WO2019116897A1 - 電子部品 - Google Patents

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WO2019116897A1
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卓哉 小柳
英樹 岩本
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates generally to electronic components, and more particularly to electronic components comprising piezoelectric films and IDT electrodes.
  • an elastic wave device (elastic wave element) provided with a piezoelectric film and an IDT electrode is known (see, for example, Patent Document 1).
  • a low sound velocity film, a piezoelectric film, and an IDT electrode are stacked in this order on a high sound velocity support substrate made of silicon.
  • the acoustic velocity of the elastic wave propagating through the high acoustic velocity support substrate is higher than the acoustic velocity of the elastic wave propagating through the piezoelectric film.
  • the acoustic velocity of the elastic wave propagating through the low acoustic velocity film is lower than the acoustic velocity of the elastic wave propagating through the piezoelectric film.
  • a pn junction is formed by adding an appropriate impurity to a high impurity concentration silicon substrate (support member) to which an n-type impurity (for example, phosphorus) or a p-type impurity (for example, boron) is added. Therefore, the resistivity of the silicon substrate is low.
  • a silicon substrate having such a low resistivity is used for an elastic wave element having a piezoelectric film having a thickness of 3.5 ⁇ ( ⁇ is a wavelength of an elastic wave determined by the electrode finger pitch of the IDT electrode), the current flows in the piezoelectric film The current to be leaked to the silicon substrate has a problem that the loss increases.
  • the present invention is an invention made in view of the above-mentioned point, and the object of the present invention is to reduce the generation of the leak current to the support member while forming the elastic wave element and the semiconductor element integrally to achieve miniaturization. It is to provide an electronic component that can be
  • An electronic component includes a support member, a piezoelectric film, and an IDT electrode.
  • the support member contains silicon as a main component.
  • the piezoelectric film is provided directly or indirectly on the support member.
  • the IDT electrode includes a plurality of electrode fingers. The plurality of electrode fingers are provided side by side separately from each other.
  • the IDT electrode is provided on the main surface of the piezoelectric film.
  • the film thickness of the piezoelectric film in the thickness direction of the support member is 3.5 ⁇ or less, where ⁇ is a wavelength of an elastic wave determined by the electrode finger pitch of the IDT electrode.
  • the support member has a high impurity concentration region and a low impurity concentration region.
  • the high impurity concentration region contains an impurity.
  • the low impurity concentration region is a region in which the concentration of impurities is lower than that of the high impurity concentration region.
  • the low impurity concentration region constitutes an elastic wave element together with the piezoelectric film and the IDT electrode.
  • the sound velocity of the bulk wave propagating in the low impurity concentration region is higher than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric film.
  • the high impurity concentration region constitutes a semiconductor element and is farther from the piezoelectric film than the low impurity concentration region.
  • the elastic wave element and the semiconductor element can be integrally formed to achieve downsizing while reducing the occurrence of the leakage current to the support member.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an electronic component according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a characteristic diagram of the impedance change amount in the electronic component of the above.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of an electronic component according to a modification of the embodiment of the present invention.
  • the electronic component 1 includes a support member 2, a low sound velocity film 3, a piezoelectric film 4, and an IDT (Interdigital Transducer) electrode 5. Furthermore, the electronic component 1 includes the insulating film 6 and a plurality of electrodes.
  • the support member 2 is a substrate whose main component is silicon.
  • the piezoelectric film 4 is provided directly or indirectly on the support member 2.
  • the IDT electrode 5 is provided on the main surface of the piezoelectric film 4. When the wavelength of the elastic wave determined by the electrode finger pitch of the IDT electrode 5 is ⁇ , the film thickness L1 of the piezoelectric film 4 in the thickness direction (first direction D1) of the support member 2 is 3.5 ⁇ or less.
  • the support member 2 has the high impurity concentration region 27 and the low impurity concentration region 28.
  • the high impurity concentration region 27 contains an impurity and constitutes a semiconductor element.
  • the low impurity concentration region 28 is a region in which the concentration of impurities is lower than that of the high impurity concentration region 27.
  • the high impurity concentration region 27 is farther from the piezoelectric film 4 than the low impurity concentration region 28.
  • the piezoelectric film 4 is laminated directly or indirectly on the low sound velocity film 3.
  • the material of the piezoelectric film 4 is LiTaO 3 , LiNbO 3 , ZnO, AlN, or PZT.
  • the film thickness L1 of the piezoelectric film 4 in the thickness direction (first direction D1) of the support member 2 is 3.5 ⁇ or less, where ⁇ is a wavelength of an elastic wave determined by the period of the electrode finger 51 of the IDT electrode 5.
  • ⁇ is a wavelength of an elastic wave determined by the period of the electrode finger 51 of the IDT electrode 5.
  • the Q value becomes high.
  • the film thickness L1 of the piezoelectric film 4 is 3.5 ⁇ or less, the Q value becomes high.
  • the temperature characteristics can be improved. That is, it is possible to reduce TCF (Temperature Coefficients of Frequency) that represents the amount of fluctuation of frequency with respect to temperature change.
  • TCF Tempo Coefficients of Frequency
  • the IDT electrode 5 includes a plurality of electrode fingers 51 and two bus bars (not shown), and is provided on the main surface 41 of the piezoelectric film 4.
  • the plurality of electrode fingers 51 are provided side by side in the second direction D2.
  • the two bus bars (not shown) are formed in an elongated shape having the second direction D2 as a longitudinal direction, and are electrically connected to the plurality of electrode fingers 51.
  • the plurality of electrode fingers 51 include a plurality of first electrode fingers and a plurality of second electrode fingers.
  • the plurality of first electrode fingers are electrically connected to the first bus bar of the two bus bars.
  • the plurality of second electrode fingers are electrically connected to the second bus bar of the two bus bars.
  • the material of the IDT electrode 5 is an appropriate metal material such as Al, Cu, Pt, Au, Ag, Ti, Ni, Cr, Mo, W, or an alloy mainly composed of any of these metals. Further, the IDT electrode 5 may have a structure in which a plurality of metal films made of these metals or alloys are stacked.
  • the low sound speed film 3 is provided between the support member 2 and the piezoelectric film 4.
  • the low sound velocity film 3 is a film in which the sound velocity of the propagating bulk wave is slower than the sound velocity of the bulk wave propagating in the piezoelectric film 4. Since the low sound velocity film 3 is formed between the support member 2 and the piezoelectric film 4, the sound velocity of the elastic wave is reduced. Elastic waves are essentially concentrated in low sound velocity media. Therefore, the effect of confining the energy of the elastic wave in the piezoelectric film 4 and in the IDT electrode 5 in which the elastic wave is excited can be enhanced. As a result, the loss can be reduced and the Q value can be increased as compared with the case where the low sound velocity film 3 is not provided.
  • the material of the low sound velocity film 3 is silicon oxide, glass, silicon oxynitride, tantalum oxide, a compound obtained by adding fluorine, carbon, or boron to silicon oxide, or a material containing the above-described materials as main components.
  • the temperature characteristics can be improved.
  • the elastic constant of LiTaO 3 which is the material of the piezoelectric film 4 has negative temperature characteristics, and the temperature characteristic of silicon oxide has positive temperature characteristics. Therefore, in the electronic component 1, the absolute value of TCF (Temperature Coefficients of Frequency) can be reduced.
  • the intrinsic acoustic impedance of silicon oxide is smaller than the intrinsic acoustic impedance of LiTaO 3 which is the material of the piezoelectric film 4. Therefore, both the increase of the electromechanical coupling coefficient, that is, the expansion of the specific band and the improvement of the frequency temperature characteristic can be achieved.
  • the film thickness L2 of the low sound velocity film 3 is preferably 2.0 ⁇ or less, where ⁇ is a wavelength of an elastic wave determined by the period of the electrode finger of the IDT electrode 5.
  • ⁇ is a wavelength of an elastic wave determined by the period of the electrode finger of the IDT electrode 5.
  • the insulating film 6 is provided on the opposite side of the low sound velocity film 3 to the support member 2. More specifically, the insulating film 6 is provided on the main surface 212 of the substrate 21 of the support member 2.
  • the material of the insulating film 6 is, for example, silicon oxide.
  • Electrode As a plurality of electrodes, a gate electrode 71 (control electrode), a source electrode 72 (main electrode), and a drain electrode 73 (main electrode) are provided.
  • the gate electrode 71 is provided to face the n-type impurity region 24 via the insulating film 6, and is an electrode provided on the main surface 41 of the piezoelectric film 4 via, for example, side wiring or through wiring. It is electrically connected to (not shown).
  • the source electrode 72 is provided on the p-type impurity region 251 of the substrate 21 and electrically connected to the electrode 74 provided on the main surface 41 of the piezoelectric film 4 via, for example, side wiring or through wiring. It is done.
  • the drain electrode 73 is provided on the p-type impurity region 252 of the substrate 21 and electrically connected to an electrode 75 provided on the main surface 41 of the piezoelectric film 4 via, for example, side wiring or through wiring. It is done.
  • the support member 2 includes a substrate 21 as a first member and a low impurity film 22 as a second member.
  • the first member is a member containing silicon as a main component and at least including the high impurity concentration region 27.
  • the second member is a member mainly composed of silicon and including at least a part of the low impurity concentration region 28.
  • the substrate 21 is a substrate made of silicon and partially doped with a dopant. More specifically, the substrate 21 includes an undoped semiconductor region 23, an n-type impurity region 24 containing an n-type impurity (n-type dopant), and two p-type impurity regions 251 containing a p-type impurity (p-type dopant). , 252 and the like.
  • the undoped semiconductor region 23 is a region intentionally containing no dopant, but may contain unintended impurities.
  • the n-type impurity is, for example, phosphorus or arsenic.
  • the p-type impurity is, for example, boron or aluminum.
  • n-type impurities are doped by ion implantation into a silicon substrate whose concentration of impurities has been reduced by refining, to form n-type impurity regions 24.
  • a p-type impurity is doped to a part of the n-type impurity region 24 by ion implantation to form two p-type impurity regions 251 and 252.
  • the depth of the n-type impurity region 24 and the depths of the two p-type impurity regions 251 and 252 are controlled by changing the ion implantation acceleration.
  • a high impurity concentration region 27 having a pn junction is formed in the silicon substrate.
  • the region of the substrate 21 to which no impurity is added that is, the undoped semiconductor region 23 becomes a part of the low impurity concentration region 28.
  • the high impurity concentration region 27 is, for example, 10 16 [atom / cm 3 ], and the resistivity of the high impurity concentration region 27 is, for example, 1 ⁇ 10 ⁇ 6 ⁇ cm.
  • the low impurity concentration region 28 has a lower concentration of impurities than the high impurity concentration region 27, for example, 10 10 atoms / cm 3 .
  • the resistivity of the low impurity concentration region 28 is, for example, 6 k ⁇ cm.
  • the low impurity film 22 is provided on the major surface 211 of the substrate 21.
  • the low impurity film 22 is a film in which the acoustic velocity of the propagating elastic wave is higher than the acoustic velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric film 4.
  • the low impurity film 22 is a silicon film and is a semiconductor film which does not contain a dopant. That is, the low impurity film 22 is an undoped semiconductor film.
  • the low impurity film 22 constitutes a low impurity concentration region 28 together with the semiconductor region 23 of the substrate 21.
  • the semiconductor element 26 is configured by the combination of the n-type impurity region 24 and the p-type impurity regions 251 and 252. More specifically, a combination of n-type impurity region 24, p-type impurity regions 251 and 252, insulating film 6, gate electrode 71, source electrode 72 and drain electrode 73 forms a field effect transistor (Metal) as semiconductor element 26. -The Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) is configured.
  • the semiconductor element 26 is, for example, a diode or a transistor.
  • the n-type impurity region 24 and the two p-type impurity regions 251 and 252 have a higher concentration of the impurity including the dopant than the undoped semiconductor region 23 and the low impurity film 22 of the substrate 21. Therefore, the n-type impurity region 24 and the two p-type impurity regions 251 and 252 become the high impurity concentration region 27.
  • the semiconductor region 23 and the low impurity film 22 of the substrate 21 become the low impurity concentration region 28 in the support member 2 because the concentration of the impurity is relatively low. In short, the support member 2 has the high impurity concentration region 27 and the low impurity concentration region 28.
  • the high impurity concentration region 27 constitutes the semiconductor element 26, while the low impurity concentration region 28 and the low impurity film 22 of the substrate 21 together with the low sound velocity film 3, the piezoelectric film 4 and the IDT electrode 5 are elastic waves.
  • the element 29 is configured.
  • the high impurity concentration region 27 is farther from the piezoelectric film 4 than the low impurity concentration region 28. In other words, at least the low impurity concentration region 28 exists between the piezoelectric film 4 and the high impurity concentration region 27 in the first direction D1.
  • the thickness L3 of the low impurity concentration region 28 is preferably 10 ⁇ or more, where ⁇ is a wavelength of an elastic wave determined by the electrode finger pitch of the IDT electrode 5. Thereby, the phase maximum value of the higher order mode can be reduced, and the intensity of the higher order mode can be reduced.
  • the thickness L3 of the low impurity concentration region 28 is preferably 180 ⁇ m or less. When the low impurity concentration region 28 is thickened, the heat dissipation property decreases, but when the thickness L3 of the low impurity concentration region 28 is 180 ⁇ m or less, the decrease in the heat dissipation property can be suppressed.
  • the thickness L3 of the low impurity concentration region 28 is 180 ⁇ m or less, the height can be reduced.
  • the thickness L 3 of the low impurity concentration region 28 is equal to the distance from the interface between the low impurity film 22 and the low sound velocity film 3 to the high impurity concentration region 27.
  • the distance L4 between the main surface 41 of the piezoelectric film 4 and the high impurity concentration region 27 is equal to that of the electrode finger 51 of the IDT electrode 5. Assuming that the wavelength of the elastic wave determined by the period is ⁇ , it is preferably 40 ⁇ or more.
  • the distance L4 between the main surface 41 of the piezoelectric film 4 and the high impurity concentration region 27 is the sum of the film thickness L1 of the piezoelectric film 4, the film thickness L2 of the low sound velocity film 3 and the thickness L3 of the low impurity concentration region 28. It is.
  • FIG. 2 shows an elastic wave element 29 (a device comprising the low impurity concentration region 28 of the support member 2, the low sound velocity film 3, the piezoelectric film 4 and the IDT electrode 5) of the electronic component 1 as a one-port resonator. Indicates the amount of change in impedance between terminals when used.
  • the horizontal axis in FIG. 2 is the distance L4 between the main surface 41 of the piezoelectric film 4 and the high impurity concentration region 27. When the distance L4 becomes 40 ⁇ or more, the amount of change in impedance becomes approximately zero.
  • An example of the conditions for obtaining the characteristics of FIG. 2 is as follows.
  • the material of the low impurity concentration region 28 is silicon
  • the material of the low sound velocity film 3 is SiO 2 .
  • the material of the piezoelectric film 4 is LiTaO 3
  • the material of the IDT electrode 5 is Al.
  • the wavelength ⁇ of the elastic wave determined by the electrode finger pitch of the IDT electrode 5 is 1 ⁇ m.
  • the duty ratio of the electrode finger 51 of the IDT electrode 5 is 0.5.
  • the distance L4 between the main surface 41 of the piezoelectric film 4 and the high impurity concentration region 27 is determined by the period of the electrode finger 51 of the IDT electrode 5 Assuming that the wavelength of the elastic wave is ⁇ , the wavelength is preferably 40 ⁇ or more.
  • the low impurity concentration region 28 exists up to the region where the energy of elastic waves hardly exists. As a result, the generation of a leak current to the support member 2 can be suppressed.
  • the high impurity concentration region 27 of the support member 2 is farther from the piezoelectric film 4 than the low impurity concentration region 28.
  • the high impurity concentration region 27 of the support member 2 constitutes the semiconductor element 26, and the low impurity concentration region 28 of the support member 2 constitutes the elastic wave element 29. Since the concentration of the impurity on the side of the elastic wave element 29 in the support member 2 is low, the leak current to the support member 2 hardly occurs. As a result, even if the semiconductor element 26 is formed on the support member 2, it is possible to reduce the generation of the leak current to the support member 2 while achieving downsizing. Furthermore, the composite device of the elastic wave element 29 and the semiconductor element 26 can be realized while suppressing the increase of the loss of the elastic wave element 29.
  • the distance L4 between the main surface 41 of the piezoelectric film 4 and the high impurity concentration region 27 is 40 ⁇ .
  • the low impurity concentration region 28 is present in the support member 2 up to the region where the energy of the elastic wave hardly exists, so the leak current can be further suppressed.
  • the thickness L3 of the low impurity concentration region 28 in the thickness direction (first direction D1) of the support member 2 is 10 ⁇ or more and 180 ⁇ m or less.
  • the low sound velocity film 3 is provided between the support member 2 and the piezoelectric film 4.
  • the sound velocity of the elastic wave is reduced in the low sound velocity film 3, and the effect of confining the energy of the elastic wave in the piezoelectric film 4 and in the IDT electrode 5 in which the elastic wave is excited can be enhanced.
  • the loss can be reduced and the Q value can be increased.
  • the low sound velocity film 3 is formed of silicon oxide. This can improve the temperature characteristics.
  • the elastic constant of the piezoelectric film 4 has a negative temperature characteristic, and the temperature characteristic of silicon oxide has a positive temperature characteristic. Therefore, in the electronic component 1, the absolute value of TCF can be reduced.
  • the intrinsic acoustic impedance of silicon oxide is smaller than the intrinsic acoustic impedance of the piezoelectric film 4. Therefore, both the increase of the electromechanical coupling coefficient, that is, the expansion of the specific band and the improvement of the frequency temperature characteristic can be achieved.
  • the film thickness of the low sound velocity film 3 is 2 ⁇ or less. Therefore, film stress can be reduced. As a result, it is possible to reduce the warpage of the wafer and to improve the yield rate and stabilize the characteristics.
  • the electronic component 1 a may not have the low sound velocity film 3.
  • the electronic component 1 a includes the support member 2, the piezoelectric film 4, and the IDT electrode 5.
  • the piezoelectric film 4 of this modification is directly provided on the support member 2.
  • the distance L4 between the main surface 41 of the piezoelectric film 4 and the high impurity concentration region 27 is the sum of the film thickness L1 of the piezoelectric film 4 and the thickness L3 of the low impurity concentration region 28.
  • the n-type impurity region 24 and the p-type impurity regions 251 and 252 constitute the semiconductor element 26 and become the high impurity concentration region 27.
  • the undoped semiconductor region 23 and the low impurity film 22 of the substrate 21 become the low impurity concentration region 28.
  • the support member 2, the piezoelectric film 4, and the IDT electrode 5 of the modification have the same functions as the support member 2, the piezoelectric film 4, and the IDT electrode 5 of the embodiment.
  • the combination of the first member including at least the high impurity concentration region 27 and the second member including at least a portion of the low impurity concentration region 28 is a substrate
  • the combination of the low impurity film 21 and the low impurity film 22 is not limited. That is, the combination of the first member and the second member is not limited to the combination of the substrate and the film.
  • the combination of the first member and the second member may be a combination of a substrate and a substrate.
  • the combination of the first member and the second member may be a combination of a substrate having a high concentration of impurities and a substrate having a low concentration of impurities.
  • the first member and the second member may be not separate but integrated.
  • the high impurity concentration region 27 and the low impurity concentration region 28 may be formed on one substrate.
  • the support member 2 has a high impurity concentration region 27 and a low impurity concentration region 28, and the high impurity concentration region 27 may be separated from the piezoelectric film 4 more than the low impurity concentration region 28. It is not limited to being a membrane.
  • an adhesive layer such as SiO 2 may be provided between the substrate 21 and the low impurity film 22.
  • the thickness L 3 of the low impurity concentration region 28 in the first direction D 1 is the thickness of the low impurity film 22.
  • the electronic component (1; 1a) includes a support member (2), a piezoelectric film (4), and an IDT electrode (5).
  • the support member (2) contains silicon as a main component.
  • the piezoelectric film (4) is provided directly or indirectly on the support member (2).
  • the IDT electrode (5) includes a plurality of electrode fingers (51). The plurality of electrode fingers (51) are provided side by side separately from each other.
  • the IDT electrode (5) is provided on the main surface (41) of the piezoelectric film (4).
  • the support member (2) has a high impurity concentration region (27) and a low impurity concentration region (28).
  • the high impurity concentration region (27) contains an impurity.
  • the low impurity concentration region (28) is a region where the concentration of impurities is lower than that of the high impurity concentration region (27).
  • the low impurity concentration region (28) constitutes an acoustic wave element (29) together with the piezoelectric film (4) and the IDT electrode (5).
  • the sound velocity of the bulk wave propagating in the low impurity concentration region (28) is faster than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric film (4).
  • the high impurity concentration region (27) constitutes a semiconductor element (26) and is farther from the piezoelectric film (4) than the low impurity concentration region (28).
  • the semiconductor element (26) is formed in the high impurity concentration region (27) of the support member (2), and the low impurity concentration region of the support member (2)
  • An elastic wave element (29) is formed on (28). Since the concentration of the impurity on the side of the elastic wave element (29) in the support member (2) is low, the leakage current to the support member (2) hardly occurs. As a result, even if the semiconductor element (26) is formed on the support member (2), it is possible to reduce the occurrence of leakage current to the support member (2) while achieving downsizing. Furthermore, the composite device of the elastic wave element (29) and the semiconductor element (26) can be realized while suppressing the increase of the loss of the elastic wave element (29).
  • the distance between the main surface (41) of the piezoelectric film (4) and the high impurity concentration region (27) is 40 ⁇ or more .
  • the leakage current is further suppressed be able to.
  • the thickness (L3) of the low impurity concentration region (28) in the thickness direction (first direction D1) is 10 ⁇ or more It is 180 ⁇ m or less.
  • the phase maximum value of the high-order mode can be reduced, and the intensity of the high-order mode can be reduced.
  • the electronic component (1) according to the fourth aspect further includes a low sound velocity film (3) in any one of the first to third aspects.
  • the low sound velocity film (3) is provided between the support member (2) and the piezoelectric film (4), and the sound velocity of the bulk wave propagating is greater than the sound velocity of the bulk wave propagating in the piezoelectric film (4). It is a membrane that is slow.
  • the sound velocity of the elastic wave is lowered in the low sound velocity film (3), and the inside of the piezoelectric film (4) and the IDT electrode (5) in which the elastic wave is excited.
  • the energy confinement effect of the elastic wave can be enhanced.
  • the loss can be reduced and the Q value can be increased as compared with the case where the low sound velocity film (3) is not provided.
  • the low sound velocity film (3) is formed of silicon oxide.
  • temperature characteristics can be improved.
  • the elastic constant of the piezoelectric film (4) has negative temperature characteristics, and the temperature characteristic of silicon oxide has positive temperature characteristics. Therefore, in the electronic component (1; 1a), the absolute value of TCF can be reduced.
  • the specific acoustic impedance of silicon oxide is smaller than the specific acoustic impedance of the piezoelectric film (4). Therefore, both the increase of the electromechanical coupling coefficient, that is, the expansion of the specific band and the improvement of the frequency temperature characteristic can be achieved.
  • the film thickness of the low sound velocity film (3) is 2 ⁇ or less.
  • film stress can be reduced. As a result, it is possible to reduce the warpage of the wafer and to improve the yield rate and stabilize the characteristics.

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Abstract

弾性波素子と半導体素子とを一体に形成して小型化を図りつつ、支持部材へのリーク電流の発生を低減させる。電子部品（１）は、支持部材（２）と、圧電膜（４）と、ＩＤＴ電極（５）とを備える。支持部材（２）は、シリコンを主成分とする。圧電膜（４）は、支持部材（２）上に直接又は間接的に設けられている。ＩＤＴ電極（５）は、複数の電極指（５１）を含む。複数の電極指（５１）は、互いに離隔して並んで設けられている。ＩＤＴ電極（５）は、圧電膜（４）の主面（４１）に設けられている。圧電膜（４）の膜厚（Ｌ１）は、ＩＤＴ電極（５）の電極指ピッチによって定まる弾性波の波長をλとした場合に、３．５λ以下である。支持部材（２）において、高不純物濃度領域（２７）は、低不純物濃度領域（２８）よりも圧電膜（４）から離れている。

Description

電子部品
　本発明は、一般に電子部品に関し、特に、圧電膜及びＩＤＴ電極を備える電子部品に関する。
　従来、圧電膜及びＩＤＴ電極を備える弾性波装置（弾性波素子）が知られている（例えば特許文献１参照）。
　特許文献１に記載された弾性波装置では、シリコンからなる高音速支持基板上に、低音速膜、圧電膜、及びＩＤＴ電極がこの順序で積層されている。高音速支持基板を伝搬する弾性波の音速は、圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも高速である。低音速膜を伝搬する弾性波の音速は、圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも低速である。
国際公開第２０１７／０４３４２７号
　ところで、特許文献１に記載された従来の弾性波素子が半導体素子と共に用いられる場合、弾性波素子と半導体素子とが別体であると、全体として大型となる。
　そこで、弾性波素子のシリコン支持基板と半導体素子のシリコン基板とを共有化することで一体に構成し、小型化を図ることが考えられる。
　しかしながら、半導体素子では、ｎ型不純物（例えばリン）又はｐ型不純物（例えばホウ素）が添加された高不純物濃度のシリコン基板（支持部材）に適宜の不純物が添加されることでｐｎ接合が形成されているため、シリコン基板の抵抗率が低い。このような抵抗率の低いシリコン基板を、厚みが３．５λ（λは、ＩＤＴ電極の電極指ピッチによって定まる弾性波の波長）以下の圧電膜を有する弾性波素子に用いると、圧電膜に流れるべき電流がシリコン基板にリークしてしまい、損失が増大するという問題があった。
　本発明は上記の点に鑑みてなされた発明であり、本発明の目的は、弾性波素子と半導体素子とを一体に形成して小型化を図りつつ、支持部材へのリーク電流の発生を低減させることができる電子部品を提供することにある。
　本発明の一態様に係る電子部品は、支持部材と、圧電膜と、ＩＤＴ電極とを備える。前記支持部材は、シリコンを主成分とする。前記圧電膜は、前記支持部材上に直接又は間接的に設けられている。前記ＩＤＴ電極は、複数の電極指を含む。前記複数の電極指は、互いに離隔して並んで設けられている。前記ＩＤＴ電極は、前記圧電膜の主面に設けられている。前記支持部材の厚さ方向における前記圧電膜の膜厚は、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチによって定まる弾性波の波長をλとした場合に、３．５λ以下である。前記支持部材は、高不純物濃度領域と、低不純物濃度領域とを有する。前記高不純物濃度領域は、不純物を含む。前記低不純物濃度領域は、前記高不純物濃度領域よりも不純物の濃度が低い領域である。前記低不純物濃度領域は、前記圧電膜及び前記ＩＤＴ電極とともに弾性波素子を構成する。前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも、前記低不純物濃度領域を伝搬するバルク波の音速が高速である。前記高不純物濃度領域は、半導体素子を構成し、前記低不純物濃度領域よりも前記圧電膜から離れている。
　本発明の上記態様に係る電子部品によれば、弾性波素子と半導体素子とを一体に形成して小型化を図りつつ、支持部材へのリーク電流の発生を低減させることができる。
図１は、本発明の一実施形態に係る電子部品の断面図である。 図２は、同上の電子部品におけるインピーダンス変化量の特性図である。 図３は、本発明の一実施形態の変形例に係る電子部品の断面図である。
　以下、実施形態に係る電子部品について、図面を参照して説明する。
　下記の実施形態等において説明する図１及び図３は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
　（実施形態）
　（１）電子部品の全体構成
　まず、本実施形態に係る電子部品の全体構成について、図面を参照して説明する。
　本実施形態に係る電子部品１は、図１に示すように、支持部材２と、低音速膜３と、圧電膜４と、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極５とを備える。さらに、電子部品１は、絶縁膜６と、複数の電極とを備える。支持部材２は、シリコンを主成分とする基板である。圧電膜４は、支持部材２上に直接又は間接的に設けられている。ＩＤＴ電極５は、圧電膜４の主面に設けられている。支持部材２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）における圧電膜４の膜厚Ｌ１は、ＩＤＴ電極５の電極指ピッチによって定まる弾性波の波長をλとした場合に、３．５λ以下である。
　上記のような電子部品１において、支持部材２は、高不純物濃度領域２７と、低不純物濃度領域２８とを有する。高不純物濃度領域２７は、不純物を含み、半導体素子を構成する。低不純物濃度領域２８は、高不純物濃度領域２７よりも不純物の濃度が低い領域である。そして、高不純物濃度領域２７は、低不純物濃度領域２８よりも圧電膜４から離れている。
　（２）電子部品の各構成要素
　次に、本実施形態に係る電子部品１の各構成要素について、図面を参照して説明する。
　（２．１）圧電膜
　圧電膜４は、低音速膜３上に直接又は間接的に積層されている。圧電膜４の材料は、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＺｎＯ、ＡｌＮ、又はＰＺＴである。
　支持部材２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）における圧電膜４の膜厚Ｌ１は、ＩＤＴ電極５の電極指５１の周期で定まる弾性波の波長をλとすると、３．５λ以下である。圧電膜４の膜厚Ｌ１が３．５λ以下である場合、Ｑ値が高くなる。また、圧電膜４の膜厚Ｌ１を２．５λ以下とすることで、温度特性を改善させることができる。つまり、温度変化に対する周波数の変動量を表すＴＣＦ（Temperature Coefficients of Frequency：周波数温度係数）を小さくすることができる。さらに、圧電膜４の膜厚Ｌ１を１．５λ以下とすることで、弾性波の音速の調整が容易になる。
　（２．２）ＩＤＴ電極
　ＩＤＴ電極５は、複数の電極指５１と、２つのバスバー（図示せず）とを含み、圧電膜４の主面４１に設けられている。複数の電極指５１は、第２方向Ｄ２において互いに並んで設けられている。図示しない２つのバスバーは、第２方向Ｄ２を長手方向とする長尺状に形成されており、複数の電極指５１と電気的に接続されている。より詳細には、複数の電極指５１は、複数の第１電極指と、複数の第２電極指とを有する。複数の第１電極指は、２つのバスバーのうちの第１バスバーと電気的に接続されている。複数の第２電極指は、２つのバスバーのうちの第２バスバーと電気的に接続されている。
　ＩＤＴ電極５の材料は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ，Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金など適宜の金属材料である。また、ＩＤＴ電極５は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有してもよい。
　（２．３）低音速膜
　低音速膜３は、支持部材２と圧電膜４との間に設けられている。低音速膜３は、圧電膜４を伝搬するバルク波の音速より、伝搬するバルク波の音速が低速である膜である。低音速膜３が支持部材２と圧電膜４との間に形成されていることにより、弾性波の音速が低下する。弾性波は本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中する。したがって、圧電膜４内及び弾性波が励振されているＩＤＴ電極５内への弾性波のエネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。その結果、低音速膜３が設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。
　低音速膜３の材料は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素、炭素、若しくはホウ素を加えた化合物、又は、上記各材料を主成分とする材料である。
　低音速膜３の材料が酸化ケイ素である場合、温度特性を改善することができる。圧電膜４の材料であるＬｉＴａＯ３の弾性定数が負の温度特性を有し、酸化ケイ素の温度特性が正の温度特性を有する。したがって、電子部品１では、ＴＣＦ（Temperature Coefficients of Frequency：周波数温度係数）の絶対値を小さくすることができる。さらに、酸化ケイ素の固有音響インピーダンスは、圧電膜４の材料であるＬｉＴａＯ３の固有音響インピーダンスより小さい。したがって、電気機械結合係数の増大すなわち比帯域の拡大と、周波数温度特性の改善との両方を図ることができる。
　低音速膜３の膜厚Ｌ２は、ＩＤＴ電極５の電極指の周期で定まる弾性波の波長をλとすると、２．０λ以下であることが好ましい。低音速膜３の膜厚Ｌ２を２．０λ以下とすることにより、膜応力を低減させることができ、その結果、ウェハの反りを低減させることができ、良品率の向上及び特性の安定化を図ることができる。また、低音速膜３の膜厚Ｌ２が０．１λ以上０．５λ以下の範囲内であれば、電気機械結合係数がほとんど変わらない。
　（２．４）絶縁膜
　絶縁膜６は、支持部材２に対して低音速膜３の反対側に設けられている。より詳細には、絶縁膜６は、支持部材２の基板２１の主面２１２上に設けられている。絶縁膜６の材料は、例えば酸化ケイ素である。
　（２．５）電極
　複数の電極として、ゲート電極７１（制御電極）と、ソース電極７２（主電極）と、ドレイン電極７３（主電極）とが設けられている。ゲート電極７１は、絶縁膜６を介してｎ型不純物領域２４に対向するように設けられており、例えば側面配線又は貫通配線を介して、圧電膜４の主面４１上に設けられている電極（図示せず）に電気的に接続されている。ソース電極７２は、基板２１のｐ型不純物領域２５１上に設けられており、例えば側面配線又は貫通配線を介して、圧電膜４の主面４１上に設けられている電極７４に電気的に接続されている。ドレイン電極７３は、基板２１のｐ型不純物領域２５２上に設けられており、例えば側面配線又は貫通配線を介して、圧電膜４の主面４１上に設けられている電極７５に電気的に接続されている。
　（２．６）支持部材
　支持部材２は、第１部材としての基板２１と、第２部材としての低不純物膜２２とを含む。ここで、第１部材とは、シリコンを主成分とし、高不純物濃度領域２７を少なくとも含む部材である。第２部材とは、シリコンを主成分とし、低不純物濃度領域２８の少なくとも一部を含む部材をいう。
　基板２１は、シリコンからなる基板であり、部分的にドーパントが添加されている。より詳細には、基板２１は、アンドープの半導体領域２３と、ｎ型不純物（ｎ型ドーパント）を含むｎ型不純物領域２４と、ｐ型不純物（ｐ型ドーパント）を含む２つのｐ型不純物領域２５１，２５２とを有する。アンドープの半導体領域２３は、意図的にドーパントを含んでいない領域であるが、意図しない不純物を含んでもよい。ｎ型不純物は、例えばリン又は砒素である。ｐ型不純物は、例えばホウ素又はアルミニウムである。
　ここで、基板２１の形成方法について、一例を説明する。まず、精錬することで不純物の濃度を低下させたシリコン基板に、イオン注入によりｎ型不純物をドーピングし、ｎ型不純物領域２４を形成する。次に、ｎ型不純物領域２４の一部に、イオン注入によりｐ型不純物をドーピングし、２つのｐ型不純物領域２５１，２５２を形成する。このとき、イオンの注入加速度を変えることにより、ｎ型不純物領域２４の深さと２つのｐ型不純物領域２５１，２５２の深さとを制御する。これにより、シリコン基板にｐｎ接合を有する高不純物濃度領域２７が形成される。一方、基板２１のうち不純物が添加されていない領域つまりアンドープの半導体領域２３は低不純物濃度領域２８の一部となる。
　高不純物濃度領域２７は、例えば１０１６［原子／ｃｍ３］であり、高不純物濃度領域２７の抵抗率は、例えば１×１０－６Ωｃｍである。低不純物濃度領域２８は、高不純物濃度領域２７よりも不純物の濃度が低く、例えば１０１０［原子／ｃｍ３］である。低不純物濃度領域２８の抵抗率は例えば６ｋΩｃｍである。
　低不純物膜２２は、基板２１の主面２１１上に設けられている。低不純物膜２２は、圧電膜４を伝搬する弾性波の音速より、伝搬する弾性波の音速が高速である膜である。図１の例では、低不純物膜２２は、シリコン膜であり、ドーパントを含んでいない半導体膜である。つまり、低不純物膜２２は、アンドープの半導体膜である。低不純物膜２２は、基板２１の半導体領域２３とともに低不純物濃度領域２８を構成する。
　上記のような支持部材２において、ｎ型不純物領域２４とｐ型不純物領域２５１，２５２との組合せにより半導体素子２６が構成されている。より詳細には、ｎ型不純物領域２４とｐ型不純物領域２５１，２５２と絶縁膜６とゲート電極７１とソース電極７２とドレイン電極７３との組合せにより、半導体素子２６として、電界効果型トランジスタ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：ＭＯＳＦＥＴ）が構成されている。半導体素子２６としては、例えば、ダイオード又はトランジスタがある。
　また、ｎ型不純物領域２４及び２つのｐ型不純物領域２５１，２５２は、基板２１のアンドープの半導体領域２３及び低不純物膜２２よりも、ドーパントを含む不純物の濃度が高い。したがって、ｎ型不純物領域２４及び２つのｐ型不純物領域２５１，２５２は、高不純物濃度領域２７となる。一方、基板２１の半導体領域２３及び低不純物膜２２は、不純物の濃度が相対的に低いから、支持部材２における低不純物濃度領域２８となる。要するに、支持部材２は、高不純物濃度領域２７と、低不純物濃度領域２８とを有する。
　上述したように高不純物濃度領域２７が半導体素子２６を構成する一方、基板２１の低不純物濃度領域２８及び低不純物膜２２が、低音速膜３、圧電膜４、及びＩＤＴ電極５と共に、弾性波素子２９を構成する。
　上記のような支持部材２において、高不純物濃度領域２７は、低不純物濃度領域２８よりも圧電膜４から離れている。言い換えると、第１方向Ｄ１において、圧電膜４と高不純物濃度領域２７との間には、少なくとも低不純物濃度領域２８が存在する。
　ところで、上記のような支持部材２において、低不純物濃度領域２８の厚さＬ３は、ＩＤＴ電極５の電極指ピッチによって定まる弾性波の波長をλとすると、１０λ以上であることが好ましい。これにより、高次モードの位相最大値を小さくすることができ、高次モードの強度を低減させることができる。また、低不純物濃度領域２８の厚さＬ３は、１８０μｍ以下であることが好ましい。低不純物濃度領域２８が厚くなると放熱性が低下するが、低不純物濃度領域２８の厚さＬ３が１８０μｍ以下であることにより、放熱性の低下を抑制することができる。さらに、低不純物濃度領域２８の厚さＬ３が１８０μｍ以下であることにより、低背化を図ることができる。なお、低不純物濃度領域２８の厚さＬ３とは、低不純物膜２２と低音速膜３との境界面から高不純物濃度領域２７までの距離と同等である。
　また、支持部材２（基板２１）の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において、圧電膜４の主面４１と高不純物濃度領域２７との間の距離Ｌ４は、ＩＤＴ電極５の電極指５１の周期で定まる弾性波の波長をλとすると、４０λ以上であることが好ましい。圧電膜４の主面４１と高不純物濃度領域２７との間の距離Ｌ４は、圧電膜４の膜厚Ｌ１と低音速膜３の膜厚Ｌ２と低不純物濃度領域２８の厚さＬ３との総和である。
　図２は、電子部品１のうちの弾性波素子２９（支持部材２の低不純物濃度領域２８と低音速膜３と圧電膜４とＩＤＴ電極５とで構成される装置）を１ポート共振子として用いた場合の端子間のインピーダンス変化量を示す。図２の横軸は圧電膜４の主面４１と高不純物濃度領域２７との間の距離Ｌ４である。距離Ｌ４が４０λ以上になると、インピーダンス変化量が略０となる。図２の特性を得るための条件の一例は以下のとおりである。低不純物濃度領域２８の材料がシリコンであり、低音速膜３の材料がＳｉＯ２である。さらに、圧電膜４の材料がＬｉＴａＯ３であり、ＩＤＴ電極５の材料がＡｌである。ＩＤＴ電極５の電極指ピッチによって定まる弾性波の波長λは１μｍである。また、ＩＤＴ電極５の電極指５１のデューティ比は０．５である。
　上記より、支持部材２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において、圧電膜４の主面４１と高不純物濃度領域２７との間の距離Ｌ４は、ＩＤＴ電極５の電極指５１の周期で定まる弾性波の波長をλとすると、４０λ以上であることが好ましい。これにより、支持部材２において、弾性波のエネルギーがほとんど存在しない領域まで低不純物濃度領域２８が存在する。その結果、支持部材２へのリーク電流の発生を抑制することができる。
　（３）効果
　以上説明したように、本実施形態に係る電子部品１では、支持部材２の高不純物濃度領域２７が低不純物濃度領域２８よりも圧電膜４から離れている。これにより、支持部材２の高不純物濃度領域２７が半導体素子２６を構成し、支持部材２の低不純物濃度領域２８が弾性波素子２９を構成する。支持部材２において弾性波素子２９側の不純物の濃度が低いので、支持部材２へのリーク電流が発生しにくくなる。その結果、支持部材２に半導体素子２６が形成されていても小型化を図りつつ、支持部材２へのリーク電流の発生を低減させることができる。さらに、弾性波素子２９の損失の増大を抑制しつつ、弾性波素子２９と半導体素子２６との複合デバイスを実現することができる。
　本実施形態に係る電子部品１では、圧電膜４の主面４１と高不純物濃度領域２７との間の距離Ｌ４が４０λである。これにより、支持部材２において弾性波のエネルギーがほとんど存在しない領域まで低不純物濃度領域２８があるので、リーク電流を更に抑制することができる。
　本実施形態に係る電子部品１では、支持部材２の厚さ方向（第１方向Ｄ１）における低不純物濃度領域２８の厚さＬ３が１０λ以上１８０μｍ以下である。これにより、高次モードの位相最大値を小さくすることができ、高次モードの強度を低減させることができる。また、低不純物濃度領域２８が厚くなることに起因する放熱性の低下を抑制し、低背化を図ることができる。
　本実施形態に係る電子部品１では、支持部材２と圧電膜４との間に低音速膜３が設けられている。これにより、低音速膜３では弾性波の音速が低下し、圧電膜４内及び弾性波が励振されているＩＤＴ電極５内への弾性波のエネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。その結果、低音速膜３が設けられていない場合に比べて、損失を低減させることができ、Ｑ値を高めることができる。
　本実施形態に係る電子部品１では、低音速膜３が酸化ケイ素により形成されている。これにより、温度特性を改善することができる。圧電膜４の弾性定数が負の温度特性を有し、酸化ケイ素の温度特性が正の温度特性を有する。したがって、電子部品１では、ＴＣＦの絶対値を小さくすることができる。さらに、酸化ケイ素の固有音響インピーダンスが圧電膜４の固有音響インピーダンスより小さい。したがって、電気機械結合係数の増大すなわち比帯域の拡大と、周波数温度特性の改善との両方を図ることができる。
　本実施形態に係る電子部品１では、低音速膜３の膜厚が２λ以下である。これにより、膜応力を低減させることができる。その結果、ウェハの反りを低減させることができ、良品率の向上及び特性の安定化を図ることができる。
　（４）変形例
　以下、本実施形態の変形例について説明する。
　本実施形態の変形例１として、図３に示すように、電子部品１ａは、低音速膜３を備えていない構成であってもよい。電子部品１ａは、支持部材２と、圧電膜４と、ＩＤＴ電極５とを備える。本変形例の圧電膜４は、支持部材２上に直接設けられている。また、本変形例では、圧電膜４の主面４１と高不純物濃度領域２７との間の距離Ｌ４は、圧電膜４の膜厚Ｌ１と低不純物濃度領域２８の厚さＬ３との和となる。実施形態と同様、ｎ型不純物領域２４及びｐ型不純物領域２５１，２５２が半導体素子２６を構成し、高不純物濃度領域２７となる。また、基板２１のアンドープの半導体領域２３及び低不純物膜２２が低不純物濃度領域２８となる。なお、変形例の支持部材２、圧電膜４、及びＩＤＴ電極５は、実施形態の支持部材２、圧電膜４、及びＩＤＴ電極５と同様の機能を有する。
　なお、実施形態に係る電子部品１及び変形例に係る電子部品１ａにおいて、高不純物濃度領域２７を少なくとも含む第１部材と低不純物濃度領域２８の少なくとも一部を含む第２部材の組合せは、基板２１と低不純物膜２２の組合せに限定されない。つまり、第１部材と第２部材との組合せは、基板と膜の組合せに限定されない。第１部材と第２部材の組合せは、基板と基板の組合せであってもよい。例えば、第１部材と第２部材の組合せは、不純物の濃度が高い基板と不純物の濃度が低い基板の組合せであってもよい。また、第１部材と第２部材とが別体ではなく、一体であってもよい。例えば、１つの基板に高不純物濃度領域２７と低不純物濃度領域２８とが形成されていてもよい。要するに、支持部材２は、高不純物濃度領域２７と低不純物濃度領域２８とを有し、高不純物濃度領域２７が低不純物濃度領域２８よりも圧電膜４から離れていればよく、基板であること、膜であることには限定されない。
　また、実施形態に係る電子部品１及び変形例に係る電子部品１ａにおいて、基板２１と低不純物膜２２との間にＳｉＯ２のような密着層が設けられていてもよい。この場合、第１方向Ｄ１における低不純物濃度領域２８の厚さＬ３は、低不純物膜２２の膜厚となる。
　上記の各変形例に係る電子部品１ａにおいても、実施形態に係る電子部品１と同様の効果を奏する。
　以上説明した実施形態及び変形例は、本発明の様々な実施形態及び変形例の一部に過ぎない。また、実施形態及び変形例は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
　（まとめ）
　以上説明した実施形態及び変形例より以下の態様が開示されている。
　第１の態様に係る電子部品（１；１ａ）は、支持部材（２）と、圧電膜（４）と、ＩＤＴ電極（５）とを備える。支持部材（２）は、シリコンを主成分とする。圧電膜（４）は、支持部材（２）上に直接又は間接的に設けられている。ＩＤＴ電極（５）は、複数の電極指（５１）を含む。複数の電極指（５１）は、互いに離隔して並んで設けられている。ＩＤＴ電極（５）は、圧電膜（４）の主面（４１）に設けられている。支持部材（２）の厚さ方向（第１方向Ｄ１）における圧電膜（４）の膜厚（Ｌ１）は、ＩＤＴ電極（５）の電極指ピッチによって定まる弾性波の波長をλとした場合に、３．５λ以下である。支持部材（２）は、高不純物濃度領域（２７）と、低不純物濃度領域（２８）とを有する。高不純物濃度領域（２７）は、不純物を含む。低不純物濃度領域（２８）は、高不純物濃度領域（２７）よりも不純物の濃度が低い領域である。低不純物濃度領域（２８）は、圧電膜（４）及びＩＤＴ電極（５）とともに弾性波素子（２９）を構成する。圧電膜（４）を伝搬する弾性波の音速よりも、低不純物濃度領域（２８）を伝搬するバルク波の音速が高速である。高不純物濃度領域（２７）は、半導体素子（２６）を構成し、低不純物濃度領域（２８）よりも圧電膜（４）から離れている。
　第１の態様に係る電子部品（１；１ａ）によれば、支持部材（２）の高不純物濃度領域（２７）に半導体素子（２６）が形成され、支持部材（２）の低不純物濃度領域（２８）に弾性波素子（２９）が形成されている。支持部材（２）において弾性波素子（２９）側の不純物の濃度が低いので、支持部材（２）へのリーク電流が発生しにくくなる。その結果、支持部材（２）に半導体素子（２６）が形成されていても小型化を図りつつ、支持部材（２）へのリーク電流の発生を低減させることができる。さらに、弾性波素子（２９）の損失の増大を抑制しつつ、弾性波素子（２９）と半導体素子（２６）との複合デバイスを実現することができる。
　第２の態様に係る電子部品（１；１ａ）では、第１の態様において、圧電膜（４）の主面（４１）と高不純物濃度領域（２７）との間の距離が４０λ以上である。
　第２の態様に係る電子部品（１；１ａ）によれば、支持部材（２）において弾性波のエネルギーがほとんど存在しない領域まで低不純物濃度領域（２８）があるので、リーク電流を更に抑制することができる。
　第３の態様に係る電子部品（１；１ａ）では、第１又は２の態様において、厚さ方向（第１方向Ｄ１）における低不純物濃度領域（２８）の厚さ（Ｌ３）は、１０λ以上１８０μｍ以下である。
　第３の態様に係る電子部品（１；１ａ）によれば、高次モードの位相最大値を小さくすることができ、高次モードの強度を低減させることができる。また、低不純物濃度領域（２８）が厚くなることに起因する放熱性の低下を抑制し、低背化を図ることができる。
　第４の態様に係る電子部品（１）は、第１～３の態様のいずれか１つにおいて、低音速膜（３）を更に備える。低音速膜（３）は、支持部材（２）と圧電膜（４）との間に設けられており、圧電膜（４）を伝搬するバルク波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が低速である膜である。
　第４の態様に係る電子部品（１）によれば、低音速膜（３）では弾性波の音速が低下し、圧電膜（４）内及び弾性波が励振されているＩＤＴ電極（５）内への弾性波のエネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。その結果、低音速膜（３）が設けられていない場合に比べて、損失を低減させることができ、Ｑ値を高めることができる。
　第５の態様に係る電子部品（１；１ａ）では、第４の態様において、低音速膜（３）は、酸化ケイ素により形成されている。
　第５の態様に係る電子部品（１；１ａ）によれば、温度特性を改善することができる。圧電膜（４）の弾性定数が負の温度特性を有し、酸化ケイ素の温度特性が正の温度特性を有する。したがって、電子部品（１；１ａ）では、ＴＣＦの絶対値を小さくすることができる。さらに、酸化ケイ素の固有音響インピーダンスが圧電膜（４）の固有音響インピーダンスより小さい。したがって、電気機械結合係数の増大すなわち比帯域の拡大と、周波数温度特性の改善との両方を図ることができる。
　第６の態様に係る電子部品（１；１ａ）では、第４又は５の態様において、低音速膜（３）の膜厚は、２λ以下である。
　第６の態様に係る電子部品（１；１ａ）によれば、膜応力を低減させることができる。その結果、ウェハの反りを低減させることができ、良品率の向上及び特性の安定化を図ることができる。
　１，１ａ　電子部品
　２　支持部材
　２１　基板
　２１１，２１２　主面
　２２　低不純物膜
　２３　半導体領域
　２４　ｎ型不純物領域
　２５１，２５２　ｐ型不純物領域
　２６　半導体素子
　２７　高不純物濃度領域
　２８　低不純物濃度領域
　２９　弾性波素子
　３　低音速膜
　４　圧電膜
　４１　主面
　５　ＩＤＴ電極
　５１　電極指
　６　絶縁膜
　７１　ゲート電極
　７２　ソース電極
　７３　ドレイン電極
　７４，７５　電極
　Ｌ１　圧電膜の膜厚
　Ｌ２　低音速膜の膜厚
　Ｌ３　低不純物濃度領域の厚さ
　Ｌ４　圧電膜の主面と高不純物濃度領域との間の距離
　Ｄ１　第１方向（厚さ方向）
　Ｄ２　第２方向

Claims (6)

  1. 　シリコンを主成分とする支持部材と、
    　前記支持部材上に直接又は間接的に設けられている圧電膜と、
    　互いに離隔して並んで設けられている複数の電極指を含み、前記圧電膜の主面に設けられているＩＤＴ電極と、を備え、
    　前記支持部材の厚さ方向における前記圧電膜の膜厚は、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチによって定まる弾性波の波長をλとした場合に、３．５λ以下であり、
    　前記支持部材は、
    　　不純物を含む高不純物濃度領域と、
    　　前記高不純物濃度領域よりも不純物の濃度が低い低不純物濃度領域と、を有し、
    　前記低不純物濃度領域は、前記圧電膜及び前記ＩＤＴ電極とともに弾性波素子を構成し、前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が高速であり、
    　前記高不純物濃度領域は、半導体素子を構成し、前記低不純物濃度領域よりも前記圧電膜から離れている
    　ことを特徴とする電子部品。
  2. 　前記圧電膜の前記主面と前記高不純物濃度領域との間の距離が４０λ以上である
    　ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
  3. 　前記厚さ方向における前記低不純物濃度領域の厚さは、１０λ以上１８０μｍ以下である
    　ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品。
  4. 　前記支持部材と前記圧電膜との間に設けられており、前記圧電膜を伝搬するバルク波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜を更に備える
    　ことを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の電子部品。
  5. 　前記低音速膜は、酸化ケイ素により形成されている
    　ことを特徴とする請求項４に記載の電子部品。
  6. 　前記低音速膜の膜厚は、２λ以下である
    　ことを特徴とする請求項４又は５に記載の電子部品。
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