JP6462839B2 - 表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、表示装置に関するもので、特に、工程簡素化及び費用節減が可能な表示装置に関するものである。
タッチスクリーンは、表示装置などの画面に現れた指示内容を人の手又は物体で選択して使用者の命令を入力することができるようにした入力装置である。すなわち、タッチスクリーンは、人の手又は物体が直接接触した接触位置を電気的信号に変換し、接触位置で選択された指示内容が入力信号として入力される。このようなタッチスクリーンは、キーボード及びマウスのように表示装置に連結されて動作する別途の入力装置を取り替えることができるので、その利用範囲が徐々に拡張している趨勢である。
このようなタッチスクリーンは、一般的に液晶表示パネル又は有機電界発光表示パネルのような表示パネルの前面に接着剤を介して付着される場合が多い。この場合、タッチスクリーンが別に製作されて表示パネルの前面に付着されるので、付着工程の追加によって工程が複雑になって費用が上昇する問題点がある。
本発明は、前記問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、工程簡素化及び費用節減が可能な表示装置を提供することである。
前記目的を達成するために、本発明による表示装置は、封止部上に配置される多数のタッチ電極と電気的に接続されるブラックブリッジを含み、ブラックブリッジは、ブラックマトリックスの役目を兼ねるようにカラーフィルター間の封止部上に配置されるので、ブラックブリッジとアノード電極間のセルギャップを比較例に比べて減少させることができ、広視野角を確保することができ、封止部上にタッチ電極が配置されることによって別途の接着工程が不要になって工程が簡素化し、費用を低減することができる。
本発明による表示装置は、ブラックマトリックスの役目を兼ねるブラックブリッジがカラーフィルター間の封止部上に配置されるので、ブラックブリッジとアノード電極の間のセルギャップを比較例に比べて減少させて広視野角を確保することができる。また、本発明では、ブラックブリッジが酸化薄膜層及びブラック導電層からなって低反射を具現することができ、偏光フィルムなしにもブラックブリッジによる外部光反射を低減させることができる。また、本発明では、ブラックブリッジがブラックマトリックスの役目を兼ねるので、ブラックマトリックス形成工程を省略することができ、材料及び工程コストを最小化することができる。それだけでなく、本発明では、封止部上にタッチ電極が配置されるので、別途の接着工程が不要になって工程が簡素化し、費用を低減することができる。
本発明によるタッチセンサーを有する有機発光表示装置を示す斜視図である。 図1に示したタッチセンサーを有する有機発光表示装置を示す平面図である。 図1の線“I−I”に沿って切断した、タッチセンサーを有する有機発光表示装置を示す断面図である。 図3に示したブラックブリッジを詳細に示す断面図である。 図3に示したタッチセンサーを有する有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 図3に示したタッチセンサーを有する有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 図3に示したタッチセンサーを有する有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 図3に示したタッチセンサーを有する有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 図1に示したタッチセンサーを有する有機発光表示装置の他の実施例を示す平面図である。
以下、添付図面に基づいて本発明による実施例を詳細に説明する。
図1は、本発明によるタッチセンサーを有する有機発光表示装置を示す斜視図である。
図1に示したタッチセンサーを有する有機発光表示装置は、タッチ期間中に図2に示したタッチ電極152e、154eを介して使用者のタッチによる相互静電容量(mutual capacitance:タッチセンサー)Cmの変化量を感知してタッチ有無及びタッチ位置をセンシングする。そして、図1に示したタッチセンサーを有する有機発光表示装置は、発光素子120を含む単位画素を介して映像を表示する。単位画素は、赤色(R)、緑色(G)及び青色(B)のサブ画素PXLから構成されるとか、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)及び白色(W)のサブ画素PXLから構成される。
このために、図1に示した有機発光表示装置は、基板111上にマトリックス状に配列された多数のサブ画素PXLと、多数のサブ画素PXL上に配置された封止部140と、封止部140上に配置された相互静電容量Cmと、相互静電容量Cm上に配置されるカラーフィルター192とを備える。
多数のサブ画素PXLのそれぞれは、画素駆動回路と、画素駆動回路と接続される発光素子120とを備える。
画素駆動回路は、スイッチングトランジスタT1、駆動トランジスタT2及びストレージキャパシタCstを備える。
スイッチングトランジスタT1は、スキャンラインSLにスキャンパルスが供給されるときにターンオンドされ、データラインDLに供給されたデータ信号をストレージキャパシタCst及び駆動トランジスタT2のゲート電極に供給する。
駆動トランジスタT2は、その駆動トランジスタT2のゲート電極に供給されるデータ信号に応じて高電圧VDD供給ラインから発光素子120に供給される電流(I)を制御することによって発光素子120の発光量を調節することになる。そして、スイッチングトランジスタT1がターンオフされても、ストレージキャパシタCstに充電された電圧によって、駆動トランジスタT2は、次のフレームのデータ信号が供給されるまで一定の電流(I)を供給して発光素子120が発光を維持するようにする。
このような駆動薄膜トランジスタT2、130は、図3に示したように、ゲート電極132と、第1絶縁膜であるゲート絶縁膜112を挟んでゲート電極132と重畳する半導体層134と、第2絶縁膜である層間絶縁膜114上に形成され、半導体層134と接触するソース及びドレイン電極136、138とを備える。ここで、半導体層134は、非晶質半導体物質、多結晶半導体物質及び酸化物半導体物質の少なくとも一つから形成される。
発光素子120は、アノード電極122と、アノード電極122上に形成される少なくとも一つの発光スタック124と、発光スタック124上に形成されるカソード電極126とを備える。
アノード電極122は、第3絶縁膜である保護膜116を貫通する画素コンタクトホールを通じて露出した駆動薄膜トランジスタ130のドレイン電極138と電気的に接続される。
少なくとも一つの発光スタック124は、バンク128によって設けられた発光領域のアノード電極122上に形成される。少なくとも一つの発光スタック124は、アノード電極122上に正孔関連層、有機発光層、電子関連層の順に又はその逆順に積層されて形成される。その外にも、発光スタック124は、電荷生成層(Charge Generation Layer:CGL)を挟んで対向する第1及び第2発光スタックを備えることもできる。この場合、第1及び第2発光スタックのいずれか一つの有機発光層は、青色光を生成し、第1及び第2発光スタックの残りの一つの有機発光層は、黄色−緑色光を生成することによって、第1及び第2発光スタックを介して白色光が生成される。この発光スタック124で生成された白色光は、発光スタック124の上部又は下部に位置するカラーフィルター(図示せず)に入射するので、カラー映像を具現することができる。その外にも、別途のカラーフィルターなしに各発光スタック124で各サブ画素に対応するカラー光を生成してカラー映像を具現することもできる。すなわち、赤色(R)サブ画素の発光スタック124は、赤色光を、緑色(G)サブ画素の発光スタック124は、緑色光を、青色(B)のサブ画素の発光スタック124は、青色光を生成することもできる。
カソード電極126は、発光スタック124を挟んでアノード電極122と対向するように形成され、低電圧VSS供給ラインと接続される。
封止部140は、外部の水分又は酸素に弱い発光素子120に外部の水分又は酸素が浸透することを遮断する。このために、封止部140は、多数の無機封止層142、146と、多数の無機封止層142、146の間に配置される有機封止層144とを備え、無機封止層146が最上層に配置されるようにする。ここで、封止部140は、少なくとも2層の無機封止層142、146と、少なくとも1層の有機封止層144とを備える。本発明では、第1及び第2無機封止層142、146の間に有機封止層144が配置される封止部140の構造を例として説明する。
第1無機封止層142は、発光素子120と最も近接するように、カソード電極126が形成された基板111上に形成される。このような第1無機封止層142は、窒化シリコン(SiNx)、酸化シリコン(SiOx)、酸化窒化シリコン(SiON)又は酸化アルミニウム(Al)のような低温蒸着が可能な無機絶縁素材から形成される。これにより、第1無機封止層142が低温雰囲気で蒸着されるので、第1無機封止層142の蒸着工程時、高温雰囲気に弱い発光スタック124が損傷されることを防止することができる。
有機封止層144は、有機発光表示装置の歪みによる各層間の応力を緩和させる緩衝役目をし、平坦化性能を強化する。この有機封止層144は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリエチレン又はシリコンオキシカーボン(SiOC)のような有機絶縁素材から形成される。
第2無機封止層146は、有機封止層144が形成された基板111上にそれぞれの有機封止層144及び第1無機封止層142の上面及び側面を覆うように形成される。これにより、第2無機封止層146は、外部の水分又は酸素が第1無機封止層142及び有機封止層144に浸透することを最小化するとか遮断する。このような第2無機封止層146は、窒化シリコン(SiNx)、酸化シリコン(SiOx)、酸化窒化シリコン(SiON)又は酸化アルミニウム(Al)のような無機絶縁素材から形成される。
このような封止部140は、タッチセンシングライン154及びタッチ駆動ライン152のそれぞれと発光素子120の間に配置されるので、タッチセンシングライン154及びタッチ駆動ライン152のそれぞれと発光素子120間の離隔距離が大きくなる。これにより、タッチセンシングライン154及びタッチ駆動ライン152のそれぞれと発光素子120の間に形成される寄生キャパシタの容量値を最小化することができるので、タッチセンシングライン154及びタッチ駆動ライン152のそれぞれと発光素子120間のカップリング(coupling)による相互影響を防止することができる。また、封止140は、タッチセンシングライン154及びタッチ駆動ライン152の製造工程時に用いられる薬液(現像液又はエッチング液など)又は外部の水分などが有機発光スタック124に浸透することを遮断することができる。これにより、封止部140は、薬液又は水分に弱い発光スタック124の損傷を防止することができる。
封止部140上には、タッチ絶縁膜168を挟んでタッチセンシングライン154及びタッチ駆動ライン152が交差するように配置される。このようなタッチセンシングライン154とタッチ駆動ライン152の交差部には、相互静電容量(mutual capacitance)Cmが形成される。これにより、相互静電容量Cmは、タッチ駆動ライン152に供給されるタッチ駆動パルスによって電荷を充電し、充電された電荷をタッチセンシングライン154へ放電することによってタッチセンサーの役目をすることになる。
本発明のタッチ駆動ライン152は、ルーティングライン156及びタッチ駆動パッド180を介してタッチ駆動部(図示せず)と連結される。そして、タッチセンシングライン154は、ルーティングライン156及びタッチセンシングパッド170を介してタッチ駆動部と連結される。
ルーティングライン156は、タッチ駆動パッド180及び第1タッチ電極152eを電気的に連結するので、タッチ駆動パッド180からのタッチ駆動パルスをタッチ駆動ライン152に伝送する。また、ルーティングライン156は、タッチセンシングパッド170及び第2タッチ電極154eを電気的に連結するので。タッチセンシングライン154からのタッチ信号をタッチセンシングパッド170に伝送する。
ルーティングライン156は、封止部140の側面を覆うように封止部140の最上層に配置される第2無機封止部146の側面と接触する。
タッチ駆動パッド180及びタッチセンシングパッド170のそれぞれは、基板111と封止部140の間に配置される下部絶縁膜112、114、116と接触するように、その下部絶縁膜(例えば、層間絶縁膜114)上に配置される。このようなタッチ駆動パッド180及びタッチセンシングパッド170のそれぞれは、ルーティングライン156から伸長するパッド電極172と、パッド電極172を覆うように透明導電膜に形成されるパッドカバー電極174とを備える。このタッチ駆動パッド180及びタッチセンシングパッド170のそれぞれは、カバーフィルム100によって露出するように形成されることにより、タッチ駆動部が実装された信号伝送フィルムと接続される。ここで、カバーフィルム100は、タッチセンシングライン154及びタッチ駆動ライン152を覆うように形成されることで、タッチセンシングライン154及びタッチ駆動ライン152が外部の水分などによって腐食することを防止する。このようなカバーフィルム100は、円編光板又はエポキシ又はアクリル素材のフィルム形態に形成される。
一方、タッチ駆動ライン152は、多数の第1タッチ電極152eと、多数の第1タッチ電極152e間を電気的に連結する透明ブリッジ152bとを備える。
多数の第1タッチ電極152eは、タッチ絶縁膜168上に第1方向であるX方向に一定の間隔で離隔する。このような多数の第1タッチ電極152eのそれぞれは、透明ブリッジ152bを介して隣接した第1タッチ電極152eと電気的に連結される。
透明ブリッジ152bは、第1タッチ電極152eと同一平面のタッチ絶縁膜168上に配置され、別途のコンタクトホールなしに第1タッチ電極152eと電気的に接続される。
タッチセンシングライン154は、多数の第2タッチ電極154eと、多数の第2タッチ電極154eを互いに電気的に連結するブラックブリッジ154bとを備える。
多数の第2タッチ電極154eは、タッチ絶縁膜168上で第2方向であるY方向に一定の間隔で離隔する。このような多数の第2タッチ電極154eのそれぞれは、ブラックブリッジ154bを介して隣接した第2タッチ電極154eと電気的に連結される。
ブラックブリッジ154bは、タッチ電極152e、154eのそれぞれと封止部140の間で封止部140と接触するように形成される。このブラックブリッジ154bは、タッチ絶縁膜168を貫通するタッチコンタクトホール150を通じて露出して第2タッチ電極154eと電気的に接続される。このブラックブリッジ154bは、透明ブリッジ152bと同様にバンク128以下の幅を有するように形成されてバンク128と重畳するように配置される。これにより、本発明は、透明及びブラックブリッジ152b、154bによって開口率が損傷されることを防止することができる。
ブラックブリッジ154bは、互いに異なる色を具現するカラーフィルター192間の封止部140上に配置される。このブラックブリッジ154bは、各サブ画素領域を区分するとともに隣接したサブ画素間の光干渉と光漏れを防止するブラックマトリックスの役目を兼ねる。このブラックマトリックスの役目を兼ねるブラックブリッジ154bとアノード電極122の間のセルギャップは、タッチ電極上にブラックマトリックスが配置される比較例のブラックマトリックスとアノード電極間のセルギャップに比べて低減する。この場合、セルギャップが小さいほど視野角が広くなるので、本発明は、広視野角の確保が有利になって高解像度の具現が可能となる。
このようなブラックブリッジ154bは、酸化薄膜層153a、153bとブラック導電層151a、151bを少なくとも1回交互に積層することによって形成される。例えば、ブラックブリッジ154bは、図4に示したように、封止部140上に順次積層される第1ブラック導電層151a、第1酸化薄膜層153a、第2ブラック導電層151b及び第2酸化薄膜層153bからなる。
第1ブラック導電層151aは、封止部140の最上位に配置される第2無機封止層146上に高反射率の金属から形成される。例えば、第1ブラック導電層151aは、Cr、Mo、Al、Ag、Au及びCoの少なくとも1種から単層又は複層構造に形成される。この第1ブラック導電層151aは、第2ブラック導電層151bより厚い第1厚さ(d1)に形成されるので、外部光は、発光素子120側に透過せずに第2酸化薄膜層153b側に反射される。このような第1ブラック導電層151aは、90〜110nmの厚さで形成される。
第2ブラック導電層151bは、第1ブラック導電層151aより屈折率及び吸光係数が高く、第1及び第2酸化薄膜層153a、153bに比べて屈折率が高い不透明金属から第1酸化薄膜層153a上に形成される。例えば、第2ブラック導電層151bは、Cr、Mo、Al、Ag、Au及びCoの少なくとも1種から単層又は複層構造に形成される。この第2ブラック導電層151bは、第1及び第2酸化薄膜層153a、153b、第1ブラック導電層151aより薄い第1厚さで形成されるので、外部光を透過及び反射させる。このような第2ブラック導電層151bは、5〜15nmの厚さで形成される。
第1及び第2酸化薄膜層153a、153bは、ITO、TiOx、Al、ZnOx又はSiOxのような透明酸化物から約60〜100nm厚さで形成されて、外部光の反射率を最小化する。
このようなブラックブリッジ154bは、例えば、次のような実施例によって形成される。
実施例1:Alから形成される100nmの厚さの第1ブラック導電層151a/SiOから形成される80nm厚さの第1酸化薄膜層153a、Crから形成される8〜10nmの厚さの第2ブラック導電層151b/SiOから形成される80nm厚さの第2酸化薄膜層153b。
実施例2:Alから形成される100nmの厚さの第1ブラック導電層151a/SiOから形成される80nm厚さの第1酸化薄膜層153a、Moから形成される5〜6nmの厚さの第2ブラック導電層151b/SiOから形成される80nm厚さの第2酸化薄膜層153b。
このような構造を有するブラックブリッジ154bによって、第1酸化薄膜層153aと第1ブラック導電層151a間の下部界面と、第1酸化薄膜層153aと第2ブラック導電層151b間の上部界面との間で反射される外部光が180度の位相差を有するので、互いに干渉して消滅される。そして、第2酸化薄膜層153bと第2ブラック導電層151b間の下部界面と、第2酸化薄膜層153bとタッチ絶縁膜168間の上部界面との間で反射される外部光が180度の位相差を有するので、互いに干渉して消滅される。これにより、タッチセンサーを有する有機発光表示装置に入射する外部光がブラックブリッジ154bによって反射されることを防止することができ、視認性が低下することを防止することができる。
カラーフィルター192は、第1及び第2タッチ電極152e、154eが形成された基板111上に配置される。このカラーフィルター192は、各サブ画素領域に対応する色を具現する。このために、赤色(R)カラーフィルター192は、赤色サブ画素領域の第1及び第2タッチ電極152e、154e上に形成され、緑色(G)カラーフィルター192は、緑色サブ画素領域の第1及び第2タッチ電極152e、154e上に形成され、青色(B)カラーフィルター192は、青色サブ画素領域の第1及び第2タッチ電極152e、154e上に形成される。一方、カラーフィルター192が形成された基板111上にタッチ平坦化膜190が形成される。このタッチ平坦化膜190によってカラーフィルター192及びブラックブリッジ154bが形成された基板111が平坦化する。
図5A〜図5Dは、図3に示したタッチセンサーを有する有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための平面図及び断面図である。
図5Aを参照すると、スイッチングトランジスタ、駆動トランジスタ130、有機発光素子120及び封止部140が形成された基板111上にブラックブリッジ154b、ルーティングライン156及びパッド電極172が形成される。
具体的に、スイッチングトランジスタ、駆動トランジスタ130、有機発光素子120及び封止部140が形成された基板111上に第1ブラック導電層151a、第1酸化薄膜層153a、第2ブラック導電層151b及び第2酸化薄膜層153bが順次積層される。その後、第1ブラック導電層151a、第1酸化薄膜層153a、第2ブラック導電層151b及び第2酸化薄膜層153bが、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程によってパターニングされることによって、ブラックブリッジ154b、ルーティングライン156及びパッド電極172が形成される。
図5Bを参照すると、ブラックブリッジ154b、ルーティングライン156及びパッド電極172が形成された基板111上にタッチコンタクトホール150を有するタッチ絶縁膜168が形成される。
具体的に、ブラックブリッジ154bが形成された基板111上に有機絶縁物質又は無機絶縁物質が積層されることによって、タッチ絶縁膜168が形成される。このタッチ絶縁膜168がフォトリソグラフィー工程及びエッチング工程によりパターニングされることによって、タッチコンタクトホール150が形成される。
図5Cを参照すると、タッチコンタクトホール150を有するタッチ絶縁膜168上にパッドカバー電極174、第1及び第2タッチ電極152e、154e及び透明ブリッジ152bが形成される。
具体的に、タッチコンタクトホール150を有するタッチ絶縁膜168上に透明導電層がスパッタリングによる蒸着工程によって常温で全面に蒸着される。その後、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程によって透明導電層がパターニングされることによって、パッドカバー電極174、第1及び第2タッチ電極152e、154e及び透明ブリッジ152bが形成される。
図5Dを参照すると、第1及び第2タッチ電極152e、154e及び透明ブリッジ152bが形成された基板111上にカラーフィルター192、タッチ平坦化膜190及びカバーフィルム100が順次形成される。
具体的に、第1及び第2タッチ電極152e、154e及び透明ブリッジ152bが形成された基板111上に赤色カラー樹脂を塗布した後、その赤色カラー樹脂をフォトリソグラフィー工程でパターニングすることによって赤色(R)カラーフィルター192が形成される。その後、赤色(R)カラーフィルター192が形成された基板111上に緑色カラー樹脂を塗布した後、その緑色カラー樹脂をフォトリソグラフィー工程でパターニングすることによって緑色(G)カラーフィルター192が形成される。その後、緑色カラーフィルター192が形成された基板111上に青色カラー樹脂を塗布した後、その青色カラー樹脂をフォトリソグラフィー工程でパターニングすることによって青色(B)カラーフィルター192が形成される。その後、カラーフィルター192が形成された基板111上にフォトアクリル樹脂のような有機膜を全面に塗布した後、フォトリソグラフィー工程でパターニングすることによってタッチ平坦化膜190が形成される。タッチ平坦化膜190が形成された基板111上にエポキシ又はアクリル素材のフィルム状のカバーフィルム100が付着される。
このように、本発明によるタッチセンサーを有する有機発光表示装置は、ブラックマトリックスの役目を兼ねるブラックブリッジが封止部上に配置されるので、ブラックブリッジとアノード電極間のセルギャップを比較例に比べて減少させることができ、広視野角を確保することができる。また、本発明によるタッチセンサーを有する有機発光表示装置は、ブラックブリッジが酸化薄膜層及びブラック導電層からなって低反射を具現することができ、偏光フィルムなしにもブラックブリッジによる外部光反射を低減させることができる。また、本発明によるタッチセンサーを有する有機発光表示装置は、ブラックブリッジがブラックマトリックスの役目を兼ねるので、ブラックマトリックス形成工程を省略することができ、材料及び工程コストを最小化することができる。それだけでなく、従来の有機発光表示装置は、接着剤を介してタッチスクリーンが有機発光表示装置に付着される反面、本発明による有機発光表示装置は、封止部140上にタッチ電極152e、154eが配置されることにより、別途の接着工程が不要になって工程が簡素化し、費用を低減することができる。
一方、本発明では、第1及び第2タッチ電極152e、154eが、図2に示したように、プレート状に形成されるものを例として説明したが、その外にも、図6に示したように、メッシュ状に形成されることもできる。すなわち、第1及び第2タッチ電極152e、154eと、第1タッチ電極152eと接続された第1ブリッジ152bは、ブラックブリッジ154bに含まれたブラック導電層151a、151bを含めてメッシュ状に形成される。例えば、第1及び第2タッチ電極152e、154eと第1ブリッジ152bは、図4に示したブラックブリッジ154bと同様に、第1ブラック導電層151a、第1酸化薄膜層153a、第2ブラック導電層151b及び第2酸化薄膜層153bからなる。これにより、タッチセンサーを有する有機発光表示装置に入射する外部光が第1及び第2タッチ電極152e、154eと第1ブリッジ152bによって反射されることを防止することができ、視認性が低下することを防止することができる。また、メッシュ状の第1及び第2タッチ電極152e、154eと第1ブリッジ152bの線幅が非常に小さく、第1及び第2タッチ電極152e、154eと第1ブリッジ152bによって開口率及び透過率が低下することを防止することができる。
また、第2ブリッジであるブラックブリッジ154bは、図2に示したように、第2タッチ電極154eのそれぞれとの接点が1個であるものを例として説明したが、その外にも、図6に示したように、ブラックブリッジ154bと第2タッチ電極154e間の接続安全性を考慮して、第2タッチ電極154eのそれぞれとブラックブリッジ154bのそれぞれの接点は、2個以上である。これにより、ブラックブリッジ154bは、第2タッチ電極154eの一側と接続され、第1ブリッジ152bの一側を取り囲む第1ブラックブリッジ154b1と、第2タッチ電極154eの他側と接続され、第1ブリッジ152bの他側を取り囲む第2ブラックブリッジ154b2とを備える。第1及び第2ブラックブリッジ154b1、154b2は、折り畳み形態(folding shape)に形成される。例えば、第1ブラックブリッジ154b1は、“<”、“<<”形態などに形成され、第2ブラックブリッジ154b2は“>”、“>>”形態などに形成されることにより、ブラックブリッジ154bは、メッシュ状の第1ブリッジ152bと重畳しない。
以上の説明は、本発明を例示的に説明したものに過ぎなく、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、多様な変形が可能であろう。したがって、本発明の明細書に開示された実施例は、本発明を限定するものではない。本発明の範囲は、下記の特許請求範囲によって解釈されなければならなく、それと均等な範囲内にあるいずれの技術も本発明の範囲に含まれるものと解釈されなければならないであろう。
142、146 無機封止層、144 有機封止層、152 タッチ駆動ライン、154 タッチセンシングライン、152b 透明ブリッジ、154b ブラックブリッジ、156 ルーティングライン、168 タッチ絶縁膜。

Claims (26)

  1. 基板上に配置される発光素子と、
    前記発光素子上に配置される封止部と、
    前記封止部上に配置される多数の第1及び第2タッチ電極を有するタッチセンサーと、
    前記第1及び第2タッチ電極と電気的に連結され、前記封止部の側面を覆うように配置されるルーティングラインと、
    前記第1及び第2タッチ電極上に配置される多数のカラーフィルターと、
    前記カラーフィルター間の前記封止部上に配置され、前記多数の第1タッチ電極と電気的に接続される多数のブラックブリッジと、
    を含む、表示装置。
  2. 前記ブラックブリッジは、前記封止部上に酸化薄膜層とブラック導電層が少なくとも1回交互に積層されることによって形成される、
    請求項1に記載の表示装置。
  3. 前記ブラックブリッジは、前記封止部上に順次積層される第1ブラック導電層、第1酸化薄膜層、第2ブラック導電層及び第2酸化薄膜層を含む、
    請求項1に記載の表示装置。
  4. 前記第1及び第2酸化薄膜層の少なくとも一つは、ITO、TiOx、Al、ZnOx及びSiOxの少なくとも一つの透明酸化物からなる、
    請求項3に記載の表示装置。
  5. 前記第1及び第2ブラック導電層の少なくとも一つは、Cr、Mo、Al、Ag、Au及びCoの少なくとも一つから、単層又は複層構造に形成される、
    請求項3に記載の表示装置。
  6. 前記第1ブラック導電層は、前記第2ブラック導電層より厚い、
    請求項3に記載の表示装置。
  7. 前記第2ブラック導電層は、前記第1ブラック導電層、第1及び第2酸化薄膜層の少なくとも一つより薄い、
    請求項3に記載の表示装置。
  8. 前記第2ブラック導電層は、前記第1ブラック導電層より高い屈折率を有する、
    請求項3に記載の表示装置。
  9. 前記第1及び第2酸化薄膜層の少なくとも一つは、前記第1及び第2ブラック導電層の少なくとも一つより低い屈折率を有する、
    請求項3に記載の表示装置。
  10. 前記ブラックブリッジは、前記第1及び第2タッチ電極と封止部の間で前記封止部と接触する、
    請求項1から9のいずれか一項に記載の表示装置。
  11. 前記発光素子は、
    前記基板上に配置されるアノード電極と、
    前記アノード電極と対向するカソード電極と、
    前記アノード電極及びカソード電極の間に配置される少なくとも一つの発光スタックと、
    を含み、
    前記ブラックブリッジは、前記アノード電極を露出させるバンクと重畳する、
    請求項1から9のいずれか一項に記載の表示装置。
  12. 前記ブラックブリッジの幅は、前記バンクの幅以下である、
    請求項11に記載の表示装置。
  13. 前記基板と封止部の間に配置される少なくとも一層の下部絶縁膜と、
    前記ルーティングラインを介して前記第1及び第2タッチ電極と電気的に接続され、前記下部絶縁膜と接触するタッチパッドと、
    をさらに含む、請求項11に記載の表示装置。
  14. 前記ルーティングラインは、少なくとも一つの酸化薄膜層と少なくとも一つのブラック導電層を含む、
    請求項13に記載の表示装置。
  15. 前記タッチパッドは、
    前記ルーティングラインから伸長するパッド電極と、
    前記パッド電極上に配置されるパッドカバー電極と、
    を含む、請求項13に記載の表示装置。
  16. 前記パッド電極は、少なくとも一つの酸化薄膜層と少なくとも一つのブラック導電層を含む、
    請求項15に記載の表示装置。
  17. 前記第1及び第2タッチ電極は、前記ブラックブリッジ及びカラーフィルターの間に配置される、
    請求項1に記載の表示装置。
  18. 前記発光素子と接続される駆動トランジスタと、
    前記駆動トランジスタのゲート電極とアクティブ層の間に配置される第1絶縁膜と、
    前記アクティブ層とソース及びドレイン電極の間に配置される第2絶縁膜と、
    前記ソース及びドレイン電極と前記発光素子の間に配置される第3絶縁膜と、
    をさらに含み、
    前記少なくとも一層の下部絶縁膜は、第1〜第3絶縁膜の少なくとも一つである、
    請求項13に記載の表示装置。
  19. 前記ブラックブリッジは、
    前記多数のタッチ電極のそれぞれの一側と接触する第1ブラックブリッジと、
    前記多数のタッチ電極のそれぞれの他側と接触する第2ブラックブリッジと、
    を含み、
    前記第1及び第2ブラックブリッジの少なくとも一つは、折り畳み形態に形成される、
    請求項1に記載の表示装置。
  20. 前記多数のブラックブリッジは、ブラックマトリックスの役目をする、
    請求項1に記載の表示装置。
  21. 前記第1及び第2タッチ電極は、メッシュ状に形成される、
    請求項19に記載の表示装置。
  22. 前記第1及び第2タッチ電極のいずれか一つのタッチ電極を互いに連結するメッシュ状のブリッジをさらに含む、
    請求項21に記載の表示装置。
  23. 前記第1ブラックブリッジは、前記メッシュ状のブリッジの一側を取り囲むように配置され、前記第2ブラックブリッジは、前記メッシュ状のブリッジの他側を取り囲むように配置される、
    請求項22に記載の表示装置。
  24. 前記第1及び第2ブラックブリッジのいずれか一つは、“<”字形に形成され、前記第1及び第2ブラックブリッジの残りの一つは、“>”字形に形成される、
    請求項19に記載の表示装置。
  25. メッシュ状の前記第1及び第2タッチ電極と前記メッシュ状のブリッジは、第1ブラック導電層、第1酸化薄膜層、第2ブラック導電層及び第2酸化薄膜層を含む、
    請求項22に記載の表示装置。
  26. 前記カラーフィルター上に配置されるタッチ平坦化層をさらに含む、
    請求項1に記載の表示装置。
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