JP6724548B2 - 薄膜トランジスタアレイ基板のパターン形成方法 - Google Patents
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Description
まず、剥離性表面を有するブランケット11(図6A)に、転写物を含むインク21を塗布する(図6B)。その後、インク21に含まれる溶剤の少なくとも一部を乾燥させ、ブランケット11表面に転写物22を形成する(図6C)。
次に、転写物22を除去版25に密着させ、転写物22の不要な部分24を除去版25に付着させることでブランケット11から除去し、ブランケット11上に残った転写物23からなるパターンを形成する(図6D)。
次に、転写物23を基材5に密着させ離すことで、転写物23を基材5に転写しパターンを形成する(図6E、6F)。
(第1の実施形態)
図1A〜図1Iは、本発明の第1の実施形態に係るパターン形成方法について示す図である。以下では、第1の実施形態に係るパターン形成方法の各工程について説明する。
図2A〜図2Hは、本発明の第2の実施形態に係るパターン形成方法について示す図である。第1の実施形態と第2の実施形態との相違点は除去版の形状である。第2の実施形態において用いる除去版6は、ブランケット11と同じ大きさであり、除去版6上には、第1の実施形態における第一パターン2と第二パターン4とに対応する凹凸が形成されている。以下では、第2の実施形態に係るパターン形成方法の各工程について説明する。なお、第2の実施形態に係るパターン形成方法の説明において、第1の実施形態と同一または対応する構成については適宜説明を省略する。
上述のパターン形成方法は、薄膜トランジスタアレイ基板の作製に好適に用いることができる。図3に、本発明の一実施形態に係る薄膜トランジスタアレイ基板100の平面図を示す。薄膜トランジスタアレイ基板100は、図示しない基板と、ゲート電極32と、ゲート電極32に接続されたゲート配線31と、ソース電極34と、ソース電極34に接続されたソース配線33と、ドレイン電極35と、ドレイン電極35に接続された画素電極36と、ソース電極34とドレイン電極との間に積層された半導体層37と、半導体層37上に積層された保護層38とを含む。薄膜トランジスタアレイ基板100のゲート配線31の膜厚はゲート電極32の膜厚よりも厚く、ソース配線33の膜厚はソース電極34及びドレイン電極35の膜厚よりも厚い。
薄膜トランジスタアレイ基板100は、画像表示媒体と組み合わせて画像表示装置に用いることができる。画像表示媒体としては、電気泳動型反射表示装置、透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、有機EL表示装置及び無機EL表示装置等の各画像表示媒体を用いることができる。画像表示装置としては電子ペーパー、有機EL表示装置または液晶表示装置に用いることができる。
実施例1に係る薄膜トランジスタアレイ基板の製造には、第1の実施形態に係るパターン形成方法を用いた。
はじめに、基材5として、300mm×300mmのポリイミドフィルム(宇部興産製)を準備し、この上にゲート配線31及びゲート電極32を反転オフセット印刷により、形成した。方法は以下に示す。
1)350mm×700mmのブランケット11に導電性インク21を700mmの方向にスリットダイコーターを用いて塗布した後、室温で乾燥させることで、ブランケット11上にインク膜22を形成した。
2)インク膜22が形成されたブランケット11に、300本の配線幅20μmのゲート配線31とこれに対応するゲート電極32とからなる第一パターン2が形成された350mm×350mmの第一パターン用除去版1を密着させ、凸部に対応する領域の転写物22をブランケット11から除去し、第一パターン2が形成されたブランケット11を得た。
3)続いて、2)と同様にゲート配線31のパターンのみが形成された350mm×350mmの第二パターン用除去版3を用い、ブランケット11の第一パターン2の形成されていない部分に第二パターン4を形成し、第一パターン2と第二パターン4とが形成されたブランケット11を得た。
4)次に、ブランケット11上の第一パターン2を基材5へ転写し、続いて、ブランケット11上の第二パターン4を基材5に既に転写されたゲート配線31へ積層するように転写した。第二パターン4を第一パターン2に積層して形成することで、第一パターン2で断線が生じた場合でも第二パターン4でカバーすることが可能である。
印刷工程でパターンを形成した基板5をオーブンを用いて180℃で30分間、加熱、焼成した。その後、日置電機株式会社製X−Y C HiTESTERを用いて、すべての配線の断線数を測定することによりパターン精度の評価を実施した。同様の方法でゲート配線31及びゲート電極32を備えた基板5を5枚作製し、評価を実施した。電極パッド部の剥れもなく、また、断線の発生も少なくゲート電極層を形成することができた。また、複数回測定を実施しても、電極の大きな削れや剥れは生じず、安定して測定が可能であった。
実施例2に係る薄膜トランジスタアレイ基板は、製造に当たり第2の実施形態に係るパターン形成方法を使用したこと以外は実施例1と同様とした。使用した除去版6のサイズは350mm×700mmとした。一度の除去工程で第一パターン2と第二パターン4とを得て、実施例1と同様に各パターンを基材5に転写した。
比較例に係る薄膜トランジスタアレイ基板は、製造に当たりゲート配線31、ゲート電極32、ソース配線33、ソース電極34及びドレイン電極35を、図6A〜図6Fに示す従来技術に係る反転オフセット印刷方法を用いて形成した。
2 第一パターン
3 第二パターン用除去版
4 第二パターン
5 基材
6 除去版
7 断線部分
11 ブランケット
21 インク
22 予備乾燥した転写物(インク膜)
23 ブランケット上に残った転写物
24 除去版に除去された転写物
25 除去版
31 ゲート配線
32 ゲート電極
33 ソース配線
34 ソース電極
35 ドレイン電極
36 画素電極
37 半導体層
38 保護層
100 薄膜トランジスタアレイ基板
Claims (2)
- 薄膜トランジスタアレイ基板のパターン形成方法であって、
ブランケット表面にインク膜を形成する工程と、
除去版の凸部を前記インク膜に接触させて前記インク膜の一部を除去する工程と、
前記ブランケット表面に残った前記インク膜の一部からなる第一パターンを基材に接触させて基材上に転写する工程と、
前記第一パターンを転写した後に前記ブランケット表面に残った前記インク膜からなる第二パターンを前記第一パターン上に転写する工程とを含む、薄膜トランジスタアレイのパターン形成方法。 - 前記第一パターンを転写する工程と第二パターンを転写する工程とにより、配線パターンを形成する、請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイ基板のパターン形成方法。
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