JP6718002B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は
、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・オブ・マタ
ー)に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の
技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、撮像装置、記憶装置、
それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
に与える構成について開示している。
のトランジスタを用いて定期的に設定する必要がある。そのため、トランジスタのバック
ゲートに印加する電位が一定とはならず、データの保持特性が十分でない虞がある。
る。
供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、トランジスタのバックゲート
に印加する電位を安定した電位とすることができる、新規な構成の半導体装置等を提供す
ることを課題の一とする。
他の課題の存在を妨げるものではない。なお他の課題は、以下の記載で述べる、本項目で
言及していない課題である。本項目で言及していない課題は、当業者であれば明細書又は
図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。
なお、本発明の一態様は、上記列挙した記載、及び/又は他の課題のうち、少なくとも一
つの課題を解決するものである。
ッチと、を有する半導体装置であって、第1の回路は、データを保持する機能を有し、第
1の回路は、第1の電位と、第2の電位と、が与えられ、第2の回路は、第1のトランジ
スタと、第2のトランジスタと、を有し、第1のトランジスタは、第1のゲートと、第2
のゲートと、を有し、第2のトランジスタのゲートは、第1のトランジスタのソース又は
ドレインの一方に電気的に接続され、第2の回路は、第2のトランジスタのゲートと第1
のトランジスタのソース又はドレインの一方とを接続するノードでデータに応じた電荷を
保持する機能を有し、スイッチは、第1の回路と、第1の電位を与える配線との導通状態
を制御する機能を有し、バッテリーは、第1の端子と、第2の端子とを有し、バッテリー
の第1の端子は第2の電位を与える配線に電気的に接続され、バッテリーの第1の端子の
電位は、第2の端子の電位よりも高く、電圧生成回路は、第2の電位より小さい第3の電
位を生成する機能を有し、第1のトランジスタの第2のゲートは、バッテリーの第2の端
子に電気的に接続され、第2のゲートと、バッテリーの第2の端子と、は、第3の電位が
与えられる半導体装置である。
蓄えられた電荷を放電させて、第3の電位を生成する回路である半導体装置が好ましい。
で第3の電位を生成する回路である半導体装置が好ましい。
体装置が好ましい。
面に記載されている。
供することができる。または、本発明の一態様は、トランジスタのバックゲートに印加す
る電位を安定した電位とすることができる、新規な構成の半導体装置等を提供することが
できる。
他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で
言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書又は
図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。
なお、本発明の一態様は、上記列挙した効果、及び/又は他の効果のうち、少なくとも一
つの効果を有するものである。従って本発明の一態様は、場合によっては、上記列挙した
効果を有さない場合もある。
る態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及
び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、
以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を模
式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。例えば、ノイズに
よる信号、電圧、若しくは電流のばらつき、又は、タイミングのずれによる信号、電圧、
若しくは電流のばらつきなどを含むことが可能である。
なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン(ドレイン端子、ドレイン領
域又はドレイン電極)とソース(ソース端子、ソース領域又はソース電極)の間にチャネ
ル領域を有しており、ドレインとチャネル領域とソースとを介して電流を流すことができ
るものである。
、いずれがソース又はドレインであるかを限定することが困難である。そこで、ソースと
して機能する部分、及びドレインとして機能する部分を、ソース又はドレインと呼ばず、
ソースとドレインとの一方を第1電極と表記し、ソースとドレインとの他方を第2電極と
表記する場合がある。
を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
るものの他、電気的に接続されているものを含むものとする。ここで、AとBとが電気的
に接続されているとは、AとBとの間で、何らかの電気的作用を有する対象物が存在する
とき、AとBとの電気信号の授受を可能とするものをいう。
さず)、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、Z
2を介して(又は介さず)、Yと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
(又は第1の端子など)が、Z1の一部と直接的に接続され、Z1の別の一部がXと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、Z2の一部と直接的
に接続され、Z2の別の一部がYと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。
の端子など)とは、互いに電気的に接続されており、X、トランジスタのソース(又は第
1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース(又は第
1の端子など)は、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子な
ど)はYと電気的に接続され、X、トランジスタのソース(又は第1の端子など)、トラ
ンジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Xは、トランジスタのソース(又は第1の端子な
ど)とドレイン(又は第2の端子など)とを介して、Yと電気的に接続され、X、トラン
ジスタのソース(又は第1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など
)、Yは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース(又は第1の端子など)と、ドレイン(又は第2の端子など)とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。
は、少なくとも第1の接続経路を介して、Xと電気的に接続され、前記第1の接続経路は
、第2の接続経路を有しておらず、前記第2の接続経路は、トランジスタを介した、トラ
ンジスタのソース(又は第1の端子など)とトランジスタのドレイン(又は第2の端子な
ど)との間の経路であり、前記第1の接続経路は、Z1を介した経路であり、トランジス
タのドレイン(又は第2の端子など)は、少なくとも第3の接続経路を介して、Yと電気
的に接続され、前記第3の接続経路は、前記第2の接続経路を有しておらず、前記第3の
接続経路は、Z2を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジ
スタのソース(又は第1の端子など)は、少なくとも第1の接続経路によって、Z1を介
して、Xと電気的に接続され、前記第1の接続経路は、第2の接続経路を有しておらず、
前記第2の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン
(又は第2の端子など)は、少なくとも第3の接続経路によって、Z2を介して、Yと電
気的に接続され、前記第3の接続経路は、前記第2の接続経路を有していない。」と表現
することができる。または、「トランジスタのソース(又は第1の端子など)は、少なく
とも第1の電気的パスによって、Z1を介して、Xと電気的に接続され、前記第1の電気
的パスは、第2の電気的パスを有しておらず、前記第2の電気的パスは、トランジスタの
ソース(又は第1の端子など)からトランジスタのドレイン(又は第2の端子など)への
電気的パスであり、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)は、少なくとも第3
の電気的パスによって、Z2を介して、Yと電気的に接続され、前記第3の電気的パスは
、第4の電気的パスを有しておらず、前記第4の電気的パスは、トランジスタのドレイン
(又は第2の端子など)からトランジスタのソース(又は第1の端子など)への電気的パ
スである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成
における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース(又は第1の端子
など)と、ドレイン(又は第2の端子など)とを、区別して、技術的範囲を決定すること
ができる。
、Y、Z1、Z2は、対象物(例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、
層、など)であるとする。
係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は
、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明した語
句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
ものであり、異なる回路ブロックで別々の機能を実現するよう示していても、実際の回路
ブロックにおいては同じ回路ブロック内で別々の機能を実現しうるように設けられている
場合もある。また図面における各回路ブロックの機能は、説明のため機能を特定するもの
であり、一つの回路ブロックとして示していても、実際の回路ブロックにおいては一つの
回路ブロックで行う処理を、複数の回路ブロックで行うよう設けられている場合もある。
れている状態をいう。従って、−5°以上5°以下の場合も含まれる。また、「垂直」と
は、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をいう。従って、
85°以上95°以下の場合も含まれる。
。
じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜
」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用
語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
本発明の一態様の半導体装置の構成について、図1を用いて説明する。
特性を利用した回路、あるいは該回路を含むシステム全体を半導体装置という場合がある
。
生成回路140、及びスイッチ150を有する。回路120は、トランジスタ121及び
トランジスタ122を有する。
、回路110に記憶したデータを退避させて保持させ、このトランジスタ121のバック
ゲートに印加する電位を、回路110に対応して設けたバッテリー130から与える構成
とする。また本発明の一態様では、トランジスタ121のバックゲートに印加する電位、
バッテリー130を充電するための電位を、電圧生成回路140で生成する構成とする。
電圧生成回路140は、スイッチ150による半導体装置100へのパワー・ゲーティン
グを利用して、電位を生成し、バッテリーの充電を行う構成とする。
スタ121のバックゲートに印加する電位は、バッテリー130から与えられる電位とな
る。バッテリー130は、トランジスタ121のバックゲートの電位を一定の電位に保持
し続けることができるため、電位の変動を小さく保つことができる。また、トランジスタ
121のバックゲートの電位をトランジスタの閾値電圧を改善できる電位に保つことで、
回路120をデータ保持特性に優れたものとすることができる。
10は、組み合わせ回路及び/又は順序回路を用いて構成される回路である。回路110
の具体的な回路としては、マイクロプロセッサ、画像処理回路、DSP(Digital
Signal Processor)、マイクロコントローラを含むLSI(Larg
e Scale Integrated Circuit)、FPGA(Field P
rogrammable Gate Array)やCPLD(Complex PLD
)などのプログラマブル論理回路(PLD:Programmable Logic D
evice)が、その範疇に含まれる。回路110は、集積回路、論理回路、記憶回路、
ラッチ回路、フリップフロップ、あるいはレジスタという場合がある。回路110は、第
1の回路という場合がある。
1において、電源電圧を与えるための電位として、一例として、電位VVDDと、電位V
SS1とが与えられる。電位VVDDは、電位VDDと電位VSS1とを切り替えること
ができる電位である。電位VVDDは、スイッチ150の導通状態によって電位VDDと
電位VSS1とを切り替わる。例えばスイッチ150がオンで電位VVDDが電位VDD
のとき、回路110には、電源電圧の供給が行われる。また、スイッチ150がオフで電
荷の放電が生じることで、電位VVDDが電位VDDから電位VSS1となるとき、電源
電圧の供給が停止する。
。また、電位VDDは電位VSS1より高い電位である。電位VSS1は、電位VDDよ
り低い電位であればよく、図1に示すようにグラウンド電位GNDとすることができる。
できる機能を有する回路である。なお回路120は、回路110と同様に、パワー・ゲー
ティングによって電源電圧の供給、停止が制御される。図1では、電源電圧の供給が停止
してもデータを保持できる構成として、トランジスタ121及びトランジスタ122とで
構成される回路を具体的な構成として示している。なおデータdataは、別途入力され
る制御信号によって回路110と回路120との間で退避あるいは復帰のやり取りが制御
される。回路120は、第2の回路という場合がある。
ジスタ121のソース及びドレインの一方とトランジスタ122のゲートとの間のノード
MNで、データdataに対応する電荷を保持させて行えばよい。ノードMNに保持され
る電荷は、トランジスタ121を非導通状態にし続けることで電荷の移動を極めて少なく
することができる。
て少なくすることができるトランジスタである。ノードMNへの電荷の出入りは、トラン
ジスタ121のソースとドレインの間の経路が支配的である。この電荷の出入りを少なく
するには、オフ電流が極めて低いトランジスタ121であることが好ましい。
タという)であることが好ましい。OSトランジスタは、オフ電流が極めて低いトランジ
スタとすることができる。なお図1では、OSトランジスタであることを明示するために
、酸化物半導体を用いたトランジスタの回路記号に「OS」の記載を付している。またト
ランジスタ121は、nチャネル型のトランジスタとして説明を行う。
通状態、遮断状態、ともいう)にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断
りがない場合、nチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Vgsがしき
い値電圧Vthよりも低い状態、pチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の
電圧Vgsがしきい値電圧Vthよりも高い状態をいう。例えば、nチャネル型のトラン
ジスタのオフ電流とは、ゲートとソースの間の電圧Vgsがしきい値電圧Vthよりも低
いときのドレイン電流を言う場合がある。
電流がI以下である、とは、トランジスタのオフ電流がI以下となるVgsの値が存在す
ることを言う場合がある。トランジスタのオフ電流は、所定のVgsにおけるオフ状態、
所定の範囲内のVgsにおけるオフ状態、または、十分に低減されたオフ電流が得られる
Vgsにおけるオフ状態、等におけるオフ電流を指す場合がある。
電流が1×10−9Aであり、Vgsが0.1Vにおけるドレイン電流が1×10−13
Aであり、Vgsが−0.5Vにおけるドレイン電流が1×10−19Aであり、Vgs
が−0.8Vにおけるドレイン電流が1×10−22Aであるようなnチャネル型トラン
ジスタを想定する。当該トランジスタのドレイン電流は、Vgsが−0.5Vにおいて、
または、Vgsが−0.5V乃至−0.8Vの範囲において、1×10−19A以下であ
るから、当該トランジスタのオフ電流は1×10−19A以下である、と言う場合がある
。当該トランジスタのドレイン電流が1×10−22A以下となるVgsが存在するため
、当該トランジスタのオフ電流は1×10−22A以下である、と言う場合がある。
流れる電流値で表す場合がある。また、所定のチャネル幅(例えば1μm)あたりを流れ
る電流値で表す場合がある。後者の場合、オフ電流の単位は、電流/長さの次元を持つ単
位(例えば、A/μm)で表される場合がある。
、特に記載がない場合、室温、60℃、85℃、95℃、または125℃におけるオフ電
流を表す場合がある。または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証
される温度、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度(例え
ば、5℃乃至35℃のいずれか一の温度)におけるオフ電流、を表す場合がある。トラン
ジスタのオフ電流がI以下である、とは、室温、60℃、85℃、95℃、125℃、当
該トランジスタが含まれる半導体装置の信頼性が保証される温度、または、当該トランジ
スタが含まれる半導体装置等が使用される温度(例えば、5℃乃至35℃のいずれか一の
温度)、におけるトランジスタのオフ電流がI以下となるVgsの値が存在することを指
す場合がある。
本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、Vdsが0.1V、0.8V、1
V、1.2V、1.8V、2.5V、3V、3.3V、10V、12V、16V、または
20Vにおけるオフ電流を表す場合がある。または、当該トランジスタが含まれる半導体
装置等の信頼性が保証されるVds、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等
において使用されるVdsにおけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ電
流がI以下である、とは、Vdsが0.1V、0.8V、1V、1.2V、1.8V、2
.5V、3V、3.3V、10V、12V、16V、20V、当該トランジスタが含まれ
る半導体装置の信頼性が保証されるVds、または、当該トランジスタが含まれる半導体
装置等において使用されるVds、におけるトランジスタのオフ電流がI以下となるVg
sの値が存在することを指す場合がある。
は、トランジスタがオフ状態にあるときのソースを流れる電流を言う場合もある。
スとドレインとの間に流れる電流を指す場合がある。
、第2のゲートともいう)を有する。一方のゲートにはトランジスタ121の導通状態を
制御する信号が、他方のゲートには電位VBGが与えられる構成とする。
hを制御するための電位である。電位VBGは、トランジスタの導通状態を制御する信号
の電位よりも低くすることで、しきい値電圧Vthを高くできる。その結果、ゲートーソ
ース間電圧Vgsが0Vのときのドレイン電流を低減し、トランジスタ121のオフ電流
を低減できる。
ある。トランジスタ122は、OSトランジスタであってもよいし、シリコンを半導体層
に用いたトランジスタ(Siトランジスタ)でもよい。トランジスタ122をSiトラン
ジスタとすることで、OSトランジスタであるトランジスタ121と積層して設けること
ができ、半導体装置の小型化を図ることができる。
、第2の端子を負極側の端子として説明する。すなわち、第1の端子の電位は、第2の端
子の電位よりも高く設定する。例えば、バッテリー130の第1の端子は電位VSS1を
与える配線に接続する。バッテリー130の第2の端子はトランジスタ121のバックゲ
ートに与える電位VBGを与える配線に接続される。
電位VSS1から電圧VBATだけ小さい電位となる。この電位(VSS1−VBAT)
をトランジスタ121のバックゲートに与える電位VBGとして用いることで、トランジ
スタ121の閾値電圧の制御が図られる。
ATはバッテリー130が充電されている場合、一定の電圧とすることができる。そのた
め、バッテリー130は、トランジスタ121のバックゲートの電位を一定の電位に保持
し続けることができ、トランジスタ121のバックゲートの電位の変動を小さく保つこと
ができる。また、トランジスタ121のバックゲートの電位をトランジスタの閾値電圧を
高くした状態に保つことで、回路120をデータ保持特性に優れたものとすることができ
る。
)の他、電圧生成回路140の動作によって、より低い電位VSS2(<VSS1−VB
AT)を与えることができる。この電位VSS2が定期的に電位VBGを与える配線に加
わることで、バッテリー130には電圧VBATよりも大きい電圧を端子間に印加するこ
とができる。そのため、バッテリー130の充電を定期的に行うことができる。
おバッテリー130は、スパッタ法、蒸着法、CVD法で形成することのできる無機系固
体電解質を用いて作製することが好ましい。無機系固体電解質は、硫化物系固体電解質や
酸化物系固体電解質を用いることができる。また、高分子系固体電解質を用いてもよい。
さらに、上述した無機系固体電解質と高分子系固体電解質を含む複合的な固体電解質を用
いてもよい。
層して設けられることが好ましい。バッテリー130は、正極活物質と負極活物質とが重
なる領域の面積を0.01cm2以上、1cm2以下程度に小型化し、半導体装置毎に形
成することができる。
SS2を生成する機能を有する回路である。一例としては、電圧生成回路140では、電
位VVDDの変化を利用して電位VSS2を生成する。
荷を放電させる。すると電荷の放電によって電位VVDDが変化する。電圧生成回路14
0では、容量結合を利用して電位VVDDの変化に応じて、電圧生成回路140内の電位
VSS1としたノードの電位を低下するように変化させることにより、電位VSS1より
も小さい電位VSS2を生成する。
きる。そのため、バッテリー130ではパワー・ゲーティングの動作毎に、電圧VBAT
よりも大きい電圧を端子間に印加することができる。そのため、バッテリー130の充電
を定期的に行うことができる。
を有する。スイッチ150の導通状態を制御することで、電位VVDDを、電位VDD又
は電位VSS1に変化させることができる。スイッチ150の一方の端子は、電位VDD
が与えられる配線に接続される。またスイッチ150の他方の端子は、回路110及び電
圧生成回路140に接続される。なおスイッチ150は、pチャネル型のトランジスタを
用いればよい。
50について、具体的な回路構成の一例を図示する。図2(B)では、半導体装置100
の動作の一例について説明する。
生成回路140Aを示す。
2、143を有する。図2(A)において、容量素子141、ダイオード142、143
を互いに接続する配線の電位を、電位V141とする。
1の他方の電極は、電位V141を与える配線に接続される。ダイオード142の一方の
電極は、電位V141を与える配線に接続される。ダイオード142の他方の電極は、電
位VSS1を与える配線に接続される。ダイオード143の一方の電極は、電位VBGを
与える配線に接続される。ダイオード143の他方の電極は、電位V141を与える配線
に接続される。
する。
タ151のソース又はドレインの一方は、電位VDDを与える配線に接続される。トラン
ジスタ151のソース又はドレインの他方は、回路110及び電圧生成回路140に電位
VVDDを与える配線に接続される。制御信号EPGは、トランジスタ151の導通状態
を制御するための信号である。
グチャート図を示す。図2(B)では、スイッチ150による回路110への電源電圧の
供給が行われる状態から、電源電圧の供給が停止する場合に切り替わる際の動作について
説明する。
することにより、トランジスタ151を導通状態とする。このとき、電位VVDDは電位
VDDとなる。電位VBG、V141は電位(VSS1−VBAT)となる。従って、ト
ランジスタ121のバックゲートの電位は、バッテリー130から与える構成とすること
ができる。
”H”にすることにより、トランジスタ151を非導通状態とする。このとき、電位VV
DDは電位VSS1(GND)となる。電位VVDDが低下することに伴って、電位VB
G、V141は容量素子141の容量結合によって電位が電位VSS2に低下する。その
ため、バッテリー130には、起電力VBAT以上の電圧が印加されることで充電される
。バッテリーの充電によって、バッテリー130内に電流が流れるため、電位VBGは次
第に上昇し、電位(VSS1−VBAT)となる。そしてバッテリー130の充電が停止
するとともに、電位VBGは電位(VSS1−VBAT)で安定になる。
一態様では、回路120が有するオフ電流が低いトランジスタ121を利用して、回路1
10に記憶したデータを退避させて保持させ、このトランジスタ121のバックゲートに
印加する電位VBGを、回路110に対応して設けたバッテリー130から与える構成と
することができる。また本発明の一態様では、トランジスタ121のバックゲートに印加
する電位、バッテリー130を充電するための電位を、電圧生成回路140で生成する構
成とする。電圧生成回路140は、スイッチ150による半導体装置100へのパワー・
ゲーティングを利用して、電位を生成し、バッテリーの充電を行う構成とすることができ
る。
ランジスタ121のバックゲートに印加する電位は、バッテリー130から与えられる電
位となる。バッテリー130は、トランジスタ121のバックゲートの電位VBGを一定
の電位に保持し続けることができるため、電位の変動を小さく保つことができる。また、
トランジスタ121のバックゲートの電位VBGをトランジスタの閾値電圧を改善できる
電位に保つことで、回路120をデータ保持特性に優れたものとすることができる。
態において、本発明の一態様について述べる。ただし、本発明の一態様は、これらに限定
されない。例えば、本発明の一態様として、回路110に対応して設けたバッテリー13
0を利用して、トランジスタ121のバックゲートに電圧を印加する場合の例を示したが
、本発明の一態様は、これに限定されない。場合によっては、または、状況に応じて、本
発明の一態様では、回路110に対応して設けたバッテリー130を、様々な配線や素子
や電極に、電圧を供給するように配置してもよい。または例えば、場合によっては、また
は、状況に応じて、本発明の一態様では、トランジスタ121のバックゲートは、様々な
供給源から、電圧が供給されてもよい。または例えば、場合によっては、または、状況に
応じて、本発明の一態様では、トランジスタ121のバックゲートは、回路110に対応
して設けたバッテリー130から、電圧が供給されなくてもよい。
できる。
本実施の形態では、上記実施の形態1で説明した異なる回路構成の一例について説明する
。特に本実施の形態では、実施の形態1で示した電圧生成回路とは異なる回路構成、及び
動作について説明する。
イオード142、143の他、発振回路144を有する。発振回路144はインバータ1
45で構成されるインバータチェインと、制御信号ENと発振回路144の出力信号が入
力されるNOR146を有する。
って電源電圧の供給が行われる。発振回路144は制御信号ENに従って発振が制御され
る。図3では、発振回路144の出力信号の電位を電位V144とする。
を示す。図4では、スイッチ150による回路110への電源電圧の供給が行われる状態
から、電源電圧の供給が停止する場合に切り替わる際の動作について説明する。
することにより、トランジスタ151を導通状態とする。このとき、電位VVDDは電位
VDDとなる。制御信号ENは、間欠的に”L”にする。発振回路144は、制御信号E
Nを”L”にする期間で発振する。発振回路144の出力信号にあたる電位V144は、
電位VDDと電位VSS1との間で発振するように変化する。電位V141は、電位VS
S1と電位VSS2との間で発振するように変化する。電位V141が変化して電位VS
S2となる間、電位VBGは、VSS2とすることができる。そのため、制御信号ENを
”L”にするタイミングでバッテリー130を充電することができるため、電源電圧が供
給されている期間に定期的にバッテリー130の充電を行うことができる。
”H”にすることにより、トランジスタ151を非導通状態とする。また、制御信号EN
も”H”にする。このとき、電位VVDDは電位VSS1(GND)となる。電位VBG
、V141は、電位V144が低下することに伴って、容量素子141の容量結合が生じ
、電位が電位VSS2に低下する。そのため、バッテリー130には、起電力VBAT以
上の電圧が印加されることで充電される。バッテリーの充電によって、バッテリー130
内に電流が流れるため、電位VBGは次第に上昇し、電位(VSS1−VBAT)となる
。そしてバッテリー130の充電が停止するとともに、電位VBGは電位(VSS1−V
BAT)で安定になる。
け、電位VBGを定期的に下げて、バッテリーの充電をおこなってもよい。この場合の半
導体装置のブロック図の一例を図5に示す。
、回路120が有するオフ電流が低いトランジスタ121を利用して、回路110に記憶
したデータを退避させて保持させ、このトランジスタ121のバックゲートに印加する電
位を、回路110に対応して設けたバッテリー130から与える構成とすることができる
。また本発明の一態様では、トランジスタ121のバックゲートに印加する電位、バッテ
リー130を充電するための電位を、電圧生成回路140で生成する構成とする。電圧生
成回路140は、スイッチ150による半導体装置100へのパワー・ゲーティングを利
用して、電位を生成し、バッテリーの充電を行う構成とすることができる。
ランジスタ121のバックゲートに印加する電位VBGは、バッテリー130から与えら
れる電位となる。バッテリー130は、トランジスタ121のバックゲートの電位VBG
を一定の電位に保持し続けることができるため、非充電時の電位の変動を小さく保つこと
ができる。また、トランジスタ121のバックゲートの電位VBGをトランジスタの閾値
電圧を改善できる電位に保つことで、回路120をデータ保持特性に優れたものとするこ
とができる。
できる。
本実施の形態では、上記実施の形態1、2で説明した回路110及び回路120の一例を
示し、その動作について説明する。図6には、回路110及び回路120の具体的な回路
図を図示している。なお図6に一例として示す回路110及び回路120は、データ退避
可能なラッチ回路200として機能する回路である。電源電圧の供給時には、回路110
でデータを保持し、電源電圧の供給停止時には、回路120でデータを保持する。
に対応する電位を保持することが可能なノードN1、ノードN2を有する。回路110に
は、実施の形態1で説明した電位VVDD及び電位VSS1が供給される。
ンバータ104及びスイッチ105を有する。
号CBが入力され、出力信号Qを出力する。
端子は、ノードN2に接続されている。
端子は、スイッチ105の一方の端子に接続されている。またスイッチ105の他方の端
子は、ノードN1に接続されている。スイッチ105は、反転クロック信号CBによって
オン又はオフが制御される。
103の他方の端子は、ノードN1に接続されている。スイッチ103は、クロック信号
Cによってオン又はオフが制御される。
端子は、出力信号Qを与える配線に接続されている。
他にもスイッチ103及びスイッチ105には、トランジスタを用いることもできる。
ドインバータを用いることで一つの構成としてもよい。
を供給する。
保持が可能なノードMN1、MN2を有する。
スタ122、容量素子123、及びトランジスタ124を有する。また、回路120は、
回路110のノードN1,N2に保持された、データ”1”又は”0”に対応する電位を
、少なくとも電源電圧の供給が停止している期間において保持することが可能なノードM
N1、MN2を有する。なおトランジスタ121,122、124は、一例として、nチ
ャネル型のトランジスタとして説明する。
線に接続されている。トランジスタ121は、バックゲートが、電位VBGが与えられる
配線に接続されている。トランジスタ121は、ソース又はドレインの一方がノードN1
(ノードN2)に接続されている。トランジスタ121は、ソース又はドレインの他方が
ノードMN1(MN2)に接続されている。
23は、他方の電極が、電位VSS1が与えられる配線に接続されている。なお容量素子
123は、トランジスタ122のゲート容量等を大きくしておくことで、省略することが
可能である。
タ122は、ソース又はドレインの一方が、電位VSS1が与えられる配線に接続されて
いる。なおトランジスタ122は、一例として、nチャネル型のトランジスタとして説明
する。
線に接続されている。トランジスタ124は、ソース又はドレインの一方がトランジスタ
122のソース又はドレインの他方に接続されている。トランジスタ124は、ソース又
はドレインの他方がノードN2(N1)に接続されている。
替えるための信号である。制御信号SaveをHレベルに切り替えることで、回路110
のノードN1(N2)のデータは、ノードMN1(MN2)に退避することができる。ま
た、制御信号SaveをLレベルに切り替えることで、ノードMN1(MN2)は、デー
タに対応する電荷を保持し続けることができる。
他方との導通状態を切り替えるための信号である。制御信号LoadをHレベルに切り替
えることで、回路120のノードMN1(MN2)のデータは、ノードN2(N1)に復
帰することができる。回路120は、ノードMN1(MN2)に保持される電位の電位差
がトランジスタ122のチャネル抵抗の差に反映されるため、回路110のノードN2(
N1)に電位差を生じさせることができる。そして回路110への電源電圧の供給を再開
することに伴って、回路110のデータを復帰することができる。
。
化を示している。ここでは、クロック信号C、反転クロック信号CB、データ信号D、出
力信号Q、制御信号S、制御信号L、電位VVDD、ノードMN1の電位、ノードMN2
の電位の変化を示している。
0の状態を表す。期間P1は、通常動作期間である。期間P2は、動作停止移行期間であ
る。期間P3は、動作停止期間である。期間P4は、動作再開移行期間である。
い。制御信号SをHレベルにして、回路110から回路120へのデータの退避を行う。
一例として、図6(B)では、ノードMN1にHレベル、ノードMN2にLレベルの電位
を保持する構成を示している。また期間P2では、ラッチ回路200への電源電圧の供給
を停止する。
力はほぼ0とする。なお、ノードMN1(MN2)の電位は、電流がほとんど流れないた
め、一定値が保たれる。
を期間P2の動作停止移行期間の電位にする。そして制御信号LをHレベルにし、電源電
圧の供給を再開する。この時、ノードMN1(MN2)の電位は、トランジスタ122の
チャネル抵抗が異なることを利用して、回路110のノードN2(N1)に復元される。
P1の通常動作期間を再開することができる。
荷を保持するためのトランジスタ121のバックゲートに印加する電位を、上記実施の形
態1、2で説明した構成で与える。すなわち、回路110に対応して設けたバッテリー1
30から与える構成とする。バッテリー130は、トランジスタ121のバックゲートの
電位を一定の電位に保持し続けることができるため、電位の変動を小さく保つことができ
る。また、トランジスタ121のバックゲートの電位をトランジスタの閾値電圧を改善で
きる電位に保つことで、回路120をデータ保持特性に優れたものとすることができる。
毎に設ける構成としてもよい。例えば図7(A)に図示するように、回路110及び回路
120を有する複数のラッチ回路200に対応して、バッテリー130及び電圧生成回路
140を設ける構成としてもよい。なお図7(A)では、スイッチ150を複数のラッチ
回路200に対して1つ設ける構成を示しているが、複数設けてもよい。あるいは、図7
(B)に図示するように、回路110及び回路120を有する複数のラッチ回路200に
対応して、一組のバッテリー130及び電圧生成回路140を設ける構成としてもよい。
て機能する半導体装置内のレジスタとして適用可能である。演算処理回路として機能する
半導体装置一の例について説明する。
導体装置は、演算処理部401と、電源部402と、を有する。演算処理部401は、デ
ータラッチ及びセレクタとしての機能を有する回路411と、内部クロック生成及びリセ
ット制御の機能を有する回路412と、デコード部414と、演算制御部416と、レジ
スタセット420と、演算部422と、アドレスバッファ424と、を有する。電源部4
02は、電源回路426を有する。
電源供給制御スイッチ427は、上述したスイッチ150に相当する。
る。デコード部414は、入力された命令データのデコードを行い、命令内容を解析する
機能を有する。
ート生成部418には、レジスタ419が設けられる。ステート生成部418では、半導
体装置の状態を設定するための信号を生成する。
プログラムカウンタ、汎用レジスタ、及び演算レジスタとして機能するレジスタが含まれ
る。レジスタセット420は、演算処理に必要なデータを格納する機能を有する。
る。演算部422は、ALU423により入力されるデータの演算処理を行う機能を有す
る。なお、演算部422にもレジスタを設けてもよい。
レスデータのためのバッファゲートである。
れる。また演算処理部401には、データバスを介して8ビットのデータが入力される。
また演算処理部401には、演算制御信号が入力される。
1からは、バス制御信号が出力される。
ジスタセット420、及びアドレスバッファ424に入力される。8ビットのデータは、
データバスを介して、回路412、レジスタセット420及び演算部422に入力される
。演算制御信号は、回路412、及び演算制御部416に入力される。
号は、演算制御部416から出力される。
て、データ、アドレス、演算制御信号の入出力を行うことができる。
る機能を有する。このような機能を有する回路として、図6(A)、(B)、図7で説明
したデータ退避可能なラッチ回路を適用することができる。そのため、データに対応する
電荷を保持するためのトランジスタ121のバックゲートに印加する電位を、上記実施の
形態1、2で説明した構成で与えることができる。すなわち、回路110に対応して設け
たバッテリー130から与える構成とすることができる。バッテリー130は、トランジ
スタ121のバックゲートの電位を一定の電位に保持し続けることができるため、電位の
変動を小さく保つことができる。また、トランジスタ121のバックゲートの電位をトラ
ンジスタの閾値電圧を改善できる電位に保つことで、回路120をデータ保持特性に優れ
たものとすることができる。
できる。
本実施の形態では、上記実施の形態1又は2で説明した半導体装置100に適用できるト
ランジスタ及びバッテリーの断面図について、図9乃至図11を用いて説明を行う。
図9は、同一基板上に作製された、トランジスタ720と、トランジスタ730と、バッ
テリー740と、を含む半導体装置1000の断面図を示している。トランジスタ720
は基板700に設けられ、トランジスタ730はトランジスタ720の上に設けられ、バ
ッテリー740はトランジスタ730の上に設けられている。
縁膜731と、トランジスタ730と、絶縁膜732と、絶縁膜741と、バッテリー7
40と、絶縁膜742と、プラグ701、703、704及び706と、配線702及び
705と、配線707と、を有する。トランジスタ720は、ゲート電極726と、ゲー
ト絶縁膜724と、側壁絶縁層725と、ソース領域又はドレイン領域として機能する不
純物領域721と、LDD(Lightly Doped Drain)領域やエクステ
ンション領域として機能する不純物領域722と、チャネル形成領域723と、を有する
。
び側壁絶縁層725をマスクとして用いて、不純物領域721及び不純物領域722を自
己整合的に形成することができる。
導体基板、シリコンゲルマニウムを材料とした化合物半導体基板や、SOI(Silic
on on Insulator)基板などを用いることができる。半導体基板を用いて
形成されたトランジスタは、高速動作が容易である。なお、基板700としてp型の単結
晶シリコン基板を用いた場合、基板700の一部にn型を付与する不純物元素を添加して
n型のウェルを形成し、n型のウェルが形成された領域にp型のトランジスタを形成する
ことも可能である。n型を付与する不純物元素としては、リン(P)、砒素(As)等を
用いることができる。p型を付与する不純物元素としては、ボロン(B)等を用いること
ができる。
導電体基板としては、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基
板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板などが挙げられる。該絶縁基
板として、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、可撓性基板、貼り合わせ
フィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどが挙げられる。ガラス基板の一
例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライム
ガラスなどがある。可撓性基板の一例としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)
、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)に代表され
るプラスチック、又はアクリル等の可撓性を有する合成樹脂などがある。貼り合わせフィ
ルムの一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又は塩化ビニ
ルなどがある。基材フィルムの一例としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、
アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。
もよい。半導体素子が転置される基板の一例としては、上述した基板に加え、紙基板、セ
ロファン基板、アラミドフィルム基板、ポリイミドフィルム基板、石材基板、木材基板、
布基板(天然繊維(絹、綿、麻)、合成繊維(ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル)
若しくは再生繊維(アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル)などを含む)
、皮革基板、又はゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、特性のよいト
ランジスタの形成、消費電力の小さいトランジスタの形成、壊れにくい装置の製造、耐熱
性の付与、軽量化、又は薄型化を図ることができる。
タと分離されている。
層を有さないトランジスタを用いてもよい。シリサイド(サリサイド)を有する構造であ
ると、ソース領域およびドレイン領域がより低抵抗化でき、半導体装置の高速化が可能で
ある。また、低電圧で動作できるため、半導体装置の消費電力を低減することが可能であ
る。
ついては、後述する実施の形態5で説明を行う。
30を形成することも可能である。この場合の断面図を図11に示す。
ランジスタ720の半導体膜の近傍に設けられる絶縁膜中の水素はシリコンのダングリン
グボンドを終端し、トランジスタ720の信頼性を向上させる効果がある。一方、上層に
設けられるトランジスタ730に酸化物半導体を用いた場合、トランジスタ730の半導
体膜の近傍に設けられる絶縁膜中の水素は、酸化物半導体中にキャリアを生成する要因の
一つとなるため、トランジスタ730の信頼性を低下させる要因となる場合がある。した
がって、シリコン系半導体材料を用いたトランジスタ720の上層に酸化物半導体を用い
たトランジスタ730を積層して設ける場合、これらの間に水素の拡散を防止する機能を
有する絶縁膜731を設けることは特に効果的である。絶縁膜731により、下層に水素
を閉じ込めることでトランジスタ720の信頼性が向上することに加え、下層から上層に
水素が拡散することが抑制されることでトランジスタ730の信頼性も同時に向上させる
ことができる。
、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化
窒化ハフニウム、イットリア安定化ジルコニア(YSZ)等を用いることができる。
タ730上に水素の拡散を防止する機能を有する絶縁膜732を形成することが好ましい
。絶縁膜732としては、絶縁膜731と同様の材料を用いることができ、特に酸化アル
ミニウムを適用することが好ましい。酸化アルミニウム膜は、水素、水分などの不純物お
よび酸素の双方に対して膜を透過させない遮断(ブロッキング)効果が高い。したがって
、トランジスタ730を覆う絶縁膜732として酸化アルミニウム膜を用いることで、ト
ランジスタ730に含まれる酸化物半導体膜からの酸素の脱離を防止するとともに、酸化
物半導体膜への水および水素の混入を防止することができる。
Cu)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、金(Au)、アルミニウム(Al)
、マンガン(Mn)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、ニッケル(Ni)、クロム(
Cr)、鉛(Pb)、錫(Sn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)の低抵抗材料からなる
単体、もしくは合金、またはこれらを主成分とする化合物を含む導電膜の単層または積層
とすることが好ましい。特に、プラグ701、703、704及び706並びに配線70
2、705及び707に、Cu−Mn合金を用いると、酸素を含む絶縁体との界面に酸化
マンガンを形成し、該酸化マンガンがCuの拡散を抑制する機能を持つので好ましい。
ーであり、且つ、固体電解質を含む全固体電池である。
半導体製造プロセスとは、成膜工程、結晶化工程、メッキ工程、洗浄工程、リソグラフィ
工程、エッチング工程、研磨工程、不純物注入工程、熱処理工程など、半導体デバイスを
製造するときに用いられる手法全般を表す。
酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ジ
ルコニウム、酸化イットリウム、酸化ガリウム、酸化ランタン、酸化セシウム、酸化タン
タルまたは酸化マグネシウムの一種以上を選択して、単層または積層で用いればよい。
クする)機能を有することが好ましい。バッテリー740に含まれるリチウムが、可動イ
オンとして半導体素子(トランジスタ720またはトランジスタ730)へ侵入すると、
半導体素子の劣化を引き起こす。絶縁膜741がリチウムイオンをブロックすることで、
信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
などのハロゲンを含むことが好ましい。絶縁膜741がハロゲンを含むことで、アルカリ
金属であるリチウムと容易に結合し、リチウムが絶縁膜741の中で固定化され、リチウ
ムが絶縁膜741の外へ拡散することを防ぐことができる。
Deposition)法で成膜した場合、原料ガス中に体積比で3%から6%、例えば
5%ほどのハロゲンを含むガスを混入させておくと、得られる窒化シリコン膜中にハロゲ
ンが取り込まれる。絶縁膜741に含まれるハロゲン元素は、二次イオン質量分析法(S
IMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)により得
られる濃度を、1×1017atoms/cm3以上、好ましくは1×1018atom
s/cm3以上、より好ましくは1×1019atoms/cm3以上とする。
えば樹脂(ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂など)、ガラス、アモルファス化合物、セラミックス等の絶縁性材
料を用いることができる。また、樹脂の層間に、吸水層としてフッ化カルシウムなどを有
する層を設けてもよい。絶縁膜742は、スピンコート法、インクジェット法などによっ
て形成する事ができる。また、絶縁膜742は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化
酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニ
ウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、酸化ガリウム、酸化ラン
タン、酸化セシウム、酸化タンタルまたは酸化マグネシウムの一種以上を選択して、単層
または積層で作製してもよい。
この場合、絶縁膜741と同様に、絶縁膜742にリチウムの拡散を防ぐ(ブロックする
)機能を有することが好ましい。絶縁膜742がリチウムをブロックすることで、信頼性
の高い半導体装置を提供することができる。
様に、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲンを含むことが好ましい。絶縁膜742
がハロゲンを含むことで、アルカリ金属であるリチウムと容易に結合し、リチウムが絶縁
膜742の外へ拡散することを防ぐことができる。
絶縁体で構成された領域を表している。該領域には、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミ
ニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化
シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸
化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタルなどから選ばれた一種以上含
む絶縁体を用いることができる。また、該領域には、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、
アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の有機樹脂を用いるこ
ともできる。
、冷却ファンなどの冷却装置を設けることが好ましい。冷却装置を設けることで、バッテ
リー740の発熱による、半導体装置1000の誤動作を防ぐことができる。
図9では、トランジスタ720がプレーナ型のトランジスタの場合を示したが、トランジ
スタ720の形状はこれに限定されない。例えば、FIN(フィン)型、TRI−GAT
E(トライゲート)型などのトランジスタなどとすることができる。その場合の断面図の
例を、図10に示す。
50を有する点で、図9の半導体装置1000と相違する。図10において、左側に示し
たトランジスタ750は、トランジスタのチャネル長方向の断面図を示し、右型に示した
トランジスタ750は、トランジスタのチャネル幅方向の断面図を示している。
細い凸部(フィンともいう)を有する。なお、凸部の上には、絶縁膜が設けられていても
よい。その絶縁膜は、凸部を形成するときに、基板700がエッチングされないようにす
るためのマスクとして機能するものである。なお、凸部は、先端が細くなくてもよく、例
えば、略直方体の凸部であってもよいし、先端が太い凸部であってもよい。基板700の
凸部の上には、ゲート絶縁膜754が設けられ、その上には、ゲート電極756及び側壁
絶縁層755が設けられている。基板700には、ソース領域又はドレイン領域として機
能する不純物領域751と、LDD領域やエクステンション領域として機能する不純物領
域752と、チャネル形成領域753が形成されている。なお、ここでは、基板700が
、凸部を有する例を示したが、本発明の一態様に係る半導体装置は、これに限定されない
。例えば、SOI基板を加工して、凸部を有する半導体領域を形成しても構わない。
る。
わせて用いることができる。
本実施の形態では、上記実施の形態4で説明したバッテリー740に適用できる、バッテ
リー740A乃至740Dの構成例について、上面図及び断面図を用いて説明する。
図12(A)は、バッテリー740Aの上面図であり、図12(A)における一点鎖線X
−Yにおける断面図を図12(B)に示す。なお、図12(A)では、図の明瞭化のため
に一部の要素を拡大、縮小、または省略して図示している。
た正極集電体層502と、正極集電体層502上に形成された正極活物質層503と、正
極活物質層503上に形成された固体電解質層504と、固体電解質層504上に形成さ
れた負極活物質層505と、負極活物質層505上に形成された負極集電体層506と、
を有し、正極集電体層502及び正極活物質層503は正極として機能し、負極集電体層
506及び負極活物質層505は負極として機能する。さらに、少なくとも負極集電体層
506上に、絶縁膜507が成膜され、絶縁膜507の開口部には、配線508が形成さ
れ、配線508は、正極集電体層502又は負極集電体層506と電気的に接続されてい
る。
電解質層504と負極活物質層505の界面に、リチウム層が形成されていてもよい。こ
のリチウム層は、バッテリー740Aにおいて、キャリアとなるリチウムを正極活物質層
または負極活物質層へ供給する(プレドープともいう。)ための層である。なお、上記リ
チウム層は、被形成面全てに形成されていてもよい。また、リチウム層と接して、銅層ま
たはニッケル層が形成されてもよい。該銅層またはニッケル層の形状は、リチウム層と略
同一であればよい。該銅層またはニッケル層は、リチウム層から、正極活物質層または負
極活物質層へリチウムのプレドープを行う際に、集電体として機能することができる。
物質層へドープされてもよいし、リチウム層が残っていてもよい。このようにプレドープ
後もリチウム層が残っていることによって、その後、バッテリーの充放電による不可逆容
量で消失したリチウムを補充するために用いることができる。
い。
6は、スパッタリング法、CVD法、ナノインプリント法、蒸着法などにより形成するこ
とができる。スパッタリング法を用いた場合、RFではなくDC電源を用いて成膜するこ
とが好ましい。DC電源を用いたスパッタリング法は、成膜レートが大きく、そのためタ
クトが短くなり、好ましい。正極集電体層502、正極活物質層503、負極活物質層5
05および負極集電体層506の膜厚は、例えば100nm以上100μm以下とすれば
よい。
(Pt)の一種以上を選択して、単層または積層で用いればよい。また、上記金属の合金
またはこれらを主成分とする化合物を含む導電膜を、単層または積層で用いてもよい。
ニッケル酸リチウムおよび酸化バナジウムの一種以上を選択して、単層または積層で用い
ればよい。
きる。リチウム含有複合リン酸塩(一般式LiMPO4(Mは、Fe(II)、Mn(I
I)、Co(II)、Ni(II)の一以上))の代表例としては、LiFePO4、L
iNiPO4、LiCoPO4、LiMnPO4、LiFeaNibPO4、LiFea
CobPO4、LiFeaMnbPO4、LiNiaCobPO4、LiNiaMnbP
O4(a+bは1以下、0<a<1、0<b<1)、LiFecNidCoePO4、L
iFecNidMnePO4、LiNicCodMnePO4(c+d+eは1以下、0
<c<1、0<d<1、0<e<1)、LiFefNigCohMniPO4(f+g+
h+iは1以下、0<f<1、0<g<1、0<h<1、0<i<1)等がある。
体電解質を用いる。無機系固体電解質は、硫化物系固体電解質や酸化物系固体電解質を用
いることができる。
、Li10GeP2S12、Li3.25Ge0.25P0.75S4、Li2S−P2
S5、Li2S−GeS2、Li2S−SiS2−Li3PO4、Li2S−SiS2−
Ga2S3、Li2S−SiS2−Li4SiO4、LiI−Li2S−P2S5、Li
I−Li2S−B2S3、LiI−Li2S−SiS2、等のリチウム複合硫化物材料が
挙げられる。
i1.07Al0.69Ti1.46(PO4)3、Li4SiO4−Li3BO3、L
i2.9PO3.3N0.46、Li3.6Si0.6P0.4O4、Li1.5Al0
.5Ge1.6(PO4)3、Li2O、Li2CO3、Li2MoO4、Li3PO4
、Li3VO4、Li4SiO4、LLT(La2/3−xLi3xTiO3)、LLZ
(Li7La3Zr2O12)等のリチウム複合酸化物および酸化リチウム材料が挙げら
れる。
)等の高分子系固体電解質を用いてもよい。さらに、上述した無機系固体電解質と高分子
系固体電解質を含む複合的な固体電解質を用いてもよい。
Sn)、アルミニウム(Al)、リチウム(Li)、チタン酸リチウム、ニオブ酸リチウ
ム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ケイ素の一種以上を選択して、単層または積層で用
いればよい。
u)、白金(Pt)およびニッケル(Ni)の一種以上を選択して、単層または積層で用
いればよい。また、上記金属の合金またはこれらを主成分とする化合物を含む導電膜を、
単層または積層で用いてもよい。
い。
よい。つまり、下から順に、負極集電体層506、負極活物質層505、固体電解質層5
04、正極活物質層503、正極集電体層502を作製してもよい。
740Aの容量を計算すると、およそ60μAh/cm2の容量が得られる。
40Aの容量を計算すると、およそ70μAh/cm2の容量が得られる。
740Aの容量を計算すると、およそ60μAh/cm2の容量が得られる。
質の理論容量値(LiFePO4は170mAh/g、LiCoO2は137mAh/g
、LiMn2O4は148mAh/g)を用いて計算を行った。
740Aの面積及び容量を決定すればよい。例えば、正極活物質層503にLiFePO
4を用いた場合、上記計算結果を用いると、バッテリー740Aの面積(正極活物質層5
03と負極活物質層505が重なる部分の面積)を、0.01cm2以上、1cm2以下
に収めることで、バッテリー740Aの容量を0.6μAh以上、60μAh以下にする
ことができる。
のバッテリー740Aを、直列および/または並列に接続してもよい。特に、積層された
複数のバッテリー740Aを直列および/または並列に接続することで、バッテリーのエ
ネルギー密度を大きくし、且つ占有面積を小さくできるので好ましい。
高めるための結着剤(バインダ)、を有してもよい。
は、例えば多糖類などを用いることができる。多糖類としては、カルボキシメチルセルロ
ース(CMC)、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース
およびジアセチルセルロース、再生セルロースなどのセルロース誘導体や、澱粉、などを
用いることができる。
・スチレンゴム、アクリロニトリル・ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、エチレン・プロ
ピレン・ジエン共重合体などのゴム材料を用いることが好ましい。これらのゴム材料は、
前述の水溶性高分子と併用して用いると、さらに好ましい。
チル(PMMA)、ポリアクリル酸ナトリウム、ポリビニルアルコール(PVA)、ポリ
エチレンオキシド(PEO)、ポリプロピレンオキシド、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、
ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、イソブチレン、ポリエチ
レンテレフタレート、ナイロン、ポリフッ化ビニリデン(PVdF)、ポリアクリロニト
リル(PAN)、等の材料を用いることが好ましい。
の導電助剤等を有してもよい。
維などを用いることができる。炭素繊維としては、例えばメソフェーズピッチ系炭素繊維
、等方性ピッチ系炭素繊維等の炭素繊維を用いることができる。また炭素繊維として、カ
ーボンナノファイバーやカーボンナノチューブなどを用いることができる。カーボンナノ
チューブは、例えば気相成長法などで作製することができる。また、導電助剤として、例
えばカーボンブラック(アセチレンブラック(AB)など)又はグラフェンなどの炭素材
料を用いることができる。また、例えば、銅、ニッケル、アルミニウム、銀、金などの金
属粉末や金属繊維、導電性セラミックス材料等を用いることができる。
械的強度という優れた物理特性を有する。そのため、グラフェンを、導電助剤として用い
ることにより、活物質同士の接触点や、接触面積を増大させることができる。
の多層グラフェンを含む。単層グラフェンとは、π結合を有する1原子層の炭素分子のシ
ートのことをいう。また、酸化グラフェンとは、上記グラフェンが酸化された化合物のこ
とをいう。なお、酸化グラフェンを還元してグラフェンを形成する場合、酸化グラフェン
に含まれる酸素は全て脱離されずに、一部の酸素はグラフェンに残存する。グラフェンに
一部の酸素が含まれる場合、酸素の割合は、XPS(X線光電子分光法)で測定した場合
にグラフェン全体の2%以上20%以下、好ましくは3%以上15%以下である。
レータを設けてもよい。セパレータは、空孔が設けられた絶縁体を用いることが好ましい
。例えば、セルロース、ガラス繊維、セラミックス、或いはナイロン(ポリアミド)、ビ
ニロン(ポリビニルアルコール系繊維)、ポリエステル、アクリル、ポリオレフィン、ポ
リウレタンを用いた合成繊維等で形成されたものを用いることができる。
図13に、本発明の一態様に含まれるバッテリーの一例を示す。図13(A)は、バッテ
リー740Bの上面図であり、図13(A)における一点鎖線X−Yにおける断面図を、
図13(B)に示す。なお、図13(A)では、図の明瞭化のために一部の要素を拡大、
縮小、または省略して図示している。
上に形成された正極集電体層502および負極集電体層506と、正極集電体層502上
の正極活物質層503と、負極集電体層506上の負極活物質層505と、少なくとも正
極活物質層503および負極活物質層505と接する固体電解質層504と、を有し、正
極集電体層502および正極活物質層503は正極として機能し、負極集電体層506お
よび負極活物質層505は負極として機能する。さらに、少なくとも固体電解質層504
上に絶縁膜507が形成され、絶縁膜507の開口部には配線508が形成され、配線5
08は、正極集電体層502または負極集電体層506と、電気的に接続されている。
れ、図13(B)のXY方向に正極と負極が存在する点で、図12のバッテリー740A
と異なる。バッテリー740Bを図13(B)に示す構成にすることで、正極と負極の間
にある一定の距離を設けることが可能になり、正極と負極の短絡を防ぐことができる。
の記載を参照すればよい。
時に形成してもよい。正極と負極の集電体層を同一材料で同時に形成することで、製造工
程を簡略化することができる。
図14に、本発明の一態様に含まれるバッテリーの一例を示す。図14(A)は、バッテ
リー740Cの上面図であり、図14(A)における一点鎖線X−Yにおける断面図を、
図14(B)に示す。なお、図14(A)では、図の明瞭化のために一部の要素を拡大、
縮小、または省略して図示している。
上に形成された正極集電体層502および負極集電体層506と、正極集電体層502上
に形成された正極活物質層503と、少なくとも正極活物質層503、絶縁膜501及び
負極集電体層506の上に形成された固体電解質層504と、固体電解質層504を介し
て正極活物質層503の一部と重なり、固体電解質層504及び負極集電体層506上に
形成された負極活物質層505と、を有し、正極集電体層502および正極活物質層50
3は正極として機能し、負極集電体層506および負極活物質層505は負極として機能
する。さらに、少なくとも負極活物質層505上に絶縁膜507が形成され、絶縁膜50
7の開口部には配線508が形成され、配線508は、正極集電体層502または負極集
電体層506と、電気的に接続されている。
の上に形成されている点で、図12(B)に示すバッテリー740Aと異なる。バッテリ
ー740Cを図14(B)に示す構成にすることで、短絡を防ぐために正極集電体層50
2と負極集電体層506との間に、ある一定の距離を設けることができ、イオンの移動を
効率よく行うために、正極活物質層503と負極活物質層505の距離を近づけることが
できる。
の記載を参照すればよい。
ら順に、負極活物質層505、固体電解質層504、正極活物質層503を形成してもよ
い。
時に形成してもよい。正極と負極の集電体層を同一材料で同時に形成することで、製造工
程を簡略化することができる。
図15に、本発明の一態様に含まれるバッテリーの一例を示す。図15(A)は、バッテ
リー740Dの断面図である。
た正極集電体層502と、正極集電体層502上に形成された正極活物質層503と、正
極活物質層503上に形成された固体電解質層504と、固体電解質層504上に形成さ
れた絶縁膜510と、固体電解質層504および絶縁膜510上に形成された負極活物質
層505と、負極活物質層505上に形成された負極集電体層506と、を有し、正極集
電体層502及び正極活物質層503は正極として機能し、負極集電体層506及び負極
活物質層505は負極として機能する。さらに、少なくとも負極集電体層506の上に、
絶縁膜507が形成されている。また、図示されていないが、正極集電体層502及び負
極集電体層506は、配線を介して外部と電気的に接続されている。
接する領域が電池として機能し、電池として機能しない領域は、絶縁膜510が固体電解
質層504と負極活物質層505の間に存在することで、正極と負極の短絡を防ぐことが
できる。
しては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エ
ポキシ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。無機絶縁材料としては、酸化
シリコン、酸化窒化シリコン等を用いることができる。絶縁膜510の作製が容易となる
ため、特に感光性の樹脂を用いることが好ましい。絶縁膜510の形成方法は、特に限定
されず、例えば、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法(インクジェ
ット法等)、印刷法(スクリーン印刷、オフセット印刷等)等を用いればよい。
記載を参照すればよい。
縁膜510を形成してもよい。
れ替えてもよい。つまり、下から順に、負極集電体層506、負極活物質層505、固体
電解質層504、正極活物質層503、正極集電体層502を作製してもよい。
わせて用いることができる。
本実施の形態では、実施の形態4で示した酸化物半導体を半導体層に有するトランジスタ
730(OSトランジスタ)について図を用いて説明する。なお、本実施の形態に示すO
Sトランジスタは一例であり、本発明に用いることができるトランジスタの形状はこれに
限定されない。
図16(A)乃至図16(D)は、トランジスタ730の上面図および断面図である。図
16(A)は上面図であり、図16(A)に示す一点鎖線Y1−Y2方向の断面が図16
(B)に相当し、図16(A)に示す一点鎖線X1−X2方向の断面が図16(C)に相
当し、図16(A)に示す一点鎖線X3−X4方向の断面が図16(D)に相当する。な
お、図16(A)乃至図16(D)では、図の明瞭化のために一部の要素を拡大、縮小、
または省略して図示している。また、一点鎖線Y1−Y2方向をチャネル長方向、一点鎖
線X1−X2方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。
ジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分)とゲート電極とが重なる領域
、またはチャネルが形成される領域における、ソース(ソース領域またはソース電極)と
ドレイン(ドレイン領域またはドレイン電極)との間の距離をいう。なお、一つのトラン
ジスタにおいて、チャネル長が全ての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一つのト
ランジスタのチャネル長は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細書では
、チャネル長は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、最小値
または平均値とする。
電流の流れる部分)とゲート電極とが重なる領域、またはチャネルが形成される領域にお
ける、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さをいう。なお、一つのトランジ
スタにおいて、チャネル幅がすべての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一つのト
ランジスタのチャネル幅は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細書では
、チャネル幅は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、最小値
または平均値とする。
ル幅(以下、実効的なチャネル幅と呼ぶ。)と、トランジスタの上面図において示される
チャネル幅(以下、見かけ上のチャネル幅と呼ぶ。)と、が異なる場合がある。例えば、
立体的な構造を有するトランジスタでは、実効的なチャネル幅が、トランジスタの上面図
において示される見かけ上のチャネル幅よりも大きくなり、その影響が無視できなくなる
場合がある。例えば、微細かつ立体的な構造を有するトランジスタでは、半導体の上面に
形成されるチャネル領域の割合に対して、半導体の側面に形成されるチャネル領域の割合
が大きくなる場合がある。その場合は、上面図において示される見かけ上のチャネル幅よ
りも、実際にチャネルの形成される実効的なチャネル幅の方が大きくなる。
による見積もりが困難となる場合がある。例えば、設計値から実効的なチャネル幅を見積
もるためには、半導体の形状が既知という仮定が必要である。したがって、半導体の形状
が正確にわからない場合には、実効的なチャネル幅を正確に測定することは困難である。
領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さである見かけ上のチャ
ネル幅を、「囲い込みチャネル幅(SCW:Surrounded Channel W
idth)」と呼ぶ場合がある。また、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合に
は、囲い込みチャネル幅または見かけ上のチャネル幅を指す場合がある。または、本明細
書では、単にチャネル幅と記載した場合には、実効的なチャネル幅を指す場合がある。な
お、チャネル長、チャネル幅、実効的なチャネル幅、見かけ上のチャネル幅、囲い込みチ
ャネル幅などは、断面TEM像などを取得して、その画像を解析することなどによって、
値を決定することができる。
る場合、囲い込みチャネル幅を用いて計算する場合がある。その場合には、実効的なチャ
ネル幅を用いて計算する場合とは異なる値をとる場合がある。
74と、ゲート電極674上の絶縁膜652と、絶縁膜652上に、第1の酸化物半導体
661、第2の酸化物半導体662の順で形成された積層と、該積層の一部と電気的に接
続するソース電極671およびドレイン電極672と、該積層の一部、ソース電極671
の一部、およびドレイン電極672の一部を覆う第3の酸化物半導体663と、該積層の
一部、ソース電極671の一部、ドレイン電極672の一部、第3の酸化物半導体663
と重なるゲート絶縁膜653およびゲート電極673と、ソース電極671およびドレイ
ン電極672、ならびにゲート電極673上の絶縁膜654と、絶縁膜654上の絶縁膜
655を有する。なお、第1の酸化物半導体661、第2の酸化物半導体662および第
3の酸化物半導体663をまとめて、酸化物半導体660と呼称する。
は全部)は、第2の酸化物半導体662(および/又は、第1の酸化物半導体661)な
どの半導体層の、表面、側面、上面、および/又は、下面の少なくとも一部(又は全部)
に設けられている。
又は全部)は、第2の酸化物半導体662(および/又は、第1の酸化物半導体661)
などの半導体層の、表面、側面、上面、および/又は、下面の少なくとも一部(又は全部
)と、接触している。または、ソース電極671(および/又は、ドレイン電極672)
の、少なくとも一部(又は全部)は、第2の酸化物半導体662(および/又は、第1の
酸化物半導体661)などの半導体層の少なくとも一部(又は全部)と、接触している。
又は全部)は、第2の酸化物半導体662(および/又は、第1の酸化物半導体661)
などの半導体層の、表面、側面、上面、および/又は、下面の少なくとも一部(又は全部
)と、電気的に接続されている。または、ソース電極671(および/又は、ドレイン電
極672)の、少なくとも一部(又は全部)は、第2の酸化物半導体662(および/又
は、第1の酸化物半導体661)などの半導体層の一部(又は全部)と、電気的に接続さ
れている。
又は全部)は、第2の酸化物半導体662(および/又は、第1の酸化物半導体661)
などの半導体層の、表面、側面、上面、および/又は、下面の少なくとも一部(又は全部
)に、近接して配置されている。または、ソース電極671(および/又は、ドレイン電
極672)の、少なくとも一部(又は全部)は、第2の酸化物半導体662(および/又
は、第1の酸化物半導体661)などの半導体層の一部(又は全部)に、近接して配置さ
れている。
又は全部)は、第2の酸化物半導体662(および/又は、第1の酸化物半導体661)
などの半導体層の、表面、側面、上面、および/又は、下面の少なくとも一部(又は全部
)の横側に配置されている。または、ソース電極671(および/又は、ドレイン電極6
72)の、少なくとも一部(又は全部)は、第2の酸化物半導体662(および/又は、
第1の酸化物半導体661)などの半導体層の一部(又は全部)の横側に配置されている
。
又は全部)は、第2の酸化物半導体662(および/又は、第1の酸化物半導体661)
などの半導体層の、表面、側面、上面、および/又は、下面の少なくとも一部(又は全部
)の斜め上側に配置されている。または、ソース電極671(および/又は、ドレイン電
極672)の、少なくとも一部(又は全部)は、第2の酸化物半導体662(および/又
は、第1の酸化物半導体661)などの半導体層の一部(又は全部)の斜め上側に配置さ
れている。
又は全部)は、第2の酸化物半導体662(および/又は、第1の酸化物半導体661)
などの半導体層の、表面、側面、上面、および/又は、下面の少なくとも一部(又は全部
)の上側に配置されている。または、ソース電極671(および/又は、ドレイン電極6
72)の、少なくとも一部(又は全部)は、第2の酸化物半導体662(および/又は、
第1の酸化物半導体661)などの半導体層の一部(又は全部)の上側に配置されている
。
採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることが
ある。このため、本明細書においては、「ソース」や「ドレイン」という用語は、入れ替
えて用いることができるものとする。
くはチャネル長が20nm以上500nm以下、より好ましくはチャネル長が30nm以
上300nm以下のトップゲート型構造である。
基板640は、単なる支持材料に限らず、他のトランジスタなどのデバイスが形成された
基板であってもよい。この場合、トランジスタ730のゲート電極673、ソース電極6
71、およびドレイン電極672の一つは、上記の他のデバイスと電気的に接続されてい
てもよい。
絶縁膜651、絶縁膜652は、基板640からの不純物の拡散を防止する役割を有する
ほか、酸化物半導体660に酸素を供給する役割を担うことができる。したがって、絶縁
膜651、絶縁膜652は酸素を含む絶縁膜であることが好ましく、化学量論組成よりも
多い酸素を含む絶縁膜であることがより好ましい。例えば、TDS分析にて、酸素原子に
換算した、酸素の脱離量が1.0×1019atoms/cm3以上である膜とする。ま
た、上述のように基板640が他のデバイスが形成された基板である場合、絶縁膜652
は、表面が平坦になるようにCMP(Chemical Mechanical Pol
ishing)法等で平坦化処理を行うことが好ましい。上記TDS分析時における膜の
表面基板温度としては100℃以上700℃以下、または100℃以上500℃以下の範
囲が好ましい。
シウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イッ
トリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化
タンタルなどの酸化物絶縁膜、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化酸化アルミニウム
などの窒化物絶縁膜、または上記材料を混合した膜を用いて形成することができる。
酸化物半導体660は、代表的には、In−Ga酸化物、In−Zn酸化物、In−M−
Zn酸化物(Mは、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd、SnまたはHf)がある
。とくに、酸化物半導体660としては、In−M−Zn酸化物(Mは、Ti、Ga、Y
、Zr、La、Ce、Nd、SnまたはHf)を用いると好ましい。
660は、例えば、Zn−Sn酸化物、Ga−Sn酸化物であっても構わない。
、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd、SnまたはHf)の場合、In−M−Zn酸化物
を成膜するために用いるターゲットの金属元素の原子数比は、In≧M、Zn≧Mを満た
すことが好ましい。このようなターゲットの金属元素の原子数比として、In:M:Zn
=1:1:1、In:M:Zn=1:1:1.2、In:M:Zn=3:1:2、In:
M:Zn=2:1:3が好ましい。なお、成膜される酸化物半導体660の原子数比はそ
れぞれ、誤差として上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプ
ラスマイナス40%の変動を含む。
体663の積層により構成される酸化物半導体660の機能およびその効果について、図
17(B)に示すエネルギーバンド構造図を用いて説明する。図17(A)は、図16(
B)に示すトランジスタ730のチャネル部分を拡大した図で、図17(B)は、図17
(A)にA1−A2の鎖線で示した部位のエネルギーバンド構造を示している。また、図
17(B)は、トランジスタ730のチャネル形成領域のエネルギーバンド構造を示して
いる。
れぞれ、絶縁膜652、第1の酸化物半導体661、第2の酸化物半導体662、第3の
酸化物半導体663、ゲート絶縁膜653の伝導帯下端のエネルギーを示している。
空準位と価電子帯上端のエネルギーとの差(イオン化ポテンシャルともいう。)からエネ
ルギーギャップを引いた値となる。なお、エネルギーギャップは、分光エリプソメータ(
HORIBA JOBIN YVON社 UT−300)を用いて測定できる。また、真
空準位と価電子帯上端のエネルギー差は、紫外線光電子分光分析(UPS:Ultrav
iolet Photoelectron Spectroscopy)装置(PHI社
VersaProbe)を用いて測定できる。
成したIn−Ga−Zn酸化物のエネルギーギャップは約3.5eV、電子親和力は約4
.5eVである。また、原子数比がIn:Ga:Zn=1:3:4のスパッタリングター
ゲットを用いて形成したIn−Ga−Zn酸化物のエネルギーギャップは約3.4eV、
電子親和力は約4.5eVである。また、原子数比がIn:Ga:Zn=1:3:6のス
パッタリングターゲットを用いて形成したIn−Ga−Zn酸化物のエネルギーギャップ
は約3.3eV、電子親和力は約4.5eVである。また、原子数比がIn:Ga:Zn
=1:6:2のスパッタリングターゲットを用いて形成したIn−Ga−Zn酸化物のエ
ネルギーギャップは約3.9eV、電子親和力は約4.3eVである。また、原子数比が
In:Ga:Zn=1:6:8のスパッタリングターゲットを用いて形成したIn−Ga
−Zn酸化物のエネルギーギャップは約3.5eV、電子親和力は約4.4eVである。
また、原子数比がIn:Ga:Zn=1:6:10のスパッタリングターゲットを用いて
形成したIn−Ga−Zn酸化物のエネルギーギャップは約3.5eV、電子親和力は約
4.5eVである。また、原子数比がIn:Ga:Zn=1:1:1のスパッタリングタ
ーゲットを用いて形成したIn−Ga−Zn酸化物のエネルギーギャップは約3.2eV
、電子親和力は約4.7eVである。また、原子数比がIn:Ga:Zn=3:1:2の
スパッタリングターゲットを用いて形成したIn−Ga−Zn酸化物のエネルギーギャッ
プは約2.8eV、電子親和力は約5.0eVである。
c661、Ec662、およびEc663よりも真空準位に近い(電子親和力が小さい)
。
c662よりも0.05eV以上、0.07eV以上、0.1eV以上または0.15e
V以上、かつ2eV以下、1eV以下、0.5eV以下または0.4eV以下真空準位に
近いことが好ましい。
c662よりも0.05eV以上、0.07eV以上、0.1eV以上または0.15e
V以上、かつ2eV以下、1eV以下、0.5eV以下または0.4eV以下真空準位に
近いことが好ましい。
2の酸化物半導体662と第3の酸化物半導体663との界面近傍では、混合領域が形成
されるため、伝導帯下端のエネルギーは連続的に変化する。即ち、これらの界面において
、準位は存在しないか、ほとんどない。
体662を主として移動することになる。そのため、第1の酸化物半導体661と絶縁膜
652との界面、または、第3の酸化物半導体663とゲート絶縁膜653との界面に準
位が存在したとしても、当該準位は電子の移動にほとんど影響しない。また、第1の酸化
物半導体661と第2の酸化物半導体662との界面、および第3の酸化物半導体663
と第2の酸化物半導体662との界面に準位が存在しないか、ほとんどないため、当該領
域において電子の移動を阻害することもない。従って、上記酸化物半導体の積層構造を有
するトランジスタ730は、高い電界効果移動度を実現することができる。
よび第3の酸化物半導体663とゲート絶縁膜653の界面近傍には、不純物や欠陥に起
因したトラップ準位Et600が形成され得るものの、第1の酸化物半導体661、およ
び第3の酸化物半導体663があることにより、第2の酸化物半導体662と当該トラッ
プ準位とを遠ざけることができる。
酸化物半導体662の上面と側面が第3の酸化物半導体663と接し、第2の酸化物半導
体662の下面が第1の酸化物半導体661と接して形成されている(図16(C)参照
)。このように、第2の酸化物半導体662を第1の酸化物半導体661と第3の酸化物
半導体663で覆う構成とすることで、上記トラップ準位の影響をさらに低減することが
できる。
2の酸化物半導体662の電子が該エネルギー差を越えてトラップ準位に達することがあ
る。トラップ準位に電子が捕獲されることで、絶縁膜の界面にマイナスの固定電荷が生じ
、トランジスタのしきい値電圧はプラス方向にシフトしてしまう。
.1eV以上、好ましくは0.15eV以上とすると、トランジスタのしきい値電圧の変
動が低減され、トランジスタの電気特性を良好なものとすることができるため、好ましい
。
、第2の酸化物半導体662のバンドギャップよりも広いほうが好ましい。
Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、CeまたはHfを第2の酸化物半導体662よりも
高い原子数比で含む材料を用いることができる。具体的には、当該原子数比を1.5倍以
上、好ましくは2倍以上、さらに好ましくは3倍以上とする。前述の元素は酸素と強く結
合するため、酸素欠損が酸化物半導体に生じることを抑制する機能を有する。すなわち、
第1の酸化物半導体661および第3の酸化物半導体663は、第2の酸化物半導体66
2よりも酸素欠損が生じにくいということができる。
3が、少なくともインジウム、亜鉛およびM(Al、Ti、Ga、Ge、Y、Zr、Sn
、La、CeまたはHf等の金属)を含むIn−M−Zn酸化物であるとき、第1の酸化
物半導体661をIn:M:Zn=x1:y1:z1[原子数比]、第2の酸化物半導体
662をIn:M:Zn=x2:y2:z2[原子数比]、第3の酸化物半導体663を
In:M:Zn=x3:y3:z3[原子数比]とすると、y1/x1およびy3/x3
がy2/x2よりも大きくなることが好ましい。y1/x1およびy3/x3はy2/x
2よりも1.5倍以上、好ましくは2倍以上、さらに好ましくは3倍以上とする。このと
き、第2の酸化物半導体662において、y2がx2以上であるとトランジスタの電気特
性を安定させることができる。ただし、y2がx2の3倍以上になると、トランジスタの
電界効果移動度が低下してしまうため、y2はx2の3倍未満であることが好ましい。
nおよびMの原子数比率は、好ましくはInが50atomic%未満、Mが50ato
mic%以上、さらに好ましくはInが25atomic%未満、Mが75atomic
%以上とする。また、第2の酸化物半導体662のZnおよびOを除いてのInおよびM
の原子数比率は、好ましくはInが25atomic%以上、Mが75atomic%未
満、さらに好ましくはInが34atomic%以上、Mが66atomic%未満とす
る。
nm以下、好ましくは3nm以上50nm以下とする。また、第2の酸化物半導体662
の厚さは、3nm以上200nm以下、好ましくは3nm以上100nm以下、さらに好
ましくは3nm以上50nm以下とする。また、第2の酸化物半導体662は、第1の酸
化物半導体661および第3の酸化物半導体663より厚い方が好ましい。
は、酸化物半導体中の不純物濃度を低減し、酸化物半導体を真性または実質的に真性にす
ることが有効である。ここで、実質的に真性とは、酸化物半導体のキャリア密度が、1×
1017/cm3未満であること、好ましくは1×1015/cm3未満であること、さ
らに好ましくは1×1013/cm3未満であることを指す。
素は不純物となる。例えば、水素および窒素はドナー準位の形成に寄与し、キャリア密度
を増大させてしまう。また、シリコンは酸化物半導体中で不純物準位の形成に寄与する。
当該不純物準位はトラップとなり、トランジスタの電気特性を劣化させることがある。し
たがって、第1の酸化物半導体661、第2の酸化物半導体662および第3の酸化物半
導体663の層中や、それぞれの界面において不純物濃度を低減させることが好ましい。
、酸化物半導体のある深さにおいて、または、酸化物半導体のある領域において、シリコ
ン濃度を1×1019atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/c
m3未満、さらに好ましくは1×1018atoms/cm3未満とする。また、水素濃
度は、例えば、酸化物半導体のある深さにおいて、または、酸化物半導体のある領域にお
いて、2×1020atoms/cm3以下、好ましくは5×1019atoms/cm
3以下、より好ましくは1×1019atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1
018atoms/cm3以下とする。また、窒素濃度は、例えば、酸化物半導体のある
深さにおいて、または、酸化物半導体のある領域において、5×1019atoms/c
m3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3以下、より好ましくは1×101
8atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1017atoms/cm3以下とす
る。
導体の結晶性を低下させることがある。酸化物半導体の結晶性を低下させないためには、
例えば、酸化物半導体のある深さにおいて、または、酸化物半導体のある領域において、
シリコン濃度を1×1019atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atom
s/cm3未満、さらに好ましくは1×1018atoms/cm3未満とする部分を有
していればよい。また、例えば、酸化物半導体のある深さにおいて、または、酸化物半導
体のある領域において、炭素濃度を1×1019atoms/cm3未満、好ましくは5
×1018atoms/cm3未満、さらに好ましくは1×1018atoms/cm3
未満とする部分を有していればよい。
タのオフ電流は極めて小さい。例えば、ソースとドレインとの間の電圧を0.1V、5V
、または、10V程度とした場合に、トランジスタのチャネル幅で規格化したオフ電流を
数yA/μmから数zA/μmにまで低減することが可能となる。
電気的に取り囲むようにゲート電極673が形成されているため、酸化物半導体660に
対しては垂直方向からのゲート電界に加えて、側面方向からのゲート電界が印加される(
図16(C)参照)。すなわち、酸化物半導体の全体的にゲート電界が印加させることと
なり、電流はチャネルとなる第2の酸化物半導体662全体に流れるようになり、さらに
オン電流を高められる。
次に、酸化物半導体膜の構造について説明する。
単結晶酸化物半導体膜とは、非晶質酸化物半導体膜、微結晶酸化物半導体膜、多結晶酸化
物半導体膜、CAAC−OS膜などをいう。
化物半導体膜である。微小領域においても結晶部を有さず、膜全体が完全な非晶質構造の
酸化物半導体膜が典型である。
ともいう。)を含む。従って、微結晶酸化物半導体膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも原
子配列の規則性が高い。そのため、微結晶酸化物半導体膜は、非晶質酸化物半導体膜より
も欠陥準位密度が低いという特徴がある。
晶部は、一辺が100nm未満の立方体内に収まる大きさである。従って、CAAC−O
S膜に含まれる結晶部は、一辺が10nm未満、5nm未満または3nm未満の立方体内
に収まる大きさの場合も含まれる。CAAC−OS膜は、微結晶酸化物半導体膜よりも欠
陥準位密度が低いという特徴がある。CAAC−OS膜を透過型電子顕微鏡(TEM:T
ransmission Electron Microscope)によって観察する
と、結晶部同士の明確な境界、即ち結晶粒界(グレインバウンダリーともいう。)を確認
することができない。そのため、CAAC−OS膜は、結晶粒界に起因する電子移動度の
低下が起こりにくいといえる。
)すると、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子
の各層は、CAAC−OS膜の膜を形成する面(被形成面ともいう。)または上面の凹凸
を反映した形状であり、CAAC−OS膜の被形成面または上面と平行に配列する。
れている状態をいう。従って、−5°以上5°以下の場合も含まれる。また、「垂直」と
は、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をいう。従って、
85°以上95°以下の場合も含まれる。
M観察)すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列しているこ
とを確認できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られな
い。
いることがわかる。
置を用いて構造解析を行うと、例えばInGaZnO4の結晶を有するCAAC−OS膜
のout−of−plane法による解析では、回折角(2θ)が31°近傍にピークが
現れる場合がある。このピークは、InGaZnO4の結晶の(009)面に帰属される
ことから、CAAC−OS膜の結晶がc軸配向性を有し、c軸が被形成面または上面に概
略垂直な方向を向いていることが確認できる。
ane法による解析では、2θが56°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは
、InGaZnO4の結晶の(110)面に帰属される。InGaZnO4の単結晶酸化
物半導体膜であれば、2θを56°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸(φ軸)と
して試料を回転させながら分析(φスキャン)を行うと、(110)面と等価な結晶面に
帰属されるピークが6本観察される。これに対し、CAAC−OS膜の場合は、2θを5
6°近傍に固定してφスキャンした場合でも、明瞭なピークが現れない。
規則であるが、c軸配向性を有し、かつc軸が被形成面または上面の法線ベクトルに平行
な方向を向いていることがわかる。従って、前述の断面TEM観察で確認された層状に配
列した金属原子の各層は、結晶のab面に平行な面である。
った際に形成される。上述したように、結晶のc軸は、CAAC−OS膜の被形成面また
は上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。従って、例えば、CAAC−OS膜の形
状をエッチングなどによって変化させた場合、結晶のc軸がCAAC−OS膜の被形成面
または上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。
の結晶部が、CAAC−OS膜の上面近傍からの結晶成長によって形成される場合、上面
近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりも結晶化度が高くなることがある。また、CAA
C−OS膜に不純物を添加する場合、不純物が添加された領域の結晶化度が変化し、部分
的に結晶化度の異なる領域が形成されることもある。
による解析では、2θが31°近傍のピークの他に、2θが36°近傍にもピークが現れ
る場合がある。2θが36°近傍のピークは、CAAC−OS膜中の一部に、c軸配向性
を有さない結晶が含まれることを示している。CAAC−OS膜は、2θが31°近傍に
ピークを示し、2θが36°近傍にピークを示さないことが好ましい。
動が小さい。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。
する耐性がPoly−Siトランジスタまたは単結晶Siトランジスタより強く、例えば
プラスチックなど柔軟性の高い基板に適している。
AC−OS膜のうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
とが好ましい。
る。例えば、処理室内に存在する不純物濃度(水素、水、二酸化炭素、および窒素など)
を低減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点
が−80℃以下、好ましくは−100℃以下である成膜ガスを用いる。
レーションが起こる。具体的には、基板加熱温度を100℃以上740℃以下、好ましく
は200℃以上500℃以下として成膜する。成膜時の基板加熱温度を高めることで、平
板状またはペレット状のスパッタリング粒子が基板に到達した場合、基板上でマイグレー
ションが起こり、スパッタリング粒子の平らな面が基板に付着する。
を軽減すると好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、30体積%以上、好ましくは100体
積%とする。
後、1000℃以上1500℃以下の温度で加熱処理をすることで多結晶であるIn−G
a−Zn系酸化物ターゲットとする。なお、X、YおよびZは任意の正数である。ここで
、所定のmol数比は、例えば、InOX粉末、GaOY粉末およびZnOZ粉末が、2
:2:1、8:4:3、3:1:1、1:1:1、4:2:3、1:4:4、3:1:2
または2:1:3である。なお、粉末の種類、およびその混合するmol数比は、作製す
るターゲットによって適宜変更すればよい。
ゲート電極673、ゲート電極674は、クロム(Cr)、銅(Cu)、アルミニウム(
Al)、金(Au)、銀(Ag)、亜鉛(Zn)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta
)、チタン(Ti)、タングステン(W)、マンガン(Mn)、ニッケル(Ni)、鉄(
Fe)、コバルト(Co)、ルテニウム(Ru)から選ばれた金属元素、上述した金属元
素を成分とする合金、または上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成するこ
とができる。また、ゲート電極673、ゲート電極674は、一層構造でも、二層以上の
積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウ
ム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、
窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タング
ステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミ
ニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造、Cu−Mn合金膜の単
層構造、Cu−Mn合金膜上にCu膜を積層する二層構造、Cu−Mn合金膜上にCu膜
を積層し、さらにその上にCu−Mn合金膜を積層する三層構造等がある。特にCu−M
n合金膜は、電気抵抗が低く、且つ、酸素を含む絶縁膜との界面に酸化マンガンを形成し
、Cuの拡散を防ぐことができるため好ましい。
ンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタン
を含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物
、酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を適用する
こともできる。また、上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とする
こともできる。
ゲート絶縁膜653には、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒
化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化
イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび
酸化タンタルを一種以上含む絶縁膜を用いることができる。また、ゲート絶縁膜653は
上記材料の積層であってもよい。なお、ゲート絶縁膜653に、ランタン(La)、窒素
、ジルコニウム(Zr)などを、不純物として含んでいてもよい。
例えば、酸素、窒素、シリコン、ハフニウムなどを有する。具体的には、酸化ハフニウム
、および酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを含むと好ましい。
て、酸化シリコンを用いた場合と比べて、ゲート絶縁膜653の膜厚を大きくできるため
、トンネル電流によるリーク電流を小さくすることができる。即ち、オフ電流の小さいト
ランジスタを実現することができる。さらに、結晶構造を有する酸化ハフニウムは、非晶
質構造を有する酸化ハフニウムと比べて高い比誘電率を備える。したがって、オフ電流の
小さいトランジスタとするためには、結晶構造を有する酸化ハフニウムを用いることが好
ましい。結晶構造の例としては、単斜晶系や立方晶系などが挙げられる。ただし、本発明
の一態様は、これらに限定されない。
ソース電極671およびドレイン電極672は、ゲート電極673と同様の材料で作製す
ることができる。特にCu−Mn合金膜は、電気抵抗が低く、且つ、酸化物半導体660
との界面に酸化マンガンを形成し、Cuの拡散を防ぐことができるため好ましい。
絶縁膜654は、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等のブロッキングで
きる機能を有する。絶縁膜654を設けることで、酸化物半導体660からの酸素の外部
への拡散と、外部から酸化物半導体660への水素、水等の入り込みを防ぐことができる
。絶縁膜654としては、例えば、窒化物絶縁膜を用いることができる。該窒化物絶縁膜
としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム
等がある。なお、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等のブロッキング効
果を有する窒化物絶縁膜の代わりに、酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する酸化
物絶縁膜を設けてもよい。酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する酸化物絶縁膜と
しては、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、
酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等があ
る。
せない遮断効果が高いので絶縁膜654に適用するのに好ましい。したがって、酸化アル
ミニウム膜は、トランジスタの作製工程中および作製後において、トランジスタの電気特
性の変動要因となる水素、水分などの不純物の酸化物半導体660への混入防止、酸化物
半導体660を構成する主成分材料である酸素の酸化物半導体からの放出防止、絶縁膜6
52からの酸素の不必要な放出防止の効果を有する保護膜として用いることに適している
。また、酸化アルミニウム膜に含まれる酸素を酸化物半導体中に拡散させることもできる
。
また、絶縁膜654上には絶縁膜655が形成されていることが好ましい。当該絶縁膜に
は、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリ
コン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ラ
ンタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルを一種以上含む絶縁膜を用い
ることができる。また、当該酸化物絶縁膜は上記材料の積層であってもよい。
わせて用いることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図18を用いて説明を行う。
5000、表示部5001、スピーカ5003、LEDランプ5004、操作キー500
5(電源スイッチ、又は操作スイッチを含む)、接続端子5006、センサ5007(力
、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、
音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい
又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン5008、等を有することがで
きる。
赤外線ポート5010、等を有することができる。図18(B)は記録媒体を備えた携帯
型の画像再生装置(たとえば、DVD再生装置)であり、上述したものの他に、第2表示
部5002、記録媒体読込部5011、等を有することができる。図18(C)はゴーグ
ル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第2表示部5002、支持部5012、
イヤホン5013、等を有することができる。図18(D)は携帯型遊技機であり、上述
したものの他に、記録媒体読込部5011、等を有することができる。図18(E)はテ
レビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ5014、シャ
ッターボタン5015、受像部5016、等を有することができる。図18(F)は携帯
型遊技機であり、上述したものの他に、第2表示部5002、記録媒体読込部5011、
等を有することができる。
えば、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示部に表示する機能、タッチ
パネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア(プロ
グラム)によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコン
ピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受
信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表
示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器において
は、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を
表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画
像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器において
は、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正
する機能、撮影した画像を記録媒体(外部又はカメラに内蔵)に保存する機能、撮影した
画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図18(A)乃至図18
(F)に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有
することができる。
線受信部を有することを特徴とする。
テナから電子機器5100に電力供給できるようにする。電子機器5100は複数のバッ
テリーを有しており、そのうちの少なくとも一つが無線充電によって充電される。ハンド
ル5103に電子機器5100を固定できるような治具を設けてもよい。ハンドル510
3に電子機器5100を固定すれば、ハンドフリーで電話、またはテレビ電話をかけるこ
ともできる。また、電子機器5100に設けたマイクで音声認証し、操縦者の音声によっ
て車を操縦することもできる。
とができる。また、車の表示部5101に表示していない情報、例えばエンジン回転数、
ハンドル角度、温度、タイヤ空気圧などを表示部5102に表示させてもよい。表示部5
102はタッチ入力機能を有する。また、車外を撮影する1つまたは複数のカメラを用い
て車外の様子を表示部5102に表示させることもでき、例えばバックモニターとしても
用いることができる。また、居眠り運転を防止するために、車から走行速度などの情報を
無線で受信し、走行速度をモニタリングしながら走行時は、電子機器5100から運転手
を撮影し、目を閉じている状態が長いと電子機器5100を振動させる、または、警告音
や、音楽が流れるようにする設定などを運転手が適宜選択できる。また、車の停止時には
運転手の撮影を停止して省電力を図り、さらに停止中には無線で電子機器5100のバッ
テリーを充電することができるようにしてもよい。
、そのいろいろな機能を持たせるために多くのセンサや、複数のアンテナが内蔵されるこ
とが望まれる。車などの移動体は、電源を有しているが制限があり、移動体を駆動させる
電力などを考慮すると、電子機器5100に使用する電力はなるべく少なく抑えることが
好ましく、特に電気自動車などは電子機器5100が使用する消費電力によって走行距離
が短くなる恐れがある。電子機器5100にいろいろな機能を持たせても同時に全ての機
能を使用することは少なく、必要に応じて1つの機能または2つの機能だけ使用すること
が多い。機能ごとにバッテリーを用意し、複数のバッテリーを有する電子機器5100に
いろいろな機能を持たせる場合、使用したい機能だけをオン状態としてそれぞれの機能に
対応するバッテリーから電力を供給することで省電力化が図れる。さらに、複数のバッテ
リーのうち、停止している機能に対応するバッテリーは、車に設けたアンテナから無線充
電することができる。
どの機内においては個人の情報端末を使用できる時間などが制限されることもあり、長時
間のフライトである場合には飛行機に備え付けの情報端末が使用できることが望まれる。
おり、通信機能により現在の飛行位置や、残りの到着時間などをリアルタイムに取得でき
る情報端末である。また、表示部5202はタッチ入力機能を有する。
0と重なる位置にアンテナ設置部5203を設け、はめ込んでいる間は無線充電できるよ
うにする。また、電子機器5200は、使用者が体調不良などを乗務員に連絡したい場合
の電話や連絡ツールとしても機能させることができる。電子機器5200に翻訳機能など
を持たせておけば、乗務員とは言語の異なる乗員であっても電子機器5200の表示部5
202を用いてコミュニケーションをとることができる。また、隣り合った言語の異なる
乗員同士でも電子機器5200の表示部5202を用いてコミュニケーションをとること
ができる。また、例えば、乗員が寝ている間、表示部5202に「睡眠中」と英語表示さ
せ続ける、など伝言板としても機能させることもできる。
機器であり、使用したい機能だけをオン状態とし、使用していない機能をオフ状態とし、
省電力化が図れる。さらに、複数のバッテリーのうち、停止している機能に対応するバッ
テリーは、アンテナ設置部5203から無線充電することができる。
る電子機器5200は、安全性が高く、例え一つのバッテリーが爆発したとしてもサイズ
が小さいため、被害がほとんどなく、筐体内での焼け付きに抑えることができる。また、
故障、爆発、または破壊によって、一つのバッテリーが使えなくなっても他のバッテリー
を用いることで電子機器5200が有する機能の一部は使用できる。
00の複数のバッテリーを非常用に使用できるように設計してもよい。複数のシートにそ
れぞれある電子機器5200は全て同じ製品であり、同じ設計であるため、非常用電源と
して直列接続できるようにシステムを構築してもよい。
リチウムイオン二次電池、リチウムイオンキャパシタ、電気二重層キャパシタ、レドック
スキャパシタのいずれか一、または複数種用いることができる。
できる。
本実施の形態では、本発明の一態様である人工臓器の例を示す。
制御回路と、アンテナ5304と、右心房へのワイヤ5302、右心室へのワイヤ530
3とを少なくとも有している。
静脈5305及び上大静脈5306を通過させて一方のワイヤ先端が右心室、もう一方の
ワイヤ先端が右心房に設置されるようにする。
301bに充電され、ペースメーカの交換頻度を少なくすることができる。ペースメーカ
本体5300は複数のバッテリーを有しているため、安全性が高く、一方が故障したとし
てももう一方が機能させることができるため、補助電源としても機能する。また、ペース
メーカに設けるバッテリーをさらに複数に分けて薄型のバッテリーとすれば、CPUなど
を含む制御回路が設けられているプリント基板に搭載し、ペースメーカ本体5300の小
型化や、ペースメーカ本体5300の厚さを薄くすることができる。
していてもよく、例えば、脈拍、呼吸数、心拍数、体温などの生理信号を外部のモニタ装
置で確認できるような心臓活動を監視するシステムを構成してもよい。
込んだ場所に生じる凸部を目立たない大きさにすることができる。
る場合がある。
人工臓器として人工内耳がある。人工内耳は音を電気信号に変え、蝸牛の中に入れた刺激
装置で聴神経を直接刺激する装置である。
1の装置へ送る第2の装置とで構成される。第1の装置と第2の装置は電気的には接続さ
れておらず、ワイヤレスで送受信するシステムである。第1の装置は、音を変換した電気
信号を受信するアンテナと、蝸牛に達するワイヤとを少なくとも有している。また、第2
の装置は、音を電気信号に変換するための音声処理部と、その電気信号を第1の装置に送
信する送信回路とを少なくとも有している。
人工内耳の小型化を図ることができる。
じる凸部を目立たない大きさにすることができる。
できる。
本実施の形態では、本発明の一態様であるウェアラブルな電子機器の例を示す。
置させることで、電子機器の設計の自由度を上げることができる。図21(A)に示すよ
うに電子機器5400は、円筒形であり、人体に装着するためには、1つのバッテリーよ
りも複数のバッテリーに分けて適宜配置することで重量感を緩和させることができる。ま
た、多くの機能を持たせると、待機時のバッテリーの消費が多くなるため、機能ごとにバ
ッテリーを用意する。複数のバッテリーを有する電子機器5400にいろいろな機能を持
たせる場合、使用したい機能だけをオン状態としてそれぞれの機能に対応するバッテリー
から電力を供給することで省電力化が図れる。
から装着している。服5401としては、軍服、防護服、スーツ、制服、宇宙服などの袖
のある服が挙げられる。装着する方法としては特に限定されないが、上腕部に重なる服に
縫製加工によって縫い付ける方式や、上腕部に重なる服に面状ファスナなどを設けて電子
機器5400を貼り付ける方式、バンドや留め金などで固定する方式、帯状の板バネを巻
きつける方式などがある。
、無線充電を行っている場合の斜視図を図21(B)に示す。図21(B)では、上腕5
402に電子機器5400を装着している。皮膚に接するため、電子機器5400の肌に
触れる表面は、肌に優しいフィルムや、皮革、紙、布などの天然素材を用いることが好ま
しい。また、5412は、電力送信装置であり、電子機器5400に電波5413を用い
て無線で充電を行うことができる。また、電力だけでなく、その他の情報も送受信できる
アンテナや回路を設けることで、その他の情報も送受信できる。例えば、新規デバイスを
スマートフォンのように用いることもできる。
できる。
本実施の形態では、図22を用いて、本発明の一態様に適用することのできる電子デバイ
スの一例について説明する。
プル部というが、左右のテンプル部それぞれに複数の二次電池5501を有する。
ら二次電池5501に充電をすることができる。また二次電池5501同士は電気的に接
続されていることが好ましい。二次電池5501同士が電気的に接続されていることで、
一つの端子部5504から全ての二次電池5501に充電をすることができる。
3を有していてもよい。制御部5503により、二次電池5501の充放電を制御し、ま
た表示部5502に表示する画像データを生成することができる。また制御部5503に
無線通信機能を有するチップを搭載することで、外部とデータの送受信が行える。
510としてもよい。眼鏡型デバイス5510には、外付けの表示部5512を取り付け
てもよい。眼鏡型デバイス5510に外付けの表示部5512を取り付けることで、使用
者の目と表示部5512との距離を調整することが容易となる。
給電を行ってもよい。
できる。
MN1 ノード
MN2 ノード
N1 ノード
N2 ノード
P1 期間
P2 期間
P3 期間
P4 期間
VDD 電位
VVDD 電位
V141 電位
V144 電位
V2 電位
VSS1 電位
VSS2 電位
VBG 電位
GND グラウンド電位
X1−X2 一点鎖線
X3−X4 一点鎖線
Y1−Y2 一点鎖線
100 半導体装置
101 インバータ
102 インバータ
103 スイッチ
104 インバータ
105 スイッチ
110 回路
120 回路
121 トランジスタ
122 トランジスタ
123 容量素子
124 トランジスタ
130 バッテリー
140 電圧生成回路
140A 電圧生成回路
140B 電圧生成回路
141 容量素子
142 ダイオード
143 ダイオード
144 発振回路
145 インバータ
150 スイッチ
151 トランジスタ
200 ラッチ回路
401 演算処理部
402 電源部
411 回路
412 回路
414 デコード部
415 レジスタ
416 演算制御部
417 レジスタ
418 ステート生成部
419 レジスタ
420 レジスタセット
421 レジスタ
422 演算部
423 ALU
424 アドレスバッファ
425 レジスタ
426 電源回路
427 電源供給制御スイッチ
501 絶縁膜
502 正極集電体層
503 正極活物質層
504 固体電解質層
505 負極活物質層
506 負極集電体層
507 絶縁膜
508 配線
510 絶縁膜
640 基板
651 絶縁膜
652 絶縁膜
653 ゲート絶縁膜
654 絶縁膜
655 絶縁膜
660 酸化物半導体
661 酸化物半導体
662 酸化物半導体
663 酸化物半導体
671 ソース電極
672 ドレイン電極
673 ゲート電極
674 ゲート電極
700 基板
701 プラグ
702 配線
703 プラグ
704 プラグ
705 配線
707 配線
720 トランジスタ
721 不純物領域
722 不純物領域
723 チャネル形成領域
724 ゲート絶縁膜
725 側壁絶縁層
726 ゲート電極
727 素子分離層
730 トランジスタ
731 絶縁膜
732 絶縁膜
740 バッテリー
740A バッテリー
740B バッテリー
740C バッテリー
740D バッテリー
741 絶縁膜
742 絶縁膜
750 トランジスタ
751 不純物領域
752 不純物領域
753 チャネル形成領域
754 ゲート絶縁膜
755 側壁絶縁層
756 ゲート電極
757 絶縁膜
1000 半導体装置
1100 半導体装置
5000 筐体
5001 表示部
5002 表示部
5003 スピーカ
5004 LEDランプ
5005 操作キー
5006 接続端子
5007 センサ
5008 マイクロフォン
5009 スイッチ
5010 赤外線ポート
5011 記録媒体読込部
5012 支持部
5013 イヤホン
5014 アンテナ
5015 シャッターボタン
5016 受像部
5100 電子機器
5101 表示部
5102 表示部
5103 ハンドル
5200 電子機器
5201 シート
5202 表示部
5203 アンテナ設置部
5300 ペースメーカ本体
5301a バッテリー
5301b バッテリー
5302 ワイヤ
5303 ワイヤ
5304 アンテナ
5305 鎖骨下静脈
5400 電子機器
5401 服
5402 上腕
5413 電波
5500 眼鏡型デバイス
5501 二次電池
5502 表示部
5503 制御部
5504 端子部
5510 眼鏡型デバイス
5512 表示部
Claims (3)
- 第1の回路と、
第2の回路と、
バッテリーと、
電圧生成回路と、
スイッチと、を有する半導体装置であって、
前記第1の回路は、データを保持する機能を有し、
前記スイッチは、前記第1の回路への第1の電位の供給を制御する機能を有し、
前記第2の回路は、第1のトランジスタを有し、
前記第2の回路は、前記第1のトランジスタを介して与えられた、前記データに応じた電荷を保持する機能を有し、
前記バッテリーは、第1の端子と、第2の端子とを有し、
前記バッテリーの第1の端子は第2の電位を与える配線に電気的に接続され、
前記バッテリーの第1の端子の電位は、前記第2の端子の電位よりも高く、
前記電圧生成回路は、前記第2の電位より小さい第3の電位を生成する機能を有し、
前記第1のトランジスタは、第1のゲートと、第2のゲートと、を有し、
前記第1のトランジスタの前記第2のゲートは、前記バッテリーの第2の端子に電気的に接続され、
前記第3の電位は、前記第2のゲートと、前記バッテリーの第2の端子とに与えられる半導体装置であって、
前記スイッチがオフになることで前記第1の回路に蓄えられた電荷が放電されると、前記電圧生成回路は、前記第3の電位を生成する半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1の回路は、ラッチ回路である半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記第1のトランジスタは、酸化物半導体を半導体層に有する半導体装置。
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