JP6779216B2 - 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 - Google Patents
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Description
以上、本発明の実施形態に係る弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置について、実施形態及びその変形例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施形態及び変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施形態や、上記実施形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波フロントエンド回路及び通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
2…支持基板
3…高音速支持基板
3A…高音速膜
3A1,3A2…高音速膜層
4…低音速膜
4a,4b…低音速膜層
4A…第3の酸化ケイ素膜
4B…第2の酸化ケイ素膜
5…圧電膜
6…IDT電極
7,8…反射器
9…誘電体膜
11,21,31,41,51,61…弾性波装置
12…第1の酸化ケイ素膜
13…接合層
101…クワッドプレクサ
102…アンテナ素子
103…RF信号処理回路
104…ベースバンド信号処理回路
111,112,121,122…フィルタ
111A,112A,121A,122A…個別端子
113…受信側スイッチ
114…ローノイズアンプ回路
123…送信側スイッチ
124…パワーアンプ回路
125…アンテナ側スイッチ
130…高周波フロントエンド回路
140…通信装置
Claims (12)
- 圧電膜を有する弾性波装置であって、
前記圧電膜を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速である高音速部材と、
前記高音速部材上に積層されており、前記圧電膜を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜と、
前記低音速膜上に積層されている、前記圧電膜と、
前記圧電膜の一方面に形成されているIDT電極とを備え、
前記圧電膜の膜厚が、前記IDT電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、1.5λを超え、3.5λ以下とされており、
前記高音速部材が、高音速支持基板であり、
前記高音速支持基板から、前記低音速膜と前記圧電膜との界面までのいずれかの位置に設けられている接合層をさらに備え、
前記低音速膜が酸化ケイ素からなり、前記接合層は、前記低音速膜中の位置に存在し、前記低音速膜が、前記接合層の前記圧電膜側に位置している、第1の低音速膜層と、前記接合層の前記圧電膜とは反対側に位置している第2の低音速膜層とを有し、前記弾性波装置が利用する弾性波の波長をλとしたときに、前記第1の低音速膜層の膜厚が、0.12λ以上である、弾性波装置。 - 圧電膜を有する弾性波装置であって、
前記圧電膜を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速である高音速部材と、
前記高音速部材上に積層されており、前記圧電膜を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜と、
前記低音速膜上に積層されている、前記圧電膜と、
前記圧電膜の一方面に形成されているIDT電極とを備え、
前記圧電膜の膜厚が、前記IDT電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、1.5λを超え、3.5λ以下とされており、
支持基板をさらに備え、前記高音速部材が前記支持基板上に設けられた高音速膜であり、
前記高音速膜中から、前記低音速膜と前記圧電膜との界面までのいずれかの位置に設けられている接合層をさらに備え、
前記低音速膜が酸化ケイ素からなり、前記接合層は、前記低音速膜中の位置に存在し、前記低音速膜が、前記接合層の前記圧電膜側に位置している、第1の低音速膜層と、前記接合層の前記圧電膜とは反対側に位置している第2の低音速膜層とを有し、前記弾性波装置が利用する弾性波の波長をλとしたときに、前記第1の低音速膜層の膜厚が、0.12λ以上である、弾性波装置。 - 前記高音速支持基板がシリコン基板である、請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記接合層が、金属酸化物層または金属窒化物層を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記接合層がTi層を含み、前記Ti層の膜厚が0.4nm以上であり、かつ2.0nm以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記Ti層の膜厚が0.4nm以上であり、かつ1.2nm以下である、請求項5に記載の弾性波装置。
- 前記低音速膜が、酸化ケイ素、あるいは酸化ケイ素を主成分とする膜からなる、請求項1〜6のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記圧電膜がLiTaO3からなる、請求項1〜7のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記第1の低音速膜層の膜厚が0.22λ以上である、請求項1または2に記載の弾性波装置。
- 前記高音速膜と前記支持基板との間に配置された中間層をさらに備える、請求項2に記載の弾性波装置。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の弾性波装置と、
パワーアンプと、
を備える、高周波フロントエンド回路。 - 請求項11に記載の高周波フロントエンド回路と、
RF信号処理回路と、
ベースバンド信号処理回路と、
を備える、通信装置。
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