JP6792412B2 - 炭化珪素粉末の製造方法 - Google Patents
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Description
Ti+2Cl2→TiCl4(1)
まず、SiC粉末をアチソン法によって生成した。具体的には、まず、非晶質合成シリカ粉末及びカーボンブラックを理論反応量の割合となるようにして混合した。本実施例の場合には、非晶質合成シリカ:カーボンブラック=2:1となるように混合した。
上述のように生成された各々異なった量のClを含むSiC粉末を用いて、SiC単結晶を成長させる実験を行った。
図2に、実験装置10の断面図を示す。炉体11は、電気炉の炉体である。炉体11の内面には断熱材13が設けられている。ヒータ15は、断熱材13の内面に設けられている黒鉛ヒータである。黒鉛るつぼ17は、断熱材13の内面によって形成される空間内に配されている。黒鉛るつぼ17は、容器部17A及び蓋部17Bを有している。なお、黒鉛るつぼ17は、実験前においてTi、V、Cr、Ni、Mn、Fe、Znの総含有量が3ppm未満のものであった。
実験においては、まず、SiC粉末300ccを黒鉛るつぼ17に収容した。この際、SiC粉末のかさ(体積)に対し、黒鉛るつぼの内容積は10倍以内とした。黒鉛るつぼの蓋部17Bの内側面には、種結晶として研磨されたSiC単結晶板(図示せず)を設置した。また、試験片23を排気管19内に配置した。この際、排気管19の流体の流れと平行な面が試験面23Sとなるように試験片23を配置した。
上述の実験の後、各Cl量のSiC粉末について、実験後の黒鉛るつぼ17に付着している遷移金属(Ti、V、Cr、Ni、Mn、Fe、Zn)の量、試験後に排気管19から取り出された試験片23の試験面23Sの表面粗さRa、及び生成されたSiC単結晶に含まれるTi、V、Cr、Ni、Mn、Fe、Znの量を測定して評価を行った。
11 炉体
13 断熱材
15 ヒータ
17 黒鉛るつぼ
19 排気管
21 排気ポンプ
23 試験片
Claims (1)
- 炭化珪素粉末を塩化物イオンが含まれる溶液に浸漬する溶液浸漬ステップと、
前記炭化珪素粉末が浸漬された前記溶液の導電率を測定して前記導電率が所定の導電率以下か否かを判定する判定ステップと、を含み、
前記判定ステップにおいて前記溶液の導電率が所定の導電率以下でないと判定された場合には、当該浸漬された炭化珪素粉末と前記溶液とを分離し、前記炭化珪素粉末を水に浸漬する水浸漬ステップを実行し、その後再度前記判定ステップを実行し、
前記判定ステップにおいて前記溶液の導電率が所定の導電率以下と判定された場合には、当該浸漬された炭化珪素粉末と前記溶液とを分離し、前記炭化珪素粉末を乾燥させる乾燥ステップを実行することを特徴とする炭化珪素粉末の製造方法。
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