JP6842271B2 - 電源回路及び半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
ディープパワーダウン信号DPPは、メモリセルアレイ101に対して小電力読出を行う場合にはパワーダウンモードを示し、小電力読出を行わない場合にはスタンバイモードを示す。
論理レベル0を有する。
14 分圧回路
15 コンパレータ
18 タイミング制御回路
100 電源部
101 メモリセルアレイ
102 ロウデコーダ
300 電源回路
NS1〜NS4 トランジスタ
STP 電流遮断回路
Claims (13)
- 電源電圧を昇圧した昇圧電圧を生成して出力するチャージポンプ部を含む電源回路であって、
前記昇圧電圧を分圧した分圧電圧と所定の参照電圧との電圧の大きさの比較判定をなす電圧監視部と、
前記比較判定の結果、前記分圧電圧が前記参照電圧以下である場合には前記チャージポンプ部を動作させる一方、前記比較判定の結果、前記分圧電圧の方が前記参照電圧より大きい場合には前記チャージポンプ部の動作を停止させるチャージポンプ制御部と、
省電力動作を促すパワーダウンモード又は前記省電力動作を行わないスタンバイモードを示す第1の動作モード信号を受け、前記第1の動作モード信号が前記パワーダウンモードを示す場合に、前記電圧監視部を間欠的に停止させる電圧監視制御部と、を有し、
前記電圧監視制御部は、前記第1の動作モード信号が前記スタンバイモードから前記パワーダウンモードに遷移した時点から、最初に前記分圧電圧が前記参照電圧より大きな電圧に遷移した時点までの初期昇圧期間の間は前記電圧監視部を常時動作させ、前記初期昇圧期間以降は、前記電圧監視部を間欠的に停止させ、
前記電圧監視制御部は、前記初期昇圧期間以降、所定周期毎に、所定の活性期間の間だけ前記電圧監視部を動作させ、前記活性期間以外の期間は前記電圧監視部を停止させ、
前記電圧監視部は、前記昇圧電圧を分圧して前記分圧電圧を生成する分圧回路と、前記分圧電圧と前記参照電圧との電圧の大きさの比較判定をなすコンパレータと、を含み、前記電圧監視制御部は、前記初期昇圧期間以降、前記活性期間以外の期間中は前記分圧回路及び前記コンパレータの内部に流れる電流を遮断する電流遮断回路を含み、
前記所定周期は、前記昇圧電圧の電圧値が所定の目標電圧以上となっている状態で、前記チャージポンプ部が動作状態から停止状態に遷移した時点から、前記昇圧電圧の電圧値が前記昇圧電圧の供給先の負荷の許容最小電圧まで低下するのに掛かる時間よりも長時間を有し、前記活性期間は、前記参照電圧より高電圧の状態にある前記分圧電圧が前記参照電圧より低い状態に遷移した場合にその遷移時点から、前記チャージポンプ部の昇圧動作によって前記分圧電圧の電圧値を前記参照電圧に到らせるまでに掛かる時間と、前記分圧回路における回路遅延時間と、を加算した時間以上の期間を有することを特徴とする電源回路。 - 電源電圧を昇圧した昇圧電圧を生成して出力するチャージポンプ部を含む電源回路であって、
前記昇圧電圧を分圧した分圧電圧と所定の参照電圧との電圧の大きさの比較判定をなす電圧監視部と、前記比較判定の結果、前記分圧電圧が前記参照電圧以下である場合には前記チャージポンプ部を動作させる一方、前記比較判定の結果、前記分圧電圧の方が前記参照電圧より大きい場合には前記チャージポンプ部の動作を停止させるチャージポンプ制御部と、省電力動作を促すパワーダウンモード又は前記省電力動作を行わないスタンバイモードを示す第1の動作モード信号を受け、前記第1の動作モード信号が前記パワーダウンモードを示す場合に、前記電圧監視部を間欠的に停止させる電圧監視制御部と、を有し、
前記電圧監視制御部は、前記第1の動作モード信号が前記スタンバイモードから前記パワーダウンモードに遷移した時点から、最初に前記分圧電圧が前記参照電圧より大きな電圧に遷移した時点までの初期昇圧期間の間は前記電圧監視部を常時動作させ、前記初期昇圧期間以降は、前記電圧監視部を間欠的に停止させ、
前記電圧監視制御部は、前記初期昇圧期間以降、所定周期毎に、所定の活性期間の間だけ前記電圧監視部を動作させ、前記活性期間以外の期間は前記電圧監視部を停止させ、
前記電圧監視制御部は、低速モード又は高速モードを表す第2の動作モード信号を受け、前記第2の動作モード信号が前記低速モードを表す場合には、前記初期昇圧期間以降、前記所定周期毎に、前記活性期間の間だけ前記電圧監視部を動作させる一方、前記第2の動作モード信号が前記高速モードを表す場合には前記電圧監視部を常時動作させることを特徴とする電源回路。 - 電源電圧を昇圧した昇圧電圧を生成して出力するチャージポンプ部を含む電源回路であって、
前記昇圧電圧を分圧した分圧電圧と所定の参照電圧との電圧の大きさの比較判定をなす電圧監視部と、前記比較判定の結果、前記分圧電圧が前記参照電圧以下である場合には前記チャージポンプ部を動作させる一方、前記比較判定の結果、前記分圧電圧の方が前記参照電圧より大きい場合には前記チャージポンプ部の動作を停止させるチャージポンプ制御部と、省電力動作を促すパワーダウンモード又は前記省電力動作を行わないスタンバイモードを示す第1の動作モード信号を受け、前記第1の動作モード信号が前記パワーダウンモードを示す場合に、前記電圧監視部を間欠的に停止させる電圧監視制御部と、を有し、
前記電圧監視制御部は、前記第1の動作モード信号が前記スタンバイモードから前記パワーダウンモードに遷移した時点から、最初に前記分圧電圧が前記参照電圧より大きな電圧に遷移した時点までの初期昇圧期間の間は前記電圧監視部を常時動作させ、前記初期昇圧期間以降は、前記電圧監視部を間欠的に停止させ、
前記電圧監視制御部は、前記初期昇圧期間以降、所定周期毎に、所定の活性期間の間だけ前記電圧監視部を動作させ、前記活性期間以外の期間は前記電圧監視部を停止させ、
前記電圧監視制御部は、低速モード又は高速モードを表す第2の動作モード信号を受け、前記第2の動作モード信号が前記低速モードを表す場合には、前記初期昇圧期間以降、前記所定周期毎に、前記活性期間の間だけ前記電圧監視部を動作させる一方、前記第2の動作モード信号が前記高速モードを表す場合には前記所定周期よりも短い周期毎に、前記活性期間の間だけ前記電圧監視部を動作させることを特徴とする電源回路。 - 電源電圧を昇圧した昇圧電圧を生成して出力するチャージポンプ部を含む電源回路であって、
前記昇圧電圧を分圧した分圧電圧と所定の参照電圧との電圧の大きさの比較判定をなす電圧監視部と、前記比較判定の結果、前記分圧電圧が前記参照電圧以下である場合には前記チャージポンプ部を動作させる一方、前記比較判定の結果、前記分圧電圧の方が前記参照電圧より大きい場合には前記チャージポンプ部の動作を停止させるチャージポンプ制御部と、省電力動作を促すパワーダウンモード又は前記省電力動作を行わないスタンバイモードを示す第1の動作モード信号を受け、前記第1の動作モード信号が前記パワーダウンモードを示す場合に、前記電圧監視部を間欠的に停止させる電圧監視制御部と、を有し、
前記電圧監視制御部は、前記第1の動作モード信号が前記スタンバイモードから前記パワーダウンモードに遷移した時点から、最初に前記分圧電圧が前記参照電圧より大きな電圧に遷移した時点までの初期昇圧期間の間は前記電圧監視部を常時動作させ、前記初期昇圧期間以降は、前記電圧監視部を間欠的に停止させ、
前記電圧監視制御部は、前記初期昇圧期間以降、所定周期毎に、所定の活性期間の間だけ前記電圧監視部を動作させ、前記活性期間以外の期間は前記電圧監視部を停止させ、
周囲の温度を検出し前記温度が所定温度よりも高い高温状態にあるのか、或いは所定温度以下の適温状態にあるのかを示す高温検知信号を生成する高温センサを含み、前記高温検知信号が前記適温状態を示す場合には前記初期昇圧期間以降、前記所定周期毎に、前記活性期間の間だけ前記電圧監視部を動作させる一方、前記高温検知信号が前記高温状態を示す場合には前記電圧監視部を常時動作させることを特徴とする電源回路。 - 電源電圧を昇圧した昇圧電圧を生成して出力するチャージポンプ部を含む電源回路であって、
前記昇圧電圧を分圧した分圧電圧と所定の参照電圧との電圧の大きさの比較判定をなす電圧監視部と、前記比較判定の結果、前記分圧電圧が前記参照電圧以下である場合には前記チャージポンプ部を動作させる一方、前記比較判定の結果、前記分圧電圧の方が前記参照電圧より大きい場合には前記チャージポンプ部の動作を停止させるチャージポンプ制御部と、省電力動作を促すパワーダウンモード又は前記省電力動作を行わないスタンバイモードを示す第1の動作モード信号を受け、前記第1の動作モード信号が前記パワーダウンモードを示す場合に、前記電圧監視部を間欠的に停止させる電圧監視制御部と、を有し、
前記電圧監視制御部は、前記第1の動作モード信号が前記スタンバイモードから前記パワーダウンモードに遷移した時点から、最初に前記分圧電圧が前記参照電圧より大きな電圧に遷移した時点までの初期昇圧期間の間は前記電圧監視部を常時動作させ、前記初期昇圧期間以降は、前記電圧監視部を間欠的に停止させ、
前記電圧監視制御部は、前記初期昇圧期間以降、所定周期毎に、所定の活性期間の間だけ前記電圧監視部を動作させ、前記活性期間以外の期間は前記電圧監視部を停止させ、
周囲の温度を検出し前記温度が所定温度よりも高い高温状態にあるのか、或いは所定温度以下の適温状態にあるのかを示す高温検知信号を生成する高温センサを含み、前記高温検知信号が前記適温状態を示す場合には前記初期昇圧期間以降、前記所定周期毎に、前記活性期間の間だけ前記電圧監視部を動作させる一方、前記高温検知信号が前記高温状態を示す場合には前記所定周期よりも短い周期毎に、前記活性期間の間だけ前記電圧監視部を動作させることを特徴とする電源回路。 - 前記電圧監視制御部は、低速モード又は高速モードを表す第2の動作モード信号を受け、前記第2の動作モード信号が前記低速モードを表す場合には、前記初期昇圧期間以降、前記所定周期毎に、前記活性期間の間だけ前記電圧監視部を動作させる一方、前記第2の動作モード信号が前記高速モードを表す場合には前記電圧監視部を常時動作させることを特徴とする請求項4又は5に記載の電源回路。
- 前記電圧監視制御部は、低速モード又は高速モードを表す第2の動作モード信号を受け、前記第2の動作モード信号が前記低速モードを表す場合には、前記初期昇圧期間以降、前記所定周期毎に、前記活性期間の間だけ前記電圧監視部を動作させる一方、前記第2の動作モード信号が前記高速モードを表す場合には前記所定周期よりも短い周期毎に、前記活性期間の間だけ前記電圧監視部を動作させることを特徴とする請求項4又は5に記載の電源回路。
- 前記電圧監視部は、
前記昇圧電圧を分圧して前記分圧電圧を生成する分圧回路と、
前記分圧電圧と前記参照電圧との電圧の大きさの比較判定をなすコンパレータと、を含み、
前記電圧監視制御部は、
前記初期昇圧期間以降、前記活性期間以外の期間中は前記分圧回路及び前記コンパレータの内部に流れる電流を遮断する電流遮断回路を含むことを特徴とする請求項2〜7のいずれか1に記載の電源回路。 - 前記所定周期は、前記昇圧電圧の電圧値が所定の目標電圧以上となっている状態で、前記チャージポンプ部が動作状態から停止状態に遷移した時点から、前記昇圧電圧の電圧値が前記昇圧電圧の供給先の負荷の許容最小電圧まで低下するのに掛かる時間よりも長時間を有し、
前記活性期間は、前記参照電圧より高電圧の状態にある前記分圧電圧が前記参照電圧より低い状態に遷移した場合にその遷移時点から、前記チャージポンプ部の昇圧動作によって前記分圧電圧の電圧値を前記参照電圧に到らせるまでに掛かる時間と、前記分圧回路における回路遅延時間と、を加算した時間以上の期間を有することを特徴とする請求項8に記載の電源回路。 - 前記昇圧電圧を降圧して降圧電圧を生成して出力する降圧回路を含むことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1に記載の電源回路。
- 電源電圧を昇圧した昇圧電圧を生成するチャージポンプ部を含む電源回路と、複数のワード線と前記ワード線の各々に交叉する複数のビット線との交叉部にメモリセルが形成されているメモリセルアレイと、前記昇圧電圧に基づき前記ワード線の各々に選択電圧を供給するロウデコーダと、を含む半導体記憶装置であって、
前記電源回路は、
前記昇圧電圧を分圧した分圧電圧と所定の参照電圧との電圧の大きさの比較判定をなす電圧監視部と、
前記比較判定の結果、前記分圧電圧が前記参照電圧以下である場合には前記チャージポンプ部を動作させる一方、前記比較判定の結果、前記分圧電圧の方が前記参照電圧より大きい場合には前記チャージポンプ部の動作を停止させるチャージポンプ制御部と、
省電力動作を促すパワーダウンモード又は前記省電力動作を行わないスタンバイモードを示す第1の動作モード信号を受け、前記第1の動作モード信号が前記パワーダウンモードを示す場合に、記電圧監視部を間欠的に停止させる電圧監視制御部と、を有し、
前記電圧監視制御部は、前記第1の動作モード信号が前記スタンバイモードから前記パワーダウンモードに遷移した時点から、最初に前記分圧電圧が前記参照電圧より大きな電圧に遷移した時点までの初期昇圧期間の間は前記電圧監視部を常時動作させ、前記初期昇圧期間以降は、前記電圧監視部を間欠的に停止させ、
前記電圧監視制御部は、前記初期昇圧期間以降、所定周期毎に、所定の活性期間の間だけ前記電圧監視部を動作させ、前記活性期間以外の期間は前記電圧監視部を停止させ、
前記電圧監視制御部は、低速モード又は高速モードを表す第2の動作モード信号を受け、前記第2の動作モード信号が前記低速モードを表す場合には、前記初期昇圧期間以降、前記所定周期毎に、前記活性期間の間だけ前記電圧監視部を動作させる一方、前記第2の動作モード信号が前記高速モードを表す場合には前記電圧監視部を常時動作させることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記昇圧電圧を降圧して降圧電圧を生成し、前記降圧電圧を前記ロウデコーダに供給する降圧回路を含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体記憶装置。
- 前記ロウデコーダは、前記ワード線を選択する選択信号に応じて前記ワード線に選択電圧を供給するドライバを含み、
前記ドライバは、前記降圧電圧を受けて動作する複数のpチャネルMOS型のトランジスタを含み、前記トランジスタ各々のnウェル領域には前記昇圧電圧が印加されていることを特徴とする請求項12に記載の半導体記憶装置。
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