CN109587929A - 电路基板和电路组件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供提高了搭载元件的区域的平坦性的电路基板和电路组件。本发明的一个方式的电路基板包括可挠性配线基材、加强部件和第一多层配线层。上述可挠性配线基材包括：具有与厚度方向正交的第一主面和第二主面的第一端部；和与上述第一端部相反侧的第二端部。上述加强部件为板状，埋设于上述第一端部。上述第一多层配线层具有能够收纳元件的凹部，上述凹部设置在上述第一端部的上述第一主面，使上述加强部件露出。
Description
技术领域
本发明涉及具有柔性(flexible)部和刚性(rigid)部的电路基板和电路组件(module)。
背景技术
关于具有摄像功能等的移动设备的组件基板，为了实现部件的多功能化、薄型化，要求基板进一步薄型化。其中，当在主基板与组件的连接中使用柔性基板等时，已知使用连接器的方法，使组件基板与柔性基板相粘贴的方法，但会产生安装面积减少，组件整体的厚度增加的技术问题。因此，逐渐采用在柔性基板设置有刚性部的复合电路基板(刚性－柔性基板)。
例如，公开了一种电路基板，其包括：可变形的柔性部；与柔性部连接的刚性部，其包括绝缘基材和形成于绝缘基材的电路；和由刚性高于绝缘基材的绝缘性树脂形成的加强部件，其形成于绝缘基材的周边部，对绝缘基材施加内部应力(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011－108929号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
然而，当在刚性部搭载有固态摄像元件等半导体元件时，若搭载元件的区域的平坦性不佳，则例如会难以对固态摄像元件进行光学调整，对设有固态摄像元件的电路基板的处理变得复杂。
鉴于以上这样的情况，本发明的目的在于提供提高了搭载元件的区域的平坦性的电路基板和电路组件。
解决问题的技术手段
为了达成上述目的，本发明的一个方式的电路基板包括可挠性配线基材、加强部件和第一多层配线层。上述可挠性配线基材包括：具有与厚度方向正交的第一主面和第二主面的第一端部；和与上述第一端部相反侧的第二端部。上述加强部件为板状，被埋设于上述第一端部。上述第一多层配线层具有凹部，所述凹部设置在上述第一端部的上述第一主面，使上述加强部件露出且能够收纳元件。
基于这样的电路基板，在可挠性配线基材的第一端部埋设板状的加强部件，在第一端部形成加强部。第一多层配线层设置在第一端部的第一主面。第一多层配线层具有使加强部件露出的、且能够收纳元件的凹部。由于露出的加强部件成为元件的基底，因此搭载元件的区域的平坦性优越。
上述的电路基板还可以在上述第一端部的上述第二主面设有第二多层配线层。
基于这样的电路基板，由于在第一端部的第二主面设置有第二多层配线层，因此加强部的强度进一步增加。配线数量也增加。
在上述的电路基板中，上述第一多层配线层可以包括配置于上述加强部件的正上方的接合焊垫。
基于这样的电路基板，由于接合焊垫配置于加强部件的正上方，因此接合焊垫的基底的刚性增加。由此，即使对接合焊垫进行引线接合(引线键合)，接合焊垫也不易下沉(凹陷)或者偏移。
在上述的电路基板中，在上述凹部所露出的上述加强部件可以具有能够搭载元件的平坦面。
基于这样的电路基板，由于加强部件具有能够搭载元件的平坦面，因此搭载元件的区域的平坦性优越。
在上述的电路基板中，可以在露出于上述凹部的上述加强部件的表面形成导电性层。
基于这样的电路基板，由于在加强部件的表面形成有导电性层，因此即使加强部件在凹部露出，加强部件的表面也不易被氧化。
为了达成上述目的，本发明的一个方式的电路组件包括上述电路基板和半导体元件。上述半导体元件收纳于上述凹部，以面朝上的方式安装在上述加强部件。
基于这样的电路组件，在可挠性配线基材的第一端部埋设板状的加强部件，能够在第一端部形成加强部。第一多层配线层设置在第一端部的第一主面。第一多层配线层具有使加强部件露出的、且能够收纳元件的凹部。由于露出的加强部件成为元件的基底，因此搭载元件的区域的平坦性优越。因此，安装于加强部件的半导体元件的光学精度变佳。
在上述的电路组件中，上述半导体元件可以通过导电性接合材料安装在上述加强部件上。
基于这样的电路组件，由于半导体元件通过导电性接合材料安装于加强部件上，因此半导体元件的散热性提高。
在上述的电路组件中，上述半导体元件可以为固态摄像元件。
基于这样的电路组件，由于半导体元件为固态摄像元件，因此该电路组件作为摄像组件发挥作用。
发明效果
如上所述，根据本发明，能够提供提高了搭载元件的区域的平坦性的电路基板和电路组件。
附图说明
图1是表示第一实施方式的电路基板的结构的概略平面图。
图2(a)是沿图1中的A－A线方向的截面图。图2(b)是沿图1中的B－B线方向的截面图。
图3(a)～图3(d)是说明电路基板的制造方法的概略截面图。
图4(a)～图4(d)是说明电路基板的制造方法的概略截面图。
图5(a)～图5(d)是说明电路基板的制造方法的概略截面图。
图6是表示第二实施方式的电路基板的结构的概略平面图。
图7是表示第三实施方式的电路基板的结构的概略截面图。
附图标记说明
1、2、3……电路基板
10……第一基板主体
11……可挠性配线基材
11a……第一端部
11b……第二端部
11u、11d、23u、23d……主面
12……加强部
20……第二基板主体
23……加强部件
28h……凹部
30……控制基板
31……多层配线部
110……树脂芯
111、112……配线层
113、114、211、212、215、216、251、252……绝缘层
213……收纳部
221、222、225、226……配线
223……层间连接部
231……槽
232……贯通孔
241……第一绝缘材料
242……第二绝缘材料
243……层叠部
261……接合焊垫
265……接合引线
271……半导体元件
271a……摄像面
275……接合材料
281、282……多层配线层
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。在各图中，存在导入XYZ轴坐标的情况。在各图中，X轴、Y轴和Z轴表示彼此正交的3个轴方向，Z轴方向对应于电路基板的厚度方向。
(第一实施方式)
图1是表示第一实施方式的电路基板的结构的概略平面图。图2(a)是沿图1中的A－A线方向的截面图。图2(b)是沿图1中的B－B线方向的截面图。
[电路基板]
如图1所示，电路基板1包括第一基板主体10和第二基板主体20。第二基板主体20经由第一基板主体10与控制基板30连接。关于图1所例示的电路基板1，第一基板主体10、第二基板主体20和控制基板30构成一体，不过也可以构成为第一基板主体10和第二基板主体20与控制基板30为独立部件。
(第一基板主体)
第一基板主体10包括可挠性配线基材11的第二端部11b。此处，不仅对构成第一基板主体10的可挠性配线基材11进行说明，还对分别组装入第二基板主体20和控制基板30的可挠性配线基材11的结构进行说明。
关于可挠性配线基材11，例如将X轴方向设为长边方向，将Y轴方向设为短边方向(宽度方向)。可挠性配线基材11包括第一端部11a，和与第一端部11a连接且在与第一端部11a相反一侧的第二端部11b。第一端部11a包括主面11u(第一主面)和主面11d(第二主面)。关于第一端部11a，主面11u是可挠性配线基材11的上表面，主面11d是可挠性配线基材11的下表面。主面11u、11d分别与厚度方向(Z轴方向)正交。
可挠性配线基材11为层叠体，包括树脂芯110，设置于树脂芯110的两面的配线层111、112，和覆盖配线层111、112的绝缘层113、114。
树脂芯110由例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯等的单层或者多层的可挠性塑料膜构成。配线层111、112由例如铜、铝等的金属材料构成。并且，绝缘层113、114由具有接合层的聚酰亚胺等的可挠性塑料膜构成。
配线层111经由设置于树脂芯110的适当位置的通孔(through hole)或者导通孔(via)与配线层112电连接。可挠性配线基材11的配线层不限于图示的2层，也可以为1层或者3层以上。
可挠性配线基材11的第二端部11b构成第一基板主体10的一部分，组装入控制基板30。可挠性配线基材11的第一端部11a组装入第二基板主体20。第一基板主体10构成电路基板1中的柔性部。即，通过将第一基板主体10设置在第二基板主体20与控制基板30之间，能够使第二基板主体20与控制基板30的相对距离、第二基板主体20相对控制基板30的角度等在规定的范围变化。
(第二基板主体)
第二基板主体20包括可挠性配线基材11的第一端部11a、板状的加强部件23、多层配线层281(第一多层配线层)、多层配线层282(第二多层配线层)。可挠性配线基材11的第一端部11a与加强部件23一同构成第二基板主体20的芯材(芯)。在电路基板1中，由多层配线层281、282和加强部件23构成加强部12。加强部12是电路基板1中的刚性部。由于在第一端部11a的两个主面11u、11d设置有多层配线层，因此能够形成具有较强机械强度的加强部12。另外，也增加了配线数量。
在第二基板主体20中，在第一端部11a的主面11u设置有凹部28h。在凹部28h收纳有半导体元件271。半导体元件271经由接合引线(bonding wire)265与接合焊垫(bondingpad)261电连接。半导体元件271的厚度没有特殊限制，例如为150μm。
半导体元件271例如为CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合器件)、CMOS(Complementary MOS，互补金属氧化物半导体)等的固态摄像元件(光学传感器)。能够包括电路基板1和半导体元件271在内而构成电路组件。当半导体元件为固态摄像元件时，该电路组件作为摄像组件发挥作用。此外，作为半导体元件271，还可以采用压力传感器、加速度传感器等MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统)传感器等。
在半导体元件271的下方配置有加强部件23。半导体元件271以半导体元件271的摄像面271a与加强部件23的主面23u(或者主面23d)相互平行的方式搭载在第二基板主体20上。此处，主面23u是加强部件23的上表面，主面23d是加强部件23的下表面。
凹部28h的平面形状没有特殊限制，可以根据加强部件23的平面形状来进行设定。例如，当将凹部28h和加强部件23各自在加强部12的厚度方向(Z轴方向)上投影时，凹部28h包含在加强部件23的区域内。例如，凹部28h的平面形状形成为能够收纳在加强部件23的内部的大小的矩形。凹部28h的平面形状的大小没有特殊限制，例如将各边的长度设定为5mm以上、20mm以下。凹部28h的深度没有特殊限制，例如可以设定为130μm以上、150μm以下。
多层配线层281包括绝缘层211、配线221、绝缘层251和接合焊垫261。多层配线层282包括绝缘层212、配线222和绝缘层252。多层配线层281设置于第一端部11a的主面11u和加强部件23的主面23u。多层配线层282设置于第一端部11a的主面11d和加强部件23的主面23d。在多层配线层281设有使加强部件23露出的、且能够收纳半导体元件271的凹部28h。
在多层配线层281、282中，绝缘层211配置在加强部件23的主面23u和第一端部11a的主面11u，绝缘层212配置在加强部件23的主面23d和第一端部11a的主面11d。
配线221设置在绝缘层211的表面，其一部分经由形成于绝缘层211的适当位置的导通孔与加强部件23电连接。配线222设置在绝缘层212的表面，其一部分经由形成于绝缘层212的适当位置的导通孔与加强部件23电连接。配线221、222是所谓的导体图案。
配线221与配线222之间通过层间连接部223被电连接。另外，配线221、222与构成第一基板主体10的可挠性配线基材11电连接。另外，配线221、222与配置于第二基板主体20的表面的接合焊垫261电连接，或者构成将半导体元件271与可挠性配线基材11电连接的再配线层等。
配线221、222不限于单层结构，还可以是多层结构。另外，不限于设置有配线221、222这两者的情况，也可以仅设置任意一者。
绝缘层251覆盖绝缘层211和配线221。绝缘层252覆盖绝缘层212和配线222。在绝缘层251、252各自的适当位置可以设置有露出配线221、222的表面的一部分的开口部(未图示)。
接合焊垫261配置于加强部件23的主面23u上的多层配线层281。例如，接合焊垫261配置于绝缘层251上，且配置于加强部件23的正上方。接合焊垫261，例如是引线接合(wire bond)用的接合焊垫。
在电路基板1中，多层配线层281、282构成第二基板主体20的外形。多层配线层281、282的平面形状形成例如如图1所示的在X轴方向上较长的矩形形状。多层配线层281、282的平面形状的大小没有特殊限制。例如，在多层配线层281、282的平面形状中，长边为10mm以上、30mm以下，短边为10mm以上、20mm以下，厚度为0.2mm以上、0.5mm以下。如图1所示，第一端部11a形成为与第二基板主体20相同的形状、大小，但不限于此，也可以构成为比第二基板主体20大或者比其小。
绝缘层211、212、251、252由合成树脂材料形成。作为合成树脂材料，可以使用例如环氧树脂、酚醛树脂、BT树脂等的常用的热固化性树脂材料。为了对这样的合成树脂材料赋予期望的机械强度，合成树脂材料中也可以包含例如玻璃纤维、玻璃丝网(glass cross)、氧化物颗粒等的填料(filler，填充材料)。绝缘层211、212、251、252可以分别由相同的树脂材料形成，也可以由彼此不同的树脂材料形成。
配线221、222由例如铜、铝等的金属材料或者金属膏体的固化物形成。
加强部件23埋设于第一端部11a。加强部件23包括主面23u和与主面23u相反一侧的主面23d。加强部件23对第二基板主体20赋予期望的强度。加强部件23的主面23u为能够搭载半导体元件271的平坦面。例如，半导体元件271能够隔着接合材料275以面朝上(face-up)的方式安装在加强部件23的主面23u上。
加强部件23也可以作为配线221、222的任意者的一部分而构成，例如可以用作接地用配线的一部分。尤其是在加强部件23为接地电位的情况下，能够省去在电路基板1内避开加强部件23来将接地用配线布线的麻烦。而且，利用加强部件23能够屏蔽来自电路基板1外或者半导体元件271的电磁波。另外，加强部件23能够作为搭载在第二基板主体20的半导体元件271的散热用部件。在Z轴方向上的加强部件23与半导体元件271之间的距离例如为15μm以上、100μm以下，但不限于该数值。
加强部件23的平面形状没有特殊限制，例如能够形成为能够收纳于可挠性配线基材11的第一端部11a内的大小的矩形形状。加强部件23的平面形状的大小没有特殊限制，例如能够使各边的长度为5mm以上、20mm以下，厚度为0.1mm以上、0.4mm以下。加强部件23的厚度没有特殊限制，在本实施方式中能够使之与可挠性配线基材11为相同的厚度。
通过使加强部件23以能够覆盖可挠性配线基材11的第一端部11a的大致全部区域的大小形成，加强部件23能够有效地发挥作为第二基板主体20的芯材的功能。另外，通过将加强部件23整体收纳在第一端部11a的内部，能够使加强部件23不从第一端部11a的周边部露出，而确保其与第二基板主体20的周边部的绝缘性。尤其是加强部件23的两面被绝缘层211、212覆盖，因此能够防止加强部件23从第二基板主体20的两面露出。
加强部件23内置在形成于可挠性配线基材11的第一端部11a的面内的收纳部213中。收纳部213由能够收纳加强部件23的大小的有底或者无底的凹部构成，在本实施方式中，其由贯通第一端部11a的矩形的凹部(无底凹部)构成。
加强部件23例如是金属制部件、陶瓷制部件等。但是，从电路基板1的电特性、散热性的观点看来，优选加强部件23是金属制部件。例如，加强部件23由电、热的良导体形成，例如由铜(Cu)、铜合金、铝、铝合金等的金属材料形成。
另外，在凹部28h中露出的加强部件23的主面23u也可以被导电性层覆盖。例如，该导电性层的最表面由金膜的层叠体构成。例如，导电性层由从下层开始以Cu膜/Ni膜/Au膜、或者Ag膜/Pd膜/Au膜形成的层叠体构成。若为这样的结构，则即使加强部件23的主面23u在凹部28h露出，加强部件23的表面也难以被氧化。
接合材料275例如包括焊料、金属膏体、树脂制接合剂、双面带等。尤其是当半导体件从半导体元件271的半导体基板的底面露出，实现该半导体基板与加强部件23直接的电连接，或者提高半导体元件271的散热性时，优选使用焊料、金属膏体等的导电性接合材料作为接合材料275。
在加强部件23中可以设置有贯通其面内的槽231。例如，加强部件23通过填充于槽231的内部的第一绝缘材料241、和填充于加强部件23的外周面与收纳部213的内周面之间第二绝缘材料242，被固定在第一端部11a的内部。
另外，在加强部件23中也可以设置贯通其面内的单个或者多个贯通孔232。例如，贯通孔232形成于加强部件23的面内的适当位置，设置于加强部件23的周边部与槽231的形成区域之间。贯通孔232由能够收纳层间连接部223的大小的圆孔形成。层间连接部223例如由在贯通孔232的内周面隔着绝缘层而形成的镀铜形成。作为上述绝缘层，例如由第一绝缘材料241形成。
例如，第一绝缘材料241由与形成绝缘层211、212的树脂材料相比热膨胀系数小且弹性模量高的树脂材料形成。第一绝缘材料241由与绝缘层211、212相比热膨胀系数小的树脂材料形成，由此能够确保收纳部213与加强部件23之间的密接性(紧贴性)，能够抑制第二基板主体20的翘曲。另外，第一绝缘材料241由与绝缘层211、212相比弹性模量高的树脂材料形成，由此第一绝缘材料241的刚性能够提高，能够提高第二基板主体20的强度。
构成第一绝缘材料241的材料没有特殊限制，例如可以是与构成绝缘层211、212的树脂材料相同种类的材料。在此情况下，通过使填料的含量高于绝缘层211、212，能够形成热膨胀系数小于绝缘层211、212且弹性模量较高的第一绝缘材料241。
另一方面，第二绝缘材料242由与形成绝缘层211、212的树脂材料相比弹性模量低的材料形成。由此，施加在第二基板主体20的周边部的弯曲应力能够被第二绝缘材料242缓和，因此能够抑制加强部件23相对收纳部213剥离的情况。另外，第二绝缘材料242也可以由吸水率低于绝缘层211、212的材料形成。由此，能够抑制由于第二绝缘材料242吸水而引起的体积膨胀或者膨润。
构成第二绝缘材料242的材料没有特殊限制，不过优选与可挠性配线基材11的亲和性高的材料，可以举出例如环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物、BT树脂、PPS等。
第二绝缘材料242填充在加强部件23的外周面与收纳部213的内周面之间。第二绝缘材料242不需遍及加强部件23的外周面的整周地设置，至少设置在可挠性配线基材11的第二端部11b侧即可。由此，例如，来自第一基板主体10的拉伸应力等能够由第二绝缘材料242吸收或者缓和，能够抑制第二基板主体20的破损、加强部12从第一端部11a脱离的情况。
另外，不限于在加强部件23与收纳部213之间的上述一端部的全部区域被第二绝缘材料242填充的情况，如图2(a)、图2(b)所示，还可以设置第一绝缘材料241和第二绝缘材料242的层叠部243。此情况下，由于该区域兼具适当的刚性和适当的弹性，因此能够提高可挠性配线基材11与加强部12之间的连接可靠性。
此外，根据要求的特性、规格等，可以省略第二绝缘材料242，也可以代替第二绝缘材料242而将第一绝缘材料241填充在加强部件23与收纳部213之间。另外，可以根据需要省略层叠部243，也可以在上述一端部的全部区域填充第一绝缘材料241或者第二绝缘材料242。
(控制基板)
控制基板30对应于搭载IC等的集成电路、其外围部件(外接部件)等的主基板，经由第一基板主体10与第二基板主体20电连接。控制基板30例如由比第二基板主体20面积大的两面基板构成。
控制基板30由可挠性配线基材11的第二端部11b和分别设置于第二端部11b的两面的多层配线部31、32的层叠体构成。多层配线部31、32例如通过积层(build-up)法来制作。构成多层配线部31、32的层间绝缘膜还可以由玻璃环氧树脂类的具有刚性的材料形成，此情况下，控制基板30构成刚性基板。
[电路基板的制造方法]
对电路基板1的制造方法进行说明。
图3(a)～图5(d)是对电路基板的制造方法进行说明的概略截面图。
首先，如图3(a)所示，准备构成第一基板主体10和第二基板主体20的可挠性配线基材11。
接着，如图3(b)所示，在第一端部11a的规定区域形成用于收纳加强部件23的收纳部213(凹部)。收纳部213的形成方法没有特殊限制，可以采用冲裁、切削等机械加工或者激光加工等的适当的方法。
接着，如图3(c)所示，在可挠性配线基材11的主面11d形成覆盖收纳部213的绝缘层212。绝缘层212的形成方法没有特殊限制，可以采用涂敷法、转印法、层压(laminate)法等的适当的方法。
接着，如图3(d)所示，在收纳部213的内周面且与绝缘层212的交界部涂敷形成第二绝缘材料242的材料。
接着，如图4(a)所示，在收纳部213内的绝缘层212上配置加强部件23，并且在加强部件23的外周面部与收纳部213的内周面之间将第二绝缘材料242填充至规定的高度。此外，在此情况下，第二绝缘材料242的一部分存在于加强部件23与绝缘层212之间也可以。
接着，如图4(b)所示，在加强部件23的槽231和贯通孔232填充形成第一绝缘材料241的材料。此时，通过在加强部件23的外周面、收纳部213的内周面和第二绝缘材料242之间的间隙也设置第一绝缘材料241，能够形成由第一和第二绝缘材料241、242的层叠结构构成的层叠部243。
之后，在可挠性配线基材11的主面11u形成覆盖加强部件23的绝缘层211。绝缘层211的形成方法没有特殊限制，可以采用与绝缘层212的形成方法相同的方法。
接着，如图4(c)所示，在绝缘层211的表面形成配线221，在绝缘层212的表面形成配线222。并且，形成贯通加强部件23的层间连接部223。对于配线221、222，可以采用镀覆法、蚀刻法等的适当的图案形成方法，其一部分经由形成于绝缘层211、212的导通孔与加强部件23连接。关于层间连接部223，在填充于加强部件23的贯通孔232的第一绝缘材料241中形成贯通孔，通过在其内壁面利用镀覆使导体层生长，或者填充导体膏来形成。
接着，如图4(d)所示，分别形成局部地覆盖绝缘层211、212的绝缘层251、252，并且局部地去除位于第一基板主体10的形成区域内的绝缘层211、212。
接着，如图5(a)所示，在加强部件23的正上方的绝缘层251上将接合焊垫261形成图案。接合焊垫261例如与配线221电连接。接合焊垫261还可以与配线222电连接。
接着，如图5(b)所示，在第一端部11a的规定区域形成用于收纳半导体元件271的凹部28h。凹部28h的形成方法没有特殊限制，可以采用冲裁、切削等机械加工或者激光加工等的适当的方法。在凹部28h的底，露出加强部件23的主面23u。由此，能够制作包括第一基板主体10、第二基板主体20和控制基板30的电路基板1。
接着，如图5(c)所示，在凹部28h收纳半导体元件271。例如，半导体元件271通过面朝上的方式通过接合材料275安装在加强部件23上。
之后，如图5(d)所示，通过引线接合(引线键合)，半导体元件271与接合焊垫261通过接合引线265电连接。
在如上述那样构成的电路基板1中，由于第二基板主体20在可挠性配线基材11的第一端部11a埋设有板状的加强部件23，因此第二基板主体20的强度提高。
而且，根据电路基板1，由于在加强部件23上能够安装半导体元件271，因此半导体元件271的基底的平坦性提高。
假设当将固态摄像元件安装在多层配线层281上时，由于形成多层配线层281的每层的多层配线层281的厚度不均匀、多层配线层281的面内的厚度不均匀，存在固态摄像元件的对准(alignment)、光学的精度劣化的情况。
与之相反，根据电路基板1，由于在板状的加强部件23上配置固态摄像元件等的半导体元件271，因此能够忽略形成多层配线层281的每层的多层配线层281的厚度不均、和多层配线层281的面内的厚度不均。由此，固态摄像元件的对准、光学的精度优越。而且，若半导体元件271的基底为金属制的加强部件23，则由加强部件23产生的散热效果也提高，能够高效地冷却半导体元件271。
另外，在加强部件23为接地电位的情况下，能够省去在电路基板1内避开加强部件23地将接地用配线布线的麻烦。并且，利用加强部件23，能够屏蔽来自电路基板1外或者半导体元件271的电磁波。
另外，根据本实施方式，通过将加强部件23的主面23u适当粗糙化，也能够利用锚定效果使接合材料275与加强部件23的接合强度提高。
另外，在电路基板1中，由于接合焊垫261配置在加强部件23的正上方，因此接合焊垫261的基底强度变强。由此，当将接合引线265与接合焊垫261接合时，与接合引线265接触的接合焊垫261不易偏移。此处，“偏移”是指例如在引线接合(引线键合)时的接合焊垫261的下沉、横移等。
(第二实施方式)
图6是表示第二实施方式的电路基板的结构的概略平面图。
在图6所示的电路基板2中，在第一端部11a搭载有多个半导体元件271。例如，在图6中，表示了2个半导体元件271在Y轴方向上排列设置的例子。2个半导体元件271分别设置于加强部件23上。
例如，在电路基板2上，以2个半导体元件271各自的摄像面271a彼此平行的方式在第二基板主体20上搭载2个半导体元件271。在本实施方式中，由于使用加强部件23，因此能够使第二基板主体20高强度化，电路基板容易大型化。由此，能够使电路基板整体薄型化，并且构成多功能/高性能的电路组件。这样的结构也包含在本发明中。
(第三实施方式)
图7是表示第三实施方式的电路基板的结构的概略截面图。图7对应于图1中的B－B线方向的截面图。
在电路基板3中，在加强部件23收纳于收纳部213这一方面，与电路基板1、2相同。但是，在电路基板3中，在加强部件23的主面23u侧设置有配线225，在加强部件23的主面23d侧设置有配线226。例如，在收纳部213中，在加强部件23的主面23u设置有绝缘层215，在主面23d设置有绝缘层216。并且，在绝缘层215设置有配线225，在绝缘层216设置有配线226。配线225例如经由导通孔与配线221电连接，配线226例如经由导通孔与配线222电连接。这样的结构也包含在本发明中。
在加强部件23的两主面23u、23d配置有配线225、226的结构也可以与第二实施方式的电路基板2相组合。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明不仅限于上述的实施方式，当然也可以增加各种改变。各实施方式不限于独立的方式，在技术上能够尽可能地进行组合。
例如，在以上的实施方式中，第二基板主体20和加强部件23的平面形状均形成为矩形形状，但不限于此，也可以形成为矩形以外的多边形、圆形这样的其他几何形状。
另外，在可挠性配线基材11的第二端部11b设置有控制基板30，但也可以代替控制基板30，而设置连接器等接触部件。
Claims (8)
1.一种电路基板，其包括：
具有第一端部和与所述第一端部相反侧的第二端部的可挠性配线基材，所述第一端部具有与厚度方向正交的第一主面和第二主面；
埋设于所述第一端部的板状的加强部件；和
设置于所述第一端部的所述第一主面的第一多层配线层，所述第一多层配线层具有使所述加强部件露出的、能够收纳元件的凹部。
2.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于：
在所述第一端部的所述第二主面还设有第二多层配线层。
3.如权利要求1或2所述的电路基板，其特征在于：
所述第一多层配线层包括配置于所述加强部件的正上方的接合焊垫。
4.如权利要求1～3中任一项中所述的电路基板，其特征在于：
在所述凹部露出的所述加强部件具有能够搭载元件的平坦面。
5.如权利要求1～4中任一项中所述的电路基板，其特征在于：
在所述凹部露出的所述加强部件的表面形成有导电性层。
6.一种电路组件，其特征在于，包括：
电路基板，其包括：具有第一端部和与所述第一端部相反侧的第二端部的可挠性配线基材，所述第一端部具有与厚度方向正交的第一主面和第二主面；埋设于所述第一端部的板状的加强部件；和设置于所述第一端部的所述第一主面的第一多层配线层，所述第一多层配线层具有使所述加强部件露出的、能够收纳元件的凹部；和
收纳于所述凹部的、以面朝上的方式安装于所述加强部件的半导体元件。
7.如权利要求6所述的电路组件，其特征在于：
所述半导体元件通过导电性接合材料安装于所述加强部件上。
8.如权利要求6或7所述的电路组件，其特征在于：
所述半导体元件为固态摄像元件。
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