側には、異物検知部５０が配置されている。また、メダル通路３０の上部には、通過するメダル４０の上端部分をガイドする可動式のレバー部６０が配置されている。

センサ装置１０は、基板部２０の裏面側に配置されているが、メダル通路３０の対応する位置に開口部が形成されており、センサ部１３，１４を当該開口部方向に向けて取り付けられている。したがって、メダル通路３０の開口部を介してセンサ部１３，１４が検知対象であるメダル４０の有無を検知可能となっている。

基板部２０は、メダル通路３０が一体に形成されるとともに、センサ装置１０、異物検知部５０、レバー部６０およびレール部７０を保持するための部材である。異物検知部５０は、メダル通路３０の一部に埋設された開閉レバー式のセンサであり、投入口から不正器具が挿入されるとレバーが閉じた状態が継続し、異物挿入を検知できる。レバー部６０は、メダル４０の上端に当接するレバーを必要に応じて開閉することで、メダル４０の通過と排出を選択する部材である。異物検知とメダル排出については、公知の技術を用いることができるため、説明を省略する。レール部７０は、メダル通路３０の下端を形成する金属製の部材である。

図１０は、センサ装置１０によるメダル４０の検知を説明する図であり、図１０（ａ）はセンサ装置１０の各部とメダル４０の位置関係を示す模式図であり、図１０（ｂ）はセンサ装置１０からの出力信号を示す模式図である。

図１０（ａ）に示すように、メダル通路３０の下辺３０ａは、図中に下方向矢印で示した重力方向に対して傾斜している。したがって、メダル４０は下辺３０ａの傾斜に沿って斜め横に移動し、センサ装置１０のセンサ部１３，１４前を通過する。図１０（ａ）ではメダル４０とセンサ装置１０の位置関係を示すために、メダル通路３０や開口部は図示を省略している。また、センサ部１３，１４は図２に示したように発光素子１３ａ，１４ａと受光素子１３ｂ，１４ｂを備えているが、簡略化のためセンサ面を丸印で表現している。

二つのセンサ部１３，１４は、下辺３０ａに対して略平行となるように互いに間隔ａをあけて隣り合っており、下辺３０ａから高さｈとなる位置に配置されている。メダル４０がメダル通路３０を下辺３０ａに沿って移動すると、上流側に位置するセンサ部１３が先にメダル４０を検知し、下流側に位置するセンサ部１４が後にメダル４０を検知する。

図１０（ｂ）に示すように、センサ部１３，１４の検知信号Ｓ１，Ｓ２は、メダル４０を検知していない間はＨｉ信号であり、メダル４０を検知している間はＬｏ信号となる。また、センサ部１３でのメダル検知時間Ａと、センサ部１４でのメダル検知時間Ｃとは、メダル４０が間隔ａを移動する時間に相当する時間Ｂだけ位相が異なっている。メダル検知時間Ａ，Ｃは、それぞれセンサ部１３，１４の前をメダル４０が移動している時間であり、その時間はメダル４０の径と高さｈに依存している。

メダル検知時間Ａ，Ｃと時間Ｂの出力時間は、Ａ：Ｂ：Ｃ＝２：１：２となるように間隔ａと高さｈを設定する。また、メダル通路３０の下辺３０ａの傾斜は、メダル４０がセンサ装置１０の前を通過する際に１００〜１１００ｍｍ／ｓｅｃとなるように設定する。また、メダル検知時間Ａ，Ｃと時間Ｂは、いずれも出力時間が４．５ｍｓｅｃを超えている必要がある。これは、回胴式遊技機から検知信号Ｓ１、Ｓ２がＨｉ信号か、またはＬｏｗ信号かを確認するサンプリング周期を想定した値である。

また、メダル検知時間Ａ，Ｃが２００ｍｓｅｃを超える場合と、時間Ｂが１００ｍｓｅｃを超える場合には、メダル４０が滞留していると判断する。これにより、メダル４０の滞留を検知することと、不正器具の挿入等による不正行為を検知することができる。

センサ部１３，１４の具体的な間隔ａおよび高さｈは限定されないが、メダル４０の径がφ２５．０±０．２５ｍｍの場合にも、φ３０．０±０．２５ｍｍの場合にも、間隔ａは７．５±２．５ｍｍの範囲が好ましい。間隔ａが５ｍｍ未満の場合には時間Ｂが４．５ｍｓｅｃ以下となり、１０ｍｍより大きい場合には時間Ｂが１００ｍｓｅｃを超えて好ましくない。

また、メダル４０の径がφ２５．０±０．２５ｍｍの場合には、高さｈは２０．５〜２４．５ｍｍの範囲が好ましく、メダル４０の径がφ３０．０±０．２５ｍｍの場合には、高さｈは２４．０〜２９．５ｍｍの範囲が好ましい。２つのメダル４０が互いに接しながら、メダル通路３０を移動する場合、検知信号Ｓ１、Ｓ２はそれぞれＬｏｗ信号、Ｈｉ信号、Ｌｏｗ信号の順で信号が変化する。高さｈが上記範囲より小さいと、Ｈｉ信号時のメダル検知時間Ａ、Ｃが４．５ｍｓｅｃ未満となり好ましくない。また、高さｈがこの範囲より大きいと、メダル検知時間Ａ，Ｃが４．５ｍｓｅｃ未満となり好ましくない。

以上に述べたように、本実施形態ではセンサ装置１０を回胴式遊技機のメダル選別装置１００に用いることで、良好にメダル４０のカウントや滞留の検知を行うことができる。また、隣り合うセンサ部１３，１４の間隔ａが７．５±２．５ｍｍの範囲であることで、メダル選別装置１００の検知精度を高めることができる。

＜実施形態３＞
次に、本発明の実施形態３について、図面を参照して説明する。実施形態１と重複する内容は説明を省略する。図１１は、本実施形態のセンサ装置１０を説明する図であり、図１１（ａ）はセンサ部１３，１４を斜めに並べて配置した例を示し、図１１（ｂ）はセンサ部１３，１４を横に並べて配置した例を示している。

図１１（ａ）に示した例では、センサ部１３，１４をセンサ装置１０の側面に対して斜めとなるように並べて配置している。このとき、センサ部１３，１４の並びはメダル通路３０を移動するメダル４０の移動方向に沿ったものとする。また、センサ装置１０の長手方向の側面を基板部２０の側面と略一致させて取り付けられる。

図１１（ｂ）に示した例では、第２実施形態と同様にセンサ部１３，１４をセンサ装置１０の側面に対して横に並べて配置している。この場合にも、センサ部１３，１４をメダル通路３０の傾斜に沿って配置する必要があるため、センサ装置１０は基板部２０の側面に対して斜めになるように取り付けられる。したがって、図１１（ｂ）にハッチング枠の三角形で示したように、基板部２０の角とセンサ装置１０との間にデッドスペースが生じてしまう。

しかし、図１１（ａ）に示した例のように、センサ装置１０内部でのセンサ部１３，１４の配置を設計することで、センサ装置１０の配置によるデッドスペースを低減でき、メダル選別装置１００の省スペース化や、レイアウトの自由度を向上させることができる。また、本実施形態のセンサ装置１０は、実施形態１で示したように電子部品を埋設した樹脂構造体であるから、センサ部１３，１４の配置や配線位置を変更することは容易であり、設計自由度が高い。したがって、メーカーや機種ごとにメダル選別装置１００の傾斜等の仕様が異なっていても、個別に金型を用意する必要が無く、簡単にセンサ部１３，１４の配置を変更することができる。

なお、今回開示した実施形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。従って、本発明の技術的範囲は、上記した実施形態のみによって解釈されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれる。

１０…センサ装置
１００…メダル選別装置
１１…外装部
１１ａ…配線層
１１ｂ…絶縁性保護膜
１２…凹部
１２ａ…底面
１２ｂ…傾斜部
１２ｃ…側面
１３，１４…センサ部
１３ａ，１４ａ…発光素子
１３ｂ，１４ｂ…受光素子
１５…コネクタ部
１６…回路部品
１７…ジャンパー
１８…仮保持基板
１９…金型
２０…基板部
３０…メダル通路
３０ａ…下辺
４０…メダル
５０…異物検知部
６０…レバー部
７０…レール部
ＴＲ１，ＴＲ２…トランジスタ
Ｒ１〜Ｒ６…抵抗
Ｃ１，Ｃ２…容量

Claims (6)

1. 発光素子と受光素子が一体化されたセンサ部と、
   前記センサ部と電気的に接続された回路部品と、
   外部と前記回路部品との電気的接続をするコネクタ部と、
   前記センサ部、前記回路部品及び前記コネクタ部を封止する外装部を備え、
   前記センサ部、前記回路部品及び前記コネクタ部は表面実装型の端子を有し、前記外装部の裏面側に形成された配線層によって前記端子が電気的に接続され、
   前記外装部の表面側には、前記センサ部のセンサ面を露出させる凹部が形成され、前記凹部は、前記回路部品が配置された領域とは平面視において重ならない領域に形成されており、
   一つの前記凹部に少なくとも２つの前記センサ部を備えることを特徴とするセンサ装置。
2. 請求項１に記載のセンサ装置であって、
   前記凹部は、前記外装部の表面よりも低い位置に形成された底面と、前記底面から立設された側面と、前記底面から前記外装部の表面まで高低差が徐々に変化する傾斜部を有し、
   前記傾斜部は、前記センサ部が配置されている領域と、前記回路部品が配置されている領域の間に位置することを特徴とするセンサ装置。
3. 請求項１または２に記載のセンサ装置であって、
   前記配線層は、導電性インクで形成されており、絶縁性保護膜で被覆されていることを特徴とするセンサ装置。
4. 請求項１から３の何れか一つに記載のセンサ装置であって、
   隣り合う前記センサ部の間隔が７．５±２．５ｍｍの範囲であることを特徴とするセンサ装置。
5. 請求項１から４の何れか一つに記載のセンサ装置を備えるメダル選別装置。
6. 請求項１から４の何れか一つに記載のセンサ装置を備える遊技機。

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