JP6758060B2 - 水素ガスセンサ - Google Patents
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Description
図1に示したように、本発明の水素ガスセンサXは、貴金属線材11を覆って焼結させた金属酸化物を主成分とし、被検知ガスと接触するガス感応部12を設けたガス検知素子10を有する水素ガスセンサXにおいて、電極である貴金属線材11の表面に、水素ガスを透過しない水素不透過部13を設けてある。
上述した実施形態では、貴金属線材11はヒータ兼用とした場合について説明した。しかし、これに限定されるものではなく、貴金属線材11およびヒータを別体として構成してもよい。この場合、ヒータは、例えば被支持基板部14の裏側(貴金属線材11とは反対側)に配設するのがよい。
本発明の実施例について説明する。
以下の手法により、本発明の水素ガスセンサXを作製した。
ガス感応部12を除いた各構成を公知のMEMS技術を利用して作製し、HMDSの飽和蒸気圧中(30〜35℃、約7〜9vol%)の環境において、貴金属線材11に電流を流通させて500℃で2時間の加熱を行った。このようにして貴金属線材11の表面に緻密なシロキサン結合を有するシリカ層を蒸着形成した後、以下のようにしてガス感応部12を形成した。
実施例1で作製したガス検知素子10を有する水素ガスセンサXを使用して、ガス検知を行った。被検知ガスは水素ガス、メタンガスおよびイソブタンガスとした。駆動条件は、400℃、3秒サイクルにて0.05秒の印加電圧パターンとなる間欠駆動で行った。結果を図2に示した。
実施例1で作製したガス検知素子10を有する水素ガスセンサXを使用して、ガス検知後の応答復帰について調べた。比較例として、ガス感応部にシロキサン結合を有するシリカ層を形成したセンサを使用した。当該シロキサン結合を有するシリカ層の形成条件は、実施例1に準じて行った。被検知ガスとして水素ガス3000ppmを検知したのちの応答復帰の状態を確認した。尚、本発明の水素ガスセンサXの駆動条件は、400℃、3秒サイクルにて0.05秒の印加電圧パターンとなる間欠駆動で行い、比較例のセンサの駆動条件は、500℃、3秒サイクルにて0.1秒の印加電圧パターンとなる間欠駆動で行った。本発明の水素ガスセンサXの結果を図3に示し、比較例のセンサの結果を図4に示した。
実施例1で作製したガス検知素子10において、ガス感応部12に触媒を添加した場合に、水素ガスセンサXの感度がどのように変化するかを調べた。添加する触媒はCr(添加割合0.5mol%)とした。被検知ガスおよび駆動条件は実施例2の条件と同様とした。結果を図5に示した。
10 ガス検知素子
11 貴金属線材
12 ガス感応部
13 水素不透過部
14 被支持基板部
Claims (2)
- 貴金属線材を覆って焼結させた金属酸化物を主成分とし、被検知ガスと接触するガス感応部を設けたガス検知素子を有する水素ガスセンサにおいて、
電極である貴金属線材の表面に、導通が図れ、かつ水素ガスを透過しない水素不透過部を設け、
前記貴金属線材が白金を含有し、前記水素不透過部がシロキサン結合を有するシリカ層で構成してある水素ガスセンサ。 - 前記水素不透過部の表面が、電極反応の場である三相界面となる請求項1に記載の水素ガスセンサ。
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