JP6832038B6 - 光通信アセンブリ - Google Patents

Description

この開示は、一般に、光通信を提供するように構成された光学及び光電子アセンブリ及びサブアセンブリに関する。

光通信は、光から電気、及び電気から光の変換を伴う。光及び光電子コネクターは、電気通信ネットワーク、ローカルエリアネットワーク、データセンターリンク、高性能コンピュータの内部リンクなど様々な用途における光通信のために使用され得る。現在、光通信を、より小さな消費者用電子機器、例えばラップトップコンピュータ、及び更には携帯電話の内部の用途に広げることに関心が持たれている。拡大ビーム（expanded beam）が、これらのシステムのためのコネクタで使用されることがあり、この拡大ビームは、ダスト及び他の形態の汚染に対する感度がより低く、位置合わせ許容誤差が緩和され得る光接続を提供する。一般に拡大ビームは、関連する光導波路（通常光ファイバー、例えばマルチモード通信システム用マルチモードファイバー）のコアよりも、直径が大きなビームである。コネクタは一般に、接続点に拡大ビームがある場合、拡大ビームコネクタであると考えられる。拡大ビームは、典型的には、光源又は光ファイバーからの光ビームを発散させることにより得られる。多くの場合、発散ビームは、光学素子、例えばレンズ又は鏡により、ほぼコリメートされた拡大ビームに加工される。拡大ビームはその後、別のレンズ又は鏡によるビームの集束（focusing）によって受け入れられる。

いくつかの実施形態は、光通信サブアセンブリに向けられている。光通信サブアセンブリは、１つ以上の光電子デバイス、及び１つ以上の光学素子を含む。それぞれの光学素子は、入射光を受け入れるように構成された入力側、及び出射光を出力するように構成された出力側を有し、出射光の発散を入射光の発散に対して変化させるように構成されている。それぞれの光学素子は、対応する光電子デバイスから離間されると共に、この対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせされる。光通信サブアセンブリは、トランシーバー光結合ユニット（transceiver light coupling unit）を更に含む。トランシーバー光結合ユニットは、光導波路に取り付けられたコネクタ光結合ユニットとの嵌合のために構成された嵌合面を有する。コネクタ光結合ユニットの嵌合方向は、トランシーバー光結合ユニットの嵌合面と角度を形成しており、もって、コネクタ光結合ユニットがトランシーバー光結合ユニットと嵌合するときに、コネクタ光結合ユニットの嵌合方向とトランシーバー光結合ユニットの嵌合面との間の角度によって、光導波路が屈曲するようになっている。

いくつかの実施形態は、光通信アセンブリに向けられている。光通信アセンブリは、コネクタ光結合ユニットを備える光コネクタを含む。コネクタ光結合ユニットは、複数の導波路と複数の光方向転換素子（light redirecting element）との間で光を結合するように構成されている。それぞれの光方向転換素子は、コア直径を有する対応する光導波路に光学的に結合され、光方向転換素子は、光導波路から現れる光を方向付けるように構成されており、もって、この方向付けられた光ビームが、光導波路のコア直径を超える直径を有するようになっている。光通信アセンブリは、電気エネルギーと光エネルギーとの間の変換を提供するように構成された複数の光電子デバイスを含む。光通信アセンブリは、複数の光学素子であって、それぞれの光学素子が、光学素子を通過する光の発散を変化させるように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスに光学的に結合される、光学素子を含む。トランシーバー光結合ユニットは、コネクタ光結合ユニットとの嵌合のために、かつコネクタ光結合ユニットと複数の光電子デバイスとの間で光を結合するように構成されている。光コネクタの嵌合方向は、トランシーバー光結合ユニットの嵌合面と角度を形成しており、もって、コネクタ光結合ユニットがトランシーバー光結合ユニットと嵌合するときに、光コネクタの嵌合方向とトランシーバー光結合ユニットの嵌合面との間の角度によって、複数の光導波路が屈曲するようになっている。

いくつかの実施形態では、光通信アセンブリは、コネクタ光結合ユニットを備える光コネクタであって、コネクタ光結合ユニットが、複数の導波路と複数の光方向転換素子との間で光を結合するように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、コア直径を有する対応する光導波路に光学的に結合され、光方向転換素子が、光導波路から現れる光を方向付けるように構成されており、もって、方向付けられた光ビームが、光導波路のコア直径を超える直径を有するようになっている、光コネクタを含む。複数の光電子デバイスは、電気エネルギーと光エネルギーとの間の変換を提供するように構成されている。光通信アセンブリは、複数の光学素子であって、それぞれの光学素子が、光学素子を通過する光の発散を変化させるように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスに光学的に結合されている、光学素子を含む。トランシーバー光結合ユニットは、コネクタ光結合ユニットとの嵌合のために、かつコネクタ光結合ユニットと複数の光電子デバイスとの間で光を結合するように構成されている。コネクタ光結合ユニットが嵌合面を有し、トランシーバー光結合ユニットが対応する嵌合面を有しており、もって、コネクタ光結合ユニットとトランシーバー光結合ユニットとの間で嵌合が起こるときに、コネクタ光結合ユニットの嵌合面が最初にトランシーバー光結合ユニットの嵌合面と線接触を形成した後、コネクタ光結合ユニットが回転してトランシーバー光結合ユニットと面接触を形成し、この回転によって複数の光導波路が屈曲するようになっている。

いくつかの実施形態は、光通信アセンブリに向けられており、この光通信アセンブリは、コネクタ光結合ユニットを備える光コネクタであって、コネクタ光結合ユニットが、複数の導波路と複数の光方向転換素子との間で光を結合するように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、コア直径を有する対応する光導波路に光学的に結合され、光方向転換素子が、光導波路から現れる光を方向付けるように構成されており、もって、方向付けられた光ビームが、光導波路のコア直径を超える直径を有するようになっている、光コネクタを含む。光通信アセンブリは、複数の光電子デバイス、及び複数の光学素子を含む。それぞれの光学素子は、光学素子を通過する光の発散を変化させるように構成されている。それぞれの光方向転換素子は、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスに光学的に結合されている。トランシーバー光結合ユニットは、コネクタ光結合ユニットとの嵌合のために、かつコネクタ光結合ユニットと複数の光電子デバイスとの間で光を結合するように構成されている。コネクタ光結合ユニットは、嵌合縁部のある嵌合面を有し、トランシーバー光結合ユニットは、縁取りされた嵌合縁部のある対応する嵌合面を有する。コネクタ光結合ユニット及びトランシーバー光結合ユニットの嵌合面は、嵌合後に、光コネクタの嵌合方向に実質的に平行に配置されており、もって、嵌合が起こるときに、コネクタ光結合ユニットの嵌合縁部が最初にトランシーバー光結合ユニットの縁取りされた嵌合縁部との接触を形成するようになっており、コネクタ光結合ユニットが嵌合方向に沿って動くと、コネクタ光結合ユニットが回転してコネクタ光結合ユニットの嵌合面とトランシーバー光結合ユニットの嵌合面との間に面接触を形成する。この回転によって複数の光導波路が屈曲するようになる。

いくつかの実施形態は、複数の光方向転換素子を含むコネクタ光結合ユニットを含む光通信サブアセンブリに関係する。それぞれの光方向転換素子は、対応する光導波路に光学的に結合されている。光方向転換素子は、光導波路に進む、又は光導波路から進む光を方向付けるように構成されており、もって、光導波路に進む、又は光導波路から進む光の中央光線が、９０度を超える角度θによって方向転換されるようになっている。

いくつかの実施形態は、複数の導波路と複数の反射素子との間でそれぞれ、光を結合するように構成されたコネクタ光結合ユニットを含む光通信サブアセンブリに関係する。それぞれの反射素子は、対応する光導波路に光学的に結合されている。それぞれの反射素子は、光導波路への、又は光導波路からの入力光を反射するように構成されており、もって、光導波路に進む、又は光導波路から進む入力光の中央光線が、第１角度θで反射されるようになっている。それぞれの反射素子は、入力光の発散を変化させるように更に構成されている。また、光通信サブアセンブリは、複数の屈折素子であって、それぞれの屈折素子が、対応する反射素子に光学的に結合され、それぞれの屈折素子が、対応する反射素子に進む、又はこの対応する反射素子から進む光の方向を、第２角度φによって変化させるように構成された、屈折素子も含む。

実施形態は、１つ以上の光電子デバイスと、１つ以上の光学素子であって、それぞれの光学素子が対応する光電子デバイスと位置合わせされる光学素子と、トランシーバー光結合ユニットと、を含む光通信アセンブリに向けられている。光通信アセンブリは、１つ以上の光方向転換機構を備えるコネクタ光結合ユニットを更に含む。それぞれの光方向転換機構は、対応する光導波路に光学的に結合されるように配置されており、トランシーバー光結合ユニットが、コネクタ光結合ユニットと嵌合するように構成されており、それぞれの光方向転換機構が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせされるようになっている。カバーは、光通信アセンブリに力を加えて、それぞれの光方向転換機構を対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせして保つように構成されている。

光通信アセンブリのいくつかの実施形態は、第１及び第２のプリント回路基板（ＰＣＢ：printed circuit board）であって、第１のＰＣＢが、第２のＰＣＢの表面上に配設された、第１及び第２のＰＣＢを含む。第１のＰＣＢは孔を有し、第１及び第２のＰＣＢは、孔の側部及び第２のＰＣＢの表面が窪みを形成するように配置されている。光通信アセンブリは、トランシーバー光結合ユニットを含み、このトランシーバー光結合ユニットは、第１のＰＣＢ上に配置されており、少なくとも部分的に窪みを覆う。光通信アセンブリは、１つ以上の光学素子と、第１のＰＣＢ上かつ窪み内に配設された１つ以上の光電子デバイスと、を含む。それぞれの光電子デバイスは、対応する光学素子と光学的に位置合わせされている。通信アセンブリは、１つ以上の光方向転換素子を含むコネクタ光結合ユニットであって、それぞれの光方向転換素子が、対応する光導波路に光学的に結合されるように配置されており、トランシーバー光結合ユニットが、コネクタ光結合ユニットと嵌合するように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせされるようになっている、コネクタ光結合ユニットを含む。アセンブリは、コネクタ光結合ユニットに力を加えて、それぞれの光方向転換素子を対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせして保つように構成されたカバーを更に含む。

いくつかの実施形態では、光通信アセンブリは、第１及び第２のプリント回路基板（ＰＣＢ）であって、第１のＰＣＢが、第２のＰＣＢの表面上に配設された、第１及び第２のＰＣＢを含む。第１のＰＣＢは孔を有し、第１及び第２のＰＣＢは、孔の側部及び第２のＰＣＢの表面が窪みを形成するように配置されている。光通信アセンブリは、トランシーバー光結合ユニットを含み、このトランシーバー光結合ユニットは、第１のＰＣＢ上に配置されており、少なくとも部分的に窪みを覆う。光通信アセンブリは、１つ以上の光学素子と、第１のＰＣＢ上かつ窪み内に配設された１つ以上の光電子デバイスとを更に含む。それぞれの光電子デバイスは、対応する光学素子と光学的に位置合わせしている。更に含まれるのは、１つ以上の光方向転換素子を備えるコネクタ光結合ユニットであって、それぞれの光方向転換素子が、対応する光導波路に光学的に結合されるように配置されたコネクタ光結合ユニットである。トランシーバー光結合ユニットは、コネクタ光結合ユニットと嵌合するように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせされるようになっている。クリップが含まれており、このクリップは、コネクタ光結合ユニットの嵌合面に実質的に垂直な方向に力を加える。クリップは、それぞれの光方向転換素子を対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせして保つように構成されている。

光通信アセンブリは、１つ以上の光電子デバイスと、１つ以上の光学素子であって、それぞれの光学素子が対応する光電子デバイスと位置合わせしている光学素子と、を含む。光通信アセンブリは、嵌合面を有するトランシーバー光結合ユニットと、トランシーバー光結合ユニットの嵌合面と嵌合するように構成された嵌合面を有するコネクタ光結合ユニットとを更に含む。コネクタ光結合ユニットは、１つ以上の光方向転換素子を備え、それぞれの光方向転換素子が、対応する光導波路に光学的に結合されるように配置されている。トランシーバー光結合ユニットは、コネクタ光結合ユニットと嵌合するように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせされるようになっている。１つ以上の位置合わせ孔は、トランシーバー光結合ユニットの平面及びコネクタ光結合ユニットの嵌合面を通って延びる。位置合わせ孔は、位置合わせピンを受け入れるように構成されている。

光通信アセンブリのいくつかの実施形態は、ＰＣＢ上に配置されたフレームを含む。１つ以上の光電子デバイスは、フレーム内のＰＣＢ上に配置されている。光通信アセンブリは、１つ以上の光学素子を含む。それぞれの光学素子は、対応する光電子デバイスに光学的に結合され、光学素子を通過する光の発散を変化させるように構成されている。アセンブリは、１つ以上の光方向転換素子を備える光結合ユニットであって、それぞれの光方向転換素子が、対応する光導波路に光学的に結合されるように配置されており、フレームが、光結合ユニットを保持するように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせされるようになっている、光結合ユニットを更に含む。

上記の概要は、本開示の開示されるそれぞれの実施形態又は全ての実現形態を説明することを意図しない。以下の図面及び詳細な説明により、実例となる実施形態をより具体的に例示する。

いくつかの実施形態による、拡大ビーム結合を使用する光通信アセンブリの特徴を示すブロック図である。 いくつかの実施形態による、拡大ビーム結合を使用する光通信アセンブリの特徴を示すブロック図である。 いくつかの実施形態による、ハウジング内に配設されるコネクタ光結合ユニットを備える光コネクタを示す。 いくつかの実施形態によるハウジングのない図２Ａのコネクタ光結合ユニットを示す。 いくつかの実施形態によるハウジングのある光コネクタの図を提供する。 いくつかの実施形態によるハウジングのある光コネクタの図を提供する。 いくつかの実施形態による、ハウジング上に外部本体のある光コネクタの図を提供する。 いくつかの実施形態による、ハウジング上に外部本体のある光コネクタの図を提供する。 いくつかの実施形態による、ハウジング上に外部本体のある光コネクタの図を提供する。 トランシーバー光結合ユニットとコネクタ光結合ユニットとの嵌合を示し、いくつかの実施形態によると、このコネクタ光結合ユニットが動いて、光導波路が屈曲するようになっている。 トランシーバー光結合ユニットとコネクタ光結合ユニットとの嵌合を示し、いくつかの実施形態によると、このコネクタ光結合ユニットが動いて、光導波路が屈曲するようになっている。 トランシーバー光結合ユニットとコネクタ光結合ユニットとの嵌合を示し、いくつかの実施形態によると、このコネクタ光結合ユニットが動いて、光導波路が屈曲するようになっている。 コネクタ光結合ユニットの一部の斜視図であり、このコネクタ光結合ユニットは、いくつかの実施形態による、第１導波路位置合わせ部材及び光方向転換素子を含む。 コネクタ光結合ユニットの一部の斜視図であり、このコネクタ光結合ユニットは、いくつかの実施形態による、第１導波路位置合わせ部材及び光方向転換素子を含む。 コネクタ光結合ユニットの切欠側面図であり、いくつかの実施形態によると、光方向転換部は、光ビームの中央光線を、角度約９０度で方向転換するように構成されている。 コネクタ光結合ユニットの切欠側面図であり、いくつかの実施形態によると、光方向転換部は、光ビームの中央光線を、９０度を超える角度で方向転換するように構成されている。 光通信アセンブリの一部を示し、この光通信アセンブリは、いくつかの実施形態によるコネクタ光結合ユニット、トランシーバー光結合ユニット、光学素子、及び光電子構成要素を含む。 光通信アセンブリの一部を示し、この光通信アセンブリは、いくつかの実施形態によるコネクタ光結合ユニット、トランシーバー光結合ユニット、光学素子、及び光電子構成要素を含む。 光通信アセンブリの一部を示し、この光通信アセンブリは、いくつかの実施形態によるコネクタ光結合ユニット、トランシーバー光結合ユニット、光学素子、及び光電子構成要素を含む。 コネクタ光結合ユニット及びトランシーバー光結合ユニットをそれぞれ描写する。 コネクタ光結合ユニット及びトランシーバー光結合ユニットをそれぞれ描写する。 図８Ｂのトランシーバー光結合ユニットと嵌合される図８Ａのコネクタ光結合ユニットを含む光通信アセンブリを描写する。 いくつかの実施形態による光通信アセンブリを示す。 いくつかの実施形態による光通信アセンブリを示す。 トランシーバー光結合ユニットを含む光通信アセンブリを示し、いくつかの実施形態によると、このトランシーバー光結合ユニットは、ＰＣＢ上に配設され、光コネクタのコネクタ光結合ユニットと、直角のコネクタ構成で嵌合するように構成されている。 トランシーバー光結合ユニットを含む光通信アセンブリを示し、いくつかの実施形態によると、このトランシーバー光結合ユニットは、光コネクタのコネクタ光結合ユニットと、直線のコネクタ構成で嵌合するように構成されている。 トランシーバー光結合ユニットを含む光通信アセンブリを示し、いくつかの実施形態によると、このトランシーバー光結合ユニットは、ＰＣＢ上に配設され、光コネクタのコネクタ光結合ユニットと、角度のあるコネクタ構成で嵌合するように構成されている。 トランシーバー光結合ユニットを含む光通信アセンブリを示し、いくつかの実施形態によると、このトランシーバー光結合ユニットは、ＰＣＢ上に配設され、光コネクタのコネクタ光結合ユニットと、角度のあるコネクタ構成で嵌合するように構成されている。 例示的な光通信アセンブリの単純化した側面断面図を描写しており、この光通信アセンブリは、様々な実施形態による、コネクタ光結合ユニット、及びトランシーバー光結合ユニットを含み、ハウジングを含まず、また嵌合された向きで示されている。 例示的な光通信アセンブリの単純化した側面断面図を描写しており、この光通信アセンブリは、様々な実施形態による、コネクタ光結合ユニット、及びトランシーバー光結合ユニットを含み、ハウジングを含まず、また嵌合された向きで示されている。 例示的な光通信アセンブリの単純化した側面断面図を描写しており、この光通信アセンブリは、様々な実施形態による、コネクタ光結合ユニット、及びトランシーバー光結合ユニットを含み、ハウジングを含まず、また嵌合された向きで示されている。 例示的な光通信アセンブリの単純化した側面断面図を描写しており、この光通信アセンブリは、様々な実施形態による、コネクタ光結合ユニット、及びトランシーバー光結合ユニットを含み、ハウジングを含まず、また嵌合された向きで示されている。 いくつかの実施形態による拡大ビーム光通信アセンブリを描写する。 いくつかの実施形態による拡大ビーム光通信アセンブリを描写する。 電子デバイス、例えば携帯電話、音楽記憶デバイス、タブレット、又はラップトップコンピュータと併せて使用される、いくつかの実施形態による光通信アセンブリを示す。 電子デバイス、例えば携帯電話、音楽記憶デバイス、タブレット、又はラップトップコンピュータと併せて使用される、いくつかの実施形態による光通信アセンブリを示す。 電子デバイス用光通信アセンブリの別の構成を示しており、いくつかの実施形態によると、電子デバイスのケースは、コネクタ光結合ユニットを光電子デバイスと嵌合位置合わせして保持するために使用されている。 いくつかの実施形態による第１及び第２のプリント回路基板上に配置された光通信アセンブリの別の構成を示す。 いくつかの実施形態による第１及び第２のプリント回路基板上に配置された光通信アセンブリの別の構成を示す。 いくつかの構成による光通信アセンブリ２２００の嵌合配置を示す。 いくつかの構成による光通信アセンブリ２２００の嵌合配置を示す。 いくつかの構成による光通信アセンブリ２２００の嵌合配置を示す。 いくつかの構成による光通信アセンブリ２２００の嵌合配置を示す。 プリント回路基板上に実装されるように構成された位置合わせフレームの側面図及び上面図をそれぞれ示し、いくつかの構成によると、この位置合わせフレームは、コネクタ光結合ユニットを、プリント回路基板上に実装された光電子デバイスと位置合わせさせるために使用され得る。 プリント回路基板上に実装されるように構成された位置合わせフレームの側面図及び上面図をそれぞれ示し、いくつかの構成によると、この位置合わせフレームは、コネクタ光結合ユニットを、プリント回路基板上に実装された光電子デバイスと位置合わせさせるために使用され得る。 図２３Ａ及び図２３Ｂの位置合わせフレームの側面図及び上面図をそれぞれ示し、コネクタ光結合ユニットがフレーム内に挿入されている。 図２３Ａ及び図２３Ｂの位置合わせフレームの側面図及び上面図をそれぞれ示し、コネクタ光結合ユニットがフレーム内に挿入されている。

各図は、必ずしも一定の比率の縮尺ではない。図中で用いられる同様の数字は、同様の構成要素を示す。しかしながら、特定の図中のある構成要素を示す数字の使用は、同じ数字によって示される別の図中のその構成要素を限定しようとするものではないことは理解されるであろう。

図１Ａ及び図１Ｂは、拡大ビーム結合を使用する光通信アセンブリの特徴を示すブロック図である。光通信アセンブリ１００ａは、光を電気に、及び／又は電気を光に変換するように構成され得る。光通信アセンブリは、光方向転換素子１１０、屈折素子１２０及び光電子デバイス１３０を含み、これは光検出器又は光源、例えば垂直共振器型面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ：vertical cavity surface emitting laser）であってもよい。光方向転換素子１１０は、屈折素子１２０を介して光電子素子１３０に光学的に結合されている。

例えば、光導波路（例えば光ファイバー）１０１内を進む光は、光検出器１３０により電気に変換され得る。導波路１０１はコアサイズを有し、また、導波路１０１から現れる光ビーム１０５が方向１０５ａに沿って進むと、光ビーム１０５は、導波路１０１のコアサイズを超える直径に発散する。拡大光ビーム１０５は、方向１０５ａに沿って進み、方向転換素子１１０に当たる。方向転換素子１１０は、方向１２５ａに沿って、拡大光ビーム１０５を反射させる。方向転換素子１１０は、光ビーム１０５の発散を変化させ、光ビーム１０５をコリメートしてもよく、また、光の方向を変化させてもよい。方向転換素子から現れる光ビーム１１５は、方向１２５ａに沿って進み、屈折素子１２０に当たる。屈折素子１２０は、光ビーム１１５の発散を変化させる。図１Ａに示されるように、光が電気に変換されるシナリオでは、光学素子１２０は、光ビーム１１５の発散を変化させて光ビーム１２５を与え、この光ビーム１２５は光電子デバイス１３０、例えば光検出器に集束する。光検出器１３０は、集束した光ビーム１２５を電気に変換し、この電気は電気ケーブル１３５によって伝わる。

電気が光に変換されるシナリオでは、電気ケーブル１３５によって伝わる電気信号が、発光デバイス１３０を活性化し、この発光デバイス１３０が光ビーム１２５を発する。光電子デバイス１３０によって発せられた光ビーム１２５は、光学素子１２０に当たるまで、方向１２５ｂに沿って進む際に発散する。光学素子１２０は、光ビーム１２５の発散を変化させ、光ビーム１２５をコリメートし得る。光ビーム１１５は光学素子１２０から現れ、方向転換素子１１０に当たる。方向転換素子１１０は光ビーム１１５の方向を変化させ、これにより、光ビーム１１５が方向１０５ｂに沿って進んでいくようになっている。方向転換素子１１０は、光ビーム１１５の発散を変化させて光ビーム１０５を与え、この光ビーム１０５は光導波路１０１に集束する。

図１Ｂは、いくつかの光通信サブアセンブリ１５１、１５２を示し、これらは光通信サブアセンブリ１００ｂの一部を形成する。図１Ｂに描写されるように、光通信アセンブリは、コネクタ光結合ユニット１５１及びトランシーバー光結合ユニット１５２を含む。この例では、コネクタ光結合ユニット１５１は、方向転換素子１１０及び嵌合面１５１ａを含む。トランシーバー光結合ユニット１５２は、屈折素子１２０及び嵌合面１５２ａを含む。様々な他の配置のコネクタ光結合ユニット及びトランシーバー光結合ユニットが可能であり、例えば、いくつかの配置では、コネクタ光結合ユニットは方向転換素子及び屈折素子を含んでもよく、他の配置では、屈折素子は光電子デバイスに実装されてもよい。

コネクタ光結合ユニット１５１は、嵌合面１５１ａを含み、この嵌合面１５１ａは、対応するトランシーバー光結合ユニット１５２の嵌合面１５２ａと嵌合するように構成されている。コネクタ光結合ユニットがトランシーバー光結合ユニットに嵌合される場合、方向転換素子１１０は、屈折素子１２０を介して、光電子デバイス１３０に光学的に結合される。コネクタ及びトランシーバー光結合ユニット１５１、１５２が、これらの嵌合面１５１ａ、１５２ａに沿って嵌合される場合、導波路１０１から現れる光は、コネクタ光結合ユニット１５１を介し、トランシーバー光結合ユニット１５２を介して、光電子デバイス１３０に伝送される。あるいは、光電子デバイス１３０によって発せられる光は、トランシーバー光結合ユニット１５２を介し、コネクタ光結合ユニット１５１を介して、導波路１０１に伝送される。

図２Ａは、ハウジング２１０内に配設され、光コネクタ２００を形成する、コネクタ光結合ユニット２２０を示す。ハウジング２１０は、第１取付エリア２０２を有する。第１取付エリア２０２はハウジング２１０の一部であり、ここで、図２Ａに示される１つ以上の光導波路、例えば複数の光導波路２０４（例えば光導波路２０４のリボン）が、ハウジング２１０に最初に接触し、また、図２Ａに示される実施形態では、ビアホール２０６をハウジング２１０の内部へと通過する。１つ以上の光導波路２０４を受け入れ、ハウジング２１０に永久的に取り付けることができ、このハウジング２１０で、光導波路２０４はビアホール２０６内でハウジング２１０に接触して、第１導波路支持体２０９上を通るが、ただし第１導波路支持体２０９に永久的には取り付けられない。この第１導波路支持体２０９は、第１取付エリア２０２と第２取付エリア２０８との間に配設される。他の実施形態では、第１導波路支持体２０９は、コネクタ光結合ユニット２２０に直接接触してこれを支持するが、ただしコネクタ光結合ユニット２２０に永久的には取り付けられない。第２取付エリア２０８は、複数の導波路位置合わせ部材２１４を含む。導波路位置合わせ部材２１４は、複数の光導波路２０４であって、第１取付エリア２０２に受け入れられ、永久的に取り付けられる光導波路とは異なる光導波路２０４を収容するように構成されてもよい。いくつかの実施形態では、光導波路は、ビアホール２０６で第１取付エリア２０２に接合されてもよく、かつ／又は位置合わせ部材２１４で第２取付エリア２０８に接合されてもよい。第１取付エリア２０２は、複数の溝（図２Ａ及び図２Ｂでは図示せず）を含んでもよく、それぞれの溝は、第１取付エリア２０２で受け入れられ、永久的に取り付けられた複数の光導波路のうちの異なる光導波路を収容するように構成される。また、コネクタ２００は、嵌合面２２１を有するコネクタ光結合ユニット２２０も含み、この嵌合面２２１は、前述のように、トランシーバー光結合ユニットと嵌合することができる。

ハウジング２１０はまた、第１導波路支持体２０９と第１取付エリア２０２との間に配設され、第１及び第２取付エリア２０２、２０８に永久的に取り付けられ得るが、永久的には取り付けられない、光導波路を支持するための第２導波路支持体２１７を含んでもよく、もって、コネクタ２００が嵌合コネクタと嵌合するときに、光導波路が更に屈曲し、光導波路を第１支持体２０９及び／又は第２支持体２１７から分離させる。いくつかの実施形態では、第１及び第２取付エリア２０２、２０８に永久的に取り付けられる光導波路は、２つの取付エリア２０２、２０８の間で、嵌合方向及びコネクタ光結合ユニット２２０からの光の出口の方向（出力方向）により形成され、画定される平面内で屈曲してもよい。いくつかの実施形態では、第１及び第２取付エリア２０２、２０８に永久的に取り付けられる光導波路は、２つの取付エリア２０２、２０８の間で、コネクタ光結合ユニット２２０が嵌合中に回転する軸に垂直の平面内で屈曲してもよい。いくつかの実施形態では、第１及び第２取付エリア２０２、２０８に永久的に取り付けられる光導波路は、光結合ユニットの回転により定義される平面に平行な平面内にある屈曲方向に屈曲してもよい。

コネクタ光結合ユニット２２０は、機械的嵌合トング（matingtongue）部２１６、嵌合面２２１、インターロック機構２１８、及び第２取付エリア２０８を含む。トング部２１６は、トング部の長さの少なくとも一部に沿って、先細の幅を有してもよく、また、コネクタ光結合ユニット２２０から外側へ延びる。コネクタ光結合ユニット２２０が嵌合光結合ユニットの方へ動くとき、トング部は、嵌合光結合ユニットの対応するトング窪みに、２つの光結合ユニットの間のずれ、例えば横ずれが修正されるようにガイドされる。いくつかの場合には、コネクタ光結合ユニット２２０が嵌合光結合ユニットの方へ動くとき、コネクタ光結合ユニット２２０と嵌合光結合ユニットとの間の最初の接触は、コネクタ光結合ユニット２２０のトング部２１６の嵌合面２２１と、嵌合光結合ユニットの嵌合面との間である。いくつかの場合には、コネクタ光結合ユニット２２０が嵌合光結合ユニットの方へ動くとき、コネクタ光結合ユニット２２０と嵌合光結合ユニットとの間の最初の接触は、コネクタ光結合ユニット２２０のトング部２１６の嵌合縁部２１６ａと、嵌合光結合ユニットの嵌合面との間の線接触である。

コネクタ光結合ユニット２２０の特徴は、ハウジング２１０が取り除かれた図２Ｂで、より容易に見られ得る。第２取付エリア２０８は、複数のＶ溝２１４を含み、それぞれの溝は、第１取付エリア２０２で受け入れられ、永久的に取り付けられた複数の光導波路のうちの異なる光導波路を収容するように構成されており、光導波路は溝２１４で第２取付エリア２０８に接合される。いくつかの実施形態では、第２取付エリア２０８は、第１取付エリア２０２で受け入れられ、永久的に取り付けられた複数の光導波路に永久的に取り付けられることができる。いくつかの実施形態では、光導波路は、第１取付エリア２０２、第２取付エリア２０８、又はその両方で、接着剤を使用して取り付けられる。光導波路が光ファイバーである場合、ファイバー取付エリアは、円筒状の孔から構成されてもよく、この孔内にファイバーが接合される。また、導波路が光ファイバーである場合、アセンブリの機械的強度を向上させるために、ファイバーのポリマーコーティングは、裸ファイバーが接合されるエリア２０８に隣接する緩衝取付エリア２２３に接合されてもよい。

光結合ユニット２２０は、ハウジング２１０内で動くことができるように構成される。これは、続く図面に示されるように、光結合ユニット２２０と嵌合光結合ユニットとの適切な位置合わせを容易にする。

図２Ｃ〜図２Ｇは、図２Ａに示されるコネクタと同様の２つのコネクタの斜視図である。示される実施形態では、２つのコネクタは、第１コネクタ２００（図２Ａで位置付けられるように示される）及び第１嵌合コネクタ２００’を含み、この第１嵌合コネクタ２００’は、第１コネクタ２００と上下逆に向けられ、左右逆転される。２つのコネクタ２００、２００’は、図２Ｃ及び図２Ｄにおいて、嵌合された構成で示される。第１コネクタ２００及び第１嵌合コネクタ２００’は、図２Ｂに示される結合部材２１８と機械的にインターロックされる。

図２Ｅ〜図２Ｇは、ケーシング２０１、２０１’内に配設されているコネクタ２００及び２００’を示す。図２Ｅは、嵌合前のコネクタ２００、２００’の斜視図であり、図２Ｆは、嵌合後のコネクタ２００、２００’の斜視図であり、図２Ｇは、嵌合後のコネクタ２００、２００’の側面図である。コネクタ本体２０１、２０１’は、コネクタ２００、２００’の大まかな位置合わせを提供し、これにより、光結合ユニット２２０、２２０’は、残りのずれを吸収するために十分に近接するようになっている。ケーシング２０１及び２０１’は、光結合ユニット２２０、２２０’の間の接続を保つように構成されてもよく、ごみ及び／若しくは他の汚染物質からの保護を提供してもよく、かつ／又はボード、隔壁などへの取付け用表面を提供してもよい。加えて、コネクタ本体２０１、２０１’は、人が、コネクタを損傷せずに、ケーシングを把持することを可能にする表面を含むように構成されてもよい。

図３Ａ〜図３Ｃに示されるように、嵌合トランシーバー光結合ユニット２９０と嵌合する間に、コネクタ光結合ユニット２２０が動いて、光導波路２０４を第１追加屈曲部２０４ａで更に屈曲させ、光導波路２０４を第１支持体２０９から分離させてもよい。（例えば、機械的にインターロックするために）２つの嵌合光結合ユニット２２０、２９０が更に係合すると、第２追加屈曲部２０４ｂは、光導波路２０４を第２支持体２１７から分離させるようにできる。光結合ユニット２２０の動きは、光結合ユニット２２０を、対応する嵌合光結合ユニットと接触させ得る。

いくつかの実施形態では、図３Ａに示されるように、光導波路２０４からの光は、コネクタを出口方向２８１に出てもよく、この出口方向２８１は、コネクタ光結合ユニット２２０の嵌合方向２８２とは異なる。いくつかの実施形態では、光導波路は、嵌合方向２８２及び光出口方向２８１により形成される平面内で屈曲する。いくつかの実施形態では、コネクタ光結合ユニット２２０及び／又は嵌合トランシーバー光結合ユニット２９０は、一体の構成であってもよく、このことは、光結合ユニットが内部の界面（interface）、ジョイント、又はシームを何も有しないことを意味する。いくつかの場合には、一体構造又は構成は、単一の形成ステップ、例えば機械加工、鋳造、又は成形で形成されることができる。

いくつかの実施形態では、光結合ユニットは、光方向転換素子を含んでもよい。例えば、光導波路が、光を光導波路から光電子デバイスに送るために使用される場合、導波路から第１方向に沿って現れる光は、光方向転換素子に入り、光方向転換素子によって、第１方向とは異なる第２方向に沿って方向転換され、第２方向に沿って光方向転換素子を出る。いくつかの実施形態では、光方向転換素子は、入力側と出力側との間で、１よりも大きい同じ屈折率を有してもよい。光方向転換素子は、複数の反射表面、例えば複数の湾曲した反射表面を含んでもよい。光方向転換素子は、光の発散を変化させるように構成されてもよく、例えば光方向転換素子は、光をコリメートし得る。

図４Ａ及び図４Ｂは、コネクタ光結合ユニット４２０の一部の斜視図であり、このコネクタ光結合ユニット４２０は、第１導波路位置合わせ部材４０８及び光方向転換素子４１２を含む。コネクタ光結合ユニット４２０の作用は、コネクタ光結合ユニット４２０が、光導波路４０４から現れる光を受け入れ、光を光電子デバイス（図示せず）に方向転換するシナリオで記載される。コネクタ光結合ユニットは、コネクタ光結合ユニットが光電子デバイスによって発せられる光を受け入れ、光を光導波路４０４に方向転換するシナリオで作用し得ることが理解されるであろう。図４Ａは、光結合ユニット４２０及び光方向転換素子４１２の一部の斜視図であり、いくつかの光ファイバー４０４の光結合ユニット４２０への取付けを示す。光導波路４０４は、溝４１４、典型的にはＶ溝内に位置合わせし、この溝４１４に永久的に取り付けられてもよい。光結合ユニット４２０は、光方向転換素子４１２のアレイを含み、それぞれの光ファイバー４０４につき１つが光結合ユニット４２０に取り付けられる。それぞれの光ファイバー４０４は、光導波路から現れる光を、光方向転換素子４１２の第１側４２２又は面に方向付けることができるように位置する。いくつかの実施形態では、光方向転換素子４１２の光方向転換部４２４は、反射表面、反射レンズ、及び／又はプリズムを備える。

図４Ｂは、コネクタ光結合ユニットの一部の斜視図であり、１つの光方向付け素子（light directing element）４１２、１つの第１導波路位置合わせ部材、例えばＶ溝４１４、及び１本の光ファイバー４０４を示す。この図では、光ファイバー４０４はＶ溝４１４に位置合わせしており、Ｖ溝４１４に永久的に取り付けられてもよい。取付け点では、ファイバー緩衝材及び保護コーティング（ある場合）が剥ぎ取られており、裸の光ファイバーのみが、位置合わせし、Ｖ溝４１４に永久的に取り付けられて位置することを可能にする。光方向転換素子４１２は、入力光を光導波路４０４から受け入れるための第１側４２２を含み、この光導波路４０４は、第１導波路位置合わせ部材４１４に配設され、位置合わせしている。また、光方向転換素子４１２は、第１側４２２からの光を入力方向に沿って受け入れ、光を異なる転換方向に沿って方向転換するための光方向転換部４２４も含む。また、光方向転換素子４１２は、光方向転換素子４１２の光方向転換部４２４からの光を受け入れ、受け入れた光を出力光として出力方向に沿って送る、第２側４２６を含む。いくつかの場合には、光方向転換素子の第１側４２２、光方向転換部４２４、及び第２側４２６のうちの少なくとも１つは、光導波路４０４を出る光の発散を変化させるための１つ以上の湾曲した表面を含む。いくつかの実施形態、例えば湾曲した表面が光方向転換部４２４の一部である場合では、湾曲した表面は、湾曲した鏡又は光反射レンズの一部であってもよい。いくつかの実施形態、例えば湾曲した表面が第２側４２６の一部である場合では、湾曲した表面は、送光レンズ（light transmitting lense）であってもよい。いくつかの実施形態では、それぞれの湾曲した表面は、湾曲した表面に対応して、光導波路からの光をコリメートするように構成されてもよい。

それぞれの光導波路４０４は、第１コア直径を有する。それぞれの光導波路に対応する方向転換素子は、光導波路から現れる光の発散を変化させるように構成され得、もって、光導波路から発出する光がコネクタ光結合ユニットを出て、コネクタ光結合ユニットの嵌合方向とは異なる出口方向に沿って伝搬している。発出する光は、第１コア直径を超える第２直径を有する拡大ビームであってもよく、このことは、光と光方向転換素子、例えば光方向転換素子の湾曲した表面との相互作用に起因する。いくつかの実施形態では、第２直径対導波路コア直径の比率は、少なくとも２、少なくとも３．７、又は少なくとも５であってもよい。

図５は、いくつかの実施形態によるコネクタ光結合ユニット５２０の切欠側面図である。光導波路５０４の端部５０４ａから発出する光ビーム５０６は、光方向転換素子５１２に結合される。光方向転換素子５１２は光方向転換部５４２を含み、この光方向転換部５４２は湾曲した光反射鏡若しくはレンズを含み、又は湾曲した光反射鏡若しくはレンズであってもよい。光ビーム５０６は、光ビーム５０６が転換部５４２によって方向転換されるまで、光方向転換部５４２の方へ伝搬する際に、直径が拡大してもよい。図５に示される例では、光方向転換部５４２は、光ビーム５０６の中央光線５０６ａを、角度θ１だけ方向転換するように構成されており、このθ１は、約９０度に等しい。方向転換後、光ビーム５０７は、光ビーム５０６の方向とは異なる第２方向に沿って伝搬する。いくつかの場合には、光方向転換素子５１２は、光方向転換素子５１２を通過する光の発散を変化させており、もって、光ビーム５０６の発散が光ビーム５０７の発散とは異なるようになっている。いくつかの実施では、光方向転換素子５１２は、光方向転換素子５１２に入る光をコリメートするように構成されてもよい。機械的結合部材５１８は、嵌合面５１８ａを含み、この嵌合面５１８ａは、対応するトランシーバー光結合ユニットの嵌合面と嵌合する。

図６は、いくつかの実施形態によるコネクタ光結合ユニット６２０の切欠側面図である。光導波路６０４の端部６０４ａから発出する光ビーム６０６は、光方向転換素子６１２に結合される。光方向転換素子６１２は光方向転換部６４２を含み、この光方向転換部６４２は湾曲した光反射鏡、レンズ、及び／若しくはプリズムを含み、又は湾曲した光反射鏡、レンズ、及び／若しくはプリズムであってもよい。光ビーム６０６は、光ビーム６０６が転換部６４２によって方向転換されるまで、光方向転換部６４２の方へ伝搬する際に、直径が拡大してもよい。図６に示される例では、光方向転換部６４２は、光ビーム６０６の中央光線６０６ａを、角度θ２だけ方向転換するように構成されており、このθ２は、９０度よりも大きい。方向転換後、光ビーム６０７は、光ビーム６０６の方向とは異なる第２方向に沿って伝搬する。いくつかの場合には、光方向転換素子６１２は、光方向転換素子６１２を通過する光の発散を変化させており、もって、光ビーム６０６の発散が光ビーム６０７の発散とは異なるようになっている。いくつかの実施では、光方向転換素子６１２は、光方向転換素子６１２に入る光をコリメートするように構成されてもよい。機械的結合部材６１８は、嵌合面６１８ａを含み、この嵌合面６１８ａは、対応するトランシーバー光結合ユニットの嵌合面と嵌合する。

コネクタ光結合ユニットがレシーバとして作用する場合、方向転換の後、方向転換された光は、光検出器の入力面に対して実質的に垂直に進んでもよい。コネクタ光結合ユニットがトランスミッターとして作用する場合、方向転換の前に、光は、半導体レーザーの出力面に対して実質的に垂直に進んでもよい。いずれの場合でも、９０度を超える光の方向転換は、光電子デバイスを含むプリント回路基板（ＰＣＢ）の表面の方へ、光導波路を下方に向けさせることができ、これは、考慮されない限り、ＰＣＢ上の他の構成要素と干渉を生じ得る。しかし、９０度を超える方向転換は、より効率的な結合及びより低い光損失を提供する。

図７Ａ〜図７Ｃは、光通信アセンブリ７００の一部を示し、この光通信アセンブリ７００はコネクタ光結合ユニット７０１、トランシーバー光結合ユニット７０２、及び光電子構成要素７０３を含み、これはＰＣＢ ７０４（図７Ｃにのみ示される）上に配設される。また、図７Ａ〜図７Ｃには、集積回路７０５も示され、この集積回路７０５はＰＣＢ ７０４上に実装され、光電子構成要素７０３に電気的に結合、例えばワイヤボンディングされている。図７Ａに示されるように、例えば、集積回路７０５は、光電子構成要素７０３の左に配設される。他の実施形態では、集積回路７０５は、光電子構成要素７０３の右に配設されてもよい。光電子構成要素７０３は、トランシーバー光結合ユニット７０２の光学素子７２０からの光を受け入れるように構成された光検出器を備えてもよく、又はトランシーバー光結合ユニット７０２の光学素子７２０の方へ光を発するように構成された半導体レーザーデバイス、例えばＶＣＳＥＬを備えてもよい。光電子デバイス７０３が光検出器である場合、集積回路７０５は、光検出器から電気信号を受信するように構成されたレシーバ回路を備えてもよい。光電子デバイス７０３が発光デバイスである場合、集積回路７０５は、電気信号を発光デバイスに送信するように構成されたドライバ回路を備えてもよい。

図７Ａに示されるように、トランシーバー光結合ユニット７０２は、機械的結合部材７１８を含み、この機械的結合部材７１８は、ＰＣＢ ７０４により支持される。機械的結合部材７１８は、嵌合面７１８ａ及び対向面７１８ｂを含む。光学素子７２０は、機械的結合部材７１８の対向面７１８ｂ上に配設され、それぞれの光学素子７２０は、対応する光電子デバイス７０３と光学的に位置合わせされる。機械的結合部材７１８は、光学素子７２０を支持し、もって、光電子デバイス７０３と光学素子７２０との間に適切な分離があるように、また、光学素子７２０と光電子デバイス７０３との間に垂直位置合わせがあるようになっている。

機械的結合部材７１８の嵌合面７１８ａは、コネクタ光結合ユニット７０１の機械的結合部材７１９の対応する嵌合面７１９ｂと嵌合するように構成されている。コネクタ光結合ユニット７０１は、複数の光導波路７２３を保持するように構成されたＶ溝７３１を含む。コネクタ光結合ユニット７０１及びトランシーバー光結合ユニット７０２が、これらの嵌合面７１８ａ、７１９ｂに沿って嵌合されるときに、それぞれの光方向転換素子７３０は、対応する光学素子７２０を介して対応する光電子デバイス７０３と光学的に位置合わせされる。

トランシーバー光結合ユニット７０２の機械的支持部材７１８は、機械的支持部材７１８の嵌合面７１８ａ上に配設された、第１及び第２の位置合わせ機構７２１を含む。位置合わせ機構は、コネクタ光結合ユニット７０１の機械的支持部材７１９の先細形状に対応する形状である。コネクタ光結合ユニット７０１はまた、機械的支持部材７１９の嵌合面７１９ｂ上に配設される第１及び第２の位置合わせ機構を含んでもよいが、これらの機構は図７に示されていない。位置合わせ機構が存在する場合、位置合わせ機構は、トランシーバー光結合ユニット７０２の機械的支持部材７１８の先細形状に対応する形状であってもよい。コネクタ光結合ユニット７０１は、インターロック機構７１３を含み、このインターロック機構７１３は、トランシーバー光結合ユニットの適合するインターロック機構７３２とインターロックするように構成されている。

図８Ａ〜図８Ｃはそれぞれ、コネクタ光結合ユニット８０１、トランシーバー光結合ユニット８０２、及び光通信アセンブリ８０３を描写しており、この光通信アセンブリ８０３は、トランシーバー光結合ユニット８０２と嵌合されたコネクタ光結合ユニット８０１を含む。図８Ｃは、光学及びトランシーバー光結合ユニットを示し、これは、インターロック機構によりインターロックされる機械的支持構造と嵌合される。光学及びトランシーバー光結合ユニットが嵌合されているとき、光通信アセンブリ８０３は、光がアセンブリ８０３を通過することを可能にする。

いくつかの実施形態では、コネクタ光結合ユニット８０１がトランシーバー光結合ユニット８０２と嵌合するときに、トランシーバー光結合ユニット８０２が実質的に静止し、コネクタ光結合ユニット８０１が少なくとも０．５度回転できる。いくつかの実施形態では、コネクタ光結合ユニット８０１がトランシーバー光結合ユニット８０２と嵌合するときに、コネクタ光結合ユニット８０１が少なくとも２．０度回転できる。いくつかの実施形態では、コネクタ光結合ユニット８０１がトランシーバー光結合ユニット８０２と嵌合するときに、コネクタ光結合ユニット８０１が最高で９０度回転できる。

いくつかの実施形態では、コネクタ光結合ユニット８０１を含む光コネクタの嵌合方向は、トランシーバー光結合ユニット８０２の嵌合面８１８と斜角を形成する。この斜角により、光コネクタのコネクタ光結合ユニット８０１に取り付けられた光ファイバーは、上で議論したように屈曲する。

図９は、光コネクタ９１０を含む光通信アセンブリ９００を示し、この光コネクタ９１０は、本体９０５、並びにコネクタ光結合ユニット９０１、トランシーバー光結合ユニット９０２、及び光電子デバイス９０３を備える。また、図９には、光電子デバイス９０３にワイヤボンディングされた集積回路９０４も示されている。トランシーバー光結合ユニット９０２、光電子デバイス９０３、及び集積回路９０４は、ＰＣＢ ９０６上に配設されている。光コネクタ９１０の嵌合方向９１５は、コネクタ本体９０５が動いて光学及びトランシーバー光結合ユニット９０１、９０２を嵌合する方向である。トランシーバー光結合ユニット９０２は、光コネクタ９１０の嵌合方向９１５に対してある角度にある嵌合面９１８を有する。線９１６は、嵌合面９１８に平行である。光コネクタ９１０の嵌合方向９１５とトランシーバー光結合ユニット９０２の嵌合面９１８との間の角度αは、約５〜約６０度、又は約１０〜約３０度、又は例えば約１５度であってもよい。コネクタ光結合ユニット９０１とトランシーバー光結合ユニット９０２との間で嵌合が起こるときに、光コネクタの嵌合方向９１５とトランシーバー光結合ユニットの嵌合面９１８との間の違いにより、光導波路９３１が屈曲し、光導波路９３１を第１及び第２の導波路支持体９３２、９３３の一方又は両方から離れるように動かす。

図１０は、光コネクタ１０１０を含む別の光通信アセンブリ１０００を示し、この光コネクタ１０１０は、本体１００５、並びにコネクタ光結合ユニット１００１、トランシーバー光結合ユニット１００２、及び光電子デバイス１００３を備える。また、図１０には、光電子デバイス１００３にワイヤボンディングされた集積回路１００４も示されている。トランシーバー光結合ユニット１００２、光電子デバイス１００３、及び集積回路１００４は、ＰＣＢ １００６上に配設されている。光コネクタ１０１０の嵌合方向１０１５は、コネクタ本体１００５が動いてコネクタ及びトランシーバー光結合ユニット１００１、１００２を嵌合する方向である。トランシーバー光結合ユニット１００２は、光コネクタ１０１０の嵌合方向１０１５に対してある角度にある嵌合面１０１８を有する。線１０１６は、嵌合面１０１８に平行である。光コネクタ１０１０の嵌合方向１０１５とトランシーバー光結合ユニット１００２の嵌合面１０１８との間の角度βは、約５〜約２５度、又は約１０〜約２０度、又は例えば約１５度であってもよい。コネクタ光結合ユニット１００１とトランシーバー光結合ユニット１００２との間で嵌合が起こるときに、光カプラの嵌合方向１０１５とトランシーバー光結合ユニットの嵌合面１０１８との間の角度により、光導波路１０３１が屈曲し、光導波路１０３１を第１及び第２の導波路支持体１０３２、１０３３の一方又は両方から離れるように動かす。

本明細書に記載されるいくつかの光通信アセンブリは、ＰＣＢ上に実装されて、直線の、角度のある、又は直角のＰＣＢコネクタを提供してもよい。図１１は、トランシーバー光結合ユニット１１０２を含む光通信アセンブリ１１００を示し、このトランシーバー光結合ユニット１１０２は、ＰＣＢ １１９０上に配設され、光コネクタ１１１０のコネクタ光結合ユニット１１０１と、直角コネクタ構成で、すなわち、嵌合方向がＰＣＢ １１９０の表面に平行に嵌合するように構成されている。図１２は、トランシーバー光結合ユニット１２０２を含む光通信アセンブリ１２００を示し、このトランシーバー光結合ユニット１２０２は、ドーター（daughter）ＰＣＢ １２９０ａ上に配設され、ＰＣＢ １２９０に電気的に接続されている。トランシーバー光結合ユニット１２０２は、光コネクタ１２１０のコネクタ光結合ユニット１２０１と、直線コネクタ構成で、すなわち、嵌合方向がＰＣＢ １２９０の表面に垂直に嵌合するように構成されている。図１３は、トランシーバー光結合ユニット１３０２を含む光通信アセンブリ１３００を示し、このトランシーバー光結合ユニット１３０２は、ＰＣＢ １３９０上に配設され、光コネクタ１３１０のコネクタ光結合ユニット１３０１と、角度のあるコネクタ構成で嵌合するように構成されている。図１４は、トランシーバー光結合ユニット１４０２を含む光通信アセンブリ１４００を示し、このトランシーバー光結合ユニット１４０２は、ドーターＰＣＢ １４９０ａ上に配設され、ＰＣＢ １４９０に電気的に接続されている。トランシーバー光結合ユニット１４０２は、光コネクタ１４１０のコネクタ光結合ユニット１４０１と、角度のあるコネクタ構成で嵌合するように構成されている。

図１５は、例示的な光通信アセンブリ１５００の単純化した側面断面図を描写しており、この光通信アセンブリ１５００は、コネクタ光結合ユニット１５０１、及びトランシーバー光結合ユニット１５０２を備え、ハウジングを備えず、また嵌合された向きで示されている。光電子デバイス１５０３（この例では発光器）、及び集積回路１５０４は、ＰＣＢ １５０５上に配設されている。トランシーバー光結合ユニット１５０２は、機械的支持部材１５１８を含み、この機械的支持部材１５１８は、嵌合面１５１８ａ及び対向面１５１８ｂを有する。光学素子１５２０は、機械的支持部材１５１８の対向面１５１８ｂ上に配設され、光電子デバイス１５０３と光学的に位置合わせされる。機械的支持部材１５１８は、光学素子１５２０を支持し、もって、光電子デバイス１５０３と光学素子１５２０との間に適切な分離があるようになっており、結果として、コネクタ光結合ユニット１５０１と光電子デバイス１５０３との間に、光学素子１５２０を通じた光学的位置合わせを生じる。図１５に示される構成では、嵌合面１５０１ａ及び１５１８ａは、ＰＣＢ １５０５の表面１５０５ａに実質的に平行である。

嵌合された構成では、コネクタ光結合ユニット１５０１の嵌合面１５０１ａは、トランシーバー光結合ユニット１５０２の嵌合面１５１８ａに隣接している。嵌合された構成での作用では、コネクタ光結合ユニット１５０１及びトランシーバー光結合ユニット１５０２は、光電子素子１５０３と光導波路１５４０との間で光を伝送する。

図１５に示される例では、光電子デバイス１５０３は、発散光ビーム１５２１ａを光学素子１５２０の方へ発する発光デバイスを備える。光学素子１５２０は、光ビームの発散を変化させ、かつ／又は発散する光ビームをコリメートする。光学素子１５２０から現れる光ビーム１５２１ｂは、コネクタ光結合ユニット１５０１の光方向転換素子１５１０により方向転換される。図１５に示される実施形態では、方向転換素子１５１０は、光ビーム１５２１ｂの発散及び方向を変化させており、もって、光ビーム１５２１ｂの中央光線が約９０度の角度θだけ逸れるようになっている。光方向転換素子１５１０から現れる光ビーム１５２１ｃは、コネクタ光結合ユニット１５０１の光導波路１５４０の方へ収束する（converge）。

図１６は、別の例示的な光通信アセンブリ１６００の単純化した側面断面図を描写しており、この光通信アセンブリ１６００は、コネクタ光結合ユニット１６０１、及びトランシーバー光結合ユニット１６０２を備え、ハウジングを備えず、また嵌合された向きで示されている。光電子デバイス１６０３（この例では発光器）、及び集積回路１６０４は、ＰＣＢ １６０５上に配設されている。トランシーバー光結合ユニット１６０２は、機械的支持部材１６１８を含み、この機械的支持部材１６１８は、嵌合面１６１８ａ及び対向面１６１８ｂ、嵌合縁部１６１８ｃ、並びにベース縁部１６１８ｄを有する。嵌合縁部１６１８ｃは、嵌合面１６１８ａの縁部であり、嵌合が起こるときに、最初にコネクタ光結合ユニット１６０１に当たる。図１６に示される構成では、嵌合面１６１８ａは、ＰＣＢ １６０５の表面１６０５ａに対して角度があり、もって、嵌合面１６１８ａが、ＰＣＢ １６０５の表面１６０５ａの方へ、ベース縁部１６１８ｄから嵌合縁部１６１８ｃまで傾斜するようになっている。この構成では、光導波路１６４０は、ＰＣＢ表面１６０５ａの方へ向かう角度で、コネクタ光結合ユニット１６０１から離れて延びる。

光学素子１６２０は、機械的支持部材１６１８の対向面１６１８ｂ上に配設され、光電子デバイス１６０３と光学的に位置合わせされる。機械的支持部材１６１８は、光学素子１６２０を支持しており、もって、光電子デバイス１６０３と光学素子１６２０との間に適切な分離があるようになっており、結果として、コネクタ光結合ユニット１６０１の方向転換素子１６１０と光電子デバイス１６０３との間に、光学素子１６２０を通じた光学的位置合わせを生じる。嵌合された構成では、コネクタ光結合ユニット１６０１の嵌合面１６０１ａは、トランシーバー光結合ユニット１６０２の嵌合面１６１８ａに隣接している。嵌合された構成での作用では、コネクタ光結合ユニット１６０１及びトランシーバー光結合ユニット１６０２を含む光通信アセンブリ１６００は、光電子素子１６０３と光導波路１６４０との間で光を伝送する。

図１６に示される例では、光電子デバイス１６０３は発光デバイスを備え、この発光デバイスは、発散光ビーム１６２１ａを、光電子デバイス１６０３の発光面（emitting face）に対して実質的に垂直に、光学素子１６２０の方へ発する。光学素子１６２０は、光ビーム１６２１ａの発散を変化させ、かつ／又は発散する光ビーム１６２１ａをコリメートする。光学素子１６２０から現れる光ビーム１６２１ｂは、コネクタ光結合ユニット１６０１の光方向転換素子１６１０により方向転換される。図１６に示される実施形態では、方向転換素子１６１０は、光ビーム１６２１ｂの発散及び方向を変化させており、もって、光ビーム１６２１ｂの中央光線が９０度より大きな角度θだけ逸れるようになっている。光方向転換素子１６１０から現れる光ビーム１６２１ｃは、コネクタ光結合ユニット１６０１の光導波路１６４０の入力面の方へ収束する。図１６に示されるように、光学素子１６２０は、機械的支持構造１６１８の窪み又はトレンチ１６１８ｅ内に配設されてもよい。光学素子１６２０は、光電子デバイス１６０３からの光ビーム１６２１ｂに垂直であるが、嵌合面に垂直ではない表面を備えてもよい（図１６に示される）。あるいは、以下の図１７に示されるように、窪み又はトレンチ１７１８ｅ内に配設された光学素子１７２０は、光ビーム１７２１ｂに対して角度のある表面を含み、光ビームの逸れ（deflection）を生じてもよい。

図１７Ａは、更に別の例示的な光通信アセンブリ１７００の単純化した側面断面図を描写しており、この光通信アセンブリ１７００は、コネクタ光結合ユニット１７０１、及びトランシーバー光結合ユニット１７０２を備え、ハウジングを備えず、また嵌合された向きで示されている。光電子デバイス１７０３（この例では発光器）、及び集積回路１７０４は、ＰＣＢ １７０５上に配設されている。トランシーバー光結合ユニット１７０２は、機械的支持部材１７１８を含み、この機械的支持部材１７１８は、嵌合面１７１８ａ及び対向面１７１８ｂ、嵌合縁部１７１８ｃ、並びにベース縁部１７１８ｄを有する。嵌合縁部１７１８ｃは、嵌合面１７１８ａの縁部であり、嵌合が起こるときに、最初にコネクタ光結合ユニット１７０１に当たる。図１７に示される構成では、嵌合面１７１８ａは、ＰＣＢ １７０５の表面１７０５ａに対して角度があり、もって、嵌合面１７１８ａが、ＰＣＢ １７０５の表面１７０５ａの方へ、ベース縁部１７１８ｄから嵌合縁部１７１８ｃまで傾斜するようになっている。この構成では、光導波路１７４０は、ＰＣＢ表面１７０５ａの方へ向かう角度で、コネクタ光結合ユニット１７０１から離れて延びる。

光学素子１７２０は、機械的支持部材１７１８の対向面１７１８ｂ上に配設され、光電子デバイス１７０３と光学的に位置合わせされる。機械的支持部材１７１８は、光学素子１７２０を支持しており、もって、光電子デバイス１７０３と光学素子１７２０との間に適切な分離及び位置合わせがあるようになっており、結果として、コネクタ光結合ユニット１７０１の方向転換素子１７１０と光電子デバイス１７０３との間に、光学素子１７２０を通じた光学的位置合わせを生じる。嵌合された構成では、コネクタ光結合ユニット１７０１の嵌合面１７０１ａは、トランシーバー光結合ユニット１７０２の嵌合面１７１８ａに隣接している。嵌合された構成での作用では、コネクタ光結合ユニット１７０１及びトランシーバー光結合ユニット１７０２を含む光通信アセンブリ１７００は、光電子素子１７０３と光導波路１７４０との間で光を伝送する。

図１７Ａに示される例では、光電子デバイス１７０３は発光デバイスを備え、この発光デバイスは、発散光ビーム１７２１ａを、光電子デバイス１７０３の発光面に対して実質的に垂直に、光学素子１７２０の方へ発する。光学素子１７２０は、機械的支持構造１７１８の窪み又はトレンチ１７１８ｅの下に配設されている。光学素子１７２０は、第１及び第２の機構１７２０ａ、１７２０ｂを含む。第１機構１７２０ａ、例えばレンズは、光ビーム１７２１ａの発散を変化させ、かつ／又は発散する光ビーム１７２１ａをコリメートするように構成されている。光学素子１７２０の第１機構１７２０ａから現れる光ビーム１７２１ｂは、光学素子１７２０の第２機構１７２０ｂ、例えば屈折機構、例えばプリズムにより、角度φだけ方向転換される。光学素子１７２０の第２機構１７２０ｂから現れる光ビーム１７２１ｃは、コネクタ光結合ユニット１７０１の光方向転換素子１７１０、例えば光方向転換素子に方向付けられる。図１７に示される実施形態では、方向転換素子１７１０は、光ビーム１７２１ｃの発散及び方向を変化させており、もって、光ビーム１７２１ｃの中央光線が角度θだけ逸れるようになっており、この角度θは約９０度であってもよい。光方向転換素子１７１０から現れる光ビーム１７２１ｄは、コネクタ光結合ユニット１７０１の光導波路１７４０の入力面の方へ収束する。この例では、光ビーム１７２１ａの中央光線は、角度θ＋φだけ方向転換され、この角度θ＋φは９０度より大きくてもよい。

図１７Ｂに描写されるように、いくつかの実施形態では、光ファイバー１７５０は、ＰＣＢ １７６０に実質的に平行に、コネクタで９０度より大きな逸れで出てもよく（θ＞９０度）、これは損失の低減という利益をもたらす。この実施形態は、光学素子１７７０により提供される拡大ビームの適切な偏差（deviation）φを含む。

図１５、図１６、図１７Ａ、及び図１７Ｂに示される実施形態、並びに本明細書に記載される他の実施形態では、トランシーバー光結合ユニットの機械的支持体は、光電子デバイス及び／又は集積回路に対する保護、又は気密封止をも提供してもよい。

図１８Ａ及び図１８Ｂは、拡大ビーム光結合を伴う別の実施形態を示しており、コネクタ光結合ユニットは、光導波路上に支持され、この光導波路は、ばねとして作用して、コネクタ光結合ユニットと嵌合光結合ユニットとの間に嵌合力を与える。図１８Ａは、光通信アセンブリ１８００を示し、この光通信アセンブリ１８００は、トランシーバー光結合ユニット１８０２、及び光導波路１８４０に取り付けられたコネクタ光結合ユニット１８０１を含む。図１８Ａでは、光通信アセンブリ１８０１は、嵌合されていない構成で示されており、嵌合構成に近付いている。コネクタ光結合アセンブリ１８０１は、ハウジング１８１０内、例えばコネクタハウジング内に配設され、このハウジング１８１０は、第１導波路支持体１８１５、第２導波路支持体１８１６、及び第３導波路支持体１８１７を有し、これらは、光導波路１８４０の二重屈曲（double bend）を提供する。前述のように、光導波路は、コネクタ本体の第１ファイバー取付機構１８１２で取り付けられ、また、コネクタ光結合ユニットに、第２ファイバー取付機構１８１３で取り付けられる。

トランシーバー光結合ユニット１８０２は、支持構造１８１８を含み、この支持構造１８１８は、ＰＣＢ １８０５上に配設され、嵌合面１８１８ａを有する。また、ＰＣＢ １８０５上には、光電子デバイス１８０３及び集積回路１８０４も配置される。トランシーバー光結合ユニット１８０２、光電子デバイス１８０３、及び集積回路１８０４は、ハウジング１８１１内、例えばレセプタクルハウジング内に配設されている。

トランシーバー光結合ユニット支持構造１８１８の嵌合面１８１８ａと、コネクタハウジング１８１０の矢印１８９０によって示される嵌合方向とは、この例では、実質的に平行である。トランシーバー光結合ユニット１８０２のコネクタ光結合ユニット嵌合縁部１８０２ａは縁取りされ、これにより、コネクタ光結合ユニット１８０１がトランシーバー光結合ユニット１８０２と嵌合するときに、光結合ユニット１８０１が、縁取りされた嵌合縁部１８０２ａと接触するようになっている。光結合ユニット１８０１が、縁取りされた縁部１８０２ａに沿って滑動すると、コネクタ光結合ユニットは回転する。コネクタ１８１０が嵌合方向に沿って更に動くと、コネクタ光結合ユニット１８０１の嵌合面１８０１ｂは、トランシーバー光結合ユニット１８０２の嵌合面１８１８ａに隣接する嵌合位置に滑動する。

図１８Ｂは、コネクタ光結合ユニット１８０１及びトランシーバー光結合ユニット１８０２が嵌合された後の、光通信アセンブリ１８００を示す。嵌合された構成では、光導波路１８４０が更に屈曲し、光導波路１８４０を、少なくとも第１導波路支持体１８１５から離して持ち上げる。光導波路１８４０の屈曲は、嵌合面１８０１ｂ、１８１８ａを嵌合接触させて維持する力を提供する。

前述のように、光通信アセンブリは、ばね力を提供するファイバーの屈曲の使用を伴ってもよく、このばね力は、拡大ビーム光結合ユニットを嵌合接触させて保持する。本開示で議論される実施形態に適用可能な光結合ユニット及びその構成要素に関する追加の情報は、同一所有者の２０１２年１０月５日に出願された米国特許出願番号第６１／７１０，０８３号、２０１２年１０月５日に出願された同第６１／７１０，０７７号、２０１２年１０月５日に出願された同第６１／７１０，０６７号、及び２０１２年１２月１３日に出願された同第６１／７３６，７０３号に記載されている。これらの特許出願のそれぞれは、参照により本明細書に組み込まれる。

いくつかの実施形態は、嵌合力を与えるために、ファイバーの屈曲に依存しなくてもよく、かつ／又は、ファイバーの屈曲と共に、他の技術に依存して、コネクタ光結合ユニットをトランシーバー光結合ユニットと嵌合接触させて固定してもよい。これらの実施形態は、上記のように、及び参照により本明細書に組み込まれた特許出願に記載されるように、コネクタ光結合ユニットを使用してもよい。

図１９Ａ及び図１９Ｂは、電子デバイス、例えば携帯電話、音楽記憶デバイス、タブレット、又はラップトップコンピュータと共に使用される光通信アセンブリ１９００を示す。図１９Ａ及び図１９Ｂはそれぞれ、嵌合されていない状態及び嵌合された状態の光通信アセンブリ１９００を示す。この例では、電子デバイスのカバー、ハウジング、又は蓋１９９１、１９９２は、設置される場合、光通信アセンブリ１９００に力を加え、光通信アセンブリ１９００のサブアセンブリを、嵌合接触させて保持する。図１９Ａは、光通信アセンブリ１９００の嵌合されていないサブアセンブリを示し、この光通信アセンブリ１９００は、光方向転換ユニット（図示せず）を有するコネクタ光結合ユニット１９０１を含む。コネクタ光結合ユニット１９０１は、光導波路１９４０に取り付けられている。光通信アセンブリ１９００は、トランシーバー光結合ユニット１９０２、及び光電子デバイス１９０３を含み、この光電子デバイス１９０３は、機械的支持構造１９１８により形成された空洞１９０９内であって、ＰＣＢ １９０５上に配設されている。いくつかの実施形態では、トランシーバー光結合ユニット１９０２の機械的支持構造１９１８は、その上に配設された光学素子（図示せず）を有する。いくつかの実施形態では、コネクタ光結合ユニット１９０１が、光学素子を含み、更に他の実施形態では、光学素子は、光電子デバイス１９０３自体の上に配設される。これらの実施形態の全てでは、コネクタ光結合ユニット１９０１がトランシーバー光結合ユニット１９０２に嵌合されているときに、光が、光導波路１９４０と光電子デバイス１９０３との間で伝送され得る。前述のように、コネクタ光結合ユニット１９００の光方向転換素子は、光導波路１９４０及び光電子デバイス１９０３と、光学素子を通じて光学的に位置合わせされる。

トランシーバー光結合ユニット１９０２は、コネクタ光結合ユニット１９０１の適合する位置合わせ機構と嵌合するように構成された、位置合わせ機構を含んでもよい。図１９Ａ及び図１９Ｂに示されるように、コネクタ光結合ユニット１９０１は、ピン又は突出部１９０１ａを含んでもよく、このピン又は突出部１９０１ａは、トランシーバー光結合ユニット１９０２の適合する孔又は窪み１９０２ａと係合するように構成されている。コネクタ光結合ユニットは、窪み又は孔を提供するように形成されてもよいこと、及びトランシーバー光結合ユニットは、適合するピン又は突出部を提供してもよいことが理解されるであろう。いくつかの実施形態では、トランシーバー光結合ユニット自体がピンを形成し、コネクタ光結合ユニットは、トランシーバー光結合ユニット上にフィットする突出縁部を含む。

図１９Ｂは、嵌合後の光通信アセンブリ１９００を示す。突出部は、溝内にフィットして、光結合ユニット１９０１、１９０２を位置合わせさせる。光結合ユニット１９０１、１９０２は、デバイスのケース１９９１、１９９２が掛ける力によって、嵌合位置に保持される。光通信アセンブリは、ケースの第１及び第２の部分１９９１、１９９２の間に押し込まれ、力が、コネクタ光結合ユニット１９０１及びトランシーバー光結合ユニット１９０２の嵌合面に対して実質的に垂直に加えられる。いくつかの構成では、柔軟層（compliant layer）又はばね１９９０が、ケース部分１９９１とコネクタ光結合ユニット１９０１との間、及び／又はケース部分１９９２とＰＣＢ １９０５との間に挿入されてもよい。

図２０は、電子デバイス用光通信アセンブリの別の構成を示しており、電子デバイスのケース２０９１、２０９２は、コネクタ光結合ユニット２００１を、光電子デバイス２００３と嵌合位置合わせして保持するために使用されている。示される構成では、コネクタ光結合ユニット２００１が光学素子（図示せず）を含むか、又は光学素子は、光電子デバイス２００３上に配設される。嵌合後、コネクタ光結合ユニット２００１の光方向転換素子は、電子デバイスのケース２０９１、２０９２を通じて加えられる力によって、光学素子を介して光導波路２０４０及び光電子デバイス２００３と光学的に位置合わせして保持される。光電子デバイス２００３は、第２のＰＣＢ ２００４（すなわちドーターボード（daughter board））上、かつ第１のＰＣＢ ２００５（すなわちマザーボード）の孔２００６内に実装されている。コネクタ光結合ユニット２００１は、ケースの第１及び第２の部分２０９１、２０９２の間に押し込まれる。いくつかの構成では、柔軟層又はばね２０９０が、ケース部分２０９１とコネクタ光結合ユニット２００１との間、及び／又はケース部分２０９２と第２のＰＣＢ ２００４との間に挿入されてもよい。

図２１Ａは、光通信アセンブリ２１００の別の構成を示し、この光通信アセンブリ２１００は、いくつかの点では、図２０の光通信アセンブリ２０００と同様である。光通信アセンブリ２０００と同様に、光通信アセンブリ２１００は、第２のＰＣＢ ２１０４上、かつ第１のＰＣＢ ２１０５の孔２１１６内に実装された光電子デバイス２１０３を含む。光通信アセンブリ２１００は、コネクタ光結合ユニット２１０１（図２１Ｂの上面図にも示される）、及びトランシーバー光結合ユニット２１０２を含む。この例では、トランシーバー光結合ユニットは、機械的支持構造２１１８を含み、この機械的支持構造２１１８は、機械的支持構造２１１８上に配設された光学素子（図示せず）を任意で支持できる。コネクタ光結合ユニット２１０１及びトランシーバー光結合ユニット２１０２が嵌合されているときに、コネクタ光結合ユニットの光方向転換素子２１０６は、光学素子を介して光電子デバイス２１０３と光学的に位置合わせされる。コネクタ光結合ユニット２１０１及びトランシーバー光結合ユニット２１０２が嵌合されているときに、光が、光導波路２１４０と光電子デバイス２１０３との間で伝送され得る。

図２１Ａに示される実施形態では、コネクタ光結合ユニット２１０１及びトランシーバー光結合ユニット２１０２は、コネクタ光結合ユニット２１０１上の位置合わせ機構２１１１（例えば位置合わせスロット）、及びトランシーバー光結合ユニット２１０２上に配設された位置合わせピン２１１２により、嵌合構成で位置合わせし、この位置合わせピン２１１２は、嵌合時にコネクタ光結合ユニットと係合する。コネクタ光結合ユニット２１０１及びトランシーバー光結合ユニット２１０２は、コネクタ光結合ユニット２１０１に力を加えるばね機構２１１０によって、嵌合構成で保持される。

図２２Ａ〜２２Ｄは、いくつかの構成による光通信アセンブリ２２００の嵌合配置を示す。光通信アセンブリ２２００は、コネクタ光結合ユニット２２０１を含み、このコネクタ光結合ユニット２２０１は、光導波路２２４０に取り付けられ、トランシーバー光結合ユニット２２０２と嵌合するように構成されている。光電子デバイス及びＰＣＢは、これらの図では示されていないが、嵌合構成では、前述のように、光電子デバイスが、光学素子（図示せず）を介してコネクタ光結合ユニット２２０１の光方向転換素子（図示せず）と光学的に位置合わせされるように、光電子デバイスが配置されるであろう。嵌合構成は、光が、光ファイバー２２４０と光電子デバイスとの間で伝送されることを可能にする。

トランシーバー光結合ユニット２２０２は、スロット２２３０を備えており、コネクタ光結合ユニット２２０１は、光結合ユニット２２０１の嵌合面２２０１ａ、２２０２ａに平行な方向２２２１に沿って挿入され得る。スロット２２３０は、側部２２３１、２２３２及び端部２２３３を含み、これらは、コネクタ光結合ユニット２２０１がスロット２２３０内に挿入されるときに、コネクタ光結合ユニット２２０１とトランシーバー光結合ユニット２２０２との間の粗い光学的位置合わせを提供する。光結合ユニット２２０１、２２０２は、適合する嵌合ピン２２９０を受け入れるように構成された孔２２０１ｂ、２２０２ｂを含み、このピン２２９０は、コネクタ光結合ユニット２２０１とトランシーバー光結合ユニット２２０２との間で、微細な光学的位置合わせを提供する。図２２Ａ及び２２Ｂはそれぞれ、コネクタ光結合ユニット２２０１を、トランシーバー光結合ユニット２２０２のスロット２２３０内に挿入する前の、光通信アセンブリ２２００の側面図及び上面図を示す。図２２Ｃは、コネクタ光結合ユニット２２０１を、トランシーバー光結合ユニット２２０２のスロット内に挿入した後の、光通信アセンブリ２２００の側面図を示す。図２２Ｄは、コネクタ光結合ユニット２２０１を、トランシーバー光結合ユニット２２０２のスロット２２３０内に挿入した後であって、微細位置合わせピン２２９０を、位置合わせ孔２２０１ｂ、２２０２ｂ内に挿入した後の、光通信アセンブリ２２００の側面図を示す。いくつかの実施形態では、位置合わせ孔は、位置合わせ表面２２０１ａ、２２０２ａに対して実質的に垂直に延びてもよい。いくつかの実施形態では、位置合わせ孔は、嵌合面２２０１ａ、２２０１ａに対して垂直ではない角度に沿って延びてもよい。

追加の実施形態は、光通信アセンブリであって、コネクタ光結合ユニットが、トランシーバー光結合ユニット上で(over or onto)挿入されるスロットを有する光通信アセンブリを含むことが理解されるであろう。加えて、又は代わりに、光通信アセンブリは、図１９Ａ、図１９Ｂ、及び図２０に関連して前述したように、電子デバイスの構成要素であることがあり、微細位置合わせピンは、電子デバイスのカバー又はケース上に配設されることがある。ケース上に配設され、光結合ユニットの孔に挿入された微細位置合わせピンが、光学構成要素を嵌合位置に位置合わせしている間、電子デバイスケースの設置により加えられる力は、ばね力を光通信アセンブリに加えるであろう。いくつかの実施形態では、位置合わせ孔及びピンは、先細であってもよい。いくつかの実施形態は、１つ以上のダイヤモンド形状の位置合わせ孔及びピンを使用する。例えば、いくつかの場合には、単一のダイヤモンド形状の位置合わせ孔及び適合するダイヤモンド形状のピンが使用され得る。

図２３Ａ及び図２３Ｂはそれぞれ、ＰＣＢ上に実装されるように構成された位置合わせフレームの側面図及び上面図を示し、この位置合わせフレームは、コネクタ光結合ユニットを、ＰＣＢ上に実装された光電子デバイスと位置合わせさせるために使用され得る。位置合わせフレーム２３９０は、位置合わせフレーム２３９０をＰＣＢと接合するための接合タブ２３９１を含む、１つ以上の機構と；コネクタ光結合ユニットをフレーム２３９０内で押さえつけるばね機構２３９５と；１つ以上の位置合わせ機構２３９２、例えば楔形状位置合わせ機構であって、光電子デバイスと光学的に位置合わせした、フレーム２３９０内のコネクタ光結合ユニットの横方向及び／又は縦方向の位置合わせを提供するように構成された位置合わせ機構と；コネクタ光結合ユニットの、光電子デバイスに対する垂直位置合わせを維持する支持タブ２３９３と；コネクタ光結合ユニットを位置合わせ機構２３９２に対して保持するように構成されたばね掛け部（spring latch）２３９４と、を含んでもよい。ばね機構２３９５は、ガルウィング構造であってもよく、又はガルウィング構造を備えてもよい。

図２３Ｃ及び図２３Ｄはそれぞれ、光通信アセンブリ２３００の側面図及び上面図を示し、この光通信アセンブリ２３００は、位置合わせフレーム２３９０と共に、フレーム２３９０内のコネクタ光結合ユニット２３０１を備える。

本明細書で開示される実施形態は、下記の項目を含む。
項目１．１つ以上の光電子デバイスと、
１つ以上の光学素子であって、それぞれの光学素子が、入射光を受け入れるように構成された入力側、及び出射光を出力するように構成された出力側を有し、それぞれの光学素子が、出射光の発散を、入射光の発散に対して変化させるように構成されており、それぞれの光学素子が、対応する光電子デバイスから離間されると共に、対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせされる、光学素子と、
トランシーバー光結合ユニットであって、光導波路に取り付けられたコネクタ光結合ユニットとの嵌合のために構成された嵌合面を有し、光学光結合ユニットの嵌合方向が、トランシーバー光結合ユニットの嵌合面と角度を形成しており、もって、コネクタ光結合ユニットがトランシーバー光結合ユニットと嵌合するときに、コネクタ光結合ユニットの嵌合方向とトランシーバー光結合ユニットの嵌合面との間の角度によって、光導波路が屈曲するようになっている、トランシーバー光結合ユニットと、
を備える、光通信サブアセンブリ。

項目２．トランシーバー光結合ユニットが、嵌合方向とは異なる方向に沿って延びるトランシーバーユニットの嵌合面を有する、項目１のサブアセンブリ。

項目３．コネクタ光結合ユニットが一体型である、項目１〜２のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目４．トランシーバー光結合ユニットが一体型である、項目１〜３のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目５．トランシーバー光結合ユニットは、トランシーバー光結合ユニットの嵌合面及びコネクタ光結合ユニットの嵌合面が嵌合中に接触するときに、トランシーバー光結合ユニットがコネクタ光結合ユニットに力を掛けて、光導波路が屈曲するように構成されている、項目１〜４のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目６．光結合ユニットの嵌合方向とトランシーバー光結合ユニットの嵌合面との間の角度が、約５〜約６０度である、項目１〜５のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目７．光結合ユニットの嵌合方向とトランシーバー光結合ユニットの嵌合面との間の角度が、約１０〜約３０度である、項目１〜５のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目８．光結合ユニットの嵌合角度とトランシーバー光結合ユニットの嵌合面との間の差が、約１５度である、項目１〜７のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目９．トランシーバー光結合ユニットがコネクタ光結合ユニットと嵌合するときに、コネクタ光結合ユニットが少なくとも０．５度回転する、項目１〜８のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目１０．トランシーバー光結合ユニットがコネクタ光結合ユニットと嵌合するときに、コネクタ光結合ユニットが少なくとも２度回転する、項目１〜９のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目１１．トランシーバー光結合ユニットがコネクタ光結合ユニットと嵌合するときに、コネクタ光結合ユニットが５度よりも大きく回転する、項目１〜１０のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目１２．作用時に、嵌合の結果として、トランシーバー光結合ユニットとコネクタ光結合ユニットとの間で、光及び電気のうちの一方又は両方の伝送がある、項目１〜１１のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目１３．複数の光電子デバイスと電気的に結合された集積回路を更に備えるサブアセンブリであって、トランシーバー光結合ユニットが、光電子デバイス及び集積回路のための気密封止を形成する、項目１〜１２のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目１４．１つ以上の光学素子が、トランシーバー光結合ユニットの機械的支持体上に配設されている、項目１〜１３のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目１５．１つ以上の光学素子がそれぞれ、トランシーバー光結合ユニットの嵌合面の１つ以上の窪み内に配設されている、項目１〜１４のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目１６．１つ以上の光学素子が、トランシーバー光結合ユニットの嵌合面のトレンチ内に配設されている、項目１〜１４のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目１７．トランシーバー光結合ユニットが、コネクタ光結合ユニットの嵌合面と嵌合するように構成された嵌合面を含み、トランシーバー光結合ユニットの嵌合面が、コネクタ光結合ユニットに対する横方向の位置合わせを提供するように構成された少なくとも１つの横方向位置合わせ機構を備える、項目１〜１６のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目１８．少なくとも１つの横方向位置合わせ機構が、トランシーバー光結合ユニットの嵌合面の両側に配設された対向する位置合わせ機構を備える、項目１７に記載のサブアセンブリ。

項目１９．対向する位置合わせ機構が、第１及び第２の楔形状突出部を備え、この第１及び第２の楔形状突出部は、光結合ユニットを、第１及び第２の位置合わせ突出部の間に受け入れるように配置されている、項目１８に記載のサブアセンブリ。

項目２０．少なくとも１つの位置合わせ機構が、コネクタ光結合ユニットの対応する位置合わせ機構と係合するように構成された位置合わせ突出部又は位置合わせトレンチを備える、項目１７に記載のサブアセンブリ。

項目２１．
光電子デバイスがプリント回路基板（ＰＣＢ）上に配設されるサブアセンブリであって、
光電子デバイスと電気的に結合された集積回路を更に備え、集積回路がＰＣＢ上に配設されている、項目１〜２０のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目２２．光電子デバイスの少なくとも一部が、面発光半導体レーザー（surface emitting semiconductor laser）であり、集積回路が、面発光半導体レーザー用ドライバ回路を備える、項目２１に記載のサブアセンブリ。

項目２３．対応する光学素子が、面発光半導体レーザーから受け入れた光をコリメートするように構成されている、項目２２に記載のサブアセンブリ。

項目２４．光電子デバイスの少なくとも一部が、光検出器であり、集積回路が、光検出器用レシーバ回路を備える、項目２１に記載のサブアセンブリ。

項目２５．対応する光学素子が、コネクタ光結合ユニットから受け入れた光を光検出器に集束させるように構成されている、項目２４に記載のサブアセンブリ。

項目２６．光電子デバイスが、実装面を有するプリント回路基板（ＰＣＢ）上に配設されており、この実装面は、トランシーバー光結合ユニットの嵌合面と平行ではない、項目１〜２５のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目２７．光電子デバイスが、実装面を有するプリント回路基板（ＰＣＢ）上に配設されており、この実装面は、トランシーバー光結合ユニットの嵌合面とほぼ平行である、項目１〜２５のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目２８．光学素子が、入力光の発散を変化させるように構成された第１機構を備える、項目１〜２７のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目２９．光学素子が、入力光の方向を変化させるように構成された第２機構を備える、項目２８に記載のサブアセンブリ。

項目３０．第１機構がレンズであり、第２機構がプリズムである、項目２９に記載のサブアセンブリ。

項目３１．光学素子が、入力光の発散及び方向を変化させるように構成されている、項目１〜３０のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目３２．コネクタ光結合ユニットが、嵌合方向を有するコネクタハウジング内に配設され、
トランシーバー光結合ユニットが、機械的支持構造を有し、トランシーバー光結合ユニットの嵌合面が、機械的支持構造の後縁から機械的支持構造の嵌合縁部まで、嵌合方向に垂直又は平行でない方向に沿って延びる、請求項１〜３１のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目３３．光電子デバイスがプリント回路基板上に実装され、
トランシーバー支持ユニットの嵌合面が、後縁から嵌合縁部まで、ＰＣＢの表面の方へ延びる、項目３２に記載のサブアセンブリ。

項目３４．光電子デバイスがプリント回路基板上に実装され、
トランシーバー支持ユニットの嵌合面が、後縁から嵌合縁部まで、ＰＣＢの表面から離れて延びる、項目３２に記載のサブアセンブリ。

項目３５．コネクタ光結合ユニットを備える光コネクタであって、コネクタ光結合ユニットが、複数の導波路と複数の光方向転換素子との間で光を結合するように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、コア直径を有する対応する光導波路に光学的に結合され、光方向転換素子が、光導波路から現れる光を方向付けるように構成されており、もって、方向付けられた光が、光導波路のコア直径を超える直径を有するようになっている、光コネクタと、
複数の光電子デバイスと、
複数の光学素子であって、それぞれの光学素子が、光学素子を通過する光の発散を変化させるように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスに光学的に結合されている、光学素子と、
トランシーバー光結合ユニットであって、コネクタ光結合ユニットとの嵌合のために、かつコネクタ光結合ユニットと複数の光電子デバイスとの間で光を結合するように構成されており、光コネクタの嵌合方向が、トランシーバー光結合ユニットの嵌合面と角度を形成しており、もって、コネクタ光結合ユニットがトランシーバー光結合ユニットと嵌合するときに、光コネクタの嵌合方向とトランシーバー光結合ユニットの嵌合面との間の角度によって、複数の光導波路が屈曲するようになっている、トランシーバー光結合ユニットと、
を備える、光通信アセンブリ。

項目３６．光電子デバイス及びトランシーバー光結合ユニットが、プリント回路基板（ＰＣＢ）の表面上に実装され、かつレセプタクルコネクタのハウジング内に配設されており、
光コネクタが、レセプタクルコネクタと嵌合するように構成されたプラグコネクタを備え、光コネクタの嵌合方向が、ＰＣＢの表面に実質的に垂直である、項目３５に記載のアセンブリ。

項目３７．光電子デバイス及びトランシーバー光結合ユニットが、プリント回路基板（ＰＣＢ）の表面上に実装され、かつレセプタクルコネクタのハウジング内に配設されており、
光コネクタが、レセプタクルコネクタと嵌合するように構成されたプラグコネクタを備え、光コネクタの嵌合方向が、ＰＣＢの表面に実質的に平行である、項目３５〜３６のいずれか一項に記載のアセンブリ。

項目３８．光電子デバイス及びトランシーバー光結合ユニットが、プリント回路基板の表面上に実装され、かつレセプタクルコネクタのハウジング内に配設されており、
光コネクタが、レセプタクルコネクタと嵌合するように構成されたプラグコネクタを備え、光コネクタの嵌合方向が、ＰＣＢに対して角度があり、この角度がＰＣＢの表面に垂直又は平行でない、項目３５〜３７のいずれか一項に記載のアセンブリ。

項目３９．コネクタ光結合ユニットを備える光コネクタであって、コネクタ光結合ユニットが、複数の導波路と複数の光方向転換素子との間で光を結合するように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、コア直径を有する対応する光導波路に光学的に結合され、光方向転換素子が、光導波路から現れる光を方向付けるように構成されており、もって、方向付けられた光が、光導波路のコア直径を超える直径を有するようになっている、光コネクタと、
複数の光電子デバイスと、
複数の光学素子であって、それぞれの光学素子が、光学素子を通過する光の発散を変化させるように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスに光学的に結合されている、光学素子と、
トランシーバー光結合ユニットであって、コネクタ光結合ユニットとの嵌合のために、かつコネクタ光結合ユニットと複数の光電子デバイスとの間で光を結合するように構成されており、コネクタ光結合ユニットが嵌合面を有し、トランシーバー光結合ユニットが対応する嵌合面を有しており、もって、コネクタ光結合ユニットとトランシーバー光結合ユニットとの間で嵌合が起こるときに、コネクタ光結合ユニットの嵌合面が最初にトランシーバー光結合ユニットの嵌合面と線接触を形成した後、コネクタ光結合ユニットが回転してトランシーバー光結合ユニットと面接触を形成し、この回転によって複数の光導波路が屈曲するようになっている、トランシーバー光結合ユニットと、
を備える、光通信アセンブリ。

項目４０．コネクタ光結合ユニットを備える光コネクタであって、コネクタ光結合ユニットが、複数の導波路と複数の光方向転換素子との間で光を結合するように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、コア直径を有する対応する光導波路に光学的に結合され、光方向転換素子が、光導波路から現れる光を方向付けるように構成されており、もって、方向付けられた光が、光導波路のコア直径を超える直径を有するようになっている、光コネクタと、
複数の光電子デバイスと、
複数の光学素子であって、それぞれの光学素子が、光学素子を通過する光の発散を変化させるように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスに光学的に結合されている、光学素子と、
トランシーバー光結合ユニットであって、コネクタ光結合ユニットとの嵌合のために、かつコネクタ光結合ユニットと複数の光電子デバイスとの間で光を結合するように構成されており、コネクタ光結合ユニットが、嵌合縁部のある嵌合面を有し、トランシーバー光結合ユニットが、縁取りされた嵌合縁部のある対応する嵌合面を有し、コネクタ光結合ユニット及びトランシーバー光結合ユニットの嵌合面が、嵌合後に、光コネクタの嵌合方向に実質的に平行に配置されており、もって、嵌合が起こるときに、コネクタ光結合ユニットの嵌合縁部が最初にトランシーバー光結合ユニットの縁取りされた嵌合縁部との接触を形成するようになっており、コネクタ光結合ユニットが嵌合方向に沿って動くと、コネクタ光結合ユニットが回転してコネクタ光結合ユニットの嵌合面とトランシーバー光結合ユニットの嵌合面との間に面接触を形成し、この回転によって複数の光導波路が屈曲するようになっている、トランシーバー光結合ユニットと、
を備える、光通信アセンブリ。

項目４１．複数の光方向転換素子を含むコネクタ光結合ユニットであって、それぞれの光方向転換素子が、対応する光導波路に光学的に結合され、光方向転換素子が、光導波路に進む、又は光導波路から進む光を方向付けるように構成されており、もって、光導波路に進む、又は光導波路から進む光の中央光線が、９０度を超える角度θによって方向転換されるようになっている、コネクタ光結合ユニットを備える、光通信サブアセンブリ。

項目４２．それぞれの光方向転換素子が、光をコリメートするように更に構成されている、請求項４１に記載のサブアセンブリ。

項目４３．θが約１１０度よりも大きい、請求項４１〜４２のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目４４．コネクタ光結合ユニットと嵌合するように構成されたトランシーバー光結合ユニットであって、複数の光方向転換素子と複数の光電子デバイスとの間でそれぞれ、光を結合するように構成されたトランシーバー光結合ユニットを更に備え、トランシーバー光結合ユニットが複数の屈折素子を含む、請求項４１〜４３のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目４５．複数の導波路と複数の反射素子との間でそれぞれ、光を結合するように構成されたコネクタ光結合ユニットであって、それぞれの反射素子が、対応する光導波路に光学的に結合され、それぞれの反射素子が、対応する光導波路に入力光を反射し、又は対応する光導波路から前記入力光を反射するように構成されており、もって、対応する光導波路に進む、又は対応する光導波路から進む入力光の中央光線が、第１角度θによって方向転換されるようになっており、反射素子が、入力光の発散を変化させるように更に構成された、コネクタ光結合ユニットと、
複数の屈折素子であって、それぞれの屈折素子が、対応する反射素子に光学的に結合され、それぞれの屈折素子が、対応する反射素子に進む、又は対応する反射素子から進む光の方向を、第２角度φによって変化させるように構成された、屈折素子と、
を備える、光通信サブアセンブリ。

項目４６．それぞれの反射素子が、光学的反射表面を備え、
それぞれの屈折素子が、光学的屈折表面であって、反射表面が屈折表面と平行でない光学的屈折表面を備える、項目４５に記載のサブアセンブリ。

項目４７．コネクタ光結合ユニットと嵌合するように構成されたトランシーバー光結合ユニットであって、複数の光方向転換素子と複数の光電子デバイスとの間でそれぞれ、光を結合するように構成されたトランシーバー光結合ユニットを更に備え、トランシーバー光結合ユニットが複数の屈折素子を含む、項目４５〜４６のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目４８．θが約９０度である、項目４５〜４７のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目４９．θ＋φが９０度よりも大きい、項目４５〜４８のいずれか一項に記載のサブアセンブリ。

項目５０．光通信アセンブリであって、
１つ以上の光電子デバイスと、
１つ以上の光学素子であって、それぞれの光学素子が、対応する光電子デバイスと位置合わせしている、光学素子と、
トランシーバー光結合ユニットと、
１つ以上の光方向転換機構を備えるコネクタ光結合ユニットであって、それぞれの光方向転換機構が、対応する光導波路に光学的に結合されるように配置されており、トランシーバー光結合ユニットが、コネクタ光結合ユニットと嵌合するように構成されており、それぞれの光方向転換機構が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせされるようになっている、コネクタ光結合ユニットと、
アセンブリの構成要素の保護を提供するように構成されたカバーであって、光通信アセンブリに力を加えて、それぞれの光方向転換機構を対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせして保つように構成されたカバーと、
を備える、光通信アセンブリ。

項目５１．トランシーバー光結合ユニットが第１位置合わせ機構を含み、
コネクタ光結合ユニットが、第１位置合わせ機構と係合するように構成された第２位置合わせ機構を含む、項目５０に記載のアセンブリ。

項目５２．第１位置合わせ機構が窪みであり、
第２位置合わせ機構が、窪み内にフィットするように構成された突出部である、項目５１に記載のアセンブリ。

項目５３．カバーが位置合わせピンを含み、トランシーバー光結合ユニット及びコネクタ光結合ユニットが、ピンを受け入れるように構成された位置合わせ孔を含む、項目５０〜５２のいずれか一項に記載のアセンブリ。

項目５４．コネクタ光結合ユニットとの嵌合のために、トランシーバー光結合ユニットが、コネクタ光結合ユニットにより形成された空洞の内部にフィットする、項目５０〜５３のいずれか一項に記載のアセンブリ。

項目５５．トランシーバー光結合ユニットとの嵌合のために、コネクタ光結合ユニットが、トランシーバー光結合ユニットにより形成された空洞の内部にフィットするように構成された、項目５０〜５３のいずれか一項に記載のアセンブリ。

項目５６．トランシーバー光結合ユニットが嵌合面を有し、コネクタ光結合ユニットが、トランシーバー光結合ユニットの嵌合面に平行な対応する嵌合面を有し、コネクタ光結合ユニットのトランシーバー光結合ユニットとの嵌合方向が、トランシーバー光結合ユニット及びコネクタ光結合ユニットの嵌合面に実質的に平行である、項目５５に記載のアセンブリ。

項目５７．トランシーバー光結合ユニットが嵌合面を有し、コネクタ光結合ユニットが、トランシーバー光結合ユニットの嵌合面に平行な対応する嵌合面を有し、コネクタ光結合ユニットのトランシーバー光結合ユニットとの嵌合方向が、トランシーバー光結合ユニット及びコネクタ光結合ユニットの嵌合面に実質的に垂直である、項目５５に記載のアセンブリ。

項目５８．カバーがコネクタ光結合ユニットと直接接触している、項目５０〜５７のいずれか一項に記載のアセンブリ。

項目５９．コネクタ光結合ユニットとカバーとの間に配設された引張素子（tensioning element）であって、コネクタ光結合ユニットにばね力を提供するように構成された引張素子を更に備える、項目５０〜５７のいずれか一項に記載のアセンブリ。

項目６０．引張素子がばねを備える、項目５９に記載のアセンブリ。

項目６１．引張素子が柔軟材料の層を備える、項目５９に記載のアセンブリ。

項目６２．１つ以上の光電子デバイスがＰＣＢ上に配設されている、項目５０〜６１のいずれか一項に記載のアセンブリ。

項目６３．アセンブリが、ＰＣＢ上に配設されたプロセッサを更に備える、項目６２に記載のアセンブリ。

項目６４．アセンブリが、携帯電話、携帯音声デバイス、タブレットコンピュータ、又はラップトップコンピュータである、項目６３に記載のアセンブリ。

項目６５．光通信アセンブリであって、
第１及び第２のプリント回路基板（ＰＣＢ）であって、第１のＰＣＢが、第２のＰＣＢの表面上に配設され、第１のＰＣＢが孔を有し、第１及び第２のＰＣＢは、孔の側部及び第２のＰＣＢの表面が窪みを形成するように配置されている、第１及び第２のＰＣＢと、
第１のＰＣＢ上に配置されており、少なくとも部分的に窪みを覆う、トランシーバー光結合ユニットと、
１つ以上の光学素子と、
第２のＰＣＢ上かつ窪み内に配設された１つ以上の光電子デバイスであって、それぞれの光電子デバイスが、対応する光学素子と光学的に位置合わせしている、光電子デバイスと、
１つ以上の光方向転換素子を備えるコネクタ光結合ユニットであって、それぞれの光方向転換素子が、対応する光導波路に光学的に結合されるように配置されており、トランシーバー光結合ユニットが、コネクタ光結合ユニットと嵌合するように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせされるようになっている、コネクタ光結合ユニットと、
アセンブリの構成要素の保護を提供するように構成されたカバーであって、コネクタ光結合ユニットに力を加えて、それぞれの光方向転換素子を対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせして保つように構成されたカバーと、
を備える、光通信アセンブリ。

項目６６．第１及び第２のプリント回路基板（ＰＣＢ）であって、第１のＰＣＢが、第２のＰＣＢの表面上に配設され、第１のＰＣＢが孔を有し、第１及び第２のＰＣＢは、孔の側部及び第２のＰＣＢの表面が窪みを形成するように配置されている、第１及び第２のＰＣＢと、
第１のＰＣＢ上に配置されており、少なくとも部分的に窪みを覆う、トランシーバー光結合ユニットと、
１つ以上の光学素子と、
第２のＰＣＢ上かつ窪み内に配設された１つ以上の光電子デバイスであって、それぞれの光電子デバイスが、対応する光学素子と光学的に位置合わせしている、光電子デバイスと、
１つ以上の光方向転換素子を備えるコネクタ光結合ユニットであって、それぞれの光方向転換素子が、対応する光導波路に光学的に結合されるように配置されており、トランシーバー光結合ユニットが、コネクタ光結合ユニットと嵌合するように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせされるようになっている、コネクタ光結合ユニットと、
コネクタ光結合ユニットにコネクタ光結合ユニットの嵌合面に垂直な方向の力を加えて、それぞれの光方向転換素子を対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせして保つように構成されたクリップと、
を備える、光通信アセンブリ。

項目６７．１つ以上の光電子デバイスと、
１つ以上の光学素子であって、それぞれの光学素子が、対応する光電子デバイスと位置合わせしている、光学素子と、
嵌合面を有するトランシーバー光結合ユニットと、
トランシーバー光結合ユニットの嵌合面と嵌合するように構成された嵌合面を有するコネクタ光結合ユニットであって、コネクタ光結合ユニットが、１つ以上の光方向転換素子を備え、それぞれの光方向転換素子が、対応する光導波路に光学的に結合されるように配置されており、トランシーバー光結合ユニットが、コネクタ光結合ユニットと嵌合するように構成され、それぞれの光方向転換素子が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせされるようになっている、コネクタ光結合ユニットと、
トランシーバー光結合ユニットの平面及びコネクタ光結合ユニットの嵌合面を通って延びる１つ以上の位置合わせ孔であって、位置合わせ孔が、位置合わせピンを受け入れるように構成された、位置合わせ孔と、
を備える、光通信アセンブリ。

項目６８．トランシーバー光結合ユニットがスロットを形成し、コネクタ光結合ユニットがスロットの内部にフィットする、項目６７に記載のアセンブリ。

項目６９．ピンが、コネクタ光結合ユニットの嵌合方向とは異なる方向に挿入されている、項目６７〜６８のいずれか一項に記載のアセンブリ。

項目７０．ピンが、コネクタ光結合ユニットの嵌合方向に平行な方向に挿入されている、項目６７〜６９のいずれか一項に記載のアセンブリ。

項目７１．ピンが、コネクタ光結合ユニットの嵌合方向に垂直な方向に挿入されている、項目６７〜６９のいずれか一項に記載のアセンブリ。

項目７２．１つ以上の位置合わせ孔が、トランシーバー光結合ユニット及びコネクタ光結合ユニットの嵌合面を貫いて実質的に直交して延びる、項目７１に記載のアセンブリ。

項目７３．トランシーバー光結合ユニットがスロットを形成し、コネクタ光結合ユニットがスロットの内部にフィットし、スロットの側部が、光コネクタの光学構成要素と光学素子との間で、粗い横方向の光学的位置合わせを提供するように構成されている、項目６７〜７２のいずれか一項に記載のアセンブリ。

項目７４．位置合わせ孔内に挿入される位置合わせピンが、光コネクタの光学構成要素と光学素子との間で、微細な横方向の光学的位置合わせを提供する、項目７３に記載のアセンブリ。

項目７５．１つ以上の位置合わせ孔がダイヤモンド形状である、項目６７〜７４のいずれか一項に記載のアセンブリ。

項目７６．１つ以上の位置合わせ孔が、単一のダイヤモンド形状の位置合わせ孔である、項目６７〜７５のいずれか一項に記載のアセンブリ。

項目７７．位置合わせ孔が先細である、項目６７〜７６のいずれか一項に記載のアセンブリ。

項目７８．ＰＣＢ上に配設されたフレームと、
フレーム内のＰＣＢ上に配設された１つ以上の光電子デバイスと、
１つ以上の光学素子であって、それぞれの光学素子が、対応する光電子デバイスに光学的に結合され、光学素子を通過する光の発散を変化させるように構成された、光学素子と、
光結合ユニットであって、
光結合ユニットが、１つ以上の光方向転換素子を備え、それぞれの光学光方向転換素子が、対応する光導波路に光学的に結合されるように配置されており、フレームが、光結合ユニットを保持するように構成され、それぞれの光方向転換素子が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせされるようになっている、光結合ユニットと、
を備える、光通信アセンブリ。

項目７９．フレームが、
光結合ユニットを受け入れる寸法を有する開口と、
フレーム内に延びるタブであって、それぞれの光学素子が、対応する光電子デバイスから離間されると共に、対応する光電子デバイスと垂直な光学的位置合わせにあるように、光結合ユニットを支持するように構成されたタブと、
光結合ユニットと光電子デバイスとの間で、縦方向の光学的位置合わせを提供するように構成された端部分と、
光結合ユニットと光電子デバイスとの間で、横方向の光学的位置合わせを提供するように構成された対向側面部と、
を備える、項目７８に記載の光通信アセンブリ。

項目８０．光結合ユニットが光学素子を含む、項目７８〜７９のいずれか一項に記載の光通信アセンブリ。

項目８１．それぞれの光学素子が、対応する光電子デバイス上に実装されている、項目７８〜８０のいずれか一項に記載の光通信アセンブリ。

項目８２．フレームが、フレームをＰＣＢ上に実装するように構成された実装タブを更に備える、項目７８〜８１のいずれか一項に記載の光通信アセンブリ。

項目８３．フレームが、光結合ユニットに垂直ばね力を提供するように構成された保持機構を更に備える、項目７８〜８２のいずれか一項に記載の光通信アセンブリ。

項目８４．フレームの側部が、光結合ユニットの適合する保持機構と係合するように構成された１つ以上の保持機構を備える、項目７６〜８３のいずれか一項に記載の光通信アセンブリ。

項目８５．フレームの端部が、光結合ユニットの適合する位置合わせ機構と係合するように構成された１つ以上の位置合わせ機構を含み、位置合わせ機構が、光結合ユニットと光電子デバイスとの間で、微細な横方向及び縦方向の光学的位置合わせを提供するように構成された、項目７６〜８４のいずれか一項に記載の光通信アセンブリ。

項目８６．１つ以上の位置合わせ機構が、フレーム内に延びる中央の楔を備える、項目８３に記載の光通信アセンブリ。

項目８７．フレームのそれぞれの側部が、フレーム内に延びる楔を含み、側部の楔及び中央の楔が一緒に、縦方向及び横方向の位置合わせを提供する、項目８６に記載の光通信アセンブリ。

以上、本明細書において具体的な実施形態を図示、及び説明してきたが、示されかつ説明された具体的な実施形態を、様々な代替的かつ／又は等価的な実現形態で、本開示の範囲を逸脱することなく置き換えることができる点を、当業者であれば認識するであろう。本出願は、本明細書で考察された具体的な実施形態のいかなる適合例又は変形例をも網羅することを意図するものである。したがって、本開示は、特許請求の範囲及びその等価物によってのみ限定することが意図される。
以下、本発明の態様について説明する。
〔態様１〕
１つ以上の光電子デバイスと、
１つ以上の光学素子であって、それぞれの光学素子が、入射光を受け入れるように構成された入力側、及び出射光を出力するように構成された出力側を有し、それぞれの光学素子が、前記出射光の発散を前記入射光の発散に対して変化させるように構成されており、それぞれの光学素子が、対応する光電子デバイスから離間されると共に、対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせされる、光学素子と、
トランシーバー光結合ユニットであって、光導波路に取り付けられたコネクタ光結合ユニットとの嵌合のために構成された嵌合面を有し、前記光学光結合ユニットの嵌合方向が、前記トランシーバー光結合ユニットの前記嵌合面と角度を形成しており、もって、前記コネクタ光結合ユニットが前記トランシーバー光結合ユニットと嵌合するときに、前記コネクタ光結合ユニットの前記嵌合方向と前記トランシーバー光結合ユニットの前記嵌合面との間の前記角度によって、前記光導波路が屈曲するようになっている、トランシーバー光結合ユニットと、
を備える、光通信サブアセンブリ。
〔態様２〕
コネクタ光結合ユニットを備える光コネクタであって、前記コネクタ光結合ユニットが、複数の導波路と複数の光方向転換素子との間で光を結合するように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、コア直径を有する対応する光導波路に光学的に結合され、前記光方向転換素子が、前記光導波路から現れる光を方向付けるように構成されており、もって、前記方向付けられた光が、前記光導波路の前記コア直径を超える直径を有するようになっている、光コネクタと、
複数の光電子デバイスと、
複数の光学素子であって、それぞれの光学素子が、前記光学素子を通過する光の発散を変化させるように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスに光学的に結合される、光学素子と、
トランシーバー光結合ユニットであって、前記コネクタ光結合ユニットとの嵌合のために、かつ前記コネクタ光結合ユニットと前記複数の光電子デバイスとの間で光を結合するように構成されており、前記光コネクタの嵌合方向が、前記トランシーバー光結合ユニットの嵌合面と角度を形成しており、もって、前記コネクタ光結合ユニットが前記トランシーバー光結合ユニットと嵌合するときに、前記光コネクタの前記嵌合方向と前記トランシーバー光結合ユニットの前記嵌合面との間の前記角度によって、前記複数の光導波路が屈曲するようになっている、トランシーバー光結合ユニットと、
を備える、光通信アセンブリ。
〔態様３〕
コネクタ光結合ユニットを備える光コネクタであって、前記コネクタ光結合ユニットが、複数の導波路と複数の光方向転換素子との間で光を結合するように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、コア直径を有する対応する光導波路に光学的に結合され、前記光方向転換素子が、前記光導波路から現れる光を方向付けるように構成されており、もって、前記方向付けられた光が、前記光導波路の前記コア直径を超える直径を有するようになっている、光コネクタと、
複数の光電子デバイスと、
複数の光学素子であって、それぞれの光学素子が、前記光学素子を通過する光の発散を変化させるように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスに光学的に結合される、光学素子と、
トランシーバー光結合ユニットであって、前記コネクタ光結合ユニットとの嵌合のために、かつ前記コネクタ光結合ユニットと前記複数の光電子デバイスとの間で光を結合するように構成されており、前記コネクタ光結合ユニットが嵌合面を有し、前記トランシーバー光結合ユニットが対応する嵌合面を有しており、もって、前記コネクタ光結合ユニットと前記トランシーバー光結合ユニットとの間で嵌合が起こるときに、前記コネクタ光結合ユニットの前記嵌合面が最初に前記トランシーバー光結合ユニットの前記嵌合面と線接触を形成した後、前記コネクタ光結合ユニットが回転して前記トランシーバー光結合ユニットと面接触を形成し、前記回転によって前記複数の光導波路が屈曲するようになっている、トランシーバー光結合ユニットと、
を備える、光通信アセンブリ。
〔態様４〕
コネクタ光結合ユニットを備える光コネクタであって、前記コネクタ光結合ユニットが、複数の導波路と複数の光方向転換素子との間で光を結合するように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、コア直径を有する対応する光導波路に光学的に結合され、前記光方向転換素子が、前記光導波路から現れる光を方向付けるように構成されており、もって、前記方向付けられた光が、前記光導波路の前記コア直径を超える直径を有するようになっている、光コネクタと、
複数の光電子デバイスと、
複数の光学素子であって、それぞれの光学素子が、前記光学素子を通過する光の発散を変化させるように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスに光学的に結合される、光学素子と、
トランシーバー光結合ユニットであって、前記コネクタ光結合ユニットとの嵌合のために、かつ前記コネクタ光結合ユニットと前記複数の光電子デバイスとの間で光を結合するように構成されており、前記コネクタ光結合ユニットが、嵌合縁部のある嵌合面を有し、前記トランシーバー光結合ユニットが、縁取りされた嵌合縁部のある対応する嵌合面を有し、前記コネクタ光結合ユニット及び前記トランシーバー光結合ユニットの前記嵌合面が、嵌合後に、前記光コネクタの嵌合方向に実質的に平行に配置されており、もって、嵌合が起こるときに、前記コネクタ光結合ユニットの前記嵌合縁部が、最初に前記トランシーバー光結合ユニットの前記縁取りされた嵌合縁部との接触を形成するようになっており、前記コネクタ光結合ユニットが前記嵌合方向に沿って動くと、前記コネクタ光結合ユニットが回転して、前記コネクタ光結合ユニットの前記嵌合面と前記トランシーバー光結合ユニットの前記嵌合面との間に面接触を形成し、前記回転によって前記複数の光導波路が屈曲するようになっている、トランシーバー光結合ユニットと、
を備える、光通信アセンブリ。
〔態様５〕
複数の光方向転換素子を含むコネクタ光結合ユニットであって、それぞれの光方向転換素子が、対応する光導波路に光学的に結合され、前記光方向転換素子が、前記光導波路に進む、又は前記光導波路から進む光を方向付けるように構成されており、もって、前記光導波路に進む、又は前記光導波路から進む光の中央光線が、９０度を超える角度θによって方向転換されるようになっている、コネクタ光結合ユニットを備える、光通信サブアセンブリ。
〔態様６〕
複数の導波路と複数の反射素子との間でそれぞれ、光を結合するように構成されたコネクタ光結合ユニットであって、それぞれの反射素子が、対応する光導波路に光学的に結合され、それぞれの反射素子が、前記対応する光導波路に入力光を反射し、又は前記対応する光導波路から前記入力光を反射するように構成されており、もって、前記対応する光導波路に進む、又は前記対応する光導波路から進む入力光の中央光線が、第１角度θによって方向転換されるようになっており、前記反射素子が、前記入力光の発散を変化させるように更に構成された、コネクタ光結合ユニットと、
複数の屈折素子であって、それぞれの屈折素子が、対応する反射素子に光学的に結合され、それぞれの屈折素子が、前記対応する反射素子に進む、又は前記対応する反射素子から進む光の方向を、第２角度φによって変化させるように構成された、屈折素子と、
を備える、光通信サブアセンブリ。
〔態様７〕
光通信アセンブリであって、
１つ以上の光電子デバイスと、
１つ以上の光学素子であって、それぞれの光学素子が、対応する光電子デバイスと位置合わせされる、光学素子と、
トランシーバー光結合ユニットと、
１つ以上の光方向転換機構を備えるコネクタ光結合ユニットであって、それぞれの光方向転換機構が、対応する光導波路に光学的に結合されるように配置されており、前記トランシーバー光結合ユニットが、前記コネクタ光結合ユニットと嵌合するように構成されており、それぞれの光方向転換機構が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせされるようになっている、コネクタ光結合ユニットと、
前記アセンブリの構成要素の保護を提供するように構成されたカバーであって、前記光通信アセンブリに力を加えて、それぞれの光方向転換機構を前記対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせして保つように構成された、カバーと、
を備える、光通信アセンブリ。
〔態様８〕
光通信アセンブリであって、
第１及び第２のプリント回路基板（ＰＣＢ）であって、前記第１のＰＣＢが、前記第２のＰＣＢの表面上に配設され、前記第１のＰＣＢが孔を有し、前記第１及び第２のＰＣＢは、前記孔の側部及び前記第２のＰＣＢの表面が窪みを形成するように配置されている、第１及び第２のＰＣＢと、
前記第１のＰＣＢ上に配置されており、少なくとも部分的に前記窪みを覆う、トランシーバー光結合ユニットと、
１つ以上の光学素子と、
前記第２のＰＣＢ上かつ前記窪み内に配設された１つ以上の光電子デバイスであって、それぞれの光電子デバイスが、対応する光学素子と光学的に位置合わせされる、光電子デバイスと、
１つ以上の光方向転換素子を備えるコネクタ光結合ユニットであって、それぞれの光方向転換素子が、対応する光導波路に光学的に結合されるように配置されており、前記トランシーバー光結合ユニットが、前記コネクタ光結合ユニットと嵌合するように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせされるようになっている、コネクタ光結合ユニットと、
前記アセンブリの構成要素の保護を提供するように構成されたカバーであって、前記コネクタ光結合ユニットに力を加えて、それぞれの光方向転換素子を前記対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせして保つように構成されたカバーと、
を備える、光通信アセンブリ。
〔態様９〕
第１及び第２のプリント回路基板（ＰＣＢ）であって、前記第１のＰＣＢが、前記第２のＰＣＢの表面上に配設され、前記第１のＰＣＢが孔を有し、前記第１及び第２のＰＣＢは、前記孔の側部及び前記第２のＰＣＢの表面が窪みを形成するように配置されている、第１及び第２のＰＣＢと、
前記第１のＰＣＢ上に配置されており、少なくとも部分的に前記窪みを覆う、トランシーバー光結合ユニットと、
１つ以上の光学素子と、
前記第２のＰＣＢ上かつ前記窪み内に配設された１つ以上の光電子デバイスであって、それぞれの光電子デバイスが、対応する光学素子と光学的に位置合わせされる、光電子デバイスと、
１つ以上の光方向転換素子を備えるコネクタ光結合ユニットであって、それぞれの光方向転換素子が、対応する光導波路に光学的に結合されるように配置されており、前記トランシーバー光結合ユニットが、前記コネクタ光結合ユニットと嵌合するように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせされるようになっている、コネクタ光結合ユニットと、
前記コネクタ光結合ユニットに前記コネクタ光結合ユニットの嵌合面に垂直な方向の力を加えて、それぞれの光方向転換素子を前記対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせして保つように構成されたクリップと、
を備える、光通信アセンブリ。
〔態様１０〕
１つ以上の光電子デバイスと、
１つ以上の光学素子であって、それぞれの光学素子が、対応する光電子デバイスと位置合わせされる、光学素子と、
嵌合面を有するトランシーバー光結合ユニットと、
前記トランシーバー光結合ユニットの前記嵌合面と嵌合するように構成された嵌合面を有するコネクタ光結合ユニットであって、前記コネクタ光結合ユニットが、１つ以上の光方向転換素子を備え、それぞれの光方向転換素子が、対応する光導波路に光学的に結合されるように配置されており、前記トランシーバー光結合ユニットが、前記コネクタ光結合ユニットと嵌合するように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせされるようになっている、コネクタ光結合ユニットと、
前記トランシーバー光結合ユニットの平面及び前記コネクタ光結合ユニットの前記嵌合面を通って延びる１つ以上の位置合わせ孔であって、前記位置合わせ孔が、位置合わせピンを受け入れるように構成された、位置合わせ孔と、
を備える、光通信アセンブリ。
〔態様１１〕
ＰＣＢ上に配設されたフレームと、
前記フレーム内の前記ＰＣＢ上に配置された１つ以上の光電子デバイスと、
１つ以上の光学素子であって、それぞれの光学素子が、対応する光電子デバイスに光学的に結合され、前記光学素子を通過する光の発散を変化させるように構成された、光学素子と、
光結合ユニットであって、
１つ以上の光方向転換素子を備え、それぞれの光学光方向転換素子が、対応する光導波路に光学的に結合されるように配置されており、前記フレームが、前記光結合ユニットを保持するように構成されており、それぞれの光方向転換素子が、対応する光学素子を介して対応する光電子デバイスと光学的に位置合わせされるようになっている、光結合ユニットと、
を備える、光通信アセンブリ。

Claims (6)

1. 複数の導波路と複数の反射素子との間でそれぞれ、光を結合するように構成されたコネクタ光結合ユニットであって、それぞれの反射素子が、対応する光導波路に光学的に結合され、それぞれの反射素子が、前記対応する光導波路に入力光を反射し、又は前記対応する光導波路から前記入力光を反射するように構成されており、もって、前記対応する光導波路に進む、又は前記対応する光導波路から進む入力光の中央光線が、ゼロでない第１角度θによって方向転換されるようになっており、前記反射素子が、前記入力光の発散を変化させるように更に構成された、コネクタ光結合ユニットと、
   前記コネクタ光結合ユニットと嵌合するように構成されたトランシーバー光結合ユニットであって、前記複数の反射素子とプリント回路基板上に実装された複数の光電子デバイスとの間でそれぞれ、光を結合するように構成されたトランシーバー光結合ユニットと、
   を備え、
   前記トランシーバー光結合ユニットは、複数の屈折素子であって、それぞれの屈折素子が、対応する反射素子に光学的に結合され、それぞれの屈折素子が、前記対応する反射素子に進む、又は前記対応する反射素子から進む光の方向を、ゼロでない第２角度φによって変化させるように構成された、屈折素子を備え、
   前記対応する反射素子と屈折素子とが協働して、前記対応する光導波路への前記入力光の中央光線、又は前記対応する光導波路からの前記入力光の中央光線の方向を、前記第１角度θと前記第２角度φとの和だけ変化させる、光通信サブアセンブリ。
2. それぞれの反射素子が、光学的反射表面を備え、
   それぞれの屈折素子が、光学的屈折表面であって、反射表面が屈折表面と平行でない光学的屈折表面を備える、請求項１に記載の光通信サブアセンブリ。
3. 前記屈折素子は、前記トランシーバー光結合ユニットの機械的支持構造に配置されている、請求項１又は２に記載の光通信サブアセンブリ。
4. 前記コネクタ光結合ユニットが、嵌合方向を有するコネクタハウジング内に配設され、
   前記トランシーバー光結合ユニットが、機械的支持構造を有し、前記トランシーバー光結合ユニットの嵌合面が、前記機械的支持構造の後縁から前記機械的支持構造の嵌合縁部に向かうにつれ、前記プリント回路基板の表面に近づくように延びる、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光通信サブアセンブリ。
5. θが約９０度である、請求項１乃至４の何れか一項に記載の光通信サブアセンブリ。
6. θ＋φが９０度よりも大きい、請求項１乃至５の何れか一項に記載の光通信サブアセンブリ。

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