CN107068576B - 制造柔性电子器件的方法 - Google Patents

制造柔性电子器件的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107068576B
CN107068576B CN201710069719.4A CN201710069719A CN107068576B CN 107068576 B CN107068576 B CN 107068576B CN 201710069719 A CN201710069719 A CN 201710069719A CN 107068576 B CN107068576 B CN 107068576B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
adhesive layer
flexible
electronic component
laminated body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710069719.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107068576A (zh
Inventor
安德里亚斯·兹鲁克
约翰尼斯·施塔尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Austria Aotesi Science And Technology Ltd Co System
Original Assignee
Austria Aotesi Science And Technology Ltd Co System
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Austria Aotesi Science And Technology Ltd Co System filed Critical Austria Aotesi Science And Technology Ltd Co System
Publication of CN107068576A publication Critical patent/CN107068576A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107068576B publication Critical patent/CN107068576B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/303Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
    • H05K3/305Affixing by adhesive
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4857Multilayer substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/4985Flexible insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5389Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/19Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/20Structure, shape, material or disposition of high density interconnect preforms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0201Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203Cooling of mounted components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0277Bendability or stretchability details
    • H05K1/028Bending or folding regions of flexible printed circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/185Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/007Manufacture or processing of a substrate for a printed circuit board supported by a temporary or sacrificial carrier
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/25Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of a plurality of high density interconnect connectors
    • H01L2224/251Disposition
    • H01L2224/2518Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267Layer and HDI connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212Sequential connecting processes
    • H01L2224/92142Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92144Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape
    • H01L2924/1816Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/18162Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a chip with build-up interconnect
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/30Details of processes not otherwise provided for in H05K2203/01 - H05K2203/17
    • H05K2203/308Sacrificial means, e.g. for temporarily filling a space for making a via or a cavity or for making rigid-flexible PCBs
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49165Manufacturing circuit on or in base by forming conductive walled aperture in base

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

一种制造柔性电子器件的方法,该方法包括:(a)在临时承载件(120)上布置电子部件(110);设置包括粘合层(132)的柔性层叠体(130);以粘合层(132)面向临时承载件(120)的方式将临时承载件(120)和柔性层叠体(130)按压在一起,以使得电子部件(110)被推入粘合层(132)中;以及移除临时承载件(120)。

Description

制造柔性电子器件的方法
技术领域
本发明涉及柔性电子器件,尤其涉及一种制造柔性电子器件的方法。
背景技术
常规地,裸晶片以及其他电子部件被封装在由塑料或树脂制成的模制化合物中。随着对小形状因子和以较低的成本改进性能的持续需求,对于改进的封装方案仍然存在空间。
此外,已经出现对能够承载(deliver,递送、运载)包含非常薄的电子部件或芯片的柔性电子器件——例如供被携带在人的身体上的设备诸如传感器、手表等使用——的封装方案的需求。
尽管已经开发了用于制造柔性封装件的各种方法(参见例如US 2014/110859A1、DE 10 2014 116416 A1以及US 2007/059951 A1),但是还存在对允许以简单且成本效率的方式制造柔性电子器件的改进的方法的需求。
发明内容
为了满足上述需求,提供了一种根据独立权利要求的制造电子器件的方法。
根据本发明的一个示例性实施方案,提供了一种制造柔性电子器件的方法。该方法包括:(a)将电子部件布置在临时承载件上;(b)设置包括粘合层的柔性层叠体(laminate,层压体);(c)以所述粘合层面向所述临时承载件的方式将所述临时承载件和所述柔性层叠体按压在一起,以使得所述电子部件被推入所述粘合层中;以及(d)移除所述临时承载件。
在本申请的上下文中,术语“柔性层叠体”可以具体地表示包括层叠的不同材料和/或具有不同性质的层的柔性(即,可弯曲和/或可变形的)层叠结构。
在本申请的上下文中,术语“电子部件被推入粘合层中”可以具体地表示强迫电子部件进入粘合层中,该粘合层因此相应地变形以便为该电子部件留出空间。由此,除了电子部件的与临时承载件接触的一侧之外,电子部件的所有其他侧均与粘合层的材料接触并因而被粘合层的材料包围。
根据本发明的一个示例性实施方案,包括嵌入式电子部件尤其是超薄部件的柔性电子器件可以通过按压临时承载件(其上放置有电子部件)和柔性层叠体的粘合层彼此抵靠使得电子部件被推入粘合层中而以简单的方式被制造。在按压之后,移除临时承载件。在移除临时承载件之后,电子部件的先前与临时承载件接触的部分(例如该部件的表面)将被露出(即可访问),并且基本上与粘合层的表面平行。电子部件的其余部分将被埋置在粘合层中。因而,电子器件准备好供需要访问该电子部件的自由表面的应用使用。可替代地,可以实施另外的处理步骤,以形成覆盖电子部件的自由表面(或其部分)的附加结构。
在下文中,将说明该方法的另外的示例性实施方案。
在一个实施方案中,所述柔性层叠体还包括柔性层和导电层,所述柔性层被布置在所述导电层和所述粘合层之间。因而,在该实施方案中,柔性层叠体被形成为按照以下顺序布置的(至少)三个层的堆叠体:粘合层、柔性层和导电层。
在一个实施方案中,所述粘合层包括粘合材料,尤其是b阶环氧树脂,并且/或者柔性层包括树脂,尤其是聚酰亚胺,并且/或者导电层包括金属,尤其是选自由铜、铝以及镍组成的组中的金属。通过在粘合层中包括b阶环氧树脂,可以容易地将电子部件按压到粘合层中(在施加或不施加热的情况下)。聚酰亚胺树脂向供各种各样的应用使用的器件提供了优异的柔性特性以及足够的稳定性。导电金属诸如铜可以用于以本领域已知的各种方式形成导电结构。
在一个实施方案中,柔性层叠体包括R-FR10箔或片。更具体地,R-FR10是层叠材料,其包括聚酰亚胺层,在一侧具有铜层并且在另一侧具有b阶粘合层。
在一个实施方案中,粘合层的厚度在5μm至75μm的范围内、尤其是在10μm至60μm的范围内、尤其是在15μm至45μm的范围内、尤其是在20μm至30μm的范围内,并且/或者电子部件的厚度在2μm至50μm的范围内、尤其是在5μm至35μm的范围内、尤其是在10μm至20μm的范围内。可以看出,粘合层足够厚以容纳电子部件,但不显著厚于电子部件。由此,可以根据本发明的方法容易地制造非常薄的挠曲器件。
在一个实施方案中,所述方法还包括以下步骤:布置具有另外的粘合层的另外的柔性层叠体,使所述另外的粘合层面向所述柔性层叠体的粘合层以及所述电子部件。换言之,另外的柔性层叠体(其可以与上述柔性层叠体相同或相似)被布置为使其粘合层面向由上述粘合层和容纳在上述粘合层中的电子部件形成的表面。因而,另外的柔性层叠体被布置成使得其各层与上述柔性层叠体的各层的顺序相比处于相反的顺序。两个柔性层叠体可以被按压在一起(优选地通过施加热),以形成在其中嵌入有电子部件并且在两个外表面上均具有导电层的薄的、基本上平面的电子器件。
在一个实施方案中,所述方法还包括用保护层覆盖所述电子部件的未被所述柔性层叠体的粘合层覆盖的表面的至少一部分的步骤。换言之,电子部件的露出部分被保护层完全地或部分地覆盖。保护层甚至可以覆盖电子部件通过其露出的粘合层的整个表面。覆盖的步骤可以通过以下方式执行:施加足够大以覆盖电子部件和粘合层的整个表面的保护层;然后,如果需要,移除保护层的一部分(例如通过切割),使得粘合层和电子部件的仅期望部分被保护层覆盖。
在一个实施方案中,所述方法还包括形成与所述保护层相邻并且与所述保护层处于基本上相同的平面中的下部导电层的步骤。换言之,形成下部导电层,使得电子器件的下部表面层包括基本上两个部分:下部导电层和保护层。
在一个实施方案中,所述电子部件和所述柔性层叠体形成子组件,并且所述方法还包括:(a)通过(a1)将另外的电子部件布置在另外的临时承载件上;(a2)设置包括另外的粘合层的另外的柔性层叠体;(a3)以所述另外的粘合层面向所述另外的临时承载件的方式将另外的临时承载件和另外的柔性层叠体按压在一起,以使得所述另外的电子部件被推入所述另外的粘合层中;以及(a4)移除所述另外的临时承载件,来形成另外的子组件:以及(b)在所述子组件和所述另外的子组件之间布置释放层,使得第一子组件的粘合层接触所述释放层的一侧,并且所述另外的子组件的另外的粘合层接触所述释放层的另一侧。
简言之,形成与所述子组件相似或相同的另外的子组件。然后,在这两个子组件之间布置释放层,使得每个子组件的相应粘合层接触释放层的相应侧。
在一个实施方案中,所述方法还包括移除释放层的步骤。换言之,在可能的进一步适应(adaption,调整)或添加附加层(取决于待制造的特定电子器件)之后,可以移除释放层并且子组件由此彼此分离,使得最终形成两个电子器件(其可以互连或不互连)。
在一个实施方案中,所述方法还包括在所述粘合层的至少一部分上和/或所述电子部件的未被所述粘合层覆盖的部分上设置下部导电层的步骤。
通过在由电子部件的露出部分和粘合层构成的表面(至少一部分)上形成下部导电层,可以在电子器件中形成两层(通常被称为多层)导电结构。
在一个实施方案中,所述方法还包括布置导热材料层以使来自所述电子部件的热散发的步骤。导热材料可以例如形成在电子部件上或与电子部件热接触(经由上述露出的表面部分或电子器件的其他表面部分),使得电子部件在运行期间产生的热可以从电子器件耗散。
在一个实施方案中,所述方法还包括形成穿过所述柔性层叠体的至少一个孔以提供与所述电子部件的端子的电接触的步骤。孔可以通过钻孔、切割、激光、蚀刻或任何其他合适的技术形成。在一些情况下,随后可以用导电材料填充上述孔以建立电连接。
在一个实施方案中,所述方法还包括移除所述导电层的一部分以形成导电层结构的步骤。换言之,导电层被结构化,使得留下多个分离的(并且电隔离的)导电表面部分,诸如焊盘和迹线(trace)。该结构化可以通过任何合适的技术诸如蚀刻、光刻等来执行。
在一个实施方案中,所述电子部件是超薄柔性电子部件,尤其是有源或无源的超薄柔性电子部件或芯片。
在一个实施方案中,所述电子部件选自由下述组成的组中:有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储设备、滤波器、集成电路、信号处理部件、功率管理部件、光电接口元件、电压转换器、加密部件、发射器和/或接收器、机电换能器、传感器、致动器、微机电系统、微处理器、电容器、电阻器、电感、电池、开关、相机、天线、磁性元件以及逻辑芯片。然而,其他电子部件可以被嵌入在电子器件中。例如,可以使用磁性元件作为电子部件。这样的磁性元件可以是永磁性元件(诸如铁磁元件、反铁磁性元件或铁磁性元件,例如铁氧体磁芯),或者可以是顺磁性元件。这样的电子部件可以被表面安装在部件承载件上,和/或可以嵌入在部件承载件的内部。
在一个实施方案中,所述柔性电子器件被成形为板的形式。这有助于电子器件的紧凑设计,不过其中部件承载件(即,在其中封装或嵌入有电子部件的层状结构)提供用于在其上安装电子部件的大基底。此外,由于裸晶片的厚度小,可以方便地将尤其是作为嵌入式电子部件的优选示例的裸晶片嵌入到薄板诸如印刷电路板中。
在一个实施方案中,所述柔性电子器件被配置为由印刷电路板和基板组成的组中之一。
在本申请的上下文中,术语“印刷电路板”(PCB)可以具体地表示通过将若干导电层结构与若干电绝缘层结构层叠所形成的板形部件承载件,上述形成过程例如通过施加压力进行,如果需要的话伴随有热能的供应。作为用于PCB技术的优选材料,导电层结构由铜制成,而电绝缘层结构可以包括树脂和/或玻璃纤维、所谓的预浸料或FR4材料。通过形成穿过层叠体的通孔(例如通过激光钻孔或机械钻孔),并且通过用导电材料(尤其是铜)填充这些通孔由此形成作为通孔连接件的过孔,各个导电层结构可以以期望的方式彼此连接。除了可以嵌入在印刷电路板中的一个或多个电子部件之外,印刷电路板通常被配置用于在板形印刷电路板的一个表面或两个相反表面上容纳一个或多个电子部件。它们可以通过焊接连接到相应的主表面。
在本申请的上下文中,术语“基板”可以具体地表示与要安装在其上的电子部件具有基本上相同的尺寸的小部件承载件。
本发明的以上限定的方面和其他方面从下文将要描述的实施方案的示例将是明了的,并且被参照实施方案的这些示例进行说明。
附图说明
图1A至图1D示出了在实施根据本发明的一个示例性实施方案的制造柔性电子器件的方法期间获得的结构的截面图。
图2A至图2E示出了在实施根据本发明的一个示例性实施方案的制造柔性电子器件的方法期间获得的结构的截面图。
图3A至图3C示出了在实施根据本发明的一个示例性实施方案的制造柔性电子器件的方法期间获得的结构的截面图。
图4A至图4E示出了在实施根据本发明的一个示例性实施方案的制造柔性电子器件的方法期间获得的结构的截面图。
图5A至图5D示出了在实施根据本发明的一个示例性实施方案的制造柔性电子器件的方法期间获得的结构的截面图。
图6A和图6B示出了在实施根据本发明的一个示例性实施方案的制造柔性电子器件的方法期间获得的结构的截面图。
附图中的图示是示意性的。在不同的附图中,相似或同样的元件被提供有相同的附图标记。
具体实施方式
图1A至图1D示出了在实施根据本发明的一个示例性实施方案的制造柔性电子器件的方法期间获得的结构的截面图。
更具体地,图1A示出了开始制造柔性电子器件的方法所需的单个项,即电子部件110、临时承载件120以及柔性层叠体130。电子部件110优选地是厚度(即,沿图的竖向方向的尺度)在2μm至50μm之间、优选在10μm至20μm之间的柔性裸晶片或柔性芯片。电子部件110在其一个或多个侧面上包括接触端子(未示出)。临时承载件120由合适的刚性承载件材料制成,上述材料诸如为丙烯酸酯、聚乙烯或聚酰亚胺,优选具有硅涂层。柔性层叠体130优选为一块或一片R-FR10或类似材料,并且包括:粘合层132,诸如b阶环氧树脂层;柔性层134,诸如硬化的聚酰亚胺层;以及导电层136,诸如铜层。粘合层的厚度优选在5μm至75μm之间,诸如在30μm至50μm之间。
作为该方法的第一步骤,如图1B所示,将电子部件110布置在临时承载件120上。以粘合层132面向临时承载件120的方式将柔性层叠体130设置在临时承载件120和电子部件110上方。然后,按压临时承载件120和柔性层叠体彼此抵靠,使得电子部件110被推入柔性层叠体130的粘合层132中。这里,可以向临时承载件120和柔性层叠体130中的任一个或两个施加按压力。图1C示出了由按压产生的结构。可以看出,电子部件110现在在除了面向临时承载件120的侧之外的所有侧上均被粘合层132包围。此后,如图1D所示,临时承载件120被移除,即,其与柔性层叠体130和电子部件110分离。由此,电子部件110的下侧112露出,而电子器件的所有的剩余侧均被粘合层132的材料包围。产生的结构138,即柔性层叠体130与容纳在粘合层132中的电子部件110,现在可以以各种各样的方式被进一步处理,诸如通过添加另外的层、结构化导电层136、提供与电子部件110的端子的电接触等。以下对示例性实施方案的描述提供了对这样的进一步处理的示例的非穷尽选择。
图2A至图2E示出了在实施根据本发明的一个示例性实施方案的制造柔性电子器件的方法期间获得的结构的截面图。如图2A所示,本示例性实施方案的起始点是上面结合图1D讨论的结构138和另外的柔性层叠体140。该另外的柔性层叠体140包括粘合层142、柔性层144以及导电层146。换言之,另外的柔性层叠体140的大体结构类似于柔性层叠体130。因而,另外的柔性层叠体可以与柔性层叠体130相同,或者其可以由类似的材料制成但具有不同的尺度,诸如层厚度。具体地,另外的柔性层叠体140可以比柔性层叠体130薄。
如图2B所示,另外的柔性层叠体140被布置成使得粘合层142面向粘合层132和电子部件110。然后,按压这两个柔性层叠体彼此抵靠,并且优选地施加热以将这两个层叠体结合在一起从而形成如图2B所示的整体结构。
接下来,如图2C所示,通过在期望位置处钻孔或蚀刻出孔并用导电材料——优选地为铜——填充这些孔来制备过孔150、152以及154。更具体地,过孔150一直延伸穿过柔性器件,即在各个导电层136和146之间。过孔152延伸穿过器件的对应于另外的柔性层叠体140的部分,即在导电层146和电子部件110之间,并且过孔152用于在导电层146和电子部件110之间提供电接触和/或热接触。类似地,过孔154延伸穿过器件的对应于柔性层叠体130的部分,即在导电层136和电子部件110之间,并且过孔154用于提供导电层136和电子部件110之间的电接触和/或热接触。
此后,移除导电层136和146的选定部分以形成对应的导电结构136’和146’,如图2D所示。最后,将结构的最外部分(朝向图中的两侧)切除或锯除以形成图2E所示的柔性电子器件,其中层叠层的剩余材料被标记为132’、134’、136’、142’、144’以及146’。
图3A至图3C示出了在实施根据本发明的一个示例性实施方案的制造柔性电子器件的方法期间获得的结构的截面图。本示例性实施方案的起始点是上面结合图1D讨论的结构138。如图3A所示,在结构138的表面上施加保护材料(诸如塑料)层150,以覆盖电子部件110的露出部分和粘合层132。然后,如图3B所示,移除(例如切除或蚀刻掉)保护材料的一部分,使得仅保留在电子部件的露出表面112上的保护层151。接下来,如图3C所示,在被移除的保护材料先前所在的地方形成下部导电层152。此外,为了完成柔性电子器件,可以如上面结合图2C至图2E所讨论的执行使导电层136和152互连并结构化以及切割或切削的类似步骤。本实施方案尤其适合于电子部件110是传感器并且传感器的露出表面112应当与外部表面(诸如人的皮肤)接触的应用。
图4A至图4E示出了在实施根据本发明的一个示例性实施方案的制造柔性电子器件的方法期间获得的结构的截面图。如图4A所示,本实施方案的起始点是上面结合图1D讨论的结构138的两个样本138a和138b以及释放层170。更具体地,结构138a和138b被布置成使它们各自的粘合层132面向彼此,并且在它们之间插入释放层170。如图4B所示,将两个结构或子组件138a和138b以及释放层170按压在一起,优选地还施加有热,以形成整体单元。然后,如图4C所示,以与上面结合图2C所讨论的类似的方式,在各个导电层136和电子部件110之间形成下部互连过孔152和上部互连过孔154。接下来,如图4D所概述的并类似于以上结合图2D和图2E的描述,通过移除层136的选定部分形成导电结构136’,并且移除在右手侧和左手侧的多余材料。然后,移除释放层170,并且获得两个分离的结构138a’和138b’。
图5A至图5D示出了在实施根据本发明的一个示例性实施方案的制造柔性电子器件的方法期间获得的结构的截面图。如图5A所示,本示例性实施方案的起始点是如上面结合图1D所讨论的结构138和导电层180,诸如铜层。然后,如图5B所示,在结构138的粘合层132上形成导电层180(例如,使用化学和电镀(galvanic)工艺、丝网印刷、喷墨、分配、PVT或涂覆),使得导电层与电子部件110的露出表面直接接触。由此,导电层180可以另外用于传导热离开电子部件110。导电层还可以被按压或胶合到结构138的粘合层132上,在这种情况下,将在导电材料和电子部件110的表面之间插入薄的介电材料层,使得导热性能可能有所降低。此外,形成类似于上面结合图2C所述的那些过孔的互连过孔150和154。接下来,如图5C所示,通过移除导电材料的多个部分形成上部导电结构136’和下部导电结构181,并且切除两侧的多余材料。可选地(在执行图5C所示的步骤之前或之后),如图5D所示,可以使用粘合层182将导热材料(诸如铜)层185胶合到导电层180上。导热层185可以用于耗散由电子部件110在运行期间产生的热。
图6A和图6B示出了在实施根据本发明的一个示例性实施方案的制造柔性电子器件的方法期间获得的结构的截面图。在该实施方案中,如图6A中所示,如上面结合图1D所讨论的两个结构138被配备有相应的下部导电结构181(还参见图5C)以及过孔150和154,然后在它们之间布置有接合层(bonding layer,粘结层)190使得两个子组件的粘合层132均面向接合层190。然后,如图6B所示,使用接合层190将两个结构接合在一起以形成整体单元。还如图6B所示,形成外部导电结构136’和一直延伸穿过该结构的附加过孔156,并且移除朝向两侧的多余材料。
如上所讨论和例示的,根据本发明的方法提供了一种制造其中嵌入有薄电子部件的柔性电子器件的简单且高度可变的方法。
应当注意,术语“包括”并不排除其他元件或步骤,并且“一个”或“一”并不排除多个。与不同实施方案相关联地描述的元件也可以进行组合。
还应当注意,权利要求中的附图标记不应被解释为限制权利要求的范围。
本发明的实施不限于附图中所示和上述的优选实施方案。相反,使用所示出的方案和根据本发明的原理的多种变型都是可能的,即使在根本不同的实施方案的情况下也如此。

Claims (18)

1.一种制造柔性电子器件的方法,所述方法包括:
将电子部件(110)布置在临时承载件(120)上;
设置包括粘合层(132)的柔性层叠体(130);
以所述粘合层(132)面向所述临时承载件(120)的方式将所述临时承载件(120)和所述柔性层叠体(130)按压在一起,以使得所述电子部件(110)被推入所述粘合层(132)中;以及
移除所述临时承载件(120);
其中,所述柔性层叠体(130)还包括柔性层(134)和导电层(136),所述柔性层(134)布置在所述导电层(136)和所述粘合层(132)之间;并且
其中,所述粘合层(132)包括b阶环氧树脂,所述柔性层(134)包括聚酰亚胺,并且所述导电层(136)包括选自由铜、铝以及镍组成的组中的金属。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述柔性层叠体(130)包括R-FR10箔。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述粘合层(132)的厚度在5μm至75μm的范围内,并且/或者其中,所述电子部件(110)的厚度在2μm至50μm的范围内。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,还包括:
布置具有另外的粘合层(142)的另外的柔性层叠体(140),使所述另外的粘合层面向所述柔性层叠体(130)的所述粘合层(132)以及所述电子部件(110)。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,还包括:
用保护层(161)覆盖所述电子部件(110)的未被所述柔性层叠体(130)的所述粘合层(132)覆盖的表面(112)的至少一部分。
6.根据权利要求5所述的方法,还包括:
形成与所述保护层(161)相邻并且与所述保护层处于相同的平面中的下部导电层(152)。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,所述电子部件(110)和所述柔性层叠体(130)形成子组件(138a、138b),所述方法还包括:
通过以下步骤形成另外的子组件(138b、138a):
将另外的电子部件(110)布置在另外的临时承载件(120)上;
设置包括另外的粘合层(132)的另外的柔性层叠体(130);
以所述另外的粘合层(132)面向所述另外的临时承载件(120)的方式将所述另外的临时承载件(120)和所述另外的柔性层叠体(130)按压在一起,以使得所述另外的电子部件(110)被推入所述另外的粘合层(132)中;以及
移除所述另外的临时承载件(120);并且
在所述子组件(138a、138b)和所述另外的子组件(138b、138a)之间布置释放层(170),以使得所述子组件(138a、138b)的所述粘合层(132)接触所述释放层(170)的一侧,并且使得所述另外的子组件(138b、138a)的所述另外的粘合层(132)接触所述释放层(170)的另一侧。
8.根据权利要求7所述的方法,还包括:
移除所述释放层(170)。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,还包括:
在所述粘合层(132)的至少一部分上和/或所述电子部件(110)的未被所述粘合层(132)覆盖的部分上设置下部导电层(180)。
10.根据权利要求1所述的方法,还包括:
布置导热材料层(185)以使来自所述电子部件(110)的热散发。
11.根据权利要求1所述的方法,还包括:
形成穿过所述柔性层叠体(130)的至少一个孔(150、152、154、156),以提供与所述电子部件(110)的端子的电接触。
12.根据权利要求1所述的方法,还包括:
移除所述导电层(136)的一部分以形成导电层结构(136’)。
13.根据权利要求1所述的方法,其中,所述电子部件(110)是柔性电子部件。
14.根据权利要求1所述的方法,其中,所述电子部件(110)选自由下述组成的组中:电子芯片、存储设备、滤波器、集成电路、信号处理部件、功率管理部件、光电接口元件、电压转换器、加密部件、发射器和/或接收器、机电换能器、传感器、致动器、微机电系统、微处理器、电容器、电阻器、电感、电池、开关、相机、天线、磁性元件以及逻辑芯片。
15.根据权利要求1所述的方法,其中,所述电子部件(110)选自:有源电子部件或无源电子部件。
16.根据权利要求1所述的方法,其中,所述柔性电子器件被成形为板的形式。
17.根据权利要求1所述的方法,其中,所述柔性电子器件被配置为由印刷电路板和基板组成的组中之一。
18.一种柔性电子器件,包括:
电子部件(110),以及
包括粘合层(132)的柔性层叠体(130),
其中,所述柔性电子器件已通过以下步骤制造:
将所述电子部件(110)布置在临时承载件(120)上;
设置包括粘合层(132)的所述柔性层叠体(130);
以所述粘合层(132)面向所述临时承载件(120)的方式将所述临时承载件(120)和所述柔性层叠体(130)按压在一起,以使得所述电子部件(110)被推入所述粘合层(132)中;以及
移除所述临时承载件(120);
其中,所述柔性层叠体(130)还包括柔性层(134)和导电层(136),所述柔性层(134)布置在所述导电层(136)和所述粘合层(132)之间;并且
其中,所述粘合层(132)包括b阶环氧树脂,所述柔性层(134)包括聚酰亚胺,并且所述导电层(136)包括选自由铜、铝以及镍组成的组中的金属。
CN201710069719.4A 2016-02-09 2017-02-08 制造柔性电子器件的方法 Active CN107068576B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016102191.1 2016-02-09
DE102016102191 2016-02-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107068576A CN107068576A (zh) 2017-08-18
CN107068576B true CN107068576B (zh) 2019-11-05

Family

ID=58016556

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710069719.4A Active CN107068576B (zh) 2016-02-09 2017-02-08 制造柔性电子器件的方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10617012B2 (zh)
EP (1) EP3206229B1 (zh)
CN (1) CN107068576B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2842213T3 (es) * 2013-11-01 2021-07-13 Ppg Ind Ohio Inc Métodos para transferir materiales eléctricamente conductores
US10264669B2 (en) * 2015-05-01 2019-04-16 Research Triangle Institute Flexible electronic assemblies with embedded electronic devices and methods for their fabrication
US20170196094A1 (en) * 2015-12-30 2017-07-06 AT&S Austria Electronic component packaged in a flexible component carrier
US10527487B2 (en) 2016-05-31 2020-01-07 Future Technologies In Sport, Inc. System and method for sensing high-frequency vibrations on sporting equipment
CN110221523B (zh) * 2018-03-01 2021-09-24 奥特斯科技(重庆)有限公司 用于曝光机的板件的保持装置
KR102551217B1 (ko) * 2018-03-16 2023-07-03 삼성전기주식회사 캐리어 기판 및 이를 이용하는 제조된 인쇄회로기판
EP3557608A1 (en) * 2018-04-19 2019-10-23 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Packaged integrated circuit with interposing functionality and method for manufacturing such a packaged integrated circuit
EP3648159B1 (en) 2018-10-31 2021-12-15 Infineon Technologies Austria AG Semiconductor package and method of fabricating a semiconductor package
WO2020132995A1 (zh) * 2018-12-26 2020-07-02 天津大学 具有集成电路模块和声波滤波器模块的柔性系统
CN109904148B (zh) * 2018-12-26 2023-07-04 天津大学 具有集成电路模块和声波滤波器模块的柔性系统
US11711892B2 (en) * 2019-07-15 2023-07-25 Velvetwire Llc Method of manufacture and use of a flexible computerized sensing device
US11502012B2 (en) 2020-01-28 2022-11-15 Infineon Technologies Ag Semiconductor packages and methods of manufacturing thereof
US11532541B2 (en) * 2020-01-28 2022-12-20 Infineon Technologies Ag Semiconductor package having a solderable contact pad formed by a load terminal bond pad of a power semiconductor die
US20240023285A1 (en) * 2022-07-13 2024-01-18 Quantum-Si Incorporated Flexible metal chip cooling interface

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1366444A (zh) * 2000-12-27 2002-08-28 松下电器产业株式会社 部件内置模块及其制造方法
CN103348777A (zh) * 2011-01-26 2013-10-09 At&S奥地利科技与系统技术股份公司 将电子元件集成到印制电路板或印制电路板中间产品中的方法,以及印制电路板或印制电路板中间产品

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6027958A (en) * 1996-07-11 2000-02-22 Kopin Corporation Transferred flexible integrated circuit
US20020070443A1 (en) * 2000-12-08 2002-06-13 Xiao-Chun Mu Microelectronic package having an integrated heat sink and build-up layers
DE10122324A1 (de) * 2001-05-08 2002-11-14 Philips Corp Intellectual Pty Flexible integrierte monolithische Schaltung
US8704359B2 (en) 2003-04-01 2014-04-22 Ge Embedded Electronics Oy Method for manufacturing an electronic module and an electronic module
EP1668745B1 (en) 2003-09-30 2011-08-31 International Business Machines Corporation Flexible assembly of stacked chips
US7292381B1 (en) * 2005-09-08 2007-11-06 Hrl Laboratories, Llc Method for conforming a micro-electronic array to arbitrary shapes
JP4866268B2 (ja) * 2007-02-28 2012-02-01 新光電気工業株式会社 配線基板の製造方法及び電子部品装置の製造方法
FI121909B (fi) 2008-04-18 2011-05-31 Imbera Electronics Oy Piirilevy ja menetelmä sen valmistamiseksi
DE102008040906A1 (de) * 2008-07-31 2010-02-04 Robert Bosch Gmbh Leiterplatine mit elektronischem Bauelement
KR101058621B1 (ko) * 2009-07-23 2011-08-22 삼성전기주식회사 반도체 패키지 및 이의 제조 방법
JP5042297B2 (ja) * 2009-12-10 2012-10-03 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
US9082881B1 (en) 2010-10-04 2015-07-14 American Semiconductor, Inc. Semiconductor on polymer substrate
TWI413475B (zh) * 2011-03-09 2013-10-21 Subtron Technology Co Ltd 電氣結構製程及電氣結構
US9532466B2 (en) * 2011-12-22 2016-12-27 Haesung Ds Co., Ltd. Method of manufacturing multi-layer circuit board and multi-layer circuit board manufactured by using the method
US9451696B2 (en) 2012-09-29 2016-09-20 Intel Corporation Embedded architecture using resin coated copper
US9171794B2 (en) 2012-10-09 2015-10-27 Mc10, Inc. Embedding thin chips in polymer
US9013017B2 (en) 2012-10-15 2015-04-21 Stmicroelectronics Pte Ltd Method for making image sensors using wafer-level processing and associated devices
DE102013102541A1 (de) * 2013-03-13 2014-09-18 Schweizer Electronic Ag Elektronisches Bauteil, Verfahren zu dessen Herstellung und Leiterplatte mit elektronischem Bauteil
AT514074B1 (de) * 2013-04-02 2014-10-15 Austria Tech & System Tech Verfahren zum Herstellen eines Leiterplattenelements
US9820384B2 (en) 2013-12-11 2017-11-14 Intel Corporation Flexible electronic assembly method
KR101614370B1 (ko) * 2015-04-07 2016-04-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자, 반도체 발광소자의 이송 헤드, 및 반도체 발광소자를 이송하는 방법
US20170196094A1 (en) * 2015-12-30 2017-07-06 AT&S Austria Electronic component packaged in a flexible component carrier

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1366444A (zh) * 2000-12-27 2002-08-28 松下电器产业株式会社 部件内置模块及其制造方法
CN103348777A (zh) * 2011-01-26 2013-10-09 At&S奥地利科技与系统技术股份公司 将电子元件集成到印制电路板或印制电路板中间产品中的方法,以及印制电路板或印制电路板中间产品

Also Published As

Publication number Publication date
EP3206229A1 (en) 2017-08-16
US20170231098A1 (en) 2017-08-10
CN107068576A (zh) 2017-08-18
EP3206229B1 (en) 2020-10-07
US10617012B2 (en) 2020-04-07
US20200205296A1 (en) 2020-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107068576B (zh) 制造柔性电子器件的方法
CN107787112B (zh) 具有电子元件的印刷电路板、其制造方法及电子元件模块
KR101976602B1 (ko) 인쇄회로 기판 및 그 제조 방법
US8745860B2 (en) Method for manufacturing printed wiring board
US20180130761A1 (en) Semiconductor package, manufacturing method thereof, and electronic element module using the same
EP0664562A1 (en) Ball grid array plastic package
US10595414B2 (en) Component carrier and manufacturing method
US8729710B1 (en) Semiconductor package with patterning layer and method of making same
EP3582593B1 (en) Method of manufacturing a component carrier with a stepped cavity and a stepped component assembly being embedded within the stepped cavity
CN108231609A (zh) 通过部件固定结构将部件嵌入部件承载件中
KR101253401B1 (ko) 본딩용 패드의 제조 방법
TW201810443A (zh) 連接電子組件至基板
JP2018046297A (ja) 回路基板
KR102194721B1 (ko) 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
US20170196094A1 (en) Electronic component packaged in a flexible component carrier
CN109587929A (zh) 电路基板和电路组件
KR101693747B1 (ko) 전자소자 내장 기판 및 그 제조 방법
CN108934122B (zh) 内置电子部件的印刷电路板
JPWO2014054353A1 (ja) 電子部品内蔵モジュール及び通信端末装置
EP1627428A1 (en) An integrated circuit package employing a head-spreader member
CN108307591A (zh) 通过在安装于部件承载件材料之前用附着物覆盖部件制造的部件承载件
US11410965B2 (en) Electronic device with embedded component carrier
KR101130608B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조방법
CN107731698B (zh) 集成电路封装件、封装基板及其制造方法
CN112349661A (zh) 电子组件模块及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant