JP2019165146A - 半導体装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】デバイスで発生した熱を効率良く放熱する。【解決手段】デバイス１の周囲には支持体２が設けられ、これらデバイス１、支持体２は可撓性回路基板３に搭載されている。前記可撓性回路基板３は、一のシート状をなす可撓性回路基板３がデバイス１および支持体２を包んでいる半導体装置であり、包んでいる可撓性回路基板３の一部に、可撓性回路基板３の一方の面から他方の面までを貫通する開口部５が開いている。この開口部５には、前記支持体２が外気と接触することができるように露出しているとともに、さらに、可撓性回路基板３の両端から突出した内部配線３Ａが露出している。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置および電子機器に関する。

関連する技術として、ベアチップを可撓性回路基板と接続し、可撓性回路基板をベアチップの端面に沿って折り曲げてベアチップを可撓性回路基板で包んだ構造を特徴とする三次元実装型半導体装置が特許文献１で提案されている。この半導体装置では、薄型でかつベアチップと外形サイズが同等の小型化を実現できるというメリットがある。
また、その他の関連する技術として、可撓性回路基板で包み込んだ構造から支持体を突出し、突き出した支持体と高熱伝導率材料を介して、放熱部材に放熱する構造を備えた、三次元実装型半導体装置が特許文献２で提案されている。

また、その他の関連する技術として可撓性回路基板に開口部を設け、デバイスから可撓性回路基板を伝熱して支持体から放熱部材に放熱する構造を備えた３次元実装型半導体装置が特許文献３で提案されている。

特開平８―３３５６６３号公報 国際公開第２０１１／０４３４９３号 特開２０１５−１６２４９７号公報

しかしながら、特許文献１に記載の半導体装置は、ベアチップに直接、可撓性回路基板を巻きつけた構造であるため、消費電力の高い半導体ベアチップを用いた場合、熱が外部に逃げにくく温度が上昇し、チップの誤動作が生じるという課題がある。
また、特許文献２に記載の半導体装置では、ベアチップを包み込んでいる可撓性回路基板から支持体が突き出している構造であるため、突き出した支持体により、半導体装置の実装面積が広がるという課題がある。
また、特許文献３に記載の半導体装置では、可撓性回路基板のデバイスの熱が接着シート、絶縁層１、内部配線、絶縁層３、内部配線、絶縁層２の順で支持体まで熱伝導する放熱経路になるため、放熱効率が下がり、熱が逃げにくくなり温度が上昇し、チップの誤動作の原因となることがある。

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、デバイスで発生した熱の放熱性を高めることを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は下記の構成を有する。
少なくともデバイス、該デバイスの近傍に設けられていて、該デバイスより熱伝導性が高い支持体、可撓性回路基板を有し、前記可撓性回路基板が前記デバイスおよび支持体の少なくとも一部分を包んでいる半導体装置であって、前記可撓性回路基板は、前記支持体、デバイスの少なくともいずれかが露出する開口部を有し、前記開口部に前記可撓性回路基板に含まれる内部配線が露出していることを特徴とする。

本発明によれば、デバイスで発生した熱の放熱性を高めることができる。

本発明の最少構成にかかる半導体装置の断面図である。 本発明の第１実施形態を示す半導体装置の断面図である。 第１実施形態の放熱部材を設けない状態における上面図である。 第１実施形態の熱伝導経路を示す断面図である。 第１実施形態の内部配線の変形例を示す上面図である。 第１実施形態の半導体装置の製造方法におけるデバイスを示す断面図である。 第１実施形態の半導体装置の製造方法における支持体を示す断面図である。 第１実施形態の半導体装置の製造方法における可撓性回路基板を示す断面図である。 図８の可撓性回路基板の平面図である。 デバイス１、支持体２を図８の可撓性回路基板３に仮搭載をした状態の断面図である。 デバイス１、支持体２を図８の可撓性回路基板３に仮搭載をした状態の上面図である。 図８の可撓性回路基板によってデバイス、支持体を包んだ状態の断面図である。 図１２の半導体装置にリフローのためのはんだボールを配置した断面図である。 本発明の第２実施形態の断面図である。 本発明の第３実施形態の断面図である。 第３実施形態の熱伝導経路を示す断面図である。 第４実施形態の断面図である。 第５実施形態の断面図である。 第６実施形態の断面図である。 第7実施形態の断面図である。

本発明の最少構成例にかかる半導体装置について図１を参照して説明する。
符号１はデバイスであって、このデバイス１の周囲には支持体２が設けられ、これらデバイス１、支持体２は可撓性回路基板３に搭載されている。前記可撓性回路基板３は、一のシート状をなす可撓性回路基板３がデバイス１および支持体２を包んでいる半導体装置であり、包んでいる可撓性回路基板３の一部に、可撓性回路基板３の一方の面から他方の面までを貫通する開口部５が開いている。この開口部５には、前記支持体２が外気と接触することができるように露出しているとともに、さらに、可撓性回路基板３の両端から突出した内部配線３Ａが露出している。この内部配線３Ａは、例えば、銅、アルミニウム等の導電体であって、一般に高い熱伝導係数を持っている。
前記支持体２の露出部分および可撓性回路基板３の内部配線３Ａは、直接、大気に接触するか、例えば、図１に破線で示すような熱伝導体からなる放熱部材４に接触させることにより放熱効率が高められるようになっている。

上記最少構成の半導体装置にあっては、デバイスで１発生した熱を支持体２、可撓性回路基板３の内部配線３Ａから、大気に直接、あるいは、放熱部材４を介して放熱することができ、半導体装置の温度上昇を抑えることができる。

以下、本発明の実施形態を説明する。図１の例および各実施形態で共通の構成要素には同一符号を付し、重複した説明を省略する。
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる半導体装置が搭載された電子機器について、図面を参照して詳細に説明する。図２は、本発明の第１の実施の形態を示す半導体装置の断面図、図３は放熱部材４を取り外した状態での上面図である。
図２は、可撓性回路基板３を図２が印刷された用紙に見立てた場合に、この紙面の表となる第１の面６の中央にデバイス１を配置し、これを囲むように支持体２を配置しておき、第１の面６を内側にして、紙面の上下をそれぞれ紙面の手前に曲げながらデバイス１、支持体２の上に重ねて包み込むことにより形成された第１実施形態の半導体装置を紙面と直交する方向へ切断した断面を示している。

図２に示す本発明の第１実施形態の半導体装置は、可撓性回路基板３の第１の面６に第１の外部電極７を備え、第１の面６と表裏の関係にある第２の面８に第２の外部電極９を備えている。また第１の面６に前記デバイス１、支持体２が搭載されている。
前記半導体装置は、さらに、前記開口部５を有する前記可撓性回路基板３と、前記デバイス１の周囲を囲むように配置され、前記可撓性回路基板３の前記開口部５に露出している支持体２と、前記可撓性回路基板３の第１の外部電極７と電気的に接続されたデバイス１と、前記放熱部材４と、前記可撓性回路基板３の内部配線３Ａとで構成されている。前記内部配線３Ａは、例えばＣｕのような電気伝導性および熱伝導性の良好な材料により構成され、前記デバイス１と放熱部材４の間にある導熱シート１２を介して前記放熱部材４に熱伝導するとともに、前記開口部５で放熱部材４と接触することによっても熱伝導している。
ここで、前記放熱部材４は、所定形状の溝を設けることにより放熱面積を確保するヒートシンク部４ａと、このヒートシンク部４ａの下面に一体に設けられて高熱部分（図示の場合は支持体２）と接触する脚部４ｂとを有する。前記放熱部材４は一般的に用いられているヒートシンク(放熱器、放熱板)の他、導熱シート、導熱ゴム、または半導体装置を収容している筐体（一般に金属により構成され、収容された電子機器等からの熱により温度上昇し、大気と接触することにより放熱する）などを含むものとする。

また、図示例の可撓性回路基板３は、前記支持体２の対向する２辺に対応するそれぞれの端部寄りの所定領域で折り曲げて、前記デバイス１と支持体２とを上下から挟むことにより、包み込んだ構造になっている。より詳細には、可撓性回路基板３の所定領域で第１の面６が内側となるように折り曲げることにより、図２に示すように、デバイス１、支持体２を一枚の可撓性回路基板３が上下から挟んだ（包んだ）構造とされている。また、上面にある前記開口部５の部分で放熱部材４に接続または接触させており、さらに、前記開口部５で放熱部材４と可撓性回路基板３の内部配線３Ａとを接触させることにより、半導体装置の実装面積を広げることなく、デバイス１から発生する熱を半導体装置の外部に効率よく逃がす効果を有している。
また前記可撓性回路基板３の第２の面８にある第２の外部電極９には、前記半導体装置が搭載される実装基板１０との接続のための外部端子１１が形成されており、外部端子１１としては例えばＳｎを含んだ金属材料で構成されたいわゆる半田ボール等が好ましい。
上記では、半導体装置の形状としては半田ボールを使用しているが、表面実装型部品の形状であれば、対応できるのは言うまでもない。

また、図５は本発明の第１実施形態の半導体装置の変形例であり、この変形例の内部配線３Ｂは、図３の内部配線３Ａと形状が異なっている。すなわち内部配線は、必ずしも、四角形でなくても、本発明の構成が実現できることは云うまでもない。

デバイス１としては例えば半導体ベアチップ、パッケージ化された電子部品、受動部品（コンデンサ、抵抗、インダクタ）などを用いることができる。
支持体２の材料としては、例えば金属（鉄、アルミニウム、アルミニウムを含んだ合金、NiとFeを含んだ合金、NiとCrを含んだ合金、Crを含んだ合金、銅）、シリコン、樹脂材料（ナイロン、ＰＰ、エポキシ樹脂、カーボン、アラミド樹脂）、雲母（マイカ）などを用いることができる。

図４に本実施形態の半導体装置における熱の伝導経路を示す。この図４を参照して、第１実施形態の作用について説明する。
前記デバイス１で発生した熱は、第１の経路として、前記デバイス１の表面と接触している前記可撓性回路基板３に伝わり、その後、前記可撓性回路基板３と接触している前記支持体２へと伝わる。また、第２の経路として、前記デバイス１で発生した熱が、前記デバイス１の表面と接触している前記可撓性回路基板３に伝わり、前記可撓性回路基板３に埋め込まれた銅等の熱電性の良い材料からなる前記内部配線３Ａを伝わり、可撓性回路基板３の開口部５から露出する支持体２の部分（表面に可撓性回路基板３が覆われていない部分）を用いて、半導体装置の実装面積を広げることなく、効率よく体詰へ放熱することができる。

以上説明した第１実施形態によれば下記の効果を得ることができる。
第一の効果は可撓性回路基板の開口部に露出している支持体を放熱部材に直接接続することにより、デバイスで発生した熱の放熱性を高めることができる。
第二の効果は放熱性を高めることにより、熱問題で使用が難しい装置にも搭載可能な半導体装置を提供することができる。
第三の効果は実装面積が少なくなることにより、小型化が必要な装置にも搭載可能な半導体装置を提供することができる。
第四の効果は可撓性回路基板の開口部に露出している内部配線を放熱部材に直接接続することにより、デバイスで発生した熱の放熱性を高めることができる。

次に、図６〜図１３を参照して、第１実施形態の半導体装置の製造方法の一例を説明する。
本発明の半導体装置を製造するために、図６に示すようなデバイス１（外形サイズ：約１３ｍｍ×１３ｍｍ×高さ０．７ｍｍ）を１個と図７に示すような中心に穴が開いている支持体２（外形サイズ：約２３ｍｍ×１７ｍｍ×厚さ０．７ｍｍ）を１個と図８に示すような、例えば、第１絶縁層１３、第２絶縁層１４、第３絶縁層１５からなる配線層数が２層の可撓性回路基板３（外形サイズ：約１７ｍｍ×３６ｍｍ×厚さ０．１４ｍｍ）を１個と、本発明の半導体装置の外部端子として用いる半田ボールとして、直径約０．８ｍｍのＳｎＡｇＣｕはんだボールを約１００個用意した。本例では、可撓性回路基板３については２層構成で説明しているが、配線層数が１層または、３層以上の多層の可撓性回路基板３でも構成できることは言うまでもない。
また、図９は可撓性回路基板３を上面から見た図である。

また、図８に示すように可撓性回路基板３の第１の面６にはあらかじめ支持体２の表面およびデバイス１の表面と接着させる箇所に対応する部分に接着層として厚さ約２５μｍの熱可塑性の接着シート１６を貼っておいた。熱可塑性樹脂には、約１５０℃で接着できる材料を用いた。
先ず初めに、可撓性回路基板３の第一の面６の第１の外部電極７上にフラックスまたはクリーム半田を塗布し、フリップチップ実装マウンター、およびチップマウンターを用いて、デバイス１、支持体２を可撓性回路基板３に仮搭載をした。図１０は以上の工程までの断面図、図１１は以上の工程までの上面図になる。

次に、半導体装置を１８０℃に加熱したヒーターステージ上に吸着固定させ、加圧ツールを用いて可撓性回路基板３を支持体２の２辺の辺１７で折り曲げ、デバイス１と支持体２の表面に接着させ、デバイス１と支持体２の周りに可撓性回路基板３を接着させた図１２のようなパッケージを作製した。
このようにして作製したパッケージの外部電極に、半導体装置の外部端子となるはんだボールをフラックスで仮搭載した後、リフロー炉に投入してはんだ接続を行い、図１３に示すパッケージを完成させた。

その後、導熱シート１２を配置し、可撓性回路基板３の開口部５の部分を通して見える支持体２と放熱部材４とを接触させ、図２の第１実施形態に示すような半導体装置を完成させた。
次に、完成した半導体装置はマウンターを用いて、実装基板１０に搭載し、リフロー装置を用いて、これらの半導体装置を実装基板１０とはんだ接続させた。

以上、本発明の実施例について述べたが、本名発明は前記実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲でさらに多くの改変を施しえるのは言うまでも無いことである。

（第２実施形態）
図１４は、本発明の第２実施形態を示す半導体装置の断面図である。なお第１実施形態と共通の構成には同一符号を付し、説明を簡略化する。
図１４に示す本発明の第２実施形態の半導体装置は、第１の面６に第１の外部電極７を有し、第２の面８に第２の外部電極９を有し、開口部５が設けられた可撓性回路基板３と、デバイス１の周囲を囲むように配置され可撓性回路基板３の開口部５と、開口部１８に露出しているデバイス１と、可撓性回路基板３の第１の外部電極７と電気的に接続されたデバイス１と放熱部材４と、開口部５および開口部１８を介して放熱部材４と接触している可撓性回路基板３の内部配線３Ａとで構成されている。
前記放熱部材４は、ヒートシンク部４ａの下面に設けられた端部の脚部４ｂに加え、中央にも脚部４ｃを有している。
また可撓性回路基板３の第２の面８にある第２の外部電極９には、実装基板１０との接続のための外部端子１１が形成されている。

このように放熱部材４の中央の脚部４ｂ、４ｃを開口部５の間だけでなく、デバイス１の上部にある開口部１８の部分からデバイス１、および、内部配線３Ａに接触させることにより、デバイス１から発生する熱を半導体装置の外部に効率よく逃がすことができる。すなわち、本実施形態では、より多くの放熱ルート（熱伝導経路）を設けることによって放熱効率を高めることができる。

また、図１４の第２実施形態では、放熱部材４とデバイス１、支持体２、可撓性回路基板３との間には、図２に示す第１実施形態で用いられていた導熱シート１２を介在させていないが、第１実施形態と同様に導熱シート１２を介在ざせる構造にすることができるのは言うまでもない。

（第３実施形態）
図１５は、本発明の第３実施形態を示す半導体装置の断面図である。図１５に示す本発明の第３実施形態の半導体装置は、第１の面６に第１の外部電極７を有し、また第２の面８に第２の外部電極９を有し、開口部５が設けられた可撓性回路基板３を有する。この半導体装置は、さらに、デバイス１の周囲を囲むように配置され可撓性回路基板３の開口部５に露出している支持体２と、可撓性回路基板３の第１の外部電極７と電気的に接続されたデバイス１と放熱部材４と、開口部５で放熱部材４と接触している可撓性回路基板３の内部配線３Ａとを備えた構成とされている。

このように開口部５を実装基板１１側にして、開口部５で、内部配線３Ａと放熱部材４の脚部４ｂとを接続させ、また、支持体２と実装基板１１を放熱部材４とで接続することにより、半導体装置の高さを方向への寸法を大きくすることなくデバイス１の発熱を外部に効率よく放熱する効果を有している。

さらに放熱部材４と内部配線３Ａとを接触させることにより、デバイス１から発生する熱を半導体装置の外部へのより多くの放熱ルート（熱伝導経路）を設けることにより放熱効率を高めることができる。

図１６に本実施形態の半導体装置における熱の流路を示す。デバイス１で発生した熱は、デバイス１の表面と接触している可撓性回路基板３に伝わり、その後、可撓性回路基板３と接触している支持体２、内部配線３Ａへと伝わり、最終的に可撓性回路基板３の開口部５の支持体２の部分（表面に可撓性回路基板３が覆われていない部分）と内部配線３Ａの部分に接触している放熱部材４を通り、実装基板１０に放熱することができる。

（第４実施形態）
図１７は、本発明の第４実施形態を示す半導体装置の断面図である。
図１７に示す本発明の第１の実施形態の半導体装置では、第１の面６に第１の外部電極７があり、第２の面８に第２の外部電極９があり、開口部５が設けられた可撓性回路基板３と、デバイス１の周囲を囲むように配置され可撓性回路基板３の開口部５に露出している支持体２と、可撓性回路基板３の第１の外部電極７と電気的に接続されたデバイス１と放熱部材４と、開口部５で放熱部材４と接触している可撓性回路基板３の内部配線３Ａとで構成されている。

このように、開口部５をデバイス１と実装基板１０側の間に設けることにより、内部配線３Ａと放熱部材４を接続させ、また、デバイス１と実装基板１０を放熱部材４とで接続することとで、半導体装置の高さを方向への寸法を大きくすることなくデバイス１で発生した熱を外部に効率よく放熱する効果を有している。
さらに放熱部材４を内部配線３Ａに接触させることにより、デバイス１から発生する熱を半導体装置の外部へより多くの放熱ルート（熱伝導経路）を設けることにより放熱効率を高めることができる。
本実施形態における放熱経路については、第３実施形態と同様であるため、詳細な説明を省略する。

（第５実施形態）
図１８は、本発明の第５実施形態を示す半導体装置の断面図である。
図１８に示す本発明の第１の実施形態の半導体装置では、第１の面６に第１の外部電極７があり、第２の面８に第２の外部電極９があり、開口部５が設けられた可撓性回路基板３と、デバイス１の周囲を囲むように配置され可撓性回路基板３の開口部５に露出している支持体２と、可撓性回路基板３の第１の外部電極７と電気的に接続されたデバイス１と放熱部材４と、開口部５で放熱部材４と接触している可撓性回路基板３の内部配線３Ａで構成されている。

このように開口部５をデバイス１及び支持体２と実装基板１１側の間に設けることにより、内部配線３Ａと放熱部材４を接続させ、また、デバイス１及び支持体２の両方で実装基板１１と放熱部材４とへ接続することができ、半導体装置の高さを上げることなくデバイス１の発熱を外部に効率よく放熱する効果を有している。
さらに放熱部材４と内部配線３Ａに接触させることにより、デバイス１から発生する熱を半導体装置の外部へのより多くの放熱ルート（熱伝導経路）を設けることにより放熱効率を高めることができる。
本実施形態における放熱経路については、前述の各実施形態と同様であるため、詳細な説明を省略する。

（第６実施形態）
図１９は、本発明の第６実施形態を示す半導体装置の断面図である。
図１９に示す本発明の第６実施形態の半導体装置では、第１の面６に第１の外部電極７があり、第２の面８に第２の外部電極９があり、開口部５が設けられた可撓性回路基板３と、デバイス１の周囲を囲むように配置され可撓性回路基板３の開口部５に露出している支持体２と、可撓性回路基板３の第１の外部電極７と電気的に接続されたデバイス１と放熱部材４とデバイス１と放熱部材４の間にある導熱シート１２と、開口部５で放熱部材４と接触している可撓性回路基板３の内部配線３Ａとで構成されている。
このように開口部５を上面部及び下面部の両方に設け、その上面の開口部５の部分で放熱部材４と支持体２、下面の開口部５の部分で支持体２と実装基板１１側と放熱部材４とで接続することにより、半導体装置の高さ寸法を大きくすることなくデバイス１の熱を外部に効率よく放熱することができる。

さらに放熱部材４へと内部配線３Ａを接触させることにより、デバイス１から発生する熱を半導体装置の外部へのより多くの放熱ルート（熱伝導経路）を設けることにより放熱効率を高めることができる。
本実施形態における放熱経路については、各実施形態と同様であるため、詳細な説明を省略する。

（第７実施形態）
図２０は、本発明の第７実施形態を示す半導体装置の断面図である。
図２０に示す本発明の第７実施形態の半導体装置では、本発明の第１実施形態と第３実施形態３で説明した半導体装置を用い、同一の半導体装置または異なる種類の半導体装置を組み合わせて複数積層した３次元実装構造になっている。
本構造とすることにより、半導体装置を並列に２次元実装した場合と比較して実装面積を削減することができ、且つ放熱効率の優れた半導体装置を得ることができる。

また、図の説明は割愛するが、図２０の第７実施形態と同様に、第１、第２実施形態のいずれかを上側に、第３から第５実施形態のいずれかを下側にし、複数積層した同様の組み合わせの３次元実装構造にすることができるのは、言うまでもない。

（第８実施形態）
また、図の説明は割愛するが、これまでに述べた本発明の半導体装置を用いて電子機器を組み立てれば、従来よりも放熱効果が高くなるため低コストで、動作温度が問題になりやすい小型の電子機器に組み込むことができる。なお、本願明細書において、電子機器とは、プリント回路基板、プリント回路基板を搭載した大規模ＬＳＩのみならず、これらを一部に備えた電子機器を包含するものとする。

以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、本発明は上記実施形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載した発明の範囲内で、種々の変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれるものであることはいうまでもない。

本発明は、半導体装置、ＬＳＩ、あるいはこれらを利用した多くの電子機器で使用することが考えられるが、例えば、特に小型化、高集積化の必要がある、家庭用ゲーム機、医療機器、ワークステーション、サーバー、パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション、携帯電話、ロボットなどが好適である。

１ デバイス
２ 支持体
３ 可撓性回路基板
３Ａ ３Ｂ 内部配線
４ 放熱部材
４ａ ヒートシンク部
４ｂ ４ｃ 脚部
５ 開口部
６ 第１の面
７ 第１の外部電極
８ 第２の面
９ 第２の外部電極
１０ 実装基板
１１ 外部端子（はんだボール）
１２ 導熱シート
１３ 第１絶縁層
１４ 第２絶縁層
１５ 第３絶縁層
１６ 接着シート

Claims (10)

1. 少なくともデバイス、該デバイスの近傍に設けられていて、該デバイスより熱伝導性が高い支持体、可撓性回路基板を有し、前記可撓性回路基板が前記デバイスおよび支持体の少なくとも一部分を包んでいる半導体装置であって、
   前記可撓性回路基板は、前記支持体、デバイスの少なくともいずれかが露出する開口部を有し、前記開口部に前記可撓性回路基板に含まれる内部配線が露出していることを特徴とする半導体装置。
2. 前記可撓性回路基板の開口部に露出している前記支持体および前記可撓性回路基板の開口部に露出している内部配線と放熱部材が接触していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記開口部に前記デバイス、支持体の少なくともいずれかが露出していることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の半導体装置。
4. 前記開口部に露出している、デバイス、支持体、内部配線の少なくともいずれかと放熱部材とが接触していることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
5. 実装基板側で前記可撓性回路基板の開口部に露出している前記支持体および前記内部配線が放熱部材を介して前記実装基板と接触していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
6. 実装基板側で前記可撓性回路基板の開口部に露出している前記デバイスおよび内部配線が放熱部材を介して前記実装基板と接触していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
7. 実装基板側で前記可撓性回路基板にある開口部に露出しているデバイス及び支持体および内部配線が放熱部材で前記実装基板と接触している請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置のうち、同一または異なる種類を組み合わせて複数積層したことを特徴とする半導体装置。
9. 前記支持体がFe、NiとFeを含んだ合金、アルミニウム、アルミニウムを含んだ合金、銅、NiとCrを含んだ合金、Crを含んだ合金、シリコン、樹脂材料、雲母、マイカのうちいずれかの材料で構成されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置。
10. 請求項１から９のうちいずれかに記載の半導体装置を搭載した電子機器。

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