CN110832774B - 弹性波元件 - Google Patents

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Abstract

弹性波元件(1)具备：IDT电极(3)，具备多个电极指(32)并激发声表面波；第一基板(10)，所述IDT电极(3)位于所述第一基板(10)的上表面(10a)且第一基板(10)包含压电晶体；以及第二基板(20)，被接合至所述第一基板(10)的下表面(10b)侧，从所述第一基板(10)的下表面(10b)起朝着上表面(10a)侧连续的第一区域(50x)或者从所述第一基板(10)的下表面(10b)起朝着所述第二基板(20)侧连续的第二区域(50b)中的任一者成为薄膜电阻为5×103Ω以上且5×107Ω以下的低电阻区域(50)。

Description

弹性波元件
技术领域
本公开涉及弹性波元件。
背景技术
以往，公知以改善电气特性作为目的，在将支承基板与压电基板粘贴而成的复合基板上设置电极来制作弹性波元件。在此，弹性波元件例如被用作为移动电话等通信设备中的带通滤波器。再有，复合基板，公知作为压电基板而使用铌酸锂、钽酸锂，作为支承基板而使用了硅、石英、陶瓷等(参照日本特开2006-319679号公报)。
发明内容
-发明所要解决的技术问题-
然而，近年来，移动体通信中所使用的便携式终端装置的小型化、轻型化正在发展之中，并且为了实现高通信品质，谋求具备更高电气特性的弹性波元件。例如，为了减少输入输出信向邻接信道的泄漏，谋求通带外的特定频带中的衰减特性优异的弹性波元件。
本公开正是鉴于上述那样的课题而进行的，其目的在于，提供一种电气特性优异的弹性波元件。
-用于解决技术问题的手段-
本公开的弹性波元件具备IDT电极、第一基板和第二基板。所述IDT电极具备多个电极指并激发声表面波。对于所述第一基板而言，所述IDT电极位于其上表面，所述第一基板包含压电晶体。所述第二基板被接合于所述第一基板的下表面侧。而且，从所述第一基板的下表面起朝着上表面侧连续的第一区域或者从所述第一基板的下表面起朝着所述第二基板侧连续的第二区域中的任一者成为薄膜电阻为5×103Ω以上且5×107Ω以下的低电阻区域。
-发明效果-
根据上述结构，能够提供电气特性优异的弹性波元件。
附图说明
图1是本公开涉及的弹性波元件的俯视图。
图2是图1的II-II线中的主要部位放大剖视图。
图3的(a)～图3的(c)分别是表示复合基板60的变形例的主要部位放大剖视图。
图4是表示低电阻区域的薄膜电阻与体波寄生的相位比率的关系的线图。
图5是表示低电阻区域的薄膜电阻与谐振频率一反谐振频率间的相位比的关系的表。
图6的(a)、图6的(b)是表示本公开所涉及的SAW元件及比较例的SAW元件的频率特性的线图。
图7是表示第一基板的厚度与弹性波元件的频率特性的关系的线图。
图8是表示第一基板的厚度及低电阻区域的厚度与体波寄生的衰减率的关系的等高线图。
图9的(a)、图9的(b)是表示实施例及比较例的频率特性的线图。
图10的(a)、图10的(b)是表示实施例及比较例的频率特性的线图。
具体实施方式
以下，使用附图详细地说明本公开的弹性波元件的一例。需要说明的是，以下的说明中所使用的图是示意性的附图，附图上的尺寸比率等未必一定要和现实的尺寸比率一致。
弹性波元件可以将任意的方向设为上方或者下方，但以下为了方便，定义正交坐标系xyz，并且将z方向的正侧作为上方，使用上表面、下表面等的用语。
再者，在本公开中，公开作为弹性波而使用了声表面波(Surface Acoustic Wave：SAW)的例子，以下有时将弹性波元件称为SAW元件。
(SAW元件的结构的概要)
图1是表示本发明的一实施方式所涉及的SAW元件1的结构的俯视图。图2是图1的II-II线处的主要部位放大剖视图。
SAW元件1在复合基板60上设置有IDT(InterDigital Transducer)电极3。复合基板60是将第一基板10与第二基板20接合而构成。IDT电极3位于第一基板10的上表面10a。再有，SAW元件1除此以外还可以具有将上表面10a覆盖的保护层、用于对IDT电极3进行信号的输入输出的布线等。
IDT电极3由包含第一梳齿电极30A及第二梳齿电极30B的一对梳齿电极30构成。在图1中，为了使第一梳齿电极30A与第二梳齿电极30B的区别明嘹，对第二梳齿电极30B赋予阴影。需要说明的是，以下有时将第一梳齿电极30A及第二梳齿电极30B简称为梳齿电极13，对这些并不加以区别。还有，关于第一梳齿电极30A所涉及的结构等，如“第一汇流条31A”等，有时会赋予“第一”及“A”，关于第二梳齿电极30B所涉及的结构等，如“第二汇流条31B”等，有时会赋予“第二”及“B”。再者，有时省略这些“第一”、“第二”、“A”、及“B”。
如图1所示那样，梳齿电极30具有：相互对置的2根汇流条31；从各汇流条31向其他汇流条31侧延伸的多个电极指32；以及在多个电极指32之间从各汇流条31向其他汇流条31侧延伸的多个虚设电极指35。而且，一对梳齿电极30被配置成多个电极指32相互交叉(咬合)。需要说明的是，也可以不配置虚设电极指35。
SAW在与多个电极指32正交的方向上传播。因此，考虑到后述的包含压电晶体的第一基板10的晶体方位，2根汇流条31被配置成在与欲使SAW传播的方向交叉的方向上相互对置，多个电极指32形成为在相对于欲使SAW传播的方向正交的方向上延伸。
需要说明的是，SAW的传播方向根据多个电极指32的朝向等来设定，但在本实施方式中为了方便，有时以SAW的传播方向为基准来说明多个电极指32的朝向等。
再有，正交坐标系xyz被定义为，x轴与电极指32正交(与SAW的传播方向平行)，y轴与电极指32平行，z轴与第一基板10的上表面10a正交。即，正交坐标系xyz并不是以第一基板10的外形作为基准，而是以IDT电极3(SAW的传播方向)作为基准来定义的。
汇流条31，例如以大体恒定的宽度形成为直线状地延伸的长条状。因此，汇流条31的相互对置一侧的缘部是直线状的。需要说明的是，汇流条31也可以和布线一体地形成。
多个电极指32大体恒定的宽度形成为直线状地延伸的长条状，以大体恒定的间隔排列在SAW的传播方向上。如图2所示那样，一对梳齿电极30的多个电极指32被设置成，邻接的电极指32的中心间间隔的反复间隔即间距Pt，例如和欲谐振的频率下的SAW的波长λ的半波长同等。需要说明的是，作为间距Pt的反复间隔，也可以使用邻接的电极指32的相同侧的端部到端部为止的间隔。另外，作为多个电极指32的间距Pt，能够使用邻接的2根电极指23的中心间间隔的平均值。
电极指32与虚设电极指35的间隔即间隙长G(间隙的y方向的长度)，例如在多个间隙长G间是相互相同的。间隙长G，例如为0.10μm以上且1.00μm以下。再有，若将SAW的波长设为λ，则间隙长G例如为0.1λ以上且0.6X以下。
IDT电极3例如由金属材料来形成。作为该金属材料，例如，可列举Al或者以A1为主成分的合金(Al合金)。Al合金，例如是Al-Cu合金。需要说明的是，IDT电极3也可以由多个金属层构成。IDT电极3的各种尺寸，可根据弹性波元件1所要求的电气特性等适宜地设定。作为一例，IDT电极3的厚度(z方向)，例如为50nm以上且400nm以下。
IDT电极3既可以直接配置于第一基板10的上表面10a，也可以经由其他构件而配置于第一基板10的上表面10a。作为其他构件，能够使用例如Ti、Cr或者这些的合金等。在将IDT电极3经由其他构件而配置于第一基板10的上表面10a的情况下，其他构件的厚度设定为对IDT电极3的电气特性几乎不会造成影响的程度的厚度(例如，Ti的情况下为IDT电极3的厚度的5％的厚度)。
若通过IDT电极3向第一基板10施加电压，则在第一基板10的上表面10a附近，沿着上表面10a而被激励在x方向上传播的SAW。另外，SAW在电极指32与电极指32的非配置区域(邻接的电极指32间的长条状的区域)的边界处反射。而且，形成将电极指32的间距Pt设为半波长的驻波。驻波被变换成与该驻波相同频率的电信号，通过电极指32而被取出。这样一来，SAW元件1作为谐振器或滤波器发挥功能。
(复合基板60)
如图2所示那样，复合基板60是所谓的粘贴基板，第一基板10与第二基板20被接合。而且，低电阻区域50位于复合基板60的厚度的中途。
低电阻区域50既可以是从第一基板10的下表面10b起朝着上表面10a侧连续的第一区域50x，也可以是从第一基板10的下表面10b起向与上表面10a的相反的一侧连续的第二区域50y。第一区域50x是第一基板10的一部分，是从第一基板10的下表面10b起连续的区域10x(图3的(a))。第二区域50y例如既可以是介于第一基板10与第二基板20之间的中间层40(图3的(b))，也可以是第二基板20的一部分且是从第一基板10的下表面起连续的区域20x(图3的(c))。
在本例中，以图3的(b)所示的结构的复合基板60为例进行说明。
第一基板10包含压电材料，例如通过包含钽酸锂(LiTaO3：以下称为LT)晶体或铌酸锂非晶体的具有压电性的单晶体的基板来构成。具体地说，例如第一基板10可以使用Y旋转X传播LT基板，更具体地说，通过36°～50°Y切割-X传播的LT基板来构成。
第一基板10成为比较薄的恒定的厚度。关于厚度，将后述。
第二基板20是支承比较薄的第一基板10的基板，只要是具备强度、平坦性的材料，其材料就未被特别地限定。例如，可例示蓝宝石基板、SiC基板等的包含绝缘性材料基板、Si基板等的半导体基板、有机基板等。
在此，第二基板20也可以由热膨胀系数比第一基板10的材料小的材料来形成。该情况下，若产生温度变化，则在第一基板10产生热应力，此时，弹性常数的温度依赖性与应力依赖性相互抵消，进而，可减少弹性波元件1的电气特性的温度变化。
作为上述那样的材料，例如可例示Si基板、蓝宝石基板等，但在以下的例子中对使用了Si基板的情况进行说明。
第二基板20的厚度，例如是恒定的，可以适宜地设定。其中，由于本公开的第一基板10的厚度比较薄，故考虑将第二基板20决定为能支承第一基板10的厚度。作为一例，可以设为第一基板10的厚度的10倍以上，第二基板15的厚度为50～300μm。第二基板20的平面形状及各种尺寸也可以设为和第一基板10同等。
此外，如本例那样，在作为第二基板20而使用线膨胀系数小的材料的情况下，考虑第一基板10的厚度来设定第二基板20的厚度，以便能进行温度补偿。
进而，也可以在第二基板20的与第一基板10相反侧的面，粘贴热膨胀系数比第二基板20大的未图示的第三基板。该情况下，能够提高基板整体的强度、使热应力引起的翘曲减少，能够对第一基板10施加更强的热应力。在第二基板20包含Si的情况下，第三基板能够使用陶瓷基板、Cu层、树脂基板等。再者，在设置第三基板的情况下，也可以将第二基板2的厚度减薄。
在此，SAW元件1在复合基板60的厚度的中途具备低电阻区域50。将低电阻区域50的薄膜电阻设为5×103Ω以上且5×107Ω以下。通过采取上述那样的结构，从而能够使SAW元件1的电气特性提高。以下，对其机理进行说明。
若向IDT电极3施加电压，则SAW元件1除了在第一基板10的上表面10a传播的SAW之外，还向第一基板10的厚度方向辐射体波。而且，该体波在第一基板10的下表面10b反射并返回上表面10a侧，与电极指32进行耦合，由此产生SAW元件1并未期望的体波带来的电信号(体波寄生)。
在此，本申请发明人们全心致力于研究，结果发现了：若在第一基板10的SAW进行传播的区域的下方设置低电阻区域50，则体波寄生得以抑制。具体地说，使第一基板10的厚度与低电阻区域50的薄膜电阻变化，模拟了与没有低电阻区域的情况相比的体波寄生产生频率下的相位的比率。其结果是，确认了通过将低电阻区域50的薄膜电阻设为5×103Ω以上且5×107Ω以下，从而能够使体波寄生的强度降低。
将这一例示于图4。图4是表示第一基板10的厚度为12μm的情况下的体波寄生的比率。在图4中，纵轴表示体波寄生产生频率下的相位的比率，横轴表示低电阻区域50的薄膜电阻。需要说明的是，调整电阻率与厚度来决定低电阻区域50的厚度，以便能够获得所希望的薄膜电阻。
根据图4可知，确认了在将低电阻区域50的薄膜电阻设为5×103Ω以上且5×107Ω以下时，可使体波寄生的强度大幅度衰减。特别是，可确认：在设为5.0×104Ω以上且5×106Ω以下时，能够使体波寄生衰减约一半，在设为1.5×105Ω以上且1.5×106Ω以下的情况下，可使体波寄生大幅度地衰减至三成以下。
这样，根据弹性波元件1，通过将低电阻区域50的薄膜电阻设为上述的值，从而在体波寄生产生频率下能够提高衰减特性。推断为这是因为：通过将低电阻区域50的薄膜电阻设为上述的值，从而到达低电阻区域50的体波产生损耗，进而返回第一基板10的上表面10a侧的体波减少。
需要说明的是，在薄膜电阻超过5×107Ω的情况下，无法使体波寄生的强度减少，同样地在不足5×103Ω的情况下，也无法使体波寄生的强度减少。即，即便夹有绝缘材料或金属等的导体，也不能确认体波寄生的减少。
(低电阻区域50的具体的结构)
对上述的低电阻区域50的具体的实现方法进行说明。如上述，低电阻区域50需要设置于体波到达的区域，并且与第一基板10之中的体波至此通过的区域相比，使薄膜电阻有所变化。
因而，如图3的(a)所示那样，也可以通过使从第一基板10的下表面10b起连续地朝着上表面10a侧的区域10x的薄膜电阻和第一基板10的其他区域不同来形成低电阻区域50。该情况下，在区域10x中，也可以通过使其组成自构成第一基板10的压电晶体的化学计量比偏离来调整薄膜电阻。具体地说，在第一基板10由LT基板构成的情况下，也可以较多地包含Li或者Ta。即，也可以设为较多地包括构成第一基板10的元素的区域、和较少地包括构成第一基板10的元素的区域。
另外，在第一区域10x中，也可以包括使薄膜电阻变化的元素。具体地说，也可以包括Fe、Ni、Cr、Cu等的金属元素或构成第二基板20的元素(例如Si)。
这样，为了在第一基板10形成区域10x，例如也可以在将第一基板10与第二基板20接合之际，通过照射离子枪、FAB枪等而使相互的表面活化后，通过向已使特定元素活化的面供给来形成较多地包括特定元素的区域。此外，也可以调整活化条件，从第一基板10的接合面侧仅释放出特定元素来形成特定元素少的区域。
接下来，如图3的(b)所示那样，对使中间层40介于第一基板10与第二基板20的界面并将该中间层40作为低电阻区域50的情况进行说明。该情况下，通过以所希望的厚度来形成包含具有所希望的电阻率的材料的中间层40，从而能够设为低电阻区域50。例如，也可以在第二基板20的表面形成SiOx等的绝缘材料层，以作为中间层40，使金属等扩散，以便调整其电阻率。再有，也可以通过使第一基板10与第二基板20活化并进行压接，从而调整具有两基板的成分的混合层或非晶体层的薄膜电阻，以设为中间层40。
进而，如图3的(c)所示那样，也可以调整第二基板20的区域20x的薄膜电阻来设为低电阻区域50。具体地说，在第二基板20包含Si单晶体基板的情况下，也可以在第二基板20的接合面侧调整掺杂浓度来设为低电阻区域50。作为掺杂的种类，在Si单晶体为n型的情况下只要适宜选择As等即可，在p型的情况下只要适宜地选择B等即可。另外，也可以注入构成第一基板10的元素的一部分。该情况下，也可以使第二基板20之中的除了区域20x之外的区域的薄膜电阻比区域20x高。
上述那样的掺杂浓度的调整，例如，只要在与第一基板10的接合之前，使从第二基板20的表面进行热扩散，或进行离子注入，或形成具有所希望的浓度的外延生长层即可。此外，也可以在接合时已使表面活化的状态下，通过向已被活化的面供给所希望的元素来形成区域20x。
需要说明的是，在第二基板20形成低电阻区域50的情况下，也可以将第二基板20整体设为低电阻区域50。
再有，如图3的(a)所示那样，也可以在第一基板10的区域10x形成了低电阻区域50后还使第一基板10与第二基板20之间具备夹层。作为夹层，既可以作为用于将两者接合的接合层发挥功能，也可以是薄膜电阻比低电阻区域50还低的绝缘层，还可以是提高散热性的散热层。例如，作为夹层能够例示SiO2等。
再有，也可以使低电阻区域50以外的第一基板10及第二基板20的薄膜电阻比低电阻区域50高。
(变形例：第一基板10的厚度)
在上述的例子中针对第一基板10的厚度并未特别地加以限定，但也可以设为超过1λ的厚度。该情况下，由于与SAW的波长相比有所增厚，故能够使通过SAW向低电阻区域50传播而产生的SAW的损耗减少。由此，能够减少SAW元件1的损耗。换句话说，通过低电阻区域50，不会使所使用的电信号即SAW衰减，能够仅使无用的电信号即体波衰减。
图5中表示模拟了使低电阻区域50的薄膜电阻与第一基板10的厚度发生变化时的、谐振频率与反谐振频率之间的区域中的相位的衰减率的结果。相位的衰减率是以针对未具备低电阻区域50的情况的比率进行了计算。即，表中的数字为100的情况表示实现与未具备低电阻区域50的情况同等的相位。在本例中针对1λ为5.4μm的情况进行模拟。
根据图5可知，确认了在第一基板10的厚度为超过1λ的值(6μm)的情况下，可减少谐振频率与反谐振频率之间的区域中的相位的恶化。再者，确认了在体波寄生的强度抑制效果最高的低电阻区域50的薄膜电阻范围内，通过将第一基板10的厚度设为1.3λ以上(7μm)，从而也能大幅度减少谐振频率与反谐振频率之间的区域中的相位的恶化。
在此，图6的(a)中表示模拟了将第一基板10的厚度设为10μm、框低电阻区域50的厚度设为2nm、电阻率设为0.1Ωcm(即薄膜电阻5×105Ω)的情况下的、SAW元件1的频率特性的结果。另外，在图6的(b)中表示模拟了除不具备低电阻区域50这一点之外结构和图6的(a)的SAW元件1相同的SAW元件的频率特性的结果。在图6中，横轴表示频率(MHz)，纵轴表示相位(deg)。根据图6可知，可确认：根据SAW元件1，780MHz附近的谐振频率、反谐振频率的相位不会自90°起恶化，仅能减少比反谐振频率更靠高频侧的体波寄生。
接下来，针对将第一基板10的厚度设为1λ以上的情况，对第一基板10的厚度的变化引起的体波的相位的衰减率进行了模拟。图7中表示第一基板10的厚度与相位的衰减率的相关在。图7中，横轴表示以第一基板10的波长比表征的厚度(单位：λ)，纵轴表示体波的相位衰减率。在模拟中，低电阻区域50的薄膜电阻如下所示。
模型1：5×105Ω
模型2：1.5×104Ω
模型3：5×102Ω
根据图7可知，有衰减率增大的第一基板10的厚度和衰减的效果降低的第一基板10的厚度。具体地说，第一基板10的厚度为λ的整数倍的情况下衰减率会减小。因此，第一基板10的厚度也可以从λ的整数倍偏离。再有，在图4中设为相位比率(衰减率)增大的薄膜电阻(例如，1.5×105Ω以上且1.5×106Ω以下)的情况下，可增大衰减率的绝对值，并且能够增大可增大衰减率的第一基板10的厚度的范围。
第一基板10的厚度的上限值未被特别地限定，但通过设为体波寄生的影响变得显著的程度的厚度，从而能够通过低电阻区域50有效地减少体波寄生。具体地说，只要设为20λ以下的厚度即可。再者，在将第一基板的厚度设为3λ以下的情况下，如图7所示那样，能够将衰减率维持得较高。
需要说明的是，在图7中，即便低电阻区域50的薄膜电阻为5×103Ω以上且5×107Ω以下，在第一基板10的厚度为特定的厚度(λ的整数倍)时衰减率看起来也很低，但若观察图6所示的体波寄生整体，则可确认有所衰减。进而，在将低电阻区域50的薄膜电阻设为5.0×104Ω以上且5×106Ω以下的情况下，确认即便第一基板10的厚度为特定的厚度(λ的整数倍)，从最大相位的观点来看也被衰减。
上述的检讨是基于图3的(b)的结构而进行的。因此，在上述例子所示出的厚度范围是第一基板10本身的厚度，但如图3的(a)那样，在低电阻区域50为第一区域10x的情况下，上述的厚度范围相当于第一基板10的厚度和低电阻区域50的厚度的差分。
(变形例：低电阻区域50的厚度)
在上述的各结构中，低电阻区域50的厚度只要根据低电阻区域50的电阻率而适宜设计为可实现所希望的薄膜电阻即可。
将低电阻区域50的薄膜电阻成为9×104Ω地使低电阻区域50的厚度与电阻率变化来求取SAW元件的衰减率的结果示于图8中。在图8中横轴表示第一基板10的厚度，纵轴表示低电阻区域50的厚度。低电阻区域50以外的条件和其他模拟为相同条件。
根据图8可知，例如可确认即便低电阻区域50的厚度比第一基板10的厚度厚，也存在使体波寄生衰减的效果。具体地说，低电阻区域50的厚度如果为100μm以下，那么存在使体波寄生衰减的效果。
其中，如图8所示那样，具有低电阻区域50的厚度越小、则衰减率越高的倾向。因而，也可以使厚度比第一基板10薄。更具体地说，例如可确认通过设为2nm以上，从而起到低电阻区域50的效果。再有，在厚度超过200nm的情况下，薄膜电阻值与厚度的关系有可能崩塌，因此也可以设为200nm以下。
实施例
为了确认本公开的弹性波元件1的效果，制作以下的模型并进行模拟，确认了频率特性。
模拟的基本条件如下所述。
第一基板10：LT基板42°Y切割一X传播
第一基板10的厚度：2.2μm(即，0.4λ)
IDT电极3的电极指32的间距：2.7μm(λ＝5.4μm)
IDT电极3的材料：Al
IDT电极3的电极指32的厚度：0.08λ
第二基板20：Si单晶体基板
作为实施例1，如图3的(b)所示那样，在第一基板10与第二基板20之间，作为低电阻区域50而设置了厚度2nm、电阻率0.05Ω·cm的层。即薄膜电阻变成2.5×105Ω。
作为比较例，制作了第一基板10与第二基板20之间没有低电阻区域50的模型。
将针对上述模型模拟了相对于频率的相位特性、阻抗特性的结果示于图9。图9的(a)是实施例1的结果，图9的(b)是比较例的结果。在图9中，横轴表示频率，纵轴的右轴表示阻抗(Ω)，左轴表示相位(deg)。另外，在图9中，以虚线表示阻抗特性，以实线表示相位特性。
根据图9可知，确认了：实施例1的模型与比较例相比，使1000MHz附近产生的体波寄生的强度衰减。
接下来，作为实施例2，针对将第一基板10的厚度设为15μm(2.8λ)的情况进行了模拟。在实施例2中，除第一基板10的厚度以外都设为和实施例1相同的条件。此外，作为比较例2，制作除了不具备低电阻层50以外具备和实施例2同样的结构的模型并进行了模拟。
将其结果示于图10的(a)、图10的(b)。图10的(a)是实施例2的结果，图10的(b)是比较例2的结果。根据图10的(a)与图10(b)的比较可以明确地确认，根据实施例2能使体波寄生的强度衰减的样子。
另外，根据图10的(a)与图9的(a)的比较明确确认了：通过将第一基板10的厚度设为1λ以上，从而能够使体波寄生的强度衰减，同时能够减少谐振频率与反谐振频率之间及比反谐振频率更靠高频一侧的损耗。
-符号说明-
1：弹性波元件
10：第一基板
20：第二基板
40：中间层
3：IDT电极
32：电极指
50：低电阻区域
50x：第一区域
50y：第二区域。

Claims (8)

1.一种弹性波元件，具备：
IDT电极，具备多个电极指并激发声表面波；
第一基板，所述IDT电极位于该第一基板的上表面，且该第一基板包含压电晶体；以及
第二基板，被接合至所述第一基板的下表面侧，
在将以所述多个电极指的反复间隔的2倍来定义的波长设为λ时，所述第一基板的厚度为0.4λ以上且20λ以下，
从所述第一基板的下表面起朝着上表面侧连续的第一区域或者从所述第一基板的下表面起朝着所述第二基板侧连续的第二区域中的任一者成为薄膜电阻为5×103Ω以上且5×107Ω以下的低电阻区域。
2.根据权利要求1所述的弹性波元件，其中，
在所述第一区域为所述低电阻区域的情况下，从所述第一基板的厚度中减去所述第一区域的厚度所得的厚度为1.3λ以上，在所述第二区域为所述低电阻区域的情况下，所述第一基板的厚度为1.3λ以上。
3.根据权利要求1所述的弹性波元件，其中，
所述第一基板是X传播旋转Y切割的钽酸锂单晶体基板。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波元件，其中，
所述低电阻区域包含由介于所述第一基板与所述第二基板之间的中间层构成的所述第二区域，
所述中间层包含构成所述第一基板或者所述第二基板的元素和金属。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波元件，其中，
所述低电阻区域包含所述第一区域，
所述第一区域中的构成所述第一基板的元素的比率不同于其他区域，或者所述第一区域中的构成所述第二基板的元素包含得比其他区域多。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波元件，其中，
所述低电阻区域包含在所述第二基板的自所述第一基板侧的面起连续的区域形成的所述第二区域，
所述第二区域所包含的构成所述第一基板的元素比所述第二基板的所述第二区域以外的区域所包含的构成所述第一基板的元素多。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波元件，其中，
所述低电阻区域包含在所述第二基板的自所述第一基板侧的面起连续的区域形成的所述第二区域，
所述第二基板包含半导体材料，所述第二区域通过使所述第二基板中的掺杂浓度不同而构成。
8.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波元件，其中，
所述低电阻区域的厚度为2nm～200nm。
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