JP6800125B2 - 回路基板及び回路モジュール - Google Patents
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Description
このような回路基板であれば、可撓性配線基材の第1端部に板状の補強部材が埋設され、第1端部に補強部が形成される。第1多層配線層は、第1端部の第1主面に設けられる。第1多層配線層は、補強部材を露出させ素子を収容することが可能な凹部を有する。露出された補強部材が素子の下地となるため、素子が搭載される領域の平坦性に優れる。
このような回路基板であれば、第1端部の第2主面に第2多層配線層が設けられているため、補強部の強度がさらに増加する。また、配線数が増加する。
このような回路基板であれば、ボンディングパッドが補強部材の直上に配置されているため、ボンディングパッドの下地の剛性が増している。これにより、ボンディングパッドにワイヤボンディングを施しても、ボンディングパッドが沈んだり、ずれたりしにくくなる。
このような回路基板であれば、補強部材が素子を搭載することが可能な平坦面を有しているため、素子が搭載される領域の平坦性に優れる。
このような回路基板であれば、補強部材の表面に導電性層が形成されているために、補強部材が凹部で露出されても補強部材の表面が酸化しにくくなる。
このような回路モジュールであれば、可撓性配線基材の第1端部に板状の補強部材が埋設され、第1端部に補強部が形成される。第1多層配線層は、第1端部の第1主面に設けられる。第1多層配線層は、補強部材を露出させ素子を収容することが可能な凹部を有する。露出された補強部材が素子の下地となるため、素子が搭載される領域の平坦性に優れる。このため、補強部材に実装された半導体素子の光学的な精度が良好になる。
このような回路モジュールであれば、半導体素子が導電性接合部材を介して補強部材上に実装されているため、半導体素子の放熱性が増加する。
このような回路モジュールであれば、半導体素子が固体撮像素子であるため、該回路モジュールが撮像モジュールとして機能する。
10…第1基板本体
11…可撓性配線基材
11a…第1端部
11b…第2端部
11u、11d、23u、23d…主面
12…補強部
20…第2基板本体
23…補強部材
28h…凹部
30…制御基板
31…多層配線部
110…樹脂コア
111、112…配線層
113、114、211、212、215、216、251、252…絶縁層
213…収容部
221、222、225、226…配線
223…層間接続部
231…溝
232…貫通孔
241…第1絶縁材
242…第2絶縁材
243…積層部
261…ボンディングパッド
265…ボンディングワイヤ
271…半導体素子
271a…撮像面
275…接合部材
281、282…多層配線層
Claims (6)
- 厚さ方向に直交する第1主面及び第2主面を有する第1端部と、前記第1端部とは反対側の第2の端部とを有する可撓性配線基材と、
前記第1端部に設けられた収容部に埋設された板状の補強部材と、
前記第1端部の前記第1主面に設けられ、前記補強部材を露出させ素子を収容することが可能であり前記補強部材の領域内に設けられた凹部を有し、前記凹部の外であって前記補強部材の直上に配置されたボンディングパッドを含む第1多層配線層と、
前記第1端部の前記第2主面に設けられた第2多層配線層と、
前記第1多層配線層に含まれる絶縁層よりも低い弾性率を有し、前記収容部と前記補強部材との間に設けられた絶縁材と
を具備する回路基板。 - 請求項1に記載された回路基板であって、
前記凹部で露出された前記補強部材は、素子を搭載可能な平坦面を有する
回路基板。 - 請求項1または2に記載された回路基板であって、
前記凹部で露出された前記補強部材の表面に、導電性層が形成されている
回路基板。 - 厚さ方向に直交する第1主面及び第2主面を有する第1端部と、前記第1端部とは反対側の第2の端部とを有する可撓性配線基材と、前記第1端部に設けられた収容部に埋設された板状の補強部材と、前記第1端部の前記第1主面に設けられ、前記補強部材を露出させ素子を収容することが可能であり前記補強部材の領域内に設けられた凹部を有し、前記凹部の外であって前記補強部材の直上に配置されたボンディングパッドを含む第1多層配線層と前記第1端部の前記第2主面に設けられた第2多層配線層と、前記第1多層配線層に含まれる絶縁層よりも低い弾性率を有し、前記収容部と前記補強部材との間に設けられた絶縁材とを有する回路基板と、
前記凹部に収容され、前記補強部材にフェイスアップ方式で実装された半導体素子と
を具備する回路モジュール。 - 請求項4に記載された回路モジュールであって、
前記半導体素子は、導電性接合部材を介して前記補強部材上に実装されている
回路モジュール。 - 請求項4または5に記載された回路モジュールであって、
前記半導体素子は、固体撮像素子である
回路モジュール。
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