JP6732873B2 - 表示装置 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 129
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 37
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 13
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000009940 knitting Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
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- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
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Description
に関するものである。
て使用者の命令を入力することができるようにした入力装置である。すなわち、タッチス
クリーンは、人の手又は物体が直接接触した接触位置を電気的信号に変換し、接触位置で
選択された指示内容が入力信号として入力される。このようなタッチスクリーンは、キー
ボード及びマウスのように表示装置に連結されて動作する別途の入力装置を取り替えるこ
とができるので、その利用範囲が徐々に拡張している趨勢である。
のような表示パネルの前面に接着剤を介して付着される場合が多い。この場合、タッチス
クリーンが別に製作されて表示パネルの前面に付着されるので、付着工程の追加によって
工程が複雑になって費用が上昇する問題点がある。
及び費用節減が可能な表示装置を提供することである。
ッチ電極と電気的に接続されるブラックブリッジを含み、ブラックブリッジは、ブラック
マトリックスの役目を兼ねるようにカラーフィルター間の封止部上に配置されるので、ブ
ラックブリッジとアノード電極間のセルギャップを比較例に比べて減少させることができ
、広視野角を確保することができ、封止部上にタッチ電極が配置されることによって別途
の接着工程が不要になって工程が簡素化し、費用を低減することができる。
ラーフィルター間の封止部上に配置されるので、ブラックブリッジとアノード電極の間の
セルギャップを比較例に比べて減少させて広視野角を確保することができる。また、本発
明では、ブラックブリッジが酸化薄膜層及びブラック導電層からなって低反射を具現する
ことができ、偏光フィルムなしにもブラックブリッジによる外部光反射を低減させること
ができる。また、本発明では、ブラックブリッジがブラックマトリックスの役目を兼ねる
ので、ブラックマトリックス形成工程を省略することができ、材料及び工程コストを最小
化することができる。それだけでなく、本発明では、封止部上にタッチ電極が配置される
ので、別途の接着工程が不要になって工程が簡素化し、費用を低減することができる。
たタッチ電極152e、154eを介して使用者のタッチによる相互静電容量(mutu
al capacitance:タッチセンサー)Cmの変化量を感知してタッチ有無及
びタッチ位置をセンシングする。そして、図1に示したタッチセンサーを有する有機発光
表示装置は、発光素子120を含む単位画素を介して映像を表示する。単位画素は、赤色
(R)、緑色(G)及び青色(B)のサブ画素PXLから構成されるとか、赤色(R)、
緑色(G)、青色(B)及び白色(W)のサブ画素PXLから構成される。
された多数のサブ画素PXLと、多数のサブ画素PXL上に配置された封止部140と、
封止部140上に配置された相互静電容量Cmと、相互静電容量Cm上に配置されるカラ
ーフィルター192とを備える。
素子120とを備える。
ジキャパシタCstを備える。
ときにターンオンドされ、データラインDLに供給されたデータ信号をストレージキャパ
シタCst及び駆動トランジスタT2のゲート電極に供給する。
信号に応じて高電圧VDD供給ラインから発光素子120に供給される電流(I)を制御
することによって発光素子120の発光量を調節することになる。そして、スイッチング
トランジスタT1がターンオフされても、ストレージキャパシタCstに充電された電圧
によって、駆動トランジスタT2は、次のフレームのデータ信号が供給されるまで一定の
電流(I)を供給して発光素子120が発光を維持するようにする。
32と、第1絶縁膜であるゲート絶縁膜112を挟んでゲート電極132と重畳する半導
体層134と、第2絶縁膜である層間絶縁膜114上に形成され、半導体層134と接触
するソース及びドレイン電極136、138とを備える。ここで、半導体層134は、非
晶質半導体物質、多結晶半導体物質及び酸化物半導体物質の少なくとも一つから形成され
る。
とも一つの発光スタック124と、発光スタック124上に形成されるカソード電極12
6とを備える。
ルを通じて露出した駆動薄膜トランジスタ130のドレイン電極138と電気的に接続さ
れる。
アノード電極122上に形成される。少なくとも一つの発光スタック124は、アノード
電極122上に正孔関連層、有機発光層、電子関連層の順に又はその逆順に積層されて形
成される。その外にも、発光スタック124は、電荷生成層(Charge Gener
ation Layer:CGL)を挟んで対向する第1及び第2発光スタックを備える
こともできる。この場合、第1及び第2発光スタックのいずれか一つの有機発光層は、青
色光を生成し、第1及び第2発光スタックの残りの一つの有機発光層は、黄色−緑色光を
生成することによって、第1及び第2発光スタックを介して白色光が生成される。この発
光スタック124で生成された白色光は、発光スタック124の上部又は下部に位置する
カラーフィルター(図示せず)に入射するので、カラー映像を具現することができる。そ
の外にも、別途のカラーフィルターなしに各発光スタック124で各サブ画素に対応する
カラー光を生成してカラー映像を具現することもできる。すなわち、赤色(R)サブ画素
の発光スタック124は、赤色光を、緑色(G)サブ画素の発光スタック124は、緑色
光を、青色(B)のサブ画素の発光スタック124は、青色光を生成することもできる。
うに形成され、低電圧VSS供給ラインと接続される。
透することを遮断する。このために、封止部140は、多数の無機封止層142、146
と、多数の無機封止層142、146の間に配置される有機封止層144とを備え、無機
封止層146が最上層に配置されるようにする。ここで、封止部140は、少なくとも2
層の無機封止層142、146と、少なくとも1層の有機封止層144とを備える。本発
明では、第1及び第2無機封止層142、146の間に有機封止層144が配置される封
止部140の構造を例として説明する。
が形成された基板111上に形成される。このような第1無機封止層142は、窒化シリ
コン(SiNx)、酸化シリコン(SiOx)、酸化窒化シリコン(SiON)又は酸化
アルミニウム(Al2O3)のような低温蒸着が可能な無機絶縁素材から形成される。こ
れにより、第1無機封止層142が低温雰囲気で蒸着されるので、第1無機封止層142
の蒸着工程時、高温雰囲気に弱い発光スタック124が損傷されることを防止することが
できる。
目をし、平坦化性能を強化する。この有機封止層144は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂
、ポリイミド、ポリエチレン又はシリコンオキシカーボン(SiOC)のような有機絶縁
素材から形成される。
機封止層144及び第1無機封止層142の上面及び側面を覆うように形成される。これ
により、第2無機封止層146は、外部の水分又は酸素が第1無機封止層142及び有機
封止層144に浸透することを最小化するとか遮断する。このような第2無機封止層14
6は、窒化シリコン(SiNx)、酸化シリコン(SiOx)、酸化窒化シリコン(Si
ON)又は酸化アルミニウム(Al2O3)のような無機絶縁素材から形成される。
2のそれぞれと発光素子120の間に配置されるので、タッチセンシングライン154及
びタッチ駆動ライン152のそれぞれと発光素子120間の離隔距離が大きくなる。これ
により、タッチセンシングライン154及びタッチ駆動ライン152のそれぞれと発光素
子120の間に形成される寄生キャパシタの容量値を最小化することができるので、タッ
チセンシングライン154及びタッチ駆動ライン152のそれぞれと発光素子120間の
カップリング(coupling)による相互影響を防止することができる。また、封止
140は、タッチセンシングライン154及びタッチ駆動ライン152の製造工程時に用
いられる薬液(現像液又はエッチング液など)又は外部の水分などが有機発光スタック1
24に浸透することを遮断することができる。これにより、封止部140は、薬液又は水
分に弱い発光スタック124の損傷を防止することができる。
タッチ駆動ライン152が交差するように配置される。このようなタッチセンシングライ
ン154とタッチ駆動ライン152の交差部には、相互静電容量(mutual cap
acitance)Cmが形成される。これにより、相互静電容量Cmは、タッチ駆動ラ
イン152に供給されるタッチ駆動パルスによって電荷を充電し、充電された電荷をタッ
チセンシングライン154へ放電することによってタッチセンサーの役目をすることにな
る。
180を介してタッチ駆動部(図示せず)と連結される。そして、タッチセンシングライ
ン154は、ルーティングライン156及びタッチセンシングパッド170を介してタッ
チ駆動部と連結される。
電気的に連結するので、タッチ駆動パッド180からのタッチ駆動パルスをタッチ駆動ラ
イン152に伝送する。また、ルーティングライン156は、タッチセンシングパッド1
70及び第2タッチ電極154eを電気的に連結するので。タッチセンシングライン15
4からのタッチ信号をタッチセンシングパッド170に伝送する。
に配置される第2無機封止部146の側面と接触する。
と封止部140の間に配置される下部絶縁膜112、114、116と接触するように、
その下部絶縁膜(例えば、層間絶縁膜114)上に配置される。このようなタッチ駆動パ
ッド180及びタッチセンシングパッド170のそれぞれは、ルーティングライン156
から伸長するパッド電極172と、パッド電極172を覆うように透明導電膜に形成され
るパッドカバー電極174とを備える。このタッチ駆動パッド180及びタッチセンシン
グパッド170のそれぞれは、カバーフィルム100によって露出するように形成される
ことにより、タッチ駆動部が実装された信号伝送フィルムと接続される。ここで、カバー
フィルム100は、タッチセンシングライン154及びタッチ駆動ライン152を覆うよ
うに形成されることで、タッチセンシングライン154及びタッチ駆動ライン152が外
部の水分などによって腐食することを防止する。このようなカバーフィルム100は、円
編光板又はエポキシ又はアクリル素材のフィルム形態に形成される。
チ電極152e間を電気的に連結する透明ブリッジ152bとを備える。
定の間隔で離隔する。このような多数の第1タッチ電極152eのそれぞれは、透明ブリ
ッジ152bを介して隣接した第1タッチ電極152eと電気的に連結される。
に配置され、別途のコンタクトホールなしに第1タッチ電極152eと電気的に接続され
る。
チ電極154eを互いに電気的に連結するブラックブリッジ154bとを備える。
定の間隔で離隔する。このような多数の第2タッチ電極154eのそれぞれは、ブラック
ブリッジ154bを介して隣接した第2タッチ電極154eと電気的に連結される。
0の間で封止部140と接触するように形成される。このブラックブリッジ154bは、
タッチ絶縁膜168を貫通するタッチコンタクトホール150を通じて露出して第2タッ
チ電極154eと電気的に接続される。このブラックブリッジ154bは、透明ブリッジ
152bと同様にバンク128以下の幅を有するように形成されてバンク128と重畳す
るように配置される。これにより、本発明は、透明及びブラックブリッジ152b、15
4bによって開口率が損傷されることを防止することができる。
封止部140上に配置される。このブラックブリッジ154bは、各サブ画素領域を区分
するとともに隣接したサブ画素間の光干渉と光漏れを防止するブラックマトリックスの役
目を兼ねる。このブラックマトリックスの役目を兼ねるブラックブリッジ154bとアノ
ード電極122の間のセルギャップは、タッチ電極上にブラックマトリックスが配置され
る比較例のブラックマトリックスとアノード電極間のセルギャップに比べて低減する。こ
の場合、セルギャップが小さいほど視野角が広くなるので、本発明は、広視野角の確保が
有利になって高解像度の具現が可能となる。
電層151a、151bを少なくとも1回交互に積層することによって形成される。例え
ば、ブラックブリッジ154bは、図4に示したように、封止部140上に順次積層され
る第1ブラック導電層151a、第1酸化薄膜層153a、第2ブラック導電層151b
及び第2酸化薄膜層153bからなる。
46上に高反射率の金属から形成される。例えば、第1ブラック導電層151aは、Cr
、Mo、Al、Ag、Au及びCoの少なくとも1種から単層又は複層構造に形成される
。この第1ブラック導電層151aは、第2ブラック導電層151bより厚い第1厚さ(
d1)に形成されるので、外部光は、発光素子120側に透過せずに第2酸化薄膜層15
3b側に反射される。このような第1ブラック導電層151aは、90〜110nmの厚
さで形成される。
が高く、第1及び第2酸化薄膜層153a、153bに比べて屈折率が高い不透明金属か
ら第1酸化薄膜層153a上に形成される。例えば、第2ブラック導電層151bは、C
r、Mo、Al、Ag、Au及びCoの少なくとも1種から単層又は複層構造に形成され
る。この第2ブラック導電層151bは、第1及び第2酸化薄膜層153a、153b、
第1ブラック導電層151aより薄い第1厚さで形成されるので、外部光を透過及び反射
させる。このような第2ブラック導電層151bは、5〜15nmの厚さで形成される。
Ox又はSiOxのような透明酸化物から約60〜100nm厚さで形成されて、外部光
の反射率を最小化する。
る。
O2から形成される80nm厚さの第1酸化薄膜層153a、Crから形成される8〜1
0nmの厚さの第2ブラック導電層151b/SiO2から形成される80nm厚さの第
2酸化薄膜層153b。
O2から形成される80nm厚さの第1酸化薄膜層153a、Moから形成される5〜6
nmの厚さの第2ブラック導電層151b/SiO2から形成される80nm厚さの第2
酸化薄膜層153b。
と第1ブラック導電層151a間の下部界面と、第1酸化薄膜層153aと第2ブラック
導電層151b間の上部界面との間で反射される外部光が180度の位相差を有するので
、互いに干渉して消滅される。そして、第2酸化薄膜層153bと第2ブラック導電層1
51b間の下部界面と、第2酸化薄膜層153bとタッチ絶縁膜168間の上部界面との
間で反射される外部光が180度の位相差を有するので、互いに干渉して消滅される。こ
れにより、タッチセンサーを有する有機発光表示装置に入射する外部光がブラックブリッ
ジ154bによって反射されることを防止することができ、視認性が低下することを防止
することができる。
基板111上に配置される。このカラーフィルター192は、各サブ画素領域に対応する
色を具現する。このために、赤色(R)カラーフィルター192は、赤色サブ画素領域の
第1及び第2タッチ電極152e、154e上に形成され、緑色(G)カラーフィルター
192は、緑色サブ画素領域の第1及び第2タッチ電極152e、154e上に形成され
、青色(B)カラーフィルター192は、青色サブ画素領域の第1及び第2タッチ電極1
52e、154e上に形成される。一方、カラーフィルター192が形成された基板11
1上にタッチ平坦化膜190が形成される。このタッチ平坦化膜190によってカラーフ
ィルター192及びブラックブリッジ154bが形成された基板111が平坦化する。
方法を説明するための平面図及び断面図である。
素子120及び封止部140が形成された基板111上にブラックブリッジ154b、ル
ーティングライン156及びパッド電極172が形成される。
及び封止部140が形成された基板111上に第1ブラック導電層151a、第1酸化薄
膜層153a、第2ブラック導電層151b及び第2酸化薄膜層153bが順次積層され
る。その後、第1ブラック導電層151a、第1酸化薄膜層153a、第2ブラック導電
層151b及び第2酸化薄膜層153bが、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程
によってパターニングされることによって、ブラックブリッジ154b、ルーティングラ
イン156及びパッド電極172が形成される。
ド電極172が形成された基板111上にタッチコンタクトホール150を有するタッチ
絶縁膜168が形成される。
機絶縁物質が積層されることによって、タッチ絶縁膜168が形成される。このタッチ絶
縁膜168がフォトリソグラフィー工程及びエッチング工程によりパターニングされるこ
とによって、タッチコンタクトホール150が形成される。
パッドカバー電極174、第1及び第2タッチ電極152e、154e及び透明ブリッジ
152bが形成される。
がスパッタリングによる蒸着工程によって常温で全面に蒸着される。その後、フォトリソ
グラフィー工程とエッチング工程によって透明導電層がパターニングされることによって
、パッドカバー電極174、第1及び第2タッチ電極152e、154e及び透明ブリッ
ジ152bが形成される。
52bが形成された基板111上にカラーフィルター192、タッチ平坦化膜190及び
カバーフィルム100が順次形成される。
成された基板111上に赤色カラー樹脂を塗布した後、その赤色カラー樹脂をフォトリソ
グラフィー工程でパターニングすることによって赤色(R)カラーフィルター192が形
成される。その後、赤色(R)カラーフィルター192が形成された基板111上に緑色
カラー樹脂を塗布した後、その緑色カラー樹脂をフォトリソグラフィー工程でパターニン
グすることによって緑色(G)カラーフィルター192が形成される。その後、緑色カラ
ーフィルター192が形成された基板111上に青色カラー樹脂を塗布した後、その青色
カラー樹脂をフォトリソグラフィー工程でパターニングすることによって青色(B)カラ
ーフィルター192が形成される。その後、カラーフィルター192が形成された基板1
11上にフォトアクリル樹脂のような有機膜を全面に塗布した後、フォトリソグラフィー
工程でパターニングすることによってタッチ平坦化膜190が形成される。タッチ平坦化
膜190が形成された基板111上にエポキシ又はアクリル素材のフィルム状のカバーフ
ィルム100が付着される。
リックスの役目を兼ねるブラックブリッジが封止部上に配置されるので、ブラックブリッ
ジとアノード電極間のセルギャップを比較例に比べて減少させることができ、広視野角を
確保することができる。また、本発明によるタッチセンサーを有する有機発光表示装置は
、ブラックブリッジが酸化薄膜層及びブラック導電層からなって低反射を具現することが
でき、偏光フィルムなしにもブラックブリッジによる外部光反射を低減させることができ
る。また、本発明によるタッチセンサーを有する有機発光表示装置は、ブラックブリッジ
がブラックマトリックスの役目を兼ねるので、ブラックマトリックス形成工程を省略する
ことができ、材料及び工程コストを最小化することができる。それだけでなく、従来の有
機発光表示装置は、接着剤を介してタッチスクリーンが有機発光表示装置に付着される反
面、本発明による有機発光表示装置は、封止部140上にタッチ電極152e、154e
が配置されることにより、別途の接着工程が不要になって工程が簡素化し、費用を低減す
ることができる。
に、プレート状に形成されるものを例として説明したが、その外にも、図6に示したよう
に、メッシュ状に形成されることもできる。すなわち、第1及び第2タッチ電極152e
、154eと、第1タッチ電極152eと接続された第1ブリッジ152bは、ブラック
ブリッジ154bに含まれたブラック導電層151a、151bを含めてメッシュ状に形
成される。例えば、第1及び第2タッチ電極152e、154eと第1ブリッジ152b
は、図4に示したブラックブリッジ154bと同様に、第1ブラック導電層151a、第
1酸化薄膜層153a、第2ブラック導電層151b及び第2酸化薄膜層153bからな
る。これにより、タッチセンサーを有する有機発光表示装置に入射する外部光が第1及び
第2タッチ電極152e、154eと第1ブリッジ152bによって反射されることを防
止することができ、視認性が低下することを防止することができる。また、メッシュ状の
第1及び第2タッチ電極152e、154eと第1ブリッジ152bの線幅が非常に小さ
く、第1及び第2タッチ電極152e、154eと第1ブリッジ152bによって開口率
及び透過率が低下することを防止することができる。
ッチ電極154eのそれぞれとの接点が1個であるものを例として説明したが、その外に
も、図6に示したように、ブラックブリッジ154bと第2タッチ電極154e間の接続
安全性を考慮して、第2タッチ電極154eのそれぞれとブラックブリッジ154bのそ
れぞれの接点は、2個以上である。これにより、ブラックブリッジ154bは、第2タッ
チ電極154eの一側と接続され、第1ブリッジ152bの一側を取り囲む第1ブラック
ブリッジ154b1と、第2タッチ電極154eの他側と接続され、第1ブリッジ152
bの他側を取り囲む第2ブラックブリッジ154b2とを備える。第1及び第2ブラック
ブリッジ154b1、154b2は、折り畳み形態(folding shape)に形
成される。例えば、第1ブラックブリッジ154b1は、“<”、“<<”形態などに形
成され、第2ブラックブリッジ154b2は“>”、“>>”形態などに形成されること
により、ブラックブリッジ154bは、メッシュ状の第1ブリッジ152bと重畳しない
。
通常の知識を有する者によって、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、多様な変
形が可能であろう。したがって、本発明の明細書に開示された実施例は、本発明を限定す
るものではない。本発明の範囲は、下記の特許請求範囲によって解釈されなければならな
く、それと均等な範囲内にあるいずれの技術も本発明の範囲に含まれるものと解釈されな
ければならないであろう。
4 タッチセンシングライン、152b 透明ブリッジ、154b ブラックブリッジ、
156 ルーティングライン、168 タッチ絶縁膜。
Claims (22)
- 基板上に配置される発光素子と、
前記発光素子上に配置される封止部と、
前記封止部上に配置される第1及び第2タッチ電極を有するタッチセンサーと、
前記第1及び第2タッチ電極と電気的に連結され、前記封止部の側面を覆うように配置されるルーティングラインと、
前記第1及び第2タッチ電極と封止部の間に配置され、前記第1及び第2タッチ電極の少なくとも一つと電気的に接続されるブラックブリッジと、
を含み、
前記ブラックブリッジは、ブラックマトリックスの役目をする、表示装置。 - 前記ブラックブリッジは、前記封止部上に酸化薄膜層と導電層が少なくとも1回交互に積層されることによって形成される、請求項1に記載の表示装置。
- 前記ブラックブリッジは、前記封止部上に順次積層される第1導電層、酸化薄膜層及び第2導電層を含む、請求項1に記載の表示装置。
- 前記酸化薄膜層は、ITO、TiOx、Al2O3、ZnOx及びSiOxの少なくとも一つの透明酸化物からなる、請求項3に記載の表示装置。
- 前記第1及び第2導電層の少なくとも一つは、Cr、Mo、Al、Ag、Au及びCoの少なくとも一つから、単層又は複層構造に形成される、請求項3に記載の表示装置。
- 前記第1導電層は、前記第2導電層より厚い、請求項3に記載の表示装置。
- 前記第2導電層は、前記第1導電層及び酸化薄膜層の少なくとも一つより薄い、請求項3に記載の表示装置。
- 前記第2導電層は、前記第1導電層より高い屈折率を有する、請求項3に記載の表示装置。
- 前記酸化薄膜層は、前記第1及び第2導電層の少なくとも一つより低い屈折率を有する、請求項3に記載の表示装置。
- 前記発光素子は、
前記基板上に配置されるアノード電極と、
前記アノード電極と対向するカソード電極と、
前記アノード電極及びカソード電極の間に配置される少なくとも一つの発光スタックと、
を含み、
前記ブラックブリッジは、前記アノード電極を露出させるバンクと重畳する、
請求項1から9のいずれか一項に記載の表示装置。 - 前記ブラックブリッジの幅は、前記バンクの幅以下である、請求項10に記載の表示装置。
- 前記基板と封止部の間に配置される少なくとも一層の下部絶縁膜と、
前記ルーティングラインを介して前記第1及び第2タッチ電極と電気的に接続され、前記下部絶縁膜と接触するタッチパッドと、をさらに含む、請求項10に記載の表示装置。 - 前記ルーティングラインは、酸化薄膜層と第1及び第2導電層を含む、請求項12に記載の表示装置。
- 前記タッチパッドは、
前記ルーティングラインから伸長するパッド電極と、
前記パッド電極上に配置されるパッドカバー電極と、
を含む、請求項12に記載の表示装置。 - 前記タッチパッドは、酸化薄膜層と第1及び第2導電層を含む、請求項12に記載の表示装置。
- 前記発光素子と接続される駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート電極とアクティブ層の間に配置される第1絶縁膜と、
前記アクティブ層とソース及びドレイン電極の間に配置される第2絶縁膜と、
前記ソース及びドレイン電極と前記発光素子の間に配置される第3絶縁膜と、
をさらに含み、
前記少なくとも一層の下部絶縁膜は、第1〜第3絶縁膜の少なくとも一つである、請求項12に記載の表示装置。 - 前記ブラックブリッジは、
前記第1及び第2タッチ電極のそれぞれの一側と接触する第1ブラックブリッジと、
前記第1及び第2タッチ電極のそれぞれの他側と接触する第2ブラックブリッジと、
を含み、
前記第1及び第2ブラックブリッジの少なくとも一つは、折り畳み形態に形成される、請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1及び第2タッチ電極は、メッシュ状に形成される、請求項17に記載の表示装置。
- 前記第1及び第2タッチ電極のいずれか一つのタッチ電極を互いに連結するメッシュ状のブリッジをさらに含む、請求項18に記載の表示装置。
- 前記第1ブラックブリッジは、前記メッシュ状のブリッジの一側を取り囲むように配置され、前記第2ブラックブリッジは、前記メッシュ状のブリッジの他側を取り囲むように配置される、請求項19に記載の表示装置。
- 前記第1及び第2ブラックブリッジのいずれか一つは、“<”字形に形成され、前記第1及び第2ブラックブリッジの残りの一つは、“>”字形に形成される、請求項17に記載の表示装置。
- メッシュ状の前記第1及び第2タッチ電極と前記メッシュ状のブリッジは、第1導電層、酸化薄膜層及び第2導電層を含む、請求項19に記載の表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160181124A KR20180076688A (ko) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | 표시 장치 |
KR10-2016-0181124 | 2016-12-28 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017237757A Division JP6462839B2 (ja) | 2016-12-28 | 2017-12-12 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019087267A JP2019087267A (ja) | 2019-06-06 |
JP6732873B2 true JP6732873B2 (ja) | 2020-07-29 |
Family
ID=62630129
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017237757A Active JP6462839B2 (ja) | 2016-12-28 | 2017-12-12 | 表示装置 |
JP2018244903A Active JP6732873B2 (ja) | 2016-12-28 | 2018-12-27 | 表示装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017237757A Active JP6462839B2 (ja) | 2016-12-28 | 2017-12-12 | 表示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10319792B2 (ja) |
JP (2) | JP6462839B2 (ja) |
KR (1) | KR20180076688A (ja) |
CN (1) | CN108258009B (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101998831B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2019-07-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20180076688A (ko) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102324218B1 (ko) * | 2017-04-14 | 2021-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센서 및 이를 구비하는 표시 장치 |
KR102330862B1 (ko) * | 2017-04-27 | 2021-11-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN108766980B (zh) * | 2018-05-28 | 2021-02-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
KR102553530B1 (ko) * | 2018-07-20 | 2023-07-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 디스플레이 패널, 터치 디스플레이 장치 및 그 구동 방법 |
KR102658174B1 (ko) | 2018-10-18 | 2024-04-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN109614005A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-04-12 | 武汉华星光电技术有限公司 | 触控显示面板及触控显示装置 |
KR102582392B1 (ko) | 2018-12-10 | 2023-09-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 |
KR20210012216A (ko) | 2019-07-24 | 2021-02-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 전극들을 포함하는 디스플레이 장치 |
CN110518150B (zh) * | 2019-09-06 | 2022-04-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
KR20210069289A (ko) * | 2019-12-03 | 2021-06-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN111063826B (zh) * | 2019-12-16 | 2021-07-27 | 苏州华星光电技术有限公司 | 一种显示面板 |
US11121342B2 (en) | 2019-12-16 | 2021-09-14 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel having a nano-stack layer |
CN111029388A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-04-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
KR20210083816A (ko) * | 2019-12-27 | 2021-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 터치 구조물을 포함하는 터치 디스플레이 장치 |
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CN113454787A (zh) | 2020-01-20 | 2021-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和显示装置 |
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KR20180076688A (ko) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2016
- 2016-12-28 KR KR1020160181124A patent/KR20180076688A/ko not_active Application Discontinuation
-
2017
- 2017-07-03 CN CN201710532429.9A patent/CN108258009B/zh active Active
- 2017-07-21 US US15/657,021 patent/US10319792B2/en active Active
- 2017-12-12 JP JP2017237757A patent/JP6462839B2/ja active Active
-
2018
- 2018-12-27 JP JP2018244903A patent/JP6732873B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108258009A (zh) | 2018-07-06 |
JP2019087267A (ja) | 2019-06-06 |
JP6462839B2 (ja) | 2019-01-30 |
KR20180076688A (ko) | 2018-07-06 |
JP2018109963A (ja) | 2018-07-12 |
US10319792B2 (en) | 2019-06-11 |
US20180182817A1 (en) | 2018-06-28 |
CN108258009B (zh) | 2021-12-03 |
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Legal Events
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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