JP6789968B2 - 熱抵抗が向上した電子チップデバイス、および関連する製造プロセス - Google Patents
熱抵抗が向上した電子チップデバイス、および関連する製造プロセス Download PDFInfo
- Publication number
- JP6789968B2 JP6789968B2 JP2017549680A JP2017549680A JP6789968B2 JP 6789968 B2 JP6789968 B2 JP 6789968B2 JP 2017549680 A JP2017549680 A JP 2017549680A JP 2017549680 A JP2017549680 A JP 2017549680A JP 6789968 B2 JP6789968 B2 JP 6789968B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- pad
- heat
- electronic chip
- exchange element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/4824—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06513—Bump or bump-like direct electrical connections between devices, e.g. flip-chip connection, solder bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06589—Thermal management, e.g. cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
本発明は、電子チップデバイス、および関連する製造方法に関する。電子チップデバイスは、電子チップそれ自体および追加的な要素を意味すると理解される。
熱伝導率が非常に高いラジエータまたは熱交換器を使用して、電子チップまたは電子チップからなる積層体によって放出された熱を排出することが知られている。
このような銅製の熱交換器は、およそ３５０Ｗ／ｍ／℃程度の熱伝導率を有し、ダイヤモンド（または「ライクカーボン」）製は、およそ１５００〜１８００Ｗ／ｍ／℃程度の熱伝導率を、またカーボンナノチューブ製は、およそ１５００〜１８００Ｗ／ｍ／℃程度の熱伝導率を有する。
このようなラジエータまたは熱交換器では、それぞれの熱伝導率に比例した熱を伝達することを可能にできない。なぜなら、これらのラジエータがボンディングされていても、ソルダリングされていても、最も重要なパラメータがチップ／ラジエータ界面の熱抵抗であることに変わりがないからである。
図１に図示されるように、電子チップ１から熱交換素子２までの、電子チップデバイスの熱連鎖の各構成要素の熱抵抗率（熱伝導率の逆）は、以下のものをすべて合計したものである。
− ラジエータをリンクする材料とチップの後面４（能動面５の反対側の面）との間の界面３の抵抗率Ｒ１。この界面は概して、ネイティブシリカ６の断熱効果を避けるようにチップ１の後面上の金属堆積によって形成されており、このネイティブシリカ６は多かれ少なかれこのシリコン面上を覆い、かつ抵抗率が高い。これらの材料は、タングステンＷの合金、およびチタンＴｉの合金、またはニッケルＮｉの合金、クロムＣｒの合金、および金Ａｕの合金などとすることができる。
− 熱交換素子２への機械的リンクを確保する材料７の抵抗率Ｒ２。この材料は、例えば、（熱伝導率が約５Ｗ／ｍ／℃から２０Ｗ／ｍ／℃まで様々な）熱接着剤、または（熱伝導率が３５から５０Ｗ／ｍ／℃まで様々な）多少鉛リッチな半田とすることができる。
− 熱交換素子２のリンクを確保するために熱交換素子２の上に堆積された材料８の抵抗率Ｒ３。この材料は、例えば、真空下で実行された金属堆積とすることができる。
− ラジエータをリンクする材料とチップの後面４（能動面５の反対側の面）との間の界面３の抵抗率Ｒ１。この界面は概して、ネイティブシリカ６の断熱効果を避けるようにチップ１の後面上の金属堆積によって形成されており、このネイティブシリカ６は多かれ少なかれこのシリコン面上を覆い、かつ抵抗率が高い。これらの材料は、タングステンＷの合金、およびチタンＴｉの合金、またはニッケルＮｉの合金、クロムＣｒの合金、および金Ａｕの合金などとすることができる。
− 熱交換素子２への機械的リンクを確保する材料７の抵抗率Ｒ２。この材料は、例えば、（熱伝導率が約５Ｗ／ｍ／℃から２０Ｗ／ｍ／℃まで様々な）熱接着剤、または（熱伝導率が３５から５０Ｗ／ｍ／℃まで様々な）多少鉛リッチな半田とすることができる。
− 熱交換素子２のリンクを確保するために熱交換素子２の上に堆積された材料８の抵抗率Ｒ３。この材料は、例えば、真空下で実行された金属堆積とすることができる。
数社の主要コンピュータメーカーは、比較的効率が良いが、実装が非常に複雑な技術を用いることにより界面の熱抵抗に関連した困難を回避するよう試みてきた。例えばＩＢＭは、自社のＩＢＭ３０８１コンピュータで、２つの表面（チップの後面、および、熱交換素子またはラジエータ）を直接接触させることにより、材料の抵抗すなわち抵抗率Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３を回避した。これら表面は、２つの部分の擬似ボンディングが生じ、その結果事実上界面抵抗を除去するように研磨された。この非常に煩わしく、また高価なシステムは、以来ずっと断念されている（Ｒ．Ｃ Ｃｈｕ、Ｕ．Ｐ．Ｈｗａｎｇ ａｎｄ Ｒ．Ｅ．Ｓｉｍｏｎｓ、“Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｃｏｏｌｉｎｇ ｆｏｒ ａｎ ＬＳＩ Ｐａｃｋａｇｅ：Ａ ｏｎｅ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ Ａｐｐｒｏａｃｈ”，ＩＢＭ Ｊ．Ｒｅｓ．Ｄｉｖ．，Ｖｏｌ２６，Ｐ４５−５４，１９８２を参照）。
Ｈｉｔａｃｈｉは、自社のＦＡＣＯＭ Ｍ−７８０コンピュータで、圧力の下で冷却液をチップの後面上に直接噴射することにより、困難を回避した（Ｈ．Ｙａｍａｍｏｔｏ、Ｔ．Ｕｄａｇａｗａ ａｎｄ Ｍ．Ｓｕｚｕｋｉ、Ｃｏｏｌｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ ＦＡＣＯＭ Ｍ−７８０，“Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ ｉｎ Ｃｏｏｌｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｆｏｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ”，Ｗ．Ａｕｎｇ，Ｅｄ，Ｈｅｍｉｓｐｈｅｒｅ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ，ｐ７０１−７１４，１９８４を参照）。
ＡＴ＆Ｔは、自社のＷＥ３２１００ ＭＩＣＲＯＰＡＣコンピュータで、ＰＣＢの代わりにシリコン基板を用い、その結果、熱は、チップのシリコンを通って、有機材料（接着剤）によってラジエータにリンクされた接地平面、したがって熱伝導率が低い（５〜１０℃／Ｗ前後）接地平面へと通過する（Ｃ．Ｊ．Ｂａｒｔｌｅｔｔ、Ｊ．Ｍ．Ｓｅｇｅｌｋｅｎ ａｎｄ Ｎ．Ａ Ｔｅｎｅｋｅｔｇｅｓ、“Ｍｕｌｔｉｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ Ｄｅｓｉｇｎ ｆｏｒ ＶＬＳＩ−ｂａｓｅｄ Ｓｙｓｔｅｍｓ”，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｃｏｍｐｏｎ．Ｈｙｂｒｉｄｓ Ｍａｎｕｆ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｖｏｌ．ＣＨＭＴ−１２（Ｎｏ．４）ｐ６４７−６５３，１９８７を参照）。
図２は、基板上で支えられた、反転させたチップデバイス１０、すなわち「フリップチップ」の断面を示す。電子チップ１０は、概してその能動面全体または一部にわたって分布しているパッド１１を備え、その上に半田のボール１２が堆積されている。ボールを有するチップの、基板１３への電気相互接続は、リフローによって実現される。動作中にチップ１０によって生じた熱を放散するために、チップ１０の後面１４すなわち非能動面は、熱交換素子１５またはラジエータにリンクさせてもよい。
熱の一部分は、基板１３（一般的には熱伝導率が低いＰＣＢ）の熱抵抗に応じて、電気相互接続ボール１２に向けられる。ボール１２がソルダリングされるパッド１１は、概してアルミニウム／チタン／タングステン／ニッケル／金系の、全厚さが約１μｍである複雑な冶金を有する。ボール１２がリフローされると、金属間化合物合金が、金、ニッケルと、鉛系半田との間に形成される。これらの合金の熱伝導率は、概してかなり低い（２０〜５０Ｗ／ｍ／℃）。
熱の別の部分が、チップ１０の後面１４の方に向けられることになる。これが、熱交換素子１５が概してこの後面１４に配置されている理由である。
熱は、チップ１０を形成しているシリコンを通過するが、その熱伝導は１４０Ｗ／ｍ／℃であり、これはボール１２の熱伝導よりもはるかに高いが、一般的には銅製である熱交換素子１５の熱伝導（３９０Ｗ／ｍ／℃）よりもはるかに低い。
次に熱流束は、金属堆積（約１μｍ）で形成された界面１６を通過し、その後、熱伝導率がおよそ４０Ｗ／ｍ／℃程度である半田１７自体を通過する。
次に熱流束は熱交換素子１５に入り、そこから放散される。
チップを設計する際には、電流波節点区域（ホットスポット）がわかっており、フォトリソグラフィマスク上のこれらの場所で熱パッドを優先的に追加するために局所化される。フォトリソグラフィマスクは、電気パッドには常に必要である。
超音波「ボールボンディング」ワイヤリングを用いることにより、一般的にはアルミニウム製である、チップのパッドにワイヤを溶接することが可能になる。超音波溶接ツールの移動によって引き起こされた摩擦は、超音波周波数でおよそ０．１μｍ程度であるが、この摩擦により、５００℃〜６００℃の温度に界面の温度を上昇させることが可能になる。概してパッドを形成しているアルミニウムの融解温度（６６０℃）、および概してワイヤを形成している金の融解温度（１０６４℃）に関するこの高温により、パッドのアルミニウム原子の自己拡散、およびワイヤの金原子の自己拡散が可能になる。言いかえれば、それは、界面なしで「固溶体」とも呼ばれる完全な冶金のリンクを形成する。およそ数μｍ程度の、金およびアルミニウムのそれぞれの原子の「相互浸透」が存在するからである。
図３Ａは、アルミニウム製、または酸化アルミニウムＡｌ２Ｏ３からなる多かれ少なかれ連続的なネイティブ層２１で被覆されたアルミニウム合金製のパッド２０を示す。
図３Ｂは、（例えば、金製の）ワイヤのボール２２の超音波溶接後の同じパッド表面を示す。そこでは、酸化アルミニウムが、超音波によって破壊されており、溶接の間の金原子、およびアルミニウム原子の自己拡散、または相互拡散２３の結果、金製ボールとアルミニウム製パッドとの間にリンクが生じている。言いかえれば、界面なしで冶金のリンクが存在している。
したがって、図２のフリップチップを参照すると、ボール１２と、チップ１０のパッド１１との間の界面が除去されていることが認められる。しかも、ボール１２の熱伝導率は、およそ３０〜４０Ｗ／ｍ／℃程度であるが、これは、金製のワイヤの熱伝導率（３１７Ｗ／ｍ／℃）または銀製の熱伝導率（４２９Ｗ／ｍ／℃）に、すなわち、約１０倍の大きさに置き換えられている。他方では、後面１４を通って流れる熱流束の部分は、熱交換素子１５に達する前に、シリコン（１４０Ｗ／ｍ／℃）、ならびに界面１６および１７を通り抜けなければならない。
Ｒ．Ｃ Ｃｈｕ、Ｕ．Ｐ．Ｈｗａｎｇ ａｎｄ Ｒ．Ｅ．Ｓｉｍｏｎｓ、"Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｃｏｏｌｉｎｇ ｆｏｒ ａｎ ＬＳＩ Ｐａｃｋａｇｅ：Ａ ｏｎｅ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ Ａｐｐｒｏａｃｈ"，ＩＢＭ Ｊ．Ｒｅｓ．Ｄｉｖ．，Ｖｏｌ２６，Ｐ４５−５４，１９８２
Ｈ．Ｙａｍａｍｏｔｏ、Ｔ．Ｕｄａｇａｗａ ａｎｄ Ｍ．Ｓｕｚｕｋｉ、Ｃｏｏｌｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ ＦＡＣＯＭ Ｍ−７８０，"Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ ｉｎ Ｃｏｏｌｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｆｏｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ"，Ｗ．Ａｕｎｇ，Ｅｄ，Ｈｅｍｉｓｐｈｅｒｅ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ，ｐ７０１−７１４，１９８４
Ｃ．Ｊ．Ｂａｒｔｌｅｔｔ、Ｊ．Ｍ．Ｓｅｇｅｌｋｅｎ ａｎｄ Ｎ．Ａ Ｔｅｎｅｋｅｔｇｅｓ、"Ｍｕｌｔｉｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ Ｄｅｓｉｇｎ ｆｏｒ ＶＬＳＩ−ｂａｓｅｄ Ｓｙｓｔｅｍｓ"，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｃｏｍｐｏｎ．Ｈｙｂｒｉｄｓ Ｍａｎｕｆ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｖｏｌ．ＣＨＭＴ−１２（Ｎｏ．４）ｐ６４７−６５３，１９８７
本発明の１つの目標は、これらの問題を軽減することである。
本発明の１つの態様によれば、熱抵抗が向上した少なくとも１つの電子チップデバイスからなる積層体であって、電気相互接続リンクを有する少なくとも１つの電気接続パッドと、チップの面の上に配置された少なくとも１つの熱パッドと、少なくとも１つの熱交換素子と、熱パッドと熱交換素子との間の少なくとも１つの熱リンクと、を備える積層体において、熱交換素子の一部分であって、電子チップの、電気相互接続リンクを有する電気接続パッドに面して位置している前記一部分が、前記電気相互接続リンクとの接触を防ぐアパーチャを備える積層体が提供される。
このようなチップからなる積層体は、電子機能を高めるが、これは、単位容積当りの出力密度の増加に結びつき、したがって、積層可能なチップの数には限りがある。
したがって、電子チップの作動によって放出された熱の排出が向上されている一方で、チップと、熱交換素子またはラジエータとの間に界面が存在しないようにしている。
メインフレームコンピュータメーカーの状況を遡れば、１９８０年代には、非常に使い勝手が悪く、熱抵抗を完全に除去できない手段を用いて、チップとの界面のこの熱抵抗を低減しようとしていたのである。
１つの実施形態によれば、前記熱交換素子は、対応するチップの隅に面して配置されたタブを備える。
１つの実施形態では、電子チップ（３１、５１、７２）デバイス（３０、５０）が、前記熱交換素子（３６、５９）の一部分であって、アパーチャを備える熱パッド（３４、６１）に面して配置されている前記一部分を備える。
したがって、チップと熱交換素子との間に熱リンクを生成することが容易である。
１つの実施形態によれば、電子チップデバイスの熱リンクは、少なくとも１つの熱伝導性ワイヤを備える。
熱リンクとして熱伝導性ワイヤを使用することは、現在では実施が容易であり、それほど高価ではない。
１つの実施形態によれば、少なくとも１つの熱パッドを備えるチップの面は、チップの能動面、すなわち前面である。
したがって、チップの受動（後）面を通過せずに、チップの能動（前）面のホットスポットから直接熱の伝達がある。
さらに、チップの能動面での一度のマスク転写ステップだけで、電気接続パッドおよび熱接続パッドを生成することが可能になる。
例えば、熱交換素子の一部分であって、電子チップの、電気相互接続リンクを有する電気接続パッドに面して位置している前記一部分は、前記電気相互接続リンクと接触しないように高くなっている。
したがって、電気パッドの電気リンクの問題を生じずに、熱の排出が向上される。
一変形例として、少なくとも１つの熱パッドを備えるチップの前面は、チップの受動面、または後面である。
チップの能動面が、その表面積に対してあまりにも多くの電気パッドを有する場合、またはチップの高い作動周波数が、ある特定の信号と電子的に結合する可能性がある熱パッドによって妨害される場合には、これは特に有用である。
例えば、電子チップデバイスは、基板を備え、基板には、能動面の、電気相互接続リンクを有する電気接続パッドに面して位置している一部分に、前記電気相互接続リンクと接触しないようにアパーチャが設けられている。
したがって、底部に能動面を有するチップが、基板のアパーチャによって基板上に直接ワイヤリングされる場合、この能動面に熱パッドを配置することが可能ではないので、熱パッドはこのとき、非能動（受動）面に配置され、熱ワイヤによって熱交換素子に接続されてもよい。
本発明の１つの態様によれば、電子チップデバイス、または電子チップデバイスからなる積層体を製造する方法であって、電気接続パッドのための少なくとも１つのアパーチャと、熱パッドのための少なくとも１つのアパーチャと、を備えるマスクを用いた、１つのチップまたは複数のチップの能動面でのマスク転写ステップを含む方法もまた提供される。
本発明は、完全に非限定的な例として説明され、添付の図面によって図示されているいくつかの実施形態を検討すれば、一層よく理解されるであろう。
すべての図において、同一の参照符号を有する要素は、類似したものである。記載されている実施形態は、完全に非限定的なものである。
本明細書では、当業者によく知られている特徴および機能は、詳細に記載しない。
図４は、パッケージ、および電気ワイヤ３３のような電気相互接続リンクを有する電気接続パッド３２の形態をした、２Ｄ電子チップ３１デバイス３０を示す。
熱パッド３４が、熱リンク３５によって熱交換素子３６にリンクされている。
示されている例は特に有利なものであるが、この例では、熱交換素子３６の一部分３７であって、電子チップ３１の、電気相互接続リンク３３を有する電気接続パッド３２の上方に位置している前記一部分が、前記電気相互接続リンク３３と接触しないように高くなっている。
熱交換素子３６またはラジエータは、エラストマー型可撓性接着剤でボンディングすることができ、これは非常に重要なことである。なぜなら、「Ｃｕ／ｌｏｗ−ｋデバイス」と呼ばれる低誘電率チップに関する新技術は、機械的応力に対する耐性が非常に低いからである。可撓性接着剤は、シリコーン系とすることができ、したがって変形性が高い。これらの接着剤は、熱導体としては非常に不良（１Ｗ／ｍ／℃未満）であり、（およそ数℃／Ｗから数十℃／Ｗ程度の）非常に高い熱抵抗につながる。熱交換素子３６上に熱リンクワイヤ３５をワイヤリングすることによって、完全に機械的に分断されるようにすることで、これが完全に回避される。
チップ３１は、接着剤４０によって基板３９にボンディングされている。基板のパッド４１は、電気ワイヤ３３を用いて、チップに機械的応力をかけずに、基板３９をチップ３１の電気パッド３２に電気的にリンクさせることができる。
熱交換素子３６は、電気リンクワイヤ３３に触れないように、高くなった部分を備える。
熱交換素子３６は、対流冷却の場合にはさらに良好な冷却が可能になるフィンを形成するように、一面ないし四面でパッケージから突起させることも可能であろう。図４では、熱交換素子３６は、パッケージの１つまたは複数の面と同一平面上にあり、次に冷源にリンクさせることが可能である。
説明した実施形態では、チップを設計する際に、電流波節点区域（ホットスポット）が一まとめにされることで、電気パッドにもまた必要なフォトリソグラフィマスク上のこれらの場所で、熱パッドを優先的に追加するようにする。
図４では、能動面すなわち前面４２が上部にあり、受動面すなわち後面４３が底部にある。チップ３１は、樹脂４４の中に配置されている。
基板３９には、基板上に、例えばプリント回路基板上に移載可能な状態にあるボール４５が設けられている。
図５は、パッケージ形態をした、２Ｄチップ５１デバイス５０の変形例を示す。メモリとして用いられる多数のチップ５１デバイス５０がワイヤリングされるが、図５におけるように、能動面５２を下向きにして、電気接続パッド５４と、基板５３内のアパーチャ６４を通っている電気ワイヤ５５とによって、基板５３上に直接ワイヤリングされている。したがって、チップ５１の受動面５６を使用して、熱ワイヤ５７および熱交換素子５８を介して熱を伝達することが可能である。
この手法の利点は、チップ５１に応力をかけないように、機械的に分断しなければならない熱交換素子５９を使用することである。すなわち、使用される可撓性接着剤６０は、概してエラストマー系のものであるが、熱導体としては非常に不良（１Ｗ／ｍ／℃未満）である。
可撓性接着剤６０は、概して金、およびニッケルからなる堆積６１の上に配置され、電子チップ５１上の大型の熱パッドと見なされている。電子チップ５１は、樹脂６２の中に配置され、接着剤６３によって基板５３にボンディングされている。
基板５３には、基板上に、例えばプリント回路基板上に移載可能な状態にあるボール６１が設けられている。
図６は、電子チップデバイスまたはレベルが積層される場合に、少なくとも１つの電子チップデバイスからなる積層体の生成を可能にする３Ｄアプリケーションを示す。図６は、積層体からなるデバイスの平面図を示す。
ラジエータまたは熱交換素子７０は、例えば、電子チップ７２の四隅の上方に配置された熱交換素子７０の四隅に位置する４つのストラップまたはタブ７１によって、熱を伝達する。
電子チップ７２を電気的にリンクさせるための電気パッド７３および電気ワイヤ７４の位置に応じて、ストラップまたはタブの７１の他の配置を変形例として用いることができる。
図６では、電気パッド７３および電気ワイヤ７４は、電子チップ７２のエッジに位置しており、ラジエータまたは熱交換素子７０は、電気ワイヤ７４と接触しないように高くなっていてもよいし、高くなっていなくてもよい。いずれの場合も、ラジエータ７０の下に、またはストラップ７１の下には電気ワイヤ７４は存在し得ない。なぜなら、積層後にモジュールを鋸引きすると、電気ワイヤ７４の断面がラジエータ７０のストラップ７１の断面と一致してしまうことにより、短絡が生じてしまうからである。
図６の特に有利な実施形態では、熱交換素子７０は、電気ワイヤ７４とのあらゆる接触を回避するように、適切なカットアウトを備える。
熱リンクワイヤ７５は、電子チップ７２の能動面上に配置された熱パッド７６上にワイヤリングされている。
熱ワイヤ７５は、熱交換素子７０内に、熱パッド７６に面して作られたアパーチャ７７を通してワイヤリングすることにより、熱交換素子７０に接続されている。
本発明はまた、電子チップデバイス３０、５０、または電子チップデバイス３０、５０からなる積層体（３Ｄチップ）を製造する方法であって、電気接続パッドのための少なくとも１つのアパーチャと、熱パッドのための少なくとも１つのアパーチャと、を備えるマスクを用いた、１つのチップまたは複数のチップの能動面上でのマスク転写ステップを含む方法に関する。
このように、本発明により、界面の熱抵抗を通過することなく、チップの極めて薄い（１μｍ未満）能動表面のホットスポットから前記熱が排出される箇所への熱の伝達を向上させることが可能になる。
さらには、本発明は、いずれの追加のチップ処理ステップも必要ない。
本発明は、熱がチップを通り抜けて受動面に達した後にではなく、熱放射源において直接熱相互接続を実施する。
本発明は、最新世代のチップを含めた、チップの相互接続において非常に広く用いられるボールボンディング法を実施する。実際、チップは、応力に非常に敏感な、「Ｃｕ／ｌｏｗ−ｋデバイス」と呼ばれる誘電体で形成されているので、そのワイヤリングには、特殊な工業機器が必要であり、特に「ソフトランディング（ｓｏｆｔ ｌａｎｄｉｎｇ）」のワイヤリングでは、熱パッドのワイヤリングは、この同じ方法を用いている。
これらの最新世代のチップは、熱力学的応力に対する耐性が非常に低い。これが、最新世代のチップを封入するためのプラスチックパッケージのメーカーが、樹脂の特性（１２〜７ｐｐｍ／℃に変化する膨張係数）を改変しなければならなかった理由である。言いかえれば、高さ約３０〜５０μｍのカットワイヤ、すなわち「スタッド」を用いる技術であるが、これは次にソルダリングによって、例えば銅製のラジエータにリンクさせなければならない。ラジエータとチップとの間のリンクは事実上剛性であるので、ラジエータによってかけられた応力は、チップに伝達される。さらに、多数のスタッドをソルダリングによってリンクさせることは、膨張差応力のため、実現が困難である。
最後に、もしチップが能動面のパッドと同様に金属化されていれば、シリコンの厚さを貫通させなければならないという欠点を有するが、チップの後面上で同じ手法の採用を禁じるものではない。
Claims (9)
- 熱抵抗が向上した少なくとも１つの電子チップデバイスからなる積層体であって、電気相互接続リンクを有する少なくとも１つの電気接続パッドと、前記チップの面の上に配置された少なくとも１つの熱パッドと、少なくとも１つの熱交換素子と、熱パッドと熱交換素子との間の、電気的に接続されていない少なくとも１つの熱リンクと、を備える積層体において、熱交換素子の一部分であって、電子チップの、電気相互接続リンクを有する電気接続パッドに面して位置している前記一部分が、前記電気相互接続リンクとの接触を防ぐアパーチャを備える積層体。
- 前記熱交換素子が、対応するチップの隅に面して配置されたタブを備える請求項１に記載の積層体。
- 前記電子チップデバイスが、前記熱交換素子の一部分であって、アパーチャを備える熱パッドに面して配置されている前記一部分を備える請求項１に記載の積層体。
- 前記電子チップデバイスの前記熱リンクが、少なくとも１つの熱伝導性ワイヤを備える請求項１に記載の積層体。
- 少なくとも１つの熱パッドを備えるチップの前記面が、前記チップの能動面である請求項１に記載の積層体。
- 熱交換素子の一部分であって、電子チップの、電気相互接続リンクを有する電気接続パッドに面して位置している前記一部分が、前記電気相互接続リンクと接触しないように高くなっている請求項５に記載の積層体。
- 少なくとも１つの熱パッドを備えるチップの前面が、前記チップの受動面である請求項１に記載の積層体。
- 前記電子チップデバイスが、基板であって、能動面の、電気相互接続リンクを有する電気接続パッドに面して位置する一部分に、前記電気相互接続リンクと接触しないようにアパーチャが設けられた基板を備える請求項７に記載の積層体。
- 電子チップデバイス、または電子チップデバイスからなる積層体を製造する方法であって、電気接続パッドのための少なくとも１つのアパーチャと、熱パッドのための少なくとも１つのアパーチャと、を備えるマスクを用いた、１つのチップまたは複数のチップの能動面でのマスク転写ステップを含む方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1552457 | 2015-03-24 | ||
| FR1552457A FR3034253B1 (fr) | 2015-03-24 | 2015-03-24 | Dispositif de puce electronique a resistance thermique amelioree, et procede de fabrication associe |
| PCT/EP2016/056204 WO2016150934A1 (fr) | 2015-03-24 | 2016-03-22 | Dispositif de puce électronique à résistance thermique améliorée, et procédé de fabrication associé |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018509771A JP2018509771A (ja) | 2018-04-05 |
| JP6789968B2 true JP6789968B2 (ja) | 2020-11-25 |
Family
ID=54065958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017549680A Active JP6789968B2 (ja) | 2015-03-24 | 2016-03-22 | 熱抵抗が向上した電子チップデバイス、および関連する製造プロセス |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20180061731A1 (ja) |
| EP (1) | EP3275016A1 (ja) |
| JP (1) | JP6789968B2 (ja) |
| KR (1) | KR102524167B1 (ja) |
| CN (1) | CN108496248B (ja) |
| FR (1) | FR3034253B1 (ja) |
| WO (1) | WO2016150934A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6931869B2 (ja) * | 2016-10-21 | 2021-09-08 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体装置 |
| US11769710B2 (en) | 2020-03-27 | 2023-09-26 | Xilinx, Inc. | Heterogeneous integration module comprising thermal management apparatus |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3615651B2 (ja) * | 1998-03-06 | 2005-02-02 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
| US7196415B2 (en) * | 2002-03-22 | 2007-03-27 | Broadcom Corporation | Low voltage drop and high thermal performance ball grid array package |
| JP2004111656A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| KR100508682B1 (ko) * | 2002-11-20 | 2005-08-17 | 삼성전자주식회사 | 더미 와이어를 이용한 열방출형 적층 칩 패키지 |
| JP2004200316A (ja) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| TWI249232B (en) * | 2004-10-20 | 2006-02-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Heat dissipating package structure and method for fabricating the same |
| KR20060039044A (ko) * | 2004-10-29 | 2006-05-08 | 삼성전기주식회사 | 스택형 반도체 멀티칩 패키지 |
| TWI255536B (en) * | 2005-02-02 | 2006-05-21 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Chip-stacked semiconductor package and fabrication method thereof |
| US7572679B2 (en) * | 2007-07-26 | 2009-08-11 | Texas Instruments Incorporated | Heat extraction from packaged semiconductor chips, scalable with chip area |
| US20120032350A1 (en) * | 2010-08-06 | 2012-02-09 | Conexant Systems, Inc. | Systems and Methods for Heat Dissipation Using Thermal Conduits |
-
2015
- 2015-03-24 FR FR1552457A patent/FR3034253B1/fr active Active
-
2016
- 2016-03-22 KR KR1020177030185A patent/KR102524167B1/ko active IP Right Grant
- 2016-03-22 US US15/560,479 patent/US20180061731A1/en not_active Abandoned
- 2016-03-22 WO PCT/EP2016/056204 patent/WO2016150934A1/fr active Application Filing
- 2016-03-22 CN CN201680023557.4A patent/CN108496248B/zh active Active
- 2016-03-22 EP EP16714793.3A patent/EP3275016A1/fr active Pending
- 2016-03-22 JP JP2017549680A patent/JP6789968B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3275016A1 (fr) | 2018-01-31 |
| CN108496248A (zh) | 2018-09-04 |
| CN108496248B (zh) | 2021-11-26 |
| FR3034253B1 (fr) | 2018-09-07 |
| JP2018509771A (ja) | 2018-04-05 |
| WO2016150934A1 (fr) | 2016-09-29 |
| KR102524167B1 (ko) | 2023-04-20 |
| FR3034253A1 (fr) | 2016-09-30 |
| KR20170129889A (ko) | 2017-11-27 |
| US20180061731A1 (en) | 2018-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2548350B2 (ja) | テープ自動結合に使用される熱放散相互接続テープ | |
| TWI529878B (zh) | 集成電路封裝件及其裝配方法 | |
| US20100142150A1 (en) | Cooling apparatus with cold plate formed in situ on a surface to be cooled | |
| TWI246174B (en) | Heat spreader, package and package method thereof | |
| JP4823676B2 (ja) | 半導体デバイス・チップに熱放散物を形成する方法及び熱を放散させるための構造 | |
| TWI520299B (zh) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| WO2007037306A1 (ja) | ヒートシンクモジュール及びその製造方法 | |
| TW201946237A (zh) | 單晶微波積體電路（ｍｍｉｃ）冷卻結構 | |
| KR20030021895A (ko) | 열 방출판이 부착된 플립칩 패키지 제조 방법 | |
| JP2008016653A (ja) | 半導体パッケージ、その製造方法、プリント基板及び電子機器 | |
| JP6789968B2 (ja) | 熱抵抗が向上した電子チップデバイス、および関連する製造プロセス | |
| JP2004356625A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPWO2007138771A1 (ja) | 半導体装置、電子部品モジュールおよび半導体装置の製造方法 | |
| CN114464581A (zh) | 封装结构及其制造方法 | |
| JP4860695B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| TWI388041B (zh) | 具散熱結構之半導體封裝件 | |
| JPH05218226A (ja) | 多層配線基板 | |
| TW200826261A (en) | Thermally enhanced BGA package apparatus & method | |
| US6763881B1 (en) | Thermally matched gradient heat sink | |
| JP4697118B2 (ja) | 電子装置 | |
| JP2019165146A (ja) | 半導体装置および電子機器 | |
| JPS58218148A (ja) | 電子部品冷却装置 | |
| JPS63224242A (ja) | 熱伝達装置 | |
| JP2521624Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP5923943B2 (ja) | 半導体装置及び電子装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190312 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200520 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200602 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200804 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201006 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201104 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6789968 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |