JP6733882B2

JP6733882B2 - 含窒素化合物およびこれを含む有機発光素子

Info

Publication number: JP6733882B2
Application number: JP2018541622A
Authority: JP
Inventors: チャ、ヨンブム; キルホン、スン; キム、ジュンブム; ジェリー、スン
Original assignee: エルジー・ケム・リミテッド
Priority date: 2016-02-29
Filing date: 2017-02-27
Publication date: 2020-08-05
Anticipated expiration: 2037-02-27
Also published as: KR20170101577A; WO2017150859A1; CN108698994B; KR102116161B1; CN108698994A; WO2017150859A9; JP2019508410A

Description

本明細書は、含窒素化合物およびこれを含む有機発光素子に関する。

本明細書は、２０１６年２月２９日付で韓国特許庁に出願された韓国特許出願第１０−２０１６−００２４２９０号の出願日の利益を主張し、その内容はすべて本明細書に組み込まれる。

一般的に、有機発光現象とは、有機物質を用いて電気エネルギーを光エネルギーに変換させる現象をいう。有機発光現象を利用する有機発光素子は、通常、陽極と陰極、およびそれらの間に有機物層を含む構造を有する。ここで、有機物層は、有機発光素子の効率と安定性を高めるために、それぞれ異なる物質で構成された多層の構造からなる場合が多く、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などからなる。このような有機発光素子の構造において、２つの電極の間に電圧をかけると、陽極からは正孔が、陰極からは電子が有機物層に注入され、注入された正孔と電子が接した時、エキシトン（ｅｘｃｉｔｏｎ）が形成され、このエキシトンが再び基底状態に落ちる時に光を発する。

前記のような有機発光素子のための新たな材料の開発が求められ続けている。

本明細書には、含窒素化合物およびこれを含む有機発光素子が記載される。

本明細書の一実施態様は、下記化学式１で表される含窒素化合物を提供する：
［化学式１］

前記化学式１において、
Ｒ１、Ｒ２およびＲ７は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；ハロゲン基；シアノ基；ニトロ基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアリール基；またはＮ、Ｏ、およびＳのうちの１個以上を含む置換もしくは非置換のヘテロ環基であり、
Ｒ３とＲ４が結合して環を形成するか、Ｒ５とＲ６は結合して環を形成し、環を形成しない基は、Ｒ１、Ｒ２およびＲ７の定義と同じであり、
Ｌ１は、直接結合；置換もしくは非置換のアリーレン基；または置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基であり、
Ａｒ_１〜Ａｒ_３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、ニトロ基；置換もしくは非置換のシリル基；置換もしくは非置換のホスフィンオキシド基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアリールアミン基；置換もしくは非置換のアリール基；またはＮ、Ｏ、およびＳのうちの１個以上を含む置換もしくは非置換のヘテロ環基である。

また、本明細書の一実施態様は、第１電極と、前記第１電極に対向して備えられた第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に備えられた１層以上の有機物層とを含む有機発光素子であって、前記有機物層のうちの１層以上は、前記化学式１の含窒素化合物を含むものである有機発光素子を提供する。

本明細書に記載の含窒素化合物は、有機発光素子の有機物層の材料として用いられる。少なくとも一つの実施態様に係る化合物は、有機発光素子において効率の向上、低い駆動電圧および／または寿命特性を向上させることができる。

基板１、陽極２、発光層３、陰極４からなる有機発光素子の例を示すものである。基板１、陽極２、正孔注入層５、正孔輸送層６、発光層７、電子輸送層８、および陰極４からなる有機発光素子の例を示すものである。

以下、本明細書についてより詳細に説明する。

本明細書の一実施態様は、前記化学式１で表される含窒素化合物を提供する。

前記置換基の例示は以下に説明するが、これに限定されるものではない。

本明細書において、「置換もしくは非置換の」という用語は、ハロゲン基；シアノ基；ニトロ基；アミン基；シリル基；ホスフィンオキシド基；アルキル基；シクロアルキル基；アルケニル基；アリール基；ヘテロ環基；アルアルキル基；アルアルケニル基；アルキルアリール基；アルキルアミン基；ヘテロアリールアミン基；およびアリールアミン基からなる群より選択された１個以上の置換基で置換もしくは非置換であるか、前記例示された置換基のうち２以上の置換基が連結された置換もしくは非置換であることを意味する。例えば、「２以上の置換基が連結された置換基」は、ビフェニル基であってもよい。すなわち、ビフェニル基は、アリール基であってもよく、２個のフェニル基が連結された置換基と解釈される。

本明細書において、ハロゲン基は、フッ素、塩素、臭素、またはヨウ素になってもよい。

本明細書において、アミン基は、−ＮＨ_２；モノアルキルアミン基；ジアルキルアミン基；Ｎ−アルキルアリールアミン基；モノアリールアミン基；ジアリールアミン基；Ｎ−アリールヘテロアリールアミン基；Ｎ−アルキルヘテロアリールアミン基；モノヘテロアリールアミン基およびジヘテロアリールアミン基からなる群より選択されてもよいし、炭素数は特に限定されないが、１〜３０のものが好ましい。アミン基の具体例としては、メチルアミン基、ジメチルアミン基、エチルアミン基、ジエチルアミン基、フェニルアミン基、ナフチルアミン基、ビフェニルアミン基、アントラセニルアミン基、９−メチル−アントラセニルアミン基、ジフェニルアミン基、ジトリルアミン基、Ｎ−フェニルトリルアミン基、トリフェニルアミン基、Ｎ−フェニルビフェニルアミン基、Ｎ−フェニルナフチルアミン基、Ｎ−ビフェニルナフチルアミン基、Ｎ−ナフチルフルオレニルアミン基、Ｎ−フェニルフェナントレニルアミン基、Ｎ−ビフェニルフェナントレニルアミン基、Ｎ−フェニルフルオレニルアミン基、Ｎ−フェニルターフェニルアミン基、Ｎ−フェナントレニルフルオレニルアミン基、Ｎ−ビフェニルフルオレニルアミン基などがあるが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、前記アルキル基は、直鎖もしくは分枝鎖であってもよく、炭素数は特に限定されないが、１〜４０のものが好ましい。一実施態様によれば、前記アルキル基の炭素数は１〜２０である。もう一つの実施態様によれば、前記アルキル基の炭素数は１〜１０である。もう一つの実施態様によれば、前記アルキル基の炭素数は１〜６である。アルキル基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、１−メチル−ブチル、１−エチル−ブチル、ペンチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、ヘキシル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、４−メチル−２−ペンチル、３，３−ジメチルブチル、２−エチルブチル、ヘプチル、ｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシル、シクロペンチルメチル、シクロヘキシルメチル、オクチル、ｎ−オクチル、ｔｅｒｔ−オクチル、１−メチルヘプチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペンチル、ｎ−ノニル、２，２−ジメチルヘプチル、１−エチル−プロピル、１，１−ジメチル−プロピル、イソヘキシル、４−メチルヘキシル、５−メチルヘキシルなどがあるが、これらに限定されない。

本明細書において、前記アルケニル基は、直鎖もしくは分枝鎖であってもよく、炭素数は特に限定されないが、２〜４０のものが好ましい。一実施態様によれば、前記アルケニル基の炭素数は２〜２０である。もう一つの実施態様によれば、前記アルケニル基の炭素数は２〜１０である。もう一つの実施態様によれば、前記アルケニル基の炭素数は２〜６である。具体例としては、ビニル、１−プロペニル、イソプロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、３−メチル−１−ブテニル、１，３−ブタジエニル、アリル、１−フェニルビニル−１−イル、２−フェニルビニル−１−イル、２，２−ジフェニルビニル−１−イル、２−フェニル−２−（ナフチル−１−イル）ビニル−１−イル、２，２−ビス（ジフェニル−１−イル）ビニル−１−イル、スチルベニル基、スチレニル基などがあるが、これらに限定されない。

本明細書において、シクロアルキル基は特に限定されないが、炭素数３〜６０のものが好ましく、一実施態様によれば、前記シクロアルキル基の炭素数は３〜３０である。もう一つの実施態様によれば、前記シクロアルキル基の炭素数は３〜２０である。もう一つの実施態様によれば、前記シクロアルキル基の炭素数は３〜６である。具体的には、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、３−メチルシクロペンチル、２，３−ジメチルシクロペンチル、シクロヘキシル、３−メチルシクロヘキシル、４−メチルシクロヘキシル、２，３−ジメチルシクロヘキシル、３，４，５−トリメチルシクロヘキシル、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルなどがあるが、これらに限定されない。

本明細書において、シリル基は、具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ジフェニルシリル基、フェニルシリル基などがあるが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、ホスフィンオキシド基は、具体的には、ジフェニルホスフィンオキシド基、ジナフチルホスフィンオキシドなどがあるが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、アリール基は特に限定されないが、炭素数６〜６０のものが好ましく、単環式アリール基または多環式アリール基であってもよい。一実施態様によれば、前記アリール基の炭素数は６〜３０である。一実施態様によれば、前記アリール基の炭素数は６〜２０である。前記アリール基が、単環式アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などになってもよいが、これらに限定されるものではない。前記多環式アリール基としては、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、ペリレニル基、クリセニル基、フルオレニル基などになってもよいが、これらに限定されるものではない。

前記フルオレニル基が置換される場合、

などになってもよい。ただし、これらに限定されるものではない。

本明細書において、ヘテロ環基は、異種元素としてＯ、Ｎ、Ｓ、Ｓｉ、およびＳｅのうちの１個以上を含むヘテロ環基であって、炭素数は特に限定されないが、炭素数２〜６０のものが好ましい。ヘテロ環基の例としては、チオフェン基、フラン基、ピロール基、イミダゾール基、チアゾール基、オキサゾール基、オキサジアゾール基、ピリジル基、ビピリジル基、ピリミジル基、トリアジン基、トリアゾール基、アクリジル基、ピリダジン基、ピラジニル基、キノリニル基、キナゾリン基、キノキサリニル基、フタラジニル基、ピリドピリミジニル基、ピリドピラジニル基、ピラジノピラジニル基、イソキノリン基、インドール基、カルバゾール基、ベンズオキサゾール基、ベンズイミダゾール基、ベンゾチアゾール基、ベンゾカルバゾール基、ベンゾチオフェン基、ジベンゾチオフェン基、ベンゾフラニル基、フェナントロリン基（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、イソオキサゾリル基、チアジアゾリル基、フェノチアジニル基、およびジベンゾフラニル基などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。

本明細書において、アルアルキル基、アルアルケニル基、アルキルアリール基、アリールアミン基中のアリール基は、前述のアリール基に関する説明が適用可能である。

本明細書において、アルアルキル基、アルキルアリール基、アルキルアミン基中のアルキル基は、前述のアルキル基に関する説明が適用可能である。

本明細書において、ヘテロアリールアミン中のヘテロアリールは、前述のヘテロ環基に関する説明が適用可能である。

本明細書において、アルアルケニル基中のアルケニル基は、前述のアルケニル基に関する説明が適用可能である。

本明細書において、アリーレンは、２価の基であることを除けば、前述のアリール基に関する説明が適用可能である。

本明細書において、ヘテロアリーレンは、２価の基であることを除けば、前述のヘテロ環基に関する説明が適用可能である。

本明細書において、互いに結合して環を形成するとの意味は、隣接する基が互いに結合して置換もしくは非置換の脂肪族炭化水素環；置換もしくは非置換の芳香族炭化水素環；置換もしくは非置換の脂肪族ヘテロ環；または置換もしくは非置換の芳香族ヘテロ環を形成することを意味する。

本明細書において、脂肪族炭化水素環とは、芳香族でない環であって、炭素と水素原子のみからなる環を意味する。

本明細書において、芳香族炭化水素環の例としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセンなどがあるが、これらにのみ限定されるものではない。

本明細書において、脂肪族ヘテロ環とは、ヘテロ原子のうちの１個以上を含む脂肪族環を意味する。

本明細書において、芳香族ヘテロ環とは、ヘテロ原子のうちの１個以上を含む芳香族環を意味する。

本明細書において、前記脂肪族炭化水素環、芳香族炭化水素環、脂肪族ヘテロ環、および芳香族ヘテロ環は、単環または多環であってもよい。

本明細書の一実施態様において、前記化学式１は、下記化学式２または３で表される。
［化学式２］

［化学式３］

前記化学式２および３において、
前記Ｒ１〜Ｒ７、Ｌ１およびＡｒ_１〜Ａｒ_３は、化学式１における定義と同じであり、
Ｒ１１〜Ｒ１８は、前記Ｒ１、Ｒ２およびＲ７の定義と同じである。

本明細書の一実施態様において、前記Ａｒ_１〜Ａｒ_３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、シアノ基；ニトロ基；置換もしくは非置換のシリル基；置換もしくは非置換のホスフィンオキシド基；置換もしくは非置換の炭素数１〜３０のアルキル基；置換もしくは非置換の炭素数６〜６０のアリールアミン基；置換もしくは非置換の炭素数６〜６０のアリール基；またはＮ、Ｏ、およびＳのうちの１個以上を含む置換もしくは非置換の炭素数２〜６０のヘテロ環基である。

本明細書の一実施態様において、前記化学式１において、Ｌ１は、直接結合；置換もしくは非置換のフェニレン基；置換もしくは非置換のナフチレン基；置換もしくは非置換の２価のフェノチアジン基（ｐｈｅｎｏｔｈｉａｚｉｎｅ）；置換もしくは非置換の２価のフェノキサジン基（ｐｈｅｎｏｘａｚｉｎｅ）；置換もしくは非置換の２価のカルバゾール基；置換もしくは非置換の２価のベンゾカルバゾール基；置換もしくは非置換の２価のベンズイミダゾール基；置換もしくは非置換の２価のチオフェン基；置換もしくは非置換の２価のフラン基；置換もしくは非置換の２価のジベンゾフラン基；置換もしくは非置換の２価のジベンゾチオフェン基；置換もしくは非置換の２価のトリアジン基；置換もしくは非置換の２価のピリジン基；置換もしくは非置換の２価のピリミジン基；置換もしくは非置換の２価のキノリン基；または置換もしくは非置換の２価のキナゾリン基である。

本明細書の一実施態様において、前記化学式１において、Ｌ１は、直接結合；置換もしくは非置換のフェニレン基；置換もしくは非置換の２価のフェノチアジン基（ｐｈｅｎｏｔｈｉａｚｉｎｅ）；置換もしくは非置換の２価のフェノキサジン基（ｐｈｅｎｏｘａｚｉｎｅ）；置換もしくは非置換の２価のカルバゾール基；置換もしくは非置換の２価のベンゾカルバゾール基；置換もしくは非置換の２価のベンズイミダゾール基；置換もしくは非置換の２価のジベンゾフラン基；置換もしくは非置換の２価のジベンゾチオフェン基；置換もしくは非置換の２価のトリアジン基；または置換もしくは非置換の２価のキナゾリン基である。

本明細書の一実施態様において、前記化学式１において、Ｌ１は、直接結合；フェニレン基；ナフチレン基；２価のフェノチアジン基（ｐｈｅｎｏｔｈｉａｚｉｎｅ）；２価のフェノキサジン基（ｐｈｅｎｏｘａｚｉｎｅ）；２価のカルバゾール基；２価のベンゾカルバゾール基；２価のベンズイミダゾール基；２価のチオフェン基；２価のフラン基；２価のジベンゾフラン基；２価のジベンゾチオフェン基；２価のトリアジン基；２価のピリジン基；２価のピリミジン基；２価のキノリン基；または２価のキナゾリン基である。

本明細書の一実施態様において、前記化学式１において、Ｌ１は、直接結合；フェニレン基；２価のフェノチアジン基（ｐｈｅｎｏｔｈｉａｚｉｎｅ）；２価のフェノキサジン基（ｐｈｅｎｏｘａｚｉｎｅ）；２価のカルバゾール基；２価のベンゾカルバゾール基；２価のベンズイミダゾール基；２価のジベンゾフラン基；２価のジベンゾチオフェン基；２価のトリアジン基；または２価のキナゾリン基である。

本明細書の一実施態様において、前記化学式１において、Ｌ１は、直接結合；フェニレン基；２価のカルバゾール基；２価のジベンゾフラン基；２価のジベンゾチオフェン基；２価のトリアジン基；または２価のキナゾリン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ１は、直接結合である。

本明細書の一実施態様において、置換もしくは非置換のアリーレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ１は、置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ１は、フェニレン基；ビフェニリレン基；２価のターフェニル基；２価のクォーターフェニル基；ナフタレン基；２価のアントラセン基；２価のフルオレン基；２価のフェナントレン基；２価のピレン基；または２価のトリフェニレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ１は、置換もしくは非置換のフェニレン基；置換もしくは非置換のビフェニリレン基；置換もしくは非置換の２価のターフェニル基；置換もしくは非置換の２価のクォーターフェニル基；置換もしくは非置換のナフタレン基；置換もしくは非置換の２価のアントラセン基；置換もしくは非置換の２価のフルオレン基；置換もしくは非置換の２価のフェナントレン基；置換もしくは非置換の２価のピレン基；または置換もしくは非置換の２価のトリフェニレン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ１は、置換もしくは非置換の２価のフェノチアジン基（ｐｈｅｎｏｔｈｉａｚｉｎｅ）；置換もしくは非置換の２価のフェノキサジン基（ｐｈｅｎｏｘａｚｉｎｅ）；置換もしくは非置換の２価のカルバゾール基；置換もしくは非置換の２価のベンゾカルバゾール基；置換もしくは非置換の２価のベンズイミダゾール基；置換もしくは非置換の２価のチオフェン基；置換もしくは非置換の２価のフラン基；置換もしくは非置換の２価のジベンゾフラン基；置換もしくは非置換の２価のジベンゾチオフェン基；置換もしくは非置換の２価のトリアジン基；置換もしくは非置換の２価のピリジン基；置換もしくは非置換の２価のピリミジン基；置換もしくは非置換の２価のキノリン基；または置換もしくは非置換の２価のキナゾリン基である。

本明細書の一実施態様において、Ｌ１は、２価のフェノチアジン基（ｐｈｅｎｏｔｈｉａｚｉｎｅ）；２価のフェノキサジン基（ｐｈｅｎｏｘａｚｉｎｅ）；２価のカルバゾール基；２価のベンゾカルバゾール基；２価のベンズイミダゾール基；２価のチオフェン基；２価のフラン基；２価のジベンゾフラン基；２価のジベンゾチオフェン基；２価のトリアジン基；２価のピリジン基；２価のピリミジン基；２価のキノリン基；または２価のキナゾリン基である。

本明細書の一実施態様において、前記化学式１において、Ａｒ_１は、置換もしくは非置換のホスフィンオキシド基；置換もしくは非置換のフェニル基；置換もしくは非置換のビフェニル基；置換もしくは非置換のターフェニル基；置換もしくは非置換のナフチル基；置換もしくは非置換のフェナントレン基；置換もしくは非置換のトリフェニレン基；置換もしくは非置換のフルオレン基；置換もしくは非置換のカルバゾール基；置換もしくは非置換のジベンゾフラン基；置換もしくは非置換のジベンゾチオフェン基；置換もしくは非置換のベンゾナフトフラン基；置換もしくは非置換のベンゾナフトチオフェン基；置換もしくは非置換のフェノチアジン基（ｐｈｅｎｏｔｈｉａｚｉｎｅ）；置換もしくは非置換のフェノキサジン基（ｐｈｅｎｏｘａｚｉｎｅ）；置換もしくは非置換のキナゾール基；置換もしくは非置換のピリジン基；置換もしくは非置換のピリミジン基；置換もしくは非置換のトリアジン基；置換もしくは非置換のフェナントロリン基；置換もしくは非置換のベンゾイミダゾール基；置換もしくは非置換のベンゾチアゾール基；または置換もしくは非置換のベンズオキサゾール基である。

本明細書の一実施態様において、前記化学式１において、Ａｒ_１は、ホスフィンオキシド基；フェニル基；ビフェニル基；ターフェニル基；ナフチル基；フェナントレン基；トリフェニレン基；フルオレン基；カルバゾール基；ジベンゾフラン基；ジベンゾチオフェン基；ベンゾナフトフラン基；ベンゾナフトチオフェン基；フェノチアジン基（ｐｈｅｎｏｔｈｉａｚｉｎｅ）；フェノキサジン基（ｐｈｅｎｏｘａｚｉｎｅ）；キナゾール基；ピリジン基；ピリミジン基；トリアジン基；フェナントロリン基；ベンゾイミダゾール基；ベンゾチアゾール基；またはベンズオキサゾール基である。

本明細書の一実施態様において、前記化学式１において、Ａｒ_１は、フェニル基；シアノ基、シリル基、アルキル基からなる群より選択される置換基で置換もしくは非置換のフェニル基；ビフェニル基；ターフェニル基；ナフチル基；フルオレン基；アリール基で置換もしくは非置換のカルバゾール基；ジベンゾフラン基；ジベンゾチオフェン基；アリール基で置換もしくは非置換のキナゾール基；またはアリール基で置換もしくは非置換のトリアジン基である。

本明細書の一実施態様において、前記化学式１において、−Ｌ１−Ａｒ_１は、下記構造式の中から選択される。

本明細書の一実施態様において、前記化学式１において、Ａｒ_２およびＡｒ_３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数６〜６０のアリール基；またはＮ、Ｏ、およびＳのうちの１個以上を含む置換もしくは非置換の炭素数２〜６０のヘテロ環基である。

本明細書の一実施態様において、前記化学式１において、Ａｒ_２およびＡｒ_３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数６〜６０のアリール基である。

本明細書の一実施態様において、前記化学式１において、Ａｒ_２およびＡｒ_３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のフェニル基；置換もしくは非置換のビフェニル基；置換もしくは非置換のターフェニル基；置換もしくは非置換のナフチル基；置換もしくは非置換のフェナントレン基；置換もしくは非置換のトリフェニレン基；または置換もしくは非置換のフルオレン基である。

本明細書の一実施態様において、前記化学式１において、Ａｒ_２およびＡｒ_３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、アリール基で置換もしくは非置換のフェニル基；アリール基で置換もしくは非置換のビフェニル基；アリール基で置換もしくは非置換のターフェニル基；アリール基で置換もしくは非置換のナフチル基；アリール基で置換もしくは非置換のフェナントレン基；アリール基で置換もしくは非置換のトリフェニレン基；またはアリール基、またはアルキル基で置換もしくは非置換のフルオレン基である。

本明細書の一実施態様において、前記化学式１において、Ａｒ_２およびＡｒ_３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、フェニル基；ビフェニル基；ターフェニル基；ナフチル基；フェナントレン基；トリフェニレン基；またはジメチルフルオレン基である。

本明細書の一実施態様において、前記化学式１において、−Ｎ（Ａｒ_２Ａｒ_３）は、下記構造式の中から選択される。

本明細書の一実施態様において、前記Ｒ１、Ｒ２およびＲ７は、水素であり、前記Ｒ３とＲ４またはＲ５とＲ６のうち環を形成しない基は、水素である。

本明細書の一実施態様において、前記Ｒ１１〜Ｒ１８は、水素である。

本明細書の一実施態様において、前記化学式１は、下記構造式の中から選択されてもよい。

本明細書の一実施態様に係る含窒素化合物は、後述する製造方法で製造される。
［反応式１］

前記反応式１に記載の反応条件、材料は、当技術分野で知られているものを用いることができ、前記反応式に記載されていない置換基の種類または個数も、当技術分野で知られた反応条件および材料によって変更可能である。

前記反応式１において、Ａｒ１は、下記化合物の中から選択される化合物のハロゲン原子を除いた置換基を意味することができる。

また、本明細書は、前記化学式１で表される化合物を含む有機発光素子を提供する。

本明細書の一実施態様において、第１電極と、前記第１電極に対向して備えられた第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に備えられた１層以上の有機物層とを含む有機発光素子であって、前記有機物層のうちの１層以上は、前記化学式１の含窒素化合物を含むものである有機発光素子を提供する。

本明細書の有機発光素子の有機物層は、単層構造からなってもよいが、２層以上の有機物層が積層された多層構造からなってもよい。例えば、本発明の有機発光素子は、有機物層として、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などを含む構造を有することができる。しかし、有機発光素子の構造はこれに限定されず、より少数の有機層を含んでもよい。

本明細書の一実施態様において、前記有機物層は、正孔注入層、正孔輸送層、または正孔注入および輸送を同時に行う層を含み、前記正孔注入層、正孔輸送層、または正孔注入および輸送を同時に行う層は、前記化学式１の含窒素化合物を含む。

もう一つの実施態様において、前記有機物層は、発光層を含み、前記発光層は、前記化学式１の含窒素化合物を含む。

本明細書の一実施態様において、前記有機物層は、電子輸送層または電子注入層を含み、前記電子輸送層または電子注入層は、前記化学式１の含窒素化合物を含む。

本明細書の一実施態様において、前記有機物層は、電子阻止層を含み、前記電子阻止層は、前記化学式１の含窒素化合物を含む。

本明細書の一実施態様において、前記電子輸送層、電子注入層、または電子輸送および電子注入を同時に行う層は、前記化学式１の含窒素化合物を含む。

もう一つの実施態様において、前記有機物層は、発光層および電子輸送層を含み、前記電子輸送層は、前記化学式１の含窒素化合物を含む。

もう一つの実施態様において、有機発光素子は、基板上に、陽極、１層以上の有機物層、および陰極が順次に積層された構造（ｎｏｒｍａｌｔｙｐｅ）の有機発光素子であってもよい。

もう一つの実施態様において、有機発光素子は、基板上に、陰極、１層以上の有機物層、および陽極が順次に積層された逆方向構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄｔｙｐｅ）の有機発光素子であってもよい。

例えば、本明細書の一実施態様に係る有機発光素子の構造は、図１および２に例示されている。

図１は、基板１、陽極２、発光層３、陰極４からなる有機発光素子の例を示すものである。この構造において、前記含窒素化合物は、前記発光層に含まれてもよい。

図２は、基板１、陽極２、正孔注入層５、正孔輸送層６、発光層７、電子輸送層８、および陰極４からなる有機発光素子の例を示すものである。この構造において、前記化合物は、前記正孔注入層、正孔輸送層、発光層、および電子輸送層のうちの１層以上に含まれてもよい。

本明細書の有機発光素子は、有機物層のうちの１層以上が本明細書の化合物、すなわち前記化学式１の含窒素化合物を含むことを除けば、当技術分野で知られている材料および方法で製造される。

前記有機発光素子が複数の有機物層を含む場合、前記有機物層は、同一の物質または異なる物質で形成される。

本明細書の有機発光素子は、有機物層のうちの１層以上が前記化学式１の含窒素化合物、すなわち前記化学式１で表される化合物を含むことを除けば、当技術分野で知られている材料および方法で製造される。

例えば、本明細書の有機発光素子は、基板上に、第１電極、有機物層、および第２電極を順次に積層させることにより製造することができる。この時、スパッタリング法（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）や電子ビーム蒸発法（ｅ−ｂｅａｍｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のようなＰＶＤ（ＰｈｙｓｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法を利用して、基板上に金属または導電性を有する金属酸化物またはこれらの合金を蒸着させて陽極を形成し、その上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、および電子輸送層を含む有機物層を形成した後、その上に陰極として使用可能な物質を蒸着させることにより製造される。このような方法以外にも、基板上に、陰極物質から有機物層、陽極物質を順に蒸着させて有機発光素子を作ることができる。

また、前記化学式１の化合物は、有機発光素子の製造時、真空蒸着法のみならず、溶液塗布法によって有機物層に形成される。ここで、溶液塗布法とは、スピンコーティング、ディップコーティング、ドクターブレーディング、インクジェットプリンティング、スクリーンプリンティング、スプレー法、ロールコーティングなどを意味するが、これらにのみ限定されるものではない。

本明細書の一実施態様において、前記第１電極は、陽極であり、前記第２電極は、陰極である。

もう一つの実施態様において、前記第１電極は、陰極であり、前記第２電極は、陽極である。

前記陽極物質としては、通常、有機物層への正孔注入が円滑となるように仕事関数の大きい物質が好ましい。本発明で使用可能な陽極物質の具体例としては、バナジウム、クロム、銅、亜鉛、金のような金属、またはこれらの合金；亜鉛酸化物、インジウム酸化物、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような金属酸化物；ＺｎＯ：ＡｌまたはＳｎＯ_２：Ｓｂのような金属と酸化物との組み合わせ；ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ［３，４−（エチレン−１，２−ジオキシ）チオフェン］（ＰＥＤＯＴ）、ポリピロールおよびポリアニリンのような導電性高分子などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。

前記陰極物質としては、通常、有機物層への電子注入が容易となるように仕事関数の小さい物質であることが好ましい。陰極物質の具体例としては、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズおよび鉛のような金属、またはこれらの合金；ＬｉＦ／ＡｌまたはＬｉＯ_２／Ａｌのような多層構造の物質などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。

前記正孔注入層は、電極から正孔を注入する層で、正孔注入物質としては、正孔を輸送する能力を有し、陽極からの正孔注入効果、発光層または発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成された励起子の電子注入層または電子注入材料への移動を防止し、また、薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。正孔注入物質のＨＯＭＯ（ｈｉｇｈｅｓｔｏｃｃｕｐｉｅｄｍｏｌｅｃｕｌａｒｏｒｂｉｔａｌ）が、陽極物質の仕事関数と周辺有機物層のＨＯＭＯとの間であることが好ましい。正孔注入物質の具体例としては、金属ポルフィリン（ｐｏｒｐｈｙｒｉｎ）、オリゴチオフェン、アリールアミン系の有機物、ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン系の有機物、キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）系の有機物、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）系の有機物、アントラキノンおよびポリアニリンとポリチオフェン系の導電性高分子などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。

前記正孔輸送層は、正孔注入層から正孔を受け取って発光層まで正孔を輸送する層で、正孔輸送物質としては、陽極や正孔注入層から正孔輸送を受けて発光層に移しうる物質で、正孔に対する移動性の大きい物質が好適である。具体例としては、アリールアミン系の有機物、導電性高分子、および共役部分と非共役部分が共にあるブロック共重合体などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。

前記発光物質としては、正孔輸送層と電子輸送層から正孔および電子輸送をそれぞれ受けて結合させることにより可視光線領域の光を発しうる物質であって、蛍光や燐光に対する量子効率の良い物質が好ましい。具体例としては、８−ヒドロキシ−キノリンアルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）；カルバゾール系化合物；二量体化スチリル（ｄｉｍｅｒｉｚｅｄｓｔｙｒｙｌ）化合物；ＢＡｌｑ；１０−ヒドロキシベンゾキノリン−金属化合物；ベンゾキサゾール、ベンズチアゾールおよびベンズイミダゾール系の化合物；ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）系の高分子；スピロ（ｓｐｉｒｏ）化合物；ポリフルオレン、ルブレンなどがあるが、これらにのみ限定されるものではない。

前記発光層は、ホスト材料およびドーパント材料を含むことができる。ホスト材料は、縮合芳香族環誘導体またはヘテロ環含有化合物などがある。具体的には、縮合芳香族環誘導体としては、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、ナフタレン誘導体、ペンタセン誘導体、フェナントレン化合物、フルオランテン化合物などがあり、ヘテロ環含有化合物としては、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ラダー型フラン化合物、ピリミジン誘導体などがあるが、これらに限定されない。

ドーパント材料としては、芳香族アミン誘導体、スチリルアミン化合物、ホウ素錯体、フルオランテン化合物、金属錯体などがある。具体的には、芳香族アミン誘導体としては、置換もしくは非置換のアリールアミノ基を有する縮合芳香族環誘導体であって、アリールアミノ基を有するピレン、アントラセン、クリセン、ペリフランテンなどがあり、スチリルアミン化合物としては、置換もしくは非置換のアリールアミンに少なくとも１個のアリールビニル基が置換されている化合物で、アリール基、シリル基、アルキル基、シクロアルキル基、およびアリールアミノ基からなる群より１または２以上選択される置換基が置換もしくは非置換である。具体的には、スチリルアミン、スチリルジアミン、スチリルトリアミン、スチリルテトラアミンなどがあるが、これらに限定されない。また、金属錯体としては、イリジウム錯体、白金錯体などがあるが、これらに限定されない。

前記電子輸送層は、電子注入層から電子を受け取って発光層まで電子を輸送する層で、電子輸送物質としては、陰極から電子注入を円滑に受けて発光層に移しうる物質であって、電子に対する移動性の大きい物質が好適である。具体例としては、８−ヒドロキシキノリンのＡｌ錯体；Ａｌｑ_３を含む錯体；有機ラジカル化合物；ヒドロキシフラボン−金属錯体などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。電子輸送層は、従来技術により用いられているような、任意の所望するカソード物質と共に使用することができる。特に、適切なカソード物質の例は、低い仕事関数を有し、アルミニウム層またはシルバー層が後に続く通常の物質である。具体的には、セシウム、バリウム、カルシウム、イッテルビウム、およびサマリウムであり、各場合、アルミニウム層またはシルバー層が後に続く。

前記電子注入層は、電極から電子を注入する層で、電子を輸送する能力を有し、陰極からの電子注入効果、発光層または発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成された励起子の正孔注入層への移動を防止し、また、薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フルオレニリデンメタン、アントロンなどとそれらの誘導体、金属錯体化合物、および含窒素５員環誘導体などがあるが、これらに限定されない。

前記金属錯体化合物としては、８−ヒドロキシキノリナトリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナト）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナト）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナト）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナト）（２−ナフトラート）ガリウムなどがあるが、これらに限定されない。

本明細書に係る有機発光素子は、使用される材料によって、前面発光型、後面発光型、または両面発光型であってもよい。

本明細書の一実施態様において、前記化学式１の含窒素化合物は、有機発光素子以外にも、有機太陽電池または有機トランジスタに含まれる。

以下、本明細書を具体的に説明するために実施例を挙げて詳細に説明する。しかし、本明細書に係る実施例は種々の異なる形態に変形可能であり、本明細書の範囲が以下に詳述する実施例に限定されると解釈されない。本明細書の実施例は、当業界における平均的な知識を有する者に本明細書をより完全に説明するために提供されるものである。

＜製造例１＞下記化合物１の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＡを用い、Ａｒ１＝フェニルを用いると、前記化合物Ａ−１を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ａ−１（１０．０ｇ、３０．５８ｍｍｏｌ）、ジ（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）アミン（１０．８０ｇ、３３．６４ｍｍｏｌ）をキシレン１８０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．８２ｇ、３９．７６ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１６ｇ、０．３１ｍｍｏｌ）を入れた後、３時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、エチルアセテート２５０ｍｌで再結晶して、前記化合物１（１３．３８ｇ、収率：７１％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝６１３

＜製造例２＞下記化合物２の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＡを用い、Ａｒ１＝フェニルを用いると、前記化学物Ａ−１を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ａ−１（１０．０ｇ、３０．５８ｍｍｏｌ）、Ｎ−（［１，１'−ビフェニル］−４−ｙｌ）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（１２．１４ｇ、３８．５３ｍｍｏｌ）をキシレン１６０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．８２ｇ、３９．７６ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１６ｇ、０．３１ｍｍｏｌ）を入れた後、２時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、エチルアセテート２００ｍｌで再結晶して、前記化合物２（１２．２７ｇ、収率：６１％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝６５３

＜製造例３＞下記化合物３の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＡを用い、Ａｒ１＝ビフェニルを用いると、前記化合物Ａ−２を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ａ−２（１０．０ｇ、２４．８１ｍｍｏｌ）、ジ（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）アミン（８．７６ｇ、２７．３０ｍｍｏｌ）をキシレン２４０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．１０ｇ、３２．２６ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１３ｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を入れた後、６時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン２２０ｍｌで再結晶して、前記化合物３（１５．９２ｇ、収率：９３％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝６８９

＜製造例４＞下記化合物４の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＡを用い、Ａｒ１＝ビフェニルを用いると、前記化合物Ａ−２を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ａ−２（１０．０ｇ、２４．８１ｍｍｏｌ）、Ｎ−（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（８．７６ｇ、２７．３０ｍｍｏｌ）をキシレン２２０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．１０ｇ、３２．２６ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１３ｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を入れた後、４時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、エチルアセテート３５０ｍｌで再結晶して、前記化合物４（１４．６４ｇ、収率：８１％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝７２９

＜製造例５＞下記化合物５の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＡを用い、Ａｒ１＝２−ナフチルを用いると、前記化合物Ａ−５を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ａ−５（１０．０ｇ、２６．５３ｍｍｏｌ）、Ｎ−（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（１０．５３ｇ、３４．４８ｍｍｏｌ）をキシレン１８０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．３１ｇ、４７．７１ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１４ｇ、０．２７ｍｍｏｌ）を入れた後、２時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、エチルアセテート２００ｍｌで再結晶して、前記化合物５（１２．３５ｇ、収率：６６％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝７０３

＜製造例６＞下記化合物６の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＡを用い、Ａｒ１＝２−ナフチルを用いると、前記化合物Ａ−５を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ａ−５（１０．０ｇ、２６．５３ｍｍｏｌ）、Ｎ−（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）−［１，１'：４'，１''−ターフェニル］−４−アミン（１１．５８ｇ、２９．１８ｍｍｏｌ）をキシレン２６０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．３１ｇ、４７．７１ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１４ｇ、０．２７ｍｍｏｌ）を入れた後、９時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン３００ｍｌで再結晶して、前記化合物６（１７．７１ｇ、収率：９１％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝７０３

＜製造例７＞下記化合物７の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＡを用い、Ａｒ１＝ターフェニルを用いると、前記化合物Ａ−７を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ａ−７（１０．０ｇ、２４．８１ｍｍｏｌ）、Ｎ−（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（８．７６ｇ、２７．３０ｍｍｏｌ）をキシレン２２０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２．６２ｇ、２７．３１ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１１ｇ、０．２１ｍｍｏｌ）を入れた後、４時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、エチルアセテート３５０ｍｌで再結晶して、前記化合物７（１４．２６ｇ、収率：８４％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝８０５

＜製造例８＞下記化合物８の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＡを用い、Ａｒ１＝ターフェニルを用いると、前記化合物Ａ−７を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ａ−７（１０．０ｇ、２４．８１ｍｍｏｌ）、Ｎ−フェニル−［１，１'−ビフェニル］−４−アミン（５．６６ｇ、２３．１１ｍｍｏｌ）をキシレン２８０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２．６２ｇ、２７．３１ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１１ｇ、０．２１ｍｍｏｌ）を入れた後、６時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、エチルアセテート３５０ｍｌで再結晶して、前記化合物８（１０．０８ｇ、収率：７０％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝６８９

＜製造例９＞下記化合物９の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＡを用い、Ａｒ１＝フェニルナフチルを用いると、前記化合物Ａ−９を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ａ−９（１０．０ｇ、２２．０８ｍｍｏｌ）、Ｎ−フェニル−［１，１'−ビフェニル］−４−アミン（５．９５ｇ、２４．２８ｍｍｏｌ）をキシレン２３０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２．６２ｇ、２７．３１ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１１ｇ、０．２１ｍｍｏｌ）を入れた後、８時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、エチルアセテート３５０ｍｌで再結晶して、前記化合物９（９．４７ｇ、収率：６５％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝６６３

＜製造例１０＞下記化合物１０の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＢを用い、Ａｒ１＝フェニルを用いると、前記化合物Ｂ−１を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ｂ−１（１０．０ｇ、３０．５８ｍｍｏｌ）、ジ（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）アミン（１０．８０ｇ、３３．６４ｍｍｏｌ）をキシレン２２０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．８２ｇ、３９．７６ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１６ｇ、０．３１ｍｍｏｌ）を入れた後、５時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、エチルアセテート２６０ｍｌで再結晶して、前記化合物１０（１２．０５ｇ、収率：６３％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝６１３

＜製造例１１＞下記化合物１１の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＢを用い、Ａｒ１＝フェニルを用いると、前記化学物Ｂ−１を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ｂ−１（１０．０ｇ、３０．５８ｍｍｏｌ）、Ｎ−（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（１２．１４ｇ、３８．５３ｍｍｏｌ）をキシレン２００ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．８２ｇ、３９．７６ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１６ｇ、０．３１ｍｍｏｌ）を入れた後、４時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、エチルアセテート２１０ｍｌで再結晶して、前記化合物１１（１１．０５ｇ、収率：５５％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝６５３

＜製造例１２＞下記化合物１２の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＢを用い、Ａｒ１＝４−ビフェニルを用いると、前記化合物Ｂ−２を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ｂ−２（１０．０ｇ、２４．８１ｍｍｏｌ）、ジ（［１，１'−ビフェニル］−４−ｙｌ）アミン（８．７６ｇ、２７．３０ｍｍｏｌ）をキシレン２８０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．１０ｇ、３２．２６ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１３ｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を入れた後、８時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン２３０ｍｌで再結晶して、前記化合物１２（１４．３３ｇ、収率：８４％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝６８９

＜製造例１３＞下記化合物１３の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＢを用い、Ａｒ１＝４−ビフェニルを用いると、前記化合物Ｂ−２を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ｂ−２（１０．０ｇ、２４．８１ｍｍｏｌ）、Ｎ−（［１，１'−ビフェニル］−４−ｙｌ）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（８．７６ｇ、２７．３０ｍｍｏｌ）をキシレン２６０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．１０ｇ、３２．２６ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１３ｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を入れた後、６時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、エチルアセテート３６０ｍｌで再結晶して、前記化合物１３（１３．１８ｇ、収率：７２％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝７２９

＜製造例１４＞下記化合物１４の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＢを用い、Ａｒ１＝２−ナフチルを用いると、前記化合物Ｂ−５を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ｂ−５（１０．０ｇ、２６．５３ｍｍｏｌ）、Ｎ−（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（１０．５３ｇ、３４．４８ｍｍｏｌ）をキシレン２２０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．３１ｇ、４７．７１ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１４ｇ、０．２７ｍｍｏｌ）を入れた後、４時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、エチルアセテート２１０ｍｌで再結晶して、前記化合物１４（１２．３５ｇ、収率：６６％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝７０３

＜製造例１５＞下記化合物１５の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＢを用い、Ａｒ１＝２−ナフチルを用いると、前記化合物Ｂ−５を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ｂ−５（１０．０ｇ、２６．５３ｍｍｏｌ）、Ｎ−（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）−［１，１'：４'，１''−ターフェニル］−４−アミン（１１．５８ｇ、２９．１８ｍｍｏｌ）をキシレン３００ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．３１ｇ、４７．７１ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１４ｇ、０．２７ｍｍｏｌ）を入れた後、１１時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン３１０ｍｌで再結晶して、前記化合物１５（１５．９４ｇ、収率：８２％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝７０３

＜製造例１６＞下記化合物１６の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＢを用い、Ａｒ１＝ターフェニルを用いると、前記化合物Ｂ−７を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ｂ−７（１０．０ｇ、２４．８１ｍｍｏｌ）、Ｎ−（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（８．７６ｇ、２７．３０ｍｍｏｌ）をキシレン２６０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２．６２ｇ、２７．３１ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１１ｇ、０．２１ｍｍｏｌ）を入れた後、６時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、エチルアセテート３６０ｍｌで再結晶して、前記化合物１６（１２．８２ｇ、収率：７６％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝８０５

＜製造例１７＞下記化合物１７の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＢを用い、Ａｒ１＝ターフェニルを用いると、前記化合物Ｂ−７を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ｂ−７（１０．０ｇ、２４．８１ｍｍｏｌ）、Ｎ−フェニル−［１，１'−ビフェニル］−４−アミン（５．６６ｇ、２３．１１ｍｍｏｌ）をキシレン３２０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２．６２ｇ、２７．３１ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１１ｇ、０．２１ｍｍｏｌ）を入れた後、８時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、エチルアセテート３６０ｍｌで再結晶して、前記化合物１７（９．９７ｇ、収率：６２％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝６８９

＜製造例１８＞下記化合物１８の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＢを用い、Ａｒ１＝２−フェニルナフタレンを用いると、前記化合物Ｂ−９を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ｂ−９（１０．０ｇ、２２．０８ｍｍｏｌ）、Ｎ−フェニル−［１，１'−ビフェニル］−４−アミン（５．９５ｇ、２４．２８ｍｍｏｌ）をキシレン２７０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２．６２ｇ、２７．３１ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１１ｇ、０．２１ｍｍｏｌ）を入れた後、１０時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、エチルアセテート３７０ｍｌで再結晶して、前記化合物１８（１０．４２ｇ、収率：７２％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝６６３

＜製造例１９＞下記化合物１９の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＡを用い、Ａｒ１＝フェニルを用いると、前記化合物Ａ−１を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ａ−１（１０．０ｇ、３０．５８ｍｍｏｌ）、Ｎ−（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）−［１，１'−ビフェニル］−２−アミン（１０．８０ｇ、３３．６４ｍｍｏｌ）をキシレン１８０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．８２ｇ、３９．７６ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１６ｇ、０．３１ｍｍｏｌ）を入れた後、３時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、エチルアセテート２５０ｍｌで再結晶して、前記化合物１９（１４．７２ｇ、収率：７８％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝６１３

＜製造例２０＞下記化合物２０の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＢを用い、Ａｒ１＝フェニルを用いると、前記化合物Ｂ−１を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ｂ−１（１０．０ｇ、３０．５８ｍｍｏｌ）、Ｎ−（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）−［１，１'−ビフェニル］−２−アミン（１０．８０ｇ、３３．６４ｍｍｏｌ）をキシレン２２０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．８２ｇ、３９．７６ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１６ｇ、０．３１ｍｍｏｌ）を入れた後、５時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、エチルアセテート２７０ｍｌで再結晶して、前記化合物２０（１４．７２ｇ、収率：７８％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝６１３

＜製造例２１＞下記化合物２１の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＡを用い、Ａｒ１＝４−ビフェニルを用いると、前記化合物Ａ−２を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ａ−２（１０．０ｇ、２４．８１ｍｍｏｌ）、Ｎ−（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）−［１，１'−ビフェニル］−２−アミン（８．７６ｇ、２７．３０ｍｍｏｌ）をキシレン２７０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．１０ｇ、３２．２６ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１３ｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を入れた後、５時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン２３０ｍｌで再結晶して、前記化合物２１（１４．３３ｇ、収率：８３％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝６８９

＜製造例２２＞下記化合物２２の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＢを用い、Ａｒ１＝４−ビフェニルを用いると、前記化合物Ｂ−２を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ｂ−２（１０．０ｇ、２４．８１ｍｍｏｌ）、Ｎ−（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）−［１，１'−ビフェニル］−２−アミン（８．７６ｇ、２７．３０ｍｍｏｌ）をキシレン２７０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．１０ｇ、３２．２６ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１３ｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を入れた後、４時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン２３０ｍｌで再結晶して、前記化合物２２（１１．５１ｇ、収率：６７％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝６８９

＜製造例２３＞下記化合物２３の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＡを用い、Ａｒ１＝２−フルオレンを用いると、前記化合物Ａ−１５を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ａ−１５（１０．０ｇ、２２．５７ｍｍｏｌ）、ジ（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）アミン（７．９７ｇ、２４．８３ｍｍｏｌ）をキシレン２００ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２．８２ｇ、２９．３５ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１２ｇ、０．２３ｍｍｏｌ）を入れた後、４時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン２２０ｍｌで再結晶して、前記化合物２３（１０．７８ｇ、収率：６６％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝７２９

＜製造例２４＞下記化合物２４の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＡを用い、Ａｒ１＝２−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾールを用いると、前記化合物Ａ−２１を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ａ−２１（１０．０ｇ、２０．３３ｍｍｏｌ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（６．３７ｇ、２２．３６ｍｍｏｌ）をキシレン２２０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２．５４ｇ、２６．４２ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１０ｇ、０．２０ｍｍｏｌ）を入れた後、４時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン２６０ｍｌで再結晶して、前記化合物２４（１１．５９ｇ、収率：７７％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝７４２

＜製造例２５＞下記化合物２５の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＢを用い、Ａｒ１＝２−フルオレンを用いると、前記化合物Ｂ−１５を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ｂ−１５（１０．０ｇ、２２．５７ｍｍｏｌ）、ジ（［１，１'−ビフェニル］−４−イル）アミン（７．９７ｇ、２４．８３ｍｍｏｌ）をキシレン２２０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２．８２ｇ、２９．３５ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１２ｇ、０．２３ｍｍｏｌ）を入れた後、３時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン２００ｍｌで再結晶して、前記化合物２５（８．６６ｇ、収率：５５％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝７２９

＜製造例２６＞下記化合物２６の化合物の合成

前記反応式１のｓｔｅｐ３において、出発物質としてＢを用い、Ａｒ１＝２−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾールを用いると、前記化合物Ｂ−２１を得ることができる。窒素雰囲気下、５００ｍｌの丸底フラスコに化合物Ｂ−２１（１０．０ｇ、２０．３３ｍｍｏｌ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（６．３７ｇ、２２．３６ｍｍｏｌ）をキシレン２２０ｍｌに完全に溶かした後、ソジウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２．５４ｇ、２６．４２ｍｍｏｌ）を添加し、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．１０ｇ、０．２０ｍｍｏｌ）を入れた後、３時間加熱撹拌した。常温に温度を下げて、濾過して塩を除去した後、キシレンを減圧濃縮させ、テトラヒドロフラン２３５ｍｌで再結晶して、前記化合物２６（１０．４４ｇ、収率：６９％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝７４２

＜実験例１−１＞
ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍｔｉｎｏｘｉｄｅ）が１，０００Åの厚さに薄膜コーティングされたガラス基板を、洗剤を溶かした蒸留水に入れて超音波洗浄した。この時、洗剤としてはフィッシャー社（ＦｉｓｃｈｅｒＣｏ．）製品を用い、蒸留水としてはミリポア社（ＭｉｌｌｉｐｏｒｅＣｏ．）製品のフィルタ（濾過）で２次濾過した蒸留水を用いた。ＩＴＯを３０分間洗浄した後、蒸留水で２回繰り返し超音波洗浄を１０分間進行させた。蒸留水洗浄が終わった後、イソプロピルアルコール、アセトン、メタノールの溶剤で超音波洗浄をして乾燥させた後、プラズマ洗浄機に輸送させた。また、酸素プラズマを用いて前記基板を５分間洗浄した後、真空蒸着機に基板を輸送させた。

このように用意されたＩＴＯ透明電極上に、下記化学式のヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン（ｈｅｘａａｚａｔｒｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅ；ＨＡＴ）を５００Åの厚さに熱真空蒸着して正孔注入層を形成した。

前記正孔注入層上に、正孔を輸送する物質の下記化合物４−４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）（３００Å）を真空蒸着して正孔輸送層を形成した。

次に、前記正孔輸送層上に、膜厚さ１００Åに下記化合物１を真空蒸着して電子阻止層を形成した。

次に、前記電子阻止層上に、膜厚さ３００Åに以下のようなＢＨとＢＤを２５：１の重量比で真空蒸着して発光層を形成した。

前記発光層上に、前記化合物ＥＴ１と前記化合物ＬｉＱ（ＬｉｔｈｉｕｍＱｕｉｎｏｌａｔｅ）を１：１の重量比で真空蒸着して、３００Åの厚さに電子注入および輸送層を形成した。前記電子注入および輸送層上に、順次に、１２Åの厚さにリチウムフルオライド（ＬｉＦ）と２，０００Åの厚さにアルミニウムを蒸着して陰極を形成した。

前記過程で、有機物の蒸着速度は０．４〜０．７Å／ｓｅｃを維持し、陰極のリチウムフルオライドは０．３Å／ｓｅｃ、アルミニウムは２Å／ｓｅｃの蒸着速度を維持し、蒸着時の真空度は２×１０^−７〜５×１０^−６ｔｏｒｒを維持して、有機発光素子を作製した。

＜実験例１−２＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物２を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。

＜実験例１−３＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物３を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。

＜実験例１−４＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物４を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。

＜実験例１−５＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物６を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。

＜実験例１−６＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物８を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。

＜実験例１−７＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物９を用いたことを除けば、実験例１と同様の方法で有機発光素子を作製した。

＜実験例１−８＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物１０を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。

＜実験例１−９＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物１２を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。

＜実験例１−１０＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物１５を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。

＜実験例１−１１＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物１７を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。

＜実験例１−１２＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物２２を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。

＜実験例１−１３＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物２３を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。

＜実験例１−１４＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに前記化合物２４を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。

＜比較例１＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに下記ＥＢ１の化合物を用いたことを除けば、前記実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。

＜比較例２＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに下記ＥＢ２の化合物を用いたことを除けば、前記実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。

＜比較例３＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに下記ＥＢ３の化合物を用いたことを除けば、前記実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。

＜比較例４＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに下記ＥＢ４の化合物を用いたことを除けば、前記実験例１−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。

実験例１−１〜１４および比較例１〜４により作製された有機発光素子に電流を印加した時、表１の結果を得た。

前記表１から明らかなように、本願発明の化合物を電子阻止層として用いて製造された有機発光素子は、本願発明のコアの他の位置に置換基が連結された比較例１、およびリンカーとしてフェニル基、ビフェニル基が置換された比較例２、３の物質を用いた場合と比較した時、本願発明の化合物は電子阻止の役割を果たすので、有機発光素子の効率、駆動電圧および／または安定性の面で優れた特性を示す。

実験例１−１〜１−１４は、このような比較例より、電圧は１０％〜１２％減少し、効率も１０％以上高い特性を示す。

前記表１の結果のように、本発明に係る化合物は、電子阻止能力に優れて有機発光素子に適用可能であることを確認することができた。

＜実験例２−１〜２−１４＞
前記実験例１−１において、電子阻止層として下記ＥＢ５物質を用い、前記正孔輸送層としてＮＰＢの代わりに実験例１−１〜１−１４の化合物を用いたことを除けば、同様に実験した。

＜比較例５＞
前記実験例２−１における化合物１の代わりに下記ＨＴ１の化合物を用いたことを除けば、前記実験例２−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。

＜比較例６＞
前記実験例２−１における化合物１の代わりに下記ＨＴ２の化合物を用いたことを除けば、前記実験例２−１と同様の方法で有機発光素子を作製した。

実験例２−１〜２−１４、比較例５および６により作製された有機発光素子に電流を印加した時、表２の結果を得た。

前記表２から明らかなように、本願発明の化合物を正孔輸送層として用いて製造された有機発光素子は、本願発明のコアの他の位置に置換基が連結された比較例、リンカーとしてフェニル基、ビフェニル基が置換された比較例５および６の物質を用いた場合と比較した時、本願発明の化合物は正孔輸送の役割を果たすので、有機発光素子の効率、駆動電圧および／または安定性の面で優れた特性を示す。

具体的には、実験例２−１〜２−１４は、このような比較例より、電圧は１０％以上減少し、効率も７〜１０％以上高い特性を示す。

前記表１、２の結果のように、本発明に係る化合物は、電子阻止能力だけでなく、正孔輸送能力に優れて有機発光素子に適用可能であることを確認することができた。

以上、本発明の好ましい実施例（電子阻止層、正孔輸送層）について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これも発明の範疇に属する。

１：基板
２：陽極
３：発光層
４：陰極
５：正孔注入層
６：正孔輸送層
７：発光層
８：電子輸送層

Claims

下記化学式２または３で表される含窒素化合物：
［化学式２］

［化学式３］

前記化学式２および３において、
Ｒ１、Ｒ４〜Ｒ７、およびＲ１３〜Ｒ１８は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；ハロゲン基；シアノ基；ニトロ基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロ環基であり、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ１１、およびＲ１２は水素であり、
Ｌ１は、直接結合；置換もしくは非置換のアリーレン基；または置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基であり、
Ａｒ_１は、ニトロ基；置換もしくは非置換のシリル基；置換もしくは非置換のホスフィンオキシド基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアリールアミン基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロ環基であり、
−Ｎ（Ａｒ_２Ａｒ_３）は、下記構造式の中から選択されるものである。
前記化学式２および３において、−Ｌ１−Ａｒ_１は、下記構造式の中から選択されるものである、請求項１に記載の含窒素化合物：
前記Ｌ１は、直接結合である、請求項１に記載の含窒素化合物。
前記Ｌ１は、置換もしくは非置換のアリーレン基である、請求項１に記載の含窒素化合物。
前記Ｌ１は、フェニレン基；ビフェニリレン基；２価のターフェニル基；２価のクォーターフェニル基；ナフタレン基；２価のアントラセン基；２価のフルオレン基；２価のフェナントレン基；２価のピレン基；または２価のトリフェニレン基である、請求項１に記載の含窒素化合物。
前記Ｌ１は、ヘテロアリーレン基である、請求項１に記載の含窒素化合物。
前記Ｌ１は、２価のフェノチアジン基（ｐｈｅｎｏｔｈｉａｚｉｎｅ）；２価のフェノキサジン基（ｐｈｅｎｏｘａｚｉｎｅ）；２価のカルバゾール基；２価のベンゾカルバゾール基；２価のベンズイミダゾール基；２価のチオフェン基；２価のフラン基；２価のジベンゾフラン基；２価のジベンゾチオフェン基；２価のトリアジン基；２価のピリジン基；２価のピリミジン基；２価のキノリン基；または２価のキナゾリン基である、請求項１に記載の含窒素化合物。
前記Ｒ１、およびＲ７は、水素であり、
前記Ｒ４は、水素である、請求項１に記載の含窒素化合物。
前記化学式２および３は、下記構造式の中から選択されるものである、請求項１に記載の含窒素化合物：
第１電極と、前記第１電極に対向して備えられた第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に備えられた１層以上の有機物層とを含む有機発光素子であって、前記有機物層のうちの１層以上は、請求項１〜９のいずれか１項に記載の含窒素化合物を含むものである有機発光素子。
前記有機物層は、正孔注入層、正孔輸送層、または正孔注入および正孔輸送を同時に行う層を含み、前記正孔注入層、正孔輸送層、または正孔注入および正孔輸送を同時に行う層は、前記含窒素化合物を含むものである、請求項１０に記載の有機発光素子。
前記有機物層は、発光層を含み、前記発光層は、前記含窒素化合物を含むものである、請求項１０に記載の有機発光素子。
前記有機物層は、電子阻止層を含み、前記電子阻止層は、前記含窒素化合物を含むものである、請求項１０に記載の有機発光素子。