JP6837143B2 - 薬液、薬液収容体 - Google Patents

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Description

本発明は、薬液、及び、薬液収容体に関する。
半導体デバイスの製造の際、溶剤を含有する薬液が用いられている。
近年、上記溶剤に含有される金属成分等の不純物をより低減することが求められている。また、１０ｎｍノード以下の半導体デバイスの製造が検討されており更に上記要求が強まっている。
上記薬液は、容器に収容された薬液収容体として供給され、半導体デバイスの製造の際に、薬液が取り出され、使用される。
例えば、特許文献１では、所定の方法で製造された薬液などが開示されている。
特開第２０１５−８４１２２号公報
本発明者らは、従来の薬液について検討した結果、欠陥抑制性について改善の余地を見出した。
そこで、本発明は、欠陥抑制性に優れる薬液の提供を課題とする。
また、本発明は、薬液収容体の提供も課題とする。
本発明者らは、上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を達成することができることを見出した。
（１） ２５℃における導電率が１０−５Ｓ／ｍ以下の有機溶剤、および、後述する一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する薬液であって、
一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量が、薬液全質量に対して、０．１０質量ｐｐｔ〜１０００００質量ｐｐｔである、薬液。
（２） 一般式（Ｉ）で表される化合物の沸点が、３００℃以上である、（１）に記載の薬液。
（３） 一般式（Ｉ）で表される化合物が２種以上含有される、（１）又は（２）に記載の薬液。
（４） さらに、後述する一般式（ＩＩ）〜一般式（ＩＶ）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種の有機化合物を含有する、（１）〜（３）のいずれかに記載の薬液。
（５） 有機化合物の合計含有量が、薬液全質量に対して、０．１質量ｐｐｔ〜１０００００質量ｐｐｔである、（４）に記載の薬液。
（６） さらに、金属成分を含有し、
金属成分の含有量が、薬液全質量に対して、０．０１〜５００質量ｐｐｔである、（１）〜（５）のいずれかに記載の薬液。
（７） さらに、金属成分を含有し、
金属成分の含有量に対する、一般式（Ｉ）〜一般式（ＩＶ）で表される化合物の合計含有量の比が、０.００００１〜１０である、（４）又は（５）に記載の薬液。
（８） 有機溶剤が、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、および、４−メチル−２−ペンタノールからなる群から選択される少なくとも１種である、（１）〜（７）のいずれかに記載の薬液。
（９） 容器と、容器に収容された（１）〜（８）のいずれかに記載の薬液とを有する薬液収容体。
（１０） 容器が、ポリエチレン、ポリプロピレン、および、フッ素原子を含有する重合体からなる群から少なくとも一項を含有する、（９）に記載の薬液収容体。
（１１） 容器が、フッ素原子を含有する重合体を含有し、
少なくとも、容器の一部の表面において、飛行時間型二次イオン質量分析法で測定した、炭素原子の含有原子数に対するフッ素原子の含有原子数の含有原子数比Ｘ１が、０．５０〜３．０であり、
表面を基準として、容器の厚さ方向に１０ｎｍの位置において、飛行時間型二次イオン質量分析法で測定した炭素原子の含有原子数に対するフッ素原子の含有原子数の含有原子数比Ｘ２が、Ｘ１＞Ｘ２を満たす、（９）又は（１０）に記載の薬液収容体。
（１２） フッ素原子を含有する重合体が、ポリテトラフルオロエチレン、パーフルオロアルコキシアルカン、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体、エチレン・四フッ化エチレン共重合体、エチレン・クロロトリフルオロエチレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、及び、ポリフッ化ビニルからなる群から選択される少なくとも１種である、（１０）又は（１１）に記載の薬液収容体。
（１３）容器が、後述する試験における要件１を満たす、（９）〜（１２）のいずれかに記載の薬液収容体。
（１４） 容器が、後述する試験における要件２を満たす、（９）〜（１３）のいずれかに記載の薬液収容体。
（１５） 容器が、後述する試験における要件３を満たす、（９）〜（１４）のいずれかに記載の薬液収容体。
（１６） 容器がフッ素原子を含有する重合体と、ナノカーボン材料とを含有する組成物を用いて形成され、
少なくとも、容器の一部の表面において、原子間力赤外分光法によって求められる１５００〜１８００ｃｍ−１の範囲に確認されるＣ＝Ｃ伸縮振動によるピークの積分強度をＩ１、２８００〜３５００ｃｍ−１の範囲に確認されるＣ−Ｈ伸縮振動によるピークの積分強度をＩ２としたとき、式（１）：Ｍ１＝Ｉ１／（Ｉ１＋Ｉ２）で表されるＭ１が、０．０５〜０．５である、（９）〜（１５）のいずれかに薬液収容体。
（１７） 少なくとも、容器の一部の表面において、
飛行時間型二次イオン質量分析法で測定した、炭素原子の含有原子数に対するフッ素原子の含有原子数の含有原子数比Ｘ１が、０．５０〜３．０であり、
散乱型近接場顕微鏡によって求められる１５００〜１８００ｃｍ−１の範囲に確認されるＣ＝Ｃ伸縮振動によるピークの積分強度をＩ３、２８００〜３５００ｃｍ−１の範囲に確認されるＣ−Ｈ伸縮振動によるピークの積分強度をＩ４としたとき、式（３）：Ｍ２＝Ｉ３／（Ｉ３＋Ｉ４）で表されるＭ２が、式（４）：Ｍ１＜Ｍ２を満たす、（１６）に記載の薬液収容体。
（１８） ナノカーボン材料の含有量が、組成物の全質量に対して、０．００１〜０．５質量％である、（１６）又は（１７）に記載の薬液収容体。
（１９） ナノカーボン材料がカーボンナノチューブである、（１６）〜（１８）のいずれかに記載の薬液収容体。
（２０） カーボンナノチューブの長径が０．０１〜１０００μｍである、（１９）に記載の薬液収容体。
（２１） 薬液収容体が、更に、容器にかぶせられる蓋を有する、（９）〜（２０）のいずれかに記載の薬液収容体。
本発明によれば、欠陥抑制性に優れる薬液を提供することができる。
また、本発明によれば、薬液収容体の提供することができる。
本発明の実施形態に係る薬液収容体が有する蓋付き容器の一例を示す一部断面図である。 本発明の実施形態に係る薬液収容体が有する蓋付き容器の変形例を示す一部断面図である。
以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施形態に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に限定されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
また、本発明において「準備」というときには、特定の材料を合成又は調合して備えることのほか、購入等により所定の物を調達することを含む意味である。
また、本発明において、「ｐｐｍ」は「parts-per-million（１０−６）」を意味し、「ｐｐｂ」は「parts-per-billion（１０−９）」を意味し、「ｐｐｔ」は「parts-per-trillion（１０−１２）」を意味し、「ｐｐｑ」は「parts-per-quadrillion（１０−１５）」を意味する。
また、本発明において、１Å（オングストローム）は、０．１ｎｍに相当する。
また、本発明における基（原子群）の表記において、置換及び無置換を記していない表記は、本発明の効果を損ねない範囲で、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「炭化水素基」とは、置換基を有さない炭化水素基（無置換炭化水素基）のみならず、置換基を有する炭化水素基（置換炭化水素基）をも包含するものである。このことは、各化合物についても同義である。
また、本発明における「放射線」とは、例えば、遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光；Extreme ultraviolet lithography）、Ｘ線、又は、電子線等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。本発明中における「露光」とは、特に断らない限り、遠紫外線、Ｘ線又はＥＵＶ光等による露光のみならず、電子線又はイオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。
本発明の薬液により上記課題が解決される機序は必ずしも明確ではないが、本発明者はその機序について以下のとおり推測する。なお、以下の機序は推測であり、異なる機序により本発明の効果が得られる場合であっても本発明の範囲に含まれる。
薬液には、貯蔵及び配管を通じての移送等の過程で混入する微量の不純物があり、このような不純物は欠陥を生じる原因となりやすい。
本発明の薬液は、後述する一般式（Ｉ）で表される化合物を所定量以上含有しているため、飽和溶液的な挙動を示し、更に不純物（特に、欠陥の原因となりやすい不純物）が薬液に混入しにくい。
一方で、一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量を所定量以下にすることにより、一般式（Ｉ）で表される化合物自体が欠陥の原因となるのを回避できる。
本発明の薬液は、所定の導電率を示す有機溶剤、及び、後述する一般式（Ｉ）で表される化合物を含有し、一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量が、薬液全質量に対して、０．１０質量ｐｐｔ〜１０００００質量ｐｐｔである。
以下、本発明の薬液に含まれる成分について詳述する。
＜有機溶剤＞
本発明の薬液は、所定の導電率を示す有機溶剤を含有する。
導電率は、２５℃における導電率が１０−６Ｓ／ｍ以下である。なかでも、ＥＳＤ（製造時の静電気発生に伴う部材の破損や液体の引火を回避）の点で、５×１０−５Ｓ／ｍ以下が好ましく、１０−５Ｓ／ｍ以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、１０−１Ｓ／ｍ以上の場合が多い。
導電率の測定方法は、導電率検出器ＳＣ４ＡＪ(横川電気製)を用いて液温２５℃にて測定される。
本明細書において、有機溶剤とは、上記薬液の全質量に対して、１成分あたり１００００質量ｐｐｍを超えた含有量で含有される液状の有機化合物を意図する。つまり、本明細書においては、上記薬液の全質量に対して１００００質量ｐｐｍを超えて含有される液状の有機化合物は、有機溶剤に該当する。
また、本明細書において液状とは、２５℃、大気圧下において、液体であることを意味する。
薬液中における有機溶剤の含有量としては特に制限されないが、薬液の全質量に対して、９８．０質量％以上が好ましく、９９．０質量％超がより好ましく、９９．９０質量％以上が更に好ましく、９９．９５質量％超が特に好ましい。上限は、１００質量％未満である。
有機溶剤は１種を単独で用いても、２種以上を使用してもよい。２種以上の有機溶剤を使用する場合には、合計含有量が上記範囲内であるのが好ましい。
上記有機溶剤の種類としては特に制限されず、公知の有機溶剤を用いることができる。有機溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン（好ましくは炭素数４〜１０）、環を有してもよいモノケトン化合物（好ましくは炭素数４〜１０）、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、及び、ピルビン酸アルキル等が挙げられる。
また、有機溶剤としては、例えば、特開２０１６−５７６１４号公報、特開２０１４−２１９６６４号公報、特開２０１６−１３８２１９号公報、及び、特開２０１５−１３５３７９号公報に記載のものを用いてもよい。
有機溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、乳酸エチル（ＥＬ）、メトキシプロピオン酸メチル、シクロペンタノン、シクロヘキサノン（ＣＨＮ）、γ−ブチロラクトン、ジイソアミルエーテル、酢酸ブチル（ｎＢＡ）、酢酸イソアミル、イソプロパノール、４−メチル−２−ペンタノール、ジメチルスルホキシド、ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジエチレングリコール、エチレングリコール、ジプロピレングリコール、プロピレングリコール、炭酸エチレン、炭酸プロピレン（ＰＣ）、スルホラン、シクロヘプタノン、１−ヘキサノール、デカン、及び、２−ヘプタノンからなる群から選択される少なくとも１種が好ましい。なかでも、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、および、４−メチル−２−ペンタノールからなる群から選択される少なくとも１種がより好ましい。
なお、有機溶剤は１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
なお、薬液中における有機溶剤の種類及び含有量は、ガスクロマトグラフ質量分析計を用いて測定できる。
＜一般式（Ｉ）で表される化合物＞
本発明の薬液は、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する。
一般式（Ｉ）中、Ｒ１ａ及びＲ１ｃは、それぞれ独立に、置換基を含有していてもよいアルキル基を表す。
上記アルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、環状構造を含有していてもよい。
上記アルキル基の炭素数は１〜５０が好ましく、１０〜２０がより好ましい。なお、上記アルキル基の炭素数に、アルキル基が含有していてもよい置換基が含有する炭素原子の数は含まない。
Ｒ１ｂは、置換基を含有していてもよいアルキレン基を表す。なお、上記アルキレン基の炭素数は、アルキレン基が含有していてもよい置換基が含有する炭素原子の数を含まない。
上記アルキレン基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、環状構造を含有していてもよい。
上記アルキレン基の炭素数は１〜１０が好ましく、１〜５がより好ましい。
一般式（Ｉ）で表される化合物を例示する。
一般式（Ｉ）で表される化合物の沸点は特に制限されないが、不揮発性化合物として残り、金属成分との錯形成によって除去される機構を有する点から、３００℃以上が好ましく、４００℃以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、１０００℃以下が好ましい。
一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量は、薬液全質量に対して、０．１０質量ｐｐｔ〜１０００００質量ｐｐｔであり、本発明の効果がより優れる点で、薬液全質量に対して、０．１０〜５００００質量ｐｐｔが好ましく、０．１０〜５０００質量ｐｐｔがより好ましい。
一般式（Ｉ）で表される化合物は１種を単独で用いても、２種以上を用いてもよい。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、２種以上を用いることが好ましい。
薬液は、上述した有機溶剤及び一般式（Ｉ）で表される化合物以外の他の成分を含有していてもよい。
以下、他の成分について詳述する。
＜一般式（ＩＩ）〜（ＩＶ）で表される化合物＞
本発明の薬液は、一般式（ＩＩ）〜一般式（ＩＶ）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種の有機化合物を含有することが好ましい。
一般式（ＩＩ）中、Ｒ２ａは、置換基を有していてもよいアルキル基又は水素原子を表す。
Ｒ２ｂ及びＲ２ｃは、それぞれ独立に、水素原子、−ＡＬ−Ｏ−Ｒ２ｄ、−ＣＯ−Ｒ２ｅ、又は、−ＣＨ（ＯＨ）−Ｒ２ｆを表す。
ＡＬは置換基を含有していてもよいアルキレン基を表す。
Ｒ２ｄ、Ｒ２ｅ、又は、Ｒ２ｆはそれぞれ独立に、置換基を表す。
Ｒ２ｄが複数存在する場合、複数存在するＲ２ｄそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ２ｅが複数存在する場合、複数存在するＲ２ｅそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ２ｆが複数存在する場合、複数存在するＲ２ｆそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｒ２ａ、Ｒ２ｄ、Ｒ２ｅ、及び、Ｒ２ｆからなる群から選択される２つの組み合わせ、２つのＲ２ｄ同士、２つのＲ２ｅ同士、又は、２つのＲ２ｆ同士は、互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ２ａ、Ｒ２ｄ、Ｒ２ｅ、及び、Ｒ２ｆからなる群から選択される２つの組み合わせ、２つのＲ２ｄ同士、２つのＲ２ｅ同士、又は、２つのＲ２ｆ同士が、互いに結合して形成される基は、−Ｏ−、−ＮＲ２ｇ−（Ｒ２ｇは置換基）、及び、−ＮＨＣＯ−からなる群から選択される１以上の連結基を含有しているのが好ましい。
Ｒ２ａ、Ｒ２ｂ、又は、Ｒ２ｃのうち、少なくとも１つは水素原子以外である。
一般式（ＩＩ）で表される化合物を例示する。
なお、下記例示中、ＡＬは炭素数１〜１０の、置換基を含有していてもよいアルキレン基を表し、ｑは、４〜６の整数を表す。
一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ３ａ及びＲ３ｂは、それぞれ独立に、置換基を含有していてもよいアルキル基を表す。
上記アルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、環状構造を含有していてもよい。
上記アルキル基の炭素数は１〜２０が好ましく、２〜１０がより好ましい。なお、上記アルキル基の炭素数は、アルキル基が含有していてもよい置換基が含有する炭素原子の数を含まない。
上記置換基としては、例えば、芳香環基（さらに置換基を含有していてもよい。好ましくはフェニル基）が好ましい。
一般式（ＩＩＩ）で表される化合物を例示する。
一般式（ＩＶ）中、Ｒ４ａ〜Ｒ４ｃは、それぞれ独立に、水素原子、置換基を含有していてもよいアルキル基、又は、置換基を含有していてもよいベンゼン環基を表す。
Ｒ４ａ〜Ｒ４ｃのうち、１つ以上（好ましくは２つ以上は）置換基を含有していてもよいアルキル基、又は、置換基を含有していてもよいベンゼン環基であるのが好ましい。
上記アルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、環状構造を含有していてもよい。
上記アルキル基の炭素数は１〜２０が好ましく、１〜５がより好ましい。なお、上記アルキル基の炭素数は、アルキル基が含有していてもよい置換基が含有する炭素原子の数を含まない。上記置換基としては、アルコキシ基（好ましくは炭素数２〜６）又はハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又は、ヨウ素原子等）が好ましい。
上記ベンゼン環基が含有していてもよい置換基としては、アルキル基（好ましくは炭素数２〜１０）が好ましい。
一般式（ＩＶ）で表される化合物を例示する。
有機化合物の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、薬液全質量に対して、０．０１〜５００００質量ｐｐｔが好ましく、０．１〜３００００質量ｐｐｔがより好ましい。
有機化合物は１種を単独で用いても、２種以上を用いてもよい。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、２種以上を用いることが好ましい。
＜金属成分＞
薬液は金属成分を含有してもよい。
本発明において、金属成分は、金属粒子及び金属イオンが挙げられ、例えば、金属成分の含有量と言う場合、金属粒子及び金属イオンの合計含有量を示す。
薬液は、金属粒子及び金属イオンのいずれか一方が含有してもよく、両方を含有してもよい。薬液は、金属粒子及び金属イオンの両方を含有するのが好ましい。
金属成分における、金属元素は、例えば、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）、Ｃａ（カルシウム）、Ｆｅ（鉄）、Ｃｕ（銅）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｌｉ（リチウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ（チタン）、及び、Ｚｎ（ジルコニウム）が挙げられる。金属成分は、金属元素を１種含有してもよいし２種以上含有してもよい。
金属粒子は、単体でも合金でもよく、金属が有機物と会合した形態で存在していてもよい。
金属成分は、薬液に含まれる各成分（原料）に不可避的に含まれている金属成分でもよいし、処理液の製造、貯蔵、及び／又は、移送時に不可避的に含まれる金属成分でもよいし、意図的に添加してもよい。
薬液の欠陥抑制性がより優れる点から、薬液が金属成分を含有する場合、その含有量は、薬液の全質量に対して、０．０１〜５００質量ｐｐｔが好ましく、０．０１〜２５０質量ｐｐｔがより好ましく、０．０１〜１００質量ｐｐｔが更に好ましい。
金属成分の含有量が０．０１質量ｐｐｔ以上であれば、残存する有機成分との錯形成によって除去されやすくなり、欠陥抑制性をより改善できる。
また、金属成分の含有量が５００質量ｐｐｔ以下であれば、金属成分に由来する欠陥の発生の増加を回避しやすい。
薬液の欠陥抑制性がより優れる点から、薬液が金属イオンを含有する場合、その含有量は、薬液の全質量に対して、０．０１〜４００質量ｐｐｔが好ましく、０．０１〜２００質量ｐｐｔがより好ましく、０．０１〜８０質量ｐｐｔが更に好ましい。
薬液の欠陥抑制性がより優れる点から、薬液が金属粒子を含有する場合、その含有量は、薬液の全質量に対して、０．０１〜４００質量ｐｐｔが好ましく、０．０１〜１５０質量ｐｐｔがより好ましく、０．０１〜４０質量ｐｐｔが更に好ましい。
なお、薬液中の特定金属イオン及び特定金属粒子の種類及び含有量は、ＳＰ−ＩＣＰ−ＭＳ法（Ｓｉｎｇｌｅ Ｎａｎｏ Ｐａｒｔｉｃｌｅ Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で測定できる。
ここで、ＳＰ−ＩＣＰ−ＭＳ法とは、通常のＩＣＰ−ＭＳ法（誘導結合プラズマ質量分析法）と同様の装置を使用し、データ分析のみが異なる。ＳＰ−ＩＣＰ−ＭＳ法のデータ分析は、市販のソフトウェアにより実施できる。
ＩＣＰ−ＭＳ法では、測定対象とされた金属成分の含有量が、その存在形態に関わらず、測定される。従って、測定対象とされた金属粒子と、金属イオンとの合計質量が、金属成分の含有量として定量される。
一方、ＳＰ−ＩＣＰ−ＭＳ法では、金属粒子の含有量が測定できる。従って、試料中の金属成分の含有量から、金属粒子の含有量を引くと、試料中の金属イオンの含有量が算出できる。
ＳＰ−ＩＣＰ−ＭＳ法の装置としては、例えば、アジレントテクノロジー社製、Ａｇｉｌｅｎｔ ８８００ トリプル四重極ＩＣＰ−ＭＳ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ ｍａｓｓ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ、半導体分析用、オプション＃２００）が挙げられ、実施例に記載した方法により測定できる。上記以外の他の装置としては、ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社製 ＮｅｘＩＯＮ３５０Ｓのほか、アジレントテクノロジー社製、Ａｇｉｌｅｎｔ ８９００も使用できる。
金属成分の含有量に対する、一般式（Ｉ）〜一般式（ＩＶ）で表される化合物の合計含有量の比は特に制限されないが、０.００００１〜１０が好ましく、０.００００５〜３がより好ましい。
＜水＞
薬液は、水を含有してもよい。
水としては特に制限されず、例えば、蒸留水、イオン交換水、及び、純水等を使用できる。
水は、薬液中に添加されてもよいし、薬液の製造工程において意図せずに薬液中に混合されてもよい。薬液の製造工程において意図せずに混合される場合としては、例えば、水が、薬液の製造に用いる原料（例えば、有機溶剤）に含有されている場合、及び、薬液の製造工程で混合する（例えば、コンタミネーション）等が挙げられるが、上記に制限されない。
薬液中における水の含有量としては特に制限されないが、薬液の全質量に対して、０．０５〜２．０質量％が好ましい。薬液中における水の含有量は、カールフィッシャー水分測定法を測定原理とする装置を用いて、測定される水分含有量を意味する。
〔薬液の用途〕
上記実施形態に係る薬液は、半導体製造用に好ましく用いられる。具体的には、リソグラフィー工程、エッチング工程、イオン注入工程、及び、剥離工程等を含有する半導体デバイスの製造工程において、各工程の終了後、又は、次の工程に移る前に、有機物を処理するために使用され、具体的にはプリウェット液、現像液、リンス液、及び、剥離液等として好適に用いられる。例えばレジスト塗布前後の半導体基板のエッジエラインのリンスにも使用することができる。
また、上記薬液は、レジスト液に含有される樹脂の希釈液としても用いることができる。また、他の有機溶剤、及び／又は、水等により希釈してもよい。
また、上記薬液は、半導体製造用以外の他の用途でも好適に用いることができ、ポリイミド、センサー用レジスト、レンズ用レジスト等の現像液、及び、リンス液等としても使用できる。
また、上記薬液は、医療用途又は洗浄用途の溶媒としても用いることができる。特に、容器、配管、及び、基板（例えば、ウェハ、及び、ガラス等）等の洗浄に好適に用いることができる。
なかでも、上記実施形態に係る薬液は、プリウェット用としてより好ましく用いられる。すなわち、上記実施形態に係る薬液は、プリウェット液として用いることが好ましい。
＜薬液収容体＞
本発明の薬液収容体は、容器と、容器に収容された上述した薬液とを有する。
なお、本明細書において、容器の表面とは、容器と他の相（典型的には、気体及び／又は液体）との界面を意味する。
図１は上記実施形態に係る薬液収容体が有する蓋付き容器の一例を示した一部断面図である。
蓋付き容器１０は、容器１１と、容器１１にかぶせられる蓋１２とを有し、容器の口部１３の外側に設けられた図示しない雄ねじと蓋１２の側部１４の内側に配置された図示しない雌ねじによって、嵌め合せることができるようになっている。嵌め合わされた容器１１と蓋１２によって蓋付き容器１０の内部にキャビティＬが形成され、上記キャビティＬに液体（例えば、有機溶剤を含有する薬液、なかでも、半導体製造用が好ましい。）を収容できるようになっている。
なお、蓋付き容器１０は容器１１と蓋１２を有しているが、本発明の実施形態に係る薬液収容体は上記に制限されず、容器のみを有していればよい。
上記蓋付き容器１０は、組成物から形成され、容器１０の接液部である容器１１の内壁面１５、及び、蓋１２の内壁面１５は、後述する要件Ａを満たすことが好ましい。
なお、蓋付き容器としては、容器１０の内壁面の少なくとも一部が上記要件Ａを満たすことが好ましく、蓋１２の内壁面１６については要件Ａを満たしていなくてもよい。
また、上記容器１０においては、内壁面１５が上記要件Ａを満たすことが好ましく、更に外壁面１６も要件Ａを満たすことがより好ましい。
図２は、本発明の実施形態に係る薬液収容体が有する蓋付き容器の変形例を示す一部断面図である。蓋付き容器２０は、容器１１及び蓋１２を有し、これらを嵌め合わせることによって内部にキャビティが形成され薬液を収容することができる点は、蓋付き容器１０と同様である。
蓋付き容器２０は、容器１１及び蓋１２がそれぞれ基材２１と、基材２１上に形成された被覆層２２を有する。容器２０はその接液部に、被覆層２２を有し、被覆層２２の表面において要件Ａを満たすことが好ましい。要件Ａを満たす結果、薬液を収容して保管しても、薬液の欠陥抑制性能が経時的により悪化しない。
なお、蓋付き容器２０は、その接液部に、被覆層２２を有するが、本発明の実施形態に係る薬液収容体が有する容器としてはこれに制限されず、容器１１及び蓋１２の外側表面２３側にも更に被覆層を有していてもよい。
また、本発明の実施形態に係る薬液収容体は、上記に制限されず、容器のみを有していればよい。
＜容器＞
上記容器は、重合体を含有することが好ましい。つまり、容器は、重合体を含有する組成物から形成されることが好ましい。
例えば、図１の態様の場合、容器自体が重合体で構成されることが好ましい。また、容器自体が、重合体を含有する組成物で構成されていてもよい。
なお、図２の態様のように、上記容器は、基材と、基材上に配置された被覆層とを含有し、被覆層が、重合体を含有する形態であってもよい。被覆層の厚みとしては特に制限されないが、一般に０.０１〜１μｍが好ましい。
基材は、用途に応じて適宜選択されればよく、有機材料でも無機材料でもよい。有機材料としては、後述する樹脂が好ましい。また、無機材料としては、ガラス、及び、金属（ステンレス、及び、耐腐食性のニッケル合金等）が好ましい。
なお、基材の形状としては特に制限されず、用途に応じて適宜選択できる。
（重合体）
重合体としては特に制限されず、公知の重合体を用いることができる。なかでも、容器にて保管した後の薬液の欠陥抑制性能がより優れる点で、重合体としては、ポリオレフィン（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン）、又は、フッ素原子を含有する重合体（以下「含フッ素重合体」ともいう。）が好ましい。ポリオレフィンとしては特に制限されないが、ポリエチレンが好ましい。
含フッ素重合体としては特に制限されないが、容器にて保管した後の薬液の欠陥抑制性能がより優れる点で、ポリテトラフルオロエチレン、パーフルオロアルコキシアルカン、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体、エチレン・四フッ化エチレン共重合体、エチレン・クロロトリフルオロエチレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、及び、ポリフッ化ビニルからなる群から選択される少なくとも１種がより好ましく、ポリテトラフルオロエチレンが更に好ましい。
一般に、含フッ素重合体の重合鎖末端に重合性基、及び／又は、分子量調整剤に由来する−ＣＨ２ＯＨ及び−ＣＯＯＨ等の基が残存していることが多い。上記のような基は不安定であり、成形時に熱分解して−ＣＯＦを生成する。更にこの−ＣＯＦが加水分解し、フッ化物イオン等を薬液へと溶出する原因にもなることを本発明者は知見している。
上記含フッ素重合体は、末端にパーフルオロアルキル基を有する含フッ素重合体が好ましい。言い換えれば、重合鎖末端がパーフルオロアルキル基で置換処理された処理済み含フッ素重合体であることが好ましい。パーフロオロアルキル基としては特に制限されないが、−ＣＦ２−ＣＦ３又は−ＣＦ３が好ましい。
置換処理の方法としては特に制限されず、公知の方法を用いることができる。例えば、特開昭６０−２４０７１３号、特開昭６２−１０４８２２号、及び、特開平３−２５０００８号等に記載されている公知の方法が採用できる。
なお、処理済み含フッ素重合体における、−ＣＨ２ＯＨ、−ＣＯＯＨ、及び、−ＣＯＦの含有量（個数）の合計は、処理済み含フッ素重合体の炭素数１０６個あたり、５０個以下が好ましく、３０個以下がより好ましい。
容器が重合体を含有する組成物を用いて形成される場合、組成物の全質量に対する重合体の含有量としては特に制限されないが、一般に、組成物の全質量に対して、８０質量％以上が好ましく、９５質量％以上がより好ましく、９９．９質量％以下が好ましい。重合体は、１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。２種以上の重合体を併用する場合には、合計含有量が上記範囲内であることが好ましい。
なお、組成物の全質量とは、容器が組成物から形成される場合、容器の全質量と等しく、容器が、基材と、基材上に形成された被覆層とを有し、上記被覆層が組成物から形成される場合には、被覆層の全質量と等しい。
容器が含フッ素重合体を含有する場合、容器の少なくとも一部の表面において飛行時間型二次イオン質量分析法で測定した、炭素原子の含有原子数に対するフッ素原子の含有原子数の含有原子数比Ｘ１としては特に制限されないが、０．０１以上が好ましく、０．３０以上がより好ましく、０．３５以上が更に好ましく、０．５０以上が特に好ましく、３．０以下が好ましく、２．０以下が更に好ましい。Ｘ１が０．３以上（好ましくは、０．５以上）であると、容器の表面におけるや耐薬品性が向上しやすく、容器に薬液を収容しても、収容された薬液に不純物が溶出しにくい。一方、Ｘ１が３．０以下であると、容器の表面において遊離状態にあるフッ素原子がより少なく、収容された薬液にフッ素を含有する不純物（例えば、フッ化物イオン等）が溶出しにくい。なお、飛行時間型二次イオン質量分析法を用いてＸ１を測定する方法は、実施例に記載したとおりである。
なお、容器の少なくとも一部の表面において、Ｘ１が上記範囲を満たすことが好ましく、接液部の一部の表面においてＸ１が上記範囲を満たすことがより好ましく、接液部の表面の少なくとも１０点の測定において、上記範囲を満たすことがより好ましく、接液部の全部の表面でＸ１が上記範囲を満たすのが更に好ましく、全部の表面で、Ｘ１が上記範囲を満たすのが特に好ましい。
また、上記表面を基準として、容器の厚さ方向に１０ｎｍの位置において、飛行時間型二次イオン質量分析法で測定した炭素原子の含有原子数に対するフッ素原子の含有原子数の含有原子数比Ｘ２としては、特に制限されないが、０．５〜２．５が好ましく、１．０〜２．０がより好ましく、１．５〜２．０がより好ましい。
また、上記表面を基準として、容器の厚さ方向に１０ｎｍの位置において、Ｘ線光電子分光装置で測定した炭素原子の含有原子数に対するフッ素原子の含有原子数の含有原子数比Ｘ２としては、特に制限されないが、０．５〜２．５が好ましく、１．０〜２．０がより好ましく、１．５〜２．０がより好ましい。なお、飛行時間型二次イオン質量分析法を用いてＸ２（すなわち、深さ方向）の分析をする方法としては、実施例に記載したとおりである。
容器（または、組成物）が含フッ素重合体を含有する場合、容器にて保管した後の薬液の欠陥抑制性能がより優れる点で、Ｘ１＞Ｘ２を満たすことが好ましい。なお、この場合、容器の少なくとも一部の表面及びそれに対応する厚さ１０ｎｍの位置において、Ｘ１＞Ｘ２が満たされればよく、接液部において、上記関係が満たされるのがより好ましい。
また、容器にて保管した後の薬液の欠陥抑制性能がより優れる点で、容器が含フッ素重合体を含有し、少なくとも容器の一部（好ましくは全部）の表面において、飛行時間型二次イオン質量分析法で分析した、炭素原子の含有原子数に対するフッ素原子の含有原子数の含有原子数比Ｘ１が、０．３０〜３．０（好ましくは、０．５０〜３．０）であり、上記表面を基準に、容器の厚さ方向に１０ｎｍの位置において、散乱型近接場顕微鏡によって求められる１５００〜１８００ｃｍ−１の範囲に確認されるＣ＝Ｃ伸縮振動によるピークの積分強度をＩ３、２８００〜３５００ｃｍ−１の範囲に確認されるＣ−Ｈ伸縮振動によるピークの積分強度をＩ４としたとき、式（１）：Ｍ２＝Ｉ３／（Ｉ３＋Ｉ４）で表されるＭ２が、Ｍ１＜Ｍ２満たすことが好ましい。なお、表面において、散乱型近接場顕微鏡によって測定される上記各ピークは、容器の表面から、容器の厚み方向に１００ｎｍ程度の位置までの容器中の各成分の分布を反映した値となる。なお散乱型近接場顕微鏡を用いた測定方法は、実施例に記載したとおりである。
また、上記容器は、重合体及び後述するナノカーボン材料を含有する組成物を用いて形成されてもよい。その際、上記容器は、少なくとも一部（好ましくは全部）の表面において、以下の要件Ａを満たすことが好ましい。
要件Ａ：原子間力赤外分光法によって求められる、１５００〜１８００ｃｍ−１の範囲に確認されるＣ＝Ｃ伸縮振動によるピークの積分強度をＩ１、２８００〜３５００ｃｍ−１の範囲に確認されるＣ−Ｈ伸縮振動によるピークの積分強度をＩ２としたとき、式（１）：Ｍ１＝Ｉ１／（Ｉ１＋Ｉ２）で表されるＭ１が、０．０５〜０．５である。
なお、上記容器は、少なくとも一部の表面において上記要件Ａを満たすことが好ましく、接液部（収容した液体が接触する範囲又は接触する可能性がある範囲）の一部において上記要件Ａを満たすのがより好ましく、表面の任意の１０点以上の測定で、要件Ａを満たすのがさらに好ましく、接液部の全部において、上記要件Ａを満たすのが特に好ましく、表面の全部で上記要件Ａを満たすのが最も好ましい。
上記容器は、少なくとも一部の表面で、上記関係を満たすため、収容された薬液に、ナノカーボン材料が溶出しにくく、かつ、表面を基準として、より深い領域に、導電性が高いナノカーボン材料の経路が形成されていると推測され、容器全体として帯電しにくく、かつ不純物の溶出が抑制されたものと考えられる。
上記容器には、薬液が収容されるため、上記容器の表面のうち、後述する要件Ａを満たすのは、上記液体と接触する表面（接液部）であることが好ましい。なお、容器は、少なくとも一部の表面が後述する要件Ａを満たすことが好ましく、全部の表面が上記要件Ａを満たすのがより好ましい。なお、原子間力赤外分光法（ＡＦＭ−ＩＲ）によって求められる上記各ピークは、容器の表面から、容器の厚み方向に５０ｎｍ程度の位置までの容器中の各成分の分布を反映した値となる。従って、後述する散乱型近接場顕微鏡による測定結果よりもより表面に近い部分におけるナノカーボン材料の分布を反映する。なお原子間力赤外分光法を用いた測定方法は、実施例に記載したとおりである。
（ナノカーボン材料）
容器（または、組成物）はナノカーボン材料を含有していてもよい。
組成物の全質量に対するナノカーボン材料の含有量としては特に制限されないが、一般に、組成物の全質量に対して、０．００１質量％以上が好ましく、０．００５質量％以上がより好ましく、３質量％以下が好ましく、０．５質量％以下がより好ましく、０．４質量％以下が更に好ましい。ナノカーボン材料は、１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。２種以上のナノカーボン材料を併用する場合には、合計含有量が上記範囲内であることが好ましい。
ナノカーボン材料の含有量が、０．００１〜０．５質量％であると、容器にて保管した後の薬液の欠陥抑制性能がより優れる。ナノカーボン材料の含有量が、０．００５質量％以上であると、薬液収容体はより優れた帯電防止性能を有し、ナノカーボン材料の含有量が、０．４質量％以下であると、保管した薬液の欠陥抑制性能がより長期間維持される。
本明細書において、ナノカーボン材料とは、少なくとも１つの部分がナノレベル（０．１〜１０００ｎｍ）の構造（粒子状、シート状、層状、針状、棒状、繊維状又は筒状）を有する炭素材料を意味する。
ナノカーボン材料としては、例えば、フラーレン、グラフェン、カーボンナノボール（カーボンブラック）、カーボンナノホーン、カーボンナノファイバー、及び、カーボンナノチューブ等が挙げられる。
なお、ナノカーボン材料としては、化学工業５６巻、Ｐ５０−６２（２００５）に記載されるもの、及び、Ｌａｎｇｍｕｉｒ、１１巻、Ｐ３６８２−３８６６（１９９５）に記載のもの等も挙げられる。
なかでも、容器にて保管した後の薬液の欠陥抑制性能がより優れる点で、ナノカーボン材料としては、フラーレン、グラフェン、カーボンナノボール（カーボンブラック）、カーボンナノホーン、カーボンナノファイバー、及び、カーボンナノチューブからなる群より選択される少なくとも１種が好ましく、カーボンナノファイバー及びカーボンナノチューブからなる群より選択される少なくとも１種がより好ましく、カーボンナノチューブが特に好ましい。
上記ナノカーボン材料は高純度であることが望ましい。金属等の不純物を含有し、炭素純度が９０％以上であると、不純物が製造プロセス中に凝集しにくく、得られる容器が脆くなりにくい。なお、本明細書において、炭素純度は、蛍光Ｘ線を用いた元素分析結果より求めた数値を意味する。
・カーボンナノチューブ
上記カーボンナノチューブとしては、単層カーボンナノチューブ（ＳＷＮＴ：ｓｉｎｇｌｅ−ｗａｌｌｅｄ ｎａｎｏｔｕｂｅｓ）及び多層カーボンナノチューブ（ＭＷＮＴ:Ｍｕｌｔｉ−ｗａｌｌｅｄ ｎａｎｏｔｕｂｅｓ）のいずれをも適宜用いることができる。なかでも、より高い電気伝導率を有する容器を形成できる点で、カーボンナノチューブとしては、単層カーボンナノチューブがより好ましい。
カーボンナノチューブの長径としては特に制限されないが、０．００５〜１５００μｍが好ましく、０．０１〜１０００μｍがより好ましく、６０〜１０００μｍが更に好ましい。
カーボンナノチューブの長径が、０．０１μｍ以上だと、カーボンナノチューブにより、組成物中にカーボンナノチューブのネットワーク（編み目構造）が形成され易い。また、形成されたネットワークが、組成物の変形に追従しやすく、壊れにくい。
また、カーボンナノチューブの長径が、１０００μｍ以下だと、重合体とカーボンナノチューブを混合した際に、カーボンナノチューブを重合体中に分散させやすい。
なかでも、容器にて保管した後の薬液の欠陥抑制性能がより優れる点で、カーボンナノチューブの長径としては、１０００μｍ未満が好ましく、８００μｍ以下がより好ましく、３００μｍ更に好ましく、３００μｍ未満が特に好ましい。
なお、本明細書において、カーボンナノチューブの長径とは、Ｎ−メチルピロリドンにカーボンナノチューブを分散させて基板上に滴下し、走査型原子間力顕微鏡等で観察した、バンドルの長さを意味する。
（その他の成分）
上記容器は、重合体、及び、ナノカーボン材料以外のその他の成分を含有してもよい。その他の成分としては、例えば、界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては特に制限されず、公知の界面活性剤を用いることができる。なお、本明細書において、界面活性剤とは、イオン性界面活性剤（アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、又は、両性界面活性剤）；非イオン性界面活性剤等を用いることができる。また、フッ素を少なくとも構造中に１つ以上含有する界面活性剤を用いることもできる。アニオン性界面活性剤としては、硫酸エステル型、リン酸エステル型、及び、スルホン酸型等の界面活性剤が挙げられる。カチオン性界面活性剤としては、第４級アンモニウム塩型等の界面活性剤が挙げられる。両性界面活性剤としては、アルキルベタイン型、アミドベタイン型、及び、アミンオキサイド型等の界面活性剤が挙げられる。また、非イオン性界面活性剤としては、脂肪酸エステル系界面活性剤、ソルビタン脂肪酸エステル系界面活性剤、ソルビタンエステルエーテル系界面活性剤、ポリエーテル系界面活性剤、アルキルフェノール系界面活性剤、ポリエステル系界面活性剤、ソルビタンエステルエーテル系界面活性剤、及び、アルキルアミン系界面活性剤等が挙げられる。非イオン性界面活性剤としては、容器にて保管した後の薬液の欠陥抑制性能がより優れる点で、ポリエーテル系界面活性剤が好ましい。ポリエーテル系界面活性剤としては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンドデシルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、及び、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロック共重合体等が挙げられる。これらの中でもポリエチレングリコールが特に好ましい。なお、界面活性剤は１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
界面活性剤は、重合体が含フッ素重合体である場合に、含フッ素重合体の合成プロセス上の必要性により、又は、その成形性を向上する等の目的で、配合され、結果として組成物にも含有される場合もある。含フッ素重合体は、優れた耐熱性を有する反面、溶融成形が困難な場合も多く、そのような場合には、例えば、含フッ素重合体と、ナノカーボン材料と、界面活性剤とを水及び／又は有機溶剤等の溶剤に分散させ、分散液の状態とし、上記分散液を基材に塗布して、含フッ素重合体と、ナノカーボン材料と、界面活性剤とを含有する組成物から形成される被覆層を得たり、又は、上記分散液にせん断力を加えて、含フッ素重合体の粒子を凝集させ、これを乾燥させることによって得られた粉体をペースト押出成形したりして、含フッ素重合体と、ナノカーボン材料と、界面活性剤と、を含有する組成物から形成される容器が得られる。上記の界面活性剤としては、フッ素を少なくとも構造中に１つ以上含有する界面活性剤が好ましい。
組成物中における界面活性剤の含有量としては特に制限されないが、一般に、組成物の全質量に対して、０．００１〜１０質量％が好ましく、０．００５〜５．０質量％がより好ましい。界面活性剤は、１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。２種以上の界面活性剤を併用する場合には、合計含有量が上記範囲内であることが好ましい。
なお、本明細書において、組成物中における界面活性剤の含有量は、組成物を調製する際の仕込み比から算出するか、又は、高速液体クロマトグラフ質量分析装置（ＬＣ／ＭＳ）を用いて、以下の条件で測定して、得ることができる。
＜組成物からの界面活性剤の抽出＞
まず組成物を溶融アルカリ金属塩に浸漬する（組成物を用いて形成された容器であれば、容器の一部を溶融アルカリ金属塩に浸漬する）。次に、この溶融アルカリ金属塩を水及びアルコール、又はケトン系の有機溶剤に溶解し、組成物から界面活性剤を抽出する。
＜抽出した界面活性剤の分析条件＞
界面活性剤の分析は、以下の方法で行う。ＬＣ／ＭＳの測定条件を以下に示す。
抽出物は必要に応じて濃縮して用いる（例えば、１０００倍濃縮して用いる。）。
装置としては、液体クロマトグラフ質量分析装置（製品名「ＵＰＬＣ−Ｈ−Ｃｌａｓｓ, Ｘｅｖｏ Ｇ２−ＸＳ ＱＴｏｆ」、サーモフィーシャーズ社製、測定条件は以下のとおり）を用いて測定することができる。
なお、得られた測定結果から、有機不純物中のｍ／Ｚが３００〜１０００である帰属不明成分有機不純物を分類し、その含有量（相対量）もあわせて求めた。
（測定条件）
・ＬＣ条件
装置： ＵＰＬＣ Ｈ−Ｃｌａｓｓ
カラム： ＡＣＱＵＩＴＹ ＵＰＬＣ Ｃ８ １．７ｕｍ， ２．１×１００ｍｍ
カラム温度： ４０°Ｃ
移動相： Ａ：０．１％ギ酸， Ｂ：０．１％ギ酸含有ＭｅＯＨ
流速： ０．５ ｍＬ／ｍｉｎ
注入量： ２ μＬ
・ＭＳ条件
装置： Ｘｅｖｏ Ｇ２−ＸＳ Ｑ−Ｔｏｆ
イオン化モード： ＥＳＩ ポジティブ ／ ネガティブ
キャピラリー電圧： １．０ ｋＶ ／２．５ ｋＶ
脱溶媒ガス： １０００ Ｌ／ｈｒ， ５００°Ｃ
コーンガス： ５０ Ｌ／ｈｒ
コーン電圧： ４０ Ｖ （オフセット ８０ Ｖ）
コリジョンエナジー： ２ ｅＶ
測定範囲： ｍ／ｚ １００−１０００
測定モード： ＭＳ Ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ Ｍｏｄｅ （分解能／３０，０００）
・ＭＳ／ＭＳ条件
コリジョンエネルギー
Ｌｏｗ Ｅｎｅｒｇｙ： ６ ｅＶ
Ｈｉｇｈ Ｅｎｅｒｇｙ： ３０ ｅＶ ｔｏ ５０ ｅＶ （ｒａｍｐ ｓｔａｒｔ ｔｏ ｅｎｄ）
容器は、少なくとも一部（好ましくは全部）の表面（被覆層を有する場合には、被覆層の少なくとも一部（好ましくは全部）の表面）における界面活性剤の質量基準の含有量をＡ１、上記表面を基準として、容器の厚さ方向に１０ｎｍの位置における界面活性剤の質量基準の含有量をＡ２としたとき、Ａ１／Ａ２としては特に制限されないが、０．０１〜２０が好ましく、０．１０〜１０がより好ましい。
Ａ１／Ａ２が０．１０以上であると、表層での界面活性剤の偏在が抑制されており、界面活性剤が不純物として溶出しにくくなり、結果として、薬液の欠陥抑制性能が維持される。一方、Ａ１／Ａ２が１０以下であると、表面に過剰な界面活性剤の偏在が抑制されており、界面活性剤が不純物として溶出し多彩にも許容範囲にとどまる結果として、薬液の欠陥抑制性能が維持される。
なお、この場合、容器の少なくとも一部の表面及びそれに対応する厚さ１０ｎｍの位置において、Ａ１／Ａ２が所定の範囲内であればよく、接液部の表面の一部で上記関係を満たすことがより好ましく、接液部の全部の表面で上記関係を満たすのが更に好ましく、全部の表面で上記関係を満たすのが特に好ましい。
本明細書において、Ａ１／Ａ２は、飛行時間型二次イオン質量分析法（Ｔｉｍｅ ｏｆ Ｆｌｉｇｈｔ Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ ：ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）を用いて、以下の方法により測定することができる数値を意味する
飛行時間二次イオン質量分析計（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）（ＩＯＮ−ＴＯＦ社製、商品名「ＴＯＦ−ＳＩＭＳ５」）を用いた測定の条件を以下に示す。
一次イオン：Ｂｉ３ ２＋
一次イオン加速電圧：２５ｋＶ
測定面積：５００μｍ角
測定温度：−１００℃以下
なお、深さ方向の分析には、エッチングのためにＡｒ−ＧＣＩＢ（Ａｒのガスクラスターイオンビーム）を照射し、一次イオン源としてＢｉ３＋を照射し、得られる二次イオンを飛行時間型の質量分析器を用いて分析し，スペクトルを得る方法を用いる。
Ａｒ−ＧＣＩＢではエッチングの際、最表面から深さ方向には分子構造を破壊しないため、界面の結合状態について正確な情報を得ることができる。得られる測定値はａｔｏｍ／ｃｍ２である為、この数値よりモル数を算出し、原子数（分子数）をかけることで質量に変換した。なお、ビーム照射条件は以下のとおりである。
Ａｒ−ＧＣＩＢ投入圧：３ＭＰａ
測定面：１５０μｍ角
測定モード：高質量分解能
また、容器は、少なくとも一部（好ましくは全部）の表面（被覆層を有する場合には、被覆層の少なくとも一部（好ましくは全部）の表面）において、既に説明したＡ２に対するＭ２（Ｍ２／Ａ２）としては、特に制限されないが、より優れた本発明の効果を有する薬液収容体が得られる点で、１以上が好ましく、１０以上がより好ましく、５０以上が更に好ましく、１００以上が特に好ましく、１００００００以下が好ましく、１０００００以下がより好ましく、１００００以下が更に好ましく、５０００以下が特に好ましく、２０００以下が最も好ましい。
上記のような界面活性剤としては、例えば、以下の式（１）及び（２）で表される化合物が挙げられる。
式（１）Ａ−ＣＨ２−ＯＨ
式（２）Ａ−ＣＯＯ−Ｍ＋
式中、Ｍ＋はカチオンを表し、式（１）及び（１）中のＡは同じであり、Ａは式（Ａ１）：式（Ａ１）Ｒｆ−［Ｏ］ｐ−［ＣＸＹ］ｍ−［Ｏ−（ＣＸ’Ｙ’）ｎ］ｒ−＊
を表し、式中、＊は結合位置を表し、Ｒｆは、１個以上の酸素原子を含有してもよいフッ素化アルキル基を表し、ｐは１又は０であり、ｍ及びｎはそれぞれ独立に１以上の整数であり、ｒは０又は１以上の整数であり、Ｘ、Ｘ’、Ｙ及びＹ’は、それぞれ独立にＨ、Ｆ、ＣＦ３又はＣ２Ｆ５であり、複数あるＸ、Ｘ’、Ｙ及びＹ’は同一でも異なってもよく、ただし、Ｘ、Ｘ’、Ｙ及びＹ’のすべてがＨではない、又は、
Ａは式（Ａ２）：式（Ａ２） Ｒ−［ＣＦＸ］ｔ−＊
を表し、式中、＊は結合位置を表し、Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、又は、１個以上のフッ素原子を含有してもよく、かつ、１個以上の酸素原子を含有してもよいアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基若しくはアリール基であり、Ｒは、水素原子、又は、フッ素原子を除くハロゲン原子を含有してもよく、かつ、１個以上の酸素原子を含有してもよい、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基若しくはアリール基であり、ｔは１以上の整数である。
Ｒｆとしては、特に制限されないが、例えば、直鎖状、環状、又は分岐鎖状であってよいパーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、部分フッ素化アルキル基、及び、部分フッ素化アルコキシ基等が挙げられる。上記各基には、酸素原子が含まれていてもよい。
なお、「パーフルオロアルキル基」及び「パーフルオロアルコキシ基」とは、水素原子が全てフッ素原子に置換された基を表す。「部分フッ素化アルキル基」及び「部分フッ素化アルコキシ基」とは、水素原子の一部がフッ素原子に置換された基を表す。
Ｒｆは、１〜１４個の炭素原子を含有してもよい。Ｒｆのより具体的な例としては、特に制限されないが、Ｆ３Ｃ−、Ｆ３ＣＯ−、Ｆ３ＣＦＨＣ−、Ｆ５Ｃ２−、Ｆ３ＣＯＦ２Ｃ−、Ｆ３ＣＯＦ２ＣＯ−、Ｆ７Ｃ３−、Ｆ９Ｃ４−、Ｆ１１Ｃ５−、及び、Ｆ２ＨＣ−等が挙げられる。
なかでも、Ｘ及びＹの少なくとも一方は、Ｆ、ＣＦ３又はＣ２Ｆ５が好ましく、Ｘ及びＹの両方が、それぞれ独立に、Ｆ、ＣＦ３、及び、Ｃ２Ｆ５からなる群から選択される（例えば、Ｘ及びＹがいずれもＦである、又はＸがＦでありＹがＣＦ３である、といったように）ことがより好ましい。
ただし、Ｘ、Ｘ’、Ｙ及びＹ’のすべてがＨではない。
なお、Ｘ、Ｘ’、Ｙ及びＹ’のうち１個又は２個よりも多くが、Ｈであることが好ましい。
また、好ましくはＸ及びＹの少なくとも一方がＨではなく、より好ましくはＸ及びＹの両方がＨではなく、更に好ましくはＸ及びＹがＦであるように選択される。
式（１）及び式（Ａ１）で表される界面活性剤としては、例えば、＊−ＣＨ２ＯＨ基の水素以外の水素原子を一切含まないアルコールであるパーフルオロアルコールが含まれ、あるいは、こうしたアルコールは、−ＣＨ２ＯＨ基の水素原子に加えて水素原子、好ましくは２個以下、又は１個以下の水素原子を含有する部分フッ素化アルコールであってもよい。
上記式（Ａ２）の式中、Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、又は、アリール基を表し、Ｘのアルキル基、上記アルケニル基、上記シクロアルキル基、及び、上記アリール基は、１個以上のフッ素原子を含有してもよく、１個以上の酸素原子を含有してもよい。
また、Ｒは、水素原子、又は、フッ素原子を除くハロゲン原子を含有してもよく、かつ、１個以上の酸素原子を含有してもよいアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基若しくはアリール基を表し、ｔは１以上の整数を表す。
式（Ａ２）の一実施形態では、Ｘは、水素原子又はハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、又は臭素原子）などの原子であってよい。
別の実施形態では、Ｘは、アルキル基、シクロアルキル基、及び、アリール基等であってよく、これらの基に含まれる炭素数は１〜２０程度が好ましい。これらの基はフッ素原子を含有してもよく、高度にフッ素化されていてもよい（すなわち、炭素原子に結合した水素原子の少なくとも８０％、９０％、９５％、又は更には１００％がフッ素原子で置換される）。これらの基は、１個以上の酸素原子（すなわち、エーテル結合）を含有してもよい。また、これらの基は、直鎖状又は分岐鎖状であっても、飽和又は不飽和であってよい。これらの基は、これらの官能基が不要に酸化されず、酸化反応の立体障害とならない限り、他の官能基（例えば、アミン、スルフィド、エステルなど）によって置換されていてもよい。
Ｒは、水素原子又はフッ素原子を除くハロゲン原子であってもよい。別の実施形態では、Ｒは、直鎖状、環状、又は分岐鎖状であってよいアルキル基、アリール基、アルコキシ基、オキシアルキル基、ポリオキシアルキル基、及び、ポリオキシアルコキシ基等が挙げられる。
Ｒの具体的な例としては、Ｈ３Ｃ−、及び、Ｈ５Ｃ６−等が挙げられる。
式（１）で表される界面活性剤の具体例としては、上記式（１）中のＡが式（Ａ１）で表されるものとして：
ＣＦ３ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２−ＯＣＦ２−ＣＨ２ＯＨ、ＣＨＦ２（ＣＦ２）５−ＣＨ２ＯＨ、ＣＦ３（ＣＦ２）６−ＣＨ２ＯＨ、ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２ＣＦ２）２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２ＯＨ、ＣＦ３（ＣＦ２）２ＣＨ２（ＣＦ２）２−ＣＨ２ＯＨ、ＣＦ３（ＣＦ２）２−ＣＨ２ＯＨ、ＣＦ３−Ｏ−（ＣＦ２）３−ＯＣＦ（ＣＦ３）−ＣＨ２ＯＨ、ＣＦ３ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＨ２−ＯＣＦ２−ＣＨ２ＯＨ、ＣＦ３−Ｏ−（ＣＦ２）３−ＯＣＨＦＣＦ２−ＣＨ２ＯＨ、ＣＦ３−Ｏ−（ＣＦ２）３−ＯＣＦ２−ＣＨ２ＯＨ、ＣＦ３（ＣＦ２）２−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）−ＯＣＦ（ＣＦ３）−ＣＨ２ＯＨ、ＣＦ３（ＣＦ２）２−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２−（ＯＣＦ２ＣＦ２）３−ＯＣＦ（ＣＦ３）−ＣＨ２ＯＨ、及び、ＣＦ３ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２−（Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２）２−Ｏ−ＣＦ２−ＣＨ２ＯＨが挙げられ、
また、Ｒｆ−Ｏ−ＣＨＦ−ＣＨ２ＯＨ、Ｒｆ−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−ＣＨ２ＯＨ、Ｒｆ−Ｏ−ＣＦ２ＣＨＦ−ＣＨ２ＯＨ、Ｒｆ−Ｏ−ＣＦ２ＣＨＦＣＦ２−ＣＨ２ＯＨ、Ｒｆ−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２ＯＨ、Ｒｆ−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２ＯＨ、Ｒｆ−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２−ＣＨ２ＯＨ、Ｒｆ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２−ＣＨ２ＯＨ、Ｒｆ−Ｏ−（ＣＦ２）ｎ−ＣＨ２ＯＨ、Ｒｆ−（ＣＦ２）ｎ１−ＣＨ２ＯＨ、Ｒｆ−Ｏ−ＣＦ２−（Ｏ−ＣＦ２）ｎ１−１−Ｏ−（ＣＦ２）ｍ１−ＣＨ２ＯＨ、Ｒｆ−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２−（Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２）ｎ１−１−Ｏ−（ＣＦ２）ｍ１−ＣＨ２ＯＨ、Ｒｆ−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２−（Ｏ−ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｎ１−１−Ｏ−（ＣＦ２）ｍ１−ＣＨ２ＯＨ、及びＲｆ−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）−（Ｏ−ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））ｎ１−１−Ｏ−（ＣＦ２）ｍ１−ＣＨ２ＯＨ（ただし、Ｒｆは、１個以上の酸素原子を含有してもよい、直鎖状又は分岐鎖状の、部分フッ素化アルキル基又はパーフルオロアルキル基であり、ｎ１は１〜１０を表し、ｍ１は１〜１０を表す）が挙げられる。
また、上記式（１）中のＡが式（Ａ２）で表されるものとしてはＣ６Ｈ５−ＣＨＦ−ＣＨ２ＯＨ、及び、ＣＨ３−ＣＨＦ−ＣＨ２ＯＨ等が挙げられる。
式（１）で表される界面活性剤は、−ＣＨ２ＯＨ基を−ＣＯＯ−Ｍ＋基に酸価することにより、対応する式（２）で表される化合物（カルボン酸又はその塩）に変換できる。
式（２）Ａ−ＣＯＯ−Ｍ＋
式中、Ｍ＋は、例えば、水素イオン（Ｈ＋）、金属カチオン、及び、有機カチオン等のカチオンを表す。代表的な金属カチオンとしては、Ｎａ＋又はＫ＋が挙げられる。代表的な有機カチオンとしては、アンモニウム（ＮＨ４ ＋）、アルキルアンモニウム、及び、アルキルホスホニウム等が挙げられる。式（２）の基Ａは、酸化による影響を受けないため、その好ましい実施形態を含めて式（１）のＡと同じ意味を有する。
なお、式（２）の説明における「カルボン酸」の用語は、カルボン酸及びカルボン酸塩を含む。式（２）で表される化合物である、フッ素化カルボン酸としては、パーフルオロカルボン酸又は部分フッ素化カルボン酸が挙げられる。パーフルオロカルボン酸は、−ＣＯＯＨ基の水素原子以外に水素原子を一切含まない式（２）に基づくカルボン酸である。部分フッ素化カルボン酸は、−ＣＯＯＨ基の水素原子以外に少なくとも１個のフッ素原子及び１個の水素原子を含有する式（２）に基づくカルボン酸である。
式（２）で表される界面活性剤の具体例としては、上記式（２）中のＡが式（Ａ１）で表されるものとして：
ＣＦ３ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２−ＣＯＯＨ、ＣＨＦ２（ＣＦ２）４−ＣＦ２−ＣＯＯＨ、ＣＦ３（ＣＦ２）５−ＣＦ２−ＣＯＯＨ、ＣＦ３−Ｏ（ＣＦ２）３−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ３）−ＣＯＯＨ、ＣＦ３ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＦ２−ＣＯＯＨ、ＣＦ３−Ｏ−（ＣＦ２）３−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−ＣＯＯＨ、ＣＦ３−Ｏ−（ＣＦ２）３−Ｏ−ＣＦ２−ＣＯＯＨ、ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２ＣＦ２）２ＣＦ２ＣＦ２−ＣＦ２−ＣＯＯＨ、ＣＦ３（ＣＦ２）２ＣＨ２ＣＦ２−ＣＦ２−ＣＯＯＨ、ＣＦ３ＣＦ２−ＣＦ２−ＣＯＯＨ、ＣＦ３（ＣＦ２）２−ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ３）−ＣＯＯＨ、ＣＦ３（ＣＦ２）２−ＯＣＦ２ＣＦ２−（ＯＣＦ２ＣＦ２）３−ＯＣＦ（ＣＦ３）−ＣＯＯＨ、ＣＦ３ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２−（Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２）２−Ｏ−ＣＦ２−ＣＯＯＨ、及びこれらの塩（例えば、パーフルオロオクタン酸アンモニウム（構造式ＣＦ３（ＣＦ２）６ＣＯＯＮＨ４等）が挙げられ、
また、Ｒｆ−Ｏ−ＣＨＦ−ＣＯＯ−Ｍ＋、Ｒｆ−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−ＣＯＯ−Ｍ＋、Ｒｆ−Ｏ−ＣＦ２ＣＨＦ−ＣＯＯ−Ｍ＋、Ｒｆ−Ｏ−ＣＦ２ＣＨＦＣＦ２−ＣＯＯ−Ｍ＋、Ｒｆ−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２−ＣＯＯ−Ｍ＋、Ｒｆ−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−ＣＯＯ−Ｍ＋、Ｒｆ−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２−ＣＯＯ−Ｍ＋、Ｒｆ−ＣＨＦＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２−ＣＯＯ−Ｍ＋、Ｒｆ−Ｏ−（ＣＦ２）ｎ１−ＣＯＯ−Ｍ＋、Ｒｆ−（ＣＦ２）ｎ１−ＣＯＯ−Ｍ＋、Ｒｆ−Ｏ−ＣＦ２−（Ｏ−ＣＦ２）ｎ１−１−Ｏ−（ＣＦ２）ｍ−ＣＯＯ−Ｍ＋、Ｒｆ−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２−（Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２）ｎ１−１−Ｏ−（ＣＦ２）ｍ−ＣＯＯ−Ｍ＋、Ｒｆ−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２−（Ｏ−ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｎ１−１−Ｏ−（ＣＦ２）ｍ−ＣＯＯ−Ｍ＋、及びＲｆ−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）−（Ｏ−ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））ｎ１−１−Ｏ−（ＣＦ２）ｍ−ＣＯＯ−Ｍ＋、（ただし、Ｒｆは、１個以上の酸素原子を含有してもよい直鎖状又は分岐鎖状の部分フッ素化アルキル基又はパーフルオロアルキル基であり、ｎ１は１〜１０を表し、ｍ１は１〜１０を表し、Ｍ＋は、Ｈ＋又は上記に定義したようなカチオンである。）が挙げられる。
また、上記式（２）中のＡが（Ａ２）で表されるものとしてはＣＨ３−ＣＨＦ−ＣＯＯＨ、及び、Ｃ６Ｈ５ＣＨＦＣＯＯＨ等が挙げられる。
また、界面活性剤としては、特開２０１５−０４５０３０号公報の００４５段落、特開２０１６−０６５２５９号公報の００２９〜００３１段落、特開２０１６−１６４２７３号公報の００３０〜００３３段落、米国特許出願公開第２００７／００１５８６４号明細書、米国特許出願公開第２００７／００１５８６５号明細書、米国特許出願公開第２００７／００１５８６６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０２７６１０３号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１１７９１４号明細書、米国特許出願公開第２００７／１４２５４１号明細書、米国特許出願公開第２００８／００１５３１９号明細書、米国特許第３２５０８０８号明細書、米国特許第３２７１３４１号明細書、特開２００３−１１９２０４号公報、国際公開第２００５／０４２５９３号、国際公開第２００８／０６０４６１号、国際公開第２００７／０４６３７７号、国際公開第２００７／１１９５２６号、国際公開第２００７／０４６４８２号、及び、国際公開第２００７／０４６３４５号に記載されたもの等を使用できる。
界面活性剤のオクタノール／水分配係数を表すＬｏｇＰｏｗは３．４以下であることが好ましい。本明細書において、オクタノール／水分配係数（ＬｏｇＰｏｗ）は、１−オクタノールと水との分配係数であり、ＬｏｇＰ［式中、Ｐは、界面活性剤を含有するオクタノール／水（１：１）混合液が相分離した際のオクタノール中の界面活性剤の含有量／水中の界面活性剤含有量を表す］で表されるものである。
ＬｏｇＰｏｗで表されるオクタノール／水分配係数は、カラム：ＴＯＳＯＨ ＯＤＳ−１２０Ｔカラム（φ４．６ｍｍ×２５０ｍｍ）、溶離液：アセトニトリル／０．６質量％ＨＣｌＯ４水＝１／１（ｖｏｌ／ｖｏｌ％）、流速：１．０ｍｌ／分、サンプル量：３００μＬ、カラム温度：４０℃、検出光：ＵＶ２１０ｎｍの条件で、既知のオクタノール／水分配係数を有する標準物質（ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸及びデカン酸）についてＨＰＬＣ（ｈｉｇｈ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｌｉｑｕｉｄ ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）を行い、各溶出時間と既知のオクタノール／水分配係数との検量線を作成し、この検量線に基づき、試料液におけるＨＰＬＣの溶出時間から算出する。
ＬｏｇＰｏｗが３．４以下の含フッ素界面活性剤としては、
一般式：ＣＦ３−（ＣＦ２）４−ＣＯＯ−Ｘ＋
（式中、Ｘ＋は水素イオン、ＮＨ４又はアルカリ金属イオンを表す。）、
一般式：ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ３）−ＣＯＯ−Ｘ＋
（式中、Ｘ＋は水素イオン、ＮＨ４ ＋又はアルカリ金属イオンを表す。）、
一般式：ＣＦ３−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ３）−ＣＯＯ−Ｘ＋
（式中、Ｘ＋は水素イオン、ＮＨ４ ＋又はアルカリ金属イオンを表す。）、及び、
一般式：ＣＦ３ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２−ＣＯＯ−Ｘ＋
（式中、Ｘ＋は水素イオン、ＮＨ４ ＋又はアルカリ金属イオンを表す。）
からなる群より選択される少なくとも１種の含フッ素界面活性剤であることが好ましい。
ＬｏｇＰｏｗが３．４以下の含フッ素界面活性剤としては、
一般式：ＣＦ３−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２−ＣＯＯ−Ｘ＋
（式中、Ｘは水素イオン、ＮＨ４ ＋又はアルカリ金属イオンを表す。）、
一般式：ＣＦ３−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−ＣＯＯ−Ｘ＋
（式中、Ｘは水素イオン、ＮＨ４ ＋又はアルカリ金属イオンを表す。）
等も挙げることができる。
上記界面活性剤が塩である場合、塩を形成する対イオンとしては、アルカリ金属イオン又はＮＨ４＋等が挙げられ、アルカリ金属イオンとしては、例えば、Ｎａ＋、及び、Ｋ＋等が挙げられる。
ＬｏｇＰｏｗが３．４以下の含フッ素界面活性剤の具体例としては、ＣＦ３−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ３）−ＣＯＯＨ、ＣＦ３−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２−ＯＣＦ（ＣＦ３）−ＣＯＯ−ＮＨ４ ＋、ＣＦ３ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２−ＣＯＯＨ、ＣＦ３ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２−ＣＯＯ−ＮＨ４ ＋、ＣＦ３−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−ＣＯＯＨ、ＣＦ３−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＨＦＣＦ２−ＣＯＯ−ＮＨ４ ＋ 、ＣＦ３−（ＣＦ２）４−ＣＯＯＨ、ＣＦ３−（ＣＦ２）４−ＣＯＯ-ＮＨ４ ＋、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ３）−ＣＯＯ−ＮＨ４ ＋、及び、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ３）−ＣＯＯＨ等が挙げられる。
＜物性＞
上記容器は、より優れた本発明の効果を有する薬液収容体が得られる点で、以下の試験（以下、「溶出試験」ともいう。）における各要件を満たすことが好ましい。
溶出試験：イソプロパノールを９９．９９質量％以上含有する試験溶剤の質量（単位：ｇ）に対する、容器の質量（単位：ｇ）の質量比が、試験溶剤の液温を２５℃とした場合に、０．１となる条件で、容器を、液温２５℃の試験溶剤に４８時間浸漬する。
（要件１）
上記容器は、以下の要件１を満たすことが好ましい。
要件１：浸漬後の試験溶剤に１種の有機不純物が含有される場合、試験溶剤中の有機不純物の含有量の浸漬前後の増加量が、１０００質量ｐｐｍ以下であり、浸漬後の試験溶剤に２種以上の有機不純物が含有される場合、試験溶剤中の２種以上の有機不純物の合計含有量の浸漬前後の増加量が１０００質量ｐｐｍ以下である。
試験溶剤中の有機不純物の増加量の下限値としては特に制限されず、定量下限にもよるが、一般に、１．０質量ｐｐｑ以上が好ましい。なお、試験溶剤中に２種以上の有機不純物が含有される場合には、合計が上記範囲であることが好ましい。
本明細書において、有機不純物とは、上記試験溶剤中に含有される有機化合物のうち、イソプロパノール以外の有機化合物を意味する。有機不純物の含有量は、ガスクロマトグラフ質量分析装置（製品名「ＧＣＭＳ−ＱＰ２０２０」、島津製作所社製）を用いる。なお、測定条件は、実施例に記載したとおりである。また、特に制限されないが、有機不純物が高分子量化合物の場合には、Ｐｙ−ＱＴＯＦ／ＭＳ（パイロライザー四重極飛行時間型質量分析）、Ｐｙ−ＩＴ／ＭＳ（パイロライザーイオントラップ型質量分析）、Ｐｙ−Ｓｅｃｔｏｒ／ＭＳ（パイロライザー磁場型質量分析）、Ｐｙ−ＦＴＩＣＲ／ＭＳ（パイロライザーフーリエ変換イオンサイクロトロン型質量分析）、Ｐｙ−Ｑ／ＭＳ（パイロライザー四重極型質量分析）、及び、Ｐｙ−ＩＴ−ＴＯＦ／ＭＳ（パイロライザーイオントラップ飛行時間型質量分析）等の手法で分解物から構造の同定や濃度の定量をしても良い。例えば、Ｐｙ−ＱＴＯＦ／ＭＳは島津製作所社製等の装置を用いることができる。
試験溶剤は、イソプロパノールを含有し、その含有量は９９．９９質量％以上であるものを用いる。上記溶剤は、半導体製造用の高純度イソプロパノールとして市販されている。
溶出試験は以下の手順で実施する。試験用容器に、容器と、試験溶剤を収容し、容器の全体を試験溶剤に浸漬させ、試験溶剤の液温が２５℃となり、かつ、試験溶剤が濃縮しないようにして、４８時間維持する。このとき、試験溶剤の質量（ｇ）に対する容器の質量（ｇ）の質量比は、試験溶剤の液温を２５℃とした場合に、１０％である。例えば、試験溶剤１００ｇ（２５℃）に対して、１０ｇの容器を浸漬させる。
溶出試験で使用する試験用容器は、予め、上記試験溶剤を洗浄液として用い、上記洗浄液で洗浄されたものを用いる。また、試験用容器はそれ自体からの有機不純物の溶出がないものを用いることが好ましいが、試験用容器から有機不純物が溶出する可能性がある場合、以下の方法によって、ブランク試験を行い、試験用容器からの有機不純物の溶出量を結果から差し引く。
・ブランク試験
試験用容器に、溶出試験で使用するのと同質量の試験溶剤を収容し、試験溶剤の液温が２５℃となり、かつ、試験溶剤が濃縮しないようにして４８時間維持する。このとき、４８時間経過前後の試験溶剤中における有機不純物の増加量を容器からの溶出量とする。
（要件２）
より優れた本発明の効果を有する点で、容器は、溶出試験における要件２を満たすことが好ましい。
要件２：浸漬後の試験溶剤に１種の金属イオンが含有される場合、１種の金属イオンの含有量の浸漬前後の増加量が、１００質量ｐｐｂであり、浸漬後の試験溶剤に２種以上の金属イオンが含有される場合、２種以上の金属イオンの合計含有量の浸漬前後の増加量が、１００質量ｐｐｂである。
試験溶剤中の金属イオンの増加量の下限値としては特に制限されず、定量下限にもよるが、一般に、１．０質量ｐｐｑ以上が好ましい。なお、試験溶剤中に２種以上の金属イオンが含有される場合には、合計が上記範囲であることが好ましい。
本明細書において金属イオンの含有量は、ＳＰ−ＩＣＰ−ＭＳ法（Ｓｉｎｇｌｅ Ｎａｎｏ Ｐａｒｔｉｃｌｅ Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で測定した金属イオンの含有量を意図する。
ここで、ＳＰ−ＩＣＰ−ＭＳ法において使用される装置は、通常のＩＣＰ−ＭＳ法（誘導結合プラズマ質量分析法）（以下、単に、「ＩＣＰ−ＭＳ」とも言う）において使用される装置と同じであり、データ分析のみが異なる。ＳＰ−ＩＣＰ−ＭＳとしてのデータ分析は、市販のソフトウエアにより実施できる。
ＩＣＰ−ＭＳでは、測定対象とされた金属成分の含有量が、その存在形態に関わらず、測定される。従って、測定対象とされた金属粒子と、金属イオンの合計質量が、金属成分の含有量として定量される。
一方、ＳＰ−ＩＣＰ−ＭＳでは、金属粒子の含有量が測定される。従って、試料中の金属成分の含有量から、金属粒子の含有量を引くと、試料中の金属イオンの含有量を算出することができる。
ＳＰ−ＩＣＰ−ＭＳ法の装置としては例えば、アジレントテクノロジー社製、Ａｇｉｌｅｎｔ ８８００ トリプル四重極ＩＣＰ−ＭＳ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ ｍａｓｓ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ、半導体分析用、オプション＃２００）を用いて、実施例に記載した方法により測定することができる。上記の他に、ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社製 ＮｅｘＩＯＮ３５０Ｓのほか、アジレントテクノロジー社製、Ａｇｉｌｅｎｔ ８９００も挙げられる。
金属イオンの浸漬前後の増加量は具体的には、以下の方法により算出する。
浸漬後の試験溶剤（２５℃）を採取し、金属イオンの含有量ＭＩ２を測定する。このとき、浸漬後の試験溶剤に２種以上の金属イオンが含有される場合には、ＭＩ２は、それらの合計量である。
ここで、予め測定した浸漬前の試験溶剤に含有される金属イオンの含有量ＭＩ１（試験前の試験溶剤に２種以上の金属イオンが含有される場合には、ＭＩ１は、それらの合計量である。）を用いて、金属イオンの浸漬前後における増加量は、ＭＩ２−ＭＩ１と計算される。なお、溶出試験の方法については既に説明したとおりである。
金属イオンの含有量の浸漬前後の増加量が、１００質量ｐｐｂ以下であると、より優れた本発明の効果を有する薬液収容体が得られる。また、金属イオンの含有量の浸漬前後の増加量としては、更に優れた本発明の効果を有する薬液収容体が得られる点で、１．０質量ｐｐｑ〜１質量ｐｐｂが更に好ましい。
（要件３）
より優れた本発明の効果を有する点で、容器は、溶出試験における要件３を満たすことが好ましい。
要件３：浸漬後の試験溶剤に１種の金属粒子が含有される場合、１種の金属粒子の含有量の浸漬前後の増加量が、１００質量ｐｐｂ以下であり、浸漬後の試験溶剤に２種以上の金属粒子が含有される場合、２種以上の金属粒子の合計含有量の浸漬前後の増加量が、１００質量ｐｐｂ以下である。
試験溶剤中の金属粒子の増加量の下限値としては特に制限されず、定量下限にもよるが、一般に、１．０質量ｐｐｑ以上が好ましい。なお、試験溶剤中に２種以上の金属粒子が含有される場合には、合計が上記範囲であることが好ましい。
金属粒子の含有量の測定方法、浸漬前後の増加量の計算方法、及び、溶出試験の方法については既に説明したとおりである。
金属粒子の含有量の浸漬前後の増加量が、１００質量ｐｐｂ以下であると、より優れた本発明の効果を有する薬液収容体が得られる。また、金属粒子の含有量の浸漬前後の増加量としては、更に優れた本発明の効果を有する薬液収容体が得られる点で、１．０質量ｐｐｑ〜１．０質量ｐｐｂが更に好ましい。
（要件４）
より優れた本発明の効果を有する点で、容器は、溶出試験における要件４を満たすことが好ましい。
要件４：浸漬後の試験溶剤に１種のフッ化物イオンが含有される場合、１種のフッ化物イオンの含有量の浸漬前後の増加量が、１０質量ｐｐｍ以下であり、浸漬後の試験溶剤に２種以上のフッ化物イオンが含有される場合、２種以上のフッ化物イオンの合計含有量の浸漬前後の増加量が、１０質量ｐｐｍ以下である。
試験溶剤中のフッ化物イオンの増加量の下限値としては特に制限されず、定量下限にもよるが、一般に、０．００１質量ｐｐｔ以上が好ましい。なお、試験溶剤中に２種以上のフッ化物イオンが含有される場合には、合計が上記範囲であることが好ましい。
浸漬前後の試験溶剤中のフッ化物イオンの含有量の測定は、イオンクロマトグラフ法により行う。イオンクロマトグラフ法は、以下の装置及び条件で行う。
仕様装置：島津製作所製ＨＩＣ−ＳＰサブプレッサイオンクロマトグラ
使用カラム ：イオン交換樹脂 （内径 ４．０ ｍｍ、長さ ２５ ｃｍ）
移動相 ：炭酸水素ナトリウム溶液 （１．７ ｍｍｏｌ／Ｌ） − 炭酸ナトリウム溶液 （１．８ ｍｍｏｌ／Ｌ） 流量 ：１．５ ｍＬ／ｍｉｎ
試料注入量 ：２５ μＬ
カラム温度 ：４０ ℃
サプレッサ ：電気透析形 検出器 ：電気伝導度検出器 （３０ ℃）
（機械特性）
容器を形成する組成物（容器又は被覆層）の機械特性としては特に制限されないが、硬さとしてはＪＩＳ Ｋ６２５３のタイプＤデュロメータで測定した硬さが、Ｄ５５以上が好ましく、６０以上がより好ましい。上限としては特に制限されないが、一般に７０以下が好ましい。
また、引張り強さとしては特に制限されないが、２５ＭＰａ以上が好ましく、３０以上がより好ましい。上限としては特に制限されないが、一般に４０以下が好ましい。
また、熱線膨張係数としては特に制限されないが、１０×１０−５（１／Ｋ）以下が好ましく、１０×１０−３（１／Ｋ）以下がより好ましい。下限としては特に制限されないが、一般に１０×１０−８（１／Ｋ）以上が好ましい。
＜容器の製造方法＞
上記容器は、上記重合体を含有する組成物を、射出成形、ブロー成形、回転成形、及び、トランスファー成形等の溶融成形法によって仮成形し、得られた仮成形体を加熱保持する方法によって得ることができる。
上記組成物は、重合体中にナノカーボン材料を分散させた組成物であってもよい。上記組成物は、公知の方法を用いて調製できる。調製の方法としては、例えば、特開第２００９−１５５４３６号公報、特開第２０１２−１１１６８０号公報、特開第２０１０−２５４５４６号公報、及び、特開第２０１０−１７３８８４号公報等に記載された方法を用いることができる。
組成物を溶融成形法によって仮成形する方法として、射出成形による方法について説明する。射出成形は、公知の射出成形機を用いて実施でき、インラインスクリュー式、及び、プリプランジャー式等いずれの方式であってもよい。射出成形機により仮成形体を得る場合、典型的には、重合体中にナノカーボン材料を分散させた組成物を加熱溶融させ、溶融させた組成物を型締めされた金型（金型を所定量空けておき、充填後に型締めを完了するインジェクションプレス式でもよい。）によって形成されるキャビティに充填し、充填された組成物を冷却して、型開きする方法が挙げられる。
組成物を加熱溶融させる温度（Ｔ０）としては特に制限されず、樹脂の流動性、及び、樹脂の熱分解温度を考慮して適宜設定される。また、金型温度（Ｔ１）としては特に制限されず、得られる仮成形体の寸法安定性、表面平滑性、及び、製造効率等を考慮して適宜設定される。
一般にＴ０は重合体の軟化点（℃）＋５０℃〜＋５００℃の範囲で選択されるのが好ましく、Ｔ１は室温〜３００℃の範囲で選択されるのが好ましい。
その後、仮成形体は加熱保持される。仮成形体を加熱保持することにより、上記仮成形体の表面に、重合体の分子鎖末端が局在化しやすい。この傾向は、重合体が含フッ素重合体である場合、より顕著である。更に、含フッ素重合体が、その分子鎖末端がパーフルオロアルキル基で置換処理された処理済み含フッ素重合体である場合、上記傾向は更に顕著である。上記加熱保持処理によって、表面におけるナノカーボン材料と重合体の存在比が変化する。
仮成形体を加熱保持する際の温度（Ｔ２、単位℃）は、Ｔ１＜Ｔ２を満たす。Ｔ２の上限としては特に制限されないが、Ｔ２＜Ｔ０が好ましい。加熱保持の時間としては容器の形状、大きさ、及び、容器の厚み等によって適宜選択すればよいが、一般に０．１〜３時間である。
その後、上記の加熱処理後の仮成形体は、冷却され容器が形成される。加熱処理後の容器を冷却する温度及び冷却速度を制御することにより、結果として容器を形成する組成物の結晶化度を調整することができる。
重合体の溶融粘度が高く、溶融成形法によって成形することが難しい場合（例えば、重合体がポリテトラフルオロエチレン等の場合）、上記組成物を圧縮成形、ラム押出成形、ペースト押出成形、及び、アイソスタティック成形等の粉体成形法によって仮成形し、得られた仮成形体を加熱保持した後、焼成する方法を用いることもできる。
組成物を粉体成形法によって仮成形する方法として、圧縮成形による方法について説明する。圧縮成形の方法としては特に制限されないが、典型的には、以下の工程を有することが好ましい。
・予備成形工程 内部に容器の形状に対応したキャビティを形成可能な金型に、組成物を充填し、圧縮して仮成形体を形成する工程
・焼成工程 上記で得られた仮成形体を、組成物中の重合体の融点以上の温度で加熱して基体を形成する工程
・冷却工程 上記で得られた基体を冷却して、容器を得る工程
予備成形工程は、組成物に含有される各成分を所定の形状に押し固め、緻密な仮成形体を得る工程である。組成物の形態としては特に制限されないが、粉末状（いわゆるモールディングパウダ状）であることが好ましい。
予備成形工程における金型温度Ｔ３（単位：℃）としては特に制限されないが、一般に室温〜室温＋３００℃が好ましい。上記予備成形工程は、クラス１０００のクリーンルーム内で実施することが好ましい。
Ｔ３が高すぎるとナノカーボン材料が容器の表面に局在化しやすくなり、結果的にＭ１が大きく、Ｍ２が小さくなりやすい。また、Ｔ３が高すぎると、Ｘ１が小さく、Ｘ２が大きくなりやすい。その結果、得られた容器の表面から、容器内に収容された液体（例えば、薬液、及び、試験溶剤等）へ有機不純物、金属イオン、及び／又は、金属粒子が溶出しやすくなる傾向がある。
一方、Ｔ３が低すぎる場合、ナノカーボン材料が拡散しにくく、結果として、容器の表面におけるナノカーボン材料の相対的な含有量が厚み方向の内部領域と比較して低くなりやすいため、結果的にＭ１が小さく、Ｍ２が大きくなりやすい。また、Ｔ３が低すぎる場合、Ｘ１が大きく、Ｘ２が小さくなりやすい。その結果、得られた容器の表面から、容器内に収容された液体（例えば、薬液、及び、試験溶剤等）へ有機不純物、金属イオン、及び／又は、金属粒子が溶出しにくくなる傾向がある。
より具体的には、金型温度Ｔ３（℃）としては、重合体がポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）である場合には、７０〜３００℃が好ましく、８０〜２５０℃がより好ましく、９０〜２００℃が更に好ましく、９０〜１９０℃が特に好ましく、９０〜１６０℃が最も好ましい。
焼成工程は、予備成形物中の成分（特に重合体）を融着して一体の基体を得る工程である。焼成時の加熱温度Ｔ４（単位：℃）としては、重合体の融点以上が好ましい。なかでも、より優れた本発明の効果を有する薬液収容体が得られる点で、Ｔ３＜Ｔ４を満たすことがより好ましい。Ｔ４の上限としては特に制限されないが、一般に、重合体の融点＋１００℃以下が好ましい。また、加熱保持の時間としては仮成形体の形状、大きさ、及び、仮成形体の厚み等によって適宜選択すればよいが、一般に０．１〜３時間が好ましい。焼成には熱風循環炉を用いることができる。上記焼成工程は、クラス１０００のクリーンルーム内で実施することが好ましい。
Ｔ４が高すぎるとナノカーボン材料が容器の表面に局在化しやすくなり、結果的にＭ１が大きく、Ｍ２が小さくなりやすい。また、Ｔ４が高すぎると、Ｘ１が小さく、Ｘ２が大きくなりやすい。その結果、得られた容器の表面から、容器内に収容された液体（例えば、薬液、及び、試験溶剤等）へ有機不純物、金属イオン、及び／又は、金属粒子が溶出しやすくなる傾向がある。
一方、Ｔ４が低すぎる場合、ナノカーボン材料が拡散しにくく、結果として、容器の表面におけるナノカーボン材料の相対的な含有量が厚み方向の内部領域と比較して低くなりやすいため、結果的にＭ１が小さく、Ｍ２が大きくなりやすい。また、Ｔ４が低すぎる場合、Ｘ１が大きく、Ｘ２が小さくなりやすい。その結果、得られた容器の表面から、容器内に収容された液体（例えば、薬液、及び、試験溶剤等）へ有機不純物、金属イオン、及び／又は、金属粒子が溶出しにくくなる傾向がある。
より具体的には、加熱温度Ｔ４（℃）としては、重合体がＰＴＦＥである場合には、３００〜４５０℃が好ましく、３５０〜４２０℃がより好ましく、３６０〜４１０℃が更に好ましい。
冷却工程は、上記で得られた基体を冷却し、容器を得る工程である。冷却速度等を制御することで、容器中の組成物の結晶化度を制御することができ、結果として所定の要件Ａを満たす容器が得られる。冷却方法としては、例えば、空冷が挙げられ、その際には不純物の混入を防止するため、クラス１０００のクリーンルーム内で実施することが好ましい。冷却速度としては特に制限されないが、一般に１０〜３００℃／分が好ましく、冷却温度としては２０〜２５０℃が好ましい。
また、冷却時の環境温度（雰囲気温度）としては特に制限されないが、より優れた本発明の効果を有する容器が得られる点で、５０〜１５０℃が好ましい。
以下に実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、及び、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。
［薬液収容体の製造］
〔薬液の調製〕
表１に記載した各有機溶剤を含有し、調製直後の不純物の含有量が表１に示したとおりである薬液を調製した。
なお、各薬液は、表１に示す、購入した市販品の各薬液を「フィルター１」〜「フィルター３」欄に記載のフィルターを通して濾過して製造した。
なお、上記欄に記載の「ＰＴＦＥ ５０ｎｍ」は孔径５０ｎｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルターを意味し、「ＰＴＦＥ ２０ｎｍ」は孔径２０ｎｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルターを意味し、「ＰＴＦＥ １０ｎｍ」は孔径１０ｎｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルターを意味し、「ＰＴＦＥ ５ｎｍ」は孔径５ｎｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルターを意味する。
なお、各実施例及び比較例にて使用するフィルターは、「事前洗浄」欄に記載の方法で、事前に洗浄した。「事前洗浄」欄の「１」はフィルターをＰＧＭＥＡ（３０℃）中に浸漬させて、超音波処理（出力：１００Ｗ）を１時間実施したことを意味し、「２」はフィルターをＰＧＭＥＡ（２５℃）中に浸漬させて、超音波処理（出力：１００Ｗ）を１時間実施したことを意味し、「３」はフィルターをＰＧＭＥＡ（３０℃）中に１週間浸漬させたことを意味し、「４」はフィルターをＰＧＭＥＡ（３０℃）中に３日間浸漬させたことを意味し、「５」はフィルターをＰＧＭＥＡ（３０℃）中に浸漬させて、超音波処理（出力：５０Ｗ）を１時間実施したことを意味し、「６」はフィルターをＩＰＡ（３０℃）中に２週間浸漬させたことを意味し、「７」はフィルターをＩＰＡ（３０℃）中に１週間浸漬させたことを意味し、「８」はフィルターをＩＰＡ（３０℃）中に３日間浸漬させたことを意味する。
なお、表中「３⇒１」は、上記「３」の洗浄を実施した後、「１」の洗浄を実施したことを意味する。
表１中の略号は以下の有機溶剤を表す。
・ＰＧＭＭ：プロピレングリコールモノメチルエーテル
・ＰＧＭＥ：プロピレングリコールモノエチルエーテル
・ＰＧＭＰ：プロピレングリコールモノプロピルエーテル
・ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
・ＥＬ：乳酸エチル
・ＭＰＭ：メトキシプロピオン酸メチル
・ＣｙＰｎ：シクロペンタノン
・ＣｙＨｅ：シクロヘキサノン
・γＢＬ：γ−ブチロラクトン
・ＤＩＡＥ：ジイソアミルエーテル
・ｎＢＡ：酢酸ブチル
・ｉＡＡ：酢酸イソアミル
・Ｈｅｘａｎｅ：ヘキサン
・ＭＡＫ：２−ヘプタノン
・ＩＰＡ：イソプロパノール
・ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ（ｖ／ｖ＝７／３）：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノエチルエーテル（体積比）
〔組成物の準備〕
表１の「容器」欄に記載した重合体、ナノカーボン材料、及び、界面活性剤を、表１に記載した組成となるよう、混合して組成物を得た。
・ＰＴＦＥ：ポリテトラフルオロエチレン（ダイキン社製）
・ＰＦＡ：パーフルオロアルコキシアルカン（ダイキン社製）
・ＨＤＰＥ：高密度ポリエチレン（三菱ケミカル社製）
・ＰＰ：ポリプロピレン（住友精化社製）
なお、重合体のうち、ＰＦＡについて、表面修飾「あり」としたものは、末端化フッ素処理によって容器表面を−ＣＦ３で修飾したものを使用したことを表す。
このとき、使用した界面活性剤は以下のとおりである。なお、（数値）はＬｏｇＰｏｗを表す。
・１：ＣＦ３（ＣＦ２）４ＣＯＯＨ （３．１５）
・２：ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＯＨ （４．９８）
・３：ＣＦ３ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＯＨ （６．３７）
・４：ＣＦ３ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＯＯＨ （６．２９）
・５：ＣＦ３（ＣＦ２）６ＣＯＯＨ （３．６２）
〔容器の形成〕
表１の各欄に重合体、ナノカーボン材料、及び、界面活性剤を含有する組成物を用いて、射出成型又は圧縮成型により、仮成形体を得た。このときの成形用金型の温度を表１の「金型温度（℃）」に示した。なお、後述する表中の「成形方法」欄の「種類」欄の「１」は「射出成型」を行った場合を表し、「２」は「圧縮成型」を行った場合を表す。
次に、上記により得られた仮成形体に、厳密な温湿度管理のもと、表１の「加熱処理温度（℃）」に記載した温度で、焼成炉を用いて熱処理して基体を得た。次に、基体を、表１の「冷却温度（℃）」に記載した雰囲気温度で冷却し、容器を得た。上記で得られた容器に、表１の「薬液」欄に記載した有機溶剤を含有する薬液を収容し、薬液収容体を得た。なお、調製時の薬液中に含有される不純物の含有量は表１に示したとおりである。
なお、ＰＰおよびＨＤＰＥに関しては、その材料で容器を作製した。
〔Ｍ１及びＭ２の測定〕
Ｍ１は、原子間力赤外分光法（ＡＦＭ-ＩＲ、米国アナシスインスツルメント社製「ｎａｎｏＩＲ１」）を用いて測定した。測定条件は波長可変レーザを用いて９００〜３６００ｃｍ−１までをスキャニングした。
Ｍ２は、散乱型近接場顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて以下の方法により測定した。
スキャンエリア １０ｕｍ×１０ｕｍ
開口部径 ８０ｎｍ
近接場光距離 ＜１００ｎｍ
測定点１０点
ピクセルサイズ：２０ｎｍ
取得時間／点：８０ｓ
〔Ａ１、Ａ２、Ｘ１、及び、Ｘ２の測定〕
Ａ１、Ａ２、Ｘ２、及び、Ｘ１は飛行時間二次イオン質量分析計（ＩＯＮ−ＴＯＦ社製、商品名「ＴＯＦ−ＳＩＭＳ５」）を用いて、以下の条件により測定した。
一次イオン：Ｂｉ３ ２＋
一次イオン加速電圧：２５ｋＶ
測定面積：５００μｍ角
測定温度：−１００℃以下
エッチングは、Ａｒ−ＧＣＩＢ（Ａｒのガスクラスターイオンビーム）を照射し、一次イオン源としてＢｉ３＋を照射し、得られる二次イオンを飛行時間型の質量分析器を用いて分析し、スペクトルを得た。
上記測定方法にて得られる測定値はａｔｏｍ／ｃｍ２である為、この数値よりモル数を算出し、原子数（分子数）をかけることで質量に変換した。
Ａｒ−ＧＣＩＢ投入圧：３ＭＰａ
測定面：１５０μｍ角
測定モード：高質量分解能
得られた容器について、以下の方法により溶出試験を実施し、その結果を表１に示した。
〔溶出試験〕
上記で作製した各容器を、質量基準で１０倍（単位：ｇ／ｇ）のイソプロパノールを９９．９９質量％以上含有する試験溶剤（ＦＵＪＩＦＩＬＭ Ｕｌｔｒａ Ｐｕｒｅ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ社製）に液温２５℃で４８時間浸漬した。浸漬前後の試験溶剤に含有される各不純物の含有量の増加量について以下の方法により測定し、結果を表１に示した。
（金属粒子、金属イオン）
測定には、Ａｇｉｌｅｎｔ ８８００ トリプル四重極ＩＣＰ−ＭＳ（半導体分析用、オプション＃２００）を用いた。測定結果をもとに、金属粒子及び金属イオンの含有量をそれぞれ求めた。
・測定条件
サンプル導入系は石英のトーチと同軸型ＰＦＡ（パーフルオロアルコキシアルカン）ネブライザ（自吸用）、及び、白金インターフェースコーンを使用した。クールプラズマ条件の測定パラメータは以下のとおりである。
・ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）出力（Ｗ）：６００
・キャリアガス流量（Ｌ／ｍｉｎ）：０．７
・メークアップガス流量（Ｌ／ｍｉｎ）：１
・サンプリング深さ（ｍｍ）：１８
（有機不純物）
測定には、ガスクロマトグラフ質量分析装置（製品名「ＧＣＭＳ−２０２０」、島津製作所社製、測定条件は以下のとおり）を用いた。
（測定条件）
キャピラリーカラム：ＩｎｅｒｔＣａｐ ５ＭＳ／ＮＰ ０．２５ｍｍＩ．Ｄ． ×３０ｍ ｄｆ＝０．２５μｍ
試料導入法：スプリット ７５ｋＰａ 圧力一定
気化室温度 ：２３０℃
カラムオーブン温度：８０℃（２ｍｉｎ）−５００℃（１３ｍｉｎ）昇温速度１５℃／ｍｉｎ
キャリアガス：ヘリウム
セプタムパージ流量：５ｍＬ／ｍｉｎ
スプリット比：２５：１
インターフェイス温度：２５０℃
イオン源温度：２００℃
測定モード：Ｓｃａｎ ｍ／ｚ＝８５〜５００
試料導入量：１μＬ
〔ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｓｔａｔｉｃ−Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）抑制性能〕
薬液収容体の帯電のしにくさは、以下の方法により測定したＥＳＤ抑制性能により評価した。薬液収容体に薬液を充填した後に、この容器に蓋をし、「ふるい振とう機」による上下運動を３０回／分の条件にて１時間振とうさせた。その後、容器上に静電気が溜まり、それがスパークを起こして容器にピンホール、又は、クラックが発生する程度を目視で調査した。
「ＡＡ」：容器は破損せず、容器にはクラック、及び／又は、ピンホールの原因になる傷が確認されなかった。
「Ａ」：容器は破損しなかったが、容器にはクラック、及び／又は、ピンホールの原因になる浅い傷が確認された。
「Ｂ」：容器は破損しなかったが、容器にはクラック、及び／又は、ピンホールの原因になる浅い傷が多数確認された。
「Ｃ」：容器は破損しなかったが、容器にはクラック、及び／又は、ピンホールの原因になる深い傷が確認された。
「Ｄ」：容器は破損しなかったが、容器にはクラック、及び／又は、ピンホールの原因になる深い傷が多数確認された。
「Ｅ」：容器に破損箇所が確認された。
〔薬液の欠陥抑制性能の評価〕
まず、直径３００ｍｍのシリコン酸化膜基板を準備した。
次に、ウェハ上表面検査装置（ＳＰ−５；ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ製）を用いて、上記基板上に存在する直径３２ｎｍ以上のパーティクル（以下、これを「欠陥」という。）数を計測した（これを初期値とする。）。次に、上記基板をスピン吐出装置にセットし、基板を回転させながら、基板の表面に対して、各薬液を１．５Ｌ／分の流速で吐出した。その後、基板をスピン乾燥した。
次に、上記装置（ＳＰ−５）を用いて、薬液塗布後の基板に存在する欠陥数を計測した（これを計測値とする。）。次に、初期値と計測値の差を（計測値−初期値）を計算した。得られた結果は下記の基準に基づいて評価した。
上記試験を調製直後の薬液について実施し、「初期欠陥抑制性能」として、調製後、上記容器内で、２５℃で１ヶ月経過した後の薬液についても実施し、「１ヶ月保管後の欠陥抑制性能」として、それぞれ結果を表１に示した。
「ＡＡ」：欠陥数の初期値と計測値の差が１００個以下だった。
「Ａ」：欠陥数の初期値と計測値の差が１００個を超え、３００個以下だった。
「Ｂ」：欠陥数の初期値と計測値の差が３００個を超え、５００個以下だった。
「Ｃ」：欠陥数の計測値−初期値の差が５００個を超え、１０００個以下だった。
「Ｄ」：欠陥数の計測値−初期値の差が１０００個を超え、１５００個以下だった。
「Ｅ」：欠陥数の計測値−初期値の差が１５００個を超えた。
〔１ヶ月経過後の薬液中の不純物含有量〕
調製後、上記容器内で、２５℃で１ヶ月経過した後の薬液中に含有される金属イオン、金属粒子、及び、有機不純物の含有量を上記の方法により測定し、結果を表１に示した。
なお、実施例においては、容器の接液部の全表面において各実施例のＭ１、Ｍ２、Ａ１、Ａ２、Ｘ１、及び、Ｘ２の値を示した。
また、後述する表中の化合物１〜４、化合物８〜１４、化合物２３〜２５、化合物２８〜３３は、以下の化合物を意図する。
なお、化合物１の沸点は６８３℃であり、化合物２の沸点は７０２℃であり、化合物３の沸点は７２０℃であり、化合物４の沸点は６５２℃であった。
化合物８および化合物９中のＬ１中の＊は、結合位置を表す。
表中の「比率」欄は、金属成分の含有量に対する、一般式（Ｉ）〜一般式（ＩＶ）で表される化合物の合計含有量の比を表す。
表１中、各実施例及び比較例に係るデータは、表１［その１］＜１＞〜＜７＞、表１［その２］＜１＞〜＜７＞、及び、表１［その３］＜１＞〜＜７＞の各行にわたって示した。例えば、実施例１においては、表１［その１］＜１＞に示すように、有機溶剤としてＰＧＭＭを用いて、表１［その１］＜２＞に示すように、薬液中の一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量が９６質量ｐｐｔであり、表１［その１］＜３＞に示すように、容器の作成に用いたナノカーボン材料の長径が１００μｍであり、表１［その１］＜４＞に示すように、容器の作製に用いた界面活性剤の種類は「１」であり、表１［その１］＜５＞に示すように、容器の成形方法の種類は「１」であり、表１［その１］＜６＞に示すように、容器の「溶出試験：浸漬前後の不純物の増加量」が３．０質量ｐｐｔであり、表１［その１］＜７＞に示すように、ＥＳＤ性能は「Ａ」である。その他の実施例、及び、比較例についても同様である。
実施例６６〜８１の比較から、一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量は、０．１〜５００００質量ｐｐｔが好ましく、０．１〜５０００質量ｐｐｔがより好ましい。また、一般式（ＩＩ）〜一般式（ＩＶ）で表される化合物の含有量は、０．０１〜５００００質量ｐｐｔが好ましい。
表１に示した結果から、カーボンナノチューブの長径が０．０１〜１０００μｍである、実施例１の薬液収容体は、実施例１９の薬液収容体と比較して、１ヶ月保管後も、薬液の欠陥抑制性能がより優れた状態で維持されていた。
また、表１に示した結果から、界面活性剤の含有量が、組成物の全質量に対して０．００１〜０．５質量％である、実施例１の薬液収容体は、実施例２３の薬液収容体と比較して、１ヶ月保管後も、薬液の欠陥抑制性能がより優れた状態で維持されていた。
また、表１に示した結果から、Ｘ１が０．５０〜３．０である、実施例１の薬液収容体は、実施例３４の薬液収容体と比較して、より優れたＥＳＤ性能を有し、かつ、１ヶ月保管後も、薬液の欠陥抑制性能がより優れた状態で維持されていた。
１０、２０ 蓋付き容器
１１ 容器
１２ 蓋
１３ 口部
１４ 側部
１５ 内壁面
１６ 外壁面
２１ 基材
２２ 被覆層
２３ 外側表面

Claims (21)

  1. ２５℃における導電率が１０−５Ｓ／ｍ以下の有機溶剤、および、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する薬液であって、
    前記一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量が、薬液全質量に対して、０．１０質量ｐｐｔ〜１０００００質量ｐｐｔである、薬液。

    一般式（Ｉ）中、Ｒ１ａ及びＲ１ｃは、それぞれ独立に、置換基を含有していてもよいアルキル基を表す。
    Ｒ１ｂは、置換基を含有していてもよいアルキレン基を表す。
  2. 前記一般式（Ｉ）で表される化合物の沸点が、３００℃以上である、請求項１に記載の薬液。
  3. 前記一般式（Ｉ）で表される化合物が２種以上含有される、請求項１又は２に記載の薬液。
  4. さらに、一般式（ＩＩ）〜一般式（ＩＶ）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種の有機化合物を含有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の薬液。

    一般式（ＩＩ）中、Ｒ２ａは、置換基を有していてもよいアルキル基又は水素原子を表す。
    Ｒ２ｂ及びＲ２ｃは、それぞれ独立に、水素原子、−ＡＬ−Ｏ−Ｒ２ｄ、−ＣＯ−Ｒ２ｅ、又は、−ＣＨ（ＯＨ）−Ｒ２ｆを表す。
    ＡＬは置換基を含有していてもよいアルキレン基を表す。
    Ｒ２ｄ、Ｒ２ｅ、又は、Ｒ２ｆは、それぞれ独立に、置換基を表す。
    Ｒ２ｄが複数存在する場合、複数存在するＲ２ｄそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ２ｅが複数存在する場合、複数存在するＲ２ｅそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ２ｆが複数存在する場合、複数存在するＲ２ｆそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
    Ｒ２ａ、Ｒ２ｄ、Ｒ２ｅ、及び、Ｒ２ｆからなる群から選択される２つの組み合わせ、２つのＲ２ｄ同士、２つのＲ２ｅ同士、又は、２つのＲ２ｆ同士は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ２ａ、Ｒ２ｂ、又は、Ｒ２ｃのうち、少なくとも１つは水素原子以外である。
    一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ３ａ及びＲ３ｂは、それぞれ独立に、置換基を含有していてもよいアルキル基を表す。
    一般式（ＩＶ）中、Ｒ４ａ〜Ｒ４ｃは、それぞれ独立に、水素原子、置換基を含有していてもよいアルキル基、又は、置換基を含有していてもよいベンゼン環基を表す。
  5. 前記有機化合物の合計含有量が、薬液全質量に対して、０．１質量ｐｐｔ〜１０００００質量ｐｐｔである、請求項４に記載の薬液。
  6. さらに、金属成分を含有し、
    前記金属成分の含有量が、薬液全質量に対して、０．０１〜５００質量ｐｐｔである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の薬液。
  7. さらに、金属成分を含有し、
    前記金属成分の含有量に対する、前記一般式（Ｉ）〜一般式（ＩＶ）で表される化合物の合計含有量の比が、０.００００１〜１０である、請求項４又は５に記載の薬液。
  8. 前記有機溶剤が、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、および、４−メチル−２−ペンタノールからなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の薬液。
  9. 容器と、前記容器に収容された請求項１〜８のいずれか一項に記載の薬液とを有する薬液収容体。
  10. 前記容器が、ポリエチレン、ポリプロピレン、および、フッ素原子を含有する重合体からなる群から少なくとも一項を含有する、請求項９に記載の薬液収容体。
  11. 前記容器が、フッ素原子を含有する重合体を含有し、
    少なくとも、前記容器の一部の表面において、飛行時間型二次イオン質量分析法で測定した、炭素原子の含有原子数に対するフッ素原子の含有原子数の含有原子数比Ｘ１が、０．５０〜３．０であり、
    前記表面を基準として、前記容器の厚さ方向に１０ｎｍの位置において、飛行時間型二次イオン質量分析法で測定した炭素原子の含有原子数に対するフッ素原子の含有原子数の含有原子数比Ｘ２が、Ｘ１＞Ｘ２を満たす、請求項９又は１０に記載の薬液収容体。
  12. 前記フッ素原子を含有する重合体が、ポリテトラフルオロエチレン、パーフルオロアルコキシアルカン、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体、エチレン・四フッ化エチレン共重合体、エチレン・クロロトリフルオロエチレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、及び、ポリフッ化ビニルからなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１０又は１１に記載の薬液収容体。
  13. 前記容器が、以下の試験における要件１を満たす、請求項９〜１２のいずれか一項に記載の薬液収容体。
    試験：イソプロパノールを９９．９９質量％以上含有する試験溶剤の質量に対する、前記容器の質量の質量比が、前記試験溶剤の液温を２５℃とした場合に、０．１となる条件で、前記容器を、液温２５℃の前記試験溶剤に４８時間浸漬する。
    要件１：浸漬後の前記試験溶剤に１種の有機不純物が含有される場合、前記試験溶剤中の有機不純物の含有量の浸漬前後の増加量が、１０００質量ｐｐｍ以下であり、浸漬後の前記試験溶剤に２種以上の有機不純物が含有される場合、前記試験溶剤中の２種以上の有機不純物の合計含有量の浸漬前後の増加量が、１０００質量ｐｐｍ以下である。
  14. 前記容器が、以下の試験における要件２を満たす、請求項９〜１３のいずれか一項に記載の薬液収容体。
    試験：イソプロパノールを９９．９９質量％以上含有する試験溶剤の質量に対する、前記容器の質量の質量比が、前記試験溶剤の液温を２５℃とした場合に、１．０となる条件で、前記容器を、液温２５℃の前記試験溶剤に４８時間浸漬する。
    要件２：浸漬後の前記試験溶剤に１種の金属イオンが含有される場合、前記試験溶剤中の金属イオンの含有量の浸漬前後の増加量が、１００質量ｐｐｂ以下であり、浸漬後の前記試験溶剤に２種以上の金属イオンが含有される場合、前記試験溶剤中の２種以上の金属イオンの合計含有量の浸漬前後の増加量が、１００質量ｐｐｂ以下である。
  15. 前記容器が、以下の試験における要件３を満たす、請求項９〜１４のいずれか一項に記載の薬液収容体。
    試験：イソプロパノールを９９．９９質量％以上含有する試験溶剤の質量に対する、前記容器の質量の質量比が、前記試験溶剤の液温を２５℃とした場合に、１．０となる条件で、前記容器を、液温２５℃の前記試験溶剤に４８時間浸漬する。
    要件３：浸漬後の前記試験溶剤に１種の金属粒子が含有される場合、前記試験溶剤中の金属粒子の含有量の浸漬前後の増加量が、１００質量ｐｐｂ以下であり、浸漬後の前記試験溶剤に２種以上の金属粒子が含有される場合、前記試験溶剤中の２種以上の金属粒子の合計含有量の浸漬前後の増加量が、１００質量ｐｐｂ以下である。
  16. 前記容器がフッ素原子を含有する重合体と、ナノカーボン材料とを含有する組成物を用いて形成され、
    少なくとも、前記容器の一部の表面において、原子間力赤外分光法によって求められる１５００〜１８００ｃｍ−１の範囲に確認されるＣ＝Ｃ伸縮振動によるピークの積分強度をＩ１、２８００〜３５００ｃｍ−１の範囲に確認されるＣ−Ｈ伸縮振動によるピークの積分強度をＩ２としたとき、式（１）：Ｍ１＝Ｉ１／（Ｉ１＋Ｉ２）で表されるＭ１が、０．０５〜０．５である、請求項９〜１５のいずれか一項に記載の薬液収容体。
  17. 少なくとも、前記容器の一部の表面において、
    飛行時間型二次イオン質量分析法で測定した、炭素原子の含有原子数に対するフッ素原子の含有原子数の含有原子数比Ｘ１が、０．５０〜３．０であり、
    散乱型近接場顕微鏡によって求められる１５００〜１８００ｃｍ−１の範囲に確認されるＣ＝Ｃ伸縮振動によるピークの積分強度をＩ３、２８００〜３５００ｃｍ−１の範囲に確認されるＣ−Ｈ伸縮振動によるピークの積分強度をＩ４としたとき、式（３）：Ｍ２＝Ｉ３／（Ｉ３＋Ｉ４）で表されるＭ２が、式（４）：Ｍ１＜Ｍ２を満たす、請求項１６に記載の薬液収容体。
  18. 前記ナノカーボン材料の含有量が、前記組成物の全質量に対して、０．００１〜０．５質量％である、請求項１６又は１７に記載の薬液収容体。
  19. 前記ナノカーボン材料がカーボンナノチューブである、請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の薬液収容体。
  20. 前記カーボンナノチューブの長径が０．０１〜１０００μｍである、請求項１９に記載の薬液収容体。
  21. 前記薬液収容体が、更に、前記容器にかぶせられる蓋を有する、請求項９〜２０のいずれか一項に記載の薬液収容体。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7324855B2 (ja) * 2019-09-27 2023-08-10 富士フイルム株式会社 プリウェット液、レジスト膜形成方法、パターン形成方法、キット

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6733637B1 (en) * 2000-06-02 2004-05-11 Exxonmobil Chemical Patents Inc. Process for producing ultra-high purity isopropanol
JP6075124B2 (ja) * 2012-03-15 2017-02-08 Jsr株式会社 現像液の精製方法
JP5728517B2 (ja) * 2013-04-02 2015-06-03 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の製造方法、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
JP6404056B2 (ja) 2014-09-29 2018-10-10 東京応化工業株式会社 半導体フォトリソグラフィー用薬液の精製方法、半導体フォトリソグラフィー用薬液の精製装置、及び半導体フォトリソグラフィー用薬液
JP2016073922A (ja) * 2014-10-07 2016-05-12 信越化学工業株式会社 有機溶剤の精製装置
JP2015084122A (ja) 2015-01-08 2015-04-30 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液
KR102126215B1 (ko) 2016-04-08 2020-06-24 후지필름 가부시키가이샤 처리액, 그 제조 방법, 패턴 형성 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법
JP6794462B2 (ja) * 2016-09-28 2020-12-02 富士フイルム株式会社 薬液、薬液収容体、薬液の製造方法、及び、薬液収容体の製造方法
JP6858855B2 (ja) * 2017-07-05 2021-04-14 富士フイルム株式会社 部材、容器、薬液収容体、薬液の精製装置、製造タンク

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