KR20220124067A - 열처리장치 - Google Patents

열처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220124067A
KR20220124067A KR1020210094926A KR20210094926A KR20220124067A KR 20220124067 A KR20220124067 A KR 20220124067A KR 1020210094926 A KR1020210094926 A KR 1020210094926A KR 20210094926 A KR20210094926 A KR 20210094926A KR 20220124067 A KR20220124067 A KR 20220124067A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat treatment
rod
space
conveying
conveyance
Prior art date
Application number
KR1020210094926A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102598616B1 (ko
Inventor
준지 나카타니
Original Assignee
제이텍트 써모 시스템 코퍼레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제이텍트 써모 시스템 코퍼레이션 filed Critical 제이텍트 써모 시스템 코퍼레이션
Publication of KR20220124067A publication Critical patent/KR20220124067A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102598616B1 publication Critical patent/KR102598616B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D3/00—Charging; Discharging; Manipulation of charge
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D9/00—Cooling of furnaces or of charges therein
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D3/00—Charging; Discharging; Manipulation of charge
    • F27D2003/0034—Means for moving, conveying, transporting the charge in the furnace or in the charging facilities
    • F27D2003/0046—Means for moving, conveying, transporting the charge in the furnace or in the charging facilities comprising one or more movable arms, e.g. forks
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D3/00—Charging; Discharging; Manipulation of charge
    • F27D2003/0085—Movement of the container or support of the charge in the furnace or in the charging facilities
    • F27D2003/0089—Rotation about a horizontal or slightly inclined axis
    • F27D2003/009—Oscillations about a horizontal axis; Rocking
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D3/00—Charging; Discharging; Manipulation of charge
    • F27D2003/0085—Movement of the container or support of the charge in the furnace or in the charging facilities
    • F27D2003/0091—Horizontally
    • F27D2003/0092—Horizontally with a reciprocating movement
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D9/00—Cooling of furnaces or of charges therein
    • F27D2009/0002—Cooling of furnaces
    • F27D2009/0005—Cooling of furnaces the cooling medium being a gas
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00—Technologies related to metal processing
    • Y02P10/20—Recycling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Tunnel Furnaces (AREA)
  • Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
  • Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

[과제]
구조가 단순하면서 반송용 로드의 고열화를 방지할 수 있는 열처리장치를 제공한다.
[해결수단]
본 발명의 열처리 장치는, 반송실과, 이에 연결되는 열처리로와, 전후방향으로 연장되어 있는 막대형상을 갖는 반송용 로드로서, 상기 피처리물을 지지하는 반송용 로드 전단부를 갖고 있는 반송용 로드와, 상기 반송용 로드를 전후방향으로 이동시키는 구동장치를 구비한다. 또한, 열처리장치는, 열처리가스의 성분과 동일한 성분을 가지고 상기 열처리가스의 온도보다 낮은 온도를 갖는 상기 냉각가스를 상기 반송공간에 공급하는 가스공급부와, 상기 반송실내에 위치하는 상기 반송용 로드 전단부에 상기 냉각가스를 유도하는 정류부재를 구비한다.

Description

열처리장치{HEAT TREATMENT APPARATUS}
본 발명은 반송용 로드에 의해 열처리로에 피처리물을 반입 및 반출하는 기구를 구비한 열처리장치에 관한 것이다.
열처리로에 피처리물을 반입하여 열처리를 수행하는 열처리장치에는 다양한 구조가 있다. 전형적으로는 특허문헌 1에 개시된 바와 같은 구조가 사용되고 있다. 특허문헌 1에서는 ㄷ자형상의 리프트관을 이동시킴으로써 피처리물(워크)을 열처리로내에서 이동시킨다. 리프트관은 받침대와 일체로 되어 있다. 받침대는 모터기구에 의해 수평방향 및 수직방향으로 이동한다. 이와 같은 구조에 의해 피처리물(워크)은 열처리로 내에서 수평방향 및 수직방향으로 반송된다.
또한, 특허문헌 2에 개시된 바와 같은 구조도 있다. 특허문헌 2에서는 노체의 피처리물(워크) 반입용 반입반출구(개구부)에 셔터를 개재하여 준비실(40)이 설치되어 있다. 피처리물(워크)은 준비실(40)내의 지지기구로 지지되고 나서 암에 의해 노체내에 반송된다.
[특허문헌 1] 특개평07-161652호 공보 [특허문헌 2] 특개2017-117850호 공보
특허문헌 1에 기재된 열처리장치에서는 피처리물(워크)의 반송기구의 형상이 크다. 따라서 이와 같은 반송기구에 재치된 피처리물(워크)을 열처리로내에 반입하고자 하면 열처리로의 개구부(반입반출구)를 크게 해야 한다.
그리고, 개구부가 커짐에 따라 열처리로내가 외부에 개구하는 면적은 커진다. 이 때문에 열처리로의 분위기를 유지하는데 큰 손실이 발생한다. 예를 들어 열처리로 내에 N2(질소)를 충전시키는 경우, 대량의 N2(질소)가 필요하게 된다.
또한, 특허문헌 2에 기재된 열처리장치에서는 피처리물(워크)의 반송용 로드(지지부재)가 노체와 준비실 사이를 왕복운동하는 프로세스를 반복함에 따라 반송용 로드가 고열화된다. 반송용 로드가 노체로부터 준비실로 되돌아와 충분히 냉각되기 전에 새로운 피처리물(워크)을 노체내에 반입하는 프로세스가 반복되는 결과, 반송용 로드에 대한 준비실에서의 냉각보다 노체내에서의 가열이 상회하기 때문이다. 반송용 로드의 고열화는 워크의 열처리 빈도, 즉 반송용 로드가 노체와 준비실 사이를 왕복하는 빈도에 따른다. 예를 들어 세라믹스 기판상에 반도체칩 등의 부품을 실장한 작은 전자부품을 피처리물(워크)로 하는 경우, 몇 분 안에 1피처리물(워크)의 열처리를 수행하기 때문에 피처리물(워크)의 열처리 빈도가 높다. 이와 같은 경우에는 단위시간당 반송용 로드의 왕복횟수가 다수가 되어 지지부재가 매우 고온이 된다.
반송용 로드가 고열화되면 반송용 로드가 노체내에서 산화하기 쉬워져서 노체내의 산소소비가 진행된다. 그러면 노체내의 산소량이 줄어들어 노체내의 분위기가 변화한다. 그 결과 피처리물(워크)의 열처리에 악영향을 미친다.
본 발명의 목적은 열처리로와 외부가 이어지는 면적을 작게 할 수 있고, 구조의 간이화가 가능한 반송기구를 구비하고, 또한 반송용 로드의 고열화를 방지할 수 있는 열처리장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 열처리장치는, 반송공간을 형성하는 반송실과,
상기 반송공간의 앞에 위치하는 열처리공간 및 상기 반송공간과 상기 열처리공간을 잇는 개구를 형성하는 열처리로로서, 상기 열처리공간 내의 피처리물에 가열처리를 실시하는 열처리로와,
전후방향으로 연장되는 막대형상을 갖는 반송용 로드로서, 상기 피처리물을 지지하는 반송용 로드 전단부를 갖는 반송용 로드를 구비한다.
또한, 상기 반송용 로드를 전후방향으로 이동시킴으로써 상기 반송공간과 상기 열처리공간의 사이에서 상기 개구를 통하여 상기 반송용 로드 전단부를 이동시키는 구동장치와,
상기 열처리공간에 공급되어 있는 열처리가스의 성분과 동일한 성분을 갖는 냉각가스로서 상기 열처리가스의 온도보다 낮은 온도를 갖는 상기 냉각가스를 상기 반송공간에 공급하는 가스공급부와,
상기 반송실내에 위치하는 상기 반송용 로드 전단부에 상기 냉각가스를 유도하는 정류부재를 구비한다.
반송실에서 반송용 로드 전단부에 지지된 피처리물은 반송용 로드가 전진함으로써 상기 개구를 통과하여 열처리로 내에 반송된다. 열처리로 내에서 열처리된 피처리물은 반송용 로드가 후퇴함으로써 상기 개구를 통하여 반송실에 되돌려진다.
또한, 본 발명에 있어서, 피처리물이란 열처리를 수행하는 목적물의 워크를 의미하는데, 워크를 지지하는 트레이도 포함하는 개념이다(이하 동일함).
이와 같이 반송실과 열처리로 사이에서 반송용 로드의 전진과 후퇴를 반복함으로써 다수의 피처리물을 차례대로 처리하는 것이 가능하다. 이 때문에 반송용 로드를 전후방향으로 이동시키는 구동장치는 열처리장치 밖에 설치하는 것이 가능하고, 구동장치는 열대책처리가 불필요하여 구조가 간단하고 편리해진다.
열처리로 내에서 피처리물의 열처리후, 반송용 로드는 후퇴하고 상기 개구를 통과하여 반송실 내의 반송공간에 되돌아온다.
반송실 내에서는 냉각가스가 반송실 내의 반송공간에 공급된다. 반송실에는 정류부재가 배치되고, 정류부재에 의해 냉각가스가 반송실내에 있는 반송용 로드 전단부에 유도된다.
냉각가스는 열처리공간에 공급되어 있는 열처리가스의 성분과 동일한 성분을 갖는다.
이에 의해 반송실과 열처리로 사이에서 반송용 로드의 전진과 후퇴가 반복되어도 반송용 로드 전단부는 냉각가스에 의해 냉각된다. 이때 냉각가스의 성분은 열처리가스의 성분과 동일한 성분을 갖기 때문에 반송공간과 열처리공간을 잇는 개구가 열려 있어도 열처리공간의 분위기는 변하지 않는다.
또한, 정류부재에 의해 냉각가스는 반송용 로드 전단부에 유도됨으로써 냉각가스가 피처리물에 직접 닿지 않는다. 이에 의해 냉각가스에 의한 워크에 대한 열충격(워크파손)을 방지할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에서는 상기 반송용 로드 전단부에 유도되는 상기 냉각가스의 양은 상기 피처리물에 유도되는 상기 냉각가스의 양보다 많다.
정류부재에 의해 냉각가스는 반송용 로드 전단부에 유도되는데 정류부재는 반송용 로드 전단부에 유도되는 냉각가스의 양을 피처리물에 유도되는 양보다 많게 한다. 피처리물에도 약간의 냉각가스는 닿지만 직접적이지 않고 또한 그 양은 상대적으로 반송용 로드 전단부에 유도되는 양보다 적다. 이에 의해 냉각가스에 의한 워크에 대한 열충격을 한층 더 방지할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에서는 상기 반송용 로드 전단부는 평탄면을 갖고 있고, 상기 정류부재는 상기 평탄면에 대하여 교차하는 방향으로 상기 냉각가스가 흐르도록 상기 평탄면에 상기 냉각가스를 유도한다.
반송용 로드 전단부의 평탄면에 대하여 교차하는 방향으로 냉각가스가 흐르기 때문에 냉각가스가 직접 닿는 유효면적이 커진다. 이 때문에 냉각효율이 높다.
본 발명의 다른 실시형태에서는 상기 반송용 로드 전단부는 상기 피처리물을 아래에서 지지하고, 상기 정류부재는 상기 반송용 로드 전단부의 아래로부터 상기 반송용 로드 전단부로 상기 냉각가스를 유도한다.
반송용 로드 전단부는 그 아래로부터 유도되는 냉각가스로 냉각되고, 피처리물은 반송용 로드 전단부로 아래에서 지지되기 때문에 냉각가스가 피처리물에 직접 닿는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 반송용 로드의 재료가 스테인리스강이다.
반송용 로드가 열처리로내에서 가열되어 산화하면 노체내의 산소소비가 진행된다. 그러면 노체내의 산소량이 줄어들어 노체내의 분위기가 변화한다. 그 결과, 워크의 열처리에 악영향을 미친다. 그래서 반송용 로드는 가열되어도 산화되기 어려운(부식하기 어려운) 스테인리스강으로 구성한다. 스테인리스강은 가공이 용이하다.
본 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 냉각가스가 노점보다 높은 온도의 웨트가스이다.
웨트가스로 함으로써 피처리물을 조금 산화시키고자 하는 요망에 대응 가능하게 된다. 피처리물이 세라믹스와 금속제 전자부품을 적층한 전자부품 칩인 경우, 금속 이외의 세라믹스를 약간만 산화시키고자 하는 경우가 있다. 이와 같은 산화제어를 수행하는 경우, 웨트가스를 사용하는 것이 가능하다. 단, 노점 이하이면 웨트가스가 결로하기 때문에 가스온도는 노점 이상으로 한다. 또한 이때 반송용 로드가 스테인리스강이면 로드 자체가 산화하기 어렵기 때문에 더욱 바람직하다.
본 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 냉각가스가 상온이다.
냉각가스가 상온이면 통상의 컴프레서로 그대로 송풍 가능하다. 특별한 냉각장치가 불필요하기 때문에 구조가 간단해진다.
본 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 열처리장치가,
상기 반송공간에서 상기 반송용 로드 전단부가 지지하는 열처리가 끝난 상기 피처리물을 열처리가 끝나지 않은 상기 피처리물로 교환하는 교환장치를 더 구비한다.
교환장치는 반송공간에서 피처리물의 교환처리를 수행하기 때문에 열처리공간내에서 교환처리하는 구조와 비교하여 간단하고 편리하다. 또한, 이때 상기 개구는 닫아 두는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 구동장치가 상기 반송공간 및 상기 열처리공간의 밖에 배치된다.
본 발명의 열처리장치에서는 반송용 로드의 전진과 후퇴를 수행함으로써 피처리물에 대한 열처리를 수행하므로 반송용 로드의 구동장치를 열처리공간의 밖에 배치하는 것이 가능하다. 이에 의해 구동장치의 구조가 간단하고 또한 구동장치 자신의 열대책을 수행할 필요가 없다.
본 발명에 따르면, 열처리로와 외부가 이어지는 면적을 작게 할 수 있고, 반송용 로드를 전후방향으로 이동시키는 구동장치는 열처리장치의 밖에 설치하는 것이 가능하다. 또한, 구동장치는 열대책처리가 불필요하다. 이 때문에 구조가 간단하고 편리해진다.
또한, 반송용 로드의 고열화를 방지하고, 정류부재에 의해 냉각가스에 의한 워크에 대한 열충격(워크파손)을 방지할 수 있다.
도 1(A), 도 1(B)는 본 발명의 실시형태에 따른 열처리장치의 개략구성을 도시한 측면도이다.
도 2는 반송용 로드의 전단부(제1 단부)의 평면도이다.
도 3(A)는 측면도이고, 도 3(B)는 반송용 로드의 전단부(제1 단부)의 평면도이고, 도 3(C)는 단면도이고, 도 3(D)는 외관사시도이다.
도 4는 반송실의 단면도이다.
도 5(A), 도 5(B)는 반송용 로드 및 지지부재의 거동을 도시한 도면이다.
도 6은 반송실의 전벽에 형성된 개구와 반송용 로드를 도시한 도면이다.
도 7(A), 도 7(B)는 전환장치의 일구성예를 도시한 도면이다.
도 8(A), 도 8(B), 도 8(C), 도 8(D), 도 8(E)는 열처리장치의 외부로부터 피처리물을 투입하여 열처리를 수행하기까지의 공정을 도시한 도면이다.
도 9(A), 도 9(B), 도 9(C), 도 9(D)는 피처리물의 열처리후부터 피처리물을 열처리장치의 외부에 꺼내기까지의 공정을 도시한 도면이다.
도 10(A), 도 10(B)는 지지부재의 다른 일례를 개념적으로 도시한 도면이다.
도 11은 반송용 로드의 파생예의 구성을 도시한 부분적인 평면도이다.
도 12는 반송용 로드를 회전시키는 파생예의 구성을 도시한 도면이다.
도 13은 반송용 로드를 회전시키는 다른 파생예의 부분적인 구성을 도시한 도면이다.
본 발명의 실시형태에 따른 열처리장치에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 도 1(A), 도 1(B)는 본 발명의 실시형태에 따른 열처리장치의 개략구성을 도시한 측면도이다. 도 1(A), 도 1(B)에서는 반송실 및 열처리로에 대한 단면도를 도시하고 있다. 또한 도 1(A)는 피처리물이 반송실내에 있는 경우를 나타내고, 도 1(B)는 피처리물이 열처리로내에 있는 경우를 나타낸다. 도 2는 반송용 로드의 전단부(제1 단부)의 평면도이다. 도 3(A)는 측면도이고, 도 3(B)는 반송용 로드의 전단부(제1 단부)의 평면도이고, 도 3(C)는 단면도이고, 도 3(D)는 외관사시도이다. 도 4는 반송실의 단면도이다.
(열처리장치(10)의 전체 구성)
도 1(A), 도 1(B), 도 2에 도시된 바와 같이 열처리장치(10)는 열처리로(20), 반송실(30), 반송용 로드(41), 반송용 로드(42), 반송장치(50) 및 전환장치(60)를 구비한다.
열처리로(20)와 반송실(30)은 일방향(도 1(A), 도 1(B)에 있어서의 x방향)을 따라 나란히 배치되어 있다. 열처리로(20)와 반송실(30)은 접속되어 있다. 이하, 열처리로(20)와 반송실(30)이 배열되는 방향을 x방향으로 하여 설명한다.
열처리로(20)는 피처리물에 대하여 가열처리를 수행하는 열처리공간(내부공간)(200)을 갖는다. 열처리로(20)는 열처리공간(200)의 분위기를 유지할 수 있는 방으로 구성되어 있다. 열처리로(20)는 상부의 벽구조체에 가스도입부(도시생략)가 설치되고, 가스도입부로부터 소정의 분위기가스(열처리가스)가 열처리공간(200)내에 유도된다.
열처리공간(200)에는 처리대(230) 및 열원(240)이 배치되어 있다. 보다 구체적으로는 예를 들어 도 1(A), 도 1(B)에 도시된 바와 같이 높이방향(도 1(A), 도 1(B)에 있어서의 z방향)에 있어서 처리대(230)는 반송용 로드(41) 및 반송용 로드(42)와 거의 동일한 위치에 배치된다. 처리대(230)의 윗면은 반송용 로드(41) 및 반송용 로드(42)의 상단보다 높은 위치에 있다. 이하, 높이방향을 z방향으로 하여 설명한다.
열원(240)은 처리대(230)에 대하여 상측 및 하측에 각각 소정의 간격을 두고 배치되어 있다. 그뿐만 아니라 열원(240)은 처리대(230)에 대하여 측방에 배치되어 있어도 된다. 열원(240)은 처리대(230)에 재치된 피처리물(WK)을 균일 가열할 수 있는 것이면 된다.
열처리로(20)를 구성하는 벽에 있어서의 1개의 측벽(전벽(21))에는 개구(201)가 형성되어 있다. 개구(201)는 전벽(21)을 관통하고 있다. 이 개구(201)를 통하여 열처리로(20)의 열처리공간(200)은 반송실(30)의 반송공간(내부공간)(300)에 이어져 있다.
반송실(30)은 반송공간(300)을 갖는다. 반송실(30)을 구성하는 벽에 있어서의 1개의 측벽(전벽(31))에는 개구(301) 및 개구(302)(도 5 참조)가 형성되어 있다. 개구(301, 302)는 전벽(31)을 관통하고 있다. 이들 개구(301, 302)에 의해 반송용 로드(41) 및 반송용 로드(42)가 전진과 후퇴를 할 수 있다.
반송실(30)은 차열벽(32)이 배치되어 있다. 차열벽(32)은 반송실(30)에 있어서의 열처리로(20)측 단부의 근방에 배치되어 있다. 차열벽(32)은 가동식이고, 반송공간(300)에 있어서의 개구(201)로 이어지는 측의 공간과 개구(301)로 이어지는 측의 공간의 차단, 연통이 전환된다.
반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)는 일방향으로 연장되는 막대형상(본원에서는 원기둥형상)이다. 반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)의 재질은 부식하기 어려운 스테인리스강(SUS)으로 구성되어 있다.
반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)가 연장되는 방향은 열처리로(20)와 반송실(30)이 배열되는 방향에 평행하다. 반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)는 소정의 거리를 두고 평행하게 배치되어 있다. 반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)가 배열되는 방향은 x방향 및 z방향에 직교하는 방향(도 1(A), 도 1(B)에 있어서의 y방향)이다. 반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)의 거리(Ws)(도 2 참조)는 후술하는 지지부재(412) 및 지지부재(422)의 길이도 고려하여 처리대(230)의 y방향의 치수보다 크다.
반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)는 반송실(30)의 전벽(31)에 형성된 제2 개구를 삽입통과하고 있다. 반송용 로드(41)가 연장되는 방향의 제1 단부(4111)와 반송용 로드(42)가 연장되는 방향의 제1 단부(4211)(도 2 참조)는 반송실(30) 내측에 배치되고, 반송용 로드(41)가 연장되는 방향의 제2 단부(4112)와 반송용 로드(42)가 연장되는 방향의 제2 단부(4212)(도 7 참조)는 반송실(30)의 외부에 배치된다.
후술하는 바와 같이 반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)는 각각 45도 회전한다. 0도인 때를 로드상태 A, 45도 회전한 때를 로드상태 B라고 칭한다. 자세한 사항은 후술하는 바와 같이 반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)는 이하의 공정을 반복한다.
반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)는,
(공정 1) 반송실(30)내에서 로드상태 B로 피처리물을 상방으로부터 받는다.
(공정 2) 로드상태 B로 전진하여 제1 단부(4111, 4211)를 열처리로(20)내로 이동시킨다.
(공정 3) 로드상태 A로 한다. 이때 피처리물(WK)은 처리대(230)상에 놓여져서 피처리물(WK)에 대한 열처리가 수행된다.
(공정 4) 로드상태 A로 후퇴하여 제1 단부(4111, 4211)가 반송실(30)내로 이동한다.
(공정 5) 피처리물(WK)에 대한 열처리가 끝나면 로드상태 A로 전진하여 제1 단부(4111, 4211)를 열처리로(20)내로 이동시킨다.
(공정 6) 로드상태 B로 한다. 이때 피처리물(WK)을 처리대(230)로부터 받아 지지한다.
(공정 7) 로드상태 B로 후퇴하여 제1 단부(4111, 4211)가 반송실(30)내로 이동한다.
(공정 8) 로드상태 B로 피처리물(WK)을 외부에 꺼낸다.
도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이 제1 단부(4111)에는 평면판(4110)이 설치되고, 반송용 로드 전단부에 평탄면이 형성된다. 제1 단부(4211)에는 평면판(4210)이 설치되고, 반송용 로드 전단부에 평탄면이 형성된다. 후술하는 바와 같이 공정 4의 로드상태 A인 때에 냉각가스(P)가 반송공간(300)내에 유도된다. 이때 평면판(4110, 4210)은 반송공간(300)내에 있어서 냉각가스(P)가 다이렉트로 닿는다. 이에 의해 반송용 로드 전단부가 냉각된다. 냉각가스(P)는 평면판(4110, 4210)의 법선방향으로 유도되기 때문에 냉각효과가 높다.
평면판(4110, 4210)에 대하여 냉각가스가 다이렉트로 유도될 때에는 적어도 공정 4인 때이다.
x방향에 있어서의 반송용 로드(41)가 연장되는 방향의 제1 단부(4111)와 반송용 로드(42)가 연장되는 방향의 제1 단부(4211)의 위치는 동일하고, 반송용 로드(41)가 연장되는 방향의 제2 단부(4112)와 반송용 로드(42)가 연장되는 방향의 제2 단부(4212)는 동일하다.
반송장치(50)는 반송실(30)을 기준으로 하여 열처리로(20)가 접속하는 측과 반대측에 배치되어 있다. 즉, 반송장치(50)는 반송실(30) 및 열처리로(20)의 외측에 배치되어 있다. 반송장치(50)는 로드유지부재(51)를 통하여 반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)에 접속한다. 반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)는 각각의 측면을 따르는 방향으로 회전 가능한 상태(로드상태 A와 로드상태 B)로 로드유지부재(51)에 홀딩되어 있다.
반송장치(50)는 전후방향인 x방향을 따라 이동한다. 이 반송장치(50)의 이동에 의해 반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)도 전후방향인 x방향을 따라 이동한다. 이에 의해 도 1(A)에 도시된 바와 같이 반송장치(50)가 이동범위의 제1 단부에 있을 때 반송용 로드(41)의 제1 단부(4111)의 부분과 반송용 로드(42)의 제1 단부(4211)의 부분은 반송실(30)의 반송공간(300)에 배치된다. 한편, 도 1(B)에 도시된 바와 같이 반송장치(50)가 이동범위의 제2 단부에 있을 때 반송용 로드(41)의 제1 단부(4111)의 부분과 반송용 로드(42)의 제1 단부(4211)의 부분은 열처리로(20)의 열처리공간(200)에 배치된다.
반송장치(50)는 열처리로(20)의 외측이며 또한 떨어진 위치에 배치되어 있다. 이 때문에 반송장치(50)는 열대책할 필요는 없다. 반송장치(50)는 저렴한 보급품으로 구성하는 것이 가능하다.
도 4는 반송실(30)의 y방향의 단면도이다.
반송실(30)의 하부에는 평판형상의 정류부재(33)가 설치되어 있다. 정류부재(33)의 재질도 반송용 로드(41, 42)와 마찬가지로 부식하기 어려운 스테인리스강(SUS)으로 구성된다. 정류부재(33)는 반송용 로드(41, 42)의 하부에 위치하고 또한 반송용 로드(41, 42)에 평행하게 설치되어 있다. 정류부재(33)는 도 1의 x방향의 좌우중심 부근 또한 도 4의 y방향의 양단 부근의 위치에 냉각가스도입공(330, 331)을 구비하고 있다. 반송실(30)의 좌우중심 부근 또한 y방향의 양단 부근의 위치란 반송용 로드(41, 42)가 상기 공정 4를 끝내고 반송실(30)내에서 정지하고 있는 상태에서 평면판(4110, 4210)의 각 하면이 대향하는 위치이다.
정류부재(33)의 하부에 있어서 반송실(30)의 밑부분의 벽에는 냉각가스도입부(332)가 설치되어 있다. 냉각가스도입부(332)는 본 발명의 가스공급부에 대응한다. 냉각가스도입부(332)의 배치위치는 y방향에 있어서 냉각가스도입공(330, 331)의 중앙부이다. 냉각가스도입부(332)에는 도시하지 않은 컴프레서가 접속되어 있다. 또한 반송실(30)의 좌측의 벽의 상부에는 배기부(333)가 설치되어 있다.
도 4에 도시된 상태에서는 도 4의 화살표로 나타내는 바와 같이 냉각가스(P)는 냉각가스도입공(330, 331)을 통하여 평면판(4110, 4210)의 각 하면에 다이렉트로 유도된다. 평면판(4110, 4210)을 통하여 반송용 로드(41)의 제1 단부(4111)의 부분 및 반송용 로드(42)의 제1 단부(4211)의 부분이 냉각된다. 이때 냉각가스(P)는 평면판(4110, 4210)의 법선방향으로 나아가기 때문에 평면판(4110, 4210)의 냉각유효면적은 최대가 된다.
또한, 냉각가스(P)는 반송공간(300)내에 계속 공급되기 때문에 반송용 로드(41)의 제1 단부(4111) 및 반송용 로드(42)의 제1 단부(4211)뿐만 아니라 반송공간(300)내에 있는 로드부 전체도 냉각한다. 또한 반송공간(300)내에 공급되는 냉각가스(P)에 의해 정류부재(33) 자체도 냉각되기 때문에 정류부재(33)에 의해서도 반송용 로드(41, 42)가 냉각된다.
냉각가스도입공(330, 331)은 평면판(4110, 4210)에 대향하는 장공이나 슬릿이어도 되지만 다수의 작은 구멍이어도 된다.
냉각가스(P)는 열처리공간(200)에 충전되어 있는 가스와 동일한 성분을 포함한다. 바람직하게는 이들 가스는 동일하다. 이들 가스의 성분을 동일하게 함으로써 차열벽(32)이 열린 도 1(B)의 상태에서 열처리공간(200)과 반송공간(300)의 분위기가 변하지 않도록 할 수 있다.
냉각가스(P)의 온도는 상온 내지 그 전후이면 되지만, 냉각가스(P)로서 웨트가스를 이용하는 경우에는 노점 이상의 온도일 것이 필요하다. 상온의 경우에는 냉각가스의 송출을 컴프레서만으로 간단하게 수행할 수 있다.
반송실(30)의 상방에는 처리후의 피처리물(WK)을 미처리의 피처리물(WK)로 치환하기 위한 교환장치(35)가 설치되어 있다. 교환장치(35)는 진공흡착기구 등의 공지의 로봇반송기구를 이용하여 반송실(30)의 상부의 벽에 형성되어 있는 투입구(39)(도 8(A) 참조)를 열고 나서 피처리물(WK)의 교환을 수행한다. 반송실(30)의 상부의 벽의 개폐구조에 대해서는 설명을 생략한다.
이상과 같이 열처리장치(10)는 반송실(30)에 있어서 반송용 로드(41)의 제1 단부(4111)의 부분 및 반송용 로드(42)의 제1 단부(4211)의 부분에 재치된 피처리물(WK)이 개구(201)를 통하여 열처리로(20)내에 반입된다(도 1(A)→도 1(B)). 열처리장치(10)는 열처리로(20)에 있어서 열처리된 피처리물(WK)을 개구(201)를 통하여 반송실(30)내에 반출한다. 반송실(30)내에 반출된 피처리물(WK)은 새로운 피처리물(WK)로 교환되어 마찬가지로 열처리로(20)내에 반입된다. 이하, 같은 공정이 반복된다. 구체적인 제어, 처리는 후술한다.
또한, 상기 공정이 반복될 때에 반송용 로드(41)의 제1 단부(4111) 및 반송용 로드(42)의 제1 단부(4211)는 반송공간(300)내에서 냉각가스(P)에 의해 냉각된다. 이 때문에 상기한 열처리공정이 반복되어도 반송용 로드(41)의 제1 단부(4111) 및 반송용 로드(42)의 제1 단부(4211) 및 그 주변부가 고열로 되는 것이 방지된다. 반송용 로드(41, 41)의 고열화를 방지함으로써 반송용 로드가 열처리공간에 반입되었을 때의 산화를 방지할 수 있고, 열처리공간에서의 산소량의 변화, 즉 열처리공간의 분위기가 변화하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 피처리물(WK)의 열처리에 악영향을 미치지 않는다.
또한, 냉각가스(P)는 정류부재(33)의 냉각가스도입공(330, 331)을 통하여 평면판(4110, 4210)의 각 하면에 유도되기 때문에 냉각가스(P)가 피처리물(WK)에 직접 닿는 것이 방지된다. 이에 의해 피처리물(WK)에 대한 열충격에 의한 피처리물(WK)의 파손이나 품질열화를 방지할 수 있다.
다음에 전환장치(60)와 반송용 로드(41, 42)에 대하여 설명한다.
전환장치(60)는 반송용 로드(41)의 제2 단부(4112) 및 반송용 로드(42)의 제2 단부(4212)에 접속한다. 전환장치(60)는 반송용 로드(41) 및 반송용 로드(42)를 각각의 측면을 따른 방향으로 회전시켜 로드상태 A와 로드상태 B 중 어느 하나의 상태로 홀딩하는 회전보조기구를 구비한다.
반송용 로드(41)에는 피처리물(WK)을 지지하기 위한 지지부재(412)가 배치되고, 반송용 로드(42)에는 지지부재(422)가 배치된다.
도 2에 도시된 바와 같이 지지부재(412)는 2개이고, 2개의 지지부재(412)는 반송용 로드(41)의 제1 단부(4111)의 근방(반송용 로드(41)의 제1 단부(4111)의 부분)에 접속하고 있다. 2개의 지지부재(412)는 반송용 로드(41)가 연장되는 방향에 있어서 간격(LS412)으로 배치되어 있다. 이 간격(LS412)은 반송시에 지지하는 피처리물(WK)의 x방향을 따른 크기 또는 피처리물(WK)의 크기에 따라 결정되고, 2개의 지지부재(412)가 피처리물(WK)의 이면에 접촉하도록 결정되어 있다.
2개의 지지부재(412)는 반송용 로드(41)의 측면(411)에 접속하고 있다. 2개의 지지부재(412)는 측면(411)으로부터 반송용 로드(42)측에 돌출되어 있다. 2개의 지지부재(412)의 돌출량(L412)은 피처리물(WK)의 높이방향의 이동량에 따라 결정된다.
도 3(A) 내지 도 3(D)에 도시된 바와 같이 2개의 지지부재(412)는 둥근막대이고, 선단에 외주단(413)을 갖는다. 이에 의해 피처리물(WK)을 지지할 때에 외주단(413)이 피처리물(WK)의 이면에 당접한다. 즉, 지지부재(412)는 피처리물(WK)을 점에 의해 지지할 수 있다. 따라서 지지부재(412)는 피처리물(WK)에의 접촉이 최소한으로 억제된다. 이에 의해 예를 들어 피처리물(WK)에 당접한 지지부재(412)를 통하여 방열함으로써 피처리물(WK)에 국소적인 온도차가 발생하여 피처리물(WK)이 뒤틀리는 등의 열의 영향을 억제할 수 있다. 또한 지지부재(412)가 x방향으로 2개 배열되어 있음으로써 피처리물(WK)을 더 안정되게 지지할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이 지지부재(422)는 2개이고, 2개의 지지부재(422)는 반송용 로드(42)의 제1 단부(4211)의 근방(반송용 로드(42)의 제1 단부(4211)의 부분)에 접속하고 있다. 2개의 지지부재(422)는 반송용 로드(42)가 연장되는 방향에 있어서 간격(LS422)으로 배치되어 있다. 이 간격(LS422)은 반송시에 지지하는 피처리물(WK)의 x방향을 따른 크기에 따라 결정되고, 2개의 지지부재(422)가 피처리물(WK)의 이면에 접촉하도록 결정되어 있다.
2개의 지지부재(422)는 반송용 로드(42)의 측면(421)에 접속하고 있다. 2개의 지지부재(422)는 측면(421)으로부터 반송용 로드(41)측에 돌출되어 있다. 2개의 지지부재(422)의 돌출량(L422)은 피처리물(WK)의 높이방향의 이동량에 따라 결정된다.
도 5(A), 도 5(B)는 반송용 로드 및 지지부재의 거동을 도시한 도면이다. 도 5(A)는 로드상태 B이고, 도 5(B)는 로드상태 A이다.
2개의 지지부재(422)는 2개의 지지부재(412)와 마찬가지로 둥근막대이고, 선단에 외주단(423)(도 5 참조)을 갖는다. 이에 의해 로드상태 B에서는 피처리물(WK)을 지지할 때에 외주단(423)이 피처리물(WK)의 이면에 당접한다. 즉, 지지부재(422)는 피처리물(WK)을 점에 의해 지지할 수 있다. 따라서 지지부재(422)는 피처리물(WK)에의 접촉이 최소한으로 억제된다. 이에 의해 예를 들어 피처리물(WK)에 당접한 지지부재(422)를 통하여 방열함으로써 피처리물(WK)에 국소적인 온도차가 발생하여 피처리물(WK)이 뒤틀리는 등의 열의 영향을 억제할 수 있다.
또한, 지지부재(422)가 x방향으로 2개 배열되어 있음으로써 피처리물(WK)을 안정되게 지지할 수 있다.
여기서, 지지부재(412, 422)가 둥근막대인 예를 나타냈지만, 이에 한정하는 것은 아니며 삼각기둥이나 다각기둥의 막대형상체나 선단이 반구형상인 막대형상체 등, 피처리물을 점 접촉으로 지지할 수 있는 것이면 된다.
(반송용 로드(41, 42) 및 지지부재(412, 422)의 거동)
전술한 바와 같이 전환장치(60)에 의해 반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)가 회전한다. 이에 의해 지지부재(412) 및 지지부재(422)는 도 5(A)에 도시된 로드상태 B(45도 회전)의 자세와 도 5(B)에 도시된 로드상태 A의 자세를 취할 수 있다.
로드상태 B에서는 지지부재(412)의 선단이 반송용 로드(41)의 상단보다 상측이 되고, 지지부재(422)의 선단이 반송용 로드(42)의 상단보다 상측이 된다. 또한 도 5(A)에 도시된 바와 같이 로드상태 B에서는 지지부재(412) 및 지지부재(422)의 선단으로 지지된 피처리물(WK)은 처리대(230)의 윗면보다 상방에 배치된다.
로드상태 A(0도 회전)는 지지부재(412)의 선단이 반송용 로드(41)의 상단보다 하측이 되고, 지지부재(422)의 선단이 반송용 로드(42)의 상단보다 하측이 되는 양태이다.
따라서, 이 전환을 이용함으로써 반송실(30)에서 로드상태 B로 피처리물(WK)을 지지부재(412) 및 지지부재(422)에 재치하고, 그대로 열처리로(20)내에 반송함으로써 피처리물(WK)은 처리대(230)의 상방으로 옮겨진다.
로드상태 A로 전환하면 피처리물(WK)은 지지부재(412) 및 지지부재(422)에 의한 지지로부터 해방되어 처리대(230)의 윗면에 재치된다.
피처리물(WK)이 열처리공간(200)내에서 열처리된 후, 로드상태 A에서 반송용 로드(41, 42)를 열처리로(20)내에 삽입하면 반송용 로드(41, 42)는 피처리물(WK)의 하방에 배치된다. 즉, 반송용 로드(41, 42)는 피처리물(WK)에 충돌하는 일 없이 열처리로(20)내에 배치된다.
이 상태에 있어서 반송용 로드(41, 42)를 45도 회전시켜 로드상태 B로 전환한다. 그러면 피처리물(WK)은 지지부재(412) 및 지지부재(422)에 의해 지지되어 처리대(230)의 윗면로부터 멀어진다. 그리고 이 상태로 반송됨으로써 피처리물(WK)은 열처리로(20)로부터 반송실(30)에 반출된다.
이후 상기 공정 4에서 냉각가스(P)가 반송공간(300)내에 도입된다. 냉각가스(P)는 도 4에 도시된 바와 같이 화살표처럼 정류부재(33)의 냉각가스도입공(330, 331)으로부터 반송용 로드 전단부에 대하여 분무된다. 이때 반송용 로드(41, 42)는 도 5(B)에 도시된 로드상태 A에 있다. 따라서 반송용 로드(41)의 제1 단부(4111)에 설치되어 있는 평면판(4110)은 반송용 로드(41)에 평행하게 되기 때문에 냉각가스(P)는 평면판(4110)에 대하여 그 법선방향으로 분무된다. 이에 의해 평면판(4110)의 냉각 유효면적은 최대가 되기 때문에 그 냉각효과는 높다.
반송용 로드(42)의 제1 단부(4211)에 설치되어 있는 평면판(4210)에 대한 냉각도 마찬가지이다.
이와 같이 본 실시형태의 구성을 이용함으로써 반송용 로드(41, 42)의 높이방향의 위치를 바꾸는 일 없이 피처리물(WK)을 반송실(30)내로부터 열처리로(20)내에 반송하여 처리대(230)의 윗면에 배치하고, 열처리후의 피처리물(WK)을 처리대(230)로부터 들어 올려 열처리로(20)내로부터 반송실(30)내에 반송할 수 있다.
이에 의해 개구(201)의 높이는 반송용 로드(41, 42)의 하단으로부터 피처리물(WK)의 상면까지의 높이 정도이면 된다. 따라서 개구(201)의 개구면적을 작게 할 수 있고, 열처리로(20)의 열이나 충전된 기체가 개구(201)를 통하여 반송실(30)에 누설하는 것을 억제할 수 있다. 즉, 개구(201)의 존재로 인한 열처리로(20)의 온도, 분위기의 변화를 억제할 수 있다. 단, 바람직한 실시예에서는 열처리공간(200)과 반송공간(300)의 분위기가 동일해지도록 냉각가스(P)를 열처리공간(200)내의 가스와 동일한 것으로 한다. 혹은 양자의 주요성분을 동일한 것으로 한다. 이에 의해 차열벽(32)에 의해 개구(201)의 개폐를 반복하여도 열처리공간(200)과 반송공간(300)의 분위기를 동일하게 유지할 수 있다.
또한, 반송용 로드(41)의 제1 단부(4111) 및 반송용 로드(42)의 제1 단부(4211)는 반송공간(300)내에서 냉각가스(P)에 의해 냉각된다. 이 때문에 상기 열처리의 공정이 반복되어도 반송용 로드(41)의 제1 단부(4111) 및 반송용 로드(42)의 제1 단부(4211) 및 그 주변부가 고열로 되는 것이 방지된다. 반송용 로드(41, 41)의 고열화를 방지함으로써 반송용 로드가 열처리공간에 반입되었을 때의 산화를 방지할 수 있다. 이에 의해 열처리공간에서의 산소량의 변화 즉 열처리공간의 분위기가 변화하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 피처리물(WK)의 열처리에 악영향을 미치지 않는다. 마찬가지로 반송용 로드(41, 42)는 스테인리스강(SUS)으로 구성되기 때문에 부식하기 어렵고, 이 때문에 열처리공간의 분위기가 변화하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 전환장치(60)와 반송장치(50)를 포함하는 구동장치는 열처리로(20)와 반송실(30)의 외측이며 또한 이들로부터 떨어진 위치에 설치된다. 이 때문에 전환장치(60)와 반송장치(50)는 고열 대응의 부품이 아니라 저렴한 범용부품으로 구성 가능하다.
또한, 본 실시형태의 구성을 이용함으로써 반송실(30)의 높이를 낮게 할 수 있다. 이에 의해 반송실(30)의 체적을 작게 할 수 있어 반송실(30)을 위한 기체의 사용량을 삭감할 수 있고 반송실(30)의 분위기의 치환시간도 삭감할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 구성을 이용함으로써 개구(301, 302)의 개구면적을 작게 할 수 있다. 도 6은 반송실의 전벽에 형성된 개구와 반송용 로드를 도시한 도면이다.
전술한 바와 같이 열처리장치(10)에서는 반송용 로드(41, 42)는 x방향으로만 이동하고, z방향으로는 이동하지 않는다. 따라서 개구(301, 302)는 반송용 로드(41, 42)가 삽입통과할 만큼의 크기이면 되고, 예를 들어 반송용 로드(41, 42)의 외형(원주면)을 따른 형상이고, 반송용 로드(41, 42)의 외형보다 약간 크면 된다. 예를 들어 개구(301, 302)는 반송용 로드(41, 42)의 단면형상과 같은 형상으로 거의 동일한 치수의 원형의 개구이면 된다.
보다 구체적으로는 개구(301)의 직경(φ301)은 반송용 로드(41)의 직경(φ41)과 거의 동일한 정도이면서 크면 된다. 이때 개구(301)의 직경(φ301)은 반송용 로드(41)의 직경(φ41)에 가까울수록 바람직하다. 또한 개구(301)의 직경(φ301)은 지지부재(412)의 제1 양태에 있어서의 반송용 로드(41)의 하단과 지지부재(412)의 상단의 거리(H41)보다 짧으면 된다.
마찬가지로 개구(302)의 직경(φ302)은 반송용 로드(42)의 직경(φ41)과 거의 동일한 정도이면서 크면 된다. 이때 개구(302)의 직경(φ302)은 반송용 로드(42)의 직경(φ42)에 가까울수록 바람직하다. 또한 개구(302)의 직경(φ302)은 지지부재(422)의 제1 양태에 있어서의 반송용 로드(42)의 하단과 지지부재(422)의 상단의 거리(H42)보다 짧으면 된다.
이와 같은 구성에 의해 개구(301, 302)의 개구면적을 작게 할 수 있다. 이에 의해 반송실(30)과 외부가 개구(301, 302)를 통하여 연통하는 면적을 작게 할 수 있다. 따라서 외부의 온도 및 분위기가 반송실(30)의 내부의 온도 및 분위기에 미치는 영향을 작게 할 수 있다. 나아가서는 반송실(30)을 통하여 열처리로(20)의 내부의 온도 및 분위기에 미치는 영향을 작게 할 수 있다.
또한, 반송용 로드(41, 42)를 회전시키는 전환장치(60)는 예를 들어 도 7(A), 도 7(B)에 도시된 구성에 의해 실현된다. 도 7(A), 도 7(B)는 전환장치의 일구성예를 도시한 도면이고, 도 7(A)가 도 5(A)의 로드상태 B에 대응하고, 도 7(B)가 도 5(B)의 로드상태 A에 대응한다.
도 7(A), 도 7(B)에 도시된 바와 같이 전환장치(60)는 샤프트(611), 샤프트(621), 슬라이딩판(612), 슬라이딩판(622), 결합판(63), 축부재(601) 및 액추에이터(602)를 구비한다.
샤프트(611)는 반송용 로드(41)로부터 반송용 로드(42)측으로 연장되는 형상이다. 샤프트(611)의 제1 단부는 반송용 로드(41)의 제2 단부(4112)에 고정되어 있다. 샤프트(611)의 제2 단부는 슬라이딩판(612)에 접속한다. 이때 슬라이딩판(612)에는 y방향으로 연장되는 홈(613)이 형성되어 있고, 샤프트(611)의 제2 단부는 해당 제2 단부에 배치된 핀(614)을 홈(613)에 끼워 넣음으로써 슬라이딩판(612)에 대하여 슬라이딩 가능하게 접속된다.
샤프트(621)는 반송용 로드(42)로부터 반송용 로드(41)측으로 연장되는 형상이다. 샤프트(621)의 제1 단부는 반송용 로드(42)의 제2 단부(4212)에 고정되어 있다. 샤프트(621)의 제2 단부는 슬라이딩판(622)에 접속한다. 이때 슬라이딩판(622)에는 y방향으로 연장되는 홈(623)이 형성되어 있고, 샤프트(621)의 제2 단부는 해당 제2 단부에 배치된 핀(624)을 홈(623)에 끼워 넣음으로써 슬라이딩판(622)에 대하여 슬라이딩 가능하게 접속된다.
슬라이딩판(612)과 슬라이딩판(622)은 결합판(63)에 고정되어 있다. 보다 구체적으로는 슬라이딩판(612)은 결합판(63)에 있어서의 y방향의 제1 단부에 고정되고, 슬라이딩판(622)은 결합판(63)에 있어서의 y방향의 제2 단부에 고정되어 있다.
결합판(63)의 y방향의 중심에는 z방향으로 연장되는 축부재(601)의 제1 단부가 접속하고 있다. 축부재(601)의 제2 단부는 액추에이터(602)에 접속하고 있다.
이와 같은 구성에 있어서 액추에이터(602)에 의해 축부재(601)의 길이를 변화시킴으로써 결합판(63), 슬라이딩판(612) 및 슬라이딩판(622)의 z방향의 위치는 변화한다. 이 변화에 수반하여 핀(614)이 홈(613)내를 이동(슬라이딩)하고, 핀(624)이 홈(623)내를 이동(슬라이딩)한다. 그리고 핀(614)의 이동에 수반하여 샤프트(611)가 회동하고, 핀(624)의 이동에 수반하여 샤프트(621)가 회동한다. 이들 샤프트(611, 621)의 회동에 의해 반송용 로드(41, 42)는 회전한다.
이와 같은 구성을 전환장치(60)에 이용함으로써 반송용 로드(41)의 회전과 반송용 로드(42)의 회전을 동기시킬 수 있다. 따라서 피처리물(WK)의 들어올림 등을 안정되게 수행할 수 있다.
또한, 이상의 구성을 구비한 열처리장치(10)는 예를 들어 도 8, 도 9에 도시된 바와 같은 처리를 수행함으로써 피처리물(WK)의 열처리를 수행한다.
도 8(A), 도 8(B), 도 8(C), 도 8(D), 도 8(E)는 열처리장치의 외부로부터 피처리물(WK)을 투입하여 열처리를 수행하기까지의 공정을 도시한 도면이다. 도 9(A), 도 9(B), 도 9(C), 도 9(D)는 피처리물(WK)의 열처리후부터 피처리물(WK)을 열처리장치의 외부에 꺼내기까지의 공정을 도시한 도면이다. 이들 도면에서는 도 4에 도시된 냉각가스도입부(332)나 배기부(333)은 생략되었다.
우선 도 8(A)에 도시된 바와 같이 반송용 로드(41, 42)의 제1 단부(4111, 4211)가 반송실(30)내에 있는 상태에서 투입구(39)로부터 피처리물(WK)을 투입한다. 이때 지지부재(412, 422)는 로드상태 B이고, 피처리물(WK)은 지지부재(412, 422)상에 놓여진다. 이 상태에서는 차열벽(32)은 반송실(30)의 반송공간(300)을 반송용 로드(41, 42)가 존재하는 측과 개구(201)에 이어지는 측으로 분리하도록 설치된다. 이에 의해 투입구(39)와 개구(201)가 직접 이어지는 것을 억제할 수 있다. 상기한 바와 같이 피처리물(WK)이 투입된 후, 투입구(39)를 닫은 상태로 한다. 그리고 피처리물(WK)을 반송실(30)내에 투입하였을 때에 투입구(39)로부터 혼입한 외기를 제거하기 위해서 반송실(30)의 치환처리가 수행된다. 이 치환처리는 반송실(30)내에 질소가스 등의 퍼지가스를 공급함으로써 수행되고, 반송실(30)내의 공기가 퍼지가스에 내보내진다. 이에 의해 반송실(30)내의 분위기는 질소가스 등의 불활성가스 분위기로 치환된다.
다음에 도 8(B)에 도시된 바와 같이 투입구(39)가 닫힌 상태에서 차열벽(32)이 상방으로 이동한다. 이에 의해 반송용 로드(41, 42) 및 피처리물(WK)을 개구(201)를 통하여 열처리로(20)에 반입 가능한 상태가 된다.
다음에 도 8(C)에 도시된 바와 같이 반송장치(50)에 의해 반송용 로드(41, 42)가 이동하고, 반송용 로드(41, 42)의 제1 단부(4111, 4211)는 열처리로(20)내에 삽입된다. 이에 의해 피처리물(WK)은 처리대(230)의 상방까지 반송된다.
다음에 도 8(D)에 도시된 바와 같이 지지부재(412, 422)는 로드상태 B로부터 로드상태 A로 전환되고, 피처리물(WK)은 처리대(230)의 윗면에 재치된다.
다음에 도 8(E)에 도시된 바와 같이 반송장치(50)에 의해 반송용 로드(41, 42)가 이동하고, 반송용 로드(41, 42)의 제1 단부(4111, 4211)는 반송실(30)내로 철수한다. 이 상태에서 차열벽(32)은 하방으로 이동하여 반송실(30)의 반송공간(300)을 반송용 로드(41, 42)가 존재하는 측과 개구(201)에 이어지는 측으로 분리한다. 바꾸어 말하면 차열벽(32)은 개구(201)를 막는 구조가 되어 밀폐공간이 형성된다.
그리고, 이 상태에서 열처리로(20)는 소정의 온도, 분위기로 제어되고, 피처리물(WK)은 열처리된다.
또한, 도 4에 도시된 바와 같이 냉각가스(P)가 반송실(30)의 하방에 설치되어 있는 컴프레서에 의해 반송실(30)내에 송출된다. 냉각가스(P)는 냉각가스도입공(330, 331)으로부터 반송공간(300)에 있는 반송용 로드(41, 42)의 제1 단부(4111, 4211)의 평면판(4110, 4210)에 분무된다. 이때 반송용 로드(41, 42)는 로드상태 A에 있다(도 5(B)). 피처리물(WK)에 대한 열처리를 수행하고 있는 동안에는 냉각가스(P)에 의해 제1 단부(4111, 4211)의 평면판(4110, 4210)이 냉각된다.
피처리물(WK)에 대한 열처리후, 도 9(A)에 도시된 바와 같이 차열벽(32)은 상방으로 이동한다. 그리고 반송용 로드(41, 42)가 이동하여 반송용 로드(41, 42)의 제1 단부(4111, 4211)는 열처리로(20)내에 있어서의 피처리물(WK)의 아래에 도달한다. 이때 지지부재(412, 422)는 로드상태 A이므로 반송용 로드(41, 42)의 제1 단부(4111, 4211)가 피처리물(WK)에 가까워져도 피처리물(WK)에 닿지 않는다.
다음에 도 9(B)에 도시된 바와 같이 지지부재(412, 422)는 로드상태 A로부터 로드상태 B로 전환되어 피처리물(WK)은 처리대(230)의 윗면로부터 들어 올려진다. 그리고 피처리물(WK)은 지지부재(412, 422)에 의해 지지된다.
다음에 도 9(C)에 도시된 바와 같이 반송장치(50)에 의해 반송용 로드(41, 42)가 이동하고, 반송용 로드(41, 42)의 제1 단부(4111, 4211)는 반송실(30)내로 이동한다. 이에 의해 피처리물(WK)은 열처리로(20)로부터 반송실(30)에 반출된다.
다음에 도 9(D)에 도시된 바와 같이 차열벽(32)은 하방으로 이동하여 반송실(30)의 반송공간(300)을 반송용 로드(41, 42)가 존재하는 측과 개구(201)에 이어지는 측으로 분리한다. 이 상태에서 투입구(39)를 개방함으로써 피처리물(WK)은 열처리장치(10)의 외부에 꺼내진다.
이와 같은 열처리공정에서는 열처리로(20)와 반송실(30) 사이의 개구(201) 및 반송실(30)과 외부의 개구(301)가 열처리로(20) 및 반송실(30)의 분위기의 유지에 영향을 미친다. 그러나 본 실시형태의 구성을 구비함으로써 개구(201) 및 개구(301)의 개구면적을 작게 할 수 있고, 열처리로(20) 및 반송실(30)의 분위기의 유지에 미치는 영향을 억제할 수 있다. 즉, 열처리로(20) 및 반송실(30)의 분위기의 유지에 대한 개구(201, 301)에 의한 손실을 억제하여 열처리로(20) 및 반송실(30)의 분위기의 유지를 효율적으로 수행할 수 있다.
또한, 냉각가스(P)의 성분은 열처리공간(200)에 충전되어 있는 가스와 동일한 성분을 포함하기 때문에 차열벽(32)이 상방으로 이동하고 있는 상태에서도 열처리로(20) 및 반송실(30)의 분위기는 거의 다르지 않다.
또한, 도 9(D)의 상태에서는 투입구(39)를 개방하여 피처리물(WK)을 외부에 꺼내기 때문에 반송공간(300)내에 존재하는 냉각가스(P)가 투입구(39)로부터 외부에 배출된다. 냉각가스(P)의 종류(예를 들어 N2 가스)에 따라서는 피처리물(WK)을 외부에 꺼낼 때 악영향이 발생할 가능성이 있다. 그래서 이러한 경우에는 도 9(C)의 상태에서 반송공간(300)의 분위기를 통상의 에어로 치환하는 것이 바람직하다.
(열처리공간(200)내의 가스와 냉각가스(P)에 대하여)
냉각가스(P)는 예를 들어 N2 가스 등으로 구성되고, 열처리공간(200)내의 분위기도 N2 가스로 구성하는 것이 가능하지만 그 이외의 가스여도 된다. 피처리물(WK)의 종류에 따라 가스의 선정이 수행된다. 예를 들어 피처리물(WK)이 세라믹스 기판상에 금속성 전자부품이 적층되어 있는 전자 칩 부품(적층콘덴서 등)에서는 세라믹스를 조금 산화시켜 금속부는 산화시키고 싶지 않은 경우가 있다. 이러한 때 산화작용을 위해서 웨트가스를 사용한다. 또한 금속부에 있어서의 환원작용을 도모하기 위해서 수소성분도 조금 첨가하는 것도 가능하다. 이와 같이 열처리공간(200)내에서의 산화작용의 제어를 가스의 성분을 조정함으로써 가능하다.
웨트가스를 사용하는 경우에는 냉각가스(P)가 반송공간(300)내에서 결로하지 않도록 그 온도는 노점 이상으로 할 필요가 있다. 또한 웨트가스로 산화제어를 수행하는 경우, 반송용 로드(41, 42)가 산화하여 부식하지 않도록 로드재질을 스테인리스강(SUS)으로 구성하는 것이 바람직하다.
또한, 열처리공간(200)내의 가스에 웨트가스를 사용하는 다른 실시예로서 냉각가스(P)로서 대량의 N2 가스를 사용하는 것도 가능하다. 열처리를 끝마친 피처리물(WK)을 반송실(30)에 되돌려(도 9(C)) 차열벽(32)을 닫고, 반송용 로드(41, 42)의 온도가 크게 저하되기를 기다려(예를 들어 1000℃→300℃) 냉각가스(P)로서 대량의 N2 가스를 사용한다. N2 가스는 결로하지 않으므로 대량으로 사용함으로써 냉각효과를 높일 수 있다. 이 경우, 반송실(30)로부터 피처리물(WK)을 꺼내기 전에(도 9(D)) 반송공간(300)을 에어(대기)로 치환하는 것이 바람직하다.
(지지부재의 양태 전환의 다른 예)
또한, 전술한 설명에서는 반송용 로드(41, 42)를 회전시킴으로써 높이방향(z방향)에 있어서의 지지부재(412, 422)의 선단의 위치를 변화시키는 양태를 나타냈다. 그러나 다른 구성에 의해 높이방향에 있어서의 지지부재(412, 422)의 선단의 위치를 변화시킬 수도 있다. 도 10(A), 도 10(B)는 지지부재의 다른 일례를 개념적으로 나타내는 도면이다. 도 10(A), 도 10(B)는 지지부재의 제1 단부측으로부터 본 도면이다.
지지부재(412, 422)는 도 10(A)에 도시된 반송용 로드(41, 42)의 상단으로부터 돌출되는 로드상태 B와 도 10(B)에 도시된 반송용 로드(41, 42)내에 수용되는 로드상태 A를 갖는다. 지지부재(412, 422)를 반송용 로드(41, 42)의 상단으로부터 돌출시키거나 반송용 로드(41, 42)에 수용하는 기구는 지지부재(412, 422)를 물리적으로 밀어내거나 끌어들이거나 하는 기구여도 되고, 지지부재(412, 422)를 압축공기 등을 이용하여 밀어내거나 끌어들이거나 하는 기구여도 된다. 또한 다른 기구여도 된다. 이러한 구성이어도 전술한 반송용 로드(41, 42)를 회전시키는 기구를 이용한 구성과 마찬가지의 작용효과를 얻을 수 있다.
또한, 이 실시예에서는 반송용 로드(41, 42)를 회전시키지 않기 때문에 평면판(4110, 4210)은 반송방향에 평행하게 설치된다.
또한, 전술한 설명에서는 반송용 로드로서 1쌍의 반송용 로드(41, 42)를 이용한 예를 나타냈지만, 전술한 구성은 이에 한정하는 것이 아니며 1개의 반송용 로드를 이용하여도 된다. 이 경우, 1개의 반송용 로드(41)를 이동하여 피처리물(WK)을 열처리로(20)에 반입시키거나 할 수 있다.
도 11은 반송용 로드의 파생예의 구성을 도시한 부분적인 평면도이다. 예를 들어 도 11에 도시된 바와 같이 하나의 반송용 로드(41)를 그 전단부에서 두갈래 형상으로 분기시키고, 이 두갈래부의 일단과 타단에는 각각 지지부재(412, 422)가 배치되는 구조로 하면 된다. 또한 이때 지지부재(412, 422)의 로드상태 B와 로드상태 A의 전환에 대해서는 예를 들어 전술한 도 10(A), 도 10(B)에서 나타낸 예와 마찬가지로 지지부재(412, 422)는 상기 두갈래부의 일단과 타단으로부터 돌출되는 로드상태 B와 상기 2갈래부 일단과 타단의 안에 수용되는 로드상태 A로 전환하도록 할 수 있다.
또한, 전술한 설명에서는 냉각가스(P)가 평면판(4110, 4210)의 법선방향으로 유도되도록 하고 있지만, 평면판(4110, 4210)에 대하여 교차하는 방향이면 된다.
또한, 열처리로(20)로서 분위기로를 예로서 나타냈지만, 전술한 구성은 분위기로에 한정하는 것은 아니며 다른 사양의 열처리로에도 적용할 수 있다.
(반송용 로드(41, 42)를 회전시키는 다른 예)
전술한 설명에서는 액추에이터(602)를 포함한 전환장치(60)를 이용하여 반송용 로드(41, 42)를 회전시키고 있지만, 모터(600)를 사용하여 반송용 로드(41, 42)를 회전시키는 것이 가능하다.
도 12는 반송용 로드(41)의 제2 단부(4112)에 모터(650), 반송용 로드(42)의 제2 단부(4212)(도 7 참조)에 모터(651)를 설치한 실시예를 나타낸다. 모터(650)와 모터(651)의 스테이터는 반송장치(50)에 고정되고, 각 모터의 로터의 회전부가 제2 단부(4112)와 제2 단부(4212)의 각각에 연결된다. 모터(650)와 모터(651)는 소정의 각도만큼 회전하는 스테핑모터로 구성하는 것이 바람직하다. 또한 모터(650)와 모터(651)는 도면외의 제어회로로 동기되고, 그 회전각도는 동일해지도록 제어된다. 이와 같이 모터(650, 651)를 제2 단부(4112)와 제2 단부(4212)에 설치함으로써 구조가 간이화된다.
(반송용 로드(41, 42)를 회전시키는 다른 예)
도 13은 반송용 로드(41, 42)를 회전시키는 또 다른 예를 나타낸다.
이 실시예에서는 전환장치(60)를 랙·피니언기구를 포함한 구조로 한다. 전환장치(60)는 반송용 로드(41)의 제2 단부(4112)측에 설치되는 랙·피니언기구(700)와 반송용 로드(42)의 제2 단부(4212)측에 설치되는 랙·피니언기구(800)로 구성된다.
랙·피니언 기구(700)는 반송용 로드(41)의 제2 단부(4112)에 연결되는 피니언기어(702)와 이에 맞물리는 막대형상의 랙(703)과 랙(703)을 상하동시키는 에어실린더(701)로 구성된다. 마찬가지로 랙·피니언기구(800)는 반송용 로드(42)의 제2 단부(4212)에 연결되는 피니언 기어(802)와 이에 맞물리는 막대형상의 랙(803)과 랙(803)을 상하동시키는 에어실린더(801)로 구성된다. 또한 에어실린더(701, 801)를 제어하는 제어부가 설치되어 있다(도시생략). 제어부는 에어실린더(701, 801)를 동기제어하여 랙(703)과 랙(803)을 동일한 양만큼 상하동시킨다. 도 13(A)는 랙(703)과 랙(803)이 상방으로 이동하여 로드상태 B가 된 것을 나타내고, 도 13(B)는 로드상태 B로부터 랙(703)과 랙(803)이 하방으로 이동하여 로드상태 A가 된 것을 나타내고 있다.
이와 같이 전환장치(60)에 랙·피니언기구를 설치하도록 하여도 반송용 로드(41, 42)를 동일한 각도만큼 소정 회전시키는 것이 가능하다.
전술한 실시형태의 설명은 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 실시형태가 아니라 특허청구범위에 의해 나타난다. 또한 본 발명의 범위에는 특허청구범위와 균등한 의미 및 범위내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.
10: 열처리장치
20: 열처리로
21: 전벽
30: 반송실
31: 전벽
32: 차열벽
33: 정류부재
39: 투입구
41, 42: 반송용 로드
50: 반송장치
51: 로드유지부재
60: 전환장치
63: 결합판
200: 열처리공간
201: 개구
230: 처리대
240: 열원
300: 반송공간
301: 개구
302: 개구
330: 냉각가스도입공
331: 냉각가스도입공
411: 반송용 로드(41)의 측면
412, 422: 지지부재
421: 반송용 로드(42)의 측면
423: 지지부재(422)의 외주단
601: 축부재
602: 액추에이터
611: 샤프트
612: 슬라이딩판
613: 슬라이딩판(612)의 홈
614: 핀
621: 샤프트
622: 슬라이딩판
623: 슬라이딩판(622)의 홈
624: 핀
4110: 평면판
4210: 평면판
4111: 반송용 로드(41)의 제1 단부
4112: 반송용 로드(41)의 제2 단부
4211: 반송용 로드(42)의 제1 단부
4212: 반송용 로드(42)의 제2 단부
WK: 피처리물

Claims (9)

  1. 반송공간을 형성하고 있는 반송실과,
    상기 반송공간의 앞에 위치하는 열처리공간 및 상기 반송공간과 상기 열처리공간을 잇는 개구를 형성하는 열처리로로서, 상기 열처리공간 내의 피처리물에 가열처리를 실시하는 열처리로와,
    전후방향으로 연장되는 막대형상을 갖는 반송용 로드로서, 상기 피처리물을 지지하는 반송용 로드 전단부를 갖는 반송용 로드와,
    상기 반송용 로드를 전후방향으로 이동시킴으로써 상기 반송공간과 상기 열처리공간의 사이에서 상기 개구를 통하여 상기 반송용 로드 전단부를 이동시키는 구동장치와,
    상기 열처리공간에 공급되어 있는 열처리가스의 성분과 동일한 성분을 갖는 냉각가스로서 상기 열처리가스의 온도보다 낮은 온도를 갖는 상기 냉각가스를 상기 반송공간에 공급하는 가스공급부와,
    상기 반송실 내에 위치하는 상기 반송용 로드 전단부에 상기 냉각가스를 유도하는 정류부재를 구비하는, 열처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 반송용 로드 전단부에 유도되는 상기 냉각가스의 양은 상기 피처리물에 유도되는 상기 냉각가스의 양보다 많은, 열처리장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 반송용 로드 전단부는 평탄면을 가지고,
    상기 정류부재는 상기 평탄면에 대하여 교차하는 방향으로 상기 냉각가스가 흐르도록 상기 평탄면에 상기 냉각가스를 유도하는, 열처리장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 반송용 로드 전단부는 상기 피처리물을 아래에서 지지하고,
    상기 정류부재는 상기 반송용 로드 전단부의 아래로부터 상기 반송용 로드 전단부로 상기 냉각가스를 유도하는, 열처리장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 반송용 로드의 재료는 스테인리스강인, 열처리장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 냉각가스는 노점보다 높은 온도의 웨트가스인, 열처리장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 냉각가스의 온도는 상온인, 열처리장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 열처리장치는,
    상기 반송공간에서 상기 반송용 로드 전단부가 지지하는 열처리가 끝난 피처리물을 열처리가 끝나지 않은 피처리물로 교환하는 교환장치를 더 구비하는, 열처리장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 구동장치는 상기 반송공간 및 상기 열처리공간의 외부에 배치되는, 열처리장치.
KR1020210094926A 2021-03-02 2021-07-20 열처리장치 KR102598616B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021032511A JP2022133684A (ja) 2021-03-02 2021-03-02 熱処理装置
JPJP-P-2021-032511 2021-03-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220124067A true KR20220124067A (ko) 2022-09-13
KR102598616B1 KR102598616B1 (ko) 2023-11-06

Family

ID=83018084

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210094926A KR102598616B1 (ko) 2021-03-02 2021-07-20 열처리장치

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2022133684A (ko)
KR (1) KR102598616B1 (ko)
CN (1) CN114993056A (ko)
TW (1) TWI780820B (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940010151A (ko) * 1992-10-28 1994-05-24 이헌조 칼라수상관용 전자총의 비드글래스 가열장치
KR20100011924A (ko) * 2008-07-24 2010-02-03 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 성막 장치와 성막 방법
KR20110093704A (ko) * 2010-02-12 2011-08-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반송 기구
JP2017117850A (ja) 2015-12-21 2017-06-29 昭和電工株式会社 ウェハ支持機構、化学気相成長装置およびエピタキシャルウェハの製造方法
KR20180103696A (ko) * 2017-03-10 2018-09-19 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 열처리 방법 및 열처리 장치

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108027208B (zh) * 2015-09-11 2020-01-17 光洋热系统股份有限公司 热处理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940010151A (ko) * 1992-10-28 1994-05-24 이헌조 칼라수상관용 전자총의 비드글래스 가열장치
KR20100011924A (ko) * 2008-07-24 2010-02-03 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 성막 장치와 성막 방법
KR20110093704A (ko) * 2010-02-12 2011-08-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반송 기구
JP2017117850A (ja) 2015-12-21 2017-06-29 昭和電工株式会社 ウェハ支持機構、化学気相成長装置およびエピタキシャルウェハの製造方法
KR20180103696A (ko) * 2017-03-10 2018-09-19 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 열처리 방법 및 열처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW202235795A (zh) 2022-09-16
JP2022133684A (ja) 2022-09-14
KR102598616B1 (ko) 2023-11-06
CN114993056A (zh) 2022-09-02
TWI780820B (zh) 2022-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6746198B2 (en) Substrate transfer shuttle
KR102355575B1 (ko) 진공 처리 장치
JP2006273563A (ja) ロードロック装置，処理システム及び処理方法
WO1999060611A1 (en) In-situ substrate transfer shuttle
KR102296010B1 (ko) 기판 처리 장치
JP5374897B2 (ja) 熱処理システム
KR100796052B1 (ko) 처리장치 시스템
JP2022025156A (ja) 熱処理装置
KR20220124067A (ko) 열처리장치
JP2012195570A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP5280901B2 (ja) 基板処理システムおよび基板処理方法
KR20220124068A (ko) 열처리장치
KR20210080209A (ko) 열처리장치
JP2020145329A (ja) 基板収容装置
JP7053939B1 (ja) 半田付け装置及び半田付け製品の製造方法
JP5355808B2 (ja) 基板処理システム
KR20240050276A (ko) 기판 처리 장치
JP2002173775A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR20240080114A (ko) 열처리 장치
JP2024084916A (ja) 熱処理装置
JP2024078087A (ja) 熱処理装置
JP4534909B2 (ja) 熱処理装置
JP6056079B2 (ja) 熱処理装置
JP2014218722A (ja) 熱処理炉及び熱処理方法
JP2008072140A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant