KR101913926B1 - 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.

Description

헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자{HETEROCYCLIC COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME}
본 출원은 2016년 02년 11일 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2016-0015848호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 출원은 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 현상은 특정 유기 분자의 내부 프로세스에 의하여 전류가 가시광으로 전환되는 예의 하나이다. 유기 발광 현상의 원리는 다음과 같다.
양극과 음극 사이에 유기물층을 위치시켰을 때 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 음극과 양극으로부터 각각 전자와 정공이 유기물층으로 주입된다. 유기물층으로 주입된 전자와 정공은 재결합하여 엑시톤(exciton)을 형성하고, 이 엑시톤이 다시 바닥 상태로 떨어지면서 빛이 나게 된다. 이러한 원리를 이용하는 유기 발광 소자는 일반적으로 음극과 양극 및 그 사이에 위치한 유기물층, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층을 포함하는 유기물층으로 구성될 수 있다.
유기 발광 소자에서 사용되는 물질로는 순수 유기 물질 또는 유기 물질과 금속이 착물을 이루는 착화합물이 대부분을 차지하고 있으며, 용도에 따라 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등으로 구분될 수 있다. 여기서, 정공주입 물질이나 정공수송 물질로는 p-타입의 성질을 가지는 유기물질, 즉 쉽게 산화가 되고 산화시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 한편, 전자주입 물질이나 전자수송 물질로는 n-타입 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 환원이 되고 환원시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 발광층 물질로는 p-타입 성질과 n-타입 성질을 동시에 가진 물질, 즉 산화와 환원 상태에서 모두 안정한 형태를 갖는 물질이 바람직하며, 엑시톤이 형성되었을 때 이를 빛으로 전환하는 발광 효율이 높은 물질이 바람직하다.
따라서, 당 기술분야에서는 새로운 유기물의 개발이 요구되고 있다.
한국 공개특허공보 제10-2000-0051826호
본 명세서는 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:
[화학식 1]
Figure 112017014790733-pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
X1 내지 X3 중 적어도 하나는 CR1이고, 나머지는 N이며, R1이 2개 이상 존재하는 경우 R1들은 서로 같거나 상이하고, X1 내지 X3 이 모두 CR1은 아니며,
R1 중 적어도 하나는 헤테로원자를 포함하는 전자흡인성 치환기이고, 나머지는 수소 또는 중수소이며,
Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
L은 단결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
Ar3는 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
a는 0 내지 2의 정수이고,
a가 2인 경우 L은 서로 같거나 상이하고,
s는 1 또는 2이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 발광층을 포함한 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 실시상태들에 따른 화합물은 R1으로서 전자흡인성 기를 가짐으로써 전자에 대한 치환성(affinity)가 우수하므로, 전자 주입 특성이 개선되고, 이에 의하여 유기 발광 소자의 구동 전압을 낮출 수 있다.
또한, L에 페닐렌기; 바이페닐렌기; 나프탈렌기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 2가의 카바졸기; 2가의 디벤조퓨란기; 또는 피리딘기가 연결되거나, Ar3에 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸기; 디벤조퓨란기; 또는 디벤조티오펜기가 연결되는 경우, 발광층의 호스트로 작용하여 전자 및 정공에 대한 안정성을 향상시켜 수명 및 효율을 개선할 수 있다.
도 1 내지 5는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조를 예시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 화합물 2의 합성확인자료이다.
이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
상기 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서
Figure 112017014790733-pat00002
는 다른 치환기에 연결되는 부위를 의미한다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 할로알킬기; 니트릴기, 니트로기, 카보닐기; 알킬기; 알케닐기; 시클로알킬기; 아릴기; 헤테로아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알케닐아릴기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬아민기; 아르알킬아민기; 아릴아민기; 알킬아릴아민기; 또는 헤테로아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 명세서에서 카보닐기는 C(=O)R로 표시될 수 있으며, R은 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40의 1가기, 예컨대 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112017014790733-pat00003
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure 112017014790733-pat00004
,
Figure 112017014790733-pat00005
,
Figure 112017014790733-pat00006
, 및
Figure 112017014790733-pat00007
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 이종 원소로 O, N 및 S 중 1개 이상을 포함하는 방향족 또는 지방족의 헤테로아릴기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로아릴기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딘기, 비피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딘기, 피리다진기, 피라진기, 퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 프탈라진기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 카볼린기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 구체적으로 아릴옥시기로는 페녹시, p-토릴옥시, m-토릴옥시, 3,5-디메틸-페녹시, 2,4,6-트리메틸페녹시, p-tert-부틸페녹시, 3-비페닐옥시, 4-비페닐옥시, 1-나프틸옥시, 2-나프틸옥시, 4-메틸-1-나프틸옥시, 5-메틸-2-나프틸옥시, 1-안트릴옥시, 2-안트릴옥시, 9-안트릴옥시, 1-페난트릴옥시, 3-페난트릴옥시, 9-페난트릴옥시 등이 있고, 아릴티옥시기로는 페닐티옥시기, 2－메틸페닐티옥시기, 4－tert－부틸페닐티옥시기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 알킬아민기, 아르알킬아민기, 아릴아민기, 알킬아릴아민기, 및 헤테로아릴아민기는 각각 알킬기, 아르알킬기, 아릴기, 알킬아릴기 및 헤테로아릴기로 치환된 아민기로서, 여기서, 알킬, 아릴 및 헤테로아릴은 전술한 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기에 대한 설명이 적용될 수 있다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 3-메틸-페닐아민, 4-메틸-나프틸아민, 2-메틸-비페닐아민, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합위치가 두 개 있는 것, 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 헤테로아릴기에 결합위치가 두 개 있는 것, 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성한다는 의미는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소고리; 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소고리; 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로고리; 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리를 형성하는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, "인접하는 기"는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘(ortho) 위치에 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 지방족 탄화수소고리란 방향족이 아닌 고리로서 탄소와 수소 원자로만 이루어진 고리를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소고리의 예로는 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기 등이 있으나 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 지방족 헤테로고리란 헤테로원자로 N, O 또는 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 지방족고리를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 방향족 헤테로고리란 헤테로원자로 N, O 또는 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 방향족고리를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 상기 지방족고리, 방향족고리, 지방족 헤테로고리 및 방향족 헤테로고리는 단환 또는 다환일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전자흡인성 기는 F, N, O 및 S 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 전자흡인성 기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전자흡인성 기는 CN, F, CF3, NO2 또는 COCH3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전자흡인성 기는 CN이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a는 1이다.
본 명세서의 또 다른 일 실시상태에 따르면, 상기 a는 2이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 s는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1 중
Figure 112017014790733-pat00008
는 하기 구조식들로 표시될 수 있다.
Figure 112017014790733-pat00009
,
Figure 112017014790733-pat00010
Figure 112017014790733-pat00011
Figure 112017014790733-pat00012
Figure 112017014790733-pat00013
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 치환 또는 비치환된 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1 및 Ar2는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L은 단결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L은 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 20의 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지20의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 20의 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지10의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 20의 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L은 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 치환 또는 비치환된 2가의 카바졸기; 치환 또는 비치환된 2가의 디벤조퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 2가의 피리딘기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L은 페닐렌기; 바이페닐렌기; 나프틸렌기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 2가의 카바졸기; 2가의 디벤조퓨란기; 또는 2가의 피리딘기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L은 페닐렌기; 바이페닐렌기; 나프틸렌기; 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 2가의 카바졸기; 2가의 디벤조퓨란기; 또는 2가의 피리딘기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L은 페닐렌기; 바이페닐렌기; 나프틸렌기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 2가의 카바졸기; 2가의 디벤조퓨란기; 또는 2가의 피리딘기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3는 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3는 치환 또는 비치환된 정공수송성 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 40의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3는 치환 또는 비치환된 카바졸기; 카바졸 유도체기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다. 상기 카바졸 유도체기는 카바졸기에 하나 이상의 고리가 축합된 구조를 가질 수 있으며, 예컨대 카바졸기의 벤젠 부분에 인덴, 인돌, 벤조티오펜 또는 벤조퓨란이 축합된 구조를 가질 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3는 아릴기로 치환 또는 비치환된 카바졸기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3는 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 카바졸기; 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3는 탄소수 6 내지 10의 아릴기로 치환 또는 비치환된 카바졸기; 탄소수 6 내지 10의 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 탄소수 6 내지 10의 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3는 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3는 페닐기로 치환된 카바졸기; 페닐기로 치환된 디벤조퓨란기; 또는 페닐기로 치환된 디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar3는 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸기; 디벤조퓨란기; 또는 디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 내지 5 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112017014790733-pat00014
[화학식 3]
Figure 112017014790733-pat00015
[화학식 4]
Figure 112017014790733-pat00016
[화학식 5]
Figure 112017014790733-pat00017
상기 화학식 2 내지 5에 있어서,
X1 내지 X3, L, Ar1, Ar2 및 a의 정의는 화학식 1과 동일하고,
R3 내지 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소; 할로겐기; 할로알킬기; 니트릴기, 니트로기, 카보닐기; 알킬기; 알케닐기; 시클로알킬기; 아릴기; 헤테로아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알케닐아릴기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬아민기; 아르알킬아민기; 아릴아민기; 알킬아릴아민기; 또는 헤테로아릴아민기이거나, 인접하는 기와 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있고,
b 및 c는 1 내지 4의 정수이며, d는 1 내지 5의 정수이며, e는 1 내지 4의 정수이고, f는 1 내지 3의 정수이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R3 내지 R7 은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소; 할로겐기; 알킬기; 아릴기; 또는 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R3 내지 R7 은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소; 할로겐기; 알킬기; 또는 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R3 내지 R7 은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 또는 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R3 내지 R7 은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 구조식들 중에서 선택될 수 있다.
Figure 112017014790733-pat00018
Figure 112017014790733-pat00019
Figure 112017014790733-pat00020
Figure 112017014790733-pat00021
Figure 112017014790733-pat00022
Figure 112017014790733-pat00023
본 출원의 일 실시상태에 따른 화합물은 후술하는 제조 방법으로 제조될 수 있다.
상기 화학식 1중 사이아노기로 치환된 방향족 복소환기로 이루어진 화합물의 구조는 J. Heterocycl. Chem. 1987, 24, 709 및 Syn. Commun. 2009, 39, 1055에 나타나는 합성예를 참고해서 이하의 반응식에 의해 합성할 수 있다.
[반응식 1]
Figure 112017014790733-pat00024
[반응식 2]
Figure 112017014790733-pat00025
[반응식 3]
Figure 112017014790733-pat00026
상술한 반응식 1 내지 3으로 얻어지는 사이아노기로 치환된 복소환기로 이루어진 화합물을 이용하여, 하기에 제시된 방법에 의해 화학식 1로 표시되는 화합물을 합성할 수 있다.
[반응식 4]
Figure 112017014790733-pat00027
[반응식 5]
Figure 112017014790733-pat00028
또한, 본 명세서의 또 하나의 실시상태는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.
본 명세서의 실시상태들에 따른 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 명세서의 실시상태들에 따른 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자수송층, 전자주입층, 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층, 발광층, 정공수송층, 정공주입층 또는 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층을 포함하고, 상기 전자수송층, 전자주입층, 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층, 발광층, 정공수송층, 정공주입층 또는 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 전자수송층, 전자주입층 또는 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층을 포함하고, 상기 전자수송층, 전자주입층 또는 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 상기 화학식 1의 화합물을 호스트로서 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층 또는 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층을 포함하고, 상기 정공주입층, 정공수송층 또는 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층 이외에 아릴아미노기, 카바졸기 또는 벤조카바졸기를 포함하는 화합물을 포함하는 정공주입층 또는 정공수송층을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 화학식 1의 화합물을 호스트로서 포함하고, 다른 유기화합물, 금속 또는 금속화합물을 도펀트로 포함할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 내지 5에 예시되어 있다.
도 1에는 기판(1) 위에 양극(2), 정공 주입층(3), 정공 수송층(4), 발광층(5), 전자 수송층(6) 및 음극(7)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공 주입층(3), 정공 수송층(4), 발광층(5) 또는 전자 수송층(6)에 포함될 수 있다.
도 2에는 기판(1) 위에 양극(2), 정공 주입층(3), 정공 수송층(4), 발광층(5) 및 음극(7)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공 주입층(3), 정공 수송층(4) 또는 발광층(5)에 포함될 수 있다.
도 3에는 기판(1) 위에 양극(2), 정공 수송층(4), 발광층(5), 전자 수송층(6) 및 음극(7)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공 수송층(4), 발광층(5) 또는 전자 수송층(6)에 포함될 수 있다.
도 4에는 기판(1) 위에 양극(2), 발광층(5), 전자 수송층(6) 및 음극(7)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층(5) 또는 전자 수송층(6)에 포함될 수 있다.
도 5에는 기판(1) 위에 양극(2), 발광층(5) 및 음극(7)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층(5)에 포함될 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 명세서의 화합물, 즉 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(Physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다.
또한, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다 (국제 특허 출원 공개 제 2003/012890호). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SNO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 주입 물질로는 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 전자 수송 물질로는 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
< 제조예 >
< 제조예 1>
Figure 112017014790733-pat00029
[화합물 A] [화합물 B]
Figure 112017014790733-pat00030
[화합물 C] [화합물 1]
4,6-다이페닐-2-피리미딘아민(9.89g, 40mmol)을 아세토니트릴 100mL에 용해하고, N-브로모숙신이미드 (7.1g, 40mmol)을 첨가하였다. 8시간 후 증류수를 투입하여 반응을 종료하고, 에틸아세테이트 400mL로 2회 추출하였다. 유기층을 탄산수소나트륨 수용액 및 물로 세정하고, 그 후 얻어진 유기층을 무수 황산나트륨으로 건조하였다. 이를 여과하여 용매를 감압 증류 제거하여 백색 고체 화합물 A 10.1g (31mmol, 수율: 78%)을 얻었다.
다음으로, 아르곤 조건에서 상기에서 얻은 백색 분말 화합물 A 9.79g(30mmol)에 시안화 구리 5.37g(60mmol)을 첨가하고, N-메틸-2-피롤리디논 200ml을 투입하여 교반하였다. 그 후 180℃까지 가열하여 24시간 교반하였다. 실온으로 냉각한 후 암모니아수 200mL를 첨가하여 교반한 후 석출된 결정을 여과 하였다. 여과된 결정을 물 100mL와 에탄올 100mL로 순차적으로 슬러리하여 여과 후 진공 건조기로 감압 건조를 실시하여 백색 결정 화합물 B 6.0g(22mmol, 수율: 73%)을 얻었다.
다음으로, 상기에서 얻은 화합물 B 6.0g(22mmol)에 빙초산 80mL, 황산 20mL, 증류수 20mL을 첨가하여 가열하였다. 그 후 맑은 용액이 되면 3~4 ℃로 냉각하고, 1.64M 소듐나이트라이트 수용액 20mL을 첨가하여 30분간 교반하였다. 상기 용액을 염화구리(3.28g, 24.4mmol)가 녹아있는 염산 16mL에 0℃에서 천천히 적가하였다. 그 후 45℃까지 가열하여 30분간 교반하고 80℃까지 가열하여 30분간 교반하였다. 반응이 완결되면 실온으로 냉각한 후 클로로폼 75mL로 유기층을 3회 추출하였다. 유기층을 탄산수소나트륨 수용액 및 물로 세정하고, 얻어진 유기층을 무수황산나트륨으로 건조하였다. 그 후, 여과 분별한 후 용매를 감압 증류하여 농축 한 후, 이를 헥산과 에틸아세테이트를 사용하여 실리카 컬럼 정제하여 화합물 C 2.91g(10mmol, 수율: 45%)을 얻었다.
다음으로, 화합물 C 11.7g(40mmol)과 (4-(9H-카바졸-9-일)페닐)보론산 (12.7g, 44mmol)을 1,4-다이옥산 150mL와 물 50mL에 희석하고, 인산칼륨 25g(120mmol)을 혼합용액에 투입 후 가온하여 환류 상태에서 교반시켰다. 이 혼합물에 디벤질리덴아세톤팔라듐 700mg과 트리시클로헥실포스핀 680mg을 혼합하여 첨가하고 12시간 환류 교반시켰다. 반응 종결 후 반응물을 실온으로 냉각하여 석출된 고체를 여과하고, 이를 클로로포름에 녹인 후 물로 2회 세척하고 모아진 유기층을 무수황산마그네슘으로 수분을 제거하고 여과하여 에틸아세테이트를 혼합액으로 사용하여 재결정하는 방법으로 정제하여 백색의 목적 화합물 1 13.9g(수율: 70%)을 얻었다. MS:[M+H] = 499
< 제조예 2>
Figure 112017014790733-pat00031
[화합물 C] [화합물 D] [화합물 E]
Figure 112017014790733-pat00032
[화합물 2]
제조예 1과 동일한 방법으로 합성한 화합물 C 14g(48mmol)과 3-클로로 페닐 보론산 8.25g(53mmol)을 테트라하이드로퓨란 120 mL에 투입한 후 K2CO3 20 g(144mmol)을 40mL의 물에 용해 시킨 수용액을 투입하여 가온하였다. 환류상태의 혼합물에 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐 550 mg(0.5mmol)을 투입하여 12시간 환류 교반시켰다. 반응이 종결되면 반응물을 실온으로 냉각하고, 에틸아세테이트를 첨가하여 2회 추출하고, 물로 2회 세척한 후 무수황산마그네슘으로 처리하여 여과 후 감압 농축하였다. 얻어진 고체에 소량의 에틸아세테이트와 헥산을 사용하여 슬러리하여 화합물 D 14.6 g(수율: 83%)을 얻었다.
다음으로, 화합물 D 8g(22mmol)과 (9H-카바졸-2-일)보론산 5g(24mmol)을 1,4-다이옥산 80mL와 물 30mL에 희석하고, 인산칼륨 14g(65mmol)을 혼합용액에 투입 후 가온하여 환류 상태에서 교반시켰다. 이 혼합물에 디벤질리덴아세톤팔라듐 380mg과 트리시클로헥실포스핀 370mg을 혼합하여 첨가하고 12시간 환류 교반시켰다. 반응 종결 후 반응물을 실온으로 냉각하여 석출된 고체를 여과하고, 걸러진 고체를 테트라하이드로퓨란과 물 1:1 혼합액에 넣고 슬러리하고, 이를 여과 후 건조하여 회색의 화합물 E 9.5g(수율: 88%)을 얻었다.
다음으로, 화합물 E 10g(20mmol)와 2-브로모-9-페닐-9H-카바졸 6.5g(20mmol)을 자일렌 200mL에 희석하여 교반하면서, t-부톡시나트륨 4g(40mmol)을 투입하였다. 혼합액을 가온하여 환류시키면서 비스(트리(터셔리-부틸포스핀))팔라듐 100mg(0.2mmol)을 투입하여 6시간 동안 교반하여 반응이 완결되면 실온으로 냉각하여 생성된 고체를 여과하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹인 후 물로 2회 세척하여 유기층을 분리 후 무수황산마그네슘으로 수분을 제거하여 다시 여과하였다. 에틸아세테이트를 첨가하면서 환류 하에 클로로포름을 제거하는 방법으로 재결정하여 백색의 화합물 2 12g(수율: 81%)을 얻었다. 도 6은 화합물 2에 대한 합성확인자료이다. MS:[M+H] = 740
< 제조예 3>
< 제조예 3-1>
Figure 112017014790733-pat00033
[화합물 F] [화합물 G]
질소 치환한 플라스크에 에탄올 150.mL을 투입하고, 나트륨 1.73g(75mmol)을 0.2g씩 소분하여 10분 간격으로 적가 하였다. 적가 종료 후 1시간을 추가로 교반하여 벤즈아미딘 하이드로클로라이드 7.82g(50mmol)과 (E)-2-사이아노-3-페닐프로펜오에이트 10.06g(50mmol)을 투입하여 4시간을 교반하였다. 반응이 종결되면 생성된 염화나트륨을 제거하기 위해 혼합물을 여과하고, 여과액을 감압하에 증류 제거한 뒤, 아세톤으로 슬러리 정제하여 화합물 F 7.1g(26mmol)을 제조하였다.
이어서, 화합물 F 7.1g(26mmol)에, 1,4-다이옥산 50mL, POCl3 50mL을 가한 후 환류 조건에서 12시간 교반하였다. 1,4-다이옥산과 POCl3를 증류하여 제거한 후, 상온으로 냉각하고 메틸렌클로라이드 100mL와 증류수 100mL을 투입하였다. 메틸렌클로라이드 100mL로 2회 추출하고, 얻어진 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조하였다. 이를 여과하고 용매를 감압 증류하여 제거한 후, 실리카겔 컬럼을 통해 화합물 G 5.5g(수율: 72%)을 얻었다.
< 제조예 3-2>
Figure 112017014790733-pat00034
[화합물 H] [화합물 I]
Figure 112017014790733-pat00035
[화합물 3]
화합물 (9-페닐-9H-카바졸-3-일)보론산 10g(35mmol)과 2,8-다이브로모디벤조[b,d]퓨란 11.3g(35mmol)을 혼합하여 테트라하이드로퓨란 90mL에 녹이고, 포타슘카보네이트 14.5g(105mmol)을 물 30mL에 녹인 용액을 투입하여 가온한다. 환류상태의 혼합물에 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐 400mg(0.35mmol)을 투입하여 12시간 환류 교반시켰다. 반응이 종결되면 용매를 제거하고 실온으로 냉각하면서, 에틸아세테이트를 첨가하여 슬러리 시킨다. 이를 여과하여 물과 에탄올로 순차적으로 세척하여 백색의 화합물 H 12.4g(수율: 73%)을 얻었다.
다음으로, 화합물 H 9.8g(20mmol)을 1,4-다이옥산 80mL에 녹인 후 비스(피나콜라토)다이보론 6.9g(0.24mmol)을 투입하였다. 혼합물을 교반 하면서 포타슘아세테이트 4g(40mol)를 첨가하고 가온 하여 환류시켰다. 환류 교반 상태에서 디벤질리덴아세톤팔라듐 0.35 g(0.6mmol)과 트리시클로헥실포스핀 0.35g(0.6mmol)을 첨가하고 12시간 환류 교반시켰다. 반응 종결 후 반응물을 실온으로 냉각하여 물로 세척 후 클로로포름으로 2회 추출하였다. 모아진 유기층을 다시 한번 물로 세척 후 무수황산마그네슘으로 수분을 제거하고 여과하여 농축하였다. 농축한 물질을 소량의 에틸아세테이트와 과량의 에탄올 혼합용액으로 슬러리하고 여과하여 화합물 I 8.2g(수율: 77%)을 얻었다.
다음으로, 화합물 I 15g(28mmol)와 화합물 G 8.2g(28mmol)을 1,4-다이옥산 100mL에 투입하고, 포타슘카보네이트 11.6g(84mmol)을 물 30mL에 녹인 용액을 투입하여 가온한다. 환류상태의 혼합물에 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐 320mg(0.28mmol)을 투입하여 12시간 환류 교반시켰다. 반응이 종결되면 혼합물을 실온으로 냉각하고, 석출된 고체를 여과하여 물과 에탄올로 순차적으로 세척한다. 여과된 고체를 자일렌 500mL에 투입하여 가온하여 녹인 후 용매를 300mL 제거하고 실온으로 식혀서 고체를 석출시키는 방법으로 정제하여 백색의 화합물 3 12.7g(수율: 68%)을 얻었다. MS: [M+H] = 665
< 실험예 1>
ITO(indium tin oxide)가 1,300 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기와 같은 HI-1 화합물을 50Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다.
상기 정공 주입층 위에 HT-1 화합물을 250Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하고, HT-1 증착막 위에 HT-2 화합물을 50Å 두께로 진공 증착하여 전자 저지층을 형성하였다.
이어서, 상기 HT-2 증착막 위에 화합물 1과 인광 도펀트 YGD-1을 10~15%의 중량비로 공증착하여 400Å 두께의 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 아래와 같은 전자 수송 물질 ET-1을 300Å의 두께로 진공 증착하여 전자 주입 및 수송층을 형성하였다.
상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께로 리튬 플루라이드(LiF)와 2,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 × 10-7 ~ 5 × 10-8 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure 112017014790733-pat00036
< 실험예 2>
상기 실험예 1에서 화합물 1 대신 화합물 2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 실험예 3>
상기 실험예 1에서 화합물 1 대신 화합물 3을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
< 비교예 1>
상기 실험예 1에서 화합물 1 대신 하기의 H1을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure 112017014790733-pat00037
< 비교예 2>
상기 실험예 1에서 화합물 1 대신 하기의 H2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure 112017014790733-pat00038
전술한 방법으로 제조한 유기 발광 소자를 10 mA/cm2의 전류밀도에서 구동전압과 발광 효율을 측정하였고, 10000nit에서 측정한 초기 휘도 대비 95%가 되는 시간(LT95%)을 측정하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
No. Host Doping 구동 전압 (V) 발광 효율
(Cd/A)		 수명(h)
LT95%
% @10mA/cm2 @10mA/cm2 @10000nit
비교예 1 H1 10 3.9 51 18
비교예 2 H2 12 4.5 36 12
실험예 1 화합물 1 12 3.7 48 38
실험예 2 화합물 2 15 3.6 50 48
실험예 3 화합물 3 12 3.8 51 40
상기 표 1의 결과로부터, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 발광층에 사용될 수 있음을 확인할 수 있다.
또한, 상기 실험예와 비교예를 통하여, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층에 포함하는 유기 발광 소자의 수명특성이 긴 것을 확인할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층의 호스트로 작용하여 전자 및 정공에 대한 안정성을 향상시키고, 낮은 구동 전압을 가지고 발광 효율이 우수한 특성을 나타낼 수 있다.
1: 기판
2: 양극
3: 정공주입층
4: 정공수송층
5: 발광층
6: 전자수송층
7: 음극

Claims (6)

  1. 하기 화학식 2 또는 3으로 표시되는 화합물:
    [화학식 2]
    Figure 112018044378368-pat00056

    [화학식 3]
    Figure 112018044378368-pat00057

    상기 화학식 2 및 3에 있어서,
    X1 내지 X3 중 적어도 하나는 CR1이고, 나머지는 N이며, R1이 2개 이상 존재하는 경우 R1들은 서로 같거나 상이하고, X1 내지 X3 이 모두 CR1은 아니며,
    R1 중 적어도 하나는 CN이고, 나머지는 수소 또는 중수소이며,
    Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 아릴기이며,
    L은 단결합 또는 아릴렌기이고,
    a는 0 내지 2의 정수이고,
    a가 2인 경우 L은 서로 같거나 상이하고,
    R3, R4 및 R6 내지 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소; 아릴기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
    R5는 수소, 중수소; 아릴기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 결합하여 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
    b 및 c는 1 내지 4의 정수이며,
    d는 1 내지 5의 정수이며,
    e는 1 내지 4의 정수이고,
    f는 1 내지 3의 정수이다.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2 또는 3으로 표시되는 화합물은 하기 구조식들 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:
    Figure 112018044378368-pat00058

    Figure 112018044378368-pat00059

    Figure 112018044378368-pat00060

    Figure 112018044378368-pat00061

    Figure 112018044378368-pat00062

    Figure 112018044378368-pat00063

    Figure 112018044378368-pat00064
  5. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 발광층을 포함한 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 청구항 1 및 4 중 어느 하나의 항에 따른 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  6. 청구항 5 에 있어서, 상기 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층인 것인 유기 발광 소자.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102034199B1 (ko) * 2017-02-21 2019-10-18 주식회사 엘지화학 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
CN109912565A (zh) * 2017-12-13 2019-06-21 江苏三月光电科技有限公司 一种以氰基氮杂苯为核心的化合物及其在有机电致发光器件中的应用
CN109912564B (zh) * 2017-12-13 2022-08-16 江苏三月科技股份有限公司 一种以氰基氮杂苯为核心的化合物及其在oled器件上的应用
CN109575002A (zh) * 2017-12-14 2019-04-05 广州华睿光电材料有限公司 有机化合物及其应用
CN111183139B (zh) * 2018-03-28 2023-05-19 株式会社Lg化学 化合物及包含其的有机发光装置
WO2019190230A1 (ko) * 2018-03-28 2019-10-03 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
US11440901B2 (en) 2018-09-12 2022-09-13 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11362282B2 (en) * 2018-09-28 2022-06-14 Lt Materials Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light emitting element comprising same
EP3770157B1 (en) 2018-10-22 2022-05-04 Lg Chem, Ltd. Novel heterocyclic compound and organic light emitting device comprising the same
CN113365993B (zh) * 2019-01-21 2024-04-05 株式会社Lg化学 化合物和包含其的有机发光元件
KR102353153B1 (ko) * 2019-02-01 2022-01-19 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN113195478A (zh) * 2019-02-01 2021-07-30 株式会社Lg化学 化合物及包含其的有机发光二极管
WO2020159337A1 (ko) * 2019-02-01 2020-08-06 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN113195479A (zh) * 2019-02-01 2021-07-30 株式会社Lg化学 化合物及包含其的有机发光器件
WO2020159334A1 (ko) * 2019-02-01 2020-08-06 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN113166133A (zh) * 2019-02-01 2021-07-23 株式会社Lg化学 化合物及包含其的有机发光器件
CN113195477A (zh) * 2019-02-01 2021-07-30 株式会社Lg化学 化合物及包含其的有机发光器件
KR102388877B1 (ko) * 2019-05-21 2022-04-21 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102503436B1 (ko) * 2019-10-16 2023-02-24 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
WO2023125498A1 (zh) * 2021-12-27 2023-07-06 浙江光昊光电科技有限公司 一种有机化合物，包含其混合物，组合物，有机电子器件及其应用

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101453768B1 (ko) * 2010-08-18 2014-10-21 제일모직주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
KR101537499B1 (ko) * 2014-04-04 2015-07-16 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR101560102B1 (ko) * 2014-11-20 2015-10-13 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자

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