JP6695608B2 - 電極構造体、これを含む電子素子およびその製造方法 - Google Patents
電極構造体、これを含む電子素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6695608B2 JP6695608B2 JP2019513719A JP2019513719A JP6695608B2 JP 6695608 B2 JP6695608 B2 JP 6695608B2 JP 2019513719 A JP2019513719 A JP 2019513719A JP 2019513719 A JP2019513719 A JP 2019513719A JP 6695608 B2 JP6695608 B2 JP 6695608B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- light
- auxiliary electrode
- organic insulating
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 49
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 32
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 26
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- -1 ITO Chemical class 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- POFLWUZZHNNFGH-UHFFFAOYSA-N [Sn]=O.[In].[Sn]=O Chemical compound [Sn]=O.[In].[Sn]=O POFLWUZZHNNFGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
- H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/0036—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B7/00—Insulated conductors or cables characterised by their form
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B7/00—Insulated conductors or cables characterised by their form
- H01B7/0009—Details relating to the conductive cores
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
S1−1)前記透明電極上に遮光層を形成するステップと、
S1−2)前記遮光層上に補助電極層を形成するステップと、
S1−3)前記補助電極層上にエッチング保護パターンを形成するステップと、
S1−4)1回以上のエッチング工程により、前記遮光層および前記補助電極層の前記エッチング保護パターンが形成されていない部分を除去して、前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンを形成するステップとを含むことができる。
S2−1)前記透明電極の前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンが備えられた面上に感光性有機絶縁層を形成するステップと、
S2−2)前記透明電極の前記感光性有機絶縁層が形成された面の反対面側から光を照射する露光ステップと、
S2−3)露光された感光性有機絶縁層を現像して、前記透明電極の前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンが備えられた面上に有機絶縁パターンの前駆体を形成するステップと、
S2−4)前記有機絶縁パターンの前駆体を加熱して、前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンを覆う有機絶縁パターンを形成するリフローステップとを含むことができる。
S1−1)前記透明電極上に遮光層を形成するステップと、
S1−2)前記遮光層上に補助電極層を形成するステップと、
S1−3)前記補助電極層上にエッチング保護パターンを形成するステップと、
S1−4)一括エッチング液で1回のエッチング工程により、前記遮光層および前記補助電極層の前記エッチング保護パターンが形成されていない部分を除去して、前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンを形成するステップと、
S2−1)前記透明電極の前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンが備えられた面上に感光性有機絶縁層を形成するステップと、
S2−2)前記透明電極の前記感光性有機絶縁層が形成された面の反対面側から光を照射する露光ステップと、
S2−3)露光された感光性有機絶縁層を現像して、前記透明電極の前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンが備えられた面上に有機絶縁パターンの前駆体を形成するステップと、
S2−4)前記有機絶縁パターンの前駆体を加熱して、前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンを覆う有機絶縁パターンを形成するリフローステップと、
S2−5)前記有機絶縁パターンを硬化するステップとを含むことができる。
[実施例1]
23nmの厚さのITOフィルム上にスパッタ堆積法で100nmの厚さのアルミニウム膜(遮光層)を形成し、その上に蒸着堆積法で500nmの厚さの銅膜(補助電極層)を形成した。
アルミニウム膜(遮光層)を形成しないことを除き、実施例1と同様に製造した。銅パターン(補助電極パターン)を遮光パターンとして用いて銅パターン上に形成された有機絶縁パターンの前駆体は、銅パターンより線幅が狭いことが分かる。
実施例1および比較例1で形成された有機絶縁パターンの前駆体を140℃で5分または20分間リフローした結果を、それぞれ図6および図7に示した。
2:補助電極層
3:エッチング保護パターン
4:補助電極パターン
5:有機絶縁前駆体層
6:有機絶縁パターンの前駆体
7:有機絶縁パターン
100:透明電極
200:遮光層
210:遮光パターン
300:補助電極層
310:補助電極パターン
400:エッチング保護パターン
500:有機絶縁前駆体層
510:有機絶縁パターンの前駆体
520:有機絶縁パターン
W1:補助電極パターンの線幅
W2:遮光パターンの線幅
W3:有機絶縁パターンの線幅
Claims (18)
- 透明電極と、
前記透明電極上に備えられた遮光パターンと、
前記遮光パターン上に備えられた補助電極パターンと、
前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンを覆う有機絶縁パターンとを含み、
前記遮光パターンの線幅が補助電極パターンの線幅より広く、
前記有機絶縁パターンの前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンと接触する面の反対面が、湾曲した面である、電極構造体。 - 前記有機絶縁パターンの線幅が前記遮光パターンの線幅より広い、請求項1に記載の電極構造体。
- 前記遮光パターンの厚さが100nm以下である、請求項1に記載の電極構造体。
- 前記補助電極パターンの厚さが100nm以上2μm以下である、請求項1に記載の電極構造体。
- 前記遮光パターンが導電性を有する、請求項1に記載の電極構造体。
- 前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンが互いに異なる金属を含む、請求項1に記載の電極構造体。
- 前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンが、互いに異なり、それぞれ独立に、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、およびこれらの合金の少なくとも一つを含む、請求項1に記載の電極構造体。
- 前記有機絶縁パターンがポリイミド系高分子を含む、請求項1に記載の電極構造体。
- 前記遮光パターンが厚さが100nm以下で導電性を有し、
前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンが、互いに異なり、それぞれ独立に、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、およびこれらの合金の少なくとも一つを含み、
前記有機絶縁パターンが、ポリイミド系高分子を含み、前記遮光パターンより広い線幅を有する、請求項1に記載の電極構造体。 - 請求項1から9のいずれか一項に記載の電極構造体を含む電子素子。
- 請求項1から9のいずれか一項に記載の電極構造体の製造方法であって、
前記透明電極上に前記遮光パターン、前記補助電極パターン、および前記有機絶縁パターンが順次に備えられた電極構造体を形成するステップを含む電極構造体の製造方法。 - 前記電極構造体を形成するステップが、
S1)前記透明電極上に前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンを形成するステップと、
S2)前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンを覆う有機絶縁パターンを形成するステップとを含む、請求項11に記載の電極構造体の製造方法。 - 前記S1)ステップが、
S1−1)前記透明電極上に遮光層を形成するステップと、
S1−2)前記遮光層上に補助電極層を形成するステップと、
S1−3)前記補助電極層上にエッチング保護パターンを形成するステップと、
S1−4)1回以上のエッチング工程により、前記遮光層および前記補助電極層の前記エッチング保護パターンが形成されていない部分を除去して、前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンを形成するステップとを含む、請求項12に記載の電極構造体の製造方法。 - 前記S1−4)ステップが、一括エッチング液で1回のエッチング工程により、前記遮光層および前記補助電極層の前記エッチング保護パターンが形成されていない部分を除去して、前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンを形成するステップであり、
前記一括エッチング液に対する前記遮光層および前記補助電極層のエッチング速度の差から、前記遮光パターンの線幅が補助電極パターンの線幅より広く形成される、請求項13に記載の電極構造体の製造方法。 - 前記S2)ステップが、
S2−1)前記透明電極の前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンが備えられた面上に感光性有機絶縁層を形成するステップと、
S2−2)前記透明電極の前記感光性有機絶縁層が形成された面の反対面側から光を照射する露光ステップと、
S2−3)露光された感光性有機絶縁層を現像して、前記透明電極の前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンが備えられた面上に有機絶縁パターンの前駆体を形成するステップと、
S2−4)前記有機絶縁パターンの前駆体を加熱して、前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンを覆う有機絶縁パターンを形成するリフローステップとを含む、請求項12に記載の電極構造体の製造方法。 - 前記S2−4)ステップにおいて、前記有機絶縁パターンの前駆体を加熱する温度が、130℃以上250℃以下である、請求項15に記載の電極構造体の製造方法。
- 前記S2)ステップが、
S2−5)前記有機絶縁パターンを硬化するステップをさらに含む、請求項15に記載の電極構造体の製造方法。 - 前記電極構造体を形成するステップが、
S1−1)前記透明電極上に遮光層を形成するステップと、
S1−2)前記遮光層上に補助電極層を形成するステップと、
S1−3)前記補助電極層上にエッチング保護パターンを形成するステップと、
S1−4)一括エッチング液で1回のエッチング工程により、前記遮光層および前記補助電極層の前記エッチング保護パターンが形成されていない部分を除去して、前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンを形成するステップと、
S2−1)前記透明電極の前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンが備えられた面上に感光性有機絶縁層を形成するステップと、
S2−2)前記透明電極の前記感光性有機絶縁層が形成された面の反対面側から光を照射する露光ステップと、
S2−3)露光された感光性有機絶縁層を現像して、前記透明電極の前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンが備えられた面上に有機絶縁パターンの前駆体を形成するステップと、
S2−4)前記有機絶縁パターンの前駆体を加熱して、前記遮光パターンおよび前記補助電極パターンを覆う有機絶縁パターンを形成するリフローステップと、
S2−5)前記有機絶縁パターンを硬化するステップとを含む、請求項12に記載の電極構造体の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2016-0075924 | 2016-06-17 | ||
KR1020160075924A KR102068870B1 (ko) | 2016-06-17 | 2016-06-17 | 전극 구조체, 이를 포함하는 전자 소자 및 이의 제조방법 |
PCT/KR2017/001976 WO2017217639A1 (ko) | 2016-06-17 | 2017-02-23 | 전극 구조체, 이를 포함하는 전자 소자 및 이의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019522905A JP2019522905A (ja) | 2019-08-15 |
JP6695608B2 true JP6695608B2 (ja) | 2020-05-20 |
Family
ID=60664044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019513719A Active JP6695608B2 (ja) | 2016-06-17 | 2017-02-23 | 電極構造体、これを含む電子素子およびその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10749135B2 (ja) |
EP (1) | EP3474295B1 (ja) |
JP (1) | JP6695608B2 (ja) |
KR (1) | KR102068870B1 (ja) |
CN (1) | CN109416958B (ja) |
WO (1) | WO2017217639A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102447097B1 (ko) * | 2018-08-28 | 2022-09-23 | 주식회사 엘지화학 | 매립형 전극 기판 및 이의 제조방법 |
JP7083009B2 (ja) * | 2020-09-08 | 2022-06-09 | フレデリク リンゲスコーグ | ホイール洗浄装置およびホイールを洗浄する方法 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3779940A (en) | 1972-02-09 | 1973-12-18 | Marathon Oil Co | Polyisocyanuric acid emulsifying agents and derivatives |
JPH07102646B2 (ja) | 1988-09-30 | 1995-11-08 | 株式会社日立製作所 | 金属とポリイミドの複合成形体 |
JP3169628B2 (ja) * | 1991-02-26 | 2001-05-28 | 日本電気株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
JP3149040B2 (ja) | 1992-06-04 | 2001-03-26 | 富士通株式会社 | 薄膜トランジスタ・マトリクス及びその製造方法 |
JPH07102646A (ja) | 1993-10-05 | 1995-04-18 | Hitachi Kizai Kk | 土木・建築用構造部材の接合金物 |
JP3644775B2 (ja) | 1996-10-11 | 2005-05-11 | 大日本印刷株式会社 | プラズマディスプレイパネルの電極形成用の転写シートおよび電極形成方法 |
US6156433A (en) | 1996-01-26 | 2000-12-05 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Electrode for plasma display panel and process for producing the same |
JP3582248B2 (ja) * | 1996-09-13 | 2004-10-27 | 富士通株式会社 | ガス放電表示パネル及びその製造方法 |
JP3661398B2 (ja) | 1998-03-24 | 2005-06-15 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
JP4434411B2 (ja) | 2000-02-16 | 2010-03-17 | 出光興産株式会社 | アクティブ駆動型有機el発光装置およびその製造方法 |
KR100555311B1 (ko) | 2004-02-19 | 2006-03-03 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
JP4489472B2 (ja) | 2004-03-19 | 2010-06-23 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
KR20050121930A (ko) | 2004-06-23 | 2005-12-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
KR100726648B1 (ko) * | 2005-05-11 | 2007-06-11 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 제조 방법 |
KR100922800B1 (ko) | 2005-05-27 | 2009-10-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 하프톤 마스크와 그 제조방법 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법 |
US20070002199A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
JP2007142388A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
JP2007305683A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子 |
KR101113063B1 (ko) * | 2008-05-22 | 2012-02-15 | 주식회사 엘지화학 | 폴리이미드와 노볼락 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물 |
KR20100062564A (ko) * | 2008-12-02 | 2010-06-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
KR101627136B1 (ko) * | 2010-02-19 | 2016-06-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 |
JPWO2011155306A1 (ja) | 2010-06-07 | 2013-08-01 | Necライティング株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス照明装置 |
JP2012142249A (ja) * | 2011-01-06 | 2012-07-26 | Panasonic Corp | プラズマディスプレイパネル |
KR101486180B1 (ko) * | 2011-02-07 | 2015-01-23 | 샤프 가부시키가이샤 | 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법, 표시 패널 및 표시 장치 |
WO2013062059A1 (ja) | 2011-10-26 | 2013-05-02 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置用カラーフィルタおよび有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2013196919A (ja) | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Sony Corp | 有機el表示装置、有機el表示装置の製造方法およびカラーフィルタ基板 |
KR101161301B1 (ko) | 2012-05-21 | 2012-07-04 | 한국기계연구원 | 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유연 기판 |
US9035420B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-05-19 | Lg Chem, Ltd. | Organic light emitting device, display apparatus and illumination apparatus comprising the organic light emitting device, and method for preparing the same |
JP6248941B2 (ja) * | 2012-10-17 | 2017-12-20 | 株式会社Joled | El表示装置 |
KR102072798B1 (ko) | 2013-06-11 | 2020-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 보조 전극을 포함하는 유기 발광 소자 |
EP3016113B1 (en) | 2013-08-16 | 2019-12-25 | LG Display Co., Ltd. | Conductive substrate and manufacturing method thereof |
TWI568052B (zh) * | 2013-09-30 | 2017-01-21 | 樂金顯示科技股份有限公司 | 用於製造有機發光裝置之方法 |
JP5999789B2 (ja) | 2015-03-02 | 2016-09-28 | Necライティング株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス照明装置の製造方法 |
JP7102646B2 (ja) * | 2018-06-08 | 2022-07-20 | クラシエホームプロダクツ株式会社 | 検査選別システム、検査選別方法 |
-
2016
- 2016-06-17 KR KR1020160075924A patent/KR102068870B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-02-23 US US16/303,974 patent/US10749135B2/en active Active
- 2017-02-23 CN CN201780034882.5A patent/CN109416958B/zh active Active
- 2017-02-23 EP EP17813464.9A patent/EP3474295B1/en active Active
- 2017-02-23 WO PCT/KR2017/001976 patent/WO2017217639A1/ko unknown
- 2017-02-23 JP JP2019513719A patent/JP6695608B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3474295A1 (en) | 2019-04-24 |
EP3474295B1 (en) | 2021-08-25 |
WO2017217639A1 (ko) | 2017-12-21 |
CN109416958B (zh) | 2020-12-04 |
KR102068870B1 (ko) | 2020-01-21 |
US10749135B2 (en) | 2020-08-18 |
EP3474295A4 (en) | 2019-05-29 |
US20190341574A1 (en) | 2019-11-07 |
JP2019522905A (ja) | 2019-08-15 |
KR20170142449A (ko) | 2017-12-28 |
CN109416958A (zh) | 2019-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6798032B2 (en) | Metal film pattern and manufacturing method thereof | |
CN104298040B (zh) | 一种coa基板及其制作方法和显示装置 | |
US9812579B2 (en) | Thin film transistor, method of fabricating the same, array substrate and display device | |
US10008516B2 (en) | LTPS TFT array substrate, its manufacturing method, and display device | |
US10457593B2 (en) | Glass plate with film, touch sensor, film and method for producing glass plate with film | |
CN102902111B (zh) | 形成透明电极以及制造液晶显示装置的阵列基板的方法 | |
US20160011457A1 (en) | Fabrication method of substrate | |
KR20100051499A (ko) | 플렉시블 표시장치 제조방법 | |
CN105204223A (zh) | 一种基板的制作方法、基板和显示装置 | |
WO2015027620A1 (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置及电子产品 | |
JP6695608B2 (ja) | 電極構造体、これを含む電子素子およびその製造方法 | |
US10879278B2 (en) | Display substrate, manufacturing method therefor, and display device | |
US9716117B2 (en) | Method for producing a via, a method for producing an array substrate, an array substrate, and a display device | |
KR102340409B1 (ko) | 표시 장치 | |
US20180107311A1 (en) | Touch substrate and method of manufacturing the same, touch panel and display device | |
KR20100059587A (ko) | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
US20220246709A1 (en) | Oled display substrate and method for preparing the same, and display device | |
US9842883B2 (en) | Flexible array substrate structure and manufacturing method for the same | |
US20180364529A1 (en) | Ips array substrate and liquid crystal display panel | |
CN104681744A (zh) | 一种低功耗有机电致发光显示器件及制作方法 | |
JP2013092613A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
WO2013174105A1 (zh) | 阵列基板、其制造方法、显示面板及显示装置 | |
KR101744520B1 (ko) | 은나노와이어를 포함하는 도전성 막에 사용되는 에칭액 조성물, 이를 이용한 투명 전극 및 이의 제조방법 | |
WO2015143746A1 (zh) | 一种tft阵列基板的制造方法 | |
JP2006202961A (ja) | 印刷パターンを用いた処理方法及び印刷パターンの製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191216 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191219 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200306 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200323 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200409 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6695608 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |