JP6857531B2 - めっき方法及びめっき装置 - Google Patents
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- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims description 172
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 372
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 185
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 173
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 166
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 48
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 20
- 125000003827 glycol group Chemical group 0.000 claims description 20
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 20
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 14
- -1 CO2 ions Chemical class 0.000 claims description 10
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 10
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 claims description 10
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 claims description 10
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 19
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 19
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
- C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/54—Contact plating, i.e. electroless electrochemical plating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/08—Rinsing
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/6723—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one plating chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76871—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers
- H01L21/76873—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers for electroplating
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
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- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1605—Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
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- C23C18/1633—Process of electroless plating
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- C23C18/1639—Substrates other than metallic, e.g. inorganic or organic or non-conductive
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
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Description
が提供される。このめっき装置は、前記基板の前記レジスト開口部が形成された面に第1の処理液を吹き付けるノズルを備えたスプレー部を有し、前記基板のレジスト開口内のレジスト残渣を除去するレジスト残渣除去装置と、前記基板を第2の処理液に浸漬して前記基板の前記レジスト開口部内に前記第2の処理液を充填する液体充填装置と、前記基板にめっきするめっき槽と、を有する。
ている。
めっき装置は、上述しためっき装置の各部の動作を制御するように構成された制御部145を有する。制御部145は、例えば、めっきプロセスをめっき装置に実行させる所定のプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体と、記録媒体のプログラムを実行するCPU(Central Processing Unit)等を有する。制御部145は、例えば、プリウェット槽40における後述するレジスト残渣除去処理及び液体充填処理、基板着脱部120の着脱動作制御、基板搬送装置122の搬送制御、基板ホルダ搬送装置140の搬送制御、並びにめっき槽110におけるめっき電流及びめっき時間の制御等を行うことができる。なお、制御部145が有する記録媒体としては、フレキシブルディスク、ハードディスク、メモリストレージ等の磁気的媒体、CD、DVD等の光学的媒体、MO、MD等の磁気光学的媒体等、任意の記録手段を採用することができる。
したストッカ124内において、ストッカ124の周壁上面にハンド39を引っ掛けることで、基板ホルダ30が垂直に吊下げ支持される。また、この吊下げ支持された基板ホルダ30のハンド39を第1トランスポータ142又は第2トランスポータ144で把持して基板ホルダ30が搬送される。なお、プリウェット槽40、プリソーク槽128、第1洗浄槽130a、第2洗浄槽130b、ブロー槽132、及びめっき槽110内においても、基板ホルダ30は、ハンド39を介してそれらの周壁に吊下げ支持される。
に渡ってレジスト残渣を除去することができる。したがって、例えばスプレー部60と基板ホルダ30との両方を互いに反対方向に往復移動させてもよい。この場合は、スプレー部60の走査のストロークと基板ホルダ30の移動のストロークを小さくすることができる。また、めっき装置の設置スペースの制約が無い場合は、レジスト残渣除去装置50は、スプレー部60及び/又は基板ホルダ30を水平方向に往復移動させるように構成されていてもよい。
ル63は千鳥配列で配置される。同様に、第2ノズル群75の第2ノズル列75−1は20のノズル63から構成され、第2ノズル列75−2は21のノズル63から構成される。図5に示すように、第2ノズル列75−1のノズル63の各々の水平方向の位置は、第2ノズル列75−2の隣接する2つのノズル63の中間位置に対応する。即ち、第2ノズル群75のノズル63は千鳥配列で配置される。このようにノズル63が千鳥配列で配置されることにより、基板Wfの幅方向(図5中左右方向)により均一に純水をスプレーすることができる。
、スプレー部60のノズル63による走査回数を同一にするようにスプレー部60のストロークを設定する。具体的には、第1ノズル群70の第1ノズル列70−1及び第2ノズル列70−2並びに第2ノズル群75の第1ノズル列75−1及び第2ノズル列75−2のうち、例えば2つのノズル列から基板Wfの表面にスプレーするように、スプレー部60のストロークを設定する。
で傾斜している。これに対して、幅方向の中心線CL2よりも図中右側のノズル63は、ノズル口63aの中心線CL2側(図中左側)が下がるように所定角度(約5°)で傾斜している。第2ノズル列70−2の中心線CL2上に位置するノズル63は、ノズル口63aの長手方向が水平となるように配置される。図10の例では、第2ノズル列70−2の中心線CL2上に位置するノズル63からのスプレーは、隣接するノズル63からのスプレーと干渉し得る。
クエン酸のいずれかを含んだ硫酸、CO2イオン等を含むイオン水、ポリアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、アミノ基を含有するアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、メタンスルホン酸、並びにこれらの任意の組み合わせ等を採用することができる。本実施形態では、第2の処理液として脱気水を用いた例を説明する。
口部OP1内に脱気水を充填し易くなる。
をスプレーする。回転機構43は、スプレー部60を基板Wfの周方向に沿って回転させる。これにより、基板Wfのレジスト開口部が形成された面の全面に、スプレー部60からの純水を衝突させることができる。ひいては、基板Wf全面において、レジスト開口部内のレジスト残渣を除去することができる。基板Wfにスプレーされた純水は処理槽41内に溜まり、図示しない排出部より処理槽41の外部に排出される。
第1形態によれば、レジスト開口部を有する基板にめっきをするめっき方法が提供される。このめっき方法は、前記基板の前記レジスト開口部が形成された面に第1の処理液をスプレーして前記基板のレジスト開口内のレジスト残渣を除去するレジスト残渣除去工程と、前記除去工程を経た前記基板を第2の処理液に浸漬して前記基板の前記レジスト開口部内に前記第2の処理液を充填する充填工程と、前記液体充填工程を経た前記基板にめっきするめっき工程と、を有する。
れるので、基板上に形成された全てのレジスト開口部内のレジスト残渣を除去することができる。なお、「基板のレジスト開口部が形成された面の全面」とは、基板が基板ホルダに保持されている場合には、基板ホルダから露出した基板の面の全面をいう。
にスプレーされた第1の処理液が重力により下方に流れる。このため、基板の表面に滞留する第1の処理液の量を減らすことができるので、基板の表面に滞留する第1の処理液(水膜)によりレジスト残渣除去効率が低下することを抑制することができる。
第1の処理液は、前記第2の処理液と異なる液体である。
ル群及び前記第2ノズル群を構成する複数のノズルは、スロット形状のノズル口を有し、前記複数のノズルの少なくとも一つのノズル口は、水平方向に隣接する他のノズルからのスプレーと干渉しないように方向づけられる。第24形態によれば、隣接するノズル同士のスプレーが干渉しないので、基板へのスプレーの均一性を向上することができる。
理液を循環させることにより、基板表面に接触する第2の処理液の流量が増加するので、レジスト開口部内への第2の処理液の充填率を向上させることができる。
第34形態によれば、第20形態から第33形態のいずれかのめっき装置において、前記第2の処理液は、脱気水、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ純水、硫酸、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ硫酸、CO2イオン等を含むイオン水、ポリアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、アミノ基を含有するアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、メタンスルホン酸、並びにこれらの任意の組み合わせから成る。
40…プリウェット槽
41…処理槽
50…レジスト残渣除去装置
51…処理槽
60…スプレー部
63…ノズル
70…第1ノズル群
70−1…第1ノズル列
70−2…第2ノズル列
75…第2ノズル群
75−1…第1ノズル列
75−2…第2ノズル列
80…液体充填装置
81…脱気槽
84…脱気水循環装置
90…撹拌装置
Claims (29)
- レジスト開口部を有する基板にめっきをするめっき方法であって、
前記基板の前記レジスト開口部が形成された面に第1の処理液をスプレーして前記基板のレジスト開口内のレジスト残渣を除去するレジスト残渣除去工程と、
前記レジスト残渣除去工程を経た前記基板を第2の処理液に浸漬して前記基板の前記レジスト開口部内に前記第2の処理液を充填する液体充填工程と、
前記液体充填工程を経た前記基板にめっきするめっき工程と、を有し、
前記レジスト残渣除去工程は、ノズルが前記基板上を走査する工程を有し、
前記ノズルは、鉛直上下方向に離間した第1ノズル群と、第2ノズル群を有し、
前記レジスト残渣除去工程は、前記第1ノズル群からのスプレーと、前記第2ノズル群からのスプレーと、を鉛直方向に配置された前記基板に対して別々のタイミングで行う工程を有する、めっき方法。 - 請求項1に記載されためっき方法において、
前記レジスト残渣除去工程は、前記基板の前記レジスト開口部が形成された面の全面に前記第1の処理液をスプレーする工程を有する、めっき方法。 - 請求項1又は2に記載されためっき方法において、
前記レジスト残渣除去工程は、前記第1ノズル群と前記第2ノズル群のうち、前記ノズルの進行方向の先頭側のノズル群から、前記基板に対して前記第1の処理液をスプレーする工程を有する、めっき方法。 - 請求項3に記載されためっき方法において、
前記第1ノズル群は前記第2ノズル群よりも鉛直方向で上方に位置し、
前記レジスト残渣除去工程は、
前記第1ノズル群を構成するノズルのノズル口を前記基板の前記レジスト開口部が形成された面と直交する方向に対して上方に傾斜させてスプレーする工程と、
前記第2ノズル群を構成するノズルのノズル口を前記基板の前記レジスト開口部が形成された面と直交する方向に対して下方に傾斜させてスプレーする工程と、を有する、めっき方法。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記レジスト残渣除去工程は、前記基板がノズルに対して移動する工程を有する、めっき方法。 - 請求項1から5のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記前記レジスト残渣除去工程は、ノズルのノズル口を前記基板の前記レジスト開口部が形成された面と直交する方向に対して傾斜させてスプレーする工程を有する、めっき方法。 - 請求項1から6のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記レジスト残渣除去工程は、前記基板を鉛直に配置する工程を有する、めっき方法。 - 請求項7に記載されためっき方法において、
前記レジスト残渣除去工程は、
第1処理槽内に配置された前記ノズルから第1の処理液をスプレーする工程と、
前記ノズルからスプレーした状態で前記基板を前記第1処理槽内に鉛直に収納する工程を有する、めっき方法。 - 請求項1から8のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記レジスト残渣除去工程は、0.05MPa以上0.45MPa以下の圧力で前記第1の処理液をスプレーする工程を有する、めっき方法。 - 請求項1から9のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記レジスト残渣除去工程は、2.5m/秒以上15.0m/秒以下の流速であり且つ10L/分以上20L/分以下の流量で前記第1の処理液をスプレーする工程を有する、めっき方法。 - 請求項1から10のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記液体充填工程は、前記第2の処理液を撹拌する工程を有する、めっき方法。 - 請求項1から11のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記液体充填工程は、前記基板に衝撃又は振動を与える工程を有する、めっき方法。 - 請求項1から12のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記液体充填工程は、
前記基板を収納した第2処理槽の下方から前記第2の処理液を供給する工程と、
前記第2処理槽の上方から前記第2の処理液を排出する工程と、
前記第2処理槽内の前記第2の処理液を循環する工程と、を有する、めっき方法。 - 請求項1から13のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記液体充填工程は、前記基板の前記レジスト開口部が形成された面が上方を向き且つ前記基板が傾斜するように、第2処理槽内に前記基板を配置する工程を有する、めっき方法。 - 請求項1から14のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記第1の処理液は、前記第2の処理液と異なる液体である、めっき方法。 - 請求項1から15のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記第1の処理液は、純水、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ純水、硫酸、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ硫酸、CO2イオン等を含むイオン水、ポリアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、アミノ基を含有するアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、メタンスルホン酸、並びにこれらの任意の組み合わせから成る、めっき方法。 - 請求項1から16のいずれか一項に記載されためっき方法において、
前記第2の処理液は、脱気水、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ純水、硫酸、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ硫酸、CO2イオン等を含むイオン水、ポリアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、アミノ基を含有するアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、メタンスルホン酸、並びにこれらの任意の組み合わせから成る、めっき方法。 - レジスト開口部を有する基板にめっきをするめっき装置であって、
前記基板の前記レジスト開口部が形成された面に第1の処理液を吹き付けるノズルを備えたスプレー部を有し、前記基板のレジスト開口内のレジスト残渣を除去するレジスト残渣除去装置と、
前記基板を第2の処理液に浸漬して前記基板の前記レジスト開口部内に前記第2の処理液を充填する液体充填装置と、
前記基板にめっきするめっき槽と、
前記スプレー部が前記基板の面に沿って相対移動するように、前記スプレー部及び前記基板の少なくとも一つを移動させる移動機構と、を有し、
前記スプレー部は、鉛直上下方向に離間した第1ノズル群と、第2ノズル群を有し、
前記第1ノズル群及び前記第2ノズル群は、水平方向に配列された複数のノズルを含み、
前記スプレー部は、前記第1ノズル群からのスプレーと、前記第2ノズル群からのスプレーと、を鉛直方向に配置された前記基板に対して別々のタイミングで行うように構成される、めっき装置。 - 請求項18に記載されためっき装置において、
前記第1ノズル群及び前記第2ノズル群は、それぞれ、水平方向に配列された第1ノズル列と、第2ノズル列とを有し、前記第1ノズル列と前記第2ノズル列は上下方向に隣接して配置される、めっき装置。 - 請求項18又は19に記載されためっき装置において、
前記第1ノズル群及び前記第2ノズル群を構成する複数のノズルは、スロット形状のノズル口を有し、
前記複数のノズルの少なくとも一つのノズル口は、水平方向に隣接する他のノズルからのスプレーと干渉しないように方向づけられる、めっき装置。 - 請求項18から20のいずれか一項に記載されためっき装置において、
前記スプレー部は、前記第1ノズル群と前記第2ノズル群のうち、前記スプレー部の進行方向の先頭側のノズル群から、前記基板に対して前記第1の処理液をスプレーするように構成される、めっき装置。 - 請求項21に記載されためっき装置において、
前記第1ノズル群は前記第2ノズル群よりも鉛直方向で上方に位置し、
前記第1ノズル群を構成するノズルは、そのノズル口が前記基板の前記レジスト開口部
が形成された面と直交する方向に対して上方に傾斜するように、前記スプレー部に設けられ、
前記第2ノズル群を構成するノズルは、そのノズル口が前記基板の前記レジスト開口部が形成された面と直交する方向に対して下方に傾斜するように、前記スプレー部に設けられる、めっき装置。 - 請求項18から22のいずれか一項に記載されためっき装置において、
前記ノズルのノズル口は、前記基板の前記レジスト開口部が形成された面と直交する方向に対して傾斜するように前記スプレー部に設けられる、めっき装置。 - 請求項18から23のいずれか一項に記載されためっき装置において、
前記レジスト残渣除去装置は、前記基板を鉛直方向に収納する第1処理槽を有する、めっき装置。 - 請求項18から24のいずれか一項に記載されためっき装置において、
前記液体充填装置は、前記第2の処理液を撹拌する撹拌装置を有する、めっき装置。 - 請求項18から25のいずれか一項に記載されためっき装置において、
前記液体充填装置は、
前記基板を収納する第2処理槽と、
前記第2処理槽内の前記第2の処理液を循環させる循環装置と、を有する、めっき装置。 - 請求項18から26のいずれか一項に記載されためっき装置において、
前記第1の処理液は、前記第2の処理液と異なる液体である、めっき装置。 - 請求項18から27のいずれか一項に記載されためっき装置において、
前記第1の処理液は、純水、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ純水、硫酸、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ硫酸、CO2イオン等を含むイオン水、ポリアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、アミノ基を含有するアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、メタンスルホン酸、並びにこれらの任意の組み合わせから成る、めっき装置。 - 請求項18から28のいずれか一項に記載されためっき装置において、
前記第2の処理液は、脱気水、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ純水、硫酸、界面活性剤及びクエン酸のいずれかを含んだ硫酸、CO2イオン等を含むイオン水、ポリアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、アミノ基を含有するアルキレングリコール群からの化合物を含んだ液体、メタンスルホン酸、並びにこれらの任意の組み合わせから成る、めっき装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017071160A JP6857531B2 (ja) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | めっき方法及びめっき装置 |
KR1020180021778A KR102394138B1 (ko) | 2017-03-31 | 2018-02-23 | 도금 방법 및 도금 장치 |
TW107108543A TWI750344B (zh) | 2017-03-31 | 2018-03-14 | 鍍覆方法及鍍覆裝置 |
US15/937,353 US10865492B2 (en) | 2017-03-31 | 2018-03-27 | Plating method and plating apparatus |
CN201810296363.2A CN108691000A (zh) | 2017-03-31 | 2018-03-30 | 镀覆方法和镀覆装置 |
US17/095,138 US11447885B2 (en) | 2017-03-31 | 2020-11-11 | Plating method and plating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017071160A JP6857531B2 (ja) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | めっき方法及びめっき装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018174217A JP2018174217A (ja) | 2018-11-08 |
JP6857531B2 true JP6857531B2 (ja) | 2021-04-14 |
Family
ID=63672991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017071160A Active JP6857531B2 (ja) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | めっき方法及びめっき装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10865492B2 (ja) |
JP (1) | JP6857531B2 (ja) |
KR (1) | KR102394138B1 (ja) |
CN (1) | CN108691000A (ja) |
TW (1) | TWI750344B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108188078B (zh) * | 2017-12-29 | 2023-11-17 | 中信戴卡股份有限公司 | 一种旋转式清洗车轮装置 |
WO2019246245A1 (en) * | 2018-06-20 | 2019-12-26 | Veeco Precision Surface Processing Llc | System and method for self-cleaning wet treatment process |
US10908428B2 (en) * | 2018-09-25 | 2021-02-02 | Facebook Technologies, Llc | Multiple-device system with multiple power and data configurations |
JP7034880B2 (ja) * | 2018-10-05 | 2022-03-14 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄装置、これを備えためっき装置、及び洗浄方法 |
CN110682062A (zh) * | 2019-10-16 | 2020-01-14 | 浙江创凯机电科技有限公司 | 一种无缝防腐填充式压死边工艺 |
JP2021108321A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-29 | 京セラ株式会社 | 印刷配線板及び印刷配線板の製造方法 |
CN112185857A (zh) * | 2020-09-29 | 2021-01-05 | 王健 | 一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺 |
TWI762135B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-04-21 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 鍍覆裝置、預濕處理方法及清洗處理方法 |
JPWO2022254485A1 (ja) * | 2021-05-31 | 2022-12-08 | ||
JP7101925B1 (ja) * | 2021-10-14 | 2022-07-15 | 株式会社荏原製作所 | プリウェット処理方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3925975C2 (de) * | 1989-08-05 | 1994-02-03 | Schering Ag | Anordnung zur Spülung von in einer galvanischen Anlage behandelten Bauteilen |
JPH06151397A (ja) * | 1992-11-09 | 1994-05-31 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | ウエハ洗浄装置 |
JP2000003942A (ja) * | 1998-06-16 | 2000-01-07 | Seiko Epson Corp | Tabテープ基板のメッキ方法 |
WO2001068952A1 (fr) * | 2000-03-17 | 2001-09-20 | Ebara Corporation | Procede et appareil de plaquage electrolytique |
US6551487B1 (en) * | 2001-05-31 | 2003-04-22 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for controlled-angle wafer immersion |
US6624060B2 (en) * | 2002-01-12 | 2003-09-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method and apparatus for pretreating a substrate prior to electroplating |
KR100454505B1 (ko) * | 2002-08-23 | 2004-10-28 | 한국전자통신연구원 | 경사형 전극링을 갖는 전기 도금 장치 |
JP4111846B2 (ja) * | 2003-03-05 | 2008-07-02 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置 |
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JP2004353004A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Ebara Corp | めっき装置 |
JP2005244130A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Ses Co Ltd | 基板処理法及び基板処理装置 |
US20100126849A1 (en) * | 2008-11-24 | 2010-05-27 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for forming 3d nanostructure electrode for electrochemical battery and capacitor |
US20100320081A1 (en) * | 2009-06-17 | 2010-12-23 | Mayer Steven T | Apparatus for wetting pretreatment for enhanced damascene metal filling |
KR101242348B1 (ko) * | 2010-11-30 | 2013-03-14 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 도금 장치 |
JP2012224944A (ja) | 2011-04-08 | 2012-11-15 | Ebara Corp | 電気めっき方法 |
JP6092653B2 (ja) * | 2012-02-27 | 2017-03-08 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置及び洗浄方法 |
US10714436B2 (en) * | 2012-12-12 | 2020-07-14 | Lam Research Corporation | Systems and methods for achieving uniformity across a redistribution layer |
US9613833B2 (en) * | 2013-02-20 | 2017-04-04 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating |
-
2017
- 2017-03-31 JP JP2017071160A patent/JP6857531B2/ja active Active
-
2018
- 2018-02-23 KR KR1020180021778A patent/KR102394138B1/ko active IP Right Grant
- 2018-03-14 TW TW107108543A patent/TWI750344B/zh active
- 2018-03-27 US US15/937,353 patent/US10865492B2/en active Active
- 2018-03-30 CN CN201810296363.2A patent/CN108691000A/zh active Pending
-
2020
- 2020-11-11 US US17/095,138 patent/US11447885B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11447885B2 (en) | 2022-09-20 |
TW201842236A (zh) | 2018-12-01 |
US10865492B2 (en) | 2020-12-15 |
KR102394138B1 (ko) | 2022-05-04 |
US20180282892A1 (en) | 2018-10-04 |
TWI750344B (zh) | 2021-12-21 |
KR20180111509A (ko) | 2018-10-11 |
US20210062354A1 (en) | 2021-03-04 |
JP2018174217A (ja) | 2018-11-08 |
CN108691000A (zh) | 2018-10-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191002 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200722 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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R250 | Receipt of annual fees |
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