JP6812793B2 - 積層体及びその製造方法、並びにガスバリアフィルム及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本願は、2014年7月29日に日本に出願された特願2014−153921号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
このとき、成膜時の反応を促進させたり、反応温度を下げたりするために、プラズマや触媒(Catalyst)反応を併用する方法が知られている。
このようなCVD法を用いると、成膜欠陥が少なくなるため、例えば、半導体デバイスの製造工程(例えば、ゲート絶縁膜の成膜工程)等に適用されている。
ALD法は、表面吸着した物質を表面における化学反応によって原子レベルで一層ずつ成膜していく方法である。上記ALD法は、CVD法の範疇に分類されている。
始めに、いわゆるセルフ・リミッティング効果(基板上の表面吸着において、表面がある種のガスで覆われると、それ以上、該ガスの吸着が生じない現象のことをいう。)を利用し、基板上に前駆体が一層のみ吸着したところで未反応の前駆体を排気する(第1のステップ)。
次いで、チャンバ内に反応性ガスを導入して、先の前駆体を酸化または還元させて所望の組成を有する薄膜を一層のみ形成した後に反応性ガスを排気する(第2のステップ)。
ALD法では、上記第1及び第2のステップを1サイクルとし、該サイクルを繰り返し行うことで、基板上に薄膜を成長させる。
このため、食品及び医薬品等の包装分野や電子部品分野等の幅広い分野への応用が期待されている。
また、特許文献1には、光透過性のあるプラスチック基板の上に発光ポリマーを搭載し、該発光ポリマーの表面及び側面にALD法によって原子層蒸着を行う(トップコーティングを行う)ことで、コーティング欠陥を減らすことが可能になると共に、数十ナノメートルの厚さにおいて桁違いで気体透過を低減させることが可能なことが開示されている。
Siウェハの表面を酸化処理した基材を用いて該基材上にALD法により原子層堆積膜を形成する場合、原子層堆積膜の原料となる前駆体の吸着サイトは、結晶の格子と概ね同等の密度で存在し、二次元の成長モードで膜の成長が進行する。
さらに、高分子材料よりなる基材の状態、ALDのプロセス条件によっては、該基材の外面から該基材の外面に垂直な方向に対して柱状に成長している可能性が高い。
つまり、高分子材料よりなる基材上にALD法により原子層堆積膜を形成すると、該原子層堆積膜が理想的なガスバリア性を有していない恐れがあった。
特許文献2には、高分子材料よりなる基材上(基板の外面)に、無機物質を含む有機バインダーを用いて、有機高分子を含むアンダーコート層を形成することが開示されている。
もう1つの要因としては、有機高分子をコーティングする際には、有機高分子を溶液中に溶かし込んでコーティングした後、ALD法の成膜装置に載置するステップが必要となるため、このステップの間に空気中の物質による表面の汚染や反応性の高い官能基が失活してしまうことが挙げられる。
特に、原子層堆積膜の厚さが薄い場合には、十分なガスバリア性を確保できないという問題があった。
<実施形態の概要>
図1は、本発明の実施の形態に係る積層体を模式的に示す断面図である。なお、本実施の形態では、積層体10を構成する基材11として、フィルム状基材を用いた場合を例に挙げて以下の説明を行う。
これにより、アンダーコート層12の外面12aには、先に説明した特許文献2に開示された有機バインダー及び無機物質よりなるアンダーコート層と比較して、原子層堆積膜13に含まれる上記前駆体と結合する多数の吸着サイト(図示せず)が高い密度で配置されている。
その結果、積層体10の厚さ方向にガスが通過するような隙間が、原子層堆積膜13に生じ難くなるため、ガスバリア性の高い原子層堆積膜13を実現することができる。
現在、原子層堆積法(ALD法)によって形成された原子層堆積膜を備えた積層体は、薄膜無線EL、ディスプレイ、半導体メモリ(DRAM(Dynamic RandomAccess Memory))、及びガラス基板やシリコン基板等の電子部品基板として商業生産が行われている。
つまり、高分子材料よりなる基材の外面へのALD法を用いた原子層堆積膜の薄膜形成では、ALD法による本来の二次元成長ができていない恐れがある。
このため、原子層堆積膜の厚さが薄すぎると、原子層堆積膜のバリア性能を充分に発揮することが困難となるため、原子層堆積膜の厚さは、3nm以上(言い換えれば、30原子層以上の厚さ)にする必要がある。
ALD法のプロセスの第1ステップでは、高分子材料よりなる基材(以下、単に「基材」というときもある)の表面に、ガス状とされた前駆体(例えば、TMA:Tri−Methyl AluminumやTiCl4等の金属含有前駆体)が化学吸着する。
このとき、該前駆体と基材に含まれる無機物質の官能基(Functional Group)との反応性と、官能基の密度と、が化学吸着に大きく影響すると推測される。
すなわち、吸着サイトの密度が低いと、前駆体にとって原子層堆積膜が三次元に広がって、OH等の箇所に前駆体がまばらに吸着するため、原子層堆積膜が孤立した核を中心に柱状に成長することになる。
一般的に、高分子材料は、結晶領域と非結晶領域が混在しているとされる。そのため、非結晶領域では、フリーボリューム(自由体積)と呼ばれる高分子鎖が存在していない空間があり、該空間を介して、気体が拡散及び通過してしまう。
また、気体状とされた前駆体も、吸着サイトに吸着するまではフリーボリュームの空間を通過することになる。
つまり、高分子材料よりなる基材の外面に、ALD法により原子層堆積膜を形成すると、原子層堆積膜の形成処理開始時から二次元成長による緻密な膜が形成されるまでの期間が長くなってしまう。
このため、原子層堆積膜の厚さを薄くすると、原子層堆積膜の二次元成長の緻密な部分が非常に少なくなってしまう。
さらには、フリーボリュームの空間を通して気体が通過してしまうため、高いガスバリア性を有した積層体を得ることが困難となる。
このようにして、高分子材料よりなる基材の外面(表面)に無機物質を含有するアンダーコート層を設けることにより、前駆体を含むガスがアンダーコート層を通過することができなくなる。
図1を参照するに、本実施の形態に係る積層体10は、基材11と、アンダーコート層12と、原子層堆積膜13と、を有する。
基材11は、高分子材料により構成されている。基材11は、アンダーコート層12が形成される外面11aを有する。
図2は、基材を構成する有機高分子の官能基の一例であるメチル基の構造式を示す図である。図3は、基材を構成する有機高分子の官能基の一例であるエステル基の構造式を示す図である。
また、基材11を構成する高分子材料としては、例えば、求核性のエステル基(図3参照)を有するポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のO原子、ナイロンやポリイミド(PI)等のN原子、ポリエーテルスルフォン等のS原子を含有する高分子材料を用いてもよい。
この場合、基材11(フィルム状基材)の厚さは、例えば、12〜300μmの範囲が好ましく、50〜100μmの範囲がより好ましい。
アンダーコート層12は、基材11の外面11aを覆うように配置されている。アンダーコート層12は、官能基を有する無機物質を含む無機材料のみで構成されている。
つまり、アンダーコート層12の外面12a(表面)には、特許文献2に開示された無機物質を含む有機バインダーを用いて形成されたアンダーコート層の外面(表面)と比較して、より多くの無機物質が配置されている。
したがって、アンダーコート層12の外面12a(表面)には、特許文献2に開示されたアンダーコート層の外面(表面)と比較して、原子層堆積膜13に含まれる上記前駆体と結合する多数の吸着サイト(図示せず)が高い密度で配置されることとなる。
上記無機酸化物としては、例えば、SiOX(Xは1.0以上2.0以下)、SiSnOX(Xは1.0以上2.0以下)、SiOXNv(Xは1.0以上2.0以下)、AlOX(Xは1.0以上1.5以下)、ZnSnOX(Xは1.0以上2.0以下)、ITO、ZnO、IZO、ZnS、MgO、SnOX(Xは1.0以上2.0以下)等を用いることができる。
また、SiOXを含むアンダーコート層12は、例えば、Snを含んでもよい。このように、アンダーコート層12がSiOX及びSnを含む(つまり、SiSnOX(Xは1.0以上2.0以下)を含む)ことで、アンダーコート層12の外面12aにおける吸着サイトの密度を高めることができる。
上記無機窒化物としては、例えば、SiNx(Xは1.0以上1.3以下)を用いることができる。
基材11の水蒸気透過率を100%とした際、2層積層体14の水蒸気透過率が2%よりも小さいと、アンダーコート層12の材料として使用可能な材料が限定されてしまう。また、2層積層体14の水蒸気透過率が2%よりも小さいと、アンダーコート層12の厚さを厚くする必要があるが、アンダーコート層12の厚さを厚くすることで、アンダーコート層12に割れや欠陥が生じやすくなってしまう。
よって、基材11の水蒸気透過率を2%以上とすることで、アンダーコート層12の材料の選択の自由度が広がると共に、アンダーコート層12の厚さを薄くすることが可能となるので、アンダーコート層12に割れや欠陥が生じることを抑制できる。
このように、基材11とアンダーコート層12との間に該密着層を有することで、基材11とアンダーコート層12との密着強度を向上させることができる。
原子層堆積膜13は、アンダーコート層12の外面12aを覆うように配置されている。
原子層堆積膜13は、原子層堆積膜13の成膜原料となる前駆体(例えば、TMA:Tri−Methyl AluminumやTiCl4等の金属含有前駆体)を含有すると共に、原子層堆積膜13においてはアンダーコート層12の外面12aに位置する前駆体と無機物質の官能基とが結合されている。
或いは、原子層堆積膜13としては、例えば、他元素(例えば、Zr、Hf)を含む酸化膜、窒化膜、酸窒化膜等を用いることができる。
原子層堆積膜13としては、水蒸気バリア性、耐久性、及びコストの観点から、Al、Si、及びTiのうち、少なくとも1種の元素を含む膜(例えば、上記説明したような膜)を用いるとよい。このような元素を含む膜を原子層堆積膜13として用いることで、高い水蒸気バリア性、及び高い耐久性を得ることができると共に、コストを低減することができる。
したがって、原子層堆積膜13の厚さを0.5nm以上200nm以下の範囲内とすることで、短時間で、かつ十分な水蒸気バリア性を有した原子層堆積膜13を得ることができる。
ガスバリアフィルム(図示せず)は、図1に示す積層体10を含み、積層体10を構成する基材11がフィルム状基材とされている。ガスバリアフィルム(図示せず)は、例えば、積層体10のみで構成される場合や、積層体10の最上層に配置された原子層堆積膜13の外面13aに、原子層堆積膜13を保護する保護層(具体的には、例えば、アンダーコート層12と同様の無機物質を含む層、有機物質を含む層、或いはプラスチックフィルムをラミネートした構造体等)が配置された状態で取り扱われる場合がある。
上記構成とされたガスバリアフィルム(図示せず)は、食品包装分野、医薬、電子部品、農業資材など様々な分野で使用される。
上記構成とされたガスバリアフィルム(図示せず)は、先に説明した積層体10と同様な効果を得ることができる。
次に、図1を参照して、本実施の形態に係る積層体10の製造方法について説明する。
始めに、高分子材料よりなる基材11の外面11aの少なくとも一部に、アンダーコート層12を形成する(アンダーコート層形成工程)。
アンダーコート層12は、例えば、PVD法(例えば、誘導加熱法、抵抗加熱法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等)や、CVD法(例えば、熱CVD法、プラズマCVD法、光CVD法等)の方法により形成することができる。
上記SiOXのXは、製造技術の限界により、1.0以上2.0以下に限定される。また、SiOXのXは、2.0に近い方が好ましい。このように、SiOXのXの値を2.0に近い値とすることで、吸着サイトの密度をより向上させることができる。
始めに、真空チャンバ(図示せず)内のステージに、アンダーコート層12が形成されていない基材11を固定する。
次いで、上記真空チャンバ内の圧力(成膜前圧力)を、例えば、4×10−3Paにする。このとき、真空チャンバ内の温度は、例えば、30度とすることができる。
次いで、真空チャンバ内の圧力(成膜前圧力)を、例えば、2×10−2Paにした後、基材11の外面11aの少なくとも一部に、電子ビーム蒸着法を用いてSiOX(Xは1.0以上2.0以下)を含むアンダーコート層12を形成する。
具体的には、密着層は、ワイヤーバーを用いて、基材11の外面11aに塗工液(密着層の母材となる液)を塗布し、その後、乾燥させることで形成する。
上記塗工液は、例えば、ポリ(メタクリル酸−2−ヒドロキシエチル)とポリメタクリル酸メチルとの共重合体で、かつポリ(メタクリル酸−2−ヒドロキシエチル)が共重合体中で35モル%の割合で含まれている有機高分子を、メチルエチルケトンとシクロヘキサノンの混合溶液に溶解させることで形成できる。
密着層の厚さは、例えば、1〜500nmの範囲内で適宜設定することができる。
上記密着層は、本発明の必須の構成ではなく、必要に応じて設ければよい。
つまり、原子層堆積膜形成工程では、原子層堆積法(ALD法)を用いて、原子層堆積膜13を形成する。これにより、積層体10が製造される。
始めに、原子層堆積膜形成装置(図示せず)の成膜チャンバ(図示せず)内のステージ(図示せず)上に、アンダーコート層12及び密着層が形成された基材11を固定する。
このときの上記成膜チャンバ内の圧力は、例えば、10〜50Paの範囲内で適宜設定することができる。
また、プラズマガス励起用電源としては、例えば、13.56MHzの電源を用いることができる。
このときのプラズマ放電の出力電源としては、例えば、250Wattを用いることができる。
上記プラズマ放電後、上記成膜チャンバ内をガスパージ処理する(ステップ3)。該ガスパージを行う際に使用するガスとしては、例えば、O2やN2等を用いることができる。また、上記ガスパージ時の反応温度は、例えば、90℃を用いることができる。
その後、上記成膜チャンバ内において、ICP(Inductively Coupled Plasma)モードでプラズマ放電を行い(ステップ6)、アンダーコート層12の外面12aに、一原子層のAl2O3膜(原子層堆積膜13の一部)を形成した。
このときに使用するプラズマガス励起用電源としては、例えば、13.56MHzの電源を用いることができる。
原子層堆積膜13の厚さが0.5nm未満であると、製造技術の観点から十分な水蒸気バリア性を有した原子層堆積膜13を形成することができない。原子層堆積膜13の厚さが200nmを超えると、コスト及び成膜時間を要するため好ましくない。
したがって、原子層堆積膜13の厚さを0.5nm以上200nm以下の範囲内とすることで、短時間で、かつ十分な水蒸気バリア性を有した原子層堆積膜13を形成することができる。
ガスバリアフィルム(図示せず)の製造方法は、該ガスバリアフィルムの構成によって異なる。該ガスバリアフィルムの構成が図1に示す積層体10と同じ構成である場合には、先に説明した積層体10と同様な手法により、製造することができる。
なお、ガスバリアフィルムを製造する場合には、基材11としてフィルム状基材を用いる。
<実施例1の積層体の作製>
図1を参照して、実施例1の積層体(以下、「積層体10−1」という)の作製方法について説明する。
始めに、厚さ50μmのポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム(帝人デュポンフィルム株式会社製のQ51(型番))よりなる基材11の外面11aに、ワイヤーバーを用いて、塗工液を塗布し、乾燥後の膜厚が0.1μmとされた密着層(図示せず)を形成した。
具体的には、下記方法により、厚さ2nmとされたAl2O3膜を形成した。
始めに、成膜チャンバ内に収容されたアンダーコート層12の外面12aに、反応ガス兼放電ガスとしてO2を供給した(ステップ1)。このときの成膜チャンバ内の圧力は、40Paとした。プラズマガス励起用電源としては、13.56MHzの電源を用いた。ICPモードでプラズマ放電を60秒実施した(ステップ2)。
なお、このときのプラズマ放電の出力電源は、250Wattとした。
次いで、プラズマ放電後に、成膜チャンバ内をガスパージした(ステップ3)。ガスパージでは、パージガスとしてO2及びN2を10秒供給した。なお、このときの反応温度は90℃とした。
その後、上記成膜チャンバ内において、ICPモードでプラズマ放電を行い(ステップ6)、アンダーコート層12の外面12aに、一原子層のAl2O3膜(原子層堆積膜13の一部)を形成した。このときに使用するプラズマガス励起用電源としては、13.56MHzの電源を用いた。
このようにして、実施例1の積層体10−1を作製した。
図1を参照して、実施例2の積層体(以下、「積層体10−2」という)の作製方法について説明する。
実施例2では、実施例1の積層体10−1を構成するアンダーコート層12の厚さを20nmに変更したこと以外は、積層体10−1と同様な手法により、実施例2の積層体10−2を作製した。
図1を参照して、実施例3の積層体(以下、「積層体10−3」という)の作製方法について説明する。
実施例3では、実施例2の積層体10−2を構成するアンダーコート層12の組成をSiO2に変更させたこと以外は、積層体10−2と同様な手法により、実施例3の積層体10−3を作製した。
図1を参照して、実施例4の積層体(以下、「積層体10−4」という)の作製方法について説明する。
実施例4では、実施例3の積層体10−3を構成するアンダーコート層12の組成をSiSnO1.6に変更させたこと以外は、積層体10−2と同様な手法により、実施例4の積層体10−4を作製した。
実施例4では、アンダーコート層形成工程において、蒸着源の材料(SiO1.6)に蒸着前にSnを混合することで、組成がSiSnO1.6とされたアンダーコート層12を形成した。
図1を参照して、実施例5の積層体(以下、「積層体10−5」という)の作製方法について説明する。
実施例5では、実施例1の積層体10−1を構成するアンダーコート層12の厚さを30nmに変更したこと以外は、積層体10−1と同様な手法により、実施例5の積層体10−5を作製した。
図1を参照して、実施例6の積層体(以下、「積層体10−6」という)の作製方法について説明する。
実施例6では、密着層を形成する工程を除く(つまり、基材11の外面11aに、直接アンダーコート層12を形成した)こと以外は、実施例2の積層体10−2と同様な手法により、実施例6の積層体10−6を作製した。
比較例では、実施例1で行った密着層及びアンダーコート層12(図1参照)を形成する工程を行うことなく、厚さ50μmのポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム(帝人デュポンフィルム株式会社製のQ51(型番))よりなる基材11の外面11aに、直接、実施例1と同様な手法(ALD法)により、原子層堆積膜13として厚さ2nmとされたAl2O3膜を形成した。
このような方法で、比較例の積層体(以下、「積層体A」という)を作製した。
次に、実施例1〜6の積層体10−1〜10−6、及び比較例の積層体Aの水蒸気バリア性について評価するために、水蒸気透過率測定装置(MOCON,INC.製のMOCON Permatran(商標登録))を用いて、40℃/90%RHの雰囲気で水蒸気透過率(WVTR)を測定した。
また、オーバーコート層形成前における比較例の水蒸気透過率を100%としたときのオーバーコート層形成前の構造体の水蒸気透過率(=(実施例のオーバーコート層形成前の構造体の水蒸気透過率)/3.88)を求めた。
この結果を表1に示す。
表1を参照するに、アンダーコート層が形成されていない積層体Aでは、水蒸気バリア性がかなり低いことが判った。
密着層が形成された積層体10−1〜10−5、及び密着層が形成されていない積層体10−6では、オーバーコート層形成後の構造体(積層体)の水蒸気透過率が<0.02[g/(m2・day)]であり、非常に厚さの薄い2nmのAl2O3膜(原子層堆積膜13)でも良好な水蒸気バリア性を有することが確認できた。
このことから、基材11の外面11aとアンダーコート層12との間に、密着層があっても無くても良好な水蒸気バリア性を得られることが確認できた。
<評価サンプルS1の作製、及び前駆体の吸着量の評価試験>
試験例2では、以下の手法により、評価サンプルS1(実施例のサンプル)を作製した。
具体的には、始めに、厚さ50μmのポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム(帝人デュポンフィルム株式会社製のQ51(型番))よりなる基材11の外面11aに、ワイヤーバーを用いて、塗工液を塗布し、乾燥後の膜厚が0.1μmとされた密着層(図示せず)を形成した。
このとき、上記塗工液は、ポリ(メタクリル酸−2−ヒドロキシエチル)とポリメタクリル酸メチルとの共重合体で、ポリ(メタクリル酸−2−ヒドロキシエチル)が共重合体中で35モル%の割合で含まれている有機高分子を、メチルエチルケトンとシクロヘキサノンとの混合溶液に溶解させることで調製した。
具体的には、下記方法により、前駆体材料が1層のみ吸着した膜を形成した。
始めに、成膜チャンバ内に収容されたアンダーコート層12の外面12aに、反応ガス兼放電ガスとしてO2を供給した(ステップ1)。このときの成膜チャンバ内の圧力は、40Paとした。プラズマガス励起用電源としては、13.56MHzの電源を用いた。ICPモードでプラズマ放電を60秒実施した(ステップ2)。なお、このときのプラズマ放電の出力電源は、250Wattとした。
次いで、上記成膜チャンバ内に、成膜原料(前駆体)であるトリメチルアルミニウム(TMA)と、パージガス(例えば、N2及びO2)と、を同時に供給した。
前駆体を曝露する(ステップ4)の時間を変化させ、このときの吸着量の変化を評価した結果を図4に示す。前駆体の暴露時間は、60ms,1500ms,3000msとした。
図4は、Snを含むアンダーコート層(組成がSiSnO1.6)の外面、及びSnを含まないアンダーコート層(組成がSiO1.6)の外面に対する成膜原料の前駆体の露出時間とAl2pのピーク面積との関係を示す図(グラフ)である。
なお、X線光電子分光(XPS)による測定においては、アルミニウム(Al)の原子を構成する電子の軌道のうち、2p軌道の電子を測定している。この理由は、Al原子の中で、2p軌道の電子が他の軌道の電子に比べX線と相性が良いためである。このことから、Al原子に対してX線光電子分光による測定を行う場合では、2p軌道の電子の量(ピーク強度)に注目するのが一般的である。
評価サンプルS2(実施例のサンプル)は、厚さが10nmとされたSiO1.6膜(組成がSiO1.6とされた膜)を形成する替りに、電子ビーム蒸着法により、密着層の外面(表面)に、アンダーコート層12として、SiSnO1.6膜(組成がSiSnO1.6とされた膜)を形成したこと以外は、評価サンプルS1と同様な手法で作製した。
ここで、発明者らが評価にXPSを用いた経緯について説明する。XPSは、本来、表面(具体的には、深さ数nm程度)に存在する元素を調べ、表面の元素比を定量する装置である。
なお、PET(ポリエチレンテレフタラート)やPEN(ポリエチレンナフタレート)等の高分子材料の場合、前駆体材料が通り抜けられる程度の大きさのフリーボリュームが存在しており、前駆体の曝露時間を増やすことでAl2pピーク面積が増加する。
図4を参照するに、評価サンプルS1,S2(実施例のサンプル)では、前駆体の暴露時間が1500msや3000msになっても、初期(60ms)のAl2pピーク面積に近いAl2pピーク面積を維持しており、Al2pピーク面積の大幅な増加は見られなかった。
このことから、評価サンプルS1,S2では、ALD法の初期成長にとって障害となる、前駆体が通り抜けられるフリーボリュームが略存在していないと考えられる。
Claims (11)
- 高分子材料よりなる基材と、
前記基材上に形成され、メタクリル酸を主成分とする高分子からなる密着層と、
前記密着層上に配置され、かつ官能基を有する無機物質を含む無機材料からなるアンダーコート層と、
前記アンダーコート層の外面を覆うように配置され、成膜原料となる前駆体を含有すると共に、前記アンダーコート層の外面に位置する前記前駆体と前記官能基とが結合された原子層堆積膜と、
を有し、
前記アンダーコート層は、Xの範囲が1.0以上2.0以下とされたSiSnOXを含む、
積層体。 - 前記基材の水蒸気透過率を100%とした際、前記基材及び前記アンダーコート層よりなる2層積層体の水蒸気透過率が2%以上100%未満である請求項1に記載の積層体。
- 前記無機物質は、無機酸化物、無機窒化物、及び前記無機酸化物と前記無機窒化物とを混合させた混合物のうちのいずれかである請求項1又は請求項2に記載の積層体。
- 前記原子層堆積膜の厚さは、0.5nm以上200nmの範囲内である請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の積層体。
- 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の積層体を含み、
前記積層体を構成する前記基材がフィルム状基材であるガスバリアフィルム。 - 前記積層体の水蒸気透過率は、0.1g/(m2・day)以下である請求項5に記載のガスバリアフィルム。
- 高分子材料よりなる基材上にメタクリル酸を主成分とする高分子からなる密着層を形成し、
真空チャンバ内に配置された前記基材の前記密着層上に、官能基を有する無機物質を含む無機材料を用いて、Xの範囲が1.0以上2.0以下とされたSiSnOXを含むアンダーコート層を形成し、
成膜原料となる前駆体が、前記アンダーコート層のうち、該アンダーコート層の外面に位置する前記官能基と結合するように、前記アンダーコート層の外面に前記前駆体を供給して、原子層堆積膜を形成する積層体の製造方法。 - 前記アンダーコート層を形成する際には、
前記基材の水蒸気透過率を100%とした際、前記基材及び前記アンダーコート層よりなる2層積層体の水蒸気透過率が2%以上100%未満となるように、前記アンダーコート層を形成する請求項7記載の積層体の製造方法。 - 前記無機物質として、無機酸化物、無機窒化物、及び前記無機酸化物と前記無機窒化物とを混合させた混合物のうちのいずれかを用いる請求項8に記載の積層体の製造方法。
- 前記原子層堆積膜を形成する際には、
厚さが0.5nm以上200nmの範囲内となるように、前記原子層堆積膜を形成する請求項7から請求項9のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。 - 請求項7から請求項10のいずれか一項に記載の積層体の製造方法を含み、
前記基材としてフィルム状基材を用いるガスバリアフィルムの製造方法。
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