CN113166133A - 化合物及包含其的有机发光器件 - Google Patents
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Abstract
本说明书提供化学式1的化合物及包含其的有机发光器件。
Description
技术领域
本说明书主张于2019年02月01日向韩国专利局提交的韩国专利申请第10-2019-0013530号的优先权，其全部内容包含在本说明书中。
本申请涉及化合物及包含其的有机发光器件。
背景技术
通常情况下，有机发光现象是指利用有机物质将电能转换为光能的现象。利用有机发光现象的有机发光器件通常具有包括第一电极和第二电极以及位于它们之间的有机物层的结构。在这里，为了提高有机发光器件的效率和稳定性，有机物层大多情况下由分别利用不同的物质构成的多层结构形成，例如，可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等形成。对于这样的有机发光器件的结构而言，如果在两电极之间施加电压，则空穴从第一电极注入有机物层，电子从第二电极注入有机物层，当所注入的空穴和电子相遇时会形成激子(exciton)，该激子重新跃迁至基态时就会发出光。
持续要求开发用于如上所述的有机发光器件的新的材料。
发明内容
技术课题
本申请提供化合物及包含其的有机发光器件。
课题的解决方法
本申请提供由下述化学式1表示的化合物。
[化学式1]
在上述化学式1中，
R1至R4各自独立地为氢或氘，
R5和R6各自独立地为取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基，
a为0至6的整数，
b和d各自独立地为0至4的整数，
c为0至2的整数，
a至d各自独立地为2以上时，括号内的取代基彼此相同或不同，
b至d各自独立地为2以上时，2个以上的R2至R4可以各自独立地与相邻的取代基彼此结合而形成环。
另外，本申请提供一种有机发光器件，其中，包括：第一电极；与上述第一电极对置而具备的第二电极；以及具备在上述第一电极与上述第二电极之间的1层以上的有机物层，上述有机物层中的1层以上包含上述的化合物。
发明效果
使用根据本申请的一实施方式的化合物的有机发光器件能够实现低驱动电压、高发光效率或长寿命。
附图说明
图1图示了依次层叠有基板1、第一电极2、发光层3、第二电极4的有机发光器件的例子。
图2图示了依次层叠有基板1、第一电极2、空穴注入层5、空穴传输层6、电子阻挡层7、发光层3、空穴阻挡层8、电子注入和传输层9、以及第二电极4的有机发光器件的例子。
<符号说明>
1：基板
2：第一电极
3：发光层
4：第二电极
5：空穴注入层
6：空穴传输层
7：电子阻挡层
8：空穴阻挡层
9：电子注入和传输层
具体实施方式
下面，对本说明书更详细地进行说明。
本说明书提供由上述化学式1表示的化合物。
根据本申请的一实施方式，由上述化学式1表示的化合物通过具有如上所述的核结构，从而具有可以调节三重态能量的优点，可以显示出长寿命和高效率的特性。
在本说明书中，取代基的例示在下文中进行说明，但并不限定于此。
上述“取代”这一用语的意思是指结合于化合物的碳原子上的氢原子被替换成其它取代基，被取代的位置只要是氢原子可以被取代的位置、即取代基可以取代的位置就没有限定，当取代2个以上时，2个以上的取代基可以彼此相同或不同。
在本说明书中，“取代或未取代的”这一用语是指被选自氢、卤素基团、腈基、硝基、羟基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的芳基、以及取代或未取代的杂环基中的1个或2个以上的取代基取代，或者被上述例示的取代基中的2个以上的取代基连接而成的取代基取代，或者不具有任何取代基。例如，“2个以上的取代基连接而成的取代基”可以为联苯基。即，联苯基可以为芳基，也可以被解释为2个苯基连接而成的取代基。
在本说明书中，作为卤素基团的例子，有氟、氯、溴或碘。
在本说明书中，上述烷基可以为直链或支链，碳原子数没有特别限定，但优选为1至50。作为具体例，有甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1-甲基-丁基、1-乙基-丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、环戊基甲基、环己基甲基、辛基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基-丙基、1,1-二甲基-丙基、异己基、2-甲基戊基、4-甲基己基、5-甲基己基等，但并不限定于此。
在本说明书中，环烷基没有特别限定，但优选为碳原子数3至60的环烷基，具体而言，有环丙基、环丁基、环戊基、3-甲基环戊基、2,3-二甲基环戊基、环己基、3-甲基环己基、4-甲基环己基、2,3-二甲基环己基、3,4,5-三甲基环己基、4-叔丁基环己基、环庚基、环辛基等，但并不限定于此。
在本说明书中，上述烯基可以为直链或支链，碳原子数没有特别限定，但优选为2至40。作为具体例，有乙烯基、1-丙烯基、异丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、3-甲基-1-丁烯基、1,3-丁二烯基、烯丙基、1-苯基乙烯-1-基、2-苯基乙烯-1-基、2,2-二苯基乙烯-1-基、2-苯基-2-(萘-1-基)乙烯-1-基、2,2-双(二苯-1-基)乙烯-1-基、茋基、苯乙烯基等，但并不限定于此。
在本说明书中，上述芳基为单环芳基时，碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为6至25。具体而言，作为单环芳基，可以为苯基、联苯基、三联苯基等，但并不限定于此。
上述芳基为多环芳基时，碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为10至24。具体而言，作为多环芳基，可以为萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、
基、芴基等，但并不限定于此。
在本说明书中，上述芴基可以被取代，相邻的取代基可以彼此结合而形成环。
在上述芴基被取代的情况下，可以为
等，但并不限定于此。
在本说明书中，杂环基包含1个以上的非碳原子，即杂原子，具体而言，上述杂原子可以包含1个以上的选自O、N、Se和S等中的原子。杂环基的碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为2至60。作为杂环基的例子，有噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、
唑基、
二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、三唑基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并
唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基(phenanthroline)、噻唑基、异
唑基、
二唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、吩噻嗪基和二苯并呋喃基等，但不仅限于此。
在本说明书中，芳香族烃环为2价基团，除此以外，可以适用上述的关于芳基的说明。
在本说明书中，杂环为2价基团，除此以外，可以适用上述的关于杂环基的说明。
在本说明书中，胺基可以选自-NH2、烷基胺基、N-烷基芳基胺基、芳基胺基、N-芳基杂芳基胺基、N-烷基杂芳基胺基和杂芳基胺基，碳原子数没有特别限定，但优选为1至30。作为胺基的具体例，有甲基胺基、二甲基胺基、乙基胺基、二乙基胺基、苯基胺基、萘基胺基、联苯基胺基、蒽基胺基、9-甲基-蒽基胺基、二苯基胺基、N-苯基萘基胺基、二甲苯基胺基、N-苯基甲苯基胺基、三苯基胺基、N-苯基联苯基胺基、N-苯基萘基胺基、N-联苯基萘基胺基、N-萘基芴基胺基、N-苯基菲基胺基、N-联苯基菲基胺基、N-苯基芴基胺基、N-苯基三联苯基胺基、N-菲基芴基胺基、N-联苯基芴基胺基等，但并不限定于此。
在本说明书中，N-烷基芳基胺基是指胺基的N上取代有烷基和芳基的胺基。
在本说明书中，N-芳基杂芳基胺基是指胺基的N上取代有芳基和杂芳基的胺基。
在本说明书中，N-烷基杂芳基胺基是指胺基的N上取代有烷基和杂芳基的胺基。
在本说明书中，烷基胺基、N-烷基芳基胺基、芳基胺基、N-芳基杂芳基胺基、N-烷基杂芳基胺基和杂芳基胺基中的烷基、芳基和杂芳基可以分别适用上述的烷基、芳基和杂芳基的说明。
在本说明书中，“相邻的”基团可以是指在与该取代基取代的原子直接连接的原子上取代的取代基，与该取代基在立体结构上最接近的取代基、或者在该取代基取代的原子上取代的其它取代基。例如，在苯环中以邻(ortho)位取代的2个取代基和脂肪族环中同一碳上取代的2个取代基可以解释为彼此“相邻的”基团。
在本说明书中，相邻的基团彼此结合而形成环的意思是指如上述那样，相邻的基团彼此结合而形成取代或未取代的烃环或者取代或未取代的杂环，可以形成单环或多环，可以为脂肪族、芳香族或它们稠合的形态，并且不限定于此。
在本说明书中，与相邻的基团彼此结合而形成环的意思是指与相邻的基团彼此结合而形成取代或未取代的脂肪族烃环、取代或未取代的芳香族烃环、取代或未取代的脂肪族杂环、取代或未取代的芳香族杂环、或者它们组合的形态。
在本说明书中，脂肪族烃环是指不是芳香族的环且只由碳原子和氢原子构成的环。
在本说明书中，作为芳香族烃环的例子，有苯基、萘基、蒽基等，但不仅限于此。
在本说明书中，脂肪族杂环是指包含杂原子中的1个以上的脂肪族环。
在本说明书中，芳香族杂环是指包含杂原子中的1个以上的芳香族环。
由上述化学式1表示的化合物为选自下述化学式2至4中的任一个。
[化学式2]
[化学式3]
[化学式4]
在上述化学式2至4中，R1至R6和a至d与化学式1中的定义相同。
根据本申请的一实施方式，R1至R4各自独立地为氢或氘，或者可以与相邻的基团彼此结合而形成环。
根据本申请的一实施方式，R1至R4为氢。
根据本申请的一实施方式，R1至R4可以与相邻的基团彼此结合而形成取代或未取代的烃环。
根据本申请的一实施方式，b至d各自独立地为2以上时，2个以上的R2至R4可以各自独立地在彼此相邻的基团之间进行结合而形成环。
根据本申请的一实施方式，b为2以上时，2个以上的R2可以在彼此相邻的基团之间进行结合而形成环。
根据本申请的一实施方式，b为2以上时，2个以上的R2可以在彼此相邻的基团之间进行结合而形成取代或未取代的苯环。
根据本申请的一实施方式，b为2以上时，2个以上的R2可以在彼此相邻的基团之间进行结合而形成苯环。
根据本申请的一实施方式，c为2以上时，2个以上的R3可以在彼此相邻的基团之间进行结合而形成环。
根据本申请的一实施方式，c为2以上时，2个以上的R3可以在彼此相邻的基团之间进行结合而形成苯环。
根据本申请的一实施方式，d为2以上时，2个以上的R4可以在彼此相邻的基团之间进行结合而形成环。
根据本申请的一实施方式，d为2以上时，2个以上的R4可以在彼此相邻的基团之间进行结合而形成苯环。
由上述化学式1表示的化合物为选自下述化学式2-1至2-8、3-1至3-8和4-1至4-8中的任一个。
[化学式2-1]
[化学式2-2]
[化学式2-3]
[化学式2-4]
[化学式2-5]
[化学式2-6]
[化学式2-7]
[化学式2-8]
[化学式3-1]
[化学式3-2]
[化学式3-3]
[化学式3-4]
[化学式3-5]
[化学式3-6]
[化学式3-7]
[化学式3-8]
[化学式4-1]
[化学式4-2]
[化学式4-3]
[化学式4-4]
[化学式4-5]
[化学式4-6]
[化学式4-7]
[化学式4-8]
在上述化学式2-1至2-8、3-1至3-8和4-1至4-8中，R4至R6和d与化学式1中的定义相同，
R7和R8各自独立地为氢或氘，
e1和e2各自为0或1，e1和e2之和为1至2，
e为0至10的整数，f为0至8的整数，
e为2以上时，复数个R7彼此相同或不同，
f为2以上时，复数个R8彼此相同或不同。
根据本申请的一实施方式，R5和R6各自独立地为取代或未取代的碳原子数6至60的芳基、或者取代或未取代的碳原子数2至60的杂环基。
根据本申请的一实施方式，R5和R6各自独立地为取代或未取代的碳原子数6至30的芳基、或者取代或未取代的碳原子数2至30的杂环基。
根据本申请的一实施方式，R5和R6各自独立地为取代或未取代的碳原子数6至15的芳基、或者取代或未取代的碳原子数2至15的杂环基。
根据本申请的一实施方式，R5和R6各自独立地为取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并噻吩基、或者取代或未取代的二苯并呋喃基。
根据本申请的一实施方式，R5和R6各自独立地为苯基、萘基、联苯基、菲基、被苯基取代或未取代的咔唑基、二苯并噻吩基或二苯并呋喃基。
另外，根据本说明书的一实施方式，由上述化学式1表示的化合物为选自下述结构式中的任一个。
另外，本说明书提供包含上面提到的化合物的有机发光器件。
在本说明书的一实施方式中，提供一种有机发光器件，其中，包括：第一电极；与上述第一电极对置而具备的第二电极；以及具备在上述第一电极与上述第二电极之间的1层以上的有机物层，上述有机物层中的1层以上包含上述化合物。
在本说明书中，当指出某一构件位于另一个构件“上”时，其不仅包括某一构件与另一构件接触的情况，还包括两构件之间存在其它构件的情况。
在本说明书中，当指出某一部分“包含/包括”某一构成要素时，只要没有特别相反的记载，则意味着可以进一步包含其它构成要素，而不是将其它构成要素排除。
本说明书的有机发光器件的有机物层可以由单层结构形成，还可以由层叠有2层以上的有机物层的多层结构形成。例如，本发明的有机发光器件可以具有包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等作为有机物层的结构。但是，有机发光器件的结构并不限定于此，可以包括更少数量的有机层。
在本说明书的一实施方式中，上述有机物层包括空穴注入层或空穴传输层，上述空穴注入层或空穴传输层包含上述化合物。
在本说明书的一实施方式中，上述有机物层包括发光层，上述发光层包含上述化合物。
在本说明书的一实施方式中，上述有机物层包括发光层，上述发光层包含上述化合物作为主体。
在本说明书的一实施方式中，上述有机物层包括发光层，上述发光层包含上述化学式1的化合物作为第一主体，还包含由下述化学式H表示的第二主体。
[化学式H]
在上述化学式H中，
A为取代或未取代的萘环，
Ar1为取代或未取代的碳原子数6至60的芳基，
L1至L3各自独立地为单键、或者取代或未取代的碳原子数6至60的亚芳基，
Ar2和Ar3各自独立地为取代或未取代的碳原子数6至60的芳基；或者取代或未取代的包含N、O和S中的1个以上的杂原子的碳原子数2至60的杂芳基，
p为0至9的整数。
在本说明书的一实施方式中，A为取代或未取代的萘环。
在本说明书的一实施方式中，A为被氘取代或未取代的萘环。
在本说明书的一实施方式中，A为萘环。
在本说明书的一实施方式中，p表示氘的取代个数，p为0时表示全部被氢取代的状态。
在本说明书的一实施方式中，L1至L3各自独立地为单键、或者取代或未取代的碳原子数6至30的亚芳基。
在本说明书的一实施方式中，L1至L3各自独立地为单键、取代或未取代的亚苯基、或者取代或未取代的萘基。
在本说明书的一实施方式中，L1至L3各自独立地为单键、被氘取代或未取代的亚苯基、或者被氘取代或未取代的萘基。
在本说明书的一实施方式中，L1至L3各自独立地为单键、亚苯基或萘基。
在本说明书的一实施方式中，Ar1为取代或未取代的碳原子数6至30的芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar1为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、或者取代或未取代的萘基。
在本说明书的一实施方式中，Ar1为被选自氘、烷基、环烷基和芳基中的基团取代或未取代的苯基；被选自氘、烷基、环烷基和芳基中的基团取代或未取代的联苯基；被选自氘、烷基、环烷基和芳基中的基团取代或未取代的三联苯基；或者被选自氘、烷基、环烷基和芳基中的基团取代或未取代的萘基。
在本说明书的一实施方式中，Ar1为被选自氘、烷基、环烷基和芳基中的基团取代或未取代的苯基；联苯基；三联苯基或萘基。
在本说明书的一实施方式中，Ar1为被选自氘、叔丁基、金刚烷基、苯基和萘基中的基团取代或未取代的苯基；联苯基；三联苯基或萘基。
在本说明书的一实施方式中，Ar2和Ar3各自独立地为取代或未取代的碳原子数6至30的芳基；或者取代或未取代的包含N、O和S中的1个以上的杂原子的碳原子数2至30的杂芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar2和Ar3各自独立地为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的二苯并呋喃基、或者取代或未取代的二苯并噻吩基。
在本说明书的一实施方式中，Ar2和Ar3各自独立地为被选自氘、烷基、环烷基和芳基中的基团取代或未取代的苯基；被氘取代或未取代的联苯基；被氘取代或未取代的三联苯基；被氘取代或未取代的萘基；被烷基取代或未取代的芴基；被氘取代或未取代的二苯并呋喃基；或者被氘取代或未取代的二苯并噻吩基。
在本说明书的一实施方式中，Ar2和Ar3各自独立地为被选自氘、叔丁基、金刚烷基和苯基中的基团取代或未取代的苯基；联苯基；三联苯基；萘基；二甲基芴基；二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。
在本说明书的一实施方式中，由上述化学式H表示的第二主体可以由下述结构中的任一个表示，并且不限定于此。
在本说明书的一实施方式中，上述有机物层包括电子传输层或电子注入层，上述电子传输层或电子注入层包含上述化合物。
在本说明书的一实施方式中，上述有机发光器件还包括选自空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、电子阻挡层和空穴阻挡层中的1层或2层以上。
在本申请的一实施方式中，上述有机发光器件包括：第一电极；与上述第一电极对置而具备的第二电极；具备在上述第一电极与上述第二电极之间的发光层；以及具备在上述发光层与上述第一电极之间、或者上述发光层与上述第二电极之间的2层以上的有机物层，上述2层以上的有机物层中的至少一层包含上述化合物。在本申请的一实施方式中，上述2层以上的有机物层可以选择由电子传输层、电子注入层、同时进行电子传输和电子注入的层、以及空穴阻挡层组成的组中的2者以上。
在另一实施方式中，有机发光器件可以为在基板上依次层叠有第一电极、1层以上的有机物层和第二电极的结构(正常型(normal type))的有机发光器件。
在另一实施方式中，有机发光器件可以为在基板上依次层叠有第二电极、1层以上的有机物层和第一电极的逆向结构(倒置型(inverted type))的有机发光器件。
例如，上述有机发光器件可以具有如下所示的层叠结构，但不仅限于此。
(1)阳极/空穴传输层/发光层/阴极
(2)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/阴极
(3)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极
(4)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极
(5)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极
(6)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极
(7)阳极/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/阴极
(8)阳极/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极
(9)阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/阴极
(10)阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极
(11)阳极/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/阴极
(12)阳极/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极
(13)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/阴极
(14)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极
(15)阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极
(16)阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输和注入层/阴极
例如，根据本说明书的一实施方式的有机发光器件的结构例示于图1和2。
图1例示了依次层叠有基板1、第一电极2、发光层3、第二电极4的有机发光器件的结构。在如上所述的结构中，上述化合物可以包含在上述发光层3中。
图2例示了依次层叠有基板1、第一电极2、空穴注入层5、空穴传输层6、电子阻挡层7、发光层3、空穴阻挡层8、电子注入和传输层9、以及第二电极4的有机发光器件的结构。在如上所述的结构中，上述化合物可以包含在上述空穴注入层5、空穴传输层6、电子阻挡层7、发光层3、空穴阻挡层8、以及电子注入和传输层9中的1层以上中。在如上所述的结构中，上述化合物可以包含在上述发光层3中。
本说明书的有机发光器件除了有机物层中的1层以上包含本说明书的化合物，即上述化合物以外，可以利用该技术领域中已知的材料和方法进行制造。
上述有机发光器件包括复数个有机物层时，上述有机物层可以由相同的物质或不同的物质形成。
本说明书的有机发光器件除了有机物层中的1层以上包含上述化合物，即由上述化学式1表示的化合物以外，可以利用该技术领域中已知的材料和方法进行制造。
例如，本说明书的有机发光器件可以通过在基板上依次层叠第一电极、有机物层和第二电极而制造。这时可以如下制造：利用溅射法(sputtering)或电子束蒸发法(e-beamevaporation)之类的PVD(physical Vapor Deposition：物理气相沉积)方法，在基板上蒸镀金属或具有导电性的金属氧化物或它们的合金而形成第一电极，然后在该第一电极上形成包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的有机物层，之后在该有机物层上蒸镀可用作第二电极的物质而制造。除了这种方法以外，也可以在基板上依次蒸镀第二电极物质、有机物层、第一电极物质而制造有机发光器件。
另外，上述化学式1的化合物在制造有机发光器件时不仅可以利用真空蒸镀法，还可以利用溶液涂布法来形成有机物层。在这里，所谓溶液涂布法是指旋涂法、浸涂法、刮涂法、喷墨印刷法、丝网印刷法、喷雾法、辊涂法等，但不仅限于此。
除了这些方法以外，还可以在基板上依次蒸镀第二电极物质、有机物层、第一电极物质来制造有机发光器件(国际专利申请公开第2003/012890号)。但是，制造方法并不限定于此。
在本说明书的一实施方式中，上述第一电极为阳极，上述第二电极为阴极。
在另一实施方式中，上述第一电极为阴极，上述第二电极为阳极。
作为上述第一电极物质，通常为了使空穴能够顺利地向有机物层注入，优选为功函数大的物质。作为在本发明中可以使用的第一电极物质的具体例，有钒、铬、铜、锌、金等金属或它们的合金；氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等金属氧化物；ZnO:Al或SnO2:Sb等金属与氧化物的组合；聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧)噻吩](PEDOT)、聚吡咯和聚苯胺等导电性高分子等，但不仅限于此。
作为上述第二电极物质，通常为了使电子容易地向有机物层注入，优选为功函数小的物质。作为第二电极物质的具体例，有镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅等金属或它们的合金；LiF/Al或LiO2/Al等多层结构物质等，但不仅限于此。
上述空穴注入层是注入来自电极的空穴的层，作为空穴注入物质，优选为如下化合物：具有传输空穴的能力，具有注入来自第一电极的空穴的效果，具有对于发光层或发光材料的优异的空穴注入效果，防止发光层中生成的激子向电子注入层或电子注入材料迁移，而且薄膜形成能力优异的化合物。优选空穴注入物质的HOMO(最高占有分子轨道，highest occupied molecular orbital)介于第一电极物质的功函数与周围有机物层的HOMO之间。作为空穴注入物质的具体例，有金属卟啉(porphyrin)、低聚噻吩、芳基胺系有机物、六腈六氮杂苯并菲系有机物、喹吖啶酮(quinacridone)系有机物、苝(perylene)系有机物、蒽醌及聚苯胺和聚噻吩系导电性高分子等，但不仅限于此。
上述空穴传输层是接收来自空穴注入层的空穴并将空穴传输至发光层的层，作为空穴传输物质，是能够接收来自第一电极或空穴注入层的空穴并将其转移至发光层的物质，对空穴的迁移率大的物质是合适的。作为具体例，有芳基胺系有机物、导电性高分子、以及同时存在共轭部分和非共轭部分的嵌段共聚物等，但不仅限于此。
在上述空穴传输层与发光层之间可以具备电子阻挡层。上述电子阻挡层可以使用该技术领域中已知的材料。
上述发光层可以包含主体材料和掺杂剂材料。主体材料包含本申请化学式1的化合物，除此以外，还可以包含芳香族稠环衍生物或含杂环化合物等。具体而言，作为芳香族稠环衍生物，有蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲化合物、荧蒽化合物等，作为含杂环化合物，有咔唑衍生物、二苯并呋喃、二苯并呋喃衍生物、二苯并噻吩、二苯并噻吩衍生物、梯型呋喃化合物
嘧啶衍生物等，但并不限定于此。
作为上述掺杂剂材料，有如下所示的化合物等，但并不限定于此。
上述电子传输层是从电子注入层接收电子并将电子传输至发光层的层，作为电子传输物质，是能够从第二电极良好地接收电子并将其转移至发光层的物质，对电子的迁移率大的物质是合适的。作为具体例，有8-羟基喹啉的Al配合物、包含Alq3的配合物、有机自由基化合物、羟基黄酮-金属配合物等，但不仅限于此。电子传输层可以如现有技术中所使用的那样与任意期望的阴极物质一同使用。特别是，合适的阴极物质的例子是具有低功函数且伴有铝层或银层的通常的物质。具体为铯、钡、钙、镱和钐，在各情况下均伴有铝层或银层。
上述电子注入层是注入来自电极的电子的层，优选为如下化合物：具有传输电子的能力，具有注入来自第二电极的电子的效果，具有对于发光层或发光材料的优异的电子注入效果，防止发光层中生成的激子向空穴注入层迁移，而且薄膜形成能力优异的化合物。具体而言，有芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻喃二氧化物、
唑、
二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、亚芴基甲烷、蒽酮等和它们的衍生物、金属配位化合物以及含氮五元环衍生物等，但并不限定于此。
作为上述金属配位化合物，有8-羟基喹啉锂、双(8-羟基喹啉)锌、双(8-羟基喹啉)铜、双(8-羟基喹啉)锰、三(8-羟基喹啉)铝、三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)镓、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、双(10-羟基苯并[h]喹啉)锌、双(2-甲基-8-喹啉)氯化镓、双(2-甲基-8-喹啉)(邻甲酚)镓、双(2-甲基-8-喹啉)(1-萘酚)铝、双(2-甲基-8-喹啉)(2-萘酚)镓等，但并不限定于此。
上述空穴阻挡层是阻止空穴到达第二电极的层，通常可以利用与空穴注入层相同的条件来形成。具体而言，有
二唑衍生物或三唑衍生物、菲咯啉衍生物、BCP、铝配合物(aluminum complex)等，但并不限定于此。
根据所使用的材料，根据本说明书的有机发光器件可以为顶部发光型、底部发光型或双向发光型。
实施发明的方式
下面，通过实施例来对本说明书更详细地进行说明。但是，下面的实施例只用于例示本说明书，不用于限定本说明书。
根据本说明书的化合物利用作为代表性反应的布赫瓦尔德-哈特维希偶联反应(Buchwald-Hartwig coupling reaction)、赫克偶联反应(Heck coupling reaction)、铃木偶联反应(Suzuki coupling reaction)等进行制造。
[制造例1]化学式a(5H-苯并[b]咔唑，5H-benzo[b]carbazole)的制造
1)化学式a-1的制造
将300.0g(1.0当量)的萘-2-胺(naphthalen-2-amine)、592.7g(1.0当量)的1-溴-2-碘苯(1-bromo-2-iodobenzene)、302.0g(1.5当量)的NaOtBu、4.70g(0.01当量)的醋酸钯(Pd(OAc)2)、12.12g(0.01当量)的4,5-双(二苯基膦)-9,9-二甲基氧杂蒽(4,5-Bis(diphenylphosphino)-9,9-dimethylxanthene，Xantphos)和5L的1,4-二
烷(1,4-dioxane)进行溶解，回流并搅拌。3小时后，反应结束时，减压而去除溶剂。然后，完全溶解于乙酸乙酯(Ethylacetate)，用水洗涤，再次减压而去除70％左右的溶剂。再次在回流状态下加入己烷(Hexane)，使晶体降落，冷却后过滤。将其进行柱层析，从而得到了443.5g(收率71％)的化合物a-1。[M+H]+＝299
2)化学式a(5H-苯并[b]咔唑)的制造
将443.5g(1.0当量)的化学式a-1、8.56g(0.01当量)的Pd(t-Bu3P)2和463.2g(2.00当量)的K2CO3加入到4L的二乙基乙酰胺(Dimethylacetamide，DMAC)中，回流并搅拌。3小时后，将反应物倒入水中，使晶体降落，过滤。将过滤的固体完全溶解于1,2-二氯苯(1,2-dichlorobenzene)后，用水洗涤，将溶解有生成物的溶液进行减压浓缩，使晶体降落，冷却后过滤。将其用柱层析进行纯化，从而得到了174.8g(收率48％)的化学式a(5H-苯并[b]咔唑)。[M+H]+＝218
在这里，tBu是指叔丁基。
[制造例2]化学式b(7H-二苯并[b,g]咔唑，7H-dibenzo[b,g]carbazole)的制造
使用1-溴-2-碘萘(1-bromo-2-iodonaphthalene)代替1-溴-2-碘苯，通过与化学式a的制造方法相同的方法合成了化学式b(7H-二苯并[b,g]咔唑)。[M+H]+＝268
[制造例3]化学式c(6H-二苯并[b,h]咔唑，6H-dibenzo[b,h]carbazole)的制造
使用2,3-二溴萘(2,3-dibromonaphthalene)代替1-溴-2-碘苯，通过与化学式a的制造方法相同的方法合成了化学式c(6H-二苯并[b,h]咔唑)。[M+H]+＝268
[制造例4]化学式d(13H-二苯并[a,h]咔唑，13H-dibenzo[a,h]carbazole)的制造
使用2-溴-1-碘萘(2-bromo-1-iodonaphthalene)代替1-溴-2-碘苯，通过与化学式a的制造方法相同的方法合成了化学式d(13H-二苯并[a,h]咔唑)。[M+H]+＝268
[制造例5]化学式e的制造
1)化学式e-3的制造
将200.0g(1.0当量)的1-溴-2-氯-3-碘苯(1-bromo-2-chloro-3-iodobenzene)、105.9g(1.0当量)的(2-(甲硫基)苯基)硼酸((2-(methylthio)phenyl)boronic acid)、173.9g(2.0当量)的K2CO3和14.55g(0.02当量)的Pd(PPh3)4(四(三苯基膦)钯(0)，Tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0))溶解于3L的四氢呋喃(THF)中，回流并搅拌。2小时后，反应结束时，减压而去除溶剂。然后，完全溶解于乙酸乙酯，用水洗涤，再次减压而去除80％左右的溶剂。再次在回流状态下加入己烷，使晶体降落，冷却后过滤。将其进行柱层析，从而得到了138.36g(收率70％)的化合物e-3。[M+H]+＝312
2)化学式e-2的制造
将138.36g(1.0当量)的化学式e-3和22.5g(2.00当量)的H2O2加入到1L的醋酸(AcOH)中，回流并搅拌。1小时后，将反应物倒入水中，使晶体降落，过滤。将过滤的固体完全溶解于乙酸乙酯，用水洗涤，再次减压而去除80％左右的溶剂。再次在回流状态下加入己烷，使晶体降落，冷却后过滤。将其进行柱层析，从而得到了91.61g(收率63％)的化合物e-2。[M+H]+＝328
2)化学式e-1的制造
将91.62g(1.0当量)的化学式e-2加入到500ml的H2SO4中，回流，溶解并搅拌。2小时后，反应结束时，将反应物倒入水中，使晶体降落，过滤。将过滤的固体完全溶解于CHCl3后，用水洗涤，将溶解有生成物的溶液减压浓缩而去除80％左右的溶剂。将其再次在回流状态下加入己烷，使晶体降落，冷却后进行柱层析，从而得到了50.45g(收率61％)的化学式e-1。[M+H]+＝296。
3)化学式e的制造
将50.45g(1.0当量)的化学式e-1、55.96g(1.3当量)的双(频哪醇合)二硼(Bis(pinacolato)diboron)、2.48g(0.02当量)的Pd(dppf)Cl2、18.98g(2.00当量)的KOAc加入到800mL的二
烷(dioxnae)中，回流并搅拌。3小时后，反应结束时，减压而去除溶剂。将过滤的固体完全溶解于CHCl3后，用水洗涤，将溶解有生成物的溶液减压浓缩而去除90％左右的溶剂。将其再次在回流状态下加入乙醇，使晶体降落，冷却后过滤，从而得到了49.66g(收率84％)的化学式e。[M+H]+＝345。
[制造例6]化学式f的制造
使用2-溴-1-氯-4-碘苯(2-bromo-1-chloro-4-iodobenzene)代替1-溴-2-氯-3-碘苯，通过与化学式e的制造方法相同的方法合成了化学式f。[M+H]+＝345。
[制造例7]化学式g的制造
使用1-溴-3-氯-5-碘苯(1-bromo-3-chloro-5-iodobenzene)代替1-溴-2-氯-3-碘苯，通过与化学式e的制造方法相同的方法合成了化学式g。[M+H]+＝345。
[制造例8]化学式h的制造
使用(3-(甲硫基)萘-2-基)硼酸(3-(methylthio)naphthalen-2-yl)boronicacid)代替(2-(甲硫基)苯基)硼酸，通过与化学式e的制造方法相同的方法合成了化学式h。[M+H]+＝395。
[制造例9]化学式i的制造
使用(3-(甲硫基)萘-2-基)硼酸代替(2-(甲硫基)苯基)硼酸，通过与化学式f的制造方法相同的方法合成了化学式i。[M+H]+＝395。
[制造例10]化学式j的制造
使用(3-(甲硫基)萘-2-基)硼酸代替(2-(甲硫基)苯基)硼酸，通过与化学式g的制造方法相同的方法合成了化学式j。[M+H]+＝395。
[制造例11]化学式k的制造
使用(1-(甲硫基)萘-2-基)硼酸((1-(methylthio)naphthalen-2-yl)boronicacid)代替(2-(甲硫基)苯基)硼酸，通过与化学式e的制造方法相同的方法合成了化学式k。[M+H]+＝395。
[制造例12]化学式l制造
使用(1-(甲硫基)萘-2-基)硼酸代替(2-(甲硫基)苯基)硼酸，通过与化学式f的制造方法相同的方法合成了化学式h。[M+H]+＝395。
[制造例13]化学式m的制造
使用(1-(甲硫基)萘-2-基)硼酸代替(2-(甲硫基)苯基)硼酸，通过与化学式g的制造方法相同的方法合成了化学式m。[M+H]+＝395。
[制造例14]化学式n的制造
使用(2-(甲硫基)萘-1-基)硼酸((2-(methylthio)naphthalen-1-yl)boronicacid)代替(2-(甲硫基)苯基)硼酸，通过与化学式e的制造方法相同的方法合成了化学式n。[M+H]+＝395。
[制造例15]化学式o的制造
使用(2-(甲硫基)萘-1-基)硼酸代替(2-(甲硫基)苯基)硼酸，通过与化学式f的制造方法相同的方法合成了化学式o。[M+H]+＝395。
制造例15.化学式p制造
使用(2-(甲硫基)萘-1-基)硼酸代替(2-(甲硫基)苯基)硼酸，通过与化学式g的制造方法相同的方法合成了化学式p。[M+H]+＝395。
利用上述制造例1至15中合成的中间体，将包含三嗪(Triazine)的中间体通过铃木偶联反应进行反应，从而合成了下面合成例的化合物。
合成例1
在氮气氛下，将物质1(10g，19mmol)、化学式a(4.5g，20.9mmol)和叔丁醇钠(NaOtBu，sodium tert-butoxide)(3.7g，38mmol)加入到200ml的二甲苯(Xylene)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(Pd(t-Bu3P)2，bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0))(0.2g，0.4mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物1(9.4g)。(收率70％，MS:[M+H]+＝707)。
合成例2
在氮气氛下，将物质2(10g，18.2mmol)、化学式a(4.3g，20mmol)和叔丁醇钠(3.5g，36.4mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.4mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物2(7.4g)。(收率56％，MS:[M+H]+＝731)。
合成例3
在氮气氛下，将物质3(10g，16.7mmol)、化学式a(4g，18.3mmol)和叔丁醇钠(3.2g，33.3mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物3(7.3g)。(收率56％，MS:[M+H]+＝781)。
合成例4
在氮气氛下，将物质4(10g，15.1mmol)、化学式a(3.6g，16.6mmol)和叔丁醇钠(2.9g，30.2mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物4(8.6g)。(收率68％，MS:[M+H]+＝843)。
合成例5
在氮气氛下，将物质5(10g，15.9mmol)、化学式a(3.8g，17.5mmol)和叔丁醇钠(3.1g，31.8mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物5(7.8g)。(收率61％，MS:[M+H]+＝810)。
合成例6
在氮气氛下，将物质6(10g，22.2mmol)、化学式a(5.3g，24.4mmol)和叔丁醇钠(4.3g，44.4mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.4mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物6(7.1g)。(收率51％，MS:[M+H]+＝631)。
合成例7
在氮气氛下，将物质7(10g，18.2mmol)、化学式a(4.3g，20mmol)和叔丁醇钠(3.5g，36.4mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.4mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物7(9.2g)。(收率69％，MS:[M+H]+＝731)。
合成例8
在氮气氛下，将物质8(10g，15.4mmol)、化学式a(3.7g，16.9mmol)和叔丁醇钠(3g，30.8mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物8(6.6g)。(收率52％，MS:[M+H]+＝831)。
合成例9
在氮气氛下，将物质9(10g，16.5mmol)、化学式a(3.9g，18.1mmol)和叔丁醇钠(3.2g，33mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物9(8.4g)。(收率65％，MS:[M+H]+＝787)。
合成例10
在氮气氛下，将物质10(10g，14.5mmol)、化学式a(3.5g，15.9mmol)和叔丁醇钠(2.8g，28.9mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.1g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物10(7.6g)。(收率60％，MS:[M+H]+＝872)。
合成例11
在氮气氛下，将物质11(10g，20mmol)、化学式a(4.8g，22mmol)和叔丁醇钠(3.8g，40mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.4mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物11(7.1g)。(收率52％，MS:[M+H]+＝681)。
合成例12
在氮气氛下，将物质12(10g，16.6mmol)、化学式a(4g，18.3mmol)和叔丁醇钠(3.2g，33.2mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物12(7.3g)。(收率56％，MS:[M+H]+＝783)。
合成例13
在氮气氛下，将物质13(10g，17.4mmol)、化学式a(4.1g，19.1mmol)和叔丁醇钠(3.3g，34.7mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物13(7.4g)。(收率56％，MS:[M+H]+＝757)。
合成例14
在氮气氛下，将物质14(10g，16.2mmol)、化学式a(3.9g，17.9mmol)和叔丁醇钠(3.1g，32.5mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物14(6.8g)。(收率53％，MS:[M+H]+＝797)。
合成例15
在氮气氛下，将物质15(10g，16.5mmol)、化学式a(3.9g，18.1mmol)和叔丁醇钠(3.2g，33mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物15(7.8g)。(收率60％，MS:[M+H]+＝787)。
合成例16
在氮气氛下，将物质16(10g，22.2mmol)、化学式b(6.5g，24.4mmol)和叔丁醇钠(4.3g，44.4mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.4mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物16(9.8g)。(收率65％，MS:[M+H]+＝681)。
合成例17
在氮气氛下，将物质17(10g，18.2mmol)、化学式a(4.3g，20mmol)和叔丁醇钠(3.5g，36.4mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.4mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物17(6.9g)。(收率52％，MS:[M+H]+＝731)。
合成例18
在氮气氛下，将物质18(10g，16.7mmol)、化学式b(4.9g，18.3mmol)和叔丁醇钠(3.2g，33.3mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物18(8.2g)。(收率59％，MS:[M+H]+＝831)。
合成例19
在氮气氛下，将物质19(10g，14.8mmol)、化学式c(4.3g，16.3mmol)和叔丁醇钠(2.8g，29.6mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物19(8g)。(收率60％，MS:[M+H]+＝907)。
合成例20
在氮气氛下，将物质20(10g，16mmol)、化学式a(3.8g，17.6mmol)和叔丁醇钠(3.1g，31.9mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物20(8.6g)。(收率67％，MS:[M+H]+＝807)。
合成例21
在氮气氛下，将物质21(10g，16mmol)、化学式b(4.7g，17.6mmol)和叔丁醇钠(3.1g，31.9mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物21(8.3g)。(收率61％，MS:[M+H]+＝857)。
合成例22
在氮气氛下，将物质22(10g，15.4mmol)、化学式a(3.7g，16.9mmol)和叔丁醇钠(3g，30.8mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物22(7g)。(收率55％，MS:[M+H]+＝831)。
合成例23
在氮气氛下，将物质23(10g，17.4mmol)、化学式c(5.1g，19.2mmol)和叔丁醇钠(3.3g，34.8mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物23(8.1g)。(收率58％，MS:[M+H]+＝805)。
合成例24
在氮气氛下，将物质24(10g，15.4mmol)、化学式d(4.5g，16.9mmol)和叔丁醇钠(3g，30.8mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物24(7.9g)。(收率58％，MS:[M+H]+＝881)。
合成例25
在氮气氛下，将物质25(10g，18.5mmol)、化学式d(5.4g，20.4mmol)和叔丁醇钠(3.6g，37mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.4mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物25(7.7g)。(收率54％，MS:[M+H]+＝771)。
合成例26
在氮气氛下，将物质26(10g，15mmol)、化学式d(4.4g，16.5mmol)和叔丁醇钠(2.9g，30mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物26(7.4g)。(收率55％，MS:[M+H]+＝897)。
合成例27
在氮气氛下，将物质27(10g，15.6mmol)、化学式c(4.6g，17.2mmol)和叔丁醇钠(3g，31.2mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物27(7.6g)。(收率56％，MS:[M+H]+＝871)。
合成例28
在氮气氛下，将物质28(10g，15mmol)、化学式d(4.4g，16.5mmol)和叔丁醇钠(2.9g，30mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物28(8.7g)。(收率65％，MS:[M+H]+＝897)。
合成例29
在氮气氛下，将物质29(10g，14.7mmol)、化学式c(4.3g，16.1mmol)和叔丁醇钠(2.8g，29.3mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.1g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物29(9.1g)。(收率68％，MS:[M+H]+＝913)。
合成例30
在氮气氛下，将物质30(10g，15.6mmol)、化学式a(3.7g，17.2mmol)和叔丁醇钠(3g，31.2mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物30(8.8g)。(收率69％，MS:[M+H]+＝821)。
合成例31
在氮气氛下，将物质31(10g，15.6mmol)、化学式b(4.6g，17.2mmol)和叔丁醇钠(3g，31.2mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物31(8.6g)。(收率63％，MS:[M+H]+＝871)。
合成例32
在氮气氛下，将物质32(10g，20mmol)、化学式a(4.8g，22mmol)和叔丁醇钠(3.8g，40mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.4mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物32(6.9g)。(收率51％，MS:[M+H]+＝681)。
合成例33
在氮气氛下，将物质33(10g，17.4mmol)、化学式d(5.1g，19.1mmol)和叔丁醇钠(3.3g，34.7mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物33(9.5g)。(收率68％，MS:[M+H]+＝807)。
合成例34
在氮气氛下，将物质34(10g，16.7mmol)、化学式a(4g，18.3mmol)和叔丁醇钠(3.2g，33.3mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物34(6.6g)。(收率51％，MS:[M+H]+＝781)。
合成例35
在氮气氛下，将物质35(10g，16mmol)、化学式b(4.7g，17.6mmol)和叔丁醇钠(3.1g，31.9mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物35(7g)。(收率51％，MS:[M+H]+＝857)。
合成例36
在氮气氛下，将物质36(10g，15.4mmol)、化学式a(3.7g，16.9mmol)和叔丁醇钠(3g，30.8mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物36(7.4g)。(收率58％，MS:[M+H]+＝831)。
合成例37
在氮气氛下，将物质37(10g，14.3mmol)、化学式b(4.2g，15.7mmol)和叔丁醇钠(2.7g，28.6mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.1g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物37(9g)。(收率68％，MS:[M+H]+＝931)。
合成例38
在氮气氛下，将物质38(10g，15.4mmol)、化学式c(4.5g，16.9mmol)和叔丁醇钠(3g，30.8mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物38(7g)。(收率52％，MS:[M+H]+＝881)。
合成例39
在氮气氛下，将物质39(10g，16.9mmol)、化学式a(4.1g，18.6mmol)和叔丁醇钠(3.3g，33.9mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物39(8.5g)。(收率65％，MS:[M+H]+＝771)。
合成例40
在氮气氛下，将物质40(10g，16.9mmol)、化学式d(5g，18.6mmol)和叔丁醇钠(3.3g，33.9mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物40(9.2g)。(收率66％，MS:[M+H]+＝821)。
合成例41
在氮气氛下，将物质41(10g，16.5mmol)、化学式c(4.9g，18.1mmol)和叔丁醇钠(3.2g，33mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物41(9.7g)。(收率70％，MS:[M+H]+＝837)。
合成例42
在氮气氛下，将物质42(10g，14.7mmol)、化学式c(4.3g，16.1mmol)和叔丁醇钠(2.8g，29.3mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.1g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物42(7.1g)。(收率53％，MS:[M+H]+＝913)。
合成例43
在氮气氛下，将物质43(10g，14.4mmol)、化学式d(4.2g，15.8mmol)和叔丁醇钠(2.8g，28.7mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.1g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物43(7.1g)。(收率53％，MS:[M+H]+＝927)。
合成例44
在氮气氛下，将物质44(10g，14.7mmol)、化学式b(4.3g，16.2mmol)和叔丁醇钠(2.8g，29.4mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物44(9.2g)。(收率69％，MS:[M+H]+＝911)。
合成例45
在氮气氛下，将物质45(10g，19mmol)、化学式d(5.6g，20.9mmol)和叔丁醇钠(3.7g，38mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.4mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物45(7.9g)。(收率55％，MS:[M+H]+＝757)。
合成例46
在氮气氛下，将物质46(10g，18.2mmol)、化学式c(5.3g，20mmol)和叔丁醇钠(3.5g，36.4mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.4mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物46(8.9g)。(收率63％，MS:[M+H]+＝781)。
合成例47
在氮气氛下，将物质47(10g，16.7mmol)、化学式a(4g，18.3mmol)和叔丁醇钠(3.2g，33.3mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物47(6.9g)。(收率53％，MS:[M+H]+＝781)。
合成例48
在氮气氛下，将物质48(10g，16mmol)、化学式d(4.7g，17.6mmol)和叔丁醇钠(3.1g，31.9mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物48(8.9g)。(收率65％，MS:[M+H]+＝857)。
合成例49
在氮气氛下，将物质49(10g，15.3mmol)、化学式c(4.5g，16.9mmol)和叔丁醇钠(2.9g，30.7mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物49(8.4g)。(收率62％，MS:[M+H]+＝883)。
合成例50
在氮气氛下，将物质50(10g，16mmol)、化学式c(4.7g，17.6mmol)和叔丁醇钠(3.1g，31.9mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物50(9g)。(收率66％，MS:[M+H]+＝857)。
合成例51
在氮气氛下，将物质51(10g，15.3mmol)、化学式d(4.5g，16.9mmol)和叔丁醇钠(2.9g，30.7mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物51(8.5g)。(收率63％，MS:[M+H]+＝883)。
合成例52
在氮气氛下，将物质52(10g，15.5mmol)、化学式b(4.6g，17mmol)和叔丁醇钠(3g，31mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物52(9g)。(收率66％，MS:[M+H]+＝876)。
合成例53
在氮气氛下，将物质53(10g，15.6mmol)、化学式c(4.6g，17.2mmol)和叔丁醇钠(3g，31.2mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物53(8.3g)。(收率61％，MS:[M+H]+＝871)。
合成例54
在氮气氛下，将物质54(10g，15.2mmol)、化学式d(4.5g，16.8mmol)和叔丁醇钠(2.9g，30.5mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物54(8.6g)。(收率64％，MS:[M+H]+＝887)。
合成例55
在氮气氛下，将物质55(10g，15.2mmol)、化学式b(4.5g，16.8mmol)和叔丁醇钠(2.9g，30.5mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物55(8.4g)。(收率62％，MS:[M+H]+＝887)。
合成例56
在氮气氛下，将物质56(10g，15mmol)、化学式a(3.6g，16.5mmol)和叔丁醇钠(2.9g，30mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.3mmol)。3小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物56(8g)。(收率63％，MS:[M+H]+＝847)。
合成例57
在氮气氛下，将物质57(10g，14mmol)、化学式a(3.4g，15.4mmol)和叔丁醇钠(2.7g，28.1mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.1g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物57(7.1g)。(收率57％，MS:[M+H]+＝893)。
合成例58
在氮气氛下，将物质58(10g，14.4mmol)、化学式b(4.2g，15.8mmol)和叔丁醇钠(2.8g，28.7mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.1g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物58(8.1g)。(收率61％，MS:[M+H]+＝927)。
合成例59
在氮气氛下，将物质59(10g，13.5mmol)、化学式b(4g，14.8mmol)和叔丁醇钠(2.6g，27mmol)加入到200ml的二甲苯中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.1g，0.3mmol)。2小时后，反应结束，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，分离有机层，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物59(9.2g)。(收率70％，MS:[M+H]+＝972)。
比较例1
将ITO(氧化铟锡，indium tin oxide)以
的厚度被涂布成薄膜的玻璃基板放入溶解有洗涤剂的蒸馏水中，利用超声波进行洗涤。这时，洗涤剂使用菲希尔公司(Fischer Co.)制品，蒸馏水使用了利用密理博公司(Millipore Co.)制造的过滤器(Filter)过滤两次的蒸馏水。将ITO洗涤30分钟后，用蒸馏水重复两次而进行10分钟超声波洗涤。在蒸馏水洗涤结束后，用异丙醇、丙酮、甲醇的溶剂进行超声波洗涤并干燥后，输送至等离子体清洗机。此外，利用氧等离子体，将上述基板清洗5分钟后，将基板输送至真空蒸镀机。
在这样准备的ITO透明电极上，作为空穴注入层，将下述HI-1化合物以
的厚度形成，且将下述A-1化合物以1.5％的浓度进行p-掺杂(p-doping)。在上述空穴注入层上，将下述HT-1化合物进行真空蒸镀，从而形成膜厚度
的空穴传输层。接着，在上述空穴传输层上，以膜厚度
将下述EB-1化合物进行真空蒸镀而形成电子阻挡层。接着，在上述EB-1蒸镀膜上，将下述RH-1化合物和下述Dp-7化合物以98:2的重量比进行真空蒸镀，从而形成
厚度的红色发光层。在上述发光层上，以膜厚度
将下述HB-1化合物进行真空蒸镀而形成空穴阻挡层。接着，在上述空穴阻挡层上，将下述ET-1化合物和下述LiQ化合物以2:1的重量比进行真空蒸镀，从而以
的厚度形成电子注入和传输层。在上述电子注入和传输层上，依次将氟化锂(LiF)以
的厚度、将铝以
的厚度进行蒸镀，从而形成阴极。
在上述过程中，有机物的蒸镀速度维持
阴极的氟化锂维持
的蒸镀速度，铝维持
的蒸镀速度，在蒸镀时，真空度维持2×10-7～5×10-6托，从而制作了有机发光器件。
实施例1至实施例59
在比较例1的有机发光器件中，使用下述表1中记载的化合物代替RH-1，除此以外，通过与上述比较例1相同的方法制造了有机发光器件。
比较例2至比较例31
在比较例1的有机发光器件中，使用下述表1中记载的化合物代替RH-1，除此以外，通过与上述比较例1相同的方法制造了有机发光器件。
在对上述实施例1至实施例59和比较例1至比较例31中制造的有机发光器件施加电流时，测定了(6000尼特基准)电压、效率、寿命，将其结果示于下述表1。寿命T95是指亮度从初始亮度(6000尼特)减少至95％所需的时间。
[表1]
在对通过实施例1至实施例59和比较例1至31而制作的有机发光器件施加电流时，得到了上述表1的结果。上述比较例1的红色有机发光器件是使用了以往广泛使用的物质，是使用化合物[EB-1]作为电子阻挡层且使用RH-1/Dp-7作为红色发光层的结构。比较例2至31使用C-1至C30代替RH-1而制造了有机发光器件。从上述表1的结果来看，本发明的化合物作为红色发光层的主体使用时，与比较例物质相比，驱动电压大幅下降近30％，在效率方面提高了25％以上，因此可知从主体到红色掺杂剂的能量传递顺利实现。此外，可知在维持高效率的同时也可以大幅改善寿命特性2倍以上。可以判断这是由于与比较例化合物相比，本发明的化合物对于电子和空穴的稳定度高。
实施例60至159
在比较例1的有机发光器件中，将下述表2中记载的第一主体和第二主体以1:1的重量比例代替RH-1进行真空蒸镀，除此以外，通过与上述比较例1相同的方法制造了有机发光器件。
[表2]
表2的结果显示了共蒸镀两种主体的结果，以1:1的重量比例使用第一主体和第二主体时，与只使用第一主体的结果相比，显示更优异的结果。随着使用第二主体，空穴的量增多，因此可以确认在红色发光层内电子和空穴维持更稳定的平衡，效率和寿命大幅增加。总而言之，可以确认将本发明的化合物用作红色发光层的主体时，可以改善有机发光器件的驱动电压、发光效率和寿命特性。
Claims (14)
1.一种由下述化学式1表示的化合物：
化学式1
在所述化学式1中，
R1至R4各自独立地为氢或氘，
R5和R6各自独立地为取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基，
a为0至6的整数，
b和d各自独立地为0至4的整数，
c为0至2的整数，
a至d各自独立地为2以上时，括号内的取代基彼此相同或不同，以及
b至d各自独立地为2以上时，2个以上的R2至R4任选地各自独立地与相邻的取代基彼此结合而形成环。
2.根据权利要求1所述的化合物，其中，由所述化学式1表示的化合物为选自下述化学式2至4中的任一个：
化学式2
化学式3
化学式4
在所述化学式2至4中，R1至R6和a至d与化学式1中的定义相同。
3.根据权利要求1所述的化合物，其中，由所述化学式1表示的化合物为选自下述化学式2-1至2-8中的任一个：
化学式2-1
化学式2-2
化学式2-3
化学式2-4
化学式2-5
化学式2-6
化学式2-7
化学式2-8
在所述化学式2-1至2-8中，R4至R6和d与化学式1中的定义相同，
R8为氢或氘，
f为0至8的整数，以及
f为2以上时，复数个R8彼此相同或不同。
4.根据权利要求1所述的化合物，其中，由所述化学式1表示的化合物为选自下述化学式3-1至3-8中的任一个：
化学式3-1
化学式3-2
化学式3-3
化学式3-4
化学式3-5
化学式3-6
化学式3-7
化学式3-8
在所述化学式3-1至3-8中，R4至R6和d与化学式1中的定义相同，
R8为氢或氘，
f为0至8的整数，以及
f为2以上时，复数个R8彼此相同或不同。
5.根据权利要求1所述的化合物，其中，由所述化学式1表示的化合物为选自下述化学式4-1至4-8中的任一个：
化学式4-1
化学式4-2
化学式4-3
化学式4-4
化学式4-5
化学式4-6
化学式4-7
化学式4-8
在所述化学式4-1至4-8中，R4至R6和d与化学式1中的定义相同，
R7为氢或氘，
e1和e2各自为0或1，e1和e2之和为1至2，
e为0至10的整数，以及
e为2以上时，复数个R7彼此相同或不同。
6.根据权利要求1所述的化合物，其中，由所述化学式1表示的化合物选自下述化合物：
7.一种有机发光器件，其特征在于，包括：第一电极；与所述第一电极对置而具备的第二电极；以及具备在所述第一电极与所述第二电极之间的1层以上的有机物层，
其中所述有机物层中的1层以上包含根据权利要求1至6中任一项所述的化合物。
8.根据权利要求7所述的有机发光器件，其中，所述有机物层包括发光层，并且
所述发光层包含所述化学式1的化合物。
9.根据权利要求7所述的有机发光器件，其中，所述有机物层包括发光层，并且
所述发光层包含所述化学式1的化合物作为主体。
10.根据权利要求7所述的有机发光器件，其中，所述有机物层包括空穴注入层或所述空穴传输层，并且
所述空穴注入层或空穴传输层包含所述化学式1的化合物。
11.根据权利要求7所述的有机发光器件，其中，所述有机物层包括电子传输层或所述电子注入层，并且
所述电子传输层或电子注入层包含所述化学式1的化合物。
12.根据权利要求7所述的有机发光器件，其中，所述有机发光器件还包括选自空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、电子阻挡层和空穴阻挡层中的1层或2层以上。
13.根据权利要求7所述的有机发光器件，其中，所述有机物层包括发光层，并且
所述发光层包含所述化学式1的化合物作为第一主体，并且还包含由下述化学式H表示的第二主体：
化学式H
在所述化学式H中，
A为取代或未取代的萘环，
Ar1为取代或未取代的碳原子数6至60的芳基，
L1至L3各自独立地为单键、或者取代或未取代的碳原子数6至60的亚芳基，
Ar2和Ar3各自独立地为取代或未取代的碳原子数6至60的芳基；或者取代或未取代的包含N、O和S中的1个以上的杂原子的碳原子数2至60的杂芳基，以及
p为0至9的整数。
14.根据权利要求13所述的有机发光器件，其中，由所述化学式H表示的第二主体由下述结构中的任一个表示：
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