JP6798660B2 - 複合基板の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、複合基板の製造方法に関し、特に、可溶性液晶ポリマー含有の液晶ポリマー層による複合基板の製造方法に関する。
基板（例えば、高周波基板）の製造中、通常、穿孔作業が含まれ、その後、孔に導電材料を充填して導電性通路を形成することは、一般的である。しかしながら、上記の操作は、複雑であるため、多くの導電性通路又は高密度の導電性通路を有する構造設計を満たすことができない。
これに鑑みて、基板の新規な製造方法を提供する必要がある。
本開示内容は、第１の導電層を第１の液晶ポリマー層に形成する工程と、第１の導電層をパターニングして、パターニングされた第１の導電層を形成する工程と、パターニングされた第１の導電層を覆うように、可溶性液晶ポリマー含有の第２の液晶ポリマー層を形成する工程と、パターニングされた第１の導電層に位置する第２の液晶ポリマー層を取り除く工程と、を備える複合基板の製造方法を提供する。第２の液晶ポリマー層内でパターニングされた第１の導電層を形成する操作は、如何なる穿孔及び孔に導電材料を充填する操作を必要としない。そのため、この製造方法はかなり簡単であり、設計のニーズに対応するようにパターニングされた第１の導電層の操作によって第２の液晶ポリマー層内のパターニングされた第１の導電層配置を容易に調整することができる。
ある実施形態において、パターニングされた第１の導電層を覆うように、第２の液晶ポリマー層を形成することは、可溶性液晶ポリマー及び溶剤を含む混合物を第１の液晶ポリマー層に塗布する工程と、溶剤を取り除いて第２の液晶ポリマー層を形成する工程と、を含む。
ある実施形態において、可溶性液晶ポリマーは、下記式に示すような繰り返し単位を含む。
Figure 0006798660
 （Ａｒは１，４−フェニレン（１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、１，３−フェニレン（１，３−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、２，６−ナフタレン（２，６−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）又は４，４′−ビフェニレン（４，４′−ｂｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）であり、Ｙは−Ｏ−又は−ＮＨ−であり、Ｚは−Ｃ＝Ｏ−であり、Ｘはアミノ、カルボキサミド、イミド、アミジノ、アミノカルボニルアミノ、アミノチオカルボニル、アミノカルボニルオキシ、アミノスルホニル、アミノスルホニルオキシ、アミノスルホニルアミノ、カルボキシルエステル、（カルボキシルエステル）アミノ、（アルコキシカルボニル）オキシ、アルコキシカルボニル、ヒドロキシアミノ、アルコキシアミノ、シアナト、イソシアナト又はそれらの組み合わせである）。
ある実施形態において、可溶性液晶ポリマーは、液晶芳香族ポリエステルである。
ある実施形態において、パターニングされた第１の導電層に位置する第２の液晶ポリマー層を取り除いた後で、第２の導電層をパターニングされた第１の導電層に形成することを更に備える。
ある実施形態において、第２の導電層をパターニングされた第１の導電層に形成する前に、パターニングされた第１の導電層に直接接触する接合構造を形成することを更に備える。
ある実施形態において、接合構造の材料は、はんだ又は異方性導電材料を含む。
ある実施形態において、第１の導電層をパターニングして、パターニングされた第１の導電層を形成する前に、接合層を第１の導電層に形成することを更に備える。
ある実施形態において、接合層の材料は、はんだ又は異方性導電材料を含む。
ある実施形態において、第２の導電層をパターニングされた第１の導電層に形成する前に、接合層をパターニングされた第１の導電層に形成することを更に備える。
ある実施形態において、第２の導電層をパターニングされた第１の導電層に形成した後で、第２の導電層と接合層をパターニングすることを更に備える。
ある実施形態において、接合層の材料は、はんだ又は異方性導電材料を含む。
ある実施形態において、第１の導電層をパターニングして、パターニングされた第１の導電層を形成することは、第１の導電層をパターニングして導電性回路、及び導電性回路よりも厚い導電性カラムを形成ことを含む。
前記一般的な叙述及び下記具体的な説明は、単に例示的及び解釈的なものであり、要求された本発明の更なる説明を提供することを目的とすることは、理解すべきである。
本発明の上記及びその他の態様、特徴及びメリットは、添付図面に合わせて明細書を参照することで、より分かりやすくなる。
本開示内容の一実施形態による複合基板のプロセスの異なる段階での様子を示す断面模式図である。 本開示内容の一実施形態による複合基板のプロセスの異なる段階での様子を示す断面模式図である。 本開示内容の一実施形態による複合基板のプロセスの異なる段階での様子を示す断面模式図である。 本開示内容の一実施形態による複合基板のプロセスの異なる段階での様子を示す断面模式図である。 本開示内容の一実施形態による複合基板のプロセスの異なる段階での様子を示す断面模式図である。 本開示内容の一実施形態による複合基板のプロセスの異なる段階での様子を示す断面模式図である。 本開示内容の一実施形態による複合基板のプロセスの異なる段階での様子を示す断面模式図である。 本開示内容の一実施形態による複合基板のプロセスの異なる段階での様子を示す断面模式図である。 本開示内容の一実施形態による複合基板のプロセスの異なる段階での様子を示す断面模式図である。 本開示内容の一実施形態による複合基板のプロセスの異なる段階での様子を示す断面模式図である。 本開示内容の一実施形態による複合基板のプロセスの異なる段階での様子を示す断面模式図である。 本開示内容の一実施形態による複合基板のプロセスの異なる段階での様子を示す断面模式図である。 本開示内容の一実施形態による複合基板のプロセスの異なる段階での様子を示す断面模式図である。 本開示内容の一実施形態による複合基板のプロセスの異なる段階での様子を示す断面模式図である。 本開示内容の一実施形態による複合基板のプロセスの異なる段階での様子を示す断面模式図である。 本開示内容の一実施形態による複合基板のプロセスの異なる段階での様子を示す断面模式図である。 本開示内容の一実施形態による複合基板のプロセスの異なる段階での様子を示す断面模式図である。
添付図面及び以下に述べられる多様の実施例を参照すると、本開示内容の記述をより詳細化し充実させることができる。図面において同じ番号は、同じ又は類似の素子を示す。
以下、図面で本開示内容の複数の実施形態を説明する。明らかに説明するために、下記で多くの実際の細部を合わせて説明する。しかしながら、理解すべきなのは、これらの実際の細部が、本開示内容を制限するためのものではないことである。つまり、本開示内容の実施形態の一部において、これらの実際の細部は、必ずしも必要ではないことである。また、図面を簡略化するために、ある従来慣用の構造及び素子については、図面において簡単で模式的に示される。
本開示内容は、複合基板の製造方法を提供する。図１Ａ〜図１Ｇは、本開示内容の一実施形態による複合基板のプロセスの異なる段階での様子を示す断面模式図である。
図１Ａを参照されたい。第１の液晶ポリマー層１１０に第１の導電層１２０を形成し、第１の導電層１２０にフォトレジスト１３０を形成する。例として、第１の液晶ポリマー層１１０の材料は、芳香族ポリエステル、芳香族ポリアミド、ポリパラフェニレンテレフタルアミド、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール及びｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸との共重合体から選ばれた１種又は多種であるが、これらに限定されない。一実施形態において、第１の導電層１２０の材料は、銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、亜鉛、マンガン、コバルト、金、錫、鉛、ステンレス鋼又はそれらの金属の合金を含む。例として、第１の導電層１２０は、例えば、銅箔、アルミニウム箔、銀箔、錫箔又は／及び金箔のような金属箔（ｍｅｔａｌ ｆｏｉｌ）であってもよい。フォトレジスト１３０は、フォトレジスト１３０ａ及びフォトレジスト１３０ｂを含み、フォトレジスト１３０ａがフォトレジスト１３０ｂよりも厚い。ある実施形態において、グレースケールマスク（ｇｒａｙ ｓｃａｌｅ ｍａｓｋ）によってフォトレジスト１３０を形成してよい。例として、グレースケールマスク（ｇｒａｙ ｓｃａｌｅ）は、ハーフトーン（ｈａｌｆ−ｔｏｎｅ）マスク又はグレートーンマスク（ｇｒａｙ−ｔｏｎｅ）マスクである。
図１Ｂを参照されたい。第１の導電層１２０をパターニングして、パターニングされた第１の導電層１２０’を形成する。ある実施形態において、ドライエッチングによって第１の導電層１２０をパターニングする。フォトレジスト１３０がフォトレジスト１３０ａ、及びフォトレジスト１３０ａと異なる厚さのフォトレジスト１３０ｂを含むため、パターニングされた第１の導電層１２０’は、導電性カラム１２０ａ及び導電性カラム１２０ａと異なる厚さの導電性回路１２０ｂを含むこともある。フォトレジスト１３０ａがフォトレジスト１３０ｂよりも厚いため、導電性カラム１２０ａは、導電性回路１２０ｂよりも厚い。
図１Ｃを参照されたい。第１の液晶ポリマー層１１０、導電性カラム１２０ａ及び導電性回路１２０ｂを覆うように、可溶性液晶ポリマー含有の第２の液晶ポリマー層１４０を形成する。ある実施形態において、第２の液晶ポリマー層１４０を形成することは、可溶性液晶ポリマー及び溶剤を含む混合物を第１の液晶ポリマー層１１０、導電性カラム１２０ａ及び導電性回路１２０ｂに塗布する工程と、溶剤を取り除いて第２の液晶ポリマー層１４０を形成する工程と、を備える。
可溶性液晶ポリマーは、下記式に示すような繰り返し単位を含む。
Figure 0006798660
 （Ａｒは１，４−フェニレン（１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、１，３−フェニレン（１，３−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、２，６−ナフタレン（２，６−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）又は４，４′−ビフェニレン（４，４′−ｂｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）であってもよく、Ｙは−Ｏ−又は−ＮＨ−であってもよく、Ｚは−Ｃ＝Ｏ−であってもよく、Ｘはアミノ（ａｍｉｎｏ）、カルボキサミド（ｃａｒｂｏｘａｍｉｄｏ）、イミド（ｉｍｉｄｏ又はｉｍｉｎｏ）、アミジノ（ａｍｉｄｉｎｏ）、アミノカルボニルアミノ（ａｍｉｎｏｃａｒｂｏｎｙｌａｍｉｎｏ）、アミノチオカルボニル（ａｍｉｎｏｔｈｉｏｃａｒｂｏｎｙｌ）、アミノカルボニルオキシ（ａｍｉｎｏｃａｒｂｏｎｙｌｏｘｙ）、アミノスルホニル（ａｍｉｎｏｓｕｌｆｏｎｙｌ）、アミノスルホニルオキシ（ａｍｉｎｏｓｕｌｆｏｎｙｌｏｘｙ）、アミノスルホニルアミノ（ａｍｉｎｏｓｕｌｆｏｎｙｌａｍｉｎｏ）、カルボキシルエステル（ｃａｒｂｏｘｙｌ ｅｓｔｅｒ）、（カルボキシルエステル）アミノ（（ｃａｒｂｏｘｙｌ ｅｓｔｅｒ）ａｍｉｎｏ）、（アルコキシカルボニル）オキシ（（ａｌｋｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ）ｏｘｙ）、アルコキシカルボニル（ａｌｋｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ）、ヒドロキシアミノ（ｈｙｄｒｏｘｙａｍｉｎｏ）、アルコキシアミノ（ａｌｋｏｘｙａｍｉｎｏ）、シアナト（ｃｙａｎａｔｏ）、イソシアナト（ｉｓｏｃｙａｎａｔｏ）又はそれらの組み合わせであってもよいが、これらに限定されない。）
ある実施形態において、可溶性液晶ポリエステルが液晶芳香族ポリエステルであるため、液晶芳香族ポリエステル及び溶剤を含む混合物は、液晶芳香族ポリエステル溶液と呼ばれてよい。液晶芳香族ポリエステルは、溶剤において優れた溶解度がある。液晶芳香族ポリエステルの重量百分率は、約１ｗｔ％〜約８５ｗｔ％、例えば５ｗｔ％、１５ｗｔ％、２５ｗｔ％、３５ｗｔ％、４５ｗｔ％、５５ｗｔ％、６５ｗｔ％又は７５ｗｔ％である。液晶芳香族ポリエステルの重量百分率が１ｗｔ％よりも小さい場合、第２の液晶ポリマー層１４０に必要な厚さを持たせるように、複数回の塗布プロセスを繰り返す必要があり、かなり時間及びコストがかかる。しかしながら、液晶芳香族ポリエステルの重量百分率が８５ｗｔ％よりも大きい場合、この液晶芳香族ポリエステルは、溶剤に溶解しにくくなり、糊化（ｇｅｌａｔｉｎｉｚａｔｉｏｎ）が発生する。
例として、液晶芳香族ポリエステル溶液の溶剤は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、エチレングリコールモノブチルエーテル及びエチレングリコールモノエチルエーテルからなる群から選ばれてよい。
ある実施形態において、液晶芳香族ポリエステル溶液は、後で形成される液晶ポリマー層の性質を調整するように、１種又は多種の添加剤を更に含む。ある実施形態において、添加剤は、安定剤、潤滑剤、充填剤、着色剤、硬化剤、可塑剤及び／又は酸化防止剤を含むが、これらに限定されない。例として、添加剤は、後で生成される液晶高分子層の電気性を高め、この層の誘電率（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｃｏｎｓｔａｎｔ；Ｄｋ）及び誘電損失（ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ Ｆａｃｔｏｒ；Ｄｆ）を低下させるように、表面処理されたポリテトラフルオロエチレン（ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ；ＰＴＦＥ）を含んでよい。例として、添加剤は、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）３）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、及び上記の組み合わせからなる群から選ばれる無機充填剤と、例えばチタン酸バリウム及びチタン酸バリウムのような高誘電性充填剤と、例えばチタン酸カリウム及びホウ酸アルミニウムのようなウィスカーと、例えば硬化エポキシ樹脂、架橋ベンゾグアナミン樹脂、及び架橋アクリルポリマーのような有機充填剤と、シランカップリング剤と、酸化防止剤と、ＵＶ吸収剤と、を含んでよいが、これらに限定されない。
他の実施形態において、可溶性芳香族ポリマー及び溶剤を含む混合物は、更に芳香族ポリマーを含有する。芳香族ポリマーは、芳香族ポリエステル（ａｒｏｍａｔｉｃ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ）、芳香族ポリアミド（ａｒｏｍａｔｉｃ ｐｏｌｙａｍｉｄｅ）、ポリパラフェニレンテレフタルアミド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ；ＰＰＴＡ）、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール（ｐｏｌｙ（ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−２，６−ｂｅｎｚｏｂｉｓｏｘａｚｏｌｅ；ＰＢＯ）及びｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸との共重合体（ｐｏｌｙ（ｐ −ｈｙｄｒｏｘｙｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ−ｃｏ−２−ｈｙｄｒｏｘｙ −６−ｎａｐｈｔｈｏｉｃ ａｃｉｄ））から選ばれた１種又は多種である。
図１Ｄを参照されたい。パターニングされた第１の導電層１２０’に位置する第２の液晶ポリマー層１４０を取り除いて、パターニングされた第１の導電層１２０’の導電性カラム１２０ａを露出させる。例として、研削によって第２の液晶ポリマー層１４０を取り除く。
図１Ｅを参照されたい。パターニングされた第１の導電層１２０’の導電性カラム１２０ａに直接接触するように、接合構造Ｗ１をパターニングされた第１の導電層１２０’の導電性カラム１２０ａに形成する。ある実施形態において、接合構造Ｗ１は、以下の操作によって形成される。接合層を第２の液晶ポリマー層１４０及びパターニングされた第１の導電層１２０’に形成してから、接合層をパターニングして接合構造Ｗ１を形成する。ある他の実施形態において、接合構造Ｗ１を略す。ある実施形態において、接合構造Ｗ１の材料は、はんだ又は異方性導電材料を含む。ある実施形態において、接合層は、溶接層（ｗｅｌｄｉｎｇ ｌａｙｅｒ）又は異方性導電膜（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｆｉｌｍ；ＡＣＦ）である。ある実施形態において、接合構造Ｗ１の材料は、単一の金属又は金属合金を含む。例として、接合構造Ｗ１の材料は、例えば錫又は錫鉛のような、銅と共に合金を形成可能な単一の金属又は金属合金である。ある実施形態において、接合構造Ｗ１は、はんだボールである。
図１Ｆを参照されたい。第２の導電層１５０を第２の液晶ポリマー層１４０及び接合構造Ｗ１に形成する。ある実施形態において、接合構造Ｗ１によって第２の導電層１５０を導電性カラム１２０ａに密着させる。ある実施形態において、一部の接合構造Ｗ１の材料と第２の導電層１５０の材料とは、合金を形成する。一実施形態において、第２の導電層１５０の材料は、銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、亜鉛、マンガン、コバルト、金、錫、鉛、ステンレス鋼又はそれらの金属の合金を含む。例として、第２の導電層１５０は、例えば、銅箔、アルミニウム箔、銀箔、錫箔又は／及び金箔のような金属箔（ｍｅｔａｌ ｆｏｉｌ）であってもよい。
図１Ｇを参照されたい。第２の導電層１５０をパターニングして、パターニングされた第２の導電層１５０’を形成する。図１Ｇに示すような構造は、複合基板１００である。ある実施形態において、パターニングされた第２の導電層１５０’は、導電性カラム及び導電性回路を含み、導電性カラムが導電性回路よりも厚い（未図示）。図１Ｂ〜図１Ｇに示す操作によれば、図１Ｇに示すようなパターニングされた第１の導電層１２０’及び第２の液晶ポリマー層１４０に図１Ｇに示すような導電性カラム１２０ａ、導電性回路１２０ｂ、第２の液晶ポリマー層１４０、パターニングされた第２の導電層１５０’及び接合構造Ｗ１と類似する層状構造を形成してよい。図１Ｂ〜図１Ｇに示す操作を繰り返して行うと、パターニングされた第１の導電層１２０’及び第２の液晶ポリマー層１４０に多層の層状構造を形成することができる。
注意すべきなのは、本開示内容において、第２の液晶ポリマー層１４０で第２の導電層１５０に電気的に接続される導電性カラム１２０ａを形成する操作は、如何なる穿孔及び孔に導電材料を充填する操作を完全に必要としないことである。そのため、本開示内容における複合基板１００の製造方法はかなり簡単であり、且つ設計のニーズに対応するように導電性カラム１２０ａの数、密度及び分布を容易に調整することができる。
本開示内容は、別の複合基板の製造方法を提供する。図２Ａ〜図２Ｆは、本開示内容の一実施形態による複合基板のプロセスの異なる段階での様子を示す断面模式図である。
図２Ａを参照されたい。第１の液晶ポリマー層２１０に第１の導電層２２０及び接合層Ｗ２を形成してから、接合層Ｗ２にフォトレジスト２３０を形成する。ある実施形態において、第１の液晶ポリマー層２１０に第１の導電層２２０を形成して、第１の導電層２２０に接合層Ｗ２を形成してから、また接合層Ｗ２にフォトレジスト２３０を形成する。ある実施形態において、予め第１の導電層２２０に接合層Ｗ２を形成してから、接合層Ｗ２が覆われた第１の導電層２２０を第１の液晶ポリマー層２１０に形成してから、また接合層Ｗ２にフォトレジスト２３０を形成する。ある他の実施形態において、接合層Ｗ２を略す。ある実施形態において、接合層Ｗ２の材料は、はんだ又は異方性導電材料を含む。ある実施形態において、接合層Ｗ２は、溶接層又は異方性導電膜である。ある実施形態において、接合層Ｗ２の材料は、例えば錫又は錫鉛のような、銅と共に合金を形成可能な単一の金属又は金属合金である。
図２Ｂを参照されたい。第１の導電層２２０及び接合層Ｗ２をパターニングして、パターニングされた第１の導電層２２０’、及びパターニングされた第１の導電層２２０’の導電性カラム２２０ａに位置するパターニングされた接合層Ｗ２’を形成する。ある実施形態において、ドライエッチングによって第１の導電層２２０及び接合層Ｗ２をパターニングする。フォトレジスト２３０がフォトレジスト２３０ａ及びフォトレジスト２３０ａと異なる厚さのフォトレジスト２３０ｂを含むため、パターニングされた第１の導電層２２０’は、導電性カラム２２０ａ及び導電性カラム２２０ａと異なる厚さの導電性回路２２０ｂも含む。フォトレジスト２３０ａがフォトレジスト２３０ｂよりも厚いため、導電性カラム２２０ａは、導電性回路２２０ｂよりも厚い。
図２Ｃを参照されたい。可溶性液晶ポリマー含有の第２の液晶ポリマー層２４０を第１の液晶ポリマー層２１０、導電性カラム２２０ａ、導電性回路２２０ｂ及びパターニングされた接合層Ｗ２’に形成する。第２の液晶ポリマー層２４０の実施例又は実施形態は、上記の第２の液晶ポリマー層１４０に関する説明と同じ又は類似してよい。
図２Ｄを参照されたい。パターニングされた第１の導電層２２０’に位置する第２の液晶ポリマー層２４０を取り除いてパターニングされた接合層Ｗ２’を露出させる。
図２Ｅを参照されたい。第２の導電層２５０を第２の液晶ポリマー層２４０及びパターニングされた接合層Ｗ２’に形成する。パターニングされた接合層Ｗ２’によって、第２の導電層２５０を導電性カラム２２０ａに密着させることができる。他の実施形態において、一部のパターニングされた接合層Ｗ２’の材料と第２の導電層２５０の材料とは、合金を形成する。ある実施形態において、第２の導電層２５０の材料は、銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、亜鉛、マンガン、コバルト、金、錫、鉛、ステンレス鋼又はそれらの金属の合金を含む。例として、第２の導電層２５０は、例えば、銅箔、アルミニウム箔、銀箔、錫箔又は／及び金箔のような金属箔であってもよい。
図２Ｆを参照されたい。第２の導電層２５０をパターニングして、パターニングされた第２の導電層２５０’を形成する。図２Ｆに示すような構造は、複合基板２００である。
ある実施形態において、図２Ａ〜図２Ｅに示す操作によれば、図２Ｅに示すようなパターニングされた第１の導電層２２０’及び第２の液晶ポリマー層２４０に図２Ｅに示すような導電性カラム２２０ａ、導電性回路２２０ｂ、第２の液晶ポリマー層２４０、第２の導電層２５０及びパターニングされた接合層Ｗ２’と類似する層状構造を形成してよい。図２Ａ〜図２Ｅに示す操作を繰り返して行うと、図２Ｅに示すようなパターニングされた第１の導電層２２０’及び第２の液晶ポリマー層２４０に多層の層状構造を形成することができる。
注意すべきなのは、本開示内容において、第２の液晶ポリマー層２４０で第２の導電層２５０に電気的に接続される導電性カラム２２０ａを形成する過程の中で、如何なる穿孔及び孔に導電材料を充填する操作を完全に必要としないことである。そのため、本開示内容の複合基板２００の製造方法はかなり簡単であり、且つ設計のニーズに対応するように導電性カラム２２０ａの数、密度及び分布を容易に調整することができる。
本開示内容は、別の複合基板の製造方法を提供する。図３Ａ〜図３Ｄは、本開示内容の一実施形態による複合基板のプロセスの異なる段階での様子を示す断面模式図である。
図３Ａを参照されたい。第１の液晶ポリマー層３１０、パターニングされた導電層３２０’及び第２の液晶ポリマー層３３０を収納する。パターニングされた導電層３２０’は、導電性カラム３２０ａ及び導電性回路３２０ｂを含む。第１の液晶ポリマー層３１０、導電性カラム３２０ａ、導電性回路３２０ｂ及び第２の液晶ポリマー層３３０の実施例又は実施形態は、上記の第１の液晶ポリマー層１１０、導電性カラム１２０ａ、導電性回路１２０ｂ及び第２の液晶ポリマー層１４０に関する説明と同じ又は類似してよい。
図３Ｂを参照されたい。接合層Ｗ３をパターニングされた導電層３２０’及び第２の液晶ポリマー層３３０に形成する。ある実施形態において、接合層Ｗ３を略す。ある実施形態において、接合層Ｗ３の材料は、はんだ又は異方性導電材料を含む。接合層Ｗ３は、溶接層又は異方性導電膜である。ある実施形態において、接合層Ｗ３の材料は、例えば錫又は錫鉛のような、銅と共に合金を形成可能な単一の金属又は金属合金である。
図３Ｃを参照されたい。第２の導電層３４０を接合層Ｗ３に形成する。接合層Ｗ３によって第２の導電層３４０を導電性カラム３２０ａに密着させることができる。他の実施形態において、一部の接合層Ｗ３材料と第２の導電層３４０の材料とは、合金を形成する。ある実施形態において、第２の導電層３４０の材料は、銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、亜鉛、マンガン、コバルト、金、錫、鉛、ステンレス鋼又はそれらの金属の合金を含む。例として、第２の導電層３４０は、例えば、銅箔、アルミニウム箔、銀箔、錫箔又は／及び金箔のような金属箔であってもよい。
図３Ｄを参照されたい。第２の導電層３４０及び接合層Ｗ３をパターニングして、パターニングされた第２の導電層３４０’及びパターニングされた接合層Ｗ３’を形成する。図３Ｄに示すような構造は、複合基板３００である。ある実施形態において、エッチングによって第２の導電層３４０及び接合層Ｗ３をパターニングする。ある実施形態において、パターニングされた第２の導電層３４０’及びパターニングされた接合層Ｗ３’は、導電性カラム及び導電性回路を含み、導電性カラムが導電性回路よりも厚い（未図示）。図３Ａ〜図３Ｄに示す工程によれば、パターニングされた導電層３２０’及び第２の液晶ポリマー層３３０に図３Ｄに示すような導電性カラム３２０ａ、導電性回路３２０ｂ、第２の液晶ポリマー層３３０、パターニングされた第２の導電層３４０’及びパターニングされた接合層Ｗ３’と類似する層状構造を形成してよい。図３Ａ〜図３Ｄに示す工程を繰り返して行うと、パターニングされた導電層３２０’及び第２の液晶ポリマー層３３０に多層の層状構造を形成することができる。
注意すべきなのは、本開示内容において、第２の液晶ポリマー層３３０で第２の導電層３４０に電気的に接続される導電性カラム３２０ａを形成する過程の中で、如何なる穿孔及び孔に導電材料を充填する操作を完全に必要としないことである。そのため、本開示内容の複合基板３００の製造方法はかなり簡単であり、且つ設計のニーズに対応するように導電性カラム３２０ａの数、密度及び分布を容易に調整することができる。
本開示内容の実施形態を前述の通りに開示したが、これは、本発明を限定するものではなく、当業者であれば、本発明の精神と範囲から逸脱しない限り、多様の変更や修飾を加えてもよく、いずれも本開示内容の範囲に含まれる。
１００、２００、３００ 複合基板
１１０、２１０、３１０ 第１の液晶ポリマー層
１２０、２２０ 第１の導電層
１２０’、２２０’、３２０’ パターニングされた第１の導電層
１２０ａ、２２０ａ、３２０ａ 導電性カラム
１２０ｂ、２２０ｂ、３２０ｂ 導電性回路
１３０、２３０、３３０、１３０ａ、１３０ｂ、２３０ａ、２３０ｂ フォトレジスト
１４０、２４０、３４０ 第２の液晶ポリマー層
１５０、２５０、３４０ 第２の導電層
１５０’、２５０’ パターニングされた第２の導電層
Ｗ１ 接合構造
Ｗ２、Ｗ３ 接合層
Ｗ２’、Ｗ３’ パターニングされた接合層

Claims (7)

  1. 第１の導電層を第１の液晶ポリマー層に形成する工程と、
    前記第１の導電層をパターニングして、パターニングされた第１の導電層を形成する工程と、
    前記パターニングされた第１の導電層を覆うように、可溶性液晶ポリマー含有の第２の液晶ポリマー層を形成する工程と、
    前記パターニングされた第１の導電層に位置する前記第２の液晶ポリマー層を取り除く工程と、
    前記パターニングされた第１の導電層及び前記第２の液晶ポリマー層に接合構造を形成する工程であって、接合層は、前記パターニングされた第１の導電層の側壁を覆うことなく、前記パターニングされた第１の導電層の上面に直接接触し、前記接合構造の材料は、はんだ又は異方性導電材料を含む、接合構造を形成する工程と、
    前記接合層上に第２の導電層を形成する工程と、
    前記接合層及び前記第２の導電層を同時にパターニングしてパターニングされた接合層及びパターニングされた第２の導電層を形成する工程と、
    を備える複合基板の製造方法。
  2. 前記パターニングされた第１の導電層を覆うように、前記第２の液晶ポリマー層を形成する工程は、
    前記可溶性液晶ポリマー及び溶剤を含む混合物を前記第１の液晶ポリマー層に塗布する工程と、
    前記溶剤を取り除いて前記第２の液晶ポリマー層を形成する工程と、
    を含む請求項１に記載の製造方法。
  3. 前記可溶性液晶ポリマーは、下記式に示すような繰り返し単位を含む、
    Figure 0006798660
     （Ａｒは１，４−フェニレン、１，３−フェニレン、２，６−ナフタレン又は４，４′−ビフェニレンであり、Ｙは−Ｏ−又は−ＮＨ−であり、Ｚは−Ｃ＝Ｏ−であり、Ｘはアミノ、カルボキサミド、イミド、アミジノ、アミノカルボニルアミノ、アミノチオカルボニル、アミノカルボニルオキシ、アミノスルホニル、アミノスルホニルオキシ、アミノスルホニルアミノ、カルボキシルエステル、（カルボキシルエステル）アミノ、（アルコキシカルボニル）オキシ、アルコキシカルボニル、ヒドロキシアミノ、アルコキシアミノ、シアナト、イソシアナト又はそれらの組み合わせである）請求項１又は２に記載の製造方法。
  4. 前記可溶性液晶ポリマーは、液晶芳香族ポリエステルである請求項１又は２に記載の製造方法。
  5. 前記第１の導電層をパターニングして前記パターニングされた第１の導電層を形成する工程は、前記第１の導電層をパターニングして導電性回路、及び前記導電性回路よりも厚い導電性カラムを形成する工程を含む請求項１〜４の何れか１項に記載の製造方法。
  6. 第１の導電層を第１の液晶ポリマー層に形成する工程と、
    接合層を前記第１の導電層に形成する工程と、
    前記第１の導電層及び前記接合層を同時にパターニングして、パターニングされた第１の導電層及びパターニングされた接合層を形成する工程であって、前記パターニングされた第１の導電層は、導電性回路と、前記導電性回路よりも厚い導電性カラムとを含み、前記パターニングされた接合層は、前記導電性カラムの第１の上面を覆い、前記導電性回路の第２の上面を覆わない工程と、
    前記パターニングされた第１の導電層及び前記パターニングされた接合層を覆うように、可溶性液晶ポリマー含有の第２の液晶ポリマー層を形成する工程と、
    前記パターニングされた第１の導電層に位置する前記第２の液晶ポリマー層を取り除き、それにより、前記パターニングされた接合層の上面を、前記第２の液晶ポリマー層の上面と実質的に同一平面にする工程と、
    を備える複合基板の製造方法。
  7. 前記接合層の材料は、はんだ又は異方性導電材料を含む請求項６に記載の製造方法。
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