JP6811273B2 - 基板処理システム - Google Patents

基板処理システム Download PDF

Info

Publication number
JP6811273B2
JP6811273B2 JP2019048109A JP2019048109A JP6811273B2 JP 6811273 B2 JP6811273 B2 JP 6811273B2 JP 2019048109 A JP2019048109 A JP 2019048109A JP 2019048109 A JP2019048109 A JP 2019048109A JP 6811273 B2 JP6811273 B2 JP 6811273B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
substrate processing
processing system
elevating
boat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019048109A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019195049A (ja
Inventor
ソンホ カン
ソンホ カン
チャンドル キム
チャンドル キム
ギュホ チェ
ギュホ チェ
Original Assignee
ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド
ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド, ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド filed Critical ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド
Publication of JP2019195049A publication Critical patent/JP2019195049A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6811273B2 publication Critical patent/JP6811273B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B1/00—Shaft or like vertical or substantially vertical furnaces
    • F27B1/10—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
    • F27B1/24—Cooling arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
    • H01J37/32761—Continuous moving
    • H01J37/32779—Continuous moving of batches of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、基板処理システムに係り、更に詳しくは、複数の工程チューブを備える基板処理システムに関する。
一般に、基板処理装置としては、１枚の基板に対して基板処理工程が行える枚葉式（Ｓｉｎｇｌｅ Ｗａｆｅｒ Ｔｙｐｅ）の基板処理装置と、複数枚の基板に対して基板処理工程が一括して行えるバッチ式（Ｂａｔｃｈ Ｔｙｐｅ）の基板処理装置と、が挙げられる。枚葉式の基板処理装置は、設備の構成が簡単であるというメリットがあるとはいえ、生産性に劣るため、量産可能なバッチ式の基板処理装置が広く用いられている。
従来のバッチ式の基板処理システムは、単独方式（Ｓｔａｎｄ Ａｌｏｎｅ Ｔｙｐｅ）を採用するものであって、単一の工程チューブのみを有するため、一つの基板処理システムを単独で使用する場合には、基板の処理量が低いだけではなく、処理済みの基板を用いた素子の製造コストが高騰してしまう。
また、低い基板の処理量を取り戻すべく、複数の単独方式の基板処理システムを同時に使用する場合には、基板処理システムの全体が占める面積（Ｆｏｏｔ Ｐｒｉｎｔ）が広くなってしまう。なお、基板処理システムの運転及びメンテナンス（ｍａｉｎｔｅｎａｎｃｅ）のための空間を必要とする場合には、基板処理工程のための占有面積が更に広くなってしまう。
この理由から、基板の処理量を増やしながらも、占有面積を最小化させることのできる基板処理システムへのニーズが高まっている。
大韓民国公開特許公報第１０−２０１２−００７４３２６号
本発明は、複数の工程チューブを備えて、基板の処理量を増やしつつ、システムの占有面積（Ｆｏｏｔ Ｐｒｉｎｔ）を狭めることのできる基板処理システムを提供する。
本発明の一実施形態に係る基板処理システムは、第１の軸の方向に離間して配置され、互いに独立した工程空間を与える第１及び第２の工程チューブと、複数枚の基板が多段に積載され、前記第１及び第２の工程チューブの工程空間にそれぞれ配設される基板ボートと、前記第１及び第２の工程チューブにそれぞれ配設され、前記基板ボートを昇降させる第１及び第２のボート昇降器と、を備え、前記第１及び第２のボート昇降器のそれぞれは、前記第１及び第２の工程チューブ間の空間に配置される昇降軸部材を備えていてもよい。
前記第１のボート昇降器の昇降軸部材と前記第２のボート昇降器の昇降軸部材は、互いに点対称となるように前記第１の軸の両側に配置されてもよい。
前記第１及び第２のボート昇降器のそれぞれは、前記昇降軸部材に連結されて前記昇降軸部材に沿って昇降する昇降体と、前記昇降体と結合され、前記基板ボートを支持する支持プレートと、を備え、前記昇降体は、前記支持プレートの中心から前記第１の軸の方向と交差する第２の軸の方向に外れて前記支持プレートと結合されてもよい。
前記昇降軸部材は、スクリューシャフトとボールナットにより構成され、前記スクリューシャフトの回転を用いて前記ボールナットを移動させるボールスクリューと、前記スクリューシャフトの両側に配置される複数のガイドレールと、を備えていてもよい。
前記昇降体は、前記ボールナットと結合され、前記スクリューシャフトに沿って延びるベース板と、前記ベース板に前記ボールナットの両側にそれぞれ配置されるように結合され、前記複数のガイドレールにそれぞれ連結されて滑走する複数の摺動部と、を備えていてもよい。
前記昇降軸部材は、前記スクリューシャフトに沿って延び、前記スクリューシャフトと前記複数のガイドレールが支持される垂直フレームを更に備えていてもよい。
前記基板処理システムは、前記第１及び第２の工程チューブに対応してそれぞれ配設され、前記第１及び第２の工程チューブのうち、対応する工程チューブの中心における前記第１の軸の垂直軸から外れて対称的に配置される第１及び第２のユーティリティモジュールを更に備えていてもよい。
前記第１及び第２のユーティリティモジュールのそれぞれは、前記対応する工程チューブから遠ざかる向きに延びてもよい。
前記第１及び第２のユーティリティモジュールのそれぞれは、前記対応する工程チューブから延びる冷却水供給ラインと連結され、冷却水の供給を制御する冷却水制御部と、前記対応する工程チューブから延びるガス供給ラインと連結され、工程ガスの供給を制御するガス制御部と、を備え、前記第１及び第２のユーティリティモジュールのそれぞれにおいては、前記冷却水制御部が前記ガス制御部よりも前記対応する工程チューブに近付いて配置されてもよい。
前記基板処理システムは、前記第１及び第２の工程チューブにそれぞれ配設され、端部が複数の排気ポンピングポートにそれぞれ連結される第１及び第２の排気ダクトと、前記第１及び第２の工程チューブにそれぞれ配設されて、前記第１及び第２の工程チューブにそれぞれ熱を供給する第１及び第２のヒータ部と、前記第１及び第２のヒータ部をそれぞれ冷却させ、端部が複数の吸熱ポンピングポートにそれぞれ連結される第１及び第２の急速放熱ガスラインと、を更に備え、前記第１及び第２のユーティリティモジュールのそれぞれには、前記対応する工程チューブに配設される排気ダクトの端部及び前記対応する工程チューブに熱を供給したヒータ部を冷却させる急速放熱ガスラインの端部が配置され、前記第１及び第２のユーティリティモジュールのそれぞれにおいては、前記配置された排気ダクトの端部が前記配置された急速放熱ガスラインの端部よりも前記対応する工程チューブに近付いて配置されてもよい。
前記ガス供給ラインのそれぞれは、複数本のガスラインを備え、前記第１の工程チューブに連結されるガス供給ラインの前記複数本のガスラインと、前記第２の工程チューブに連結されるガス供給ラインの前記複数本のガスラインは互いに対称的に配置され、互いに対称的なガスラインには、同じガスが供給されてもよい。
前記第１及び第２の工程チューブのそれぞれは、単一のチューブ、または外部チューブと内部チューブを備える複数のチューブにより構成されてもよい。
本発明の実施形態に係る基板処理システムは、互いに独立した工程空間を与える第１及び第２の工程チューブを用いて、基板の処理量を向上させながらも、第１の軸の方向に離間して配置される第１及び第２の工程チューブ間の空間に第１及び第２のボート昇降器のそれぞれの昇降軸部材を配置して、基板処理システムの第１の軸の方向の幅を狭めることができる。
また、第１及び第２の工程チューブ間の空間に配置されるそれぞれの昇降軸部材が第１の軸の両側に点対称となるように配置されることにより、第１及び第２の工程チューブ間の空間を狭めることができ、基板処理システムの第１の軸の方向の幅を更に狭めることができる。
更に、昇降軸部材をボールスクリュー、複数のガイドレール及び垂直フレームの組立て体により構成して、支持プレートの中心を工程チューブの中心と一致させるために昇降体を支持プレートの中心から第２の軸の方向に外れるように支持プレートと結合したとしても、安定的に基板ボートを昇降させることができる。ここで、複数のガイドレールがスクリューシャフトの両側に対称的に配置されて昇降体のバランスを取ることができ、昇降体の安定的な昇降により基板ボートが安定的に昇降可能になる。
更にまた、第１及び第２のユーティリティモジュールがそれぞれ対応する工程チューブから遠ざかる向きに延びながら、それぞれ対応する工程チューブの中心から第２の軸の方向に延びる軸から外れて配置されることにより、第１及び第２のユーティリティモジュール間にメンテナンス（ｍａｉｎｔｅｎａｎｃｅ）空間を確保することができる。のみならず、第１及び第２のユーティリティモジュールが第２の軸の方向に延びる場合には、基板処理システムの第１の軸の方向の幅が最小化される。
これらに加えて、第１及び第２のユーティリティモジュールの冷却水制御部とガス制御部及び排気ダクトの端部及び急速放熱ガスラインの端部をそれぞれ対応する工程チューブから遠ざかる向きにこの順に配列することにより、メンテナンス空間が更に広くなり、基板処理システムの第２の軸の方向の幅を狭めることができる。なお、冷却水供給ラインとガス供給ラインが周りから温度などの影響を受けることを極力抑えることもできる。
一方、第１の工程チューブに連結されるガス供給ラインの複数本のガスラインと、第２の工程チューブに連結されるガス供給ラインの複数本のガスラインを互いに対称的に配置することにより、同じガスが供給されるガスラインの長さを等しくして、各工程チューブの工程条件を同様にできる。
本発明の一実施形態に係る基板処理システムを示す概略図。 本発明の一実施形態に係るボート昇降器を示す図。 本発明の一実施形態に係る基板ボートの昇降を説明するための概念図。 発明の一実施形態に係る第１及び第２のユーティリティモジュールを説明するための概念図。 本発明の一実施形態に係る排気ダクト、ヒータ部及び急速放熱ガスラインを説明するための概念図。 本発明の一実施形態に係る対称的なガス供給ラインを説明するための概念図。
以下、添付図面に基づき、本発明の実施形態について詳細に説明する。しかしながら、本発明は以下に開示される実施形態に何ら限定されるものではなく、異なる様々な形態として実現され、単にこれらの実施形態は本発明の開示を完全たるものにし、通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものである。本発明を説明するに当たって、同じ構成要素に対しては同じ参照符号を付し、図面は、本発明の実施形態を正確に説明するために大きさが部分的に誇張されており、図中、同じ符号は同じ構成要素を示す。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理システムを示す概略図であって、図１の（ａ）は、基板処理システムの一部の斜視図であり、図１の（ｂ）は、基板処理システムの一部の平断面図である。
図１を参照すると、本発明の一実施形態に係る基板処理システム１００は、第１の軸１１の方向に離間して配置され、互いに独立した工程空間を与える第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂと、複数枚の基板１０が多段に積載され、前記第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂの工程空間にそれぞれ配設される基板ボート１２０と、前記第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂにそれぞれ配設され、前記基板ボート１２０を昇降させる第１及び第２のボート昇降器１３０ａ、１３０ｂと、を備えていてもよい。
第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂは、第１の軸１１の方向に互いに離間して配置されてもよく、一対（ｐａｉｒ）をなしてもよく、互いに独立した工程空間を与えることができる。ここで、第１の軸１１の方向は横方向であってもよく、基板処理システム１００を横切る方向であってもよい。第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂは、内部空間を有してもよく、基板処理工程の際に基板ボート１２０が収容されてもよく、ガス雰囲気（又は、雰囲気ガス）、温度などがそれぞれ別々に制御されてもよい。第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂがそれぞれ別々に制御されて基板処理工程が安定的に行われ、基板処理システム１００を用いた基板の処理量及び基板の処理品質が向上し、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂの間隔及び／又は周りの配置構成を減らして占有面積（Ｆｏｏｔ Ｐｒｉｎｔ）を狭めることができる。ここで、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂは、単一のチューブにより構成されてもよく、複数のチューブにより構成されてもよく、基板ボート１２０が収容されて基板処理工程が行われ得る工程空間を与えることができればよい。例えば、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂは、外部チューブと内部チューブにより構成されてもよい。
基板ボート１２０は、バッチ式（Ｂａｔｃｈ ｔｙｐｅ）により基板処理工程を行うために複数枚の基板１０が多段に（又は、上下方向に）積載されてもよく、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂの工程空間にそれぞれ配設されてもよく、基板の処理工程に際して第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂの内部空間（又は、工程空間）に収容されてもよい。このとき、基板ボート１２０は、複数であってもよく、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂの工程空間にそれぞれ配設されてもよい。ここで、基板ボート１２０は、複数枚の基板１０がそれぞれ別々に処理可能な複数の処理空間を有するように構成されてもよい。
第１及び第２のボート昇降器１３０ａ、１３０ｂは、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂにそれぞれ配設されてもよく、基板ボート１２０を独立して昇降させてもよい。このとき、第１及び第２のボート昇降器１３０ａ、１３０ｂは、基板ボート１２０を昇降させて第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂの内部空間にそれぞれ収容してもよく、基板ボート１２０を第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂの工程空間に配設して、複数枚の基板１０を第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂの工程空間に搬入（ｌｏａｄｉｎｇ）してもよい。例えば、第１及び第２のボート昇降器１３０ａ、１３０ｂは、基板ボート１２０を支持して昇降させてもよい。
図２は、本発明の一実施形態に係るボート昇降器を示す図であって、図２の（ａ）は、第１及び第２のボート昇降器を示し、図２の（ｂ）は、昇降軸部材と昇降体を示し、図２の（ｃ）は、第１及び第２のボート昇降器の平面図である。
図２を参照すると、第１及び第２のボート昇降器１３０ａ、１３０ｂのそれぞれは、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂ間の空間に配置される昇降軸部材１３１を備えていてもよい。昇降軸部材１３１は、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂ間の空間に配置されてもよく、それぞれの工程チューブ１１０に向かって（すなわち、前記第１及び第２の工程チューブのうち、対応する工程チューブに向かって）配置されてもよい。このため、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂ間の空間を活用することができ、昇降軸部材１３１が第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂの対から外側に向かって延びて配置されないことから、基板処理システム１００の第１の軸１１の方向の幅及び／又は第１の軸１１の方向と交差する第２の軸１２の方向の幅を狭めることができる。
第１のボート昇降器１３０ａの昇降軸部材１３１と第２のボート昇降器１３０ｂの昇降軸部材１３１は、互いに点対称となるように第１の軸１１の両側に配置されてもよい。第１のボート昇降器１３０ａの昇降軸部材１３１と第２のボート昇降器１３０ｂの昇降軸部材１３１が、第１の軸１１の両側（又は、前記第１の工程チューブの中心と前記第２の工程チューブの中心とを結んだ線の両側）に（例えば、前記第２の軸の方向に）配置されて、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂ間の空間が狭まり、基板処理システム１００の第１の軸１１の方向の幅を更に狭めることができる。そして、第１のボート昇降器１３０ａの昇降軸部材１３１と第２のボート昇降器１３０ｂの昇降軸部材１３１は、第１の軸１１上の点を中心として互いに点対称であってもよく、第１の軸１１と第２の軸１２の交差点１３を中心として互いに点対称となっていて、それぞれの工程チューブ１１０を向いてもよい。これにより、第１の工程チューブ１１０ａの中心と第２の工程チューブ１１０ｂの中心とを結んだ線の両側に配置されて、それぞれの工程チューブ１１０の中心から外れたとしても、基板ボート１２０を安定的に昇降させることができる。
図３は、本発明の一実施形態に係る基板ボートの昇降を説明するための概念図であって、図３の（ａ）は、昇降前であり、図３の（ｂ）は、昇降後である。
図２及び図３を参照すると、第１及び第２のボート昇降器１３０ａ、１３０ｂのそれぞれは、昇降軸部材１３１に連結されて昇降軸部材１３１に沿って昇降する昇降体１３２と、昇降体１３２と結合され、基板ボート１２０を支持する支持プレート１３３と、を備えていてもよい。昇降体１３２は、昇降軸部材１３１に連結されてもよく、昇降軸部材１３１に沿って昇降してもよい。昇降体１３２の昇降により互いに結合された支持プレート１３３を昇降させることができ、これにより、支持プレート１３３に支持された基板ボート１２０を昇降させることができる。
支持プレート１３３は、昇降体１３２と結合されてもよく、基板ボート１２０を支持してもよい。支持プレート１３３は、昇降体１３２に結合されて昇降体１３２とともに昇降してもよく、支持中の基板ボート１２０を昇降させてもよい。このとき、支持プレート１３３は、昇降体１３２と結合されてもよく、基板ボート１２０を安定的に支持できればよく、その形状に特に制限はない。
そして、昇降体１３２は、支持プレート１３３の中心から第１の軸１１の方向と交差する第２の軸１２の方向に外れて支持プレート１３３と結合されてもよい。第１のボート昇降器１３０ａの昇降軸部材１３１と第２のボート昇降器１３０ｂの昇降軸部材１３１が第１の軸１１の両側に互いに点対称となるように配置されるので、支持プレート１３３の中心が、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂのうち、対応する工程チューブ１１０の中心と位置合わせされるようにするために、昇降体１３２を支持プレート１３３の中心から第１の軸１１の方向と交差する第２の軸１２の方向に外れるように支持プレート１３３に結合することができる。このとき、昇降体１３２のそれぞれは、それぞれ結合される支持プレート１３３の中心から互いに遠ざかる向き（又は、前記第１の工程チューブの中心と前記第２の工程チューブの中心とを結んだ線の両側にそれぞれ遠ざかる向き）に外れて支持プレート１３３に結合されてもよい。そして、昇降体１３２に結合された支持プレート１３３は、昇降体１３２から第１の工程チューブ１１０ａの中心と第２の工程チューブ１１０ｂの中心とを結んだ線に向かって延びてもよく、その中心が前記対応する工程チューブ１１０の中心と位置合わせされてもよい。これにより、昇降軸部材１３１がそれぞれの工程チューブ１１０の中心（又は、前記第１の工程チューブの中心と前記第２の工程チューブの中心とを結んだ線）から外れて配置されたとしても、昇降体１３２と支持プレート１３３を用いて、安定的に基板ボート１２０を昇降させることができ、基板ボート１２０をそれぞれの工程チューブ１１０の内部空間に収容して複数枚の基板１０をそれぞれの工程チューブ１１０の工程空間に搬入することができる。
また、昇降軸部材１３１は、スクリューシャフトとボールナットにより構成され、前記スクリューシャフトの回転を用いて、前記ボールナットを移動させるボールスクリュー１３１ａと、前記スクリューシャフトの両側に配置される複数のガイドレール１３１ｂと、を備えていてもよい。ボールスクリュー（Ｂａｌｌ Ｓｃｒｅｗ）１３１ａは、回転運動を直線運動に切り換えたり、逆に、直線運動を回転運動に切り換えたりするときに用いる機械部品であり、ねじとナットとの間にボール（ｂａｌｌ）を入れて循環させることにより動力を伝達し、ねじの役割を果たすスクリューシャフト（Ｓｃｒｅｗ Ｓｈａｆｔ）と、ナットにボールを入れるボールナット（Ｂａｌｌ Ｎｕｔ）と、により構成されてもよい。ボールスクリュー１３１ａは、前記スクリューシャフトの回転を用いて前記ボールナットを移動させることができ、前記ボールナットの移動により前記ボールナットと結合された昇降体１３２を昇降させることができる。例えば、前記スクリューシャフトは、垂直に立てられてもよく、前記ボールナットは、前記スクリューシャフトに拘束されて前記スクリューシャフトの回転につれて上昇又は下降してもよい。そして、ボールスクリュー１３１ａは、前記ボールナットの移動の際にボールにより点接触が起こり、これにより、線接触をするロープやチェーンよりもパーティクルを格段に低減することができるだけではなく、面接触をするラックアンドピニオン（Ｒａｃｋ ＆ Ｐｉｎｉｏｎ）ギヤよりもパーティクルを有効に低減することができる。このとき、前記スクリューシャフトは、サーボモータ（Ｓｅｒｖｏ−Ｍｏｔｏｒ）などの動力源により回転してもよく、前記ボールナットは、前記スクリューシャフトの回転によりナットに入れられたボールがねじ山に乗って（又は、ねじの溝に沿って）移動して前記スクリューシャフトの軸に沿って昇降することができる。
複数のガイドレール１３１ｂは、前記スクリューシャフトの両側に配置されてもよく、前記スクリューシャフトと並ぶように配置されてもよい。このとき、複数のガイドレール１３１ｂは、前記スクリューシャフトを中心として対称的に配置されてもよい。これにより、昇降体１３２がボールスクリュー１３１ａだけではなく、複数のガイドレール１３１ｂに結合されて昇降軸部材１３１に安定的に連結可能になり、対称的に配置された複数のガイドレール１３１ｂが昇降体１３２の昇降に際してバランスを取ることができて、昇降体１３２及び／又は基板ボート１２０が安定的に昇降可能である。このため、昇降軸部材１３１がそれぞれの工程チューブ１１０の中心から外れて配置されて昇降体１３２が支持プレート１３３の中心から第２の軸１２の方向に外れて片側に偏って支持プレート１３３に結合されたとしても、傾いたり捩れたりすることなく、基板ボート１２０を支持して安定的に昇降させることができる。
一方、複数のガイドレール１３１ｂは、大きさ若しくは幅（又は、太さ）が異なっていてもよい。昇降体１３２が支持プレート１３３の中心から片側に偏って結合されるが故に、昇降体１３２の片側に力（又は、荷重）が偏ることがあるため、相対的に力が更に課せられるガイドレール１３１ｂの大きさ若しくは幅を広げて昇降体１３２両側のバランスを取ってもよい。なお、ガイドレール１３１ｂのそれぞれと前記スクリューシャフトとの距離を異ならせてもよい。しかしながら、この場合には、昇降軸部材１３１の第２の軸１２の方向の幅が広過ぎる虞があり、前記スクリューシャフトがそれぞれの工程チューブ１１０の中心から遠ざかり過ぎる虞もあり、基板処理システム１００の第２の軸１２の方向の幅を広げる虞もある。
昇降体１３２は、前記ボールナットと結合され、前記スクリューシャフトに沿って延びるベース板１３２ａと、ベース板１３２ａに前記ボールナットの両側にそれぞれ配置されるように結合され、複数のガイドレール１３１ｂにそれぞれ連結されて滑走する複数の摺動部１３２ｂと、を備えていてもよい。ベース板１３２ａは、前記ボールナットと結合されてもよく、前記スクリューシャフトの回転により前記スクリューシャフトの軸に沿って昇降する前記ボールナットとともに昇降してもよい。そして、ベース板１３２ａは、前記スクリューシャフトに沿って前記スクリューシャフトの延在方向に延びてもよく、ベース板１３２ａが前記スクリューシャフトに沿って延びることにより、昇降体１３２が昇降軸部材１３１に支持（又は、固定）可能な面積が広くなる。これにより、昇降体１３２が安定的に昇降軸部材１３１に連結（又は、支持）可能であり、基板ボート１２０を支持する支持プレート１３３を昇降体１３２が安定的に支持する（又は、受け止めたり把持したりする）ことができる。そのため、昇降体１３２が支持プレート１３３の中心から第２の軸１２の方向に外れて片側に偏って支持プレート１３３に結合されたとしても、昇降体１３２及び／又は支持プレート１３３の傾き若しくは捩れなしに基板ボート１２０が支持プレート１３３に安定的に支持されて昇降可能である。
複数の摺動部１３２ｂは、両側に互いに離間してベース板１３２ａに結合されてもよく、前記ボールナットの両側に配置されてもよく、複数のガイドレール１３１ｂにそれぞれ連結されてもよい。ここで、複数のガイドレール１３１ｂにそれぞれ連結された複数の摺動部１３２ｂは、複数のガイドレール１３１ｂに沿って滑走してもよい。複数の摺動部１３２ｂは、鋼球（Ｂａｌｌ）を有していてもよく、複数のガイドレール１３１ｂに形成されたガイド溝に沿って鋼球が移動しながら（又は、転がりながら）複数の摺動部１３２ｂが滑走してもよい。ベース板１３２ａが複数の摺動部１３２ｂにより複数のガイドレール１３１ｂに連結されて支持されてもよく、ベース板１３２ａが前記ボールナットにより前記スクリューシャフトに支持されるだけではなく、複数の摺動部１３２ｂにより複数のガイドレール１３１ｂにも二重的に支持されて傾き若しくは捩れなしに安定的に昇降することができる。なお、複数の摺動部１３２ｂが複数のガイドレール１３１ｂに沿って滑走することにより、ベース板１３２ａが前記スクリューシャフトの他に、複数の部分に支持されても有効に昇降可能である。
昇降軸部材１３１は、前記スクリューシャフトに沿って延び、前記スクリューシャフトと、複数のガイドレール１３１ｂが支持される垂直フレーム１３１ｃと、を更に備えていてもよい。垂直フレーム１３１ｃは、前記スクリューシャフトに沿って延びてもよく、前記スクリューシャフトと複数のガイドレール１３１ｂが固定されて支持されてもよい。例えば、垂直フレーム１３１ｃは、前記スクリューシャフトと複数のガイドレール１３１ｂが収容されて結合されるハウジングの役割を果たしてもよく、垂直フレーム１３１ｃ及び前記スクリューシャフトと複数のガイドレール１３１ｂが一つの組立て体を構成してもよい。垂直フレーム１３１ｃを用いて、垂直に立てられる前記スクリューシャフトと複数のガイドレール１３１ｂが垂直に立てられた状態で安定的に支持（又は、固定）可能であり、昇降体１３２を用いて、基板ボート１２０の支持された支持プレート１３３を昇降させながら傾いたり捩れたりすることがない。
ここで、垂直フレーム１３１ｃは、第２の軸１２の方向の幅が第１の軸１１の方向の幅よりも大きくてもよい。昇降体１３２が支持プレート１３３の中心から第２の軸１２の方向に外れて片側に偏って支持プレート１３３に結合されると、昇降軸部材１３１に力（又は、荷重）が第２の軸１２の方向の片側に偏って働く（又は、付加する）虞があるため、垂直フレーム１３１ｃの第２の軸１２の方向の幅を垂直フレーム１３１ｃの第１の軸１１の方向の幅よりも大きくすることにより、第２の軸１２の方向に片側に偏って働く力に耐え得る支持力を与えることができる。これにより、昇降軸部材１３１が傾き又は捩れなしに垂直に上手く立てられ、このような昇降軸部材１３１に沿って支持プレート１３３と結合された昇降体１３２及び基板ボート１２０を支持した支持プレート１３３が安定的に昇降可能である。
一方、昇降軸部材１３１は、垂直フレーム１３１ｃの下部に配設されて垂直フレーム１３１ｃを支持し、垂直フレーム１３１ｃの第２の軸１２の方向の幅よりも広い第２の軸１２の方向の幅を有するフレーム受け台１３１ｄを更に備えていてもよい。フレーム受け台１３１ｄは、垂直フレーム１３１ｃの下部に配設されてもよく、垂直フレーム１３１ｃを支持してもよく、垂直フレーム１３１ｃの第２の軸１２の方向の幅よりも広い第２の軸１２の方向の幅を有していてもよい。垂直フレーム１３１ｃの下部に配設されて垂直フレーム１３１ｃを支持するフレーム受け台１３１ｄを用いて、垂直フレーム１３１ｃが更に安定的に立てられているようにでき、昇降体１３２、支持プレート１３３及び基板ボート１２０の安定的な昇降を行うようにできる。また、フレーム受け台１３１ｄの第２の軸１２の方向の幅を垂直フレーム１３１ｃの第２の軸１２の方向の幅よりも大きくすることにより、垂直フレーム１３１ｃを更に安定的に支持することができ、片側に偏って昇降軸部材１３１に結合される支持プレート１３３により垂直フレーム１３１ｃが片側に傾くことを防ぐことができる。このとき、片側に偏って昇降軸部材１３１から延びる支持プレート１３３の部分を減らすために、垂直フレーム１３１ｃから第２の軸１２の方向のうち、第１の工程チューブ１１０ａの中心と第２の工程チューブ１１０ｂの中心とを結んだ線から遠ざかる向きに延びてもよい。
図４は、本発明の一実施形態に係る第１及び第２のユーティリティモジュールを説明するための概念図である。
図４を参照すると、本発明に係る基板処理システム１００は、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂに対応してそれぞれ配設され、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂのうち、対応する工程チューブ１１０の中心における第１の軸１１の垂直軸から外れて対称的に配置される第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂを更に備えていてもよい。第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂは、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂに対応してそれぞれ配設されてもよく、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂのうち、対応する工程チューブ１１０の中心における第１の軸１２の垂直軸（又は、前記対応する工程チューブ１１０の中心から前記第１の軸と交差する第２の軸の方向に延びる軸）から外れて対称的に配置されてもよい。ここで、第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂは、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂにおいて基板処理工程が行えるように各種のユーティリティ（Ｕｔｉｌｉｔｙ）及び電装部品が取り付けられてもよい。このとき、第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂは、互いに遠ざかる向きに対称的に配置されてもよく、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂの中心間の距離以上の幅を保ちながら互いに離間して前記対応する工程チューブ１１０の中心における第１の軸１１の垂直軸から外れて配置されてもよい。例えば、相互間が拡開されるように（又は、広くなるように）斜め方向に配置されてもよく、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂの中心間の距離よりも広い幅を保ちながら互いに並ぶように配置されてもよい。
第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂのそれぞれが前記対応する工程チューブ１１０の中心における第１の軸１１の垂直軸から外れる場合には、第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂ間の空間が更に広くなり、広いメンテナンス空間４０が確保可能である。例えば、前記対応する工程チューブ１１０の中心から斜め方向（又は、対角線方向）に延びて前記対応する工程チューブ１１０の中心における第１の軸１１の垂直軸から外れてもよく、前記対応する工程チューブ１１０の中心から第１の軸１１の方向に外れて延びて前記対応する工程チューブ１１０の中心における第１の軸１１の垂直軸から外れてもよい。このとき、第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂは、互いに対称的に配置されてもよく、第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂが第２の軸１２の方向に延びる場合には、基板処理システム１００の第１の軸１１の方向の幅が最小化可能である。
ここで、第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂは、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂの両端に第２の軸１２の方向に並ぶように配置されてもよく、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂが配置される工程部（又は、工程領域）１１５の両端から第２の軸１２の方向に延びて互いに並ぶように配置されてもよい。この場合、基板処理システム１００の第１の軸１１の方向の幅が最小化されるだけではなく、メンテナンス空間４０を最大にすることができる。
第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂのそれぞれは、前記対応する工程チューブ１１０から遠ざかる向きに延びてもよい。
従来には、ユーティリティモジュール１４０が片側方向に延びることなく、工程チューブ１１０の第２の軸１２の方向に各構成要素が分散されて空き空間を満たすように配置されていた。例えば、ユーティリティモジュール１４０は、工程チューブ１１０の第２の軸１２の方向（の空間）に第１の軸１１の向きに（向きに沿って）配置（又は、延設）され、第１の軸１１の向きに配置された幅がある程度満たされれば（例えば、前記工程チューブの幅に略等しくなれば）、残りの構成要素が次の行に第１の軸１１の向きに配置されていた。このとき、工程チューブ１１０に連結されてある程度の長さ（例えば、前記第２の軸の方向への長さ）を必要とする構成要素（例えば、排気ダクトなど）は、第２の軸１２の方向に延びるように配置しなければならなかった。これにより、基板処理システム１００の第１の軸１１の方向の幅及び／又は第２の軸１２の方向の幅が広くならざるを得なかった。なお、工程チューブ１１０の第２の軸１２の方向に空間を確保し難いため、工程チューブ１１０などのメンテナンス（ｍａｉｎｔｅｎａｎｃｅ）空間４０を有することができなかった。
しかしながら、第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂが前記対応する工程チューブ１１０から遠ざかる向きに延びて配置されれば、基板処理システム１００の第１の軸１１の方向の幅又は第２の軸１２の方向の幅を狭めることができるだけではなく、第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂ間にメンテナンス空間４０を確保することもできる。また、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂに連結されてある程度の長さを必要とする構成要素は、第２の軸１２の方向に延びていて、第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂの端部に垂直（又は、上下方向）に配置して基板処理システム１００の第２の軸１２の方向の幅又は第１の軸１１の方向の幅をも狭めることができる。
第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂのそれぞれは、前記対応する工程チューブ１１０から延びる冷却水供給ライン２０と連結され、冷却水の供給を制御する冷却水制御部１４１と、前記対応する工程チューブ１１０から延びるガス供給ライン３０と連結され、工程ガスの供給を制御するガス制御部１４２と、を備えていてもよい。冷却水制御部１４１は、前記対応する工程チューブ１１０から延びる冷却水供給ライン２０と連結されてもよく、冷却水（Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｃｏｏｌｉｎｇ Ｗａｔｅｒ；ＰＣＷ）の供給を制御してもよい。ここで、冷却水制御部１４１は、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂにおいて駆動に必要な冷却水を供給及び確認する装置であってもよい。例えば、冷却水制御部１４１は、冷却水弁（ｖａｌｖｅ）を備えていてもよく、前記対応する工程チューブ１１０への冷却水の供給を制御してもよい。冷却水供給源（図示せず）から冷却水が冷却水制御部１４１を介して前記対応する工程チューブ１１０に供給されてもよく、前記対応する工程チューブ１１０に供給された冷却水が前記対応する工程チューブ１１０に形成された（又は、配設された）冷却流路を経て冷却水制御部１４１を介して排出されてもよい。
ガス制御部１４２は、前記対応する工程チューブ１１０から延びるガス供給ライン３０と連結されてもよく、工程ガスの供給を制御してもよい。ここで、ガス制御部１４２は、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂに供給される前記工程ガスを伝達するための装置であってもよい。例えば、ガス制御部１４２は、ガスパネル（Ｇａｓ Ｐａｎｅｌ）を備えていてもよく、前記対応する工程チューブ１１０への前記工程ガスの供給を制御してもよい。前記ガスパネル（Ｇａｓ Ｐａｎｅｌ）は、一般的に、前記工程ガスとして使用可能な種々の複数のガスを計量してもよく、前記複数のガスをそれぞれの工程チューブ１１０に振り分ける気体分離器及びガスの流動を調節するマスフローコントローラ（Ｍａｓｓ Ｆｌｏｗ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ；ＭＦＣ）を備えていてもよい。このとき、前記複数のガスのうちの少なくともいずれか一つのガスは、予熱器、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）、バブラー（ｂｕｂｂｌｅｒ）、フィルタなどの構成要素により供給されてもよい。工程ガス供給源（図示せず）から前記工程ガスがガス制御部１４２を介して前記対応する工程チューブ１１０に供給されてもよい。ここで、前記工程ガスは、効率よい基板の処理のために、加熱されて前記対応する工程チューブ１１０に供給されてもよい。
そして、第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂのそれぞれにおいては、冷却水制御部１４１がガス制御部１４２よりも前記対応する工程チューブ１１０に近付いて配置されてもよい。冷却水は、効率よい冷却のために、前記対応する工程チューブ１１０に近付いた個所から供給されてもよく、供給距離（又は、流動距離）が短くてもよい。このため、冷却水が前記対応する工程チューブ１１０に近付いた個所から供給できるように、冷却水制御部１４１を前記対応する工程チューブ１１０に近付けて配置してもよく、ガス制御部１４２よりも前記対応する工程チューブ１１０の方に近付くように配置して、冷却水制御部１４１を前記対応する工程チューブ１１０の最も近くに配置してもよい。これにより、冷却水が前記対応する工程チューブ１１０に供給されながら、短い供給距離により温度の変化（例えば、温度の上昇）がほとんどない低い温度を保つことができ、前記対応する工程チューブ１１０から冷却水が供給される領域を有効に冷却させることができる。
ガス制御部１４２は、加熱された前記工程ガスが通ってもよく、予熱器など前記ガスを加熱する構成要素が配置されてもよく、一般的に、全般的な温度が冷却水制御部１４１の温度よりも高くてもよい。これにより、冷却水制御部１４１がガス制御部１４２よりも前記対応する工程チューブ１１０の方から遠く配置されれば、冷却水の供給距離が長くなるだけではなく、ガス制御部１４２の周り（又は、周辺）を通りながらガス制御部１４２の温度により冷却水の温度が上昇してもよく、これにより、冷却水を用いた効率よい冷却が行われない。
しかしながら、本発明においては、冷却水制御部１４１をガス制御部１４２よりも前記対応する工程チューブ１１０の方に近付けて配置することにより、前記対応する工程チューブ１１０の冷却水が供給される領域において冷却水の効率よい冷却を行うことができる。
図５は、本発明の一実施形態に係る排気ダクト、ヒータ部及び急速放熱ガスラインを説明するための概念図であって、図５の（ａ）は、工程チューブ、排気ダクト、ヒータ部及び急速放熱ガスラインの分解図であり、図５の（ｂ）は、排気ダクトの端部及び急速放熱ガスラインの端部の位置を示す。
図５を参照すると、本発明に係る基板処理システム１００は、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂにそれぞれ配設され、端部が複数の排気ポンピングポート５１にそれぞれ連結される第１及び第２の排気ダクト１５０ａ、１５０ｂと、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂにそれぞれ配設されて、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂにそれぞれ熱を供給する第１及び第２のヒータ部１６０と、第１及び第２のヒータ部１６０をそれぞれ冷却させ、端部が複数の吸熱ポンピングポート５２にそれぞれ連結される第１及び第２の急速放熱ガスライン１７０ａ、１７０ｂと、を更に備えていてもよい。第１及び第２の排気ダクト１５０ａ、１５０ｂは、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂにそれぞれ配設されてもよく、端部が複数の排気ポンピングポート５１にそれぞれ連結されて第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂ内のガス（又は、残留ガス）を排気してもよい。このとき、排気を行って、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂ内を真空状態に保ってもよい。第１及び第２の排気ダクト１５０ａ、１５０ｂは、その一方の端が第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂにそれぞれ連結されてもよく、第２の軸１２の方向に延びて他方の端（すなわち、端部）が排気ポンピングポート５１に連結（又は、連通）されてもよい。このとき、排気ポンピングポート５１は、基板処理システム１００の下部に位置してもよく、基板処理システム１００の外部に配設されてもよい。そして、第１及び第２の排気ダクト１５０ａ、１５０ｂは、排気ポンピングポート５１に連結されるために、第２の軸１２の方向に延びていて、折り曲げられて端部（又は他方の端部）が垂直（又は、上下方向）に延びてもよい。
第１及び第２のヒータ部１６０は、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂにそれぞれ配設されてもよく、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂにそれぞれ熱を供給してもよい。例えば、第１及び第２のヒータ部１６０は、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂの外側に配設されてもよく、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂをそれぞれ収容して加熱してもよい。これにより、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂにそれぞれ収容される複数枚の基板１０を反応（又は、基板処理）可能な温度に昇温することができる。
第１及び第２の急速放熱ガスライン１７０ａ、１７０ｂは、第１及び第２のヒータ部１６０をそれぞれ冷却させてもよく、端部が複数の吸熱ポンピングポート５２にそれぞれ連結されて第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂの外側（又は、周り）の熱気（又は、熱い空気）を排出してもよく、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂをそれぞれ冷却させてもよい。必要に応じて、複数枚の基板１０の温度が上昇し過ぎることを防ぎ、複数枚の基板１０の基板処理（例えば、熱処理）後に第１及び第２のヒータ部１６０及び／又は第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂの温度を速やかに下げるために、第１及び第２のヒータ部１６０を冷却させてもよい。例えば、第１及び第２のヒータ部１６０の外壁（例えば、側壁）には、外部の空気を第１及び第２のヒータ部１６０内に注入可能な空気注入口（図示せず）が形成されてもよく、第１及び第２のヒータ部１６０内に注入されて第１及び第２のヒータ部１６０内の温度により熱交換の行われた空気を第１及び第２の急速放熱ガスライン１７０ａ、１７０ｂに排出してもよい。ここで、第１及び第２の急速放熱ガスライン１７０ａ、１７０ｂは、その一方の端が第１及び第２のヒータ部１６０の外壁にそれぞれ連結されてもよく、第２の軸１２の方向に延びて他方の端（すなわち、端部）が吸熱ポンピングポート５２に連結されてもよく、速やかに前記熱交換の行われた空気を排出してもよい。このとき、吸熱ポンピングポート５２は、基板処理システム１００の下部に位置してもよく、基板処理システム１００の外部に配設されてもよく、第１及び第２の急速放熱ガスライン１７０ａ、１７０ｂは、吸熱ポンピングポート５２に連結されるために、第２の軸１２の方向に延びていて折り曲げられて端部が垂直（又は、上下方向）に延びてもよい。これにより、外部から第１及び第２のヒータ部１６０内に注入された空気が、第１及び第２のヒータ部１６０の内部において、第１及び第２のヒータ部１６０の熱源と第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂの外壁を冷却させることができる。このため、第１及び第２のヒータ部１６０の熱源の温度が上昇し過ぎて複数枚の基板１０が加熱され過ぎることを防ぐとともに、基板１０の基板処理後に第１及び第２のヒータ部１６０の熱源（又は、前記熱源の温度）を速やかに冷却させることができて、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂを速やかに冷却させることができる。なお、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂを速やかに冷却させて、複数枚の基板１０を速やかに冷却させることができる。
また、第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂのそれぞれには、前記対応する工程チューブ１１０に配設される排気ダクト１５０の端部及び前記対応する工程チューブ１１０に熱を供給したヒータ部１６０を冷却させる急速放熱ガスライン１７０の端部が配置されてもよい。ここで、第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂのそれぞれは、前記対応する工程チューブ１１０に配設される排気ダクト１５０の端部を収容する排気ダクト収容部１４３と、前記対応する工程チューブ１１０に熱を供給したヒータ部１６０を冷却させる急速放熱ガスライン１７０の端部を収容する放熱ライン収容部１４４と、を更に備えていてもよい。排気ダクト収容部１４３は、前記対応する工程チューブ１１０に配設される排気ダクト１５０の端部を収容してもよく、まるで箱体のように構成されてもよく、垂直に延びて排気ポンピングポート５１に連結される排気ダクト１５０の端部が排気ダクト収容部１４３に収容されて第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂのそれぞれに配置されてもよい。ここで、排気ダクト収容部１４３は、圧力弁（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｖａｌｖｅ）と圧力計（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｇａｕｇｅ）とを備えていてもよく、排気ポンピングポート５１を介した吸込み力（又は、吸込み圧力）を制御して、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂ内を真空状態に保つことができる。垂直に延びる排気ダクト１５０の端部を排気ダクト収容部１４３に収容して、排気ダクト１５０の端部が他の構成要素により干渉されないようにでき、第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂの構成要素の配置（又は、配置順序）に応じて排気ダクト１５０を効率よく配置して、メンテナンス空間４０を更に広げることができる。
放熱ライン収容部１４４は、前記対応する工程チューブ１１０に熱を供給したヒータ部１６０を冷却させる急速放熱ガスライン１７０の端部を収容してもよく、まるで箱体のように構成されてもよい。このとき、垂直に延びて吸熱ポンピングポート５２に連結される急速放熱ガスライン１７０の端部が放熱ライン収容部１４４に収容されて、第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂのそれぞれに配置されてもよい。垂直に延びる急速放熱ガスライン１７０の端部を放熱ライン収容部１４４に収容して、急速放熱ガスライン１７０の端部が他の構成要素により干渉されないようにでき、第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂの構成要素の配置に応じて急速放熱ガスライン１７０を効率よく配置して、メンテナンス空間４０を更に広げることができる。
そして、第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂのそれぞれにおいては、前記配置された排気ダクト１５０の端部が前記配置された急速放熱ガスライン１７０の端部よりも前記対応する工程チューブ１１０の方に近付いて配置されてもよい。急速放熱ガスライン１７０は、第１及び第２のヒータ部１６０の熱源を冷却させるための熱交換により暖められた空気（又は、熱気）を排出するため、排気ダクト１５０の温度よりも高くてもよい。このような急速放熱ガスライン１７０の端部が前記対応する工程チューブ１１０に近付いて配置される場合には、急速放熱ガスライン１７０の高い温度が前記対応する工程チューブ１１０又は第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂのそれぞれの他の構成要素に影響を及ぼす虞があるため、急速放熱ガスライン１７０の端部（すなわち、前記放熱ライン収容部）を排気ダクト１５０の端部（すなわち、前記排気ダクト収容部）よりも前記対応する工程チューブ１１０の方から遠くに配置してもよい。このとき、第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂのそれぞれにおいて、急速放熱ガスライン１７０の端部を前記対応する工程チューブ１１０から最も遠くに配置してもよい。なお、急速放熱ガスライン１７０の端部を前記対応する工程チューブ１１０から遠くに配置することにより、熱気が長い流動距離（又は、排出距離）を通りながら空気（又は、外部空気）により有効に放熱（又は、冷却）されるようにできる。
第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂのそれぞれにおいては、冷却水制御部１４１、ガス制御部１４２、排気ダクト１５０の端部及び急速放熱ガスライン１７０の端部が前記対応する工程チューブ１１０から遠ざかる向きに配列されてもよく、冷却水制御部１４１とガス制御部１４２が排気ダクト１５０の端部と急速放熱ガスライン１７０の端部よりも前記対応する工程チューブ１１０の方に近付いて配置されてもよい。第１及び第２のユーティリティモジュール１４０ａ、１４０ｂのそれぞれにおいては、冷却水制御部１４１、ガス制御部１４２、排気ダクト１５０の端部及び急速放熱ガスライン１７０の端部が前記対応する工程チューブ１１０から遠ざかる向きに一列に配置されてもよく、冷却水制御部１４１、ガス制御部１４２、排気ダクト１５０の端部及び急速放熱ガスライン１７０の端部がこの順に配置されてもよい。この場合、冷却水制御部１４１、ガス制御部１４２にそれぞれ連結（又は、配設）される各ライン（例えば、前記冷却水供給ライン、前記ガス供給ラインなど）と排気ダクト１５０及び急速放熱ガスライン１７０が互いに絡んだり撚ったりすることなく効率よく配置可能であり、その結果、空間の活用度が高くなる。
このとき、冷却水制御部１４１とガス制御部１４２は、排気ダクト１５０の端部及び急速放熱ガスライン１７０の端部よりも前記対応する工程チューブ１１０の方に近付いて配置されてもよい。冷却水制御部１４１とガス制御部１４２は、前記対応する工程チューブ１１０に冷却水、前記工程ガスなどを供給する部分であり、排気ダクト１５０の端部及び急速放熱ガスライン１７０の端部は、前記対応する工程チューブ１１０から残留ガス、熱気などが排出される部分であるため、前記対応する工程チューブ１１０に供給するわけではないため、ラインの長さ（又は、流動距離）が長くても何等の問題もない排気ダクト１５０の端部及び急速放熱ガスライン１７０の端部を前記対応する工程チューブ１１０から遠くに配置することができる。そして、前記対応する工程チューブ１１０に冷却水、前記工程ガスなどを供給する冷却水制御部１４１とガス制御部１４２を前記対応する工程チューブ１１０に近づけて配置して、前記対応する工程チューブ１１０に供給される供給距離を短くすることにより、長い供給距離により温度の変化（例えば、温度の上昇）が起こることを防ぐことができる。これにより、温度の変化がほとんどない（温度の保たれた）冷却水、前記工程ガスなどが前記対応する工程チューブ１１０に供給可能であり、前記対応する工程チューブ１１０において効率よく基板処理工程が行われる。
更に、冷却水制御部１４１、ガス制御部１４２、排気ダクト１５０の端部及び急速放熱ガスライン１７０の端部が前記対応する工程チューブ１１０からこの順に配置される場合には、各箱体の幅が狭いものから広いものの順に配置可能であるので、空間の活用度が極大化可能であり、実質的に使用可能なメンテナンス空間４０の有効面積が最大化可能であり、基板処理システム１００の第２の軸１２の方向の幅を狭めることができる。そして、冷却水供給ライン２０とガス供給ライン３０が周り（例えば、前記排気ダクトの端部及び前記急速放熱ガスラインの端部など）から温度などの影響を受けることを極力抑えることができる。
図６は、本発明の一実施形態に係る対称的なガス供給ラインを説明するための概念図である。
図６を参照すると、ガス供給ライン３０のそれぞれは、複数本のガスライン３１を有していてもよく、第１の工程チューブ１１０ａに連結されるガス供給ライン３０の複数本のガスライン３１と、第２の工程チューブ１１０ｂに連結されるガス供給ライン３０の複数本のガスライン３１は、互いに対称となるように配置されてもよく、互いに対称となるガスライン３１には同じガスが供給されてもよい。複数本のガスライン３１は２本以上であってもよく、互いに同じガス又は異なるガスを供給してもよい。例えば、複数本のガスライン３１は、第１のガスライン３１ａと第２のガスライン３１ｂを備えていてもよい。このとき、前記工程ガスは、基板処理ガスと不活性ガスを含んでいてもよく、第１のガスライン３１ａは、前記基板処理ガスを供給してもよく、第２のガスライン３１ｂは、不活性ガスを供給してもよい。第１の工程チューブ１１０ａに連結されるガス供給ライン３０の複数本のガスライン３１と、第２の工程チューブ１１０ｂに連結されるガス供給ライン３０の複数本のガスライン３１とは互いに対称となるように配置されてもよく、第１の工程チューブ１１０ａに連結される第１のガスライン３１ａ及び第２のガスライン３１ｂと、第２の工程チューブ１１０ｂに連結される第１のガスライン３１ａ及び第２のガスライン３１ｂとが互いに対称となっていてもよい。例えば、それぞれの第１のガスライン３１ａが第１の軸１１の方向の両側の外郭に配置される場合には、それぞれの第２のガスライン３１ｂがそれぞれの第１のガスライン３１ａよりも内側に配置されてもよく、それぞれの第２のガスライン３１ｂが第１の軸１１の方向の両側の外郭に配置される場合には、それぞれの第１のガスライン３１ａがそれぞれの第２のガスライン３１ｂよりも内側に配置されてもよい。
ここで、互いに対称となるガスライン３１には同じガスが供給されてもよく、それぞれの第１のガスライン３１ａには同じガスが供給されてもよく、それぞれの第２のガスライン３１ｂにも同じガスが供給されてもよい。このとき、第１のガスライン３１ａと第２のガスライン３１ｂには同じガスが供給されてもよく、異なるガスが供給されてもよい。このため、同じガスが供給されるガスライン３１が互いに対称となるように配置されることにより、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂにそれぞれ同じガスを供給するガスライン３１のそれぞれ（すなわち、同じガスを供給する前記第１の工程チューブに連結されたガスライン、前記第２の工程チューブに連結されたガスライン）の長さが等しくてもよく、供給距離差によるガス（又は、前記工程ガス）の温度差、分圧差などを防いで、第１及び第２の工程チューブ１１０ａ、１１０ｂの工程条件を同様にできる。
このように、本発明においては、互いに独立した工程空間を与える第１及び第２の工程チューブを用いて、基板の処理量を向上させながらも、第１の軸の方向に離間して配置される第１及び第２の工程チューブ間の空間に第１及び第２のボート昇降器のそれぞれの昇降軸部材を配置して、基板処理システムの第１の軸の方向の幅を狭めることができる。また、第１及び第２の工程チューブ間の空間に配置されるそれぞれの昇降軸部材が第１の軸の両側に点対称となるように配置されることにより、第１及び第２の工程チューブ間の空間を狭めることができ、基板処理システムの第１の軸の方向の幅を更に狭めることができる。更に、昇降軸部材をボールスクリュー、複数のガイドレール及び垂直フレームの組立て体により構成して、支持プレートの中心を工程チューブの中心と一致させるために昇降体を支持プレートの中心から第２の軸の方向に外れるように支持プレートと結合したとしても、安定的に基板ボートを昇降させることができる。ここで、複数のガイドレールがスクリューシャフトの両側に対称的に配置されて昇降体のバランスを取ることができ、昇降体の安定的な昇降により基板ボートが安定的に昇降可能になる。更にまた、第１及び第２のユーティリティモジュールがそれぞれ対応する工程チューブから遠ざかる向きに延びながら、それぞれ対応する工程チューブの中心から第２の軸の方向に延びる軸から外れて配置されることにより、第１及び第２のユーティリティモジュール間にメンテナンス空間を確保することができ、第１及び第２のユーティリティモジュールが第２の軸の方向に延びる場合には、基板処理システムの第１の軸の方向の幅が最小化される。これらに加えて、第１及び第２のユーティリティモジュールの冷却水制御部とガス制御部及び排気ダクトの端部及び急速放熱ガスラインの端部をそれぞれ対応する工程チューブから遠ざかる向きにこの順に配列することにより、メンテナンス空間が更に広くなり、基板処理システムの第２の軸の方向の幅を狭めることができる。なお、冷却水供給ラインとガス供給ラインが周りから温度などの影響を受けることを極力抑えることもできる。一方、第１の工程チューブに連結されるガス供給ラインの複数本のガスラインと、第２の工程チューブに連結されるガス供給ラインの複数本のガスラインを互いに対称的に配置することにより、同じガスが供給されるガスラインの長さを等しくして、各工程チューブの工程条件を同様にできる。
以上、本発明の好適な実施形態について図示し且つ説明したが、本発明は、上述した実施形態に何ら限定されるものではなく、特許請求の範囲において請求する本発明の要旨を逸脱することなく、当該本発明が属する分野において通常の知識を有する者であれば、これより様々な変形及び均等な他の実施形態が実施可能であるということが理解できる筈である。よって、本発明の技術的な保護範囲は、下記の特許請求の範囲により定められるべきである。
１０：基板
１１：第１の軸
１２：第２の軸
１３：第１の軸と第２の軸との交差点
２０：冷却水供給ライン
３０：ガス供給ライン
３１：ガスライン
３１ａ：第１のガスライン
３１ｂ：第２のガスライン
４０：メンテナンス空間
５１：排気ポンピングポート
５２：吸熱ポンピングポート
１００：基板処理システム
１１０：工程チューブ
１１０ａ：第１の工程チューブ
１１０ｂ：第２の工程チューブ
１１５：工程部又は工程領域
１２０：基板ボート
１３０：ボート昇降器
１３０ａ：第１のボート昇降器
１３０ｂ：第２のボート昇降器
１３１：昇降軸部材
１３１ａ：ボールスクリュー
１３１ｂ：ガイドレール
１３１ｃ：垂直フレーム
１３１ｄ：フレーム受け台
１３２：昇降体
１３２ａ：ベース板
１３２ｂ：摺動部
１３３：支持プレート
１４０：ユーティリティモジュール
１４０ａ：第１のユーティリティモジュール
１４０ｂ：第２のユーティリティモジュール
１４１：冷却水制御部
１４２：ガス制御部
１４３：排気ダクト収容部
１４４：放熱ライン収容部
１５０：排気ダクト
１５０ａ：第１の排気ダクト
１５０ｂ：第２の排気ダクト
１６０：第１及び第２のヒータ部
１７０：急速放熱ガスライン
１７０ａ：第１の急速放熱ガスライン
１７０ｂ：第２の急速放熱ガスライン

Claims (11)

  1. 第１の軸の方向に離間して配置され、互いに独立した工程空間を与える第１及び第２の工程チューブと、
    複数枚の基板が多段に積載され、前記第１及び第２の工程チューブの工程空間にそれぞれ配設される基板ボートと、
    前記第１及び第２の工程チューブにそれぞれ配設され、前記基板ボートを昇降させる第１及び第２のボート昇降器と、
    を備え、
    前記第１及び第２のボート昇降器のそれぞれは、
    前記第１及び第２の工程チューブ間の空間に前記第１及び第２の工程チューブのうち対応する工程チューブに向かって配置される昇降軸部材と、
    前記昇降軸部材に連結されて前記昇降軸部材に沿って昇降する昇降体と、
    前記昇降体と結合され、前記基板ボートを支持する支持プレートと、
    を備え、
    前記第１のボート昇降器の昇降軸部材と前記第２のボート昇降器の昇降軸部材は、前記第１の軸の方向と交差する第２の軸の方向に配置され、
    前記昇降体は、前記支持プレートの中心から前記第２の軸の方向に外れて前記支持プレートと結合される基板処理システム。
  2. 前記第１のボート昇降器の昇降軸部材と前記第２のボート昇降器の昇降軸部材は、前記第１の軸上の点を中心として互いに点対称である請求項１に記載の基板処理システム。
  3. 前記昇降軸部材は、
    スクリューシャフトとボールナットにより構成され、前記スクリューシャフトの回転を用いて前記ボールナットを移動させるボールスクリューと、
    前記スクリューシャフトの両側に配置される複数のガイドレールと、
    を備える請求項１に記載の基板処理システム。
  4. 前記昇降体は、
    前記ボールナットと結合され、前記スクリューシャフトに沿って延びるベース板と、
    前記ベース板に前記ボールナットの両側にそれぞれ配置されるように結合され、前記複数のガイドレールにそれぞれ連結されて滑走する複数の摺動部と、
    を備える請求項３に記載の基板処理システム。
  5. 前記昇降軸部材は、
    前記スクリューシャフトに沿って延び、前記スクリューシャフトと前記複数のガイドレールが支持される垂直フレームを更に備える請求項３に記載の基板処理システム。
  6. 前記第１及び第２の工程チューブに対応してそれぞれ配設され、前記第１及び第２の工程チューブのうち、対応する工程チューブの中心における前記第１の軸の垂直軸から外れて対称的に配置される第１及び第２のユーティリティモジュールを更に備える請求項１に記載の基板処理システム。
  7. 前記第１及び第２のユーティリティモジュールのそれぞれは、前記対応する工程チューブから遠ざかる向きに延びる請求項６に記載の基板処理システム。
  8. 前記第１及び第２のユーティリティモジュールのそれぞれは、
    前記対応する工程チューブから延びる冷却水供給ラインと連結され、冷却水の供給を制御する冷却水制御部と、
    前記対応する工程チューブから延びるガス供給ラインと連結され、工程ガスの供給を制御するガス制御部と、
    を備え、
    前記第１及び第２のユーティリティモジュールのそれぞれにおいては、前記冷却水制御部が前記ガス制御部よりも前記対応する工程チューブに近付いて配置される請求項６に記載の基板処理システム。
  9. 前記第１及び第２の工程チューブにそれぞれ配設され、端部が複数の排気ポンピングポートにそれぞれ連結される第１及び第２の排気ダクトと、
    前記第１及び第２の工程チューブにそれぞれ配設されて、前記第１及び第２の工程チューブにそれぞれ熱を供給する第１及び第２のヒータ部と、
    前記第１及び第２のヒータ部をそれぞれ冷却させ、端部が複数の吸熱ポンピングポートにそれぞれ連結される第１及び第２の急速放熱ガスラインと、
    を更に備え、
    前記第１及び第２のユーティリティモジュールのそれぞれには、前記対応する工程チューブに配設される排気ダクトの端部及び前記対応する工程チューブに熱を供給したヒータ部を冷却させる急速放熱ガスラインの端部が配置され、
    前記第１及び第２のユーティリティモジュールのそれぞれにおいては、前記配置された排気ダクトの端部が前記配置された急速放熱ガスラインの端部よりも前記対応する工程チューブに近付いて配置される請求項８に記載の基板処理システム。
  10. 前記ガス供給ラインのそれぞれは、複数本のガスラインを備え、
    前記第１の工程チューブに連結されるガス供給ラインの前記複数本のガスラインと、前記第２の工程チューブに連結されるガス供給ラインの前記複数本のガスラインは互いに対称的に配置され、
    互いに対称的なガスラインには、同じガスが供給される請求項８に記載の基板処理システム。
  11. 前記第１及び第２の工程チューブのそれぞれは、単一のチューブ、または外部チューブと内部チューブを備える複数のチューブにより構成される請求項１に記載の基板処理システム。
JP2019048109A 2018-05-03 2019-03-15 基板処理システム Active JP6811273B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0051460 2018-05-03
KR1020180051460A KR101930456B1 (ko) 2018-05-03 2018-05-03 기판 처리 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019195049A JP2019195049A (ja) 2019-11-07
JP6811273B2 true JP6811273B2 (ja) 2021-01-13

Family

ID=64952435

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019048109A Active JP6811273B2 (ja) 2018-05-03 2019-03-15 基板処理システム

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11251056B2 (ja)
JP (1) JP6811273B2 (ja)
KR (1) KR101930456B1 (ja)
CN (1) CN110444500B (ja)
TW (1) TWI686892B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7149884B2 (ja) * 2019-03-20 2022-10-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び成膜方法
KR102418948B1 (ko) * 2020-11-24 2022-07-11 주식회사 유진테크 기판 처리 시스템

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960001161B1 (ko) 1987-09-29 1996-01-19 도오교오 에레구토론 사가미 가부시끼가이샤 열처리장치
KR0139816B1 (ko) 1988-02-26 1998-07-15 노보루 후세 열처리 장치 및 열처리 방법
JPH05218176A (ja) * 1992-02-07 1993-08-27 Tokyo Electron Tohoku Kk 熱処理方法及び被処理体の移載方法
US5407350A (en) * 1992-02-13 1995-04-18 Tokyo Electron Limited Heat-treatment apparatus
JP3258748B2 (ja) * 1993-02-08 2002-02-18 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5616264A (en) * 1993-06-15 1997-04-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for controlling temperature in rapid heat treatment system
US5820366A (en) * 1996-07-10 1998-10-13 Eaton Corporation Dual vertical thermal processing furnace
KR100350612B1 (ko) 1996-07-10 2002-12-28 액셀리스 테크놀로지스, 인크. 이중수직형열처리로(爐)
US6077157A (en) * 1996-11-18 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Process chamber exhaust system
NL1005102C2 (nl) * 1997-01-27 1998-07-29 Advanced Semiconductor Mat Inrichting voor het behandelen van halfgeleiderschijven.
JP4753224B2 (ja) * 2000-08-22 2011-08-24 日本エー・エス・エム株式会社 ガスラインシステム
US6630053B2 (en) * 2000-08-22 2003-10-07 Asm Japan K.K. Semiconductor processing module and apparatus
JP2002173775A (ja) 2000-09-05 2002-06-21 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR20020019414A (ko) * 2000-09-05 2002-03-12 엔도 마코토 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치를 이용한 반도체디바이스 제조 방법
KR100443121B1 (ko) * 2001-11-29 2004-08-04 삼성전자주식회사 반도체 공정의 수행 방법 및 반도체 공정 장치
KR20060062981A (ko) 2004-12-06 2006-06-12 삼성전자주식회사 냉각장치를 구비한 열처리장치
JP2007141929A (ja) 2005-11-15 2007-06-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
KR100989149B1 (ko) 2006-01-27 2010-10-20 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치
US20080173238A1 (en) * 2006-12-12 2008-07-24 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and reaction vessel
US20080210168A1 (en) * 2007-01-18 2008-09-04 May Su Single chamber, multiple tube high efficiency vertical furnace system
JP5120017B2 (ja) 2007-05-15 2013-01-16 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
JP2009295782A (ja) 2008-06-05 2009-12-17 Ricoh Co Ltd 縦型熱処理装置
KR101523357B1 (ko) 2008-09-16 2015-05-28 삼성전자주식회사 반도체 소자 형성 장치 및 반도체 소자 형성 방법
US8950470B2 (en) * 2010-12-30 2015-02-10 Poole Ventura, Inc. Thermal diffusion chamber control device and method
JP5625981B2 (ja) 2011-02-10 2014-11-19 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP5696612B2 (ja) 2011-07-22 2015-04-08 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
KR101392378B1 (ko) 2013-03-27 2014-05-12 주식회사 유진테크 기판처리장치
KR101463592B1 (ko) 2013-07-10 2014-11-21 주식회사 유진테크 기판 처리장치
KR101985370B1 (ko) * 2015-01-21 2019-06-03 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치
KR101969275B1 (ko) * 2016-06-30 2019-04-15 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체

Also Published As

Publication number Publication date
US20190341278A1 (en) 2019-11-07
US11251056B2 (en) 2022-02-15
CN110444500B (zh) 2023-06-27
CN110444500A (zh) 2019-11-12
TWI686892B (zh) 2020-03-01
JP2019195049A (ja) 2019-11-07
TW201947684A (zh) 2019-12-16
KR101930456B1 (ko) 2018-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7371998B2 (en) Thermal wafer processor
JP6811273B2 (ja) 基板処理システム
JP5511273B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2016154222A (ja) バッチ加熱／冷却チャンバ、又はロードロック
CN107017182B (zh) 基板处理设备
KR20120120052A (ko) 로딩 유닛 및 처리 시스템
KR20080111183A (ko) 기판 처리 장치
KR20080111182A (ko) 기판 처리 장치
KR101501322B1 (ko) 열처리 장치
KR101877403B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20150013628A (ko) 로드록 챔버와, 그를 이용하여 기판을 처리하는 방법
TWI748290B (zh) 基板處理裝置
JP2007333272A (ja) ラック、ラックシステム、熱処理装置、並びに、熱処理システム
KR20090030743A (ko) 핸들러, 이를 이용하는 반도체 소자 제조방법, 및테스트트레이 이송방법
KR20090086785A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템
KR100499365B1 (ko) 하이브리드형열처리장치
KR101015389B1 (ko) 기판 처리 장치
CN114334715A (zh) 冷却单元、使用该冷却单元的基板处理装置及方法
KR102431938B1 (ko) 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법
KR102119686B1 (ko) 기판 지지 유닛, 열처리 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP4869952B2 (ja) 熱処理装置
JP4800226B2 (ja) 熱処理装置
KR20100065100A (ko) 열 처리 장치
KR20220124067A (ko) 열처리장치
TW201606903A (zh) 具有來自側壁之特徵物的處理腔室

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190315

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200318

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200331

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200617

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201124

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201214

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6811273

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250