JP6868381B2 - 電圧変動検知回路、半導体集積回路、車両 - Google Patents
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Description
図1は、電圧変動検知回路の第1構成例を示す図である。図1に示す電圧変動検知回路は、定電圧源1と、固定抵抗2Aと、可変抵抗3と、コンパレータ4Aと、制御部5Aと、を有する。
(1)第1閾値電圧VTH1を段階的に小さくする。
(2)変動検知対象の電圧VTGが第1閾値電圧VTH1以上になると、第1閾値電圧VTH1を所定段階大きくする。
(3)再度第1閾値電圧VTH1を段階的に小さくする。
(4)変動検知対象の電圧VTGが第1閾値電圧VTH1以上になると、第1閾値電圧VTH1を所定段階大きくする。
図4は、電圧変動検知回路の第2構成例を示す図である。図4に示す電圧変動検知回路は、定電圧源1と、可変抵抗3と、固定抵抗2Bと、コンパレータ4Bと、制御部5Bと、を有する。なお、図4において図1と同一の部分には同一の符号を付し詳細な説明を省略する。
(1)第2閾値電圧VTH2を段階的に大きくする。
(2)変動検知対象の電圧VTGが第2閾値電圧VTH2以下になると、第2閾値電圧VTH2を所定段階小さくする。
(3)再度第2閾値電圧VTH2を段階的に大きくする。
(4)変動検知対象の電圧VTGが第2閾値電圧VTH2以下になると、第2閾値電圧VTH2を所定段階小さくする。
図6は、電圧変動検知回路の第3構成例を示す図である。図6に示す電圧変動検知回路は、定電圧源1と、固定抵抗2A及び2Bと、可変抵抗3と、コンパレータ4A及び4Bと、制御部5Cと、を有する。なお、図6において図1及び図4と同一の部分には同一の符号を付し詳細な説明を省略する。
(1)第1閾値電圧VTH1を段階的に小さくし且つ第2閾値電圧VTH2を段階的に大きくする。
(2)変動検知対象の電圧VTGが第1閾値電圧VTH1以上又は第2閾値電圧VTH2以下になると、第1閾値電圧VTH1を所定段階大きくし且つ第2閾値電圧VTH2を所定段階小さくする。
(3)再度第1閾値電圧VTH1を段階的に小さくし且つ第2閾値電圧VTH2を段階的に大きくする。
(4)変動検知対象の電圧VTGが第1閾値電圧VTH1以上又は第2閾値電圧VTH2以下になると、第1閾値電圧VTH1を所定段階大きくし且つ第2閾値電圧VTH2を所定段階小さくする。
上記で説明した電圧変動検知回路は例えば電源装置の一部品である電源用ICに搭載される。図8は、電圧変動検知回路を有するスイッチング電源装置の一構成例を示す図である。また、図9は、電圧変動検知回路を有するLDO(Low Drop-Out regulator)の一構成例を示す図である。
上記した電源装置は、例えば図10に示す車両X10に搭載される。例えば、図8に示すスイッチング電源装置は、車両X10に搭載されるMCU(Micro Control Unit)に電源電圧を供給する電源装置として用いることができる。例えば、図9に示すLDOは、車両X10に搭載される先進運転支援システム用のカメラ及びセンサに電源電圧を供給する電源装置として用いることができる。
本明細書中に開示されている種々の技術的特徴は、上記実施形態のほか、その技術的創作の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。例えば、図8では、スイッチング電源回路の出力段を昇圧型とした構成を例に挙げたが、出力段の構成はこれに限定されるものではなく、降圧型、昇降圧型、SEPIC型のいずれにも容易に対応することが可能である。すなわち、上記実施形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
2A、2B 固定抵抗
3 可変抵抗
4A、4B コンパレータ
5A〜5C 制御部
100 スイッチング電源用IC
200 LDO用IC
101、201 基準電圧生成部
102、202 定電圧源
103、203 エラーアンプ
104 発振回路
105 スロープ電圧生成部
106 PWMコンパレータ
107 ドライバ
108、109、204 電圧変動検知回路
C101、C201 出力コンデンサ
D101 ダイオード
L101 コイル
Q101 NMOSトランジスタ
Q201 PMOSトランジスタ
R1〜R4、R101〜R103、R201、R202 抵抗
SW1〜SW4 スイッチ
T101〜T105、T201〜T203 外部端子
X10 車両
Claims (11)
- 閾値電圧を生成する閾値電圧生成回路と、
変動検知対象の電圧と前記閾値電圧とを比較するコンパレータと、
前記コンパレータの出力に基づいて前記閾値電圧生成回路を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記閾値電圧を段階的に小さくし、前記変動検知対象の電圧が前記閾値電圧以上になると、前記閾値電圧を所定段階大きくすることで前記閾値電圧を固定値分だけ大きくしてから再度前記閾値電圧を段階的に小さくし、前記変動検知対象の電圧が前記閾値電圧以上になると、前記閾値電圧を所定段階大きくすることで前記閾値電圧を前記固定値分だけ大きくする動作が繰り返されるように、前記閾値電圧生成回路を制御し、
前記制御部は、前記変動検知対象の電圧が前記閾値電圧以上になった時点の制御内容に基づいて前記変動検知対象の電圧の変動を検知することを特徴とする電圧変動検知回路。 - 前記閾値電圧を所定の減少量又は所定値に達するまで段階的に小さくしても前記変動検知対象の電圧が前記閾値電圧以上にならない場合に、前記閾値電圧を最大にしてから再度前記閾値電圧を段階的に小さくする請求項1に記載の電圧変動検知回路。
- 閾値電圧を生成する閾値電圧生成回路と、
変動検知対象の電圧と前記閾値電圧とを比較するコンパレータと、
前記コンパレータの出力に基づいて前記閾値電圧生成回路を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記閾値電圧を段階的に大きくし、前記変動検知対象の電圧が前記閾値電圧以下になると、前記閾値電圧を所定段階小さくすることで前記閾値電圧を固定値分だけ小さくしてから再度前記閾値電圧を段階的に大きくし、前記変動検知対象の電圧が前記閾値電圧以下になると、前記閾値電圧を所定段階小さくすることで前記閾値電圧を前記固定値分だけ小さくする動作が繰り返されるように、前記閾値電圧生成回路を制御し、
前記制御部は、前記変動検知対象の電圧が前記閾値電圧以下になった時点の制御内容に基づいて前記変動検知対象の電圧の変動を検知することを特徴とする電圧変動検知回路。 - 前記閾値電圧を所定の増加量又は所定値に達するまで段階的に大きくしても前記変動検知対象の電圧が前記閾値電圧以下にならない場合に、前記閾値電圧を最小にしてから再度前記閾値電圧を段階的に大きくする請求項3に記載の電圧変動検知回路。
- 第1閾値電圧及び前記第1閾値電圧より小さい第2閾値電圧を生成する閾値電圧生成回路と、
変動検知対象の電圧と前記第1閾値電圧とを比較する第1コンパレータと、
前記変動検知対象の電圧と前記第2閾値電圧とを比較する第2コンパレータと、
前記第1コンパレータの出力及び前記第2コンパレータの出力に基づいて前記閾値電圧生成回路を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記第1閾値電圧を段階的に小さくし且つ前記第2閾値電圧を段階的に大きくし、前記変動検知対象の電圧が前記第1閾値電圧以上又は前記第2閾値電圧以下になると、前記第1閾値電圧を所定段階大きくすることで前記第1閾値電圧を第1固定値分だけ大きくし且つ前記第2閾値電圧を所定段階小さくすることで前記第2閾値電圧を第2固定値分だけ小さくしてから再度前記第1閾値電圧を段階的に小さくし且つ前記第2閾値電圧を段階的に大きくし、前記変動検知対象の電圧が前記第1閾値電圧以上又は前記第2閾値電圧以下になると、前記第1閾値電圧を所定段階大きくすることで前記第1閾値電圧を前記第1固定値分だけ大きくし且つ前記第2閾値電圧を所定段階小さくすることで前記第2閾値電圧を前記第2固定値分だけ小さくする動作が繰り返されるように、前記閾値電圧生成回路を制御し、
前記制御部は、前記変動検知対象の電圧が前記第1閾値電圧以上又は前記第2閾値電圧以下になった時点の制御内容に基づいて前記変動検知対象の電圧の変動を検知することを特徴とする電圧変動検知回路。 - 前記閾値電圧生成回路は、
第1固定抵抗と、
抵抗値が段階的に可変する可変抵抗と、
第2固定抵抗と、を含み、
前記第1固定抵抗の第1端に参照電圧が印加され、
前記第1固定抵抗の第2端に前記可変抵抗の第1端が接続され、
前記可変抵抗の第2端に前記第2固定抵抗の第1端が接続され、
前記第2固定抵抗の第2端が接地され、
前記第1固定抵抗と前記可変抵抗との接続ノードに前記第1閾値電圧が発生し、前記可変抵抗と前記第2固定抵抗との接続ノードに前記第2閾値電圧が発生する請求項5に記載の電圧変動検知回路。 - 前記制御部は、
前記第1閾値電圧が最大であるときに前記変動検知対象の電圧が前記第1閾値電圧以上であれば、前記変動検知対象の電圧が過電圧になっていることを検出する請求項5又は請求項6に記載の電圧変動検知回路。 - 前記制御部は、
前記第2閾値電圧が最小であるときに前記変動検知対象の電圧が前記第2閾値電圧以下であれば、前記変動検知対象の電圧が低電圧になっていることを検出する請求項5〜7のいずれか一項に記載の電圧変動検知回路。 - 前記制御部は、前記変動検知対象の電圧の発振、前記変動検知対象の電圧のスパイク、及び前記変動検知対象の電圧のドリフトの少なくとも一つを検知する請求項1〜8のいずれか一項に記載の電圧変動検知回路。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載の電圧変動検知回路と、
前記変動検知対象の電圧を生成する電圧生成回路の少なくとも一部と、を有することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項10に記載の半導体集積回路を有することを特徴とする車両。
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