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Description
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について、図1乃至図8を参照しながら説明する。
図1は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する上面図である。
本発明の一態様の表示パネルは、第1の表示部700E、第2の表示部500Eまたは接着層535を有する(図1および図3参照)。
第1の表示部700Eは、画素部、配線部、ソースドライバ回路部SD1、ゲートドライバ回路部GD1および端子部を有する(図1および図4参照)。
画素部は画素702E、遮光膜BM、絶縁膜771、絶縁膜721A、絶縁膜721Bおよび絶縁膜728を備える。
画素702Eは、第1の表示素子750EB、着色膜CF1および画素回路を有する。
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、第1の表示素子750EBに用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のMEMS表示素子等を用いることができる。
第1の表示部700Fは、開口部751Hを第1の導電膜751Eに備える。基板710から入射した光の一部は開口部751Hを透過して、基板770から射出することができる。
着色膜CF1は、第1の表示素子750EBと重なる領域を備え、所定の色の光を透過する機能を備える。着色膜CF1は、例えばカラーフィルターとして用いることができる。
遮光膜BMは、副画素702EBと重なる領域に開口部を備える。
トランジスタME1または容量素子C1等を画素回路に用いることができる。
絶縁膜771は、液晶層753および遮光膜BMの間に配設される。または、絶縁膜771は、液晶層753および着色膜CF1の間に配設される。
絶縁膜728は、絶縁膜721Bおよび液晶層753の間に配設される。
例えば、集積回路をソースドライバ回路部SD1に用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を用いることができる(図1参照)。
例えば、トランジスタME2をゲートドライバ回路部GD1に用いることができる(図4(A)および図4(B)参照)。
導電膜720は、半導体膜718と重なる領域を備える。言い換えると、半導体膜718を導電膜720および導電膜704の間に配置する。これにより、トランジスタME1またはトランジスタME2の特性または信頼性を高めることができる。
配線部は信号線711を備える。また、端子部は接続電極719を備える(図4(A)参照)。
例えば、はんだ、導電性ペーストまたは異方性導電膜等を、導電部材ACF1に用いることができる。
透光性を備える材料を基板710に用いることができる。また、研磨法を用いて厚さを薄くした材料を基板710に用いることができる。
透光性を備える材料を基板770に用いることができる。
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等をシール材730に用いることができる。
基板770は、光学フィルム770Pと液晶層753の間に挟まれる。光学フィルム770Pは、第1の表示素子750EBと重なる領域を備える。
第2の表示部500Eは、画素部、配線部、ソースドライバ回路部SD2、ゲートドライバ回路部GD2または端子部を有する(図1および図5参照)。
画素部は、画素を備える。
画素は、第2の表示素子550EB、着色膜CF2および画素回路を有する。
第2の表示素子550EBは、開口部751Hと重なる領域および開口部751Hに向けて光を射出する機能を備える。
着色膜CF2は、第1の導電膜751Eの開口部751Hおよび第2の表示素子550EBの間に配設される。
トランジスタME3等を画素回路に用いることができる。
着色膜CF2および接合層530の間に、絶縁膜571を備える。
絶縁膜528Bは、絶縁膜528Bと重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。
隔壁528Aは、開口部を第2の表示素子550EBと重なる領域に備える。例えば、絶縁性を備える材料を隔壁528Aに用いることができる。これにより、第2の表示素子550EBを隣接する他の構成から分離することができる。または、隔壁528Aに設ける開口部の形状を用いて、第2の表示素子の形状を決定することができる。
例えば、集積回路をソースドライバ回路部SD2に用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を用いることができる(図1参照)。
例えば、トランジスタME4をゲートドライバ回路部GD2に用いることができる(図5参照)。
導電膜520は、半導体膜と重なる領域を備える。言い換えると、半導体膜を導電膜520および導電膜504の間に配置する。これにより、トランジスタME3またはトランジスタME4の信頼性を高めることができる。
配線部は信号線を備える。また、端子部は接続電極519を備える(図5参照)。
導電部材ACF1に用いることができる材料を、導電部材ACF2に用いることができる。
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板510に用いることができる。
例えば、単層の材料または複数の層が積層された材料を、絶縁膜570に用いることができる。例えば、不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、絶縁膜570に用いることができる。具体的には、樹脂と樹脂等を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、絶縁膜570に用いることができる。
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を接合層530に用いることができる。
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を接着層535に用いることができる。
本発明の一態様の表示パネルの別の構成について、図1、図2または図6乃至図8を参照しながら説明する。
第1の表示部700Fにおいて、平坦な第1の導電膜751Fを備える点、光学フィルム770PFを備える点および構造体KB1が基板770に設けられている点、トップゲート型のトランジスタMF1およびトランジスタMF2を備える点が、図4を参照しながら説明する第1の表示部700Eと異なる。
第2の表示部500Fにおいて、着色膜CF2を備えない点および青色、緑色または赤色等の光を射出する第2の表示素子550FBを備える点、トップゲート型のトランジスタMF1およびトランジスタMF2を備える点が、図3を参照しながら説明する第2の表示部500Eとは異なる。
トランジスタMF1は、絶縁膜710Bと重なる領域を備える導電膜704と、絶縁膜710Bおよび導電膜704の間に配設される領域を備える半導体膜718と、を備える。なお、導電膜704はゲート電極の機能を備える(図7(B)参照)。
酸化物半導体膜の抵抗率を制御する方法について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルに用いることができるトランジスタの構成について、図9を参照しながら説明する。
図9(A)は、トランジスタ100の上面図であり、図9(C)は、図9(A)に示す切断線X1−X2間における切断面の断面図に相当し、図9(D)は、図9(A)に示す切断線Y1−Y2間における切断面の断面図に相当する。なお、図9(A)において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ100の構成要素の一部(ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜等)を省略して図示している。また、切断線X1−X2方向をチャネル長方向、切断線Y1−Y2方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。なお、トランジスタの上面図においては、以降の図面においても図9(A)と同様に、構成要素の一部を省略して図示する場合がある。
基板102の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板等を、基板102として用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコンを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、SOI基板等を適用することも可能である。
ゲート電極として機能する導電膜104、及びソース電極として機能する導電膜112a、及びドレイン電極として機能する導電膜112bとしては、クロム(Cr)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、亜鉛(Zn)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、タングステン(W)、マンガン(Mn)、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、コバルト(Co)から選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いてそれぞれ形成することができる。
トランジスタ100のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜106、107としては、プラズマ化学気相堆積(PECVD:(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition))法、スパッタリング法等により、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜および酸化ネオジム膜を一種以上含む絶縁膜を、それぞれ用いることができる。なお、絶縁膜106、107の積層構造とせずに、上述の材料から選択された単層の絶縁膜、または3層以上の絶縁膜を用いてもよい。
酸化物半導体膜108としては、先に示す材料を用いることができる。
絶縁膜114、116は、酸化物半導体膜108に酸素を供給する機能を有する。また、絶縁膜118は、トランジスタ100の保護絶縁膜としての機能を有する。また、絶縁膜114、116は、酸素を有する。また、絶縁膜114は、酸素を透過することのできる絶縁膜である。なお、絶縁膜114は、後に形成する絶縁膜116を形成する際の、酸化物半導体膜108へのダメージ緩和膜としても機能する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルに用いることができるトランジスタの構成について、図10を参照しながら説明する。
図10(A)は、トランジスタ100の上面図であり、図10(B)は、図10(A)に示す切断線X1−X2間における切断面の断面図に相当し、図10(C)は、図10(A)に示す切断線Y1−Y2間における切断面の断面図に相当する。なお、図10(A)において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ100の構成要素の一部(ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜等)を省略して図示している。また、切断線X1−X2方向をチャネル長方向、切断線Y1−Y2方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。なお、トランジスタの上面図においては、以降の図面においても図10(A)と同様に、構成要素の一部を省略して図示する場合がある。
次に、酸化物導電体について説明する。導電膜120a、120bを形成する工程において、導電膜120a、120bは、絶縁膜114、116から酸素の放出を抑制する保護膜として機能する。また、導電膜120a、120bは、絶縁膜118を形成する工程の前においては、半導体としての機能を有し、絶縁膜118を形成する工程の後においては、導電膜120a、120bは、導電体としての機能を有する。
以下に、本実施の形態の半導体装置に含まれる構成要素について、詳細に説明する。
酸化物半導体膜108としては、先に示す材料を用いることができる。
絶縁膜114、116は、トランジスタ100の第2のゲート絶縁膜として機能する。また、絶縁膜114、116は、酸化物半導体膜108に酸素を供給する機能を有する。すなわち、絶縁膜114、116は、酸素を有する。また、絶縁膜114は、酸素を透過することのできる絶縁膜である。なお、絶縁膜114は、後に形成する絶縁膜116を形成する際の、酸化物半導体膜108へのダメージ緩和膜としても機能する。
先に記載の酸化物半導体膜108と同様の材料を、導電膜120a、及び第2のゲート電極として機能する導電膜120bに用いることができる。
絶縁膜118は、トランジスタ100の保護絶縁膜として機能する。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図11を参照しながら説明する。
タッチセンサ804は、表示パネル806と重なる領域を備える。なお、FPC803はタッチセンサ804と電気的に接続される。
例えば、実施の形態1において説明する表示パネルを表示パネル806に用いることができる。なお、FPC805は、表示パネル806と電気的に接続される。
例えば、電源回路または信号処理回路等を駆動回路810に用いることができる。なお、バッテリまたは外部の商用電源に供給される電力を利用することができる。
例えば、上部カバー801と、上部カバー801と嵌めあわせられる下部カバー802と、上部カバー801および下部カバー802で囲まれる領域に収納されるフレーム809と、を筐体部に用いることができる。
バッテリ811は、電力を供給する機能を備える。
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図12乃至図15を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する情報処理装置200は、演算装置210と入出力装置220と、を有する(図12(A)参照)。
本発明の一態様の情報処理装置は、演算装置210または入出力装置220を備える。
演算装置210は、演算部211および記憶部212を備える。また、伝送路214および入出力インターフェース215を備える(図12(A)参照)。
演算部211は、例えばプログラムを実行する機能を備える。例えば、実施の形態6において説明するCPUを用いることができる。これにより、消費電力を十分に低減することができる。
記憶部212は、例えば演算部211が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。
入出力インターフェース215は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路214と電気的に接続することができる。また、入出力装置220と電気的に接続することができる。
入出力装置220は、表示部230、入力部240、検知部250または通信部290を備える。
表示部230は、表示領域231と、駆動回路GDと、駆動回路SDと、を有する(図13(A)参照)。例えば、実施の形態1において説明する表示パネルを用いることができる。これにより、消費電力を低減することができる。
駆動回路GDは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。
駆動回路SDは、画像情報Vに基づいて画像信号を供給する機能を有する。
画素232(i,j)は、第1の表示素子235LCおよび第1の表示素子235LCと重なる第2の表示素子235ELを備える。また、第1の表示素子235LCを駆動する第1の画素回路および第2の表示素子235ELを駆動する第2の画素回路を備える(図13(C)および図13(D))。
例えば、光の透過を制御する機能を備える表示素子を、第1の表示素子235LCに用いることができる。具体的には、偏光板および液晶素子またはシャッター方式のMEMS表示素子等を用いることができる。
例えば、光を射出する機能を備える表示素子を第2の表示素子235ELに用いることができる。具体的には、有機EL素子を用いることができる。
表示素子に応じた回路を画素回路に用いることができる。
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。
さまざまなヒューマンインターフェイス等を入力部240に用いることができる(図12(A)参照)。
検知部250は、周囲の状態を検知して情報P2を取得する機能を備える。
通信部290は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。
図14および図15を参照しながら、本発明の一態様のプログラムを説明する。
様々な命令に様々なイベントを関連付けることができる。
本実施の形態では、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置(記憶装置)、およびそれを含むCPUについて説明する。本実施の形態で説明するCPUは、例えば、実施の形態5において説明する情報処理装置に用いる事が出来る。
電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置(記憶装置)の一例を図16に示す。なお、図16(B)は図16(A)を回路図で表したものである。
以下で、上記の記憶装置を含むCPUについて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の反射型の表示装置を有する表示モジュール及び電子機器について、図19を用いて説明を行う。
本実施例で説明する表示パネルは、第1の表示部2700Eを用いて、表示パネルに入射する外光に対する反射率を制御して、画像を表示できる(図21(A)参照)。これにより、日中の屋外等の明るい環境下において、良好に画像を表示できる。
作製した表示パネルは、第1の表示部2700Eと、第2の表示部2500Eを有する(図21(A)参照)。
第1の表示部2700Eは、第1の表示素子と、着色膜CF1と、を有する。第1の表示素子は、第1の導電膜2751E、液晶材料を含む層LCおよび第2の導電膜を含む。
第2の表示部2500Eは、絶縁膜2570と、第2の表示素子7550EBと、着色膜CF2と、を有する。第2の表示素子は、第3の導電膜、発光性の材料を含む層および第4の導電膜を含む。第2の表示素子および着色膜CF2は、接合層2530を用いて貼り合わされている。なお、本実施例では、白色の光を射出する有機EL素子(OLEDともいう)を第2の表示素子に用いた。
画素は、第1の表示素子と、第1の表示素子の重なる領域を備える第2の表示素子を備える(図22参照)。
以下の4つのステップを有する方法を用いて、表示パネルを作製した(図23(A)および図23(B)参照)。
第1のステップにおいて、開口部を反射膜に備える反射型液晶素子を表示素子に用いる反射型液晶パネルを、第1の表示部2700Eに用いた(図23(A)(U1)参照)。なお、ECB(Electrically Controlled Birefringence)モードで動作する液晶素子を第1の表示素子に用いた。
第2のステップにおいて、工程用基板上に形成された絶縁膜2570と接合層2530を用いて貼り合わされた有機EL素子を表示素子に用いる有機ELパネルを、第2の表示部2500Eに用いた。これにより、絶縁膜2570は封止膜として機能する(図23(A)(U2)参照)。
第3のステップにおいて、工程用基板を絶縁膜2570から分離する(図23(A)(U3)参照)。
第4のステップにおいて、第1の表示部2700Eと第2の表示部2500Eを貼り合わせる。具体的には、反射型液晶素子の開口部に有機EL素子が重なるように位置を合わせて、接合層を用いて貼り合わせる(図23(A)(U4)参照)。
作製した表示パネルに画像情報を表示した結果を図24に示す。
ACF2 導電部材
ANO 配線
C1 容量素子
C2 容量素子
CF1 着色膜
CF2 着色膜
CLK1 基準クロック信号
CLK2 内部クロック信号
G(i) 走査線
GD 駆動回路
GDA 駆動回路
GDB 駆動回路
GD1 ゲートドライバ回路部
GD2 ゲートドライバ回路部
KB1 構造体
KB2 構造体
M トランジスタ
M1 ノード
M2 ノード
ME1 トランジスタ
ME2 トランジスタ
ME3 トランジスタ
ME4 トランジスタ
MF1 トランジスタ
MF2 トランジスタ
P1 位置情報
P2 情報
S(j) 信号線
SD 駆動回路
SD1 ソースドライバ回路部
SD2 ソースドライバ回路部
SW トランジスタ
SW2 トランジスタ
T1 時刻
T2 時刻
T3 時刻
T4 時刻
T5 時刻
T6 時刻
V 画像情報
V0 電位
V1 電位
VCOM1 配線
VCOM2 配線
VDD 電源電位
FPC1 フレキシブルプリント基板
FPC2 フレキシブルプリント基板
PIC1 画像情報
PIC2 画像情報
PIC3 画像情報
PIC4 画像情報
100 トランジスタ
102 基板
104 導電膜
106 絶縁膜
107 絶縁膜
108 酸化物半導体膜
108a 酸化物半導体膜
108b 酸化物半導体膜
108c 酸化物半導体膜
112a 導電膜
112b 導電膜
114 絶縁膜
116 絶縁膜
118 絶縁膜
120a 導電膜
120b 導電膜
200 情報処理装置
210 演算装置
211 演算部
212 記憶部
214 伝送路
215 入出力インターフェース
220 入出力装置
230 表示部
230B 表示部
231 表示領域
232(i,j) 画素
232(i,j)1 部分
232(i,j)2 部分
235EL 表示素子
235LC 表示素子
240 入力部
250 検知部
290 通信部
500E 第2の表示部
500F 第2の表示部
500FB 表示素子
504 導電膜
510 基板
510A 基材
510B 絶縁膜
519 接続電極
520 導電膜
521A 絶縁膜
521B 絶縁膜
528A 隔壁
528B 絶縁膜
530 接合層
535 接着層
550EB 表示素子
550FB 表示素子
551EB 導電膜
552 導電膜
553E 発光性の材料を含む層
553F 発光性の材料を含む層
570 絶縁膜
571 絶縁膜
700E 第1の表示部
700F 第1の表示部
702E 画素
702EB 副画素
702EG 副画素
702ER 副画素
704 導電膜
706 絶縁膜
710 基板
710A 基材
710B 絶縁膜
711 信号線
712A 導電膜
712B 導電膜
718 半導体膜
718A 領域
718B 領域
718C 領域
719 接続電極
720 導電膜
721A 絶縁膜
721B 絶縁膜
728 絶縁膜
730 シール材
750EB 表示素子
751E 導電膜
751F 導電膜
751H 開口部
752 導電膜
753 液晶層
770 基板
770P 光学フィルム
770PF 光学フィルム
771 絶縁膜
800 入出力装置
801 上部カバー
802 下部カバー
803 FPC
804 タッチセンサ
805 FPC
806 表示パネル
809 フレーム
810 駆動回路
811 バッテリ
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
1200 記憶素子
1201 回路
1202 回路
1203 スイッチ
1204 スイッチ
1206 論理素子
1207 容量素子
1208 容量素子
1209 トランジスタ
1210 トランジスタ
1213 トランジスタ
1214 トランジスタ
1220 回路
2500E 第2の表示部
2530 接合層
2570 絶縁膜
2700E 第1の表示部
2751E 導電膜
2751H 開口部
3001 配線
3002 配線
3003 配線
3004 配線
3005 配線
3200 トランジスタ
3300 トランジスタ
3400 容量素子
5000 筐体
5001 表示部
5002 表示部
5003 スピーカ
5004 LEDランプ
5005 操作キー
5006 接続端子
5007 センサ
5008 マイクロフォン
5009 スイッチ
5010 赤外線ポート
5011 記録媒体読込部
5012 支持部
5013 イヤホン
5014 アンテナ
5015 シャッターボタン
5016 受像部
5017 充電器
7302 筐体
7304 表示パネル
7305 アイコン
7306 アイコン
7311 操作ボタン
7312 操作ボタン
7313 接続端子
7321 バンド
7322 留め金
Claims (6)
- 第1の表示素子と、第2の表示素子と、を有する表示パネルであって、
第1の基板上の前記第2の表示素子と、
前記第2の表示素子上の第1の接着層と、
前記第1の接着層上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の第2の接着層と、
前記第2の接着層上の第2の基板と、
前記第2の基板上の前記第1の表示素子と、を有し、
前記第1の表示素子は、開口部を有する反射膜を有し、
前記第1の表示素子は、外光の透過を制御する機能を有し、
前記第2の表示素子は、前記開口部と重なる領域を有し、
前記第2の表示素子は、前記開口部を介して光を射出する機能を有する、表示パネル。 - 第1の表示素子と、第2の表示素子と、を有する表示パネルであって、
第1の基板上の前記第2の表示素子と、
前記第2の表示素子上の第1の接着層と、
前記第1の接着層上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の第2の接着層と、
前記第2の接着層上の第2の基板と、
前記第2の基板上の前記第1の表示素子と、を有し、
前記第1の表示素子は、開口部を有する反射膜と、液晶層と、透光性を有する第1の導電膜と、を有し、
前記第2の表示素子は、反射性を有する第2の導電膜と、発光性の材料を含む層と、透光性を有する第3の導電層と、を有し、
前記開口部は、前記反射膜の面積の5%以上20%以下の面積であり、
前記第2の表示素子は、前記開口部を介して光を射出する機能を有する、表示パネル。 - 第1の表示素子と、第2の表示素子と、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有する表示パネルであって、
第1の基板上の、前記第2の表示素子及び前記第2のトランジスタと、
前記第2の表示素子上及び前記第2のトランジスタ上の、第1の接着層と、
前記第1の接着層上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の第2の接着層と、
前記第2の接着層上の第2の基板と、
前記第2の基板上の、前記第1の表示素子及び前記第1のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタは、前記第1の表示素子に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、前記第2の表示素子に電気的に接続され、
前記第1の表示素子は、開口部を有する反射膜と、液晶層と、透光性を有する第1の導電膜と、を有し、
前記第2の表示素子は、反射性を有する第2の導電膜と、発光性の材料を含む層と、透光性を有する第3の導電層と、を有し、
前記開口部は、前記反射膜の面積の5%以上20%以下の面積であり、
前記第2の表示素子は、前記開口部を介して光を射出する機能を有する、表示パネル。 - 請求項3において、
前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタの各々は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する、表示パネル。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第1の表示素子上の第1の着色膜と、
前記第1の接着層と前記絶縁膜との間の第2の着色膜と、を有し、
前記第2の着色膜は、前記開口部と重なり、かつ前記第1の着色膜と重なる領域を有する、表示パネル。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記第1の基板と前記絶縁膜との間の構造体を有し、
前記構造体は、前記第1の基板と前記絶縁膜との間に間隙を形成する機能を有する、表示パネル。
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